JPH07304779A - セフェム化合物、その製造方法及び該化合物を含む抗菌剤 - Google Patents
セフェム化合物、その製造方法及び該化合物を含む抗菌剤Info
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- JPH07304779A JPH07304779A JP7059308A JP5930895A JPH07304779A JP H07304779 A JPH07304779 A JP H07304779A JP 7059308 A JP7059308 A JP 7059308A JP 5930895 A JP5930895 A JP 5930895A JP H07304779 A JPH07304779 A JP H07304779A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、種々の病原菌に対して優れた抗菌
作用を有するセフェム化合物を提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明のセフェム化合物は、一般式 【化１】 〔式中ＱはＣＨ又はＮを示す。Ｒ1 はカルボキシレート
等を示す。Ｒ2 は水素原子等を示す。Ｒは 【化２】 を示す。ここでＲ3 は基−（ＣＨ2 ）ｍ−Ｙ（ｍは１〜
５の整数、Ｙは第４級アンモニウム基）等を示す。ｎは
０又は１〜４の整数を示す。Ｂ- は陰イオンを示す。ｆ
はＲ1 がカルボキシレートを示す場合には０又は１を、
Ｒ1 がカルボキシル基を示す場合には２を示す。Ｃで表
わされる環は低級アルキル基で置換されることのある窒
素数４以下の５員複素環基を示す。〕で表わされる。
作用を有するセフェム化合物を提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明のセフェム化合物は、一般式 【化１】 〔式中ＱはＣＨ又はＮを示す。Ｒ1 はカルボキシレート
等を示す。Ｒ2 は水素原子等を示す。Ｒは 【化２】 を示す。ここでＲ3 は基−（ＣＨ2 ）ｍ−Ｙ（ｍは１〜
５の整数、Ｙは第４級アンモニウム基）等を示す。ｎは
０又は１〜４の整数を示す。Ｂ- は陰イオンを示す。ｆ
はＲ1 がカルボキシレートを示す場合には０又は１を、
Ｒ1 がカルボキシル基を示す場合には２を示す。Ｃで表
わされる環は低級アルキル基で置換されることのある窒
素数４以下の５員複素環基を示す。〕で表わされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規セフェム化合物、
その製造方法及び該化合物を含む抗菌剤に関する。
その製造方法及び該化合物を含む抗菌剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、第３世代のセファロスポリンの広
範な使用に伴い、メチシリン耐性黄色ブドウ球菌（ＭＲ
ＳＡ）が起こす感染症が重要な問題となっている。第３
世代のセファロスポリンはグラム陰性桿菌に対する抗菌
力は強いもののグラム陽性球菌に対する抗菌力が低下し
ているため、第３世代セファロスポリンの使用に伴いβ
−ラクタム系抗生物質に耐性の黄色ブドウ球菌が増加
し、難治性感染症として深刻な問題となっている。現在
ＭＲＳＡの引き起こす感染症の治療薬として有効なもの
としては、ポリペプチド系抗生物質であるバンコマイシ
ンのみであるが、バンコマイシンは湿疹、腎毒性の副作
用等があり慎重な投与が必要である。
範な使用に伴い、メチシリン耐性黄色ブドウ球菌（ＭＲ
ＳＡ）が起こす感染症が重要な問題となっている。第３
世代のセファロスポリンはグラム陰性桿菌に対する抗菌
力は強いもののグラム陽性球菌に対する抗菌力が低下し
ているため、第３世代セファロスポリンの使用に伴いβ
−ラクタム系抗生物質に耐性の黄色ブドウ球菌が増加
し、難治性感染症として深刻な問題となっている。現在
ＭＲＳＡの引き起こす感染症の治療薬として有効なもの
としては、ポリペプチド系抗生物質であるバンコマイシ
ンのみであるが、バンコマイシンは湿疹、腎毒性の副作
用等があり慎重な投与が必要である。
【０００３】従来、第４級アンモニウム塩を有するセフ
ァロスポリン系抗生物質は数多く知られている。これら
の化合物は強い抗菌活性を示すものの、水に対する溶解
性が低いために医薬としての開発が断念されている。例
えば特開昭５９−１３０２９２号公報（欧州特許公開第
１１１２８１号明細書）には、セファロスポリン骨格の
３位にチオビニル−第４級アンモニウム塩を有する化合
物が記載されているが、更に新たな第４級アンモニウム
置換基を導入することについては記載されていない。ま
た上記公報に記載の化合物がＭＲＳＡに有効であるとの
開示もない。
ァロスポリン系抗生物質は数多く知られている。これら
の化合物は強い抗菌活性を示すものの、水に対する溶解
性が低いために医薬としての開発が断念されている。例
えば特開昭５９−１３０２９２号公報（欧州特許公開第
１１１２８１号明細書）には、セファロスポリン骨格の
３位にチオビニル−第４級アンモニウム塩を有する化合
物が記載されているが、更に新たな第４級アンモニウム
置換基を導入することについては記載されていない。ま
た上記公報に記載の化合物がＭＲＳＡに有効であるとの
開示もない。
【０００４】一般的に従来のセファロスポリン系化合物
においては、ＭＲＳＡを含むグラム陽性菌に対する抗菌
活性は水溶性が高くなればその抗菌活性は低下し、水溶
性と抗菌活性は相反する関係にあり、高い水溶性と強い
抗菌活性とを兼備するセファロスポリン系化合物の開発
は非常に困難であった。而してＭＲＳＡに対して優れた
抗菌活性を発現し、しかも水に対する溶解性が高いセフ
ェム化合物の開発が要望されている。
においては、ＭＲＳＡを含むグラム陽性菌に対する抗菌
活性は水溶性が高くなればその抗菌活性は低下し、水溶
性と抗菌活性は相反する関係にあり、高い水溶性と強い
抗菌活性とを兼備するセファロスポリン系化合物の開発
は非常に困難であった。而してＭＲＳＡに対して優れた
抗菌活性を発現し、しかも水に対する溶解性が高いセフ
ェム化合物の開発が要望されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、水に対する
溶解性が高く、且つ優れた抗菌力を有するセフェム化合
物、殊にＭＲＳＡを含むグラム陽性菌に対して有効且つ
安全性の高い新規なセフェム化合物を提供することにあ
る。
溶解性が高く、且つ優れた抗菌力を有するセフェム化合
物、殊にＭＲＳＡを含むグラム陽性菌に対して有効且つ
安全性の高い新規なセフェム化合物を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記課題を
解決するために、種々のセフェム化合物を合成し、検討
した結果、セファロスポリン骨格の３位にチオビニル−
第４級アンモニウム塩を有する化合物に更に新たな第４
級アンモニウム置換基を導入したセフェム化合物が高い
水溶性を示し、且つ優れた抗菌活性、特にＭＲＳＡを含
むグラム陽性菌に対して強い抗菌活性を有することを見
い出し、ここに本発明を完成するに至った。
解決するために、種々のセフェム化合物を合成し、検討
した結果、セファロスポリン骨格の３位にチオビニル−
第４級アンモニウム塩を有する化合物に更に新たな第４
級アンモニウム置換基を導入したセフェム化合物が高い
水溶性を示し、且つ優れた抗菌活性、特にＭＲＳＡを含
むグラム陽性菌に対して強い抗菌活性を有することを見
い出し、ここに本発明を完成するに至った。
【０００７】本発明のセフェム化合物は、新規化合物で
あって、下記一般式（１）で表わされる。
