JPH07304852A - Epoxy resin composition and semiconductor-sealing device - Google Patents
Epoxy resin composition and semiconductor-sealing deviceInfo
- Publication number
- JPH07304852A JPH07304852A JP12316594A JP12316594A JPH07304852A JP H07304852 A JPH07304852 A JP H07304852A JP 12316594 A JP12316594 A JP 12316594A JP 12316594 A JP12316594 A JP 12316594A JP H07304852 A JPH07304852 A JP H07304852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor
- inorganic filler
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、半田耐熱性に
優れたエポキシ樹脂組成物およびその組成物によって半
導体チップを封止した半導体封止装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition having excellent moisture resistance and solder heat resistance, and a semiconductor encapsulation device in which a semiconductor chip is encapsulated with the composition.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えば、フラット
パッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor integrated circuits,
At the same time as technology development for high integration and high reliability, automation of the mounting process of semiconductor devices is being promoted. For example, when mounting a flat package type semiconductor device on a circuit board, conventionally, each lead pin has been soldered, but recently, a solder dipping method or a solder reflow method has been adopted.
【０００３】従来のノボラック型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂及びシリカ粉末
からなる樹脂組成物によって封止した半導体装置は、装
置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿性が低下するという欠
点があった。特に吸湿した半導体装置を浸漬すると、封
止樹脂と半導体チップ、あるいは封止樹脂とリードフレ
ームとの間の剥がれや、内部樹脂クラックが生じて著し
い耐湿劣化を起こし、電極の腐食による断線や水分によ
るリーク電流を生じ、その結果、半導体装置は、長期間
の信頼性を保証することができないという欠点があっ
た。A conventional semiconductor device sealed with a resin composition comprising an epoxy resin such as a novolac type epoxy resin, a novolac type phenol resin and silica powder has a drawback that the moisture resistance is lowered when the entire device is immersed in a solder bath. was there. Especially when a semiconductor device that has absorbed moisture is immersed, peeling between the encapsulating resin and the semiconductor chip, or the encapsulating resin and the lead frame, and internal resin cracking cause significant moisture resistance deterioration, which may cause wire breakage or moisture due to corrosion of the electrodes. A leak current is generated, and as a result, the semiconductor device has a drawback that it cannot guarantee long-term reliability.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消するためになされたもので、吸湿の影響が少な
く、特に半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封
止樹脂と半導体チップあるいは封止樹脂とリードフレー
ムとの剥がれや内部樹脂クラックの発生がなく、また電
極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生もな
く、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および
半導体封止装置を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks and has little influence of moisture absorption, and particularly excellent moisture resistance and solder heat resistance after immersion in a solder bath, and a sealing resin. Epoxy resin composition and semiconductor capable of ensuring long-term reliability without peeling between the semiconductor chip or the encapsulating resin and the lead frame and the occurrence of internal resin cracks, and without the occurrence of wire breakage due to electrode corrosion or leak current due to moisture. It is intended to provide a sealing device.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキシ
樹脂、特定のフェノール樹脂を用いることによって、耐
湿性、半田耐熱性に優れた樹脂組成物が得られることを
見いだし、本発明を完成したものである。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies aimed at achieving the above-mentioned object, the present inventor has obtained excellent moisture resistance and solder heat resistance by using a specific epoxy resin and a specific phenol resin. It was found that a resin composition having the above properties can be obtained, and the present invention has been completed.
【０００６】即ち、本発明は、（Ａ）次の一般式で示さ
れるジフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂、That is, the present invention provides (A) an epoxy resin having a diphenylmethane skeleton represented by the following general formula,
【０００７】[0007]
【化５】 （Ｂ）次の一般式で示されるテルペン変性フェノール樹
脂、[Chemical 5] (B) a terpene-modified phenol resin represented by the following general formula,
【０００８】[0008]
【化６】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す） （Ｃ）無機質充填剤および （Ｄ）硬化促進剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質
充填剤を25〜93重量％の割合で含有してなることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物である。またこのエポキシ樹
脂組成物の硬化物で、半導体チップが封止されてなるこ
とを特徴とする半導体封止装置である。[Chemical 6] (However, in the formula, n represents 0 or an integer of 1 or more.) (C) the inorganic filler and (D) the curing accelerator are essential components, and the resin composition contains The epoxy resin composition is characterized by containing 93% by weight. A semiconductor encapsulation device is obtained by encapsulating a semiconductor chip with a cured product of this epoxy resin composition.
