JPH0735403Y2 - Lead frame - Google Patents
Lead frameInfo
- Publication number
- JPH0735403Y2 JPH0735403Y2 JP1987137391U JP13739187U JPH0735403Y2 JP H0735403 Y2 JPH0735403 Y2 JP H0735403Y2 JP 1987137391 U JP1987137391 U JP 1987137391U JP 13739187 U JP13739187 U JP 13739187U JP H0735403 Y2 JPH0735403 Y2 JP H0735403Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- die pad
- chip
- pad portion
- piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体集積回路チップ（以下、ICチップとい
う）をモールドする際に、ICチップを搭載し、外部リー
ドを形成するに使用されるリードフレームに関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial field of application] The present invention is used for mounting an IC chip and forming external leads when a semiconductor integrated circuit chip (hereinafter referred to as an IC chip) is molded. Regarding lead frame.
本発明は、ICチップをモールドする際に、ICチップを搭
載し、外部リードを形成するに使用されるリードフレー
ムにおいて、このリードフレームを熱膨張係数が半導体
チップ及び封止樹脂のそれに近い合金からなり、両端に
結合片を有するダイパッド部と、電気伝導度の高い金属
あるいは合金からなり、かしめ片を支持する支持部を有
しかつリード部を有する枠部とを、この結合片をこのか
しめ片にかしめることにより結合して構成することによ
り、ダイパッド部及び外部リードフレームを夫々最適な
材料、例えばダイパッド部をNi−Fe合金を用いて形成
し、リードフレームをCuを用いて形成し、モールド時に
おけるICチップの割れ及びモールド樹脂の割れを防ぎ得
るリードフレームを低価格で製造できるようにしたもの
である。The present invention, when molding an IC chip, in a lead frame used to mount the IC chip and form external leads, the lead frame is made of an alloy whose thermal expansion coefficient is close to that of the semiconductor chip and the sealing resin. A die pad portion having connecting pieces at both ends, and a frame portion having a supporting portion for supporting the crimping piece and having a lead portion, which is made of a metal or an alloy having high electric conductivity, and the connecting piece being the crimping piece. The die pad portion and the external lead frame are respectively formed of optimal materials, for example, the die pad portion is formed using a Ni--Fe alloy, the lead frame is formed using Cu, and the mold is formed by bonding by caulking. This is a lead frame that can be manufactured at a low price, which can prevent the IC chip from cracking and the molding resin from cracking.
従来、ICチップをモールドする際に、ICチップを搭載
し、外部リードを形成するに使用されるリードフレーム
として、第４図にその斜視図を示すようなものが提案さ
れている。Conventionally, as a lead frame used to mount an IC chip and form external leads when molding the IC chip, a lead frame shown in FIG. 4 has been proposed.
このリードフレームは、その材料としてCuを用い、ダイ
パッド部（１）と外部リードフレーム（２）とを一体と
して構成してなるものであり、一般にプレス法によって
形成される。尚、（３）は外部リードである。This lead frame uses Cu as its material, and is formed by integrally forming the die pad portion (1) and the external lead frame (2), and is generally formed by a pressing method. Incidentally, (3) is an external lead.