あって、下記一般式（１）で表わされる。
【０００８】
【化１９】
【０００９】〔式中ＱはＣＨ又はＮを示す。Ｒ1 はカル
ボキシレート又はカルボキシル基を示す。Ｒ2 は水素原
子、置換基を有することのある低級アルキル基、置換基
を有することのある低級アルケニル基、置換基を有する
ことのある低級アルキニル基、置換基を有することのあ
る低級シクロアルキル基、置換基を有することのあるカ
ルボキシ低級アルキル基、置換基を有することのあるヒ
ドロキシ低級アルキル基又は置換基を有することのある
低級アルコキシ低級アルキル基を示す。Ｒは
ボキシレート又はカルボキシル基を示す。Ｒ2 は水素原
子、置換基を有することのある低級アルキル基、置換基
を有することのある低級アルケニル基、置換基を有する
ことのある低級アルキニル基、置換基を有することのあ
る低級シクロアルキル基、置換基を有することのあるカ
ルボキシ低級アルキル基、置換基を有することのあるヒ
ドロキシ低級アルキル基又は置換基を有することのある
低級アルコキシ低級アルキル基を示す。Ｒは
【００１０】
【化２０】
【００１１】を示す。ここでＲ3 は基−（ＣＨ2 ）ｍ−
Ｙ又は基−（ＣＨ2 ）ｍ−ＣＯ−Ｙ（基中、ｍは１〜５
の整数、Ｙは第４級アンモニウム基を示す。）を示す。
ｎは０又は１〜４の整数を示す。Ｂ- は陰イオンを示
す。ｆはＲ1 がカルボキシレートを示す場合には０又は
１を、Ｒ1 がカルボキシル基を示す場合には２を示す。
Ｃで表わされる環は低級アルキル基で置換されることの
ある窒素数４以下の５員複素環基を示す。〕 本明細書において示される基は、より具体的にはそれぞ
れ次の通りである。
Ｙ又は基−（ＣＨ2 ）ｍ−ＣＯ−Ｙ（基中、ｍは１〜５
の整数、Ｙは第４級アンモニウム基を示す。）を示す。
ｎは０又は１〜４の整数を示す。Ｂ- は陰イオンを示
す。ｆはＲ1 がカルボキシレートを示す場合には０又は
１を、Ｒ1 がカルボキシル基を示す場合には２を示す。
Ｃで表わされる環は低級アルキル基で置換されることの
ある窒素数４以下の５員複素環基を示す。〕 本明細書において示される基は、より具体的にはそれぞ
れ次の通りである。
【００１２】低級アルキル基としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第
３級ブチル、ペンチル、ヘキシル基等の炭素数１〜６の
アルキル基を例示できる。
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第
３級ブチル、ペンチル、ヘキシル基等の炭素数１〜６の
アルキル基を例示できる。
【００１３】低級アルケニル基としては、ビニル、アリ
ル、クロチル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル基等の
炭素数２〜６のアルケニル基を例示できる。
ル、クロチル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル基等の
炭素数２〜６のアルケニル基を例示できる。
【００１４】低級アルキニル基としては、エチニル、１
−プロピニル、２−プロピニル、２−ブチニル、１−メ
チル−２−プロピニル、２−ペンチニル、２−ヘキシニ
ル基等の炭素数２〜６のアルキニル基を例示できる。
−プロピニル、２−プロピニル、２−ブチニル、１−メ
チル−２−プロピニル、２−ペンチニル、２−ヘキシニ
ル基等の炭素数２〜６のアルキニル基を例示できる。
【００１５】低級シクロアルキル基としては、シクロプ
ロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル基を例示できる。
ロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル基を例示できる。
【００１６】カルボキシ低級アルキル基としては、カル
ボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシ
プロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペン
チル、６−カルボキシヘキシル基等のアルキル部分の炭
素数が１〜６のカルボキシアルキル基を例示できる。
ボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシ
プロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペン
チル、６−カルボキシヘキシル基等のアルキル部分の炭
素数が１〜６のカルボキシアルキル基を例示できる。
【００１７】ヒドロキシ低級アルキル基としては、ヒド
ロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシ
プロピル、４−ヒドロキシブチル、５−ヒドロキシペン
チル、６−ヒドロキシヘキシル基等のアルキル部分の炭
素数が１〜６のヒドロキシアルキル基を例示できる。
ロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシ
プロピル、４−ヒドロキシブチル、５−ヒドロキシペン
チル、６−ヒドロキシヘキシル基等のアルキル部分の炭
素数が１〜６のヒドロキシアルキル基を例示できる。
【００１８】低級アルコキシ低級アルキル基としては、
メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、
メトキシブチル、エトキシメチル、エトキシエチル、エ
トキシプロピル、エトキシブチル基等のアルキル部分の
炭素数が１〜４のアルコキシアルキル基を例示できる。
メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、
メトキシブチル、エトキシメチル、エトキシエチル、エ
トキシプロピル、エトキシブチル基等のアルキル部分の
炭素数が１〜４のアルコキシアルキル基を例示できる。
【００１９】Ｃで表わされる環は低級アルキル基で置換
されることのある窒素数４以下の５員複素環基であり、
具体的にはオキサゾール、チアゾール、イソキサゾー
ル、イソチアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チア
ジアゾール、トリアゾール、オキサトリアゾール、チア
トリアゾール、テトラゾール等を例示でき、これらの複
素環の窒素原子や炭素原子上に低級アルキル基が１個置
換していてもよい。斯かる複素環はより具体的には下記
構造式で示される。
されることのある窒素数４以下の５員複素環基であり、
具体的にはオキサゾール、チアゾール、イソキサゾー
ル、イソチアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チア
ジアゾール、トリアゾール、オキサトリアゾール、チア
トリアゾール、テトラゾール等を例示でき、これらの複
素環の窒素原子や炭素原子上に低級アルキル基が１個置
換していてもよい。斯かる複素環はより具体的には下記
構造式で示される。
【００２０】
【化２１】
【００２１】第４級アンモニウム基としては、窒素原子
を１又は２個、酸素原子及び硫黄原子を多くとも１個ま
で有する５乃至６員環複素環から構成される第４級アン
モニウム基も包含され、例えば一般式
を１又は２個、酸素原子及び硫黄原子を多くとも１個ま
で有する５乃至６員環複素環から構成される第４級アン
モニウム基も包含され、例えば一般式
【００２２】
【化２２】
【００２３】〔上記各式中、Ｒ11、Ｒ12及びＲ13は、同
一又は異なって、低級アルキル基、低級アルケニル基、
ヒドロキシ低級アルキル基、カルボキシ低級アルキル