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail below.
【００１０】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、前記の一般式化５で示されたものが使用される。ま
た、このエポキシ樹脂には、ノボラック系エポキシ樹脂
やエピビス系エポキシ樹脂、その他の一般公知のエポキ
シ樹脂を併用することができる。As the epoxy resin (A) used in the present invention, those represented by the above general formula 5 are used. In addition, a novolac-based epoxy resin, an epibis-based epoxy resin, and other generally known epoxy resins can be used in combination with this epoxy resin.
【００１１】本発明に用いる（Ｂ）テルペン変性フェノ
ール樹脂としては、前記の一般式化６で示されるものが
使用される。具体的な化合物として、例えばAs the terpene-modified phenol resin (B) used in the present invention, those represented by the above general formula 6 are used. As a specific compound, for example,
【００１２】[0012]
【化７】 [Chemical 7]
【００１３】[0013]
【化８】 [Chemical 8]
【００１４】[0014]
【化９】 等が挙げられる。また、このテルペン変性フェノール樹
脂の他にフェノール、アルキルフェノール等のフェノー
ル類と、ホルムアルデヒド或いはパラホルムアルデヒド
とを反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂お
よびこれらの変性樹脂を併用することができる。[Chemical 9] Etc. In addition to the terpene-modified phenolic resin, a novolac type phenolic resin obtained by reacting phenols such as phenol and alkylphenol with formaldehyde or paraformaldehyde and these modified resins can be used in combination.
【００１５】本発明に用いる（Ｃ）無機質充填剤として
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm 以下の
シリカ粉末が好ましく使用することができる。平均粒径
が30μm を超えると耐湿性および成形性が劣り好ましく
ない。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して25〜93重量％の割合で含有することが望ましい。
その割合が25重量％未満では、樹脂組成物の吸湿性が大
きく、半田浸漬後の耐湿性に劣り、また、93重量％を超
えると極端に流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましく
ない。As the inorganic filler (C) used in the present invention, generally used ones are widely used. Among them, silica powder having a low impurity concentration and an average particle diameter of 30 μm or less is preferably used. You can If the average particle size exceeds 30 μm, the moisture resistance and the moldability are deteriorated, which is not preferable. The blending ratio of the inorganic filler is preferably 25 to 93% by weight based on the total resin composition.
If the proportion is less than 25% by weight, the resin composition has a high hygroscopicity and is inferior in moisture resistance after solder immersion, and if it exceeds 93% by weight, it is inferior in flowability and is inferior in moldability, which is not preferable.
【００１６】本発明に用いる（Ｄ）硬化促進剤として
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤、その他の硬化促進剤等が広く使用さ
れる。これらは単独又は 2種以上併用することができ
る。硬化促進剤の配合割合は、樹脂組成物に対して0.01
〜5 重量％含有するように配合することが望ましい。そ
の割合が0.01重量％未満では樹脂組成物のゲルタイムが
長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量％を超えると
極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、さらに電気特
性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。As the curing accelerator (D) used in the present invention, a phosphorus curing accelerator, an imidazole curing accelerator, D
BU-based curing accelerators and other curing accelerators are widely used. These may be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio of the curing accelerator is 0.01 with respect to the resin composition.
It is desirable that the compounding amount be 5% by weight. If the proportion is less than 0.01% by weight, the gel time of the resin composition will be long and the curing characteristics will be poor, and if it exceeds 5% by weight, the fluidity will be extremely poor and the moldability will be poor, and the electrical characteristics will also be poor and the moisture resistance will be poor. It is inferior in sex and is not preferable.
【００１７】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定のエポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂、無機質充
填剤および硬化促進剤を必須成分とするが、本発明の目
的に反しない限度において、また必要に応じて、例えば
天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等の離型
剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、
ベンガラ等の着色剤、シランカップリング剤、ゴム系や
シリコーン系の低応力付与剤等を適宜、添加配合するこ
とができる。The epoxy resin composition of the present invention contains the above-mentioned specific epoxy resin, specific phenolic resin, inorganic filler and curing accelerator as essential components, but is necessary within a range not deviating from the object of the present invention. Depending on, for example, natural waxes, synthetic waxes, metal salts of straight chain fatty acids, acid amides, esters, release agents such as paraffins, flame retardants such as antimony trioxide, carbon black,
A colorant such as red iron oxide, a silane coupling agent, a rubber-based or silicone-based low stress imparting agent, and the like can be appropriately added and blended.
