JPH07333619A

JPH07333619A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH07333619A
Application number: JP14386694A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Shibata; 雅章柴田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-06-02
Filing date: 1994-06-02
Publication date: 1995-12-22

Abstract

(57)【要約】【目的】液晶分子の移動を抑制し得るラビングの条件を
比較的広くすることにより、液晶表示素子の製造を容易
にし、かつ、液晶分子の移動に伴う黄変の発生を抑制す
る。【構成】配向制御膜３ａ，３ｂに対しては正逆二方向の
ラビング処理を行う。すると、正方向のラビングにより
付与されたプレチルト角が、逆方向のラビングにより相
殺されて低減される。次に、ラビング処理後の配向制御
膜３ａ，３ｂに対して紫外線を照射すると、プレチルト
角はさらに低減される。そして、前記ラビング処理と紫
外線照射とを行った基板１ａ，１ｂを用いて液晶表示素
子Ｐを組み立て、一定の電圧を印加しても、液晶分子の
移動は抑制される。ここで、プレチルト角は、前記ラビ
ング処理及び紫外線照射の両方によって低減されること
から、ラビング処理の条件（ラビング強度）の適正範囲
は、紫外線を照射しない場合に比べて広がり、その分液
晶表示素子の製造が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般的には、強誘電性
液晶を注入した液晶表示素子に係り、詳しくは液晶分子
の移動を抑制するものに関する。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォ
ル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開
昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２
４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温
度域において、非らせん構造のカイラルスメクチックＣ
相（ＳｍＣ^* ）又はＨ相（ＳｍＨ^* ）を有し、この状態
において、加えられる電界に応答して第１の光学的安定
状態と第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電
界の印加のないときはその状態を維持する性質、すなわ
ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答も速や
かであり、高速ならびに記憶型の表示素子用としての広
い利用が期待されている。

【０００３】ところで、上述した非らせん構造のカイラ
ルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^* ）又はＨ相（ＳｍＨ^* ）
は、数ミクロン以下の微小なセルギャップを有する液晶
表示素子に水平一軸配向した強誘電性液晶を形成し、強
誘電性液晶が表面安定化（Surface Stabilized;SS ）状
態をとることで実現される。

【０００４】また、強誘電性液晶を水平一軸配向させる
方法としては、ずり応力印加法、磁場印加法、温度勾配
法、ラビング法、斜方蒸着方法の配向処理方法がある。
このうちラビング法は、基板上に形成したポリイミド配
向制御膜にラビング布を擦り付けることにより一軸配向
を達成するものであるが、簡便さや安定性、再現性等の
理由からよく利用されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の強誘
電性液晶はＣ１配向で旦つユニフォーム配向の場合には
コントラストが高く表示品質に優れるが、ユニフォーム
配向状態にある液晶表示素子を長時間駆動し続けると、
液晶分子が移動してセル端部のセル厚が増加して黄色に
色付いて見えてくるという現象（以下、“黄変”とす
る）が認められる。例えば、ラビング方向２０と液晶分
子の平均分子軸方向２１、２１´との関係が図１(b) に
示すような関係にある液晶表示素子において、平均分子
軸方向が符号２１を取るような電界を印加した場合に
は、液晶分子は矢印２２の方向へ移動し、同図(a) にて
符号２３で示す領域のセル厚が増加する。このような現
象は、液晶表示素子の外観を損ねるだけでなく、液晶の
スイッチング特性を不均一なものとして表示品質を低下
させてしまうという問題があった。

【０００６】なお、本発明者は、このように液晶分子が
移動する原因を、駆動パルスによる交流的な電界で液晶
分子の双極子モーメントが揺らぐことにより発生する電
気力学的効果によるものと推察している。また本発明者
は、液晶分子が移動する方向２２は、図１(b) に示すラ
ビング方向２０と液晶分子の平均分子軸方向２１、２１
´との関係により定まることを実験により確認してい
る。また、このように液晶分子の移動方向がラビング方
向に依存することから、この現象（黄変）は、配向制御
膜と液晶との相互作用によって生じる基板界面でのプレ
チルトの状態、若しくはそのプレチルトにより決まる弾
性エネルギ的に安定なスメクティック層の折れ曲がり方
向等に依存していることが推測される。