斯かる第４図従来例のリードフレームにおいては、その
材料として、ICチップ（図示せず）及びモールド樹脂
（図示せず）と熱膨脹係数を大幅に異にするCuが用いら
れているため、モールド時、大きな応力がダイパッド部
（１）の上面（1A）に搭載するICチップ及びモールド樹
脂に加わってしまう。また、この第４図従来例のリード
フレームにおいては、ダイパッド部（１）の上面（1A）
は平滑面とされているため、ICチップに加わる応力を緩
和することもできない。したがって、この第４図従来例
のリードフレームにおいては、モールド時、ICチップ及
びモールド樹脂に割れが生ずる場合があるという不都合
があった。特にチップサイズが大きくなると、例えば1M
ビットのSRAMのように5mm×10mm程度の大きさのICチッ
プになると、ICチップの割れが頻繁に生じてしまうとい
う不都合があった。In the lead frame of the conventional example shown in FIG. 4, Cu, which has a thermal expansion coefficient significantly different from that of the IC chip (not shown) and the molding resin (not shown), is used as the material thereof. At this time, a large stress is applied to the IC chip and the molding resin mounted on the upper surface (1A) of the die pad portion (1). Further, in the lead frame of the conventional example shown in FIG. 4, the upper surface (1A) of the die pad portion (1)
Since it has a smooth surface, the stress applied to the IC chip cannot be relaxed. Therefore, the lead frame of the conventional example shown in FIG. 4 has a disadvantage that the IC chip and the molding resin may be cracked during molding. Especially when the chip size becomes large, for example, 1M
When it comes to an IC chip with a size of about 5 mm x 10 mm like a bit SRAM, there is a disadvantage that the IC chip is frequently cracked.
そこで斯かる不都合を解消するようにしたリードフレー
ムとして、第５図にその斜視図を示すようなものが提案
されている。Therefore, a lead frame whose perspective view is shown in FIG. 5 has been proposed as a lead frame for eliminating such inconvenience.
このリードフレームは、その材料として熱膨脹係数をIC
チップ及びモールド樹脂の熱膨脹係数に近い値とするNi
−Fe合金（４−２アロイ）を用い、ダイパッド部（４）
と外部リードフレーム（５）とを一体として構成し、ダ
イパッド部（４）の上面に応力緩和用の溝（６）を複数
に設けて成るものである。尚、（７）は外部リードであ
る。This lead frame has a thermal expansion coefficient of IC as its material.
Ni with a value close to the coefficient of thermal expansion of chip and mold resin
-Using Fe alloy (4-2 alloy), die pad (4)
And the external lead frame (5) are integrally formed, and a plurality of grooves (6) for stress relaxation are provided on the upper surface of the die pad portion (4). Incidentally, (7) is an external lead.
しかしながら、斯かる第５図従来例のリードフレームに
おいては、リードフレーム全体を高価なNi−Fe合金で構
成している。またダイパッド部（４）の上面に応力緩和
用の溝（６）を設ける場合にはプレス加工に比し費用の
かかるエッチング加工を必要とする。このため、斯かる
第５図従来例のリードフレームにおいては、リードフレ
ームの価格が高価になってしまうという不都合があっ
た。However, in the lead frame of the conventional example shown in FIG. 5, the entire lead frame is made of an expensive Ni-Fe alloy. Further, when the groove (6) for stress relaxation is provided on the upper surface of the die pad portion (4), etching processing which is more expensive than press processing is required. Therefore, in the lead frame of the conventional example shown in FIG. 5, there is a disadvantage that the price of the lead frame becomes expensive.
本考案は、斯かる点に鑑み、低価格にして、モールド時
におけるICチップの割れ及びモールド樹脂の割れを防ぎ
得るリードフレームを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a lead frame that is inexpensive and can prevent cracks of an IC chip and a mold resin during molding.
本考案によるリードフレームは、例えば第１図に示すよ
うに、熱膨張係数が半導体チップ及び封止樹脂のそれに
近い合金からなり、両端に結合片（11）を有するダイパ
ッド部（８）と、電気伝導度の高い金属あるいは合金か
らなり、かしめ片（13A）を支持する支持部（13B）を有
しかつリード部（12）を有する枠部（９）とを、この結
合片（11）をこのかしめ片（13A）にかしめることによ
り結合して成るものである。For example, as shown in FIG. 1, the lead frame according to the present invention is made of an alloy having a thermal expansion coefficient close to that of a semiconductor chip and a sealing resin, and has a die pad portion (8) having coupling pieces (11) at both ends and an electrical pad. A frame portion (9) made of a metal or alloy having high conductivity, having a supporting portion (13B) for supporting the caulking piece (13A) and having a lead portion (12), and this connecting piece (11) The crimping piece (13A) is joined by crimping.
