JPH07335555A - 化学的気相成長装置および保持具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理ガスの乱流によるウエハへの異物付着を
抑止する。 【構成】 反応炉１と、前記反応炉１内に収容されかつ
ウエハ３を保持するボート４と、前記反応炉内に処理ガ
ス１０を送り込むガス供給系と、前記反応炉内から使用
済ガスを排気するガス排気系と、前記反応炉内に配設さ
れかつ処理ガスの流れを調整するガス流れ調整体とを有
する低圧ＣＶＤ装置であって、前記ガス流れ調整体３０
は前記ウエハ３に対面しかつウエハ３と略同じ形状とな
る本体部分３１と、この本体部分３１に連なって形成さ
れた先端が尖った錐体状部分３２とからなるとともに、
前記ウエハ列の前後にそれぞれ設けられている。錐体状
部分３２の円錐面によって処理ガス１０の乱流化が防止
でき、異物の舞い上がりに起因するウエハの異物汚染が
防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ：Chemical Vapor Deposition)装置および保持具、特
に、低圧（減圧）ＣＶＤ装置に関し、たとえば、半導体
ウエハを保持具（たとえば、ボートと呼称される保持
具）上に立てて並べ、ウエハ列の一端（前端）側から他
端（後端）側に向かって処理ガスを流してウエハ表面に
ＣＶＤ膜を形成するいわゆるホットウオールタイプ（Ho
t Wall Type)の低圧ＣＶＤ装置に適用して有効な技術に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造において、シリコン酸
化膜（ＳｉＯ2 膜），ポリシリコン（多結晶Ｓｉ）膜，
リンシリケートガラス膜（ＰＳＧ膜），ナイトライド膜
（ＳｉＮ膜）等を半導体薄板（半導体ウエハまたは単に
ウエハと呼称する）の主面に形成する技術の一つとし
て、低圧（減圧）ＣＶＤ技術が知られている。減圧ＣＶ
Ｄ技術については、株式会社プレスジャーナル発行「月
刊セミコンダクター ワールド（Semiconductor Worl
d)」1983年２月号、昭和58年１月15日発行、Ｐ40〜Ｐ48
に記載されている。この文献には、シリコン基板からな
るウエハを反応炉内の石英ボート上に垂直にチャージす
る構造、ホットウオールタイプの減圧ＣＶＤ装置につい
て記載されている。この文献には、減圧法によるＳｉＯ
2 ，ＰＳＧ膜の生成法はＰｏｌｙＳｉやＳｉ3 Ｎ4 膜の
生成法と比べはるかに難しい。このため、反応室内の構
造には工夫が凝らされている旨記載されている。開示さ
れている工夫の一つは、ウエハを載置する石英ボートの
上に石英円筒管からなるＢＵＦＦＥＲ（バッファ）が載
置されている。このバッファは、処理ガスの供給側に設
けられ、かつ被処理物であるウエハ列の最前列に位置し
ている。供給される処理ガスに対面する前記バッファの
面は平坦な面、すなわち、処理ガスの流れ方向に対して
直交する平坦面となっている。また、開示されている工
夫の他の一つは、前記バッファに加えて、反応管内に石
英多孔管を配置し、この石英多孔管内に石英ボートを配
置させる構造としている。この反応室の場合は、前記石
英多孔管の内壁に設けられた複数の孔から処理ガスが供
給されるようになっている。