基、カルバモイル低級アルキル基、低級アルカノイル低
級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級ア
ルコキシカルボニル低級アルキル基、アミノ低級アルキ
ル基、低級アルキルアミノ低級アルキル基、ジ低級アル
キルアミノ低級アルキル基又はスルホ低級アルキル基を
示す。Ｒ14は、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、低
級アルキル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、低級アル
コキシ基、低級アルコキシ低級アルキル基、ヒドロキシ
低級アルキル基、アミノ低級アルキル基、低級アルキル
アミノ低級アルキル基、ジ低級アルキルアミノ低級アル
キル基、ジ低級アルキルアミノ基、カルボキシ低級アル
キル基、カルボキシ低級アルキルアミノ基、カルバモイ
ル基、Ｎ−低級アルキルカルバモイル基、ホルミルアミ
ノ基、アシルアミノ基等を示す。〕等で表わされる基を
例示できる。
一又は異なって、低級アルキル基、低級アルケニル基、
ヒドロキシ低級アルキル基、カルボキシ低級アルキル
基、カルバモイル低級アルキル基、低級アルカノイル低
級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級ア
ルコキシカルボニル低級アルキル基、アミノ低級アルキ
ル基、低級アルキルアミノ低級アルキル基、ジ低級アル
キルアミノ低級アルキル基又はスルホ低級アルキル基を
示す。Ｒ14は、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、低
級アルキル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、低級アル
コキシ基、低級アルコキシ低級アルキル基、ヒドロキシ
低級アルキル基、アミノ低級アルキル基、低級アルキル
アミノ低級アルキル基、ジ低級アルキルアミノ低級アル
キル基、ジ低級アルキルアミノ基、カルボキシ低級アル
キル基、カルボキシ低級アルキルアミノ基、カルバモイ
ル基、Ｎ−低級アルキルカルバモイル基、ホルミルアミ
ノ基、アシルアミノ基等を示す。〕等で表わされる基を
例示できる。
【００２４】カルバモイル低級アルキル基としては、カ
ルバモイルメチル、２−カルバモイルエチル、３−カル
バモイルプロピル、４−カルバモイルブチル、５−カル
バモイルペンチル、６−カルバモイルヘキシル基等のア
ルキル部分の炭素数が１〜６のカルバモイルアルキル基
を例示できる。
ルバモイルメチル、２−カルバモイルエチル、３−カル
バモイルプロピル、４−カルバモイルブチル、５−カル
バモイルペンチル、６−カルバモイルヘキシル基等のア
ルキル部分の炭素数が１〜６のカルバモイルアルキル基
を例示できる。
【００２５】低級アルカノイル低級アルキル基として
は、ホルミルメチル、アセトニル、３−アセチルプロピ
ル、４−アセチルブチル、６−プロピオニルヘキシル、
５−イソブチリルペンチル、ヘキサノイルメチル、６−
ヘキサノイルヘキシル基等のアルカノイル部分の炭素数
が１〜６であり、且つアルキル部分の炭素数が１〜６で
あるアルカノイルアルキル基を例示できる。
は、ホルミルメチル、アセトニル、３−アセチルプロピ
ル、４−アセチルブチル、６−プロピオニルヘキシル、
５−イソブチリルペンチル、ヘキサノイルメチル、６−
ヘキサノイルヘキシル基等のアルカノイル部分の炭素数
が１〜６であり、且つアルキル部分の炭素数が１〜６で
あるアルカノイルアルキル基を例示できる。
【００２６】低級アルコキシカルボニル低級アルキル基
としては、メトキシカルボニルメチル、メトキシカルボ
ニルエチル、メトキシカルボニルプロピル、メトキシカ
ルボニルブチル、エトキシカルボニルメチル、エトキシ
カルボニルエチル、エトキシカルボニルプロピル、エト
キシカルボニルブチル基等のアルキル部分の炭素数が１
〜６のアルコキシカルボニルアルキル基を例示できる。
としては、メトキシカルボニルメチル、メトキシカルボ
ニルエチル、メトキシカルボニルプロピル、メトキシカ
ルボニルブチル、エトキシカルボニルメチル、エトキシ
カルボニルエチル、エトキシカルボニルプロピル、エト
キシカルボニルブチル基等のアルキル部分の炭素数が１
〜６のアルコキシカルボニルアルキル基を例示できる。
【００２７】アミノ低級アルキル基としては、アミノメ
チル、２−アミノエチル、３−アミノプロピル、４−ア
ミノブチル、５−アミノペンチル、６−アミノヘキシル
基等のアルキル部分の炭素数が１〜６のアミノアルキル
基を例示できる。
チル、２−アミノエチル、３−アミノプロピル、４−ア
ミノブチル、５−アミノペンチル、６−アミノヘキシル
基等のアルキル部分の炭素数が１〜６のアミノアルキル
基を例示できる。
【００２８】低級アルキルアミノ低級アルキル基として
は、メチルアミノメチル、エチルアミノメチル、プロピ
ルアミノメチル、ブチルアミノメチル、ペンチルアミノ
メチル、２−メチルアミノエチル、３−メチルアミノプ
ロピル、４−メチルアミノブチル、５−メチルアミノペ
ンチル基等のアルキルアミノ部分及びアルキル部分の炭
素数がそれぞれ１〜５のアルキルアミノアルキル基を例
示できる。
は、メチルアミノメチル、エチルアミノメチル、プロピ
ルアミノメチル、ブチルアミノメチル、ペンチルアミノ
メチル、２−メチルアミノエチル、３−メチルアミノプ
ロピル、４−メチルアミノブチル、５−メチルアミノペ
ンチル基等のアルキルアミノ部分及びアルキル部分の炭
素数がそれぞれ１〜５のアルキルアミノアルキル基を例
示できる。
【００２９】ジ低級アルキルアミノ低級アルキル基とし
ては、ジメチルアミノメチル、ジエチルアミノメチル、
ジプロピルアミノメチル、ジブチルアミノメチル、２−
ジメチルアミノエチル、３−ジメチルアミノプロピル、
４−ジメチルアミノブチル、５−ジメチルアミノペンチ
ル、６−ジメチルアミノヘキシル基等のジアルキルアミ
ノ部分の炭素数が２〜８であり、アルキル部分の炭素数
が１〜６のジアルキルアミノアルキル基を例示できる。
ては、ジメチルアミノメチル、ジエチルアミノメチル、
ジプロピルアミノメチル、ジブチルアミノメチル、２−
ジメチルアミノエチル、３−ジメチルアミノプロピル、
４−ジメチルアミノブチル、５−ジメチルアミノペンチ
ル、６−ジメチルアミノヘキシル基等のジアルキルアミ
ノ部分の炭素数が２〜８であり、アルキル部分の炭素数
が１〜６のジアルキルアミノアルキル基を例示できる。
【００３０】スルホ低級アルキル基としては、メタンス
ルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブ
タンスルホン酸、ペンタンスルホン酸等のアルキル部分
の炭素数が１〜５であるスルホアルキル基を例示でき
る。
ルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブ
タンスルホン酸、ペンタンスルホン酸等のアルキル部分
の炭素数が１〜５であるスルホアルキル基を例示でき
る。
【００３１】ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、弗素原子、沃素原子を例示できる。
子、弗素原子、沃素原子を例示できる。
【００３２】低級アルコキシ基としては、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキ
シルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基を例示で
きる。
トキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキ
シルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基を例示で
きる。
【００３３】ジ低級アルキルアミノ基としては、ジメチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチ
ルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基を例
示できる。
ルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチ
ルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基を例
示できる。
【００３４】カルボキシ低級アルキルアミノ基として
は、カルボキシメチルアミノ、２−カルボキシエチルア
ミノ、３−カルボキシプロピルアミノ、４−カルボキシ
ブチルアミノ、５−カルボキシペンチルアミノ、６−カ
ルボキシヘキシルアミノ基等のアルキル部分の炭素数が
１〜６のアルキルアミノ基を例示できる。
は、カルボキシメチルアミノ、２−カルボキシエチルア
ミノ、３−カルボキシプロピルアミノ、４−カルボキシ
ブチルアミノ、５−カルボキシペンチルアミノ、６−カ
ルボキシヘキシルアミノ基等のアルキル部分の炭素数が
１〜６のアルキルアミノ基を例示できる。
【００３５】アシルアミノ基としては、アセチルアミ
ノ、プロピオニルアミノ、ブチリルアミノ、イソブチリ
ルアミノ、バレリルアミノ、ピバロイルアミノ基等のア
ルキル部分の炭素数が１〜６のアシルアミノ基を例示で
きる。
ノ、プロピオニルアミノ、ブチリルアミノ、イソブチリ
ルアミノ、バレリルアミノ、ピバロイルアミノ基等のア
ルキル部分の炭素数が１〜６のアシルアミノ基を例示で
きる。
【００３６】Ｎ−低級アルキルカルバモイル基として
は、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、プロピ
ルカルバモイル、ブチルカルバモイル基等のアルキル部
分の炭素数が１〜４のＮ−アルキルカルバモイル基を例
示できる。
は、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、プロピ
ルカルバモイル、ブチルカルバモイル基等のアルキル部
分の炭素数が１〜４のＮ−アルキルカルバモイル基を例
示できる。
【００３７】Ｂ- で表わされる陰イオンとしては、塩
酸、臭化水素酸、硝酸、硫酸、過塩素酸等の無機酸、メ
タンスルホン酸、エタンスルホン酸、２−クロロエタン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ−エチ
ルスルホン酸、ｐ−クロルスルホン酸、ナフタレンスル
ホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホ
ン酸、ギ酸等の有機酸の酸残基が例示できる。
酸、臭化水素酸、硝酸、硫酸、過塩素酸等の無機酸、メ
タンスルホン酸、エタンスルホン酸、２−クロロエタン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ−エチ
ルスルホン酸、ｐ−クロルスルホン酸、ナフタレンスル
ホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホ
ン酸、ギ酸等の有機酸の酸残基が例示できる。
【００３８】セフェムカルボキシル保護基には、セフェ
ム合成において汎用される保護エステル及び薬学的に許
容される保護エステルが包含される。セフェム合成にお
いて汎用される保護エステルとは、β−ラクタム化合物
に種々の化学的修飾を施す際に安定であり、且つ後記の
薬学的に許容される保護エステルに導く際には容易に脱
離させることができるエステルである。薬学的に許容さ
れる保護エステルとは、ｉｎ ｖｉｖｏで容易に加水分
解され得るものであり、ヒトの血中や組織において迅速
に分解され得る非毒性のエステルである。これらエステ
ルとしては、抗生物質の分野で通常用いられている公知
のものでよく、具体的には例えば特開昭４９−８１３８
０号公報及びエッチ．イー．フライン編セファロスポリ
ン アンド ペニシリンズ、ケミストリー アンド バ
イオロジー（１９７２年 アカデミックプレス発行）に
記載のものをいずれも使用できる。好ましいものとして
は、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ｔｅｒ
ｔ−ブチル、１，１−ジメチルプロピル、１−シクロプ
ロピルメチル、ペンチル、ヘキシル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデ
シル等の炭素数１〜１８のアルキル基、ヨードデシル、
クロルメチル、２，２−ジブロモエチル、２，２，２−
トリクロロエチル、２，２，２−トリブロモエチル等の
塩素、臭素又は沃素原子が１〜３個置換したハロゲノ低
級アルキル基、ベンジル、ジフェニルメチル、トリチ
ル、ｐ−ニトロベンジル、ｏ−メトキシベンジル、ｐ−
メトキシベンジル、ジ（ｐ−メトキシフェニル）メチル
等のニトロ基又はアルコキシ基が置換していてもよいフ
ェニル基が１〜３個置換したメチル基、メトキシメチ
ル、エトキシメチル、ｎ−プロピルオキシメチル、イソ
プロピルオキシメチル、ｎ−ブトキシメチル、イソブト
キシメチル等の低級アルコキシメチル基、アセトキシメ
チル、アセトキシエチル、プロピオニルオキシエチル、
ｎ−ブチリルオキシメチル、イソブチリルオキシメチ
ル、ピバロイルオキシメチル、１−アセトキシエチル、
ピバロイルオキシエチル、ピバロイルオキシプロピル、
１−プロピオニロキシブチル等の低級アルキルカルボニ
ルオキシ低級アルキル基、シクロペンチルカルボニルオ
キシメチル、シクロヘキシルカルボニルオキシメチル等
の炭素数５〜７のシクロアルキルカルボニルオキシ−低
級アルキル基、ベンジルカルボニルオキシメチル等のベ
ンジルカルボニルオキシ低級アルキル基、ベンゾイルオ
キシメチル、ベンゾイルオキシエチル等のベンゾイルオ
キシ低級アルキル基、メトキシ−カルボニルオキシメチ
ル、１−エトキシ−カルボニルオキシエチル、３−メト
キシ−カルボニルオキシプロピル等の低級アルコキシカ
ルボニルオキシ低級アルキル基、ベンジルオキシメチ
ル、ベンジルオキシエチル等のベンジルオキシ低級アル
キル基等の他、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル、
ブロモベンゾイルメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチ
ル、ジメチルアミノメチル、メチルチオメチル、フェニ
ルチオメチル、スクシンイミドメチル、１，１−ジメチ
ル−２−プロペニル、１，３−ジメチル−３−ブテイ
ル、３−フタリジル、クロトノラクトン−４−イル、γ
−ブチロラクトン−４−イル、テトラヒドロピラニル、
ジメチルアミノエチル、ジメチルクロロシリル、トリク
ロロシリル、（２−オキソ−１，３−ジオキソデン−４
−イル）メチル、（５−メチル−２−オキソ−１，３−
ジオキソデン−４−イル）メチル、（５−フェニル−２
−オキソ−１，３−ジオキソデン−４−イル）メチル、
ピリジン−１−オキサイド−２−メチル、キノリン−１
−オキサイド−２−メチル基等を例示できる。
ム合成において汎用される保護エステル及び薬学的に許
容される保護エステルが包含される。セフェム合成にお
いて汎用される保護エステルとは、β−ラクタム化合物
に種々の化学的修飾を施す際に安定であり、且つ後記の
薬学的に許容される保護エステルに導く際には容易に脱