斯かる本考案によれば、熱膨張係数が半導体チップ及び
封止樹脂のそれに近い合金からなり、両端に結合片（1
1）を有するダイパッド部（８）と、電気伝導度の高い
金属あるいは合金からなり、かしめ片（13A）を支持す
る支持部（13B）を有しかつリード部（12）を有する枠
部（９）とを、この結合片（11）をこのかしめ片（13
A）にかしめることにより結合するように成されている
ので、ダイパッド部（８）及び外部リードフレーム
（９）を夫々最適な材料、例えばICチップの割れ及びモ
ールド樹脂の割れに影響を与えるダイパッド部（８）に
ついては、熱膨脹係数をICチップ及びモールド樹脂の熱
膨脹係数に近い値とするNi−Fe合金を用いて形成し、他
方、ICチップの割れ及びモールド樹脂の割れに影響を与
えない外部リードフレーム（９）については、ICチップ
及びモールド樹脂と熱膨脹係数を大幅に異にするが、価
格を安価とするCuを用いて形成することができる。した
がって、モールド時におけるICチップ及びモールド樹脂
の割れを防ぎ得るリードフレームを低価格で製造するこ
とができる。According to the present invention, the thermal expansion coefficient is made of an alloy close to that of the semiconductor chip and the sealing resin, and the connecting pieces (1
1) and a frame part (9) having a lead part (12) and a supporting part (13B) made of a metal or alloy having high electric conductivity for supporting the caulking piece (13A). ) And this connecting piece (11) to this caulking piece (13
Since the die pad portion (8) and the external lead frame (9) are configured to be joined by crimping to A), the die pad portion (8) and the external lead frame (9) affect the cracks of the IC chip and the mold resin, respectively. The part (8) is formed by using a Ni-Fe alloy whose coefficient of thermal expansion is close to that of the IC chip and the molding resin, while it does not affect the cracking of the IC chip and the molding resin. The lead frame (9) can be formed using Cu, which has a coefficient of thermal expansion significantly different from that of the IC chip and the molding resin, but is inexpensive. Therefore, a lead frame capable of preventing the IC chip and the mold resin from cracking during molding can be manufactured at a low price.
以下、第１図及び第２図を参照して、本考案リードフレ
ームの一実施例につき説明しよう。An embodiment of the lead frame of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2.
第１図は本例のリードフレームの斜視図を示し、この第
１図において、（８）はダイパッド部、（９）は外部リ
ードフレームである。ここにダイパッド部（８）は、熱
膨脹係数をICチップ及びモールド樹脂の熱膨脹係数に近
い値とするNi−Fe合金（４−２アロイ）によって形成さ
れており、その上面には応力緩和用の溝（10）が複数設
けられている。また、このダイパッド部（８）の相対向
する２辺には外部リードフレーム（９）との結合に供さ
れる結合片（11）が設けられている。FIG. 1 shows a perspective view of the lead frame of this example. In FIG. 1, (8) is a die pad portion and (9) is an external lead frame. The die pad portion (8) is formed of a Ni-Fe alloy (4-2 alloy) having a thermal expansion coefficient close to that of the IC chip and the molding resin, and the stress relaxation groove is formed on the upper surface thereof. A plurality of (10) are provided. Further, coupling pieces (11) used for coupling with the external lead frame (9) are provided on two opposite sides of the die pad portion (8).