【０００３】また、ＣＶＤ装置の各種方式、すなわち、
水平型，垂直型，円筒型，連続型，管状炉型について
は、工業調査会発行「最新ＬＳＩプロセス技術」1991年
１月10日発行、P227〜P229に記載されている。また、縦
型ＣＶＤ装置については、たとえば、工業調査会発行
「電子材料」1988年３月号、同年３月１日発行、Ｐ57〜
Ｐ62に記載されている。この文献によるＣＶＤ装置は、
縦形拡散ＣＶＤ装置となり、縦方向に長く延在するアウ
タチューブと、このアウタチューブの内側に挿入配置さ
れるインナチューブとを有している。前記インナチュー
ブの下部にはボート受け台が配設され、このボート受け
台上にはウエハボートが取り付けられている。ウエハは
前記ウエハボート内において、下方から上方に向かって
順次所定間隔を隔てて重なるように配設されている。ガ
スはインナチューブの下方から送り込まれ、ウエハ列に
接しながら流れ、インナチューブの天井部分の穴から抜
け、アウタチューブに沿って下方に導かれ、かつアウタ
チューブの下部から排気される構造となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記文献にも示されて
いるように、ホットウオールタイプの減圧ＣＶＤ装置で
は、処理ガスの流れを整えるため、ウエハ列の最前列に
バッファを配置してＣＶＤ処理を行っているものがあ
る。しかし、このようなバッファでは、乱流を起こし、
この乱流による異物の舞い上がりによってウエハ表面に
異物が付着する現象が生じることがあることが判明し
た。すなわち、前記バッファは、両端面が平坦となる石
英円筒管となっていることから、流れ来る処理ガスは前
記平坦面に付き当たることになり、乱流となり易い。こ
の乱流は反応炉内の異物を舞い上げるため、舞い上がっ
た異物はウエハ表面に付着し易くなる。異物付着不良は
単に被膜形成歩留りの低下を引き起こすだけではなく、
後工程のホトリソグラフィにおいて、異物付着に起因し
た突部の存在からコンタクト露光の歩留りを低下させた
り、微細パターンができなくなる原因となる。また、前
記乱流は林立するウエハ表面に供給される処理ガスの流
れを乱す原因となり、ＣＶＤ膜の膜質や膜厚の不均一化
を引き起こす。

【０００５】本発明の目的は、処理ガスの乱流に起因す
るウエハの異物付着を抑止できる化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ）装置を提供することにある。

【０００６】本発明の他の目的は、ＣＶＤ膜の膜質およ
び膜厚の均一化が図れるＣＶＤ装置を提供することにあ
る。

【０００７】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の低圧ＣＶＤ装置
は、水平方向に延在する円筒状の石英円筒管で形成され
る反応炉と、前記反応炉内に収容されかつ被処理物であ
る半導体ウエハを保持する保持具（ボート）と、前記反
応炉の一端側から反応炉内に処理ガスを送り込むガス供
給系と、前記反応炉の他端側から反応炉外に使用済ガス
を排気するガス排気系と、前記反応炉内に配設されかつ
処理ガスの流れを調整するガス流れ調整体とを有する低
圧ＣＶＤ装置であって、前記ボート上には２つのガス流
れ調整体が載置されている。ガス流れ調整体は前記ウエ
ハ列の最前列および最後尾に配置されている。前記ガス
流れ調整体は前記ウエハに対面しかつウエハと略同じ円
形形状となる本体部分と、この本体部分に連なって形成
された先端が尖った錐体状部分（円錐体部分）とからな
っている。円錐体部分の中心軸と円形の本体部分の中心
軸は一致している。また、ガス流れ調整体は、円錐体部
分の中心軸がボートと平行になるように載置されてい
る。また、前記反応炉は低圧状態で前記ウエハを処理す
る構成となっている。

【０００９】本発明の他の実施例による低圧ＣＶＤ装置
では、前記ガス流れ調整体はボートに固定された構造と
なっている。

【００１０】

【作用】上記した手段によれば、本発明の低圧ＣＶＤ装
置は、ウエハ列の前に、先端が尖った円錐体部分からな
るガス流れ調整体が配設されていることから、ガス供給
系によって反応炉の一端から反応炉に送り込まれた処理
ガスは、ガス流れ調整体の傾斜した円錐面に当たり、そ
の後は円錐面に沿って流れることから、乱流の発生は起
き難くなり層流となって円錐面を通過し、かつ円形状の
石英円筒管の内周面に沿って移動する。この結果、処理
ガスの乱流に伴う異物の舞い上がりは発生し難くなり、
異物がウエハ表面に付着する異物付着不良は起き難くな
る。

【００１１】また、本発明の低圧ＣＶＤ装置において
は、処理ガスは円錐体部分からなるガス流れ調整体によ
って石英円筒管の全周に均一に分散され、かつ石英円筒
管の長手方向に沿って層流となって流れるとともに、各
ウエハ間の空間に一部が順次流れ込むことから、各ウエ
ハへの処理ガスの供給は均一化し、生成されるＣＶＤ膜
の膜質が均質となるとともに、膜厚も均一化されること
になる。