離させることができるエステルである。薬学的に許容さ
れる保護エステルとは、ｉｎ ｖｉｖｏで容易に加水分
解され得るものであり、ヒトの血中や組織において迅速
に分解され得る非毒性のエステルである。これらエステ
ルとしては、抗生物質の分野で通常用いられている公知
のものでよく、具体的には例えば特開昭４９−８１３８
０号公報及びエッチ．イー．フライン編セファロスポリ
ン アンド ペニシリンズ、ケミストリー アンド バ
イオロジー（１９７２年 アカデミックプレス発行）に
記載のものをいずれも使用できる。好ましいものとして
は、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ｔｅｒ
ｔ−ブチル、１，１−ジメチルプロピル、１−シクロプ
ロピルメチル、ペンチル、ヘキシル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデ
シル等の炭素数１〜１８のアルキル基、ヨードデシル、
クロルメチル、２，２−ジブロモエチル、２，２，２−
トリクロロエチル、２，２，２−トリブロモエチル等の
塩素、臭素又は沃素原子が１〜３個置換したハロゲノ低
級アルキル基、ベンジル、ジフェニルメチル、トリチ
ル、ｐ−ニトロベンジル、ｏ−メトキシベンジル、ｐ−
メトキシベンジル、ジ（ｐ−メトキシフェニル）メチル
等のニトロ基又はアルコキシ基が置換していてもよいフ
ェニル基が１〜３個置換したメチル基、メトキシメチ
ル、エトキシメチル、ｎ−プロピルオキシメチル、イソ
プロピルオキシメチル、ｎ−ブトキシメチル、イソブト
キシメチル等の低級アルコキシメチル基、アセトキシメ
チル、アセトキシエチル、プロピオニルオキシエチル、
ｎ−ブチリルオキシメチル、イソブチリルオキシメチ
ル、ピバロイルオキシメチル、１−アセトキシエチル、
ピバロイルオキシエチル、ピバロイルオキシプロピル、
１−プロピオニロキシブチル等の低級アルキルカルボニ
ルオキシ低級アルキル基、シクロペンチルカルボニルオ
キシメチル、シクロヘキシルカルボニルオキシメチル等
の炭素数５〜７のシクロアルキルカルボニルオキシ−低
級アルキル基、ベンジルカルボニルオキシメチル等のベ
ンジルカルボニルオキシ低級アルキル基、ベンゾイルオ
キシメチル、ベンゾイルオキシエチル等のベンゾイルオ
キシ低級アルキル基、メトキシ−カルボニルオキシメチ
ル、１−エトキシ−カルボニルオキシエチル、３−メト
キシ−カルボニルオキシプロピル等の低級アルコキシカ
ルボニルオキシ低級アルキル基、ベンジルオキシメチ
ル、ベンジルオキシエチル等のベンジルオキシ低級アル
キル基等の他、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル、
ブロモベンゾイルメチル、ｐ−ニトロベンゾイルメチ
ル、ジメチルアミノメチル、メチルチオメチル、フェニ
ルチオメチル、スクシンイミドメチル、１，１−ジメチ
ル−２−プロペニル、１，３−ジメチル−３−ブテイ
ル、３−フタリジル、クロトノラクトン−４−イル、γ
−ブチロラクトン−４−イル、テトラヒドロピラニル、
ジメチルアミノエチル、ジメチルクロロシリル、トリク
ロロシリル、（２−オキソ−１，３−ジオキソデン−４
−イル）メチル、（５−メチル−２−オキソ−１，３−
ジオキソデン−４−イル）メチル、（５−フェニル−２
−オキソ−１，３−ジオキソデン−４−イル）メチル、
ピリジン−１−オキサイド−２−メチル、キノリン−１
−オキサイド−２−メチル基等を例示できる。
【００３９】一般式（１）の化合物の非毒性塩として
は、医薬上許容される塩類、例えば塩酸塩、臭化水素酸
塩、沃化水素酸塩、硫酸塩、クエン酸塩、マレイン酸
塩、乳酸塩、酒石酸塩等の有機カルボン酸、メタンスル
ホン酸、ヒドロキシメタンスルホン酸、タウリン塩、ベ
ンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩等の有機ス
ルホン酸塩、アルギニン塩、リジン塩、セリン塩、アス
パラギン酸塩、グルタミン酸塩、グリシン酸塩等のアミ
ノ酸塩、ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩等のア
ルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩等のアル
カリ土類金属塩が挙げられる。
は、医薬上許容される塩類、例えば塩酸塩、臭化水素酸
塩、沃化水素酸塩、硫酸塩、クエン酸塩、マレイン酸
塩、乳酸塩、酒石酸塩等の有機カルボン酸、メタンスル
ホン酸、ヒドロキシメタンスルホン酸、タウリン塩、ベ
ンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩等の有機ス
ルホン酸塩、アルギニン塩、リジン塩、セリン塩、アス
パラギン酸塩、グルタミン酸塩、グリシン酸塩等のアミ
ノ酸塩、ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩等のア
ルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩等のアル
カリ土類金属塩が挙げられる。
【００４０】Ｑとしては、好適にはＣＨが挙げられる。
Ｒ1 としては、好適にはカルボキシレートが挙げられ
る。Ｒ2 としては、好適には水素原子又は低級シクロア
ルキル基が挙げられ、更に好適には水素原子が挙げられ
る。Ｒとしては、好適には
Ｒ1 としては、好適にはカルボキシレートが挙げられ
る。Ｒ2 としては、好適には水素原子又は低級シクロア
ルキル基が挙げられ、更に好適には水素原子が挙げられ
る。Ｒとしては、好適には
【００４１】
【化２３】
【００４２】が挙げられ、ここでｍとしては２又は３が
好ましく、Ｙとしては低級アルキル基、ヒドロキシ低級
アルキル基、カルボキシ低級アルキル基、カルバモイル
低級アルキル基、低級アルカノイル低級アルキル基、低
級アルコキシカルボニル低級アルキル基又はスルホ低級
アルキル基で置換された第４級アンモニウム基、低級ア
ルキル基で置換されたモルホリニオ基、低級アルキル基
で置換されたピペリジニオ基が挙げられる。Ｂとして
は、好適にはハロゲン原子、更に好適には塩素原子が挙
げられる。
好ましく、Ｙとしては低級アルキル基、ヒドロキシ低級
アルキル基、カルボキシ低級アルキル基、カルバモイル
低級アルキル基、低級アルカノイル低級アルキル基、低
級アルコキシカルボニル低級アルキル基又はスルホ低級
アルキル基で置換された第４級アンモニウム基、低級ア
ルキル基で置換されたモルホリニオ基、低級アルキル基
で置換されたピペリジニオ基が挙げられる。Ｂとして
は、好適にはハロゲン原子、更に好適には塩素原子が挙
げられる。
【００４３】上記一般式（１）の化合物及びその非毒性
塩の中で好ましいものを以下に掲げる。
塩の中で好ましいものを以下に掲げる。
【００４４】７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−
アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（３−（４−メチルモルホリニオ）プロピ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボキシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−トリメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシレー
ト塩化物又はその塩７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−カルバモイルメチル−ジメチル
アンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−
３−セフェム−４−カルボキシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４−ピリ
ジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシ
レート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−アセトニル−ジメチルアンモニオエチル）−４−
ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボ
キシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−（１−メチルピペリジニオ）エチル）−４−ピリ
ジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシ
レート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−カルボキシレートメチル−ジメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレート又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニオエチル）
−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−
カルボキシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−エチルオキシカルボニルメチル−ジメチルアンモ
ニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セ
フェム−４−カルボキシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−シクロペンチルオキシイミノ−２−（２−ア
ミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２
−（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４−ピ
リジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキ
シレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（スルホネートエチル−ジメチルアンモニオエチル）−
４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カ
ルボキシレート又はその塩。
アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（３−（４−メチルモルホリニオ）プロピ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボキシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−トリメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシレー
ト塩化物又はその塩７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−カルバモイルメチル−ジメチル
アンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−
３−セフェム−４−カルボキシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４−ピリ
ジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシ
レート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−アセトニル−ジメチルアンモニオエチル）−４−
ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボ
キシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−（１−メチルピペリジニオ）エチル）−４−ピリ
ジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシ
レート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−カルボキシレートメチル−ジメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレート又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニオエチル）
−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−
カルボキシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−エチルオキシカルボニルメチル−ジメチルアンモ
ニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セ
フェム−４−カルボキシレート塩化物又はその塩 ７−〔２−シクロペンチルオキシイミノ−２−（２−ア
ミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２
−（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４−ピ
リジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキ
シレート塩化物又はその塩 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（スルホネートエチル−ジメチルアンモニオエチル）−
４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カ
ルボキシレート又はその塩。
【００４５】本発明の化合物（１）及び原料化合物にお
いては、シス異性体、トランス異性体、及びシス，トラ
ンス混合物が包含されるものとする。
いては、シス異性体、トランス異性体、及びシス，トラ
ンス混合物が包含されるものとする。
【００４６】化合物（１）については、例えばシス異性
体は下記一般式（４）で表わされる部分構造を有する幾
何異性体の一つを意味し、トランス異性体は下記式
（５）で表わされる部分構造を有する他の幾何異性体を
意味する。
体は下記一般式（４）で表わされる部分構造を有する幾
何異性体の一つを意味し、トランス異性体は下記式
（５）で表わされる部分構造を有する他の幾何異性体を
意味する。
【００４７】
【化２４】
【００４８】
【化２５】
【００４９】本発明の化合物（１）及びその塩は、種々
の方法によって製造されるが、その好ましい方法を示せ
ば下記製造法Ｉに従い製造される。
の方法によって製造されるが、その好ましい方法を示せ
ば下記製造法Ｉに従い製造される。
【００５０】
【化２６】
【００５１】〔式中Ｒ4 はセフェムカルボキシル保護基
を、Ｒ′は
を、Ｒ′は
【００５２】
【化２７】
【００５３】を示す。ここでＲ3 、ｎ、Ｂ- 及びＣは前
記に同じ。Ｒ5 はアミノ基又は保護されたアミノ基を示
す。Ｒ6 はオキシム保護基又はＲ2'基（Ｒ2'基は水素原
子以外のＲ2 基）を示す。Ｑ、Ｒ、Ｒ1 及びＲ2 は前記
に同じ。〕 上記製造法−Ｉにおいて、一般式（１）で表わされる化
合物は、一般式（６）で表わされるアミン化合物と一般
式（７）で表わされるカルボン酸化合物又はそのカルボ
キシ基が活性化された反応性誘導体とを通常のアミド結
合生成反応させ、次いで得られる生成物から必要に応じ
て保護基を除去することにより製造できる。
記に同じ。Ｒ5 はアミノ基又は保護されたアミノ基を示
す。Ｒ6 はオキシム保護基又はＲ2'基（Ｒ2'基は水素原
子以外のＲ2 基）を示す。Ｑ、Ｒ、Ｒ1 及びＲ2 は前記
に同じ。〕 上記製造法−Ｉにおいて、一般式（１）で表わされる化
合物は、一般式（６）で表わされるアミン化合物と一般
式（７）で表わされるカルボン酸化合物又はそのカルボ
キシ基が活性化された反応性誘導体とを通常のアミド結
合生成反応させ、次いで得られる生成物から必要に応じ
て保護基を除去することにより製造できる。
【００５４】ここでＲ4 で示されるカルボキシ基の保護
基としては、トリメチルシリル基等のトリ（低級）アル
キルシリル基、ベンズヒドリル基、ｐ−メトキシベンジ
ル基、tert−ブチル基、ｐ−ニトロベンジル基、フェナ
シル基等通常この分野に用いられる、容易に除去し得る
カルボキシ基の保護基を例示できる。
基としては、トリメチルシリル基等のトリ（低級）アル
キルシリル基、ベンズヒドリル基、ｐ−メトキシベンジ
ル基、tert−ブチル基、ｐ−ニトロベンジル基、フェナ
シル基等通常この分野に用いられる、容易に除去し得る
カルボキシ基の保護基を例示できる。
【００５５】Ｒ5 の保護されたアミノ基の保護基として
は、緩和な条件で容易に除去できる保護基を広く使用で
き、具体的にはトリメチルシリル基等のトリ（低級）ア
ルキルシリル基、ホルミル基、トリフルオロアセチル
基、アセチル基、tert−ブチルカルボニル基、メトキシ
アセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル基等のアシル系保護基、ベン
ジル基、ベンズヒドリル基、トリチル基等のアラルキル
基系の保護基を例示できる。
は、緩和な条件で容易に除去できる保護基を広く使用で
き、具体的にはトリメチルシリル基等のトリ（低級）ア
ルキルシリル基、ホルミル基、トリフルオロアセチル
基、アセチル基、tert−ブチルカルボニル基、メトキシ
アセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル基等のアシル系保護基、ベン
ジル基、ベンズヒドリル基、トリチル基等のアラルキル
基系の保護基を例示できる。
【００５６】Ｒ6 で示されるオキシム保護基としては、
アセチル基、トリチル基、テトラヒドロピラニル基等の
緩和な条件で容易に除去し得るこの分野で一般的に使用
される保護基を例示できる。
アセチル基、トリチル基、テトラヒドロピラニル基等の
緩和な条件で容易に除去し得るこの分野で一般的に使用
される保護基を例示できる。
【００５７】化合物（６）と化合物（７）又はその反応
性誘導体との反応には、通常用いられている公知のアミ
ド結合生成反応の条件が適用できる。
性誘導体との反応には、通常用いられている公知のアミ
ド結合生成反応の条件が適用できる。
【００５８】化合物（７）の反応性誘導体の例として
は、例えば酸塩化物、酸臭化物等の酸ハライド、置換リ
ン酸、ジアルキル亜リン酸、亜硫酸、チオ硫酸、炭酸ア
ルキル、有機カルボン酸等の酸との酸無水物及び対称酸
無水物、イミダゾール、ジメチルピラゾール等との活性
酸アミド、ｐ−ニトロフェニルエステル、フェニルチオ
エステル、カルボキシメチルチオエステル又はＮ−ヒド
ロキシピペリジン、Ｎ−ヒドロキシサクシノイミド、Ｎ
−ヒドロキシフタルイミド等のＮ−ヒドロキシ化合物と
のエステル等の活性エステルが挙げられる。
は、例えば酸塩化物、酸臭化物等の酸ハライド、置換リ
ン酸、ジアルキル亜リン酸、亜硫酸、チオ硫酸、炭酸ア
ルキル、有機カルボン酸等の酸との酸無水物及び対称酸
無水物、イミダゾール、ジメチルピラゾール等との活性
酸アミド、ｐ−ニトロフェニルエステル、フェニルチオ
エステル、カルボキシメチルチオエステル又はＮ−ヒド
ロキシピペリジン、Ｎ−ヒドロキシサクシノイミド、Ｎ
−ヒドロキシフタルイミド等のＮ−ヒドロキシ化合物と
のエステル等の活性エステルが挙げられる。
【００５９】本発明において、化合物（７）を遊離のカ
ルボン酸の状態で使用する場合には、Ｎ，Ｎ−ジエチル
カルボジイミド、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド等の縮合剤を用いることが好ましい。
ルボン酸の状態で使用する場合には、Ｎ，Ｎ−ジエチル
カルボジイミド、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド等の縮合剤を用いることが好ましい。
【００６０】上記反応で用いられる溶媒は反応に関与し
なければ特に制限はなく、また反応温度は通常冷却下又
は室温付近で行なわれる。溶媒としては、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル
類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、
四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トル
エン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピペリジン、ト
リエチルアミン等のアミン類、酢酸エチル、ギ酸エチル
等のエステル類、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチル
リン酸トリアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロト
ン性極性溶媒、アセトン等やこれらの混合溶媒を例示で
きる。
なければ特に制限はなく、また反応温度は通常冷却下又
は室温付近で行なわれる。溶媒としては、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル
類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、
四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トル
エン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピペリジン、ト
リエチルアミン等のアミン類、酢酸エチル、ギ酸エチル
等のエステル類、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチル
リン酸トリアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロト
ン性極性溶媒、アセトン等やこれらの混合溶媒を例示で
きる。
【００６１】更に用いられるカルボン酸の反応性誘導体
によっては塩基性化合物存在下に行なうことが好ましい
場合もある。該塩基性化合物としては、トリエチルアミ
ン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン類、ピリ
ジン、ピコリン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．
