JPH07333542A - 反射ミラー及びその製造方法 - Google Patents
反射ミラー及びその製造方法Info
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- JPH07333542A JPH07333542A JP12666894A JP12666894A JPH07333542A JP H07333542 A JPH07333542 A JP H07333542A JP 12666894 A JP12666894 A JP 12666894A JP 12666894 A JP12666894 A JP 12666894A JP H07333542 A JPH07333542 A JP H07333542A
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- films
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザービームプリンター用のポリゴンミラ
ーなどに用いる反射ミラーを、高反射率で入射角度に対
する反射率変化が小さい特性とする。 【構成】 アルミニウム基板（金属基板）２上にシリコ
ン酸化物膜３と、シリコン窒化物膜１３を交互に４層膜
以上積層した構成とする。
ーなどに用いる反射ミラーを、高反射率で入射角度に対
する反射率変化が小さい特性とする。 【構成】 アルミニウム基板（金属基板）２上にシリコ
ン酸化物膜３と、シリコン窒化物膜１３を交互に４層膜
以上積層した構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザービームプリン
ター用のポリゴンミラーなどに用いる反射ミラー及びそ
の製造方法に関する。
ター用のポリゴンミラーなどに用いる反射ミラー及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の反射ミラー及びその製造方
法について説明する。
法について説明する。
【０００３】図４に示すように、反射ミラー１はアルミ
ニウム基板（以下、アルミ基板という）２上に所定の膜
厚（約２１４nm）のシリコン酸化物（以下、ＳｉＯ2と
いう）膜３を形成した構成としていた。
ニウム基板（以下、アルミ基板という）２上に所定の膜
厚（約２１４nm）のシリコン酸化物（以下、ＳｉＯ2と
いう）膜３を形成した構成としていた。
【０００４】上述の反射ミラー１は、レーザービームプ
リンターの光源としてよく用いられる波長が約７８０nm
の半導体レーザ光の反射率が、図５に示すように、反射
ミラー１に入射する光の入射角度が零のときに約８６％
と低い値で、かつ、入射角度が変化したときに反射率が
約１％も変化する。このような性能の反射ミラー１をレ
ーザービームプリンター等に利用したときに、複写画像
の位置によって色が変化する現象（いわゆる色むら）が
発生するという課題を有していた。色むらをなくすには
０．５％以下の反射率変化しか許容できず、従来技術で
は困難であり、反射率変化の少ない反射ミラーが要望さ
れていた。
リンターの光源としてよく用いられる波長が約７８０nm
の半導体レーザ光の反射率が、図５に示すように、反射
ミラー１に入射する光の入射角度が零のときに約８６％
と低い値で、かつ、入射角度が変化したときに反射率が
約１％も変化する。このような性能の反射ミラー１をレ
ーザービームプリンター等に利用したときに、複写画像
の位置によって色が変化する現象（いわゆる色むら）が
発生するという課題を有していた。色むらをなくすには
０．５％以下の反射率変化しか許容できず、従来技術で
は困難であり、反射率変化の少ない反射ミラーが要望さ
れていた。
【０００５】また、上述の反射ミラー１の製造方法は、
図６に示すように、まず基板ホルダー４にアルミ基板２
を設置し、電極５にＳｉＯ2ターゲット６を取り付けた
後に、排気ポンプ７によって真空チャンバー８内を約１
０-5torrにまで真空引きした後、Ａｒガスボンベ９のＡ
ｒガスを真空チャンバー８内の圧力が２×１０-2torrに
なるまで、バリアブルリークバルブ１０を調整して導入
し、ついで、高周波電源１１により、電極５に高周波を
印加して、真空チャンバー８内にプラズマを発生させ、
プラズマ中のイオンが加速されてＳｉＯ2ターゲット６
に衝突し、飛翔したＳｉＯ2をアルミ基板２に付着させ
る方法であった。この方法により、高周波を予め設定さ
れた時間印加することによって、所定の膜厚（約２１４
nm）のＳｉＯ2膜３をアルミ基板２の上に形成した反射
ミラー１を製造していた。
図６に示すように、まず基板ホルダー４にアルミ基板２
を設置し、電極５にＳｉＯ2ターゲット６を取り付けた
後に、排気ポンプ７によって真空チャンバー８内を約１
０-5torrにまで真空引きした後、Ａｒガスボンベ９のＡ
ｒガスを真空チャンバー８内の圧力が２×１０-2torrに
なるまで、バリアブルリークバルブ１０を調整して導入
し、ついで、高周波電源１１により、電極５に高周波を
印加して、真空チャンバー８内にプラズマを発生させ、
プラズマ中のイオンが加速されてＳｉＯ2ターゲット６
に衝突し、飛翔したＳｉＯ2をアルミ基板２に付着させ
る方法であった。この方法により、高周波を予め設定さ
れた時間印加することによって、所定の膜厚（約２１４
nm）のＳｉＯ2膜３をアルミ基板２の上に形成した反射
ミラー１を製造していた。
【０００６】また、上述の製造方法で、例えば２種類の
材料からなる多層膜を形成しようとしたときには、電極
５に所定のターゲットを１種類しか設置できないので、
真空チャンバー８内に新たにターゲットをもう一つ追加
する取り組み（例えば、特開平２−１１１８７２号公報
参照）があるが、ターゲット自体の大きさを小さくする
か、もしくは真空チャンバー８を大きくする必要があっ
た。
材料からなる多層膜を形成しようとしたときには、電極
５に所定のターゲットを１種類しか設置できないので、
真空チャンバー８内に新たにターゲットをもう一つ追加
する取り組み（例えば、特開平２−１１１８７２号公報
参照）があるが、ターゲット自体の大きさを小さくする
か、もしくは真空チャンバー８を大きくする必要があっ
た。
【０００７】ターゲット自体を小さくすることは、ター
ゲットの消費に伴う使用回数が減少するので、ターゲッ
トの交換回数が増えることにつながるし、また、アルミ
基体２上への膜厚分布が悪くなる。
ゲットの消費に伴う使用回数が減少するので、ターゲッ
トの交換回数が増えることにつながるし、また、アルミ
基体２上への膜厚分布が悪くなる。
【０００８】また、真空チャンバー８自体を大きくする
ことは、装置の大幅なコストアップになる。
ことは、装置の大幅なコストアップになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の構
成及び製造方法では、反射ミラー１の反射率が低く、か
つ、入射角による反射率変化が大きくて、レーザービー
ムプリンター等に用いたときに、色むらが生じるという
問題点、及び２種類の材料からなる多層膜を形成すると
きに、ターゲットによる反射ミラー１上の膜厚分布が悪
くなり、また、ターゲットの交換回数の増加と装置の大
形化を伴い、使用性の悪化とコストアップが生じるとい
う問題点を有していた。
成及び製造方法では、反射ミラー１の反射率が低く、か
つ、入射角による反射率変化が大きくて、レーザービー
ムプリンター等に用いたときに、色むらが生じるという
問題点、及び２種類の材料からなる多層膜を形成すると
きに、ターゲットによる反射ミラー１上の膜厚分布が悪
くなり、また、ターゲットの交換回数の増加と装置の大
形化を伴い、使用性の悪化とコストアップが生じるとい
う問題点を有していた。
【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、反射率が高くて、入射角度による反射率変化が小さ
い反射ミラー及び膜厚分布が悪化せず、使用性も変ら
ず、コストアップも伴わない反射ミラーの製造方法を提
供することを目的とする。
で、反射率が高くて、入射角度による反射率変化が小さ
い反射ミラー及び膜厚分布が悪化せず、使用性も変ら
ず、コストアップも伴わない反射ミラーの製造方法を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の反射ミラーは、金属基板もしくは金属薄膜を
表面に形設した絶縁体基板の上にシリコン酸化物膜と、
シリコン窒化物膜を交互に積層した構成とし、その反射
ミラーの製造方法は、上述の金属基板もしくは絶縁体基
板の上に、交互にシリコンを酸素ガスもしくは不活性ガ
スと酸素ガスの混合ガスによりスパッタリングしてシリ
コン酸化物膜を形成させ、シリコンを窒素ガスもしくは
不活性ガスと窒素ガスの混合ガスによりスパッタリング
してシリコン窒化物膜を形成させる方法としたものであ
る。
に本発明の反射ミラーは、金属基板もしくは金属薄膜を
表面に形設した絶縁体基板の上にシリコン酸化物膜と、
シリコン窒化物膜を交互に積層した構成とし、その反射
ミラーの製造方法は、上述の金属基板もしくは絶縁体基
板の上に、交互にシリコンを酸素ガスもしくは不活性ガ
スと酸素ガスの混合ガスによりスパッタリングしてシリ
コン酸化物膜を形成させ、シリコンを窒素ガスもしくは
不活性ガスと窒素ガスの混合ガスによりスパッタリング
してシリコン窒化物膜を形成させる方法としたものであ
る。
【００１２】
【作用】この構成において、反射ミラーは、高反射率
で、入射角度による反射率変化の少ない高性能となり、
上記方法で高性能な反射ミラーを容易に製造できるもの
である。
で、入射角度による反射率変化の少ない高性能となり、
上記方法で高性能な反射ミラーを容易に製造できるもの
である。
【００１３】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１４】本発明の一実施例において、前述の従来例
について説明した構成部分と同じ部分については同一符
号を付し、その説明を省略する。
について説明した構成部分と同じ部分については同一符
号を付し、その説明を省略する。
【００１５】図１に示すように、本実施例の反射ミラー
１２は、アルミ基板２上に膜厚が約１２０nmのＳｉＯ2
膜３と膜厚が約８４nmのシリコン窒化物（以下、Ｓｉ3
Ｎ4という）膜１３を交互に積層した４層膜からなる構
成である。
１２は、アルミ基板２上に膜厚が約１２０nmのＳｉＯ2
膜３と膜厚が約８４nmのシリコン窒化物（以下、Ｓｉ3
Ｎ4という）膜１３を交互に積層した４層膜からなる構
成である。
【００１６】この反射ミラー１２は、図２に示すよう
に、レーザービームプリンターの光源としてよく用いら
れる波長が約７８０nmの半導体レーザ光の反射率が９６
％以上の極めて良好な高反射率であるとともに、入射角
度が０度から６０度の広範囲に変化したときの反射率の
変化が０．５％以下と非常に小さく、良好な特性を有し
ている。
に、レーザービームプリンターの光源としてよく用いら
れる波長が約７８０nmの半導体レーザ光の反射率が９６
％以上の極めて良好な高反射率であるとともに、入射角
度が０度から６０度の広範囲に変化したときの反射率の
変化が０．５％以下と非常に小さく、良好な特性を有し
ている。
【００１７】なお、本実施例ではＳｉＯ2膜３とＳｉ3Ｎ
4膜１３の４層膜構成を例にとり説明したが、４層膜以
上であっても何等問題が生じない。
4膜１３の４層膜構成を例にとり説明したが、４層膜以
上であっても何等問題が生じない。
【００１８】また、ＳｉＯ2膜３の膜厚が約１２０nmで
あり、Ｓｉ3Ｎ4膜１３の膜厚が約８４nmのものについて
説明したが、この膜厚だけに限定するものではない。
あり、Ｓｉ3Ｎ4膜１３の膜厚が約８４nmのものについて
説明したが、この膜厚だけに限定するものではない。
【００１９】また、本実施例のアルミ基板２に替えて、
プラスチック製やガラス製の基板の表面にアルミニウム
の薄膜を形設した絶縁体基板を用いてもよい。
プラスチック製やガラス製の基板の表面にアルミニウム
の薄膜を形設した絶縁体基板を用いてもよい。
【００２０】また、上述の反射ミラー１２の製造方法
は、図３に示すように、基板ホルダー４に、アルミ基板
２を設置し、電極５にシリコン（以下、Ｓｉという）タ
ーゲット１４を取り付けた後に、排気ポンプ７によって
真空チャンバー８内を約１０-5torrにまで真空引きした
後、Ａｒと酸素の混合ガスボンベ１５のＡｒと酸素の混
合ガスを、真空チャンバー８内の圧力が２×１０-2torr
になるまで、バリアブルリークバルブ１０を調整して導
入する。
は、図３に示すように、基板ホルダー４に、アルミ基板
２を設置し、電極５にシリコン（以下、Ｓｉという）タ
ーゲット１４を取り付けた後に、排気ポンプ７によって
真空チャンバー８内を約１０-5torrにまで真空引きした
後、Ａｒと酸素の混合ガスボンベ１５のＡｒと酸素の混
合ガスを、真空チャンバー８内の圧力が２×１０-2torr
になるまで、バリアブルリークバルブ１０を調整して導
入する。
【００２１】ついで、高周波電源１１により、電極５に
高周波を印加すると、真空チャンバー８内にプラズマが
発生するとともに、プラズマ中に生成されたイオンが加
速されて、Ｓｉターゲット１４に衝突する。この衝突に
よりＳｉターゲット１４からＳｉが飛翔し、プラズマ中
の酸素と反応して生成したＳｉＯ2がアルミ基板２の上
に付着する。
高周波を印加すると、真空チャンバー８内にプラズマが
発生するとともに、プラズマ中に生成されたイオンが加
速されて、Ｓｉターゲット１４に衝突する。この衝突に
よりＳｉターゲット１４からＳｉが飛翔し、プラズマ中
の酸素と反応して生成したＳｉＯ2がアルミ基板２の上
に付着する。
【００２２】この方法により、高周波を予め設定された
時間印加することによって、所定のの膜厚（約１２０n
m）の１層目のＳｉＯ2膜３をアルミ基板２上に形成す
る。
時間印加することによって、所定のの膜厚（約１２０n
m）の１層目のＳｉＯ2膜３をアルミ基板２上に形成す
る。
【００２３】次に、Ａｒと酸素の混合ガスに変わってＡ
ｒと窒素の混合ガスボンベ１６のＡｒと窒素の混合ガス
を、真空チャンバー８内の圧力が２×１０-2torrになる
までバリアブルリークバルブ１０を調整して導入する。
ｒと窒素の混合ガスボンベ１６のＡｒと窒素の混合ガス
を、真空チャンバー８内の圧力が２×１０-2torrになる
までバリアブルリークバルブ１０を調整して導入する。
【００２４】ついで、高周波電源１１により、電極５に
高周波を印加すると、真空チャンバー８内にプラズマが
発生するとともに、プラズマ中に生成されたイオンが加
速されて、Ｓｉターゲット１４に衝突する。この衝突に
よりＳｉターゲット１４からＳｉが飛翔し、プラズマ中
の窒素と反応して生成したＳｉ3Ｎ4がアルミ基板２に形
成されたＳｉＯ2膜３の上に付着する。
高周波を印加すると、真空チャンバー８内にプラズマが
発生するとともに、プラズマ中に生成されたイオンが加
速されて、Ｓｉターゲット１４に衝突する。この衝突に
よりＳｉターゲット１４からＳｉが飛翔し、プラズマ中
の窒素と反応して生成したＳｉ3Ｎ4がアルミ基板２に形
成されたＳｉＯ2膜３の上に付着する。
【００２５】この方法により、高周波を予め設定された
時間印加することによって、所定の膜厚（約８４nm）の
２層目のＳｉ3Ｎ4膜１３をＳｉＯ2膜３上に形成する。
時間印加することによって、所定の膜厚（約８４nm）の
２層目のＳｉ3Ｎ4膜１３をＳｉＯ2膜３上に形成する。
【００２６】上述のような操作を交互に行うことによっ
て前述図１で説明したアルミ基板２上にＳｉＯ2膜３と
Ｓｉ3Ｎ4膜１３からなる４層膜の反射ミラー１２を製造
できる。
て前述図１で説明したアルミ基板２上にＳｉＯ2膜３と
Ｓｉ3Ｎ4膜１３からなる４層膜の反射ミラー１２を製造
できる。
【００２７】以上のように本実施例によれば、大幅に成
膜装置を改造することなく、従来の成膜装置に２種類の
混合ガスを導入する手段を付加するだけで、ＳｉＯ2膜
３とＳｉ3Ｎ4膜１３からなる多層膜を容易に形成できる
ので、実用上極めて有用である。
膜装置を改造することなく、従来の成膜装置に２種類の
混合ガスを導入する手段を付加するだけで、ＳｉＯ2膜
３とＳｉ3Ｎ4膜１３からなる多層膜を容易に形成できる
ので、実用上極めて有用である。
【００２８】なお、Ａｒと酸素もしくはＡｒと窒素の混
合ガスとしてＡｒを用いたが、Ａｒに限るものでなくＨ
ｅ等の他の不活性ガスを用いても良い。
合ガスとしてＡｒを用いたが、Ａｒに限るものでなくＨ
ｅ等の他の不活性ガスを用いても良い。
【００２９】以上のように本実施例によれば、アルミ基
板２の上に交互に積層した４層以上のＳｉＯ2膜３とＳ
ｉ3Ｎ4膜１３を設けることにより、高反射率で、かつ、
入射角度による反射率変化が少ない有用な反射ミラー１
２とすることができる。
板２の上に交互に積層した４層以上のＳｉＯ2膜３とＳ
ｉ3Ｎ4膜１３を設けることにより、高反射率で、かつ、
入射角度による反射率変化が少ない有用な反射ミラー１
２とすることができる。
【００３０】また、その反射ミラー１２の製造方法も、
従来の成膜装置を大幅に改造せずに、２種類の混合ガス
を導入する手段を付加するだけで、容易に実現でき実用
上極めて有用である。
従来の成膜装置を大幅に改造せずに、２種類の混合ガス
を導入する手段を付加するだけで、容易に実現でき実用
上極めて有用である。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように本発明
は、金属基板もしくは金属薄膜を表面に形設した絶縁体
基板の上にシリコン酸化物膜と、シリコン窒化物膜を交
互に積層した構成、及び、上述の金属基板もしくは絶縁
体基板の上に、交互にシリコンを酸素ガスもしくは不活
性ガスと酸素ガスの混合ガスによりスパッタリングして
シリコン酸化物膜を形成させ、シリコンを窒素ガスもし
くは不活性ガスと窒素ガスの混合ガスによりスパッタリ
ングしてシリコン窒化物膜を形成させる方法により、反
射率が高くて、入射角度による反射率変化が小さい優れ
た反射ミラー及び膜厚分布が悪化せず、使用性も変ら
ず、コストアップも伴わない優れた反射ミラーの製造方
法を実現できるものである。
は、金属基板もしくは金属薄膜を表面に形設した絶縁体
基板の上にシリコン酸化物膜と、シリコン窒化物膜を交
互に積層した構成、及び、上述の金属基板もしくは絶縁
体基板の上に、交互にシリコンを酸素ガスもしくは不活
性ガスと酸素ガスの混合ガスによりスパッタリングして
シリコン酸化物膜を形成させ、シリコンを窒素ガスもし
くは不活性ガスと窒素ガスの混合ガスによりスパッタリ
ングしてシリコン窒化物膜を形成させる方法により、反
射率が高くて、入射角度による反射率変化が小さい優れ
た反射ミラー及び膜厚分布が悪化せず、使用性も変ら
ず、コストアップも伴わない優れた反射ミラーの製造方
法を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例の反射ミラーの要部断面図
【図２】同反射ミラーの光学特性図
【図３】同反射ミラーの製造方法に用いる成膜装置の概
略構成図
略構成図
【図４】従来の反射ミラーの要部断面図
【図５】同反射ミラーの光学特性図
【図６】同反射ミラーの製造方法に用いる成膜装置の概
略構成図
略構成図
２ アルミニウム基板（金属基板） ３ ＳｉＯ2膜（シリコン酸化物膜） １３ Ｓｉ3Ｎ4膜（シリコン窒化物膜）
Claims (2)
- 【請求項１】 金属基板もしくは金属薄膜を表面に形設
した絶縁体基板の上に交互に積層した、複数のシリコン
酸化物膜と、シリコン窒化物膜を設けたことを特徴とす
る反射ミラー。 - 【請求項２】 金属基板もしくは金属薄膜を表面に形設
した絶縁体基板の上にシリコンを酸素ガスもしくは不活
性ガスと酸素ガスの混合ガスによりスパッタリングして
薄膜のシリコン酸化物膜を形成させ、シリコンを窒素ガ
スもしくは不活性ガスと窒素ガスの混合ガスによりスパ
ッタリングして薄膜のシリコン窒化物膜を形成する操作
を所定回数だけ繰返して、前記金属基板もしくは前記絶
縁体基板の上に、前記シリコン酸化物膜と前記シリコン
窒化物膜を交互に積層させることを特徴とする反射ミラ
ーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12666894A JPH07333542A (ja) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 反射ミラー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12666894A JPH07333542A (ja) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 反射ミラー及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07333542A true JPH07333542A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14940917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12666894A Pending JPH07333542A (ja) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 反射ミラー及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07333542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000225489A (ja) * | 1998-12-31 | 2000-08-15 | General Electric Co <Ge> | 溶接作業用加熱装置並びに方法 |
| JP2016035485A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
-
1994
- 1994-06-09 JP JP12666894A patent/JPH07333542A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000225489A (ja) * | 1998-12-31 | 2000-08-15 | General Electric Co <Ge> | 溶接作業用加熱装置並びに方法 |
| JP2016035485A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| US10444493B2 (en) | 2014-08-01 | 2019-10-15 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, manufacturing method for electro-optical device, and electronic apparatus |
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