【００１２】また、本発明の他の実施例であるガス流れ
調整体をボートに固定した構造では、ボートに衝撃が加
わっても、ガス流れ調整体が動くことがなく、ガス流れ
調整体が動く（ずれる）ことによる処理ガスの流れの変
化に起因するＣＶＤ膜の不均一化が防止できる。

【００１３】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。本発明の低圧ＣＶＤ装置は、図１に示すよ
うに、細長の反応炉１を水平方向に延在させた横型炉と
なっている。前記反応炉１は石英円筒管２で形成され、
炉内には被処理物であるウエハ（半導体ウエハ）３が収
容される。ウエハ３は石英製のボートと呼称される保持
具４上に林立状態で載置される。前記反応炉１の両端に
は、側壁５，６が取り付けられている。

【００１４】前記一端の側壁５は供給側となり、処理ガ
ス１０を反応炉１内に供給する供給パイプ１１が取り付
けられている。前記供給パイプ１１や、この供給パイプ
１１に接続される図示しない供給ポンプやボンベ等によ
って、前記反応炉１内に処理ガス１０を送り込むガス供
給系１２が形成されている。また、前記側壁５には開閉
自在のドア１３が取り付けられている。前記保持具（ボ
ート）４は、前記ドア１３を開けた状態でローディング
・アンローディングされる。

【００１５】また、前記他端の側壁６は排気側となり、
処理ガス１０等使用されたガス１４を排気する排気管１
５が取り付けられている。前記排気管１５には、ガス１
４の流れ方向に沿ってメインバルブ（ＭＶ）１６，排気
ポンプ（Ｐ）１７等がそれぞれ取り付けられている。ま
た、前記排気管１５は、反応炉１から延在してすぐに分
岐し、この分岐管１８にはベント１９が取り付けられて
いる。図示はしないが、前記ベント１９の先にはベント
用のポンプが取り付けられている。したがって、前記ベ
ント用のポンプが動作している状態で、ベント１９が開
けられると、ガス１４はベント側に排気されるようにな
る。また、前記排気管１５には、前記メインバルブ１６
を迂回する迂回管２０が取り付けられている。この迂回
管２０には、サブバルブ（ＳＶ）２１が取り付けられて
いる。前記排気管１５，メインバルブ１６，排気ポンプ
１７，分岐管１８，ベント１９，迂回管２０，サブバル
ブ２１等によって、前記反応炉１内から使用済ガスを排
気するガス排気系２２が形成される。

【００１６】前記ボート４は、図１に示すように、ウエ
ハ３の下部からも処理ガス１０が流れ込めるようにスノ
コ式となり、ウエハ列に沿って３本のスリット２５が延
在する構造となっている。ボート４の下方に進んだ処理
ガス１０は、前記スリット２５を通って林立するウエハ
３間に進入する。これにより、ウエハ３の全周からウエ
ハ３とウエハ３の間の隙間に処理ガス１０が侵入可能と
なる。ウエハ３は、前記ボート４の上面に設けられた図
示しない溝に入れられることによって、ボート４上に立
った状態で保持される。

【００１７】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、前記ボート４のウエハ列の最前列および最後尾に
は、ガス流れ調整体３０が配設される。ガス流れ調整体
３０は、石英やシリコン・カーバイド（ＳｉＣ）等耐熱
・耐薬品性に優れた材質のもので形成されている。ガス
流れ調整体３０は、ウエハ３と同じ直径からなる円柱状
の本体部分３１と、この本体部分３１に連なる円錐体部
分からなる錐体状部分３２とからなっている。円柱とな
る本体部分３１の中心軸と、円錐体部分となる錐体状部
分３２の中心軸は一致している。前記ガス流れ調整体３
０は、前記本体部分３１が横たえられるようにボート４
上に載置される。この結果、前記錐体状部分３２の中心
軸がウエハ３の中心と一致し、かつボート４面と平行と
なる。前記ガス流れ調整体３０は、錐体状部分３２の頂
点３３が、それぞれ側壁５，６側に位置するように配置
される。これによって、錐体状部分３２の円錐面の作用
により、ガス供給側では、流れ来る処理ガス１０を乱流
を起こさせることなく石英円筒管２の内壁全周に均一に
分散させるとともに、ガス排気側では、石英円筒管２の
内壁全周部分に沿って流れ来る処理ガス１０等使用済の
ガス１４を乱流を起こさせることなく集めて排気管１５
に集束させることになる。