また外部リードフレーム（９）は、ICチップ及びモール
ド樹脂と熱膨脹係数を大幅に異にするが、価格を安価と
するCuによって形成されている。これは、この外部リー
ドフレーム（９）がICチップの割れ及びモールド樹脂の
割れに影響を与えないためである。ここに、この外部リ
ードフレーム（９）は外部リード（12）のほか、ダイパ
ッド部（８）の結合片（11）と結合するカシメ片部（1
3）を有している。このカシメ片部（13）はカシメ片（1
3A）とこのカシメ片（13A）を支持する支持片（13B）と
から構成され、本例においては、ダイパッド部（８）の
結合片（11）をカシメ片部（13）のカシメ片（13A）で
かしめてダイパッド部（８）と外部リードフレーム
（９）とを結合している。尚、この場合、カシメ片部
（13）の支持片（13B）は、段状に下方に折曲され、ダ
イパッド部（８）が外部リード（12）よりも下方に配さ
れるように成されている。これは、ICチップのボンディ
ングパッドと外部リードとを金線でボンディングする場
合に金線がICチップの縁に引掛からないようにするため
である。The external lead frame (9) is made of Cu, which has a coefficient of thermal expansion greatly different from that of the IC chip and the molding resin, but is inexpensive. This is because the external lead frame (9) does not affect the cracking of the IC chip and the molding resin. Here, the external lead frame (9) is connected to the external lead (12) and the connecting piece (11) of the die pad part (8).
Have 3). This caulking piece (13) is a caulking piece (1
3A) and a supporting piece (13B) for supporting the crimping piece (13A). In this example, the connecting piece (11) of the die pad part (8) is the caulking piece (13A) ), The die pad portion (8) and the external lead frame (9) are joined together. In this case, the supporting piece (13B) of the caulking piece portion (13) is bent downward in a stepwise manner, and the die pad portion (8) is arranged below the external lead (12). ing. This is to prevent the gold wire from catching on the edge of the IC chip when the bonding pad of the IC chip and the external lead are bonded with the gold wire.
斯かる本例のリードフレームを製造する場合には、先ず
第２図Ａに示すように、Ni−Fe合金板をエッチング加工
して、ダイパッド部（８）、結合片（11）及び枠部（1
4）を有し、ダイパッド部（８）の上面に応力緩和用の
溝（10）を形成してなるダイパッドフレーム（15）を用
意し、続いて結合片（11）を第２図に１点鎖線Ｘで示す
位置で切断する。When manufacturing the lead frame of this example, first, as shown in FIG. 2A, the Ni—Fe alloy plate is etched to form the die pad portion (8), the coupling piece (11) and the frame portion ( 1
4), a die pad frame (15) having a groove (10) for stress relaxation formed on the upper surface of the die pad portion (8) is prepared, and then a coupling piece (11) is provided as one point in FIG. Cut at the position indicated by the chain line X.
次に第２図Ｂに示すように、Cu板をプレス加工して、枠
部（16）に外部リード（12）及びカシメ片部（13）を結
合してなる外部リードフレーム（９）を用意し、続いて
第２図Ｃに示すように、カシメ片部（13）の支持片（13
B）をプレスして下方に段状に折り曲げる。Next, as shown in FIG. 2B, an external lead frame (9) is prepared by pressing a Cu plate to join the external lead (12) and the crimping piece (13) to the frame (16). Then, as shown in FIG. 2C, the supporting piece (13
Press B) and fold it downwards in steps.
次に第２図Ｄに示すように、ダイパッド部（８）の結合
片（11）を外部リードフレーム（９）のカシメ片（13
A）に載置し、続いてカシメ片（13A）で結合片（11）を
かしめてダイパッド部（８）と外部リードフレーム
（９）とを結合する。このようにして第１図例のリード
フレームを得ることができる。Next, as shown in FIG. 2D, the connecting piece (11) of the die pad portion (8) is connected to the caulking piece (13) of the external lead frame (9).
Then, the die pad portion (8) and the external lead frame (9) are joined by caulking the joining piece (11) with the caulking piece (13A). In this way, the lead frame shown in FIG. 1 can be obtained.