【０００７】ところで、このような液晶分子の移動を抑
制して黄変を防止する方法としては、ラビング強度を調
整して界面規制力を適正値にする（すなわち、ラビング
による向き付けを低減・消失させる）方法がある。具体
的には、ラビングローラの回転速度や基板へのラビング
布の押し込み量を適切に管理すれば良いが、この方法に
よれば、液晶の配向状態を良好に保つことが困難であっ
た。

【０００８】また、別の方法として、配向制御膜の表面
に多数の凹凸を形成する方法があるが、凹凸の形成が困
難であるという問題があった。

【０００９】さらに、液晶表示素子に印加する電界の強
度・周波数や、液晶表示素子の温度など因子を管理（適
正値に設定）して液晶分子の移動を抑える方法も考えら
れる。しかし、これらの因子は、応答速度に影響を与え
る自発分極（Ｐｓ）などと互いにトレードオフの関係に
あり、液晶表示素子としての設計事項（フレーム周波
数、デューティ比など）によって制約を受けるものであ
る。したがって、液晶分子の移動を抑制するためにこれ
らの因子を自由に設定することは困難であった。

【００１０】そこで、本発明は、配向制御膜に正逆二方
向のラビング処理を施すことにより、マクロなプレチル
トに関与する規制力を消失させ、液晶分子の移動及び該
移動に伴う黄変の発生を抑制し、液晶表示素子の外観を
向上させると共に液晶のスイッチング特性を均一なもの
として表示品質を良好に保つ液晶表示素子を提供するこ
とを目的とするものである。

【００１１】また、本発明は、上記従来例のように配向
制御膜の表面に凹凸を形成することなく黄変の発生を抑
制することにより、製造が簡単な液晶表示素子を提供す
ることを目的とするものである。

【００１２】さらに、本発明は、正逆二方向のラビング
処理を施した配向制御膜に紫外線を照射することによ
り、液晶分子の移動がより一層抑制された液晶表示素子
を提供することを目的とするものである。

【００１３】また、本発明は、正逆二方向のラビング処
理と紫外線の照射との相乗効果によってプレチルト角を
低減させることにより、ラビング処理における条件管理
（ラビング強度の管理）がラフで製造が容易な液晶表示
素子を提供することを目的とするものである。

【００１４】さらに、本発明は、上述のように液晶分子
の移動を抑制することにより、一般的には液晶分子の移
動が生じ易いユニフォーム配向状態の強誘電性液晶の利
用を可能とし、コントラストの高い表示品質に優れる液
晶表示素子を提供することを目的とするものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、配向制御膜が形成されると共
に相対向するように配置された一対の基板と、これら一
対の基板間に挟持された強誘電性液晶と、を備えた液晶
表示素子において、前記一対の基板のいずれかに形成さ
れた配向制御膜に、正逆二方向のラビング処理を施すと
共に、紫外線を照射した、ことを特徴とする。この場
合、前記紫外線照射に用いる紫外光が直線偏光を有す
る、ようにしてもよい。また、前記紫外線の偏光方向
が、前記配向制御膜におけるラビング方向と直交する、
ようにしてもよい。さらに、強誘電性液晶のスメクティ
ックＣ相でのコーン角をΘ、プレチルト角をα、傾料角
をδとした場合に、 Θ／２＞δ＋α なる関係を満足する、ようにすると好ましい。また、前
記ラビング処理と前記紫外線照射とを施した後のプレチ
ルト角αの絶対値が、２度以下である、ようにすると好
ましい。

【００１６】

【作用】以上構成に基づき、配向制御膜に正逆二方向の
ラビング処理を施した場合には、該ラビング処理の条件
を適切なものとすることによりプレチルト角を低減する
ことができる。また、ラビング処理を施した後の配向制
御膜に紫外線照射をすることにより、プレチルト角をよ
り一層低減することができる。そして、このようなプレ
チルト角の低減により液晶分子の移動が抑制される。