【００１８】他方、前記反応炉１の外周側には、ヒータ
４０が配設され、反応炉１内を所定温度に加熱するよう
になっている。また、本発明のＣＶＤ装置は、前記排気
ポンプ１７の作動によって、反応炉１内の圧力を、たと
えば、０．５torr程度に減圧できる低圧ＣＶＤ装置とな
っている。

【００１９】つぎに、ウエハの表面にナイトライド膜
（Ｓｉ3 Ｎ4 膜）を形成する例について説明する。ボー
ト４上にウエハ３を林立状態で載置する。また、図１に
示すように、ウエハ列の前後のボート４上にガス流れ調
整体３０を載置する。各ガス流れ調整体３０における錐
体状部分３２の頂点３３は、ウエハ列の延長上外側に位
置する。ウエハ３を載置したボート４を反応炉１内に入
れる。反応炉１は、ヒータ４０によって加熱されている
ため、ボート４を入れてドア１３を閉じた後は順次炉内
の温度は上昇し、７７０〜８３０℃間の所望の温度に設
定される。

【００２０】また、前記ドア１３が閉じられた後、ガス
排気系２２が作動する。この排気において、最初に流量
の少ないサブバルブ２１のみが開かれる。これは急激に
排気を行うと、反応炉１内で乱流が生じ、異物を巻き上
げてしまうことを防止するためである。サブバルブ２１
を開き所定時間経過した後、たとえば５分後、メインバ
ルブ１６を開く。メインバルブ１６およびサブバルブ２
１の開放によって、反応炉１内の圧力は順次低下し、処
理圧力の０．５torr程度にまで減圧される。

【００２１】この状態で、ガス供給系１２が作動し、供
給パイプ１１から処理ガス１０を反応炉１内に供給す
る。処理ガス１０としては、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 が
使用される。これにより、ウエハ３の表面にはＳｉ3 Ｎ
4 膜が形成されることになる。このＳｉ3 Ｎ4 膜の形成
時、ウエハ列の前には先端部分が円錐体となるガス流れ
調整体３０が配置されていることから、円錐体部分に当
たった処理ガス１０は、円錐面によって乱流を起こすこ
となく石英円筒管２の内壁全周に均一に分散されること
になる。したがって、乱流による異物の巻き上げ（舞い
上がり）が防止でき、ウエハ表面への異物の付着による
不良発生が防止できる。

【００２２】また、石英円筒管２の内壁全周に分散され
た処理ガス１０は、石英円筒管２の内壁に沿って層流と
なって流れる。また、石英円筒管２の内壁に沿って層流
となって流れる処理ガス１０の内側のガス部分は、ウエ
ハ３とウエハ３との間の隙間４１内に流れ込む。したが
って、円形のウエハ３の表面には全周から中心に向かっ
て処理ガス１０が順次供給されることから均質でかつ均
一の厚さのＣＶＤ膜が形成されることになる。

【００２３】また、ウエハ列の最後尾にガス流れ調整体
３０が配置されている。このガス流れ調整体３０は、錐
体状部分３２の頂点３３が排気側に向くように配置され
ていることから、石英円筒管２の内壁に沿って流れてい
た処理ガス１０や使用済のガス１４は、錐体状部分３２
の円錐面に沿って石英円筒管２の中心部分に向かって流
れるため、乱流を起こさなくなり、ウエハ列の後部のウ
エハ３のＣＶＤ膜形成も良好に行え、ＣＶＤ膜も均質で
かつ均一の厚さとなる。

【００２４】ＣＶＤ膜の形成の後、処理ガス１０の供給
を停止するとともに、窒素ガスを供給する。その後、ガ
ス排気系２２のベント１９を開くとともに、メインバル
ブ１６およびサブバルブ２１を閉じる。反応炉１内が常
圧になったらドア１３を開き、ボート４を取り出す。こ
れにより、１回のＣＶＤ処理が終了する。