斯かる第１図例のリードフレームによれば、ダイパッド
部（８）は熱膨脹係数をICチップ及びモールド樹脂の熱
膨脹係数に近い値とするNi−Fe合金で形成されると共に
ダイパッド部（８）の上面には応力緩和用の溝（10）が
設けられているので、モールド時、ICチップ及びモール
ド樹脂に加わる応力は緩和され、第５図従来例と同様に
モールド時におけるICチップの割れ及びモールド樹脂の
割れを防ぐことができる。上述のように、ダイパッド部
（８）の上面には、複数の溝（10）が設けられているの
で、このダイパッド部（８）は、機械的強度が小さくな
り変形しやすくなっている。したがって、ICチップをモ
ールドする際に発生するストレスは、このダイパッド部
（８）により吸収することができる。According to such a lead frame of FIG. 1, the die pad portion (8) is formed of a Ni-Fe alloy whose thermal expansion coefficient is close to the thermal expansion coefficient of the IC chip and the molding resin, and the die pad portion (8) is Since the groove (10) for stress relaxation is provided on the upper surface, the stress applied to the IC chip and the molding resin at the time of molding is relaxed, and the cracking of the IC chip and the molding at the time of molding as in the conventional example shown in FIG. It is possible to prevent cracking of the resin. As described above, since the upper surface of the die pad portion (8) is provided with the plurality of grooves (10), the die pad portion (8) has low mechanical strength and is easily deformed. Therefore, the stress generated when the IC chip is molded can be absorbed by the die pad portion (8).
ここに斯かる第１図例のリードフレームによれば、ICチ
ップの割れ及びモールド樹脂の割れに影響を与えるダイ
パッド部（８）のみを高価なNi−Fe合金を用いてエッチ
ング加工で形成し、ICチップの割れ及びモールド樹脂の
割れに影響を与えない外部リードフレーム（９）につい
ては、低価格のCuを用いて費用の易いプレス加工で形成
しているので、モールド時におけるICチップ及びモール
ド樹脂の割れを防ぎ得るリードフレームを第５図従来例
に比して低価格で製造できるという利益がある。また、
ダイパッドフレーム（15）からダイパッド部（８）を切
断する工程、またはかしめ片部（13）の支持片（13B）
を下方に段状に折り曲げる工程、または結合片（11）と
かしめ片（13A）とを結合させる工程など、全ての工程
をプレス機械で行うことができ、溶接機械など新たな設
備が不要である。According to the lead frame of FIG. 1 as described above, only the die pad portion (8) that affects the cracks of the IC chip and the mold resin is formed by etching using an expensive Ni-Fe alloy, The external lead frame (9), which does not affect the cracking of the IC chip and the molding resin, is formed by cost-effective press work using low-cost Cu, so the IC chip and molding resin during molding There is an advantage that a lead frame capable of preventing cracking can be manufactured at a lower price than the conventional example shown in FIG. Also,
A step of cutting the die pad portion (8) from the die pad frame (15) or a supporting piece (13B) of the caulking piece portion (13)
All steps can be performed with a press machine, such as the step of bending the bottom part in a stepwise manner, or the step of joining the joining piece (11) and the caulking piece (13A), and no new equipment such as a welding machine is required. .
尚、上述実施例においては、ICチップに加わる応力を緩
和するため、ダイパッド部（８）の上面に複数の溝（1
0）を形成するようにした場合につき述べたが、この代
わりに、第３図に示すように、複数の底あり穴（17）を
設けるようにしても良く、この場合にも上述同様の作用
効果を得ることができる。In the above-mentioned embodiment, in order to relieve the stress applied to the IC chip, a plurality of grooves (1
However, instead of this, a plurality of holes (17) with a bottom may be provided as shown in FIG. The effect can be obtained.
