JPH07311980A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH07311980A JPH07311980A JP7066264A JP6626495A JPH07311980A JP H07311980 A JPH07311980 A JP H07311980A JP 7066264 A JP7066264 A JP 7066264A JP 6626495 A JP6626495 A JP 6626495A JP H07311980 A JPH07311980 A JP H07311980A
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- JP
- Japan
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- dielectric layer
- recording medium
- optical recording
- groove
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ランドおよびグルーブの結晶部の反射率が7
%以上15%以下であり、非晶部の反射率が5%以下で
ある光記録媒体。 【効果】 記録感度が高く、また消去率、C/Nが高
い。また、ランド・グルーブの両トラックを用いた記録
方法において、クロストークを低減させることができ
る。
%以上15%以下であり、非晶部の反射率が5%以下で
ある光記録媒体。 【効果】 記録感度が高く、また消去率、C/Nが高
い。また、ランド・グルーブの両トラックを用いた記録
方法において、クロストークを低減させることができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。特に本発明は、ランド面及びグルーブ面
の両方に記録情報の消去、書換機能を有し、情報信号を
高速かつ、高密度に記録可能な光ディスク、光カード、
光テープなどの書換可能相変化型光記録媒体に関するも
のである。
の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関す
るものである。特に本発明は、ランド面及びグルーブ面
の両方に記録情報の消去、書換機能を有し、情報信号を
高速かつ、高密度に記録可能な光ディスク、光カード、
光テープなどの書換可能相変化型光記録媒体に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来の書換可能型相変化光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。
術は、以下のごときものである。
【0003】これらの光記録媒体は、Te、Ge、Sb
の合金などを主成分とする記録層を有している。記録時
は結晶状態の記録層に集束したレーザ光パルスを短時間
照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分は熱
拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の記録
マークが形成される。この記録マークの光線反射率は、
結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可能で
ある。
の合金などを主成分とする記録層を有している。記録時
は結晶状態の記録層に集束したレーザ光パルスを短時間
照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分は熱
拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の記録
マークが形成される。この記録マークの光線反射率は、
結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可能で
ある。
【0004】さらに消去時には、記録マーク部分にレー
ザ光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温
度に加熱することによってアモルファス状態の記録マー
クを結晶化し、もとの未記録状態に戻す。
ザ光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温
度に加熱することによってアモルファス状態の記録マー
クを結晶化し、もとの未記録状態に戻す。
【0005】これらTe合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形のビームによる高速のオーバーライトが可能で
ある(T.Ohta et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memor
y 1989 p49-50 )。これらの書換可能型相変化光記録媒
体として、光ディスクが例にあげられるが、光ディスク
の基板上にはあらかじめ溝が刻まれ、ランドとグルーブ
が形成されている。現在の一般的な光ディスクは、ラン
ド内もしくはグルーブ内のどちらか一方にのみレーザ光
が集光され、信号が記録、再生されている。
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形のビームによる高速のオーバーライトが可能で
ある(T.Ohta et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memor
y 1989 p49-50 )。これらの書換可能型相変化光記録媒
体として、光ディスクが例にあげられるが、光ディスク
の基板上にはあらかじめ溝が刻まれ、ランドとグルーブ
が形成されている。現在の一般的な光ディスクは、ラン
ド内もしくはグルーブ内のどちらか一方にのみレーザ光
が集光され、信号が記録、再生されている。
【0006】このような光ディスクの記録容量を増加さ
せるために、従来はランドもしくはグルーブの幅を狭く
してトラック間隔を詰めていた。ところが、トラック間
隔を詰めるとグルーブによる反射光の回折角が大きくな
るため、トラックに集光スポットを精度良く追従させる
ためのトラッキングエラー信号が低下するという問題点
がある。さらにランドやグルーブの幅を狭くすると記録
ピット幅も狭くなるので、再生信号の振幅低下という問
題が生じる。一方、記録容量を増加させるためにランド
とグルーブの両トラックに信号を記録する技術は知られ
ている(特公昭63−57859号公報)。しかし、ラ
ンドとグルーブの両トラックに記録すると、隣接トラッ
クからの信号の漏れ(クロストーク)が増大して再生信
号の劣化を生じ、結果的に誤り率が増加してしまうとい
う課題があった。
せるために、従来はランドもしくはグルーブの幅を狭く
してトラック間隔を詰めていた。ところが、トラック間
隔を詰めるとグルーブによる反射光の回折角が大きくな
るため、トラックに集光スポットを精度良く追従させる
ためのトラッキングエラー信号が低下するという問題点
がある。さらにランドやグルーブの幅を狭くすると記録
ピット幅も狭くなるので、再生信号の振幅低下という問
題が生じる。一方、記録容量を増加させるためにランド
とグルーブの両トラックに信号を記録する技術は知られ
ている(特公昭63−57859号公報)。しかし、ラ
ンドとグルーブの両トラックに記録すると、隣接トラッ
クからの信号の漏れ(クロストーク)が増大して再生信
号の劣化を生じ、結果的に誤り率が増加してしまうとい
う課題があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
の従来の光記録媒体の課題を解決し、ランド、グルーブ
の両トラックを用いた記録方法において、従来よりもト
ラックピッチを広くすることなく、また、クロストーク
量を低減するための特殊な光学系や信号処理回路を設け
ることなく、クロストーク量の低減をはかれる光記録媒
体を提供することである。
の従来の光記録媒体の課題を解決し、ランド、グルーブ
の両トラックを用いた記録方法において、従来よりもト
ラックピッチを広くすることなく、また、クロストーク
量を低減するための特殊な光学系や信号処理回路を設け
ることなく、クロストーク量の低減をはかれる光記録媒
体を提供することである。
【0008】本発明の別の目的は、記録感度が高く、か
つキャリア対ノイズ比、消去率などの記録特性に優れた
光記録媒体を提供することである。本発明のさらに別の
目的は、耐酸化性、耐湿熱性に優れ、長期の保存におい
ても欠陥の生じない長期寿命の光記録媒体を提供するこ
とである。本発明のさらに別の目的は、安価で生産性に
優れた光記録媒体の製造方法を提供することである。
つキャリア対ノイズ比、消去率などの記録特性に優れた