【００１８】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、前述した特
定のエポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂、無機質充填
剤および硬化促進剤その他の成分を所定の組成比に選択
した原料成分を配合し、ミキサー等によって十分均一に
混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理又はニ
ーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適
当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。こ
うして得られた成形材料は、半導体装置をはじめとする
電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用
すれば、優れた特性と信頼性を付与させることができ
る。As a general method for preparing the epoxy resin composition of the present invention as a molding material, the above-mentioned specific epoxy resin, specific phenol resin, inorganic filler and curing accelerator and other components are prescribed. After mixing the raw material components selected in the composition ratio and mixing them sufficiently uniformly with a mixer or the like, melt mixing treatment with a hot roll or mixing treatment with a kneader etc. is further performed, followed by cooling and solidifying, and crushing to an appropriate size. It can be a molding material. When the molding material thus obtained is applied to sealing, coating, insulation, etc. of electronic parts or electric parts such as semiconductor devices, excellent properties and reliability can be imparted.
【００１９】本発明の半導体封止装置は、上述した成形
材料を用いて、半導体チップを封止することにより容易
に製造することができる。封止を行う半導体チップとし
ては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等
による封止も可能である。成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。The semiconductor encapsulation device of the present invention can be easily manufactured by encapsulating a semiconductor chip using the molding material described above. The semiconductor chip to be sealed is not particularly limited to, for example, an integrated circuit, a large scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode and the like. The most general method of sealing is a low-pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. The molding material is heated and cured at the time of sealing, and finally a semiconductor sealing device sealed with this cured product is obtained. Curing by heating is 150 ° C
It is desirable to heat and cure the above.
【００２０】[0020]
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、前述した特定のエポキシ樹脂、特定のフェノー
ル樹脂を用いたことによって、樹脂組成物の吸水性を低
減し、熱機械的特性と低応力性が向上し、半田浸漬、半
田リフロー後の樹脂クラックの発生がなくなり、耐湿性
劣化が少なくなるものである。The epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device of the present invention use the above-mentioned specific epoxy resin and specific phenol resin to reduce the water absorption of the resin composition and to improve the thermomechanical properties and low The stress resistance is improved, the occurrence of resin cracks after solder immersion and solder reflow is eliminated, and the deterioration of moisture resistance is reduced.
【００２１】[0021]
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例及び比較例において「％」とは「重量
％」を意味する。EXAMPLES Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples and comparative examples, “%” means “% by weight”.
【００２２】実施例１ 前述した化５のエポキシ樹脂 6.2％、前述した化７のフ
ェノール樹脂 4.8％、シリカ粉末88％、硬化促進剤 0.3
％、エステルワックス 0.3％およびシランカップリング
剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこ
れを冷却粉砕して成形材料（Ａ）を製造した。Example 1 6.2% of the epoxy resin of the above chemical formula 5, 4.8% of the above-mentioned phenol resin of the chemical formula 7, 88% of silica powder, 0.3% of curing accelerator
%, Ester wax 0.3% and silane coupling agent 0.4% were mixed at room temperature, further kneaded at 90 to 95 ° C., and cooled and pulverized to produce a molding material (A).
【００２３】実施例２ 実施例１で用いた化５のエポキシ樹脂6.6 ％、実施例１
で用いた化７のフェノール樹脂3.1 ％、フェノールノボ
ラック樹脂 1.3％、シリカ粉末88％、硬化促進剤 0.3
％、エステルワックス 0.3％およびシランカップリング
剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこ
れを冷却粉砕して成形材料（Ｂ）を製造した。Example 2 6.6% of the epoxy resin of Chemical formula 5 used in Example 1, Example 1
3.1% of the phenolic resin of Chemical formula 7, 1.3% of phenol novolac resin, 88% of silica powder, 0.3% of hardening accelerator
%, Ester wax 0.3%, and silane coupling agent 0.4% were mixed at room temperature, further kneaded at 90 to 95 ° C., and cooled and ground to prepare a molding material (B).
【００２４】比較例１ o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂17％、ノボラッ
ク型フェノール樹脂 8％、シリカ粉末74％、硬化促進剤
0.3％、エステルワックス 0.3％およびシランカップリ
ング剤 0.4％を混合し、さらに90〜95℃で混練してこれ
を冷却粉砕して成形材料（Ｃ）を製造した。Comparative Example 1 o-Cresol novolak type epoxy resin 17%, novolac type phenol resin 8%, silica powder 74%, curing accelerator
0.3%, ester wax 0.3% and silane coupling agent 0.4% were mixed, further kneaded at 90 to 95 ° C., and cooled and pulverized to produce a molding material (C).
【００２５】比較例２ エピビス型エポキシ樹脂20％、ノボラック型フェノール
樹脂 5％、シリカ粉末74％、硬化促進剤 0.3％、エステ
ルワックス 0.3％およびシランカップリング剤0.4％を
混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して
成形材料（Ｄ）を製造した。Comparative Example 2 20% of epibis type epoxy resin, 5% of novolak type phenol resin, 74% of silica powder, 0.3% of curing accelerator, 0.3% of ester wax and 0.4% of silane coupling agent were mixed, and further 90 to 95 were mixed. The mixture was kneaded at 0 ° C. and cooled and ground to obtain a molding material (D).
【００２６】こうして製造した成形材料（Ａ）〜（Ｄ）
を用いて、170 ℃に加熱した金型内にトランスファー注
入し、硬化させて半導体チップを封止して半導体封止装
置を製造した。これらの半導体封止装置について、諸試
験を行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、耐湿性、半田
耐熱性に優れており、本発明の顕著な効果を確認するこ
とができた。Molding materials (A) to (D) thus produced
Was used to transfer-inject into a mold heated to 170 ° C. and cure to seal a semiconductor chip to manufacture a semiconductor sealing device. Various tests were conducted on these semiconductor encapsulation devices, and the results are shown in Table 1. The epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention are excellent in moisture resistance and solder heat resistance. The remarkable effect of the invention could be confirmed.
【００２７】[0027]
【表１】 ＊1 ：トランスファー成形によって直径50mm、厚さ3 mm
の成形品を作り、これを127℃， 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 ＊2 ：吸水率の場合と同様な成形品を作り、 175℃で 8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 ＊3 ：ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準じて試験した。 ＊4 ：成形材料を用いて、 2本のアルミニウム配線を有
するシリコン製チップを、通常の42アロイフレームに接
着し、175 ℃で 2分間トランスファー成形した後、175
℃で 8時間の後硬化を行った。こうして得た成形品を予
め、40℃，90％ＲＨ， 100時間の吸湿処理した後、250
℃の半田浴に10秒間浸漬した。その後、127 ℃，2.5 気
圧の飽和水蒸気中で耐湿試験を行い、アルミニウム腐食
による50％断線（不良発生）の起こる時間を評価した。 ＊5 ： 8×8 mmダミーチップをＱＦＰ（14×14×1.4 m
m）パッケージに納め、成形材料を用いて、175 ℃で 2
分間トランスファー成形した後、175 ℃で 8時間の後硬
化を行った。こうして製造した半導体封止装置を85℃，
85％，24時間の吸湿処理をした後、240 ℃の半田浴に 1
分間浸漬した。その後、実体顕微鏡でパッケージ表面を
観察し、外部樹脂クラックの発生の有無を評価した。[Table 1] * 1: Diameter 50 mm, thickness 3 mm by transfer molding
The molded product of No. 1 was prepared, and it was left in saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm for 24 hours and measured by the increased weight. * 2: Make a molded product similar to the case of water absorption rate and
After post-curing for a certain time, a test piece of an appropriate size was prepared and measured using a thermomechanical analyzer. * 3: Tested according to JIS-K-6911. * 4: Using a molding material, a silicon chip with two aluminum wirings is bonded to a normal 42 alloy frame and transfer molded at 175 ° C for 2 minutes.
Post curing was carried out at 8 ° C for 8 hours. The molded product thus obtained is subjected to moisture absorption treatment at 40 ° C., 90% RH for 100 hours, and then subjected to 250
It was soaked in a solder bath at ℃ for 10 seconds. After that, a humidity resistance test was conducted in saturated steam at 127 ° C and 2.5 atm to evaluate the time for 50% disconnection (defect occurrence) due to aluminum corrosion. * 5: QFP (14 x 14 x 1.4 m) with 8 x 8 mm dummy chip
m) Package and use molding compound for 2 at 175 ° C
After transfer molding for 1 minute, post-curing was performed at 175 ° C. for 8 hours. The semiconductor encapsulation device manufactured in this way is
After absorbing moisture for 85% for 24 hours, put it in a solder bath at 240 ℃ 1
Soaked for a minute. Then, the package surface was observed with a stereoscopic microscope to evaluate the presence or absence of external resin cracks.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上の説明及び表１から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置
は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少な
く、電極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発
生等を著しく低減することができ、しかも長時間にわた
って信頼性を保証することができる。As is clear from the above description and Table 1, the epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention have excellent moisture resistance and solder heat resistance, are less affected by moisture absorption, and are less susceptible to electrode corrosion. It is possible to remarkably reduce the occurrence of leakage current due to disconnection and moisture, and it is possible to guarantee the reliability for a long time.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＴ Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication C08L 63/00 NKT H01L 23/29 23/31
Claims (2)
メタン骨格を有するエポキシ樹脂、 【化１】 （Ｂ）次の一般式で示されるテルペン変性フェノール樹
脂、 【化２】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す）（Ｃ）無
機質充填剤および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、樹
脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質充填剤を25〜93重量
％の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂
組成物。1. (A) An epoxy resin having a diphenylmethane skeleton represented by the following general formula: (B) a terpene-modified phenolic resin represented by the following general formula: (In the formula, n represents 0 or an integer of 1 or more) (C) the inorganic filler and (D) the curing accelerator are essential components, and the resin composition contains 25 to 25 parts of the (C) inorganic filler. An epoxy resin composition comprising 93% by weight.
メタン骨格を有するエポキシ樹脂、 【化３】 （Ｂ）次の一般式で示されるテルペン変性フェノール樹
脂、 【化４】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す）（Ｃ）無
機質充填剤および（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、樹
脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質充填剤を25〜93重量
％の割合で含有したエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半
導体チップが封止されてなることを特徴とする半導体封
止装置。2. (A) An epoxy resin having a diphenylmethane skeleton represented by the following general formula: (B) a terpene-modified phenolic resin represented by the following general formula: (In the formula, n represents 0 or an integer of 1 or more) (C) the inorganic filler and (D) the curing accelerator are essential components, and the resin composition contains 25 to 25 parts of the (C) inorganic filler. A semiconductor encapsulation device, wherein a semiconductor chip is encapsulated with a cured product of an epoxy resin composition contained in a proportion of 93% by weight.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12316594A JPH07304852A (en) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | Epoxy resin composition and semiconductor-sealing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12316594A JPH07304852A (en) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | Epoxy resin composition and semiconductor-sealing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07304852A true JPH07304852A (en) | 1995-11-21 |
Family
ID=14853799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12316594A Pending JPH07304852A (en) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | Epoxy resin composition and semiconductor-sealing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07304852A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0881543A (en) * | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Toshiba Chem Corp | Epoxy resin composition and semiconductor device sealed therewith |
-
1994
- 1994-05-12 JP JP12316594A patent/JPH07304852A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0881543A (en) * | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Toshiba Chem Corp | Epoxy resin composition and semiconductor device sealed therewith |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH093161A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor sealed device | |
| JP3441102B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device | |
| JP3421375B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor encapsulation device | |
| JPH08134183A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor sealing device | |
| JPH07242733A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH07304852A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor-sealing device | |
| JPH07138345A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH083277A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH07304850A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor-sealing device | |
| JPH0753672A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH07278263A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH07304848A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor-sealing device | |
| JPH07242730A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH0790054A (en) | Epoxy resin conposition and semiconductor sealer | |
| JPH0790053A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor sealing device | |
| JPH08217956A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH07304847A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor-sealing device | |
| JPH07242736A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JP2000063488A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH0673154A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH059265A (en) | Sealing resin composition and semiconductor-sealing apparatus | |
| JPH0753669A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JP2000063487A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH07188387A (en) | Epoxy resin composition and semi-conductor sealing device | |
| JPH07242734A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device |