また上述実施例においては、結合片（11）をカシメ片
（13A）にかしめてダイパッド部（８）と外部リードフ
レーム（９）とを結合した場合につき述べたが、この代
わりに、結合片（11）を外部リードフレーム（９）に接
着、或いは熔接してダイパッド部（８）と外部リードフ
レーム（９）とを結合しても良く、この場合にも上述同
様の作用効果を得ることができる。In the above embodiment, the case where the connecting piece (11) is caulked to the crimping piece (13A) to connect the die pad portion (8) and the external lead frame (9) has been described. The die pad portion (8) and the external lead frame (9) may be joined by bonding or welding 11) to the external lead frame (9), and in this case, the same effect as described above can be obtained. .
また上述実施例においては、ダイパッド部（８）をNi−
Fe合金で形成した場合につき述べたが、この代わりに、
Fe−Ni−Co合金（コバール）等で形成しても良く、この
場合にも上述同様の作用効果を得ることができる。Further, in the above-mentioned embodiment, the die pad portion (8) is made of Ni-
The case of forming with Fe alloy was described, but instead of this,
It may be formed of Fe-Ni-Co alloy (Kovar) or the like, and in this case, the same effect as described above can be obtained.
また上述実施例においては、外部リードフレーム（９）
をCuで形成した場合につき述べたが、この代わりに、Cu
−Fe合金、Cu−Cr合金、或いはCr−Zn合金等で形成して
も良く、この場合にも上述同様の作用効果を得ることが
できる。Further, in the above-mentioned embodiment, the external lead frame (9)
The case of forming Cu with Cu has been described.
It may be formed of a -Fe alloy, a Cu-Cr alloy, a Cr-Zn alloy, or the like, and in this case, the same action and effect as described above can be obtained.
本考案によれば、ダイパッド部（８）及び外部リードフ
レーム（９）を夫々最適な材料、例えばICチップの割れ
及びモールド樹脂の割れに影響を与えるダイパッド部
（８）のみを、高価であるが、熱膨脹係数をICチップ及
びモールド樹脂の熱膨脹係数に近い値とするNi−Fe合金
を用いて形成し、他方、ICチップの割れ及びモールド樹
脂の割れに影響を与えない外部リードフレーム（９）に
ついては、ICチップ及びモールド樹脂と熱膨脹係数を大
幅に異にするが、価格を安価とするCuを用いて形成する
ことができるので、モールド時におけるICチップの割れ
及びモールド樹脂の割れを防ぎ得るリードフレームを低
価格で製造することができるという利益がある。また、
ダイパッドフレーム（15）からダイパッド部（８）を切
断する工程、またはかしめ片部（13）の支持片（13B）
を下方に段状に折り曲げる工程、または結合片（11）と
かしめ片（13A）とを結合させる工程など、全ての工程
をプレス機械で行うことができ、溶接機械など新たな設
備が不要である。According to the present invention, only the die pad portion (8) and the external lead frame (9) which are made of optimum materials, for example, the die pad portion (8) which affects the cracking of the IC chip and the molding resin, are expensive. , An external lead frame (9) which is formed by using a Ni-Fe alloy whose thermal expansion coefficient is close to the thermal expansion coefficient of the IC chip and the molding resin, and which does not affect the cracking of the IC chip and the molding resin. Has a coefficient of thermal expansion significantly different from that of the IC chip and mold resin, but since it can be formed using Cu, which is inexpensive, it can prevent cracking of the IC chip and mold resin during molding. The advantage is that the frame can be manufactured at a low price. Also,
A step of cutting the die pad portion (8) from the die pad frame (15) or a supporting piece (13B) of the caulking piece portion (13)
All steps can be performed with a press machine, such as the step of bending the bottom part in a stepwise manner, or the step of joining the joining piece (11) and the caulking piece (13A), and no new equipment such as a welding machine is required. .