【００２５】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図３に示すように、前記ガス流れ調整体３０をボート４
と一体に形成しておけば、ボート４に衝撃が加わって
も、ガス流れ調整体３０が動くことがなく、ガス流れ調
整体３０が動く（ずれる）ことによる処理ガス１０の流
れの変化に起因するＣＶＤ膜の不均一化が防止できる。
ガス流れ調整体３０をボート４と一体化することによ
り、ガス流れ調整体３０における本体部分３１を薄くす
ることができる。すなわち、円柱部分は不要となる。

【００２６】また、実施例では、ガス流れ調整体３０は
円錐体構造としたが、角錐形状にしてもよい。また、ウ
エハ３はその一縁が直線的に切断された形状（オリエン
テーション・フラット）となっているが、このオリエン
テーション・フラットに合うように、前記ガス流れ調整
体３０の一縁を切り欠いておいてもよい。この場合、処
理ガス１０の流れは、オリエンテーション・フラット部
分で確実に層流となる。

【００２７】図４は、本発明を縦型低圧ＣＶＤ装置に適
用したものである。縦型低圧ＣＶＤ装置の反応炉５０
は、上下（高さ方向）に長い構造となり、反応炉５０内
には縦方向に長く延在するアウタチューブ５１と、この
アウタチューブ５１の内側に配置されるインナチューブ
５２とを有している。前記インナチューブ５２の下部に
はボート受け台５３が配設され、このボート受け台５３
上にはボート（保持具）５４が取り付けられている。ウ
エハ３は前記ボート５４内において、下方から上方に向
かって順次所定間隔を隔てて重なるように配設されてい
る。処理ガス１０はインナチューブ５２の下方から送り
込まれ、ウエハ列に接しながら流れ、インナチューブ５
２の天井部分から抜け、アウタチューブ５１に沿って下
方に導かれ、かつアウタチューブ５１の下部から排気さ
れる構造となっている。

【００２８】このような縦型低圧ＣＶＤ装置において、
図５に示すように、前記ボート５４のガス供給側および
ガス排気側、すなわち、ウエハ列の前後にガス流れ調整
体３０が配設されている。この例では、ガス流れ調整体
３０は、ボート４に一体となっている。ボート５４は、
対面する一対の支持板５５，５６を有し、この支持板５
５，５６の内面にウエハ３を収容する溝が略水平に設け
られている。したがって、ウエハ３は、水平方向から支
持板５５，５６間に挿入される。また、前記支持板５
５，５６には、処理ガス１０が自由に通過できるスリッ
トや穴が各所に設けられている。

【００２９】この実施例の場合も、前記実施例と同様
に、処理ガスの供給側および排気側で、ガス流れ調整体
３０の錐体状部分３２の円錐面の作用によって乱流発生
が抑止され、異物の舞い上がりによるウエハの異物汚染
が防止できる。また、ガス流れ調整体３０の円錐面の作
用によって、処理ガス１０はインナチューブ５２の内壁
全周に均一に分散され、かつ層流となって流れるため、
ウエハ３の表面に形成されるＣＶＤ膜は均質でかつ均一
の厚さとなる。

【００３０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である低圧Ｃ
ＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではない。本発明は少なくとも化学的気相
成長装置には適用できる。

【００３１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明の低圧ＣＶＤ装置は、ウエハ
列の前後にガス流れ調整体が配置されるが、前記ガス流
れ調整体は先端が尖った円錐体部分を有し、ガス供給側
では前記円錐体部分が処理ガスを層流として石英円筒管
の内壁全周に分散させるため、乱流が起きず、異物の舞
い上がりが起きず、ウエハへの異物付着不良が防止でき
る。また、ガス排気側でも前記円錐体部分により、排気
ガスの乱流防止が達成でき、排気側の処理ガスの流れは
乱されることなく層流となってウエハの外周を進む。こ
れにより、ウエハ表面に形成されるＣＶＤ膜は均質でか
つ均一の厚さとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の減圧ＣＶＤ装置の要部を示す断面図で
ある。

【図２】本実施例の減圧ＣＶＤ装置におけるボートおよ
びバッファ等を示す斜視図である。

【図３】本実施例の減圧ＣＶＤ装置の変形例によるボー
トおよびバッファ等を示す断面図である。

【図４】本発明の他の実施例による縦型減圧ＣＶＤ装置
の要部を示す断面図である。

【図５】本発明の他の実施例による縦型減圧ＣＶＤ装置
におけるボートを示す要部の断面図である。

【符号の説明】 １…反応炉、２…石英円筒管、３…ウエハ、４…保持具
（ボート）、５，６…側壁、１０…処理ガス、１１…供
給パイプ、１２…ガス供給系、１３…ドア、１４…ガ
ス、１５…排気管、１６…メインバルブ、１７…排気ポ
ンプ、１８…分岐管、１９…ベント、２０…迂回管、２
１…サブバルブ、２２…ガス排気系、２５…スリット、
３０…ガス流れ調整体、３１…本体部分、３２…錐体状
部分、３３…頂点、４０…ヒータ、５０…反応炉、５１
…アウタチューブ、５２…インナチューブ、５３…ボー
ト受け台、５４…ボート、５５，５６…支持板。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応炉と、前記反応炉内に収容されかつ
   被処理物を保持する保持具と、前記反応炉内に処理ガス
   を送り込むガス供給系と、前記反応炉内から使用済ガス
   を排気するガス排気系と、前記反応炉内に配設されかつ
   処理ガスの流れを調整するガス流れ調整体とを有する化
   学的気相成長装置であって、前記ガス流れ調整体は前記
   被処理物に対面しかつ被処理物と略同じ形状となる本体
   部分と、この本体部分に連なって形成された先端が尖っ
   た錐体状部分とからなっていることを特徴とする化学的
   気相成長装置。
2. 【請求項２】 反応炉と、前記反応炉内に収容されかつ
   被処理物を保持する保持具と、前記反応炉内に処理ガス
   を送り込むガス供給系と、前記反応炉内から使用済ガス
   を排気するガス排気系と、前記反応炉内に配設されかつ
   処理ガスの流れを調整するガス流れ調整体とを有する化
   学的気相成長装置であって、前記ガス流れ調整体は前記
   被処理物に対面しかつ被処理物と略同じ形状となる本体
   部分と、この本体部分に連なって形成された先端が尖っ
   た錐体状部分とからなるとともに、前記被処理物列の前
   後にそれぞれ設けられていることを特徴とする化学的気
   相成長装置。
3. 【請求項３】 反応炉と、前記反応炉内に収容されかつ
   被処理物を保持する保持具と、前記反応炉内に処理ガス
   を送り込むガス供給系と、前記反応炉内から使用済ガス
   を排気するガス排気系と、前記反応炉内に配設されかつ
   処理ガスの流れを調整するガス流れ調整体とを有する化
   学的気相成長装置であって、前記ガス流れ調整体は前記
   被処理物に対面しかつ被処理物と略同じ形状となる本体
   部分と、この本体部分に連なって形成された先端が尖っ
   た錐体状部分とからなり、かつ前記保持具に固定されて
   いることを特徴とする化学的気相成長装置。
4. 【請求項４】 反応炉と、前記反応炉内に収容されかつ
   被処理物を保持する保持具と、前記反応炉内に処理ガス
   を送り込むガス供給系と、前記反応炉内から使用済ガス
   を排気するガス排気系と、前記反応炉内に配設されかつ
   処理ガスの流れを調整するガス流れ調整体とを有する化
   学的気相成長装置であって、前記ガス流れ調整体は前記
   被処理物に対面しかつ被処理物と略同じ形状となる本体
   部分と、この本体部分に連なって形成された先端が尖っ
   た錐体状部分とからなるとともに、前記被処理物列の前
   後にそれぞれ設けられ、かつ前記反応炉は低圧状態で前
   記被処理物を処理する構成となっていることを特徴とす
   る低圧化学的気相成長装置。
5. 【請求項５】 化学的気相成長装置の反応炉内に入れら
   れるとともに被処理物を複数林立載置する保持具であっ
   て、前記保持具の被処理物列の前後にはガス流れ調整体
   が固定されていることを特徴とする保持具。