【００１７】

【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。

【００１８】まず、液晶表示素子の構造について、図２
に沿って説明する。

【００１９】液晶表示素子Ｐは２枚のガラス基板１ａ，
１ｂを備えており、これらの基板１ａ，１ｂ上には、透
明電極２ａ，２ｂと、透明電極２ａ，２ｂを被覆するポ
リイミド配向制御膜３ａ，３ｂと、がそれぞれ順に形成
されている。なお、透明電極２ａ，２ｂは酸化錫や、酸
化インジウムや、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の薄膜
によって形成されている。そして、これら配向制御膜３
ａ，３ｂ等の形成された２枚のガラス基板１ａ，１ｂ
は、シリカ等のビーズからなるスペーサ５，…を介して
相対向するように配置されており、その基板間隙には、
ユニフォーム配向状態の強誘電性液晶６が注入・保持さ
れている。また、ガラス基板１ａ，１ｂに対向する位置
には、それぞれ偏光板７ａ，７ｂが配置されており、こ
れらの偏光板７ａ，７ｂは互いにクロスニコルに配置さ
れている。

【００２０】ところで、上述した配向制御膜３ａ，３ｂ
には正逆二方向のラビング処理が施されている。すなわ
ち、まず、ナイロン布を貼り付けたラビングローラによ
って一方向（正方向）のラビング処理がＲＳ１＝１１０
の強度によってなされ、次に、逆方向のラビング処理が
同じラビングローラによってなされている。ここで、ラ
ビング強度ＲＳは、

【００２１】

【式１】ＲＳ＝Ｎ×Ｍ×（２πｒｎ／Ｖ−１）ここで、Ｎ；ラビング回数Ｍ；ラビングローラの基板への押し込み量ｒ；ラビングローラの半径ｎ；ラビングローラの回転数Ｖ；基板の送り速度で示されるものである。なお、本実施例においては、１
回目のラビング処理のＲＳ１の強度と、２回目のラビン
グ処理の強度ＲＳ２との比が、

【００２２】

【式２】１５＜（ＲＳ１／ＲＳ２）＜４０となるように設定されている。

【００２３】また、本実施例においては、正逆２回のラ
ビング処理を行った後の配向制御膜３ａ，３ｂの表面に
紫外線の照射を行われる。この紫外線の照射には、１．
５ｋＷの高圧水銀灯（８０Ｗ／cm×５０cm）の光源を用
い、照射時間は２分以内とした。なお、３分以上の照射
を行った場合、液晶の配向状態が悪くなり、配向制御膜
３ａ，３ｂが変色する等の問題を生じたが、本実施例に
おいては２分の照射であるため、そのような問題は生じ
なかった。

【００２４】なお、本実施例においては、強誘電性液晶
６としてカイラルスメクティック相状態のものを用いる
ことができ、具体的には、カイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ^* ）、Ｈ相（ＳｍＨ^* ）、Ｉ相（ＳｍＩ^* ）、
Ｋ相（ＳｍＫ^* ）やＧ相（ＳｍＧ^* ）の液晶を用いるこ
とができ、例えば、特開平２−１４２７５３号公報に記
載のフッ素含有液晶化合物ほかの材料を用いることがで
きる。例として挙げれば、主鎖としてビフェニル系、フ
ェニルピリミジン系等、また側鎖にハロゲン、ハイドロ
カーボン、フルオロカーボンなどを有するもの等、種々
のものが存在するが、本実施例においては具体的材料の
選択の自由度は大きい。特に、本実施例においては、プ
レチルト角αを０に近づける必要があることから、次式
を満足するものが用いられる。

【００２５】

【式３】Θ／２＞δ＋α ここで、Θ；強誘電性液晶のスメクティックＣ相でのコ
ーン角 δ；傾料角 α；プレチルト角なお、具体的には、以下の相転移系列を呈する混合液晶
Ａが用いられる。

【００２６】

【化１】混合液晶Ａ；Ｃｒｙｓｔ→ＳｍＣ^* → ＳｍＡ
→ Ｉｓｏチルト角 Θ≧２５°（３０℃）スメクティック層の傾料角 δ＝６．５°（３０℃）自発分極Ｐｓ≧２０μＣ／cm²
（３０℃）なお、プレチルト角αの測定は、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ．１１９（１９８０）Ｎｏ．１０．
ＳｈｏｒｔＮｏｔｅｓ２０１３に記載されている
方法（クリスタルローテーション法）に従って行った。
なお、測定用のセルは上下界面での液晶の傾きが平行か
つ同一方向になるように２枚の基板を張り合わせて作成
した。また、プレチルト角測定用の液晶としては、チッ
ソ社製強誘電性液晶ＣＳ−１０１４をベースとした室温
ＳｍＡ液晶を標準液晶として用いた。