第１図は本考案リードフレームの一実施例を示す斜視
図、第２図は第１図例のリードフレームを製造する工程
を示す線図、第３図は本考案の他の実施例を示す斜視
図、第４図は従来のリードフレームの一例を示す斜視
図、第５図は従来のリードフレームの他の例を示す斜視
図である。 （８）はダイパッド部、（９）は外部リードフレーム、
（10）は応力緩和用の溝、（11）は結合片、（13）はカ
シメ片部、（13A）はカシメ片である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the lead frame of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a process of manufacturing the lead frame of the example of FIG. 1, and FIG. 3 is another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing an example of a conventional lead frame, and FIG. 5 is a perspective view showing another example of a conventional lead frame. (8) is a die pad part, (9) is an external lead frame,
(10) is a groove for stress relaxation, (11) is a connecting piece, (13) is a caulking piece, and (13A) is a caulking piece.
Claims (2)
それに近い合金からなり、両端に結合片を有するダイパ
ッド部と、 電気伝導度の高い金属あるいは合金からなり、かしめ片
を支持する支持部を有しかつリード部を有する枠部と
を、 上記結合片を上記かしめ片にかしめることにより結合さ
せたことを特徴とするリードフレーム。1. A support part for supporting a crimping piece, which is made of an alloy having a thermal expansion coefficient close to that of a semiconductor chip and a sealing resin, and has a die pad portion having coupling pieces at both ends and a metal or alloy having high electric conductivity. And a frame portion having a lead portion are joined together by crimping the joining piece to the caulking piece.
有することを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項
記載のリードフレーム。2. The lead frame according to claim 1, wherein the die pad portion has grooves or holes on the surface thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987137391U JPH0735403Y2 (en) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987137391U JPH0735403Y2 (en) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | Lead frame |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6441146U JPS6441146U (en) | 1989-03-13 |
| JPH0735403Y2 true JPH0735403Y2 (en) | 1995-08-09 |
Family
ID=31398773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987137391U Expired - Lifetime JPH0735403Y2 (en) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735403Y2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5703008B2 (en) * | 2010-12-16 | 2015-04-15 | 新電元工業株式会社 | Frame assembly, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2020094933A (en) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Thermal flowmeter |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662345A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Load frame and semiconductor device |
| JPS6284541A (en) * | 1985-10-08 | 1987-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPS62136059A (en) * | 1985-12-09 | 1987-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame for resin sealed semiconductor device |
-
1987
- 1987-09-08 JP JP1987137391U patent/JPH0735403Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6441146U (en) | 1989-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5834691A (en) | Lead frame, its use in the fabrication of resin-encapsulated semiconductor device | |
| US5633528A (en) | Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion | |
| US5091341A (en) | Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member | |
| US6291262B1 (en) | Surface mount TO-220 package and process for the manufacture thereof | |
| US20030207498A1 (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| US7456049B2 (en) | Method of fabricating lead frame and method of fabricating semiconductor device using the same, and lead frame and semiconductor device using the same | |
| EP1500130A1 (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| US5028741A (en) | High frequency, power semiconductor device | |
| US20070001276A1 (en) | Semiconductor device and portable apparatus and electronic apparatus comprising the same | |
| JPH04280664A (en) | Lead fram for semiconductor device | |
| JP2000003988A (en) | Lead frame and semiconductor device | |
| JPH0735403Y2 (en) | Lead frame | |
| US6312976B1 (en) | Method for manufacturing leadless semiconductor chip package | |
| WO2006096718A1 (en) | Leadframe, coining tool, and method | |
| JP2005209805A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| JP2527503B2 (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| JPS6050346B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2754675B2 (en) | Lead frame for semiconductor device, method of manufacturing the same, and semiconductor device | |
| JP2960698B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device with heat sink and method of manufacturing the same | |
| KR100321149B1 (en) | chip size package | |
| JP3473525B2 (en) | Quad flat package | |
| JPH09129803A (en) | Hall element and its manufacture | |
| JPS5812452Y2 (en) | semiconductor equipment | |
| JPH1074883A (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| JP2000236033A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof |