JPH0730685Y2 - Etching device - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 イ）産業上の利用分野 本考案はウェットエッチングを行うエッチング装置に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION a) Field of Industrial Application The present invention relates to an etching apparatus for performing wet etching.

ロ）従来の技術 ウェットエッチングはエッチャントに被エッチング物を
浸漬することで行なわれる。こうしたエッチング装置と
しては例えば特公昭59−2749号に示されている。ところ
でウェットエッチングをするに際してエッチング速度を
速めるには被エッチング物のエッチング面に常に新たな
エッチャントを供給するようエッチャントを攪拌しなけ
ればならなかった。このようなエッチング装置を第２図
に示す。同図において（１）はエッチャント（２）を入
れるテフロン（デュポン社登録商標）系樹脂より成る容
器、（３）はこの容器（１）底部全域に設けられた気泡
放出手段となるバブラであってこのバブラ（３）上面に
は500個／cm²程度の割合で多数の透孔（４）（４）…が
設けられている。（５）はこのバブラ（３）に結ばれた
パイプであって、バブラ（３）に気泡のソースとなるN₂
を供給する。尚、これ等容器（１）、バブラ（３）及び
パイプ（５）はテフロン系の樹脂により形成されてい
る。(B) Conventional technology Wet etching is performed by immersing an object to be etched in an etchant. An example of such an etching apparatus is shown in Japanese Patent Publication No. 59-2749. By the way, in order to increase the etching rate when performing wet etching, it was necessary to stir the etchant so as to constantly supply a new etchant to the etching surface of the object to be etched. Such an etching apparatus is shown in FIG. In the figure, (1) is a container made of Teflon (registered trademark of DuPont) resin for containing the etchant (2), and (3) is a bubbler serving as bubble discharging means provided in the entire bottom of the container (1). A large number of through holes (4) (4) ... Are provided at a rate of about 500 pieces / cm ^{2 on the} upper surface of the bubbler (3). Reference numeral (5) is a pipe connected to the bubbler (3), and N ₂ is a bubble source in the bubbler (3).
To supply. The container (1), bubbler (3) and pipe (5) are made of Teflon resin.

このようなエッチング装置でエッチングを行なうには、
エッチングすべきウェハ（６）をガラス板（７）にレジ
スト等で被着させ、ウェハ（６）が下方になるようガラ
ス板（７）をバブラ（３）端部に設けられた治具（図示
せず）で45°の角度に保持した状態でエッチャント内に
浸漬する。このとき、パイプ（５）からバブラ（３）に
N₂ガスを送り、このバブラ（３）の孔（４）（４）…よ
り発生する気泡によりエッチャントを攪拌し、エッチン
グによる反応物をウェハ（６）表面から取り去り、エッ
チングの速度を速めていた。To perform etching with such an etching device,
The wafer (6) to be etched is adhered to the glass plate (7) with a resist or the like, and the glass plate (7) is placed at the end of the bubbler (3) so that the wafer (6) faces downward (Fig. Immerse in the etchant while holding it at a 45 ° angle (not shown). At this time, from the pipe (5) to the bubbler (3)
The N ₂ gas was sent, and the etchant was stirred by the bubbles generated from the holes (4) (4) ... of the bubbler (3) to remove the reaction product by etching from the surface of the wafer (6) to accelerate the etching rate. .

ハ）考案が解決しようとする問題点 ところが、こうしたエッチング装置においては上記バブ
ラ（３）から発せられる気泡は比較的大きく、この気泡
によりウェハ（６）表面に与えられるエッチャントの流
れは均一にならずウェハ（６）表面が均一にエッチング
されずエッチング誤差が大きくなると言う問題があっ
た。(C) Problems to be solved by the invention However, in such an etching apparatus, the bubbles generated from the bubbler (3) are relatively large, and the flow of the etchant given to the surface of the wafer (6) by the bubbles is not uniform. There is a problem that the surface of the wafer (6) is not uniformly etched and an etching error increases.

ニ）問題点を解決するための手段 本考案では、気泡を発生するバブラ上面に多数の小孔を
有する板状体を設けている。D) Means for Solving the Problems In the present invention, a plate-like body having a large number of small holes is provided on the upper surface of a bubbler for generating bubbles.

ホ）作用 上記バブラからの気泡を上記板状体に当て、細かくし、
この細かくなった気泡をこの板状体の孔を介してウェハ
へ供給する。E) Action Bubbles from the bubbler are applied to the plate to make it fine,
The fine bubbles are supplied to the wafer through the holes of the plate-shaped body.

ヘ）実施例 第１図は本考案エッチング装置の一実施例を示す断面図
であって従来の第２図のものと同一部分には同一符号が
付してある。同図において、（８）は上記バブラ（３）
上面部にスペーサ（９）（９）を介して設けられたテフ
ロン樹脂製の第１の板状体を示し、板厚10〜５μｍで、
第３図のように全面に直径0.5μｍ程度の透孔（10）（1
0）が500個／cm²以上設けられている。（11）はこの第
１の板状体（８）上にスペーサ（12）（12）を介して設
けられた第２の板状体であって、上記第１の板状体と同
一構成の透孔（13）（13）が設けられているものを用い
る。F) Embodiment FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the etching apparatus of the present invention, and the same parts as those of the conventional FIG. 2 are designated by the same reference numerals. In the figure, (8) is the bubbler (3).
The first plate-like body made of Teflon resin provided on the upper surface via the spacers (9) and (9) is shown and has a plate thickness of 10 to 5 μm.
As shown in Fig.3, through holes (10) (1
0) is provided at 500 pieces / cm ² or more. Reference numeral (11) is a second plate-like member provided on the first plate-like member (8) via spacers (12) and (12) and has the same structure as the first plate-like member. The one having the through holes (13) (13) is used.

こうしたエッチング装置においては、エッチングすべき
ウェハ（６）をガラス板（７）にレジスト等で被着し、
ウェハ（６）が下方になるようガラス板（７）を第２の
板状体（11）上に45°の角度で保持した状態でエッチャ
ントに浸漬してパイプ（５）からバブラ（３）にN₂ガス
を送ってエッチングを開始する。N₂ガスの供給によりバ
ブラ（３）の孔（４）（４）…からN₂ガスの気泡が出さ
れる。この気泡は第１の板状体（８）裏面に当たり、細
かく分解されて孔（10）（10）…を介して第２の板状体
（11）へ供給される。この気泡はさらに、第２の板状体
（11）裏面に当たって分解され、細かい気泡となってこ
の第２の板状体（11）の孔（13）（13）…を介してウェ
ハ（６）のエッチング面に供給される。In such an etching apparatus, a wafer (6) to be etched is adhered to a glass plate (7) with a resist or the like,
The glass plate (7) is held on the second plate-like body (11) at an angle of 45 ° so that the wafer (6) faces downward, and the glass plate (7) is dipped in the etchant to form the bubble (3) from the pipe (5). The etching is started by sending N ₂ gas. N ₂ holes of bubbler (3) by the supply of gas (4) (4) ... bubbles N ₂ gas is issued from. The bubbles hit the back surface of the first plate-like body (8), are finely decomposed, and are supplied to the second plate-like body (11) through the holes (10) (10). Further, the bubbles collide with the back surface of the second plate-like body (11) and are decomposed into fine bubbles, and the wafer (6) passes through the holes (13) (13) of the second plate-like body (11). Is supplied to the etching surface of.

こうして供給される細かい気泡によってウェハ（６）の
エッチング面にはエッチャントの均一な流れが生成さ
れ、エッチングによる残渣物はエッチング面全面から完
全に除去される。このため、ウェハ（６）表面のエッチ
ングは均一に為される。The fine bubbles thus supplied generate a uniform flow of the etchant on the etching surface of the wafer (6), and the residues due to the etching are completely removed from the entire etching surface. Therefore, the surface of the wafer (6) is uniformly etched.