【００２７】また、Ｓｍ^* Ｃ相における層の傾斜角δの
測定に際しては、基板として約７０μｍ厚の薄板ガラス
を用いて図２に示す液晶セルを作製し、上述した強誘電
性液晶６を注入した後に、通常のＸ線回折法によって測
定した。

【００２８】ついで、本実施例の作用について説明す
る。

【００２９】いま、基板１ａ，１ｂの表面に形成された
配向制御膜３ａ，３ｂに、ラビングローラによって一方
向のラビングを行う。これにより、配向制御膜３ａ，３
ｂには向き付け（すなわち、プレチルト）が付与され
る。次に、逆方向のラビングを行うと、正方向のラビン
グによって付与されていたマクロ的な向き付け（すなわ
ち、プレチルト）が相殺されて消失する。特に、正逆二
方向のラビングの効果が互いに打ち消される条件の下で
はプレチルト角はほぼ０となるが、式２で示した範囲内
であれば、プレチルト角αはかなり小さな値になる。

【００３０】次に、正逆二方向のラビング処理を行った
配向制御膜３ａ，３ｂに紫外線を照射すると、プレチル
ト角はさらに低減される。

【００３１】そして、前記ラビング処理と紫外線照射と
を行った基板１ａ，１ｂを用いて液晶表示素子Ｐを組み
立て、一定の電圧を印加しても、液晶分子の移動は抑制
される。

【００３２】ついで、本実施例の効果について説明す
る。

【００３３】本実施例においては、ユニフォーム配向状
態の強誘電性液晶６を用いるため、コントラストの高い
表示品質に優れる液晶表示素子を得ることができる。

【００３４】また、ラビング処理の方向を正逆の二方向
としたため、１回目の正方向からのラビングにより付い
た向き付けを２回目の逆方向からのラビングによって相
殺して界面規制力を適正値にでき、その結果、マクロな
向き付けを消失させることができる。したがって、プレ
チルト角が小さくなり、液晶分子の移動が抑制される。
その結果、セル厚の増加に伴う黄変の発生を抑制して液
晶表示素子の外観を向上させ、液晶のスイッチング特性
を均一化して表示品質を一定に保つことが可能となる。
さらに、上記従来例のように配向制御膜の表面に凹凸を
形成する必要がないため、液晶表示素子の製造が簡単に
なるという効果がある。

【００３５】一方、本実施例によれば、正逆二方向のラ
ビング処理を施した配向制御膜３ａ，３ｂに紫外線を照
射するため、さらにプレチルト角が低減される。したが
って、黄変がさらに抑制されて、表示品質が向上すると
いう効果がある。また、本実施例は、正逆二方向のラビ
ング処理と紫外線の照射とによってプレチルト角を低減
するものであり、ラビング処理のみによってプレチルト
角を低減させる必要がない。したがって、例えば、プレ
チルト角が０になるような条件でラビング処理を行わな
くともよく、ラビング処理における条件管理（ラビング
強度の管理）がラフで済み、液晶表示素子の製造が容易
になる。

【００３６】また、本実施例によれば、紫外線の照射時
間は２分間であるため、長時間紫外線を照射した場合の
ように液晶の配向状態が悪くなったり、配向制御膜３
ａ，３ｂが変色する等の問題もない。

【００３７】さらに、本実施例においては式３を満足す
る液晶を用いているため、液晶分子の移動が抑制され
て、黄変の発生が防止される。

【００３８】なお、本発明者は、上述の効果を確かめる
ために実験を行った。以下、それぞれについて説明す
る。本発明者は、紫外線照射によるプレチルト角低減の
効果を確認するために、実験１及び実験２を行った（表
１参照）。

【００３９】すなわち、ラビング処理後に紫外線照射を
行った基板と、紫外線照射を行わなかった基板とについ
てそれぞれプレチルト角を測定した。なお、ラビング方
向は１方向のみとした。その結果、紫外線照射を行った
場合にはプレチルト角は約１．５°となり、紫外線照射
を行わなかった場合（約２．６°）に比べてかなり低減
されていることが確認された。

【００４０】なお、このように紫外線照射によってプレ
チルト角が低減される理由は、以下によると考えられ
る。すなわち、一般的に、配向制御膜３ａ，３ｂの表面
に紫外線を照射すれば、該表面が分解・再結合を起こ
す。そして、照射時間がある程度長ければラビングによ
って形成された配向制御膜３ａ，３ｂの表面のマクロ的
な溝や主鎖の延伸の効果が消失される。本実施例のよう
に、照射時間が短ければラビングの向き付け（プレチル
ト）を規定するようなミクロな表面立体構造が消失し、
プレチルト角が小さくなるものと考えられる。ところで、本実施例においては、正逆２方向のラビ
ング処理を行うことによってもプレチルト角を小さくし
て液晶分子の移動を抑制しているが、液晶分子の移動が
抑制されるためには、１回目のラビングと２回目のラビ
ングの効果とがちょうど打ち消し合う条件でラビングを
行う必要がある。つまり、１回目のラビングの強度ＲＳ
１と２回目のラビングの強度ＲＳ２との強度比（ＲＳ１
／ＲＳ２）が適正な範囲にある必要がある。

【００４１】そこで、本発明者は、液晶移動を抑制する
強度比（ＲＳ１／ＲＳ２）につき、紫外線照射を行った
場合（実験３）と、行わなかった場合（実験４）とにつ
いて強度比の適正範囲を求め、それらを比較した。

【００４２】これらの実験により、紫外線照射を行った
場合には、正逆２方向のラビング処理における強度比
（ＲＳ１／ＲＳ２）が、

【００４３】

【式４】１５＜（ＲＳ１／ＲＳ２）＜４０の範囲内にあれば、液晶分子の移動は起こらず、黄変は
生じなかった。そして、この適正な強度の範囲は、紫外
線照射を行わなかった場合のもの（１８＜（ＲＳ１／Ｒ
Ｓ２）＜２５）と比べてかなり広いものであるため、ラ
ビング強度の管理がラフで済み、液晶表示素子の製造が
容易になることが確認された。

【００４４】ここで、液晶分子の移動を観察する方法に
ついて、図３に沿って説明する。

【００４５】まず、液晶分子の移動を観察するには、特
定な形状の液晶表示素子を作製する。すなわち、液晶表
示素子を構成する基板１ａ，１ｂは、ラビング処理を行
った後にシール材９ａ，９ｂにて貼り合わせるが、この
シール材９ａ，９ｂは、図３に示すように、基板１ａ，
１ｂの２端縁にのみ配置するものとし、該シール材９
ａ，９ｂの塗布された方向とラビング方向２０とが直交
するようにする。そして、他の２端縁は開放して液晶６
が自由に出入りできる構造にする。また、この開放端に
はマーカーとしてのシリコンオイル１０を垂らしてお
き、液晶の移動を容易に観察できるようにする。なお、
これらの基板１ａ，１ｂの間隙は２μｍとした。また、
本実験は、正逆２方向のラビング処理における強度比
（ＲＳ１／ＲＳ２）の適正範囲を調べるためのものであ
るから、

【００４６】

【式５】３＜（ＲＳ１／ＲＳ２）＜５０の範囲内にて強度比を種々に変えた液晶表示素子を多数
製作した。さらに、本実験は紫外線照射の効果を確かめ
るためのものであるから、同じ強度比の液晶表示素子を
それぞれ２つずつ製作し、かつ、一方の液晶表示素子に
紫外線を２分間照射し、他方の液晶表示素子は紫外線を
照射せずに作製した。

【００４７】そして、組み立てた液晶表示素子に、同図
(b) に示す波形の書き込み信号４２，４２′を印加して
５時間駆動し、液晶の移動を目視により調べた。なお、
これらの書き込み信号４２，４２′を印加すると液晶分
子軸は符号２１又は符号２１′に示す位置を取り、ま
た、液晶分子が移動した場合には、シリコンオイル１０
が基板間隙に引き込まれて、液晶の移動が容易に観察さ
れることとなる。ここで、この書き込み信号は、１／３
バイアス、１／１０００デューティーであり、書き込み
パルス電圧は２０Ｖである。また、パルス幅はしきい値
の１．２倍である。

【００４８】

【表１】次に、本発明の第２実施例について説明する。

【００４９】本実施例においても、上述実施例と同様
に、正逆２方向のラビング処理を行うと共に紫外線照射
を行った。但し、本実施例においては、照射する紫外線
を直線偏光とし、ラビング軸と偏光方向を直交させて照
射させることとした。なお、照射時間は１０分間とし
た。

【００５０】ついで、本実施例の効果について説明す
る。

【００５１】本実施例によれば、一軸配向性にほとんど
影響を与えず、かつプレチルト角を低減させることがで
きる。その理由は、一軸配向に寄与する表面構造（例え
ば、主鎖の延伸）は主にラビング軸に平行に形成されて
いるため、それに直交偏光した紫外線照射の影響を受け
にくく、プレチルトに関与する表面構造は必ずしもラビ
ング軸に平行に形成されていないため、紫外線照射の影
響の差が大きくなったものと考えられる。

【００５２】また、本実施例によれば、上述実施例と同
様の効果が得られる。すなわち、ユニフォーム配向状態
の液晶を用いたコントラストの高い表示品質に優れる液
晶表示素子を得ることができる。また、黄変の発生を抑
制して液晶表示素子の外観を向上させ、液晶のスイッチ
ング特性を均一化して表示品質を一定に保つことが可能
となる。さらに、上記従来例のように配向制御膜の表面
に凹凸を形成する必要がないため、液晶表示素子の製造
が簡単になるという効果がある。また、ラビング処理に
おける条件管理（ラビング強度の管理）がラフで済み、
液晶表示素子の製造が容易になる。

【００５３】

【表２】なお、上述実施例においては特に述べてないが、透明電
極２ａ，２ｂとポリイミド配向制御膜３ａ，３ｂとの間
に、ショート防止層として、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、ＴｉＳｉ、Ｚ
ｎＯ等の絶縁膜を設けるようにしてもよい。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると液
晶分子の移動及び該移動に伴う黄変の発生が抑制され
る。したがって、液晶表示素子の外観が向上し、液晶の
スイッチング特性が均一になって表示品質が良好に保た
れる。特に、本発明においては、ラビング処理と紫外線
照射の両方によって黄変の発生が防止されるため、その
効果が確実である。また、本発明においては、ラビング
処理と紫外線照射との相乗効果によって黄変等の発生を
防止するものであることから、ラビング処理における条
件管理（ラビング強度の管理）がラフであってもよく、
したがって、液晶表示素子の製造が容易になる。

【００５５】また、上記従来例のように配向制御膜の表
面に凹凸を形成することなく黄変の発生でき、液晶表示
素子の製造が簡単になる。

【００５６】さらに、上述のように液晶分子の移動を抑
制することにより、一般的には液晶分子の移動が生じ易
いユニフォーム配向状態の強誘電性液晶の利用を可能と
し、その結果、コントラストの高い表示が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(a) は黄変の発生箇所等を説明するための液晶
表示素子の平面図、(b) はラビング方向及び平均分子軸
方向と液晶分子の移動方向との関係を説明するための模
式図。

【図２】液晶表示素子の構造を示す断面図。

【図３】(a) は液晶の移動状態の観察方法を説明するた
めの図、(b) は液晶表示素子に印加する信号を説明する
ための波形図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ基板（ガラス基板）２ａ，２ｂ透明電極３ａ，３ｂ配向制御膜６強誘電性液晶Ｐ液晶表示素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配向制御膜が形成されると共に相対向す
るように配置された一対の基板と、これら一対の基板間
に挟持された強誘電性液晶と、を備えた液晶表示素子に
おいて、前記一対の基板のいずれかに形成された配向制御膜に、
正逆二方向のラビング処理を施すと共に、紫外線を照射
した、ことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】前記紫外線照射に用いる紫外光が直線偏
光を有する、ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】前記紫外線の偏光方向が、前記配向制御
膜におけるラビング方向と直交する、ことを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示素子。
【請求項４】強誘電性液晶のスメクティックＣ相での
コーン角をΘ、プレチルト角をα、傾料角をδとした場
合に、 Θ／２＞δ＋α なる関係を満足する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の
液晶表示素子。
【請求項５】前記ラビング処理と前記紫外線照射とを
施した後のプレチルト角αの絶対値が、２度以下であ
る、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の
液晶表示素子。