光記録媒体を提供することである。本発明のさらに別の
目的は、耐酸化性、耐湿熱性に優れ、長期の保存におい
ても欠陥の生じない長期寿命の光記録媒体を提供するこ
とである。本発明のさらに別の目的は、安価で生産性に
優れた光記録媒体の製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、デイスク上に
設けられたグルーブとランドの両方に、光ビームの照射
による非晶相と結晶相の間の相変化により情報の記録及
び消去が行われる光記録媒体において、ランドおよびグ
ルーブの結晶部の反射率が7%以上15%以下であり、
非晶部の反射率が5%以下である光記録媒体である。
設けられたグルーブとランドの両方に、光ビームの照射
による非晶相と結晶相の間の相変化により情報の記録及
び消去が行われる光記録媒体において、ランドおよびグ
ルーブの結晶部の反射率が7%以上15%以下であり、
非晶部の反射率が5%以下である光記録媒体である。
【0010】本発明の光記録媒体では、記録感度が高
く、信号のコントラストが高く、かつクロストークを減
少させることができる点から、ランドおよびグルーブの
結晶部の反射率が7%以上15%以下であり、非晶部の
反射率が5%以下であるように構成することが重要であ
る。
く、信号のコントラストが高く、かつクロストークを減
少させることができる点から、ランドおよびグルーブの
結晶部の反射率が7%以上15%以下であり、非晶部の
反射率が5%以下であるように構成することが重要であ
る。
【0011】本発明におけるランドおよびグルーブの結
晶部の反射率が、15%より大きい場合には、記録感度
が低くなる難点があり、記録、消去を行う光の照射パワ
ーが不足し、高速回転では記録が困難になる、あるい
は、となりのトラックの記録部からのクロストークが増
大するなどの難点を生じる。また、結晶部の反射率が7
%より小さい場合には、記録マークの非晶部との反射率
差が小さく、再生時の信号コントラストを悪化させてし
まう。また、ランドおよびグルーブの非晶部の反射率が
5%より大きい場合には、再生時に隣接トラックの信号
まで容易に読み出してしまい、クロストークが増大して
再生信号の劣化を生じ、結果的に誤り率が増加する難点
が生じる。
晶部の反射率が、15%より大きい場合には、記録感度
が低くなる難点があり、記録、消去を行う光の照射パワ
ーが不足し、高速回転では記録が困難になる、あるい
は、となりのトラックの記録部からのクロストークが増
大するなどの難点を生じる。また、結晶部の反射率が7
%より小さい場合には、記録マークの非晶部との反射率
差が小さく、再生時の信号コントラストを悪化させてし
まう。また、ランドおよびグルーブの非晶部の反射率が
5%より大きい場合には、再生時に隣接トラックの信号
まで容易に読み出してしまい、クロストークが増大して
再生信号の劣化を生じ、結果的に誤り率が増加する難点
が生じる。
【0012】なお、ランドとグル−ブの反射率測定は記
録に用いるドライブ装置、もしくはこれと同等の光ヘッ
ド(レ−ザ波長、対物レンズのNA)を有するドライブ
を用い、あらかじめディスク鏡面部で較正した光ヘッド
受光光量により算出する。
録に用いるドライブ装置、もしくはこれと同等の光ヘッ
ド(レ−ザ波長、対物レンズのNA)を有するドライブ
を用い、あらかじめディスク鏡面部で較正した光ヘッド
受光光量により算出する。
【0013】第1誘電体層の厚さとしては、通常、およ
そ10〜500nmである。第1誘電体層は、基板や記
録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いこ
とから、50〜400nmがより好ましい。また、例え
ばポリカーボネートやガラスのような透明基板を用いる
と、基板の屈折率約1.5と、第1誘電体層の屈折率約
2.0〜2.4から光学的な干渉効果により、結晶部の
反射率を7%以上15%以下、非晶部の反射率を5%以
下にするには、50〜150nmがさらに好ましい。さ
らに好ましくは第1誘電体層の光路長n1 ・d1 が下記
の式で表される範囲内であることが好ましい。
そ10〜500nmである。第1誘電体層は、基板や記
録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いこ
とから、50〜400nmがより好ましい。また、例え
ばポリカーボネートやガラスのような透明基板を用いる
と、基板の屈折率約1.5と、第1誘電体層の屈折率約
2.0〜2.4から光学的な干渉効果により、結晶部の
反射率を7%以上15%以下、非晶部の反射率を5%以
下にするには、50〜150nmがさらに好ましい。さ
らに好ましくは第1誘電体層の光路長n1 ・d1 が下記
の式で表される範囲内であることが好ましい。
【0014】 (1/4+N)λ≦n1 ・d1 ≦(1/2+N)λ…(4) 1.5≦n1 ≦2.4 80≦d1 ≦150 (ここで、n1 は第1誘電体層の屈折率、d1 は第1誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表す。
また、Nは0以上2以下の整数を表す。)式(4)にお
いてn1 ・d1 が上記の範囲外であるとき、結晶部と非
晶部のコントラストが取りにくく再生の信号振幅が低下
してしまうため、上記の式で表される範囲内が好まし
い。
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表す。
また、Nは0以上2以下の整数を表す。)式(4)にお
いてn1 ・d1 が上記の範囲外であるとき、結晶部と非
晶部のコントラストが取りにくく再生の信号振幅が低下
してしまうため、上記の式で表される範囲内が好まし
い。
【0015】第2誘電体層の厚さは、およそ10〜25
0nm程度である。およそ10〜50nmとすること
が、良好な消去率の得られる消去パワーの範囲が広いこ
とから好ましい。さらに好ましくは第2誘電体層の光路
長n2 ・d2 が下記の式で表される範囲内であることが
好ましい。
0nm程度である。およそ10〜50nmとすること
が、良好な消去率の得られる消去パワーの範囲が広いこ
とから好ましい。さらに好ましくは第2誘電体層の光路
長n2 ・d2 が下記の式で表される範囲内であることが
好ましい。
【0016】 1/50λ≦n2 ・d2 ≦1/10λ…(5) 1.5≦n2 ≦2.4 10≦d2 ≦50 (ここで、n2 は第2誘電体層の屈折率、d2 は第2誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表
す。)式(5)においてn2 ・d2 が1/50λより小
さい、あるいは1/10λより大きい範囲にある場合、
結晶部と非晶部のコントラストが非常に取りにくくな
る。さらに、1/50λより小さい場合においては繰り
返し耐久性の低下が起こるため、上記の式で表される範
囲内が好ましい。
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表
す。)式(5)においてn2 ・d2 が1/50λより小
さい、あるいは1/10λより大きい範囲にある場合、
結晶部と非晶部のコントラストが非常に取りにくくな
る。さらに、1/50λより小さい場合においては繰り
返し耐久性の低下が起こるため、上記の式で表される範
囲内が好ましい。
【0017】本発明において誘電体層は、記録時に基
板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化する
ことを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効
果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トを改善する効果がある。この誘電体層としては、Zn
S、SiO2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの
無機薄膜があげられる。特にZnSの薄膜、Si、G
e、Al、Ti、Zr、Taなどの金属の酸化物の薄
膜、Si、Alなどの窒化物の薄膜、Ti、Zr、Hf
などの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の膜が、耐熱性
が高いことから好ましい。これら上記の薄膜の屈折率は
1.5以上2.4以下である。また、これらに炭素や、
MgF2 などのフッ化物を混合したものも、膜の残留応
力が小さいことから好ましく使用される。特にZnSと
SiO2 の混合膜あるいは、ZnSとSiO2 と炭素の
混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感
度、キャリア対ノイズ比(C/N)および消去率(記録
後と消去後の再生キャリア信号強度の差)などの劣化が