尚、一実施例として、上記ウェハとしてGaAsウェハを用
い、エッチャントとして酒石酸とH₂O₂を1:1に混合した
溶液を使用して35分間のエッチングを行った。このエッ
チングにより、従来の装置では240μｍのエッチングが
為され、このときのエッチング誤差は±15μｍであっ
た。これに対し、本考案装置を利用した場合240μｍの
エッチングが為され、そのときのエッチング誤差は±５
μｍとなった。As an example, a GaAs wafer was used as the above wafer, and etching was performed for 35 minutes using a solution in which tartaric acid and H ₂ O ₂ were mixed at a ratio of 1: 1 as an etchant. By this etching, 240 μm was etched in the conventional apparatus, and the etching error at this time was ± 15 μm. On the other hand, when the device of the present invention is used, etching of 240 μm is performed, and the etching error at that time is ± 5.
became μm.

ト）考案の効果 以上述べた如く本考案エッチング装置ではバブラ上に多
数の透孔を有する板状体を設けているので、バブラから
発せられた気泡はこの板状体に当たって細かく分解さ
れ、透孔を通してウェハのエッチング面に供給されるた
め、エッチング面近傍には均一なエッチャントの流れが
発生し、ウェハのエッチングが均一に為され、エッチン
グ誤差として100×5/240＝２％程度のエッチング装置が
提供される。G) Effect of the Invention As described above, the etching apparatus of the present invention is provided with the plate-like body having a large number of through holes on the bubbler. Since it is supplied to the etching surface of the wafer through a uniform flow of etchant near the etching surface, the etching of the wafer is made uniform, and an etching device with an etching error of about 100 × 5/240 = 2% is used. Provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第１図は本考案エッチング装置の一実施例断面図、第２
図は従来のエッチング装置の断面図、第３図は板状体の
上面図である。 （１）……容器、（２）……エッチャント、（３）……
バブラ、（４）（４）……、（10）（10）……、（13）
（13）、……孔、（５）……パイプ、（６）……ウェ
ハ。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of the etching apparatus of the present invention, FIG.
FIG. 3 is a sectional view of a conventional etching apparatus, and FIG. 3 is a top view of a plate-shaped body. (1) …… Container, (2) …… Etchant, (3) ……
Bubbler, (4) (4) ……, (10) (10) ……, (13)
(13), ... Hole, (5) ... Pipe, (6) ... Wafer.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項１】容器内にエッチャントを入れ、このエッチ
ャント内で被エッチング物をエッチングするエッチング
装置において、容器底部に設けられた気泡放出手段と、
この気泡放出手段上方に所定間隔を介して配された直径
0.5μｍ程度で500個cm^-2以上の透孔を有し、互いに上下
に離れている透孔の位置が異なる複数の板状体と、から
成り、エッチャントでの被エッチング物のエッチング
時、上記気泡放出手段により気泡を発生させるととも
に、この気泡を上記複数の板状体の孔を介してさらに小
さな気泡にし、最も上の被エッチング物に近い板状体の
孔から被エッチング物のエッチング面へ供給することを
特徴としたエッチング装置。1. An etching apparatus for placing an etchant in a container and etching an object to be etched in the etchant, comprising bubble discharging means provided at the bottom of the container,
Diameters arranged above this bubble discharging means at a predetermined interval
When etching an object to be etched with an etchant, it is composed of a plurality of plate-like bodies each having a size of about 0.5 μm and 500 or more cm ⁻² through holes, and the positions of the through holes that are vertically separated from each other. The bubbles are generated by the bubble releasing means, and the bubbles are made into smaller bubbles through the holes of the plurality of plate-like bodies, and the holes of the plate-like body near the uppermost object to be etched reach the etching surface of the object to be etched. An etching device characterized by supplying.