起きにくいことから好ましい。カルコゲン化合物と酸化
物と炭素の組成比は、特に限定されないが、誘電体層の
内部応力の低減効果の大きい点からは、SiO2 15〜
35モル%、炭素1〜15モル%であることが、さらに
好ましい。
板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化する
ことを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効
果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トを改善する効果がある。この誘電体層としては、Zn
S、SiO2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの
無機薄膜があげられる。特にZnSの薄膜、Si、G
e、Al、Ti、Zr、Taなどの金属の酸化物の薄
膜、Si、Alなどの窒化物の薄膜、Ti、Zr、Hf
などの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の膜が、耐熱性
が高いことから好ましい。これら上記の薄膜の屈折率は
1.5以上2.4以下である。また、これらに炭素や、
MgF2 などのフッ化物を混合したものも、膜の残留応
力が小さいことから好ましく使用される。特にZnSと
SiO2 の混合膜あるいは、ZnSとSiO2 と炭素の
混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感
度、キャリア対ノイズ比(C/N)および消去率(記録
後と消去後の再生キャリア信号強度の差)などの劣化が
起きにくいことから好ましい。カルコゲン化合物と酸化
物と炭素の組成比は、特に限定されないが、誘電体層の
内部応力の低減効果の大きい点からは、SiO2 15〜
35モル%、炭素1〜15モル%であることが、さらに
好ましい。
【0018】また第2誘電体層はZnSとSiO2 の混
合物の層とSiO2 層とを積層するなど、複数の層で構
成してもよい。好ましくはZnSとSiO2 の混合物の
層が5〜20nm、SiO2 層が10〜30nmの厚さ
がよい。
合物の層とSiO2 層とを積層するなど、複数の層で構
成してもよい。好ましくはZnSとSiO2 の混合物の
層が5〜20nm、SiO2 層が10〜30nmの厚さ
がよい。
【0019】本発明の記録層の材料は、結晶状態と非晶
状態の少なくとも2つの状態をとり得るTeを主成分と
するカルコゲン化合物である。本発明の記録層として、
特に限定するものではないが、Pd−Ge−Sb−Te
合金、Nb−Ge−Sb−Te合金、Pd−Nb−Ge
−Sb−Te合金、Ni−Ge−Sb−Te合金、Ge
−Sb−Te合金、Co−Ge−Sb−Te合金、In
−Sb−Te合金、Ag−In−Sb−Te合金などが
ある。多数回の記録の書換が可能であることから、Pd
−Ge−Sb−Te合金、Nb−Ge−Sb−Te合
金、Pd−Nb−Ge−Sb−Te合金、Ni−Ge−
Sb−Te合金、Ge−Sb−Te合金、Co−Ge−
Sb−Te合金が好ましい。特にPd−Ge−Sb−T
e合金、Pd−Nb−Ge−Sb−Te合金は、消去時
間が短く、かつ多数回の記録、消去の繰り返しが可能で
あり、C/N、消去率などの記録特性に優れることから
好ましく、とりわけ、Pd−Nb−Ge−Sb−Te合
金が、前述の特性に優れることからより好ましい。
状態の少なくとも2つの状態をとり得るTeを主成分と
するカルコゲン化合物である。本発明の記録層として、
特に限定するものではないが、Pd−Ge−Sb−Te
合金、Nb−Ge−Sb−Te合金、Pd−Nb−Ge
−Sb−Te合金、Ni−Ge−Sb−Te合金、Ge
−Sb−Te合金、Co−Ge−Sb−Te合金、In
−Sb−Te合金、Ag−In−Sb−Te合金などが
ある。多数回の記録の書換が可能であることから、Pd
−Ge−Sb−Te合金、Nb−Ge−Sb−Te合
金、Pd−Nb−Ge−Sb−Te合金、Ni−Ge−
Sb−Te合金、Ge−Sb−Te合金、Co−Ge−
Sb−Te合金が好ましい。特にPd−Ge−Sb−T
e合金、Pd−Nb−Ge−Sb−Te合金は、消去時
間が短く、かつ多数回の記録、消去の繰り返しが可能で
あり、C/N、消去率などの記録特性に優れることから
好ましく、とりわけ、Pd−Nb−Ge−Sb−Te合
金が、前述の特性に優れることからより好ましい。
【0020】また、本発明の記録層の光学定数n、消衰
定数kは結晶状態では4≦n≦6、2≦k≦4であり非
晶状態では4≦n≦6、0.5≦k≦2の範囲となるよ
うに記録層の合金組成を構成することが好ましい。良好
なC/N、消去率などの記録特性が得られることから好
ましい。上記の具体的な合金として、Pd−Ge−Sb
−Te合金、Nb−Ge−Sb−Te合金などがある。
定数kは結晶状態では4≦n≦6、2≦k≦4であり非
晶状態では4≦n≦6、0.5≦k≦2の範囲となるよ
うに記録層の合金組成を構成することが好ましい。良好
なC/N、消去率などの記録特性が得られることから好
ましい。上記の具体的な合金として、Pd−Ge−Sb
−Te合金、Nb−Ge−Sb−Te合金などがある。
【0021】記録層の厚さとしては特に限定するもので
はないが、10〜150nmである。特に記録、消去感
度が高く、多数回の記録消去が可能であることから、1
5nm〜50nmとすることが好ましい。
はないが、10〜150nmである。特に記録、消去感
度が高く、多数回の記録消去が可能であることから、1
5nm〜50nmとすることが好ましい。
【0022】反射層の材質としては、光反射性を有する
Al、Auなどの金属、これらを主成分とし、Ti、C
r、Hfなどの添加元素を含む合金及びAl、Auなど
の金属にAl、Siなどの金属窒化物、金属酸化物、金
属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなど
があげられる。Al、Auなどの金属、及びこれらを主
成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高
くできることから好ましい。前述の合金の例としては、
AlにSi、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、T
a、Nb、Mnなどの少なくとも1種の元素を合計で5
原子%以下、1原子%以上加えたもの、あるいは、Au
にCr、Ag、Cu、Pd、Pt、Niなどの少なくと
も1種の元素を合計で1原子%以上20原子%以下加え
たものなどがあげられる。特に、材料の価格が安いこと
から、AlもしくはAlを主成分とする合金が好まし
く、とりわけ、耐腐食性が良好なことから、AlにT
i、Cr、Ta、Hf、Zr、Mn、Pdから選ばれる
少なくとも1種以上の金属を合計で0.5原子%以上5
原子%以下添加した合金が好ましい。さらに、耐腐食性
が良好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことか
ら、添加元素を合計で0.5原子%以上3原子%未満含
む、Al−Hf−Pd合金、Al−Hf合金、Al−T
i合金、Al−Ti−Hf合金、Al−Cr合金、Al
−Ta合金、Al−Ti−Cr合金、Al−Si−Mn
合金のいずれかのAlを主成分とする合金で構成するこ
とが好ましい。これらAl合金のうちでも、次式で表さ
れる組成を有するAl−Hf−Pd合金は、特に優れた
熱安定性を有するため、多数回の記録、消去を繰り返し
において、記録特性の劣化を少なくすることができる。
Al、Auなどの金属、これらを主成分とし、Ti、C
r、Hfなどの添加元素を含む合金及びAl、Auなど
の金属にAl、Siなどの金属窒化物、金属酸化物、金
属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなど
があげられる。Al、Auなどの金属、及びこれらを主
成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高
くできることから好ましい。前述の合金の例としては、
AlにSi、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、T
a、Nb、Mnなどの少なくとも1種の元素を合計で5
原子%以下、1原子%以上加えたもの、あるいは、Au
にCr、Ag、Cu、Pd、Pt、Niなどの少なくと
も1種の元素を合計で1原子%以上20原子%以下加え
たものなどがあげられる。特に、材料の価格が安いこと
から、AlもしくはAlを主成分とする合金が好まし
く、とりわけ、耐腐食性が良好なことから、AlにT
i、Cr、Ta、Hf、Zr、Mn、Pdから選ばれる
少なくとも1種以上の金属を合計で0.5原子%以上5
原子%以下添加した合金が好ましい。さらに、耐腐食性
が良好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことか
ら、添加元素を合計で0.5原子%以上3原子%未満含
む、Al−Hf−Pd合金、Al−Hf合金、Al−T
i合金、Al−Ti−Hf合金、Al−Cr合金、Al
−Ta合金、Al−Ti−Cr合金、Al−Si−Mn
合金のいずれかのAlを主成分とする合金で構成するこ
とが好ましい。これらAl合金のうちでも、次式で表さ
れる組成を有するAl−Hf−Pd合金は、特に優れた
熱安定性を有するため、多数回の記録、消去を繰り返し
において、記録特性の劣化を少なくすることができる。
【0023】Pdj Hfk Al1-j-k 0.001<j<0.01 0.005<k<0.10 ここで、j、kは各元素の原子の数(各元素のモル数)
を表す。
を表す。
【0024】上述した反射層の厚さとしては、いずれの
合金からなる場合にもおおむね10nm以上200nm
以下、さらに好ましくは50〜200nmとするのが好
ましい。
合金からなる場合にもおおむね10nm以上200nm
以下、さらに好ましくは50〜200nmとするのが好
ましい。
【0025】特に、記録感度が高く、高速でワンビーム
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。すなわち、記録層
の厚さを15nm〜50nm、反射層の厚さを50nm
〜200nmとし、記録層の組成が式(1)に表され、
誘電体層がZnSとSiO2と炭素の混合膜であり、S
iO2 の混合比が15〜35モル%であり、炭素の混合
比が1〜15モル%であり、かつ第1保護層と第2保護
層の膜厚が次の(4)及び(5)式で表される範囲にあ
ることが好ましい。
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。すなわち、記録層
の厚さを15nm〜50nm、反射層の厚さを50nm
〜200nmとし、記録層の組成が式(1)に表され、
誘電体層がZnSとSiO2と炭素の混合膜であり、S
iO2 の混合比が15〜35モル%であり、炭素の混合
比が1〜15モル%であり、かつ第1保護層と第2保護
層の膜厚が次の(4)及び(5)式で表される範囲にあ
ることが好ましい。
【0026】 Mα(Sbx Te1-x )1-y-α(Ge0.5 Te0.5 )y …(1) 0.4≦x≦0.5 0.3≦y≦0.4 0≦α≦0.05 (ここで、x、y、αはモル比を表す。 MはPd、N
b、Pt、Au、Ag、Niの少なくとも1種を含
む。)
b、Pt、Au、Ag、Niの少なくとも1種を含
む。)
【0027】 (1/4+N)λ≦n1 ・d1 ≦(1/2+N)λ…(4) 1.5≦n1 ≦2.4 50≦d1 ≦150 (ここで、n1 は第1誘電体層の屈折率、d1 は第1誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表す。
また、Nは0以上2以下の整数を表す。)
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表す。
また、Nは0以上2以下の整数を表す。)
【0028】 1/50λ≦n2 ・d2 ≦1/10λ…(5) 1.5≦n2 ≦2.4 10≦d2 ≦50 (ここで、n2 は第2誘電体層の屈折率、d2 は第2誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表
す。)
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表
す。)
【0029】本発明の基板の材料としては、公知の透明
な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこ
り、基板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用
い、集束した光ビームで基板側から記録を行なうことが
好ましく、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポ
リカーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオ
レフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあ
げられる。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さ
く、成形が容易であることからポリカーボネート樹脂、
アモルファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこ
り、基板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用
い、集束した光ビームで基板側から記録を行なうことが
好ましく、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポ
リカーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオ
レフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあ
げられる。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さ
く、成形が容易であることからポリカーボネート樹脂、
アモルファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
【0030】基板の厚さとしては、特に限定されるもの
ではないが、0.01mm〜5mmが実用的である。
0.01mm未満では、基板側から集束した光ビームで
記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、5mm
をこえる場合は、対物レンズの開口数を大きくすること
が困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくな
るため、記録密度をあげることが困難になる。
ではないが、0.01mm〜5mmが実用的である。
0.01mm未満では、基板側から集束した光ビームで
記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、5mm
をこえる場合は、対物レンズの開口数を大きくすること
が困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくな
るため、記録密度をあげることが困難になる。
【0031】基板はフレキシブルなものであっても良い
し、リジットなものであってもよい。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジ
ットな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
2枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着張合せ構造としてもよい。
し、リジットなものであってもよい。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジ
ットな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
2枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着張合せ構造としてもよい。
【0032】さらに、本発明においては基板のトラック
ピッチ及びグルーブ平面部の幅かつランド平面部の幅
が、下記の式で表される範囲内にあることが好ましい。
ピッチ及びグルーブ平面部の幅かつランド平面部の幅
が、下記の式で表される範囲内にあることが好ましい。
【0033】Dg=λ/NA・a 1≦a≦1.5 Dw1 =Dg・b 0.4≦b≦0.6 Dw2 =Dg・b 0.4≦b≦0.6 (ここで、Dgはトラックピッチ(μm)、λは光の波
長(nm)、NAは光学ヘッドの開口数、Dw1 はグル
ーブ平面部の幅(μm)、Dw2 はランド平面部の幅
(μm)、a、bは定数を表す。)aを1より小さくす
ると、トラックピッチは光スポットのビーム径よりも小
さくなり、再生時に隣接トラックの信号が読み易くなる
ため、クロストークが増大する難点がある。また、aを
1.5より大きくすると、トラック密度をあまり高くす
ることができない問題点があり、aの値として1.0以
上1.5以下が好ましい。さらに、光スポットがランド
部上にある場合と、グルーブ部上にある場合とで、みか
けの反射率が同じになるために、ランドとグルーブの溝
幅は、ほぼ同じ幅であることがより好ましく、bの値と
して、0.4以上0.6以下が特に好ましい。これによ
り、反射光から得られる信号の特性がランド部とグルー
ブ部とで変わらず、記録再生を安定に行うことができ
る。
長(nm)、NAは光学ヘッドの開口数、Dw1 はグル
ーブ平面部の幅(μm)、Dw2 はランド平面部の幅
(μm)、a、bは定数を表す。)aを1より小さくす
ると、トラックピッチは光スポットのビーム径よりも小
さくなり、再生時に隣接トラックの信号が読み易くなる
ため、クロストークが増大する難点がある。また、aを
1.5より大きくすると、トラック密度をあまり高くす
ることができない問題点があり、aの値として1.0以
上1.5以下が好ましい。さらに、光スポットがランド
部上にある場合と、グルーブ部上にある場合とで、みか
けの反射率が同じになるために、ランドとグルーブの溝
幅は、ほぼ同じ幅であることがより好ましく、bの値と
して、0.4以上0.6以下が特に好ましい。これによ
り、反射光から得られる信号の特性がランド部とグルー
ブ部とで変わらず、記録再生を安定に行うことができ
る。
【0034】ここでランド部がグル−ブ部と比べて再生
信号のノイズが高い場合には、Dw1 >Dw2 とするこ
とにより反射光から得られる信号の特性がランド部とグ
ル−ブ部とで変わらず、良好な記録再生を行うことがで
きることから特に好ましい。また、グルーブ部の溝深さ
は、再生光の波長の1/5より深い場合では、トラッキ
ングエラー信号が小さくなり、トラッキングが困難であ
る。また、再生光の波長の1/8より浅い場合ではクロ
ストークが増加してしまうことから、グルーブ部の溝深
さは再生光の波長の1/8以上1/5以下が特に好まし
い。
信号のノイズが高い場合には、Dw1 >Dw2 とするこ
とにより反射光から得られる信号の特性がランド部とグ
ル−ブ部とで変わらず、良好な記録再生を行うことがで
きることから特に好ましい。また、グルーブ部の溝深さ
は、再生光の波長の1/5より深い場合では、トラッキ
ングエラー信号が小さくなり、トラッキングが困難であ
る。また、再生光の波長の1/8より浅い場合ではクロ
ストークが増加してしまうことから、グルーブ部の溝深
さは再生光の波長の1/8以上1/5以下が特に好まし
い。
【0035】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。
【0036】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の
記録マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の
変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記
録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好まし
い。また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時は
やや弱くし、1回の光ビームの照射により書換を行う1
ビーム・オーバーライトは、書換の所用時間が短くなる
ことから好ましい。
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の
記録マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の
変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記
録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好まし
い。また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時は
やや弱くし、1回の光ビームの照射により書換を行う1
ビーム・オーバーライトは、書換の所用時間が短くなる
ことから好ましい。
【0037】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層を基板上に形成する方法と
しては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などが
あげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易であ
ることから、スパッタリング法が好ましい。
いて述べる。反射層、記録層を基板上に形成する方法と
しては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などが
あげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易であ
ることから、スパッタリング法が好ましい。
【0038】形成する記録層などの暑さの制御は、公知
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
の技術である水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニ
タリングすることで、容易に行える。
【0039】記録層などの形成は、基板を固定したまま
の状態、あるいは、移動、回転した状態のどちらで行っ
ても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板
を自転させることが好ましく、さらに公転を組合わせる
ことが、より好ましい。
の状態、あるいは、移動、回転した状態のどちらで行っ
ても良い。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板
を自転させることが好ましく、さらに公転を組合わせる
ことが、より好ましい。
【0040】本発明の光記録媒体の好ましい層構成とし
て、透明基板/第1誘電体層/記録層/第2誘電体層/
反射層をこの順に積層してなるものがあげられる。但し
これに限定されるものではなく、本発明の効果を著しく
損なわない範囲において、反射層などを形成した後、
傷、変形の防止などのため、ZnS、SiO2 などの誘
電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを
必要に応じて設けることができる。光は透明基板側から
入射するものとする。また、反射層などを形成した後、
あるいはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、2枚の
基板を対向して、接着剤で張り合わせてもよい。
て、透明基板/第1誘電体層/記録層/第2誘電体層/
反射層をこの順に積層してなるものがあげられる。但し
これに限定されるものではなく、本発明の効果を著しく
損なわない範囲において、反射層などを形成した後、
傷、変形の防止などのため、ZnS、SiO2 などの誘
電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを
必要に応じて設けることができる。光は透明基板側から
入射するものとする。また、反射層などを形成した後、
あるいはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、2枚の
基板を対向して、接着剤で張り合わせてもよい。
【0041】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
結晶化させておくことが好ましい。
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
結晶化させておくことが好ましい。
【0042】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【0043】(分析,測定方法)反射層、記録層の組成
は、ICP発光分析(セイコー電子工業(株)製)によ
り確認した。またキャリア対ノイズ比および消去率(記
録後と消去後の再生キャリア信号強度の差)、クロスト
ークは、スペクトラムアナライザにより測定した。ま
た、反射率はオシロスコープにより測定した。
は、ICP発光分析(セイコー電子工業(株)製)によ
り確認した。またキャリア対ノイズ比および消去率(記
録後と消去後の再生キャリア信号強度の差)、クロスト
ークは、スペクトラムアナライザにより測定した。ま
た、反射率はオシロスコープにより測定した。
【0044】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。
【0045】(実施例1)厚さ1.2mm、溝深さ63
nm、直径13cm、1.5μmピッチ(ランド幅0.
8μm、グルーブ幅0.7μm)のスパイラルグルーブ
付きポリカーボネート製基板を毎分30回転で回転させ
ながら、高周波スパッタ法により、記録層、誘電体層、
反射層を形成した。
nm、直径13cm、1.5μmピッチ(ランド幅0.
8μm、グルーブ幅0.7μm)のスパイラルグルーブ
付きポリカーボネート製基板を毎分30回転で回転させ
ながら、高周波スパッタ法により、記録層、誘電体層、
反射層を形成した。
【0046】まず、真空容器内を1×10-5Paまで排
気した後、2×10-1PaのArガス零囲気中でSiO
2 を20mol%添加したZnSをスパッタし、基板上
に膜厚120nmの第1誘電体層を形成した。続いて、
Pd、Nb、Ge、Sb、Teからなる合金ターゲット
をスパッタして、組成Nb0.003 Pd0.002 Ge0.175
Sb0.26Te0.56の膜厚25nmの記録層を形成した。
さらに前述の第2誘電体層を20nm形成し、この上
に、Al98.1Hf1.7 Pd0.2 合金をスパッタして膜厚
150nmの反射層を形成し、本発明の光記録媒体を得
た。
気した後、2×10-1PaのArガス零囲気中でSiO
2 を20mol%添加したZnSをスパッタし、基板上
に膜厚120nmの第1誘電体層を形成した。続いて、
Pd、Nb、Ge、Sb、Teからなる合金ターゲット
をスパッタして、組成Nb0.003 Pd0.002 Ge0.175
Sb0.26Te0.56の膜厚25nmの記録層を形成した。
さらに前述の第2誘電体層を20nm形成し、この上
に、Al98.1Hf1.7 Pd0.2 合金をスパッタして膜厚
150nmの反射層を形成し、本発明の光記録媒体を得
た。
【0047】さらに、反射層形成後に紫外線硬化樹脂
(大日本インキ(株)製SD-101)をスピンコ−トし、紫
外線照射により硬化させて膜厚10μmの樹脂層を形成
した。この光記録媒体に波長830nmの半導体レーザ
のビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期化し
た。
(大日本インキ(株)製SD-101)をスピンコ−トし、紫
外線照射により硬化させて膜厚10μmの樹脂層を形成
した。この光記録媒体に波長830nmの半導体レーザ
のビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期化し
た。
【0048】次に、ランドとグルーブのそれぞれに線速
度5m/秒の条件で、対物レンズの開口数0.5、半導
体レーザの波長780nmの光学ヘッドを使用して、1
−7RLLCの1.33T相当の記録マーク(再生時の
周波数2.5MHz、デューティ50%)が形成できる
ように、ピークパワー9〜17mW、ボトムパワー4〜
9mWの各条件に変調した半導体レーザで100回オー
バーライト記録した後、再生パワー1.3mWの半導体
レーザを照射してバンド幅30kHzの条件でC/Nを
測定した。
度5m/秒の条件で、対物レンズの開口数0.5、半導
体レーザの波長780nmの光学ヘッドを使用して、1
−7RLLCの1.33T相当の記録マーク(再生時の
周波数2.5MHz、デューティ50%)が形成できる
ように、ピークパワー9〜17mW、ボトムパワー4〜
9mWの各条件に変調した半導体レーザで100回オー
バーライト記録した後、再生パワー1.3mWの半導体
レーザを照射してバンド幅30kHzの条件でC/Nを
測定した。
【0049】さらにこの部分を4.66T(0.7MH
z)で、先と同様に変調した半導体レーザを照射し、ワ
ンビーム・オーバーライトし、この時の1.33Tの消
去率を測定した。
z)で、先と同様に変調した半導体レーザを照射し、ワ
ンビーム・オーバーライトし、この時の1.33Tの消
去率を測定した。
【0050】ランドではピークパワー13mW以上で実
用上十分な50dB以上のC/Nが得られ、かつボトム
パワー5〜8mWで実用上十分な20dB以上、最大3
0dBの消去率が得られ、グルーブも同様の値が得られ
た。
用上十分な50dB以上のC/Nが得られ、かつボトム
パワー5〜8mWで実用上十分な20dB以上、最大3
0dBの消去率が得られ、グルーブも同様の値が得られ
た。
【0051】また、グルーブ(もしくはランド)に記録
した信号強度と、記録したトラックの隣の信号の書かれ
ていないランド(もしくはグルーブ)の再生信号の差を
クロストーク量と定義して測定した。
した信号強度と、記録したトラックの隣の信号の書かれ
ていないランド(もしくはグルーブ)の再生信号の差を
クロストーク量と定義して測定した。
【0052】ランドに周波数2.5MHz、ボトムパワ
ーを7mWにしてピークパワー12〜17mWの各条件
に変調した半導体レーザで100回オーバーライト記録
した後、隣接したグルーブに再生パワー1.3mWの半
導体レーザを照射してバンド幅30kHzの条件で測定
したところ、―27〜−26dBの実用上充分なクロス
トークが得られた。また、グルーブに同様の条件で10
0回オーバーライト記録した後、隣接したランドのクロ
ストークを測定したところ、グルーブと同様の特性が得
られた。
ーを7mWにしてピークパワー12〜17mWの各条件
に変調した半導体レーザで100回オーバーライト記録
した後、隣接したグルーブに再生パワー1.3mWの半
導体レーザを照射してバンド幅30kHzの条件で測定
したところ、―27〜−26dBの実用上充分なクロス
トークが得られた。また、グルーブに同様の条件で10
0回オーバーライト記録した後、隣接したランドのクロ
ストークを測定したところ、グルーブと同様の特性が得
られた。
【0053】次に、ランドの結晶部と非晶部の反射率を
測定したところ、結晶部では、8%、非晶部では4%の
反射率であった。また、グルーブの結晶部の反射率は8
%、非晶部の反射率は3%であった。
測定したところ、結晶部では、8%、非晶部では4%の
反射率であった。また、グルーブの結晶部の反射率は8
%、非晶部の反射率は3%であった。
【0054】(比較例1)実施例1の光記録媒体の第1
保護層の厚さを180nm、反射層の厚さを130nm
としたほかは実施例1と同様の構成を光記録媒体を作製
し、C/N、クロストークを測定する際のピークパワ
ー、ボトムパワーを変えたほかは、実施例1と同様の測
定を行った。ランドの結晶部の反射率は16%、非晶部
の反射率は8%であり、グルーブの結晶部の反射率は1
4%、非結晶部の反射率は7%であった。
保護層の厚さを180nm、反射層の厚さを130nm
としたほかは実施例1と同様の構成を光記録媒体を作製
し、C/N、クロストークを測定する際のピークパワ
ー、ボトムパワーを変えたほかは、実施例1と同様の測
定を行った。ランドの結晶部の反射率は16%、非晶部
の反射率は8%であり、グルーブの結晶部の反射率は1
4%、非結晶部の反射率は7%であった。
【0055】また、ピークパワー13〜17mW、ボト
ムパワー5〜11mWの各条件に変調し、実施例1と同
様の測定をしたところ、ランドではピークパワー15m
W以上で実用上十分な50dB以上のC/Nが得られ、
かつボトムパワー6〜10mWで実用上十分な20dB
以上、最大30dBの消去率が得られ、グルーブも同様
の特性が得られた。
ムパワー5〜11mWの各条件に変調し、実施例1と同
様の測定をしたところ、ランドではピークパワー15m
W以上で実用上十分な50dB以上のC/Nが得られ、
かつボトムパワー6〜10mWで実用上十分な20dB
以上、最大30dBの消去率が得られ、グルーブも同様
の特性が得られた。
【0056】しかし、ランドにおいてボトムパワーを7
mWにしてピークパワー14〜17mWの各条件に変調
し、実施例1と同様にクロストークを測定したところ、
−18〜−15dBと大きく、正常なデータの再生が困
難なレベルであった。グルーブでも同様の値が得られ
た。このことから、上記のような層構成では、反射率が
高いためクロストークが大きくなり、ランド、グルーブ
両トラックに信号を記録するには困難であることが明ら
かになった。
mWにしてピークパワー14〜17mWの各条件に変調
し、実施例1と同様にクロストークを測定したところ、
−18〜−15dBと大きく、正常なデータの再生が困
難なレベルであった。グルーブでも同様の値が得られ
た。このことから、上記のような層構成では、反射率が
高いためクロストークが大きくなり、ランド、グルーブ
両トラックに信号を記録するには困難であることが明ら
かになった。
【0057】(実施例2)厚さ0.6mm、溝深さ80
nm、直径12cm、1.4μmピッチ(ランド幅0.
7μm、グル−ブ幅0.7μm)のポリカ−ボネ−ト製
基板を用い、第1保護層の厚さを85nmとしたほかは
実施例1と同様の構成の光記録媒体を作製した。
nm、直径12cm、1.4μmピッチ(ランド幅0.
7μm、グル−ブ幅0.7μm)のポリカ−ボネ−ト製
基板を用い、第1保護層の厚さを85nmとしたほかは
実施例1と同様の構成の光記録媒体を作製した。
【0058】次に、ランドとグルーブのそれぞれに線速
度4.4m/秒の条件で、対物レンズの開口数0.6、
半導体レーザの波長680nmの光学ヘッドを使用し
て、1−7RLLCの1.33T相当の記録マーク(再
生時の周波数4.1MHz、デューティ50%)が形成
できるように、ピークパワー6〜15mW、ボトムパワ
ー2〜5mWの各条件に変調した半導体レーザで100
回オーバーライト記録した後、再生パワー1.3mWの
半導体レーザを照射してバンド幅30kHzの条件でC
/Nを測定した。
度4.4m/秒の条件で、対物レンズの開口数0.6、
半導体レーザの波長680nmの光学ヘッドを使用し
て、1−7RLLCの1.33T相当の記録マーク(再
生時の周波数4.1MHz、デューティ50%)が形成
できるように、ピークパワー6〜15mW、ボトムパワ
ー2〜5mWの各条件に変調した半導体レーザで100
回オーバーライト記録した後、再生パワー1.3mWの
半導体レーザを照射してバンド幅30kHzの条件でC
/Nを測定した。
【0059】さらにこの部分を4.66T(1.2MH
z)で、先と同様に変調した半導体レーザを照射し、ワ
ンビーム・オーバーライトし、この時の1.33Tの消
去率を測定した。
z)で、先と同様に変調した半導体レーザを照射し、ワ
ンビーム・オーバーライトし、この時の1.33Tの消
去率を測定した。
【0060】ランドではピークパワー8mW以上で実用
上十分な50dB以上のC/Nが得られ、かつボトムパ
ワー3〜7mWで実用上十分な20dB以上、最大30
dBの消去率が得られ、グルーブも同様の値が得られ
た。
上十分な50dB以上のC/Nが得られ、かつボトムパ
ワー3〜7mWで実用上十分な20dB以上、最大30
dBの消去率が得られ、グルーブも同様の値が得られ
た。
【0061】また、グルーブ(もしくはランド)に記録
した信号強度と、記録したトラックの隣の信号の書かれ
ていないランド(もしくはグルーブ)の再生信号の差を
クロストーク量と定義して測定した。
した信号強度と、記録したトラックの隣の信号の書かれ
ていないランド(もしくはグルーブ)の再生信号の差を
クロストーク量と定義して測定した。
【0062】ランドに周波数4.1MHz、ボトムパワ
ーを4.5mWにしてピークパワー8〜15mWの各条
件に変調した半導体レーザで100回オーバーライト記
録した後、隣接したグルーブに再生パワー1.3mWの
半導体レーザを照射してバンド幅30kHzの条件で測
定したところ、−30以上dB以上の実用上充分なクロ
ストークが得られた。また、グルーブに同様の条件で1
00回オーバーライト記録した後、隣接したランドのク
ロストークを測定したところ、グルーブと同様の特性が
得られた。
ーを4.5mWにしてピークパワー8〜15mWの各条
件に変調した半導体レーザで100回オーバーライト記
録した後、隣接したグルーブに再生パワー1.3mWの
半導体レーザを照射してバンド幅30kHzの条件で測
定したところ、−30以上dB以上の実用上充分なクロ
ストークが得られた。また、グルーブに同様の条件で1
00回オーバーライト記録した後、隣接したランドのク
ロストークを測定したところ、グルーブと同様の特性が
得られた。
【0063】次に、ランドの結晶部と非晶部の反射率を
測定したところ、結晶部では、12%、非晶部では3%
の反射率であった。また、グルーブの結晶部の反射率は
12%、非晶部の反射率は3%であった。
測定したところ、結晶部では、12%、非晶部では3%
の反射率であった。また、グルーブの結晶部の反射率は
12%、非晶部の反射率は3%であった。
【0064】またスパッタでガラス基板上に記録層を形
成し、スパッタ直後のアモルファス状態と加熱後の結晶
状態のそれぞれの反射率、透過率を測定し、光学計算で
光学定数と消衰係数を求めたところ、アモルファス状態
での光学定数は4.5、消衰係数は1.4、結晶状態で
の光学定数は5.3、消衰係数は3.5であった。
成し、スパッタ直後のアモルファス状態と加熱後の結晶
状態のそれぞれの反射率、透過率を測定し、光学計算で
光学定数と消衰係数を求めたところ、アモルファス状態
での光学定数は4.5、消衰係数は1.4、結晶状態で
の光学定数は5.3、消衰係数は3.5であった。
【0065】
【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、以下の効
果が得られた。
果が得られた。
【0066】(1) 高感度で、かつ消去率、C/Nが高
い。
い。
【0067】(2) ランド・グルーブ記録法におけるクロ
ストークを低減できる。
ストークを低減できる。
【0068】(3) スパッタ法により容易に製作できる。
【0069】(4) 高い線速度でも、良好なオーバーライ
ト性能が得られる。
ト性能が得られる。
【0070】(5) 多数回の記録消去を繰り返しても、動
作が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんど
ない。
作が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんど
ない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B41M 5/26
Claims (9)
- 【請求項1】 デイスク上に設けられたグルーブとラン
ドの両方に、光ビームの照射による非晶相と結晶相の間
の相変化により情報の記録及び消去が行われる光記録媒
体において、ランドおよびグルーブの結晶部の反射率が
7%以上15%以下であり、非晶部の反射率が5%以下
であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項2】 グルーブの溝深さが再生光の波長の1/
8以上1/5以下の光路長をなすことを特徴とする請求
項1記載の光記録媒体。 - 【請求項3】 光記録媒体が少なくとも記録層と誘電体
層と反射層を有し、基板/第1誘電体層/記録層/第2
誘電体層/反射層の順に積層されており、記録層の組成
が、下記の式(1)で表され、かつ厚さが10nm以上
30nm以下であり、かつ反射層の組成がAlもしくは
Al合金からなり、かつ厚さが50nm以上200nm
以下であることを特徴とする請求項1記載の光記録媒
体。 Mα(Sbx Te1-x )1-y-α(Ge0.5 Te0.5 )y …(1) 0.4≦x≦0.5 0.3≦y≦0.4 0≦α≦0.05 (ここで、x、y、αはモル比を表し、MはPd、N
b、Pt、Au、Ag、Niから選ばれた少なくとも1
種を表す。) - 【請求項4】 前記光記録媒体の記録層の結晶状態及び
非晶状態の光学定数と消衰係数が下記の式で表される範
囲内にあることを特徴とする請求項2記載の光記録媒
体。 4≦nc≦6 2≦kc≦4 4≦nα≦6 0.5≦kα≦2 (ここで、ncは結晶状態の光学定数、kcは結晶状態
の消衰係数、nαは非晶状態の光学定数、kαは非晶状
態の消衰係数を表す。) - 【請求項5】 光記録媒体の第1誘電体層および第2誘
電体層の厚さが下記の(2)および(3)式で表される
範囲内にあることを特徴とする請求項2記載の光記録媒
体。 50≦d1 ≦150…(2) 1.5≦n1 ≦2.4 (ここで、n1 は第1誘電体層の屈折率、d1 は第1誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表
す。) 10≦d2 ≦50…(3) 1.5≦n2 ≦2.4 (ここで、n2 は第2誘電体層の屈折率、d2 は第2誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表
す。) - 【請求項6】 光記録媒体の第1誘電体層および第2誘
電体層の厚さが下記の(4)および(5)式で表される
範囲内にあることを特徴とする請求項2記載の光記録媒
体。 (1/4+N)λ≦n1 ・d1 ≦(1/2+N)λ…(4) 1.5≦n1 ≦2.4 80≦d1 ≦150 (ここで、n1 は第1誘電体層の屈折率、d1 は第1誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表す。
また、Nは0以上2以下の整数を表す。) 1/50λ≦n2 ・d2 ≦1/10λ…(5) 1.5≦n2 ≦2.4 10≦d2 ≦50 (ここで、n2 は第2誘電体層の屈折率、d2 は第2誘
電体層の厚さ(nm)、λは光の波長(nm)を表
す。) - 【請求項7】 第1誘電体層および第2誘電体層がZn
SとSiO2 と炭素を少なくとも含んでいることを特徴
とする請求項1記載の光記録媒体。 - 【請求項8】 前記光記録媒体のトラックピッチ及びグ
ルーブ平面部かつランド平面部の幅が、下記の式で表さ
れる範囲内にあることを特徴とする請求項2記載の光記
録媒体。 Dg=λ/NA・a 1≦a≦1.5 Dw1 =Dg・b 0.3≦b≦0.6 Dw2 =Dg・b 0.3≦b≦0.6 (ここで、Dgはトラックピッチ(μm)、λは光の波
長(nm)、NAは光学ヘッドの開口数、Dw1 はグル
ーブ平面部の幅(μm)、Dw2 はランド平面部の幅
(μm)を表す。) - 【請求項9】 前記光記録媒体のグル−ブ平面部かつラ
ンド平面部の幅が下記の式で表される範囲内にあること
を特徴とする請求項7記載の光記録媒体。 Dw1 >Dw2 (ここでDw1 はグル−ブ平面部の幅(μm)、Dw2
はランド平面部の幅(μm)を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07066264A JP3087598B2 (ja) | 1994-03-25 | 1995-03-24 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6-55991 | 1994-03-25 | ||
JP5599194 | 1994-03-25 | ||
JP07066264A JP3087598B2 (ja) | 1994-03-25 | 1995-03-24 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07311980A true JPH07311980A (ja) | 1995-11-28 |
JP3087598B2 JP3087598B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=26396895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07066264A Expired - Fee Related JP3087598B2 (ja) | 1994-03-25 | 1995-03-24 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3087598B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0737967A2 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-16 | Toray Industries, Inc. | Optical recording media and a method for recording on the optical recording media |
WO1999013462A1 (en) * | 1997-09-10 | 1999-03-18 | Imation Corp. | Updatable optical data storage disc having reduced crosstalk between tracks, and drive for same |
US6203877B1 (en) | 1998-05-08 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP07066264A patent/JP3087598B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0737967A2 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-16 | Toray Industries, Inc. | Optical recording media and a method for recording on the optical recording media |
EP0737967A3 (en) * | 1995-03-28 | 1997-09-24 | Toray Industries | Optical recording media and a recording method for optical recording media |
US5863702A (en) * | 1995-03-28 | 1999-01-26 | Toray Industries, Inc. | Optical recording media |
WO1999013462A1 (en) * | 1997-09-10 | 1999-03-18 | Imation Corp. | Updatable optical data storage disc having reduced crosstalk between tracks, and drive for same |
US5986997A (en) * | 1997-09-10 | 1999-11-16 | Imation Corp. | Updatable optical data storage disc having reduced crosstalk between tracks, and drive for same |
US6203877B1 (en) | 1998-05-08 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3087598B2 (ja) | 2000-09-11 |
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