０〕−７−ウンデセン等の有機塩基、炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基を
例示できる。
によっては塩基性化合物存在下に行なうことが好ましい
場合もある。該塩基性化合物としては、トリエチルアミ
ン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン類、ピリ
ジン、ピコリン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．
０〕−７−ウンデセン等の有機塩基、炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基を
例示できる。
【００６２】上記反応において一般式（６）で表わされ
るアミン化合物に対する一般式（７）で表わされるカル
ボン酸化合物又はその反応性誘導体の使用量は、通常１
〜１０倍モル量程度、好ましくは１〜３倍モル量程度が
よい。また一般式（６）で表わされるアミン化合物に対
する塩基性化合物の使用量は、通常１〜３０倍モル量程
度、好ましくは２〜１０倍モル量程度とするのがよい。
反応時間は通常１〜２４時間程度、好ましくは１〜６時
間程度である。
るアミン化合物に対する一般式（７）で表わされるカル
ボン酸化合物又はその反応性誘導体の使用量は、通常１
〜１０倍モル量程度、好ましくは１〜３倍モル量程度が
よい。また一般式（６）で表わされるアミン化合物に対
する塩基性化合物の使用量は、通常１〜３０倍モル量程
度、好ましくは２〜１０倍モル量程度とするのがよい。
反応時間は通常１〜２４時間程度、好ましくは１〜６時
間程度である。
【００６３】上記で得られたアミド結合生成物から保護
基を除去するには、例えば保護基がトリ（低級）アルキ
ルシリル基等である場合には、水で処理することにより
行なうことができる。また、ベンズヒドリル基、トリチ
ル基、ｐ−メトキシベンジル基、tert−ブチル基、ホル
ミル基等の保護基である場合には、ギ酸、塩酸、トリフ
ルオロ酢酸、アニソール−トリフルオロ酢酸、酢酸、フ
ェノール、クレゾール類等で処理すれば除去できる。反
応終了後、ダイヤイオンＨＰ−２０、ＨＰ−２１、ＳＰ
−２０７、ＣＨＰ−２０Ｐ（三菱化成工業）等のハイポ
ーラスポリマー、アンバーライトＸＡＤ−２（ローム＆
ハス社）等を用いたカラムグラフィーにより精製するこ
とにより一般式（１）の本発明化合物を得ることができ
る。
基を除去するには、例えば保護基がトリ（低級）アルキ
ルシリル基等である場合には、水で処理することにより
行なうことができる。また、ベンズヒドリル基、トリチ
ル基、ｐ−メトキシベンジル基、tert−ブチル基、ホル
ミル基等の保護基である場合には、ギ酸、塩酸、トリフ
ルオロ酢酸、アニソール−トリフルオロ酢酸、酢酸、フ
ェノール、クレゾール類等で処理すれば除去できる。反
応終了後、ダイヤイオンＨＰ−２０、ＨＰ−２１、ＳＰ
−２０７、ＣＨＰ−２０Ｐ（三菱化成工業）等のハイポ
ーラスポリマー、アンバーライトＸＡＤ−２（ローム＆
ハス社）等を用いたカラムグラフィーにより精製するこ
とにより一般式（１）の本発明化合物を得ることができ
る。
【００６４】
【化２８】
【００６５】〔式中Ｑ、Ｒ、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、
Ｒ5 、Ｒ6 及びＲ′は前記に同じ。Ｒ7 はハロゲン原
子、低級アシルオキシ基又はスルホニルオキシ基を示
す。Ｒ8 は
Ｒ5 、Ｒ6 及びＲ′は前記に同じ。Ｒ7 はハロゲン原
子、低級アシルオキシ基又はスルホニルオキシ基を示
す。Ｒ8 は
【００６６】
【化２９】
【００６７】を示す。ここでＣ及びｎは前記に同じ。Ｘ
はハロゲン原子を示す。Ｍは水素原子又は金属原子を示
す。〕 上記製造法−IIにおいて、一般式（１）で表わされる本
発明化合物は、一般式（８）で表わされるセファロスポ
リン化合物又はその塩類と一般式（９）で表わされるメ
ルカプト化合物を反応させ、次いで得られる一般式（１
０）の化合物に一般式（１１）で表わされるハロゲン化
有機化合物を反応させ、更に得られる一般式（１２）の
化合物から保護基を除去することにより、一般式（１）
の本発明化合物を得ることができる。
はハロゲン原子を示す。Ｍは水素原子又は金属原子を示
す。〕 上記製造法−IIにおいて、一般式（１）で表わされる本
発明化合物は、一般式（８）で表わされるセファロスポ
リン化合物又はその塩類と一般式（９）で表わされるメ
ルカプト化合物を反応させ、次いで得られる一般式（１
０）の化合物に一般式（１１）で表わされるハロゲン化
有機化合物を反応させ、更に得られる一般式（１２）の
化合物から保護基を除去することにより、一般式（１）
の本発明化合物を得ることができる。
【００６８】化合物（８）と化合物（９）との反応は、
通常アセトン等のケトン類、クロロホルム、ジクロロメ
タン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類、アセトニトリル、メタノール、エタノール等
のアルコール類、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド、水、リン酸緩衝液等の有機溶媒又は親水性有
機溶媒と水との混合液中で行なわれる。該反応系内に塩
基や塩類を添加することによって反応を促進させること
もできる。これらの塩基、塩類としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム等の無機塩基、トリエチルアミン、ジイソプロピ
ルアミン等のトリアルキルアミンの様な有機アミンを挙
げることができる。また塩類としてはテトラブチルアン
モニウム塩の様な第４級アンモニウム塩が例示できる。
化合物（８）と化合物（９）との使用割合としては、特
に限定されるものではないが、通常化合物（８）に対し
て化合物（９）を１〜５当量、好ましくは１〜２当量用
いるのがよい。該反応は通常冷却下又は室温付近で行な
われる。
通常アセトン等のケトン類、クロロホルム、ジクロロメ
タン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類、アセトニトリル、メタノール、エタノール等
のアルコール類、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド、水、リン酸緩衝液等の有機溶媒又は親水性有
機溶媒と水との混合液中で行なわれる。該反応系内に塩
基や塩類を添加することによって反応を促進させること
もできる。これらの塩基、塩類としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム等の無機塩基、トリエチルアミン、ジイソプロピ
ルアミン等のトリアルキルアミンの様な有機アミンを挙
げることができる。また塩類としてはテトラブチルアン
モニウム塩の様な第４級アンモニウム塩が例示できる。
化合物（８）と化合物（９）との使用割合としては、特
に限定されるものではないが、通常化合物（８）に対し
て化合物（９）を１〜５当量、好ましくは１〜２当量用
いるのがよい。該反応は通常冷却下又は室温付近で行な
われる。
【００６９】化合物（１０）と化合物（１１）との反応
に使用される溶媒としては、例えばジクロロメタン、ジ
クロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン
化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類、アセトニトリル等が例
示できる。化合物（１０）と化合物（１１）との使用割
合としては、化合物（１１）の種類等により異なり一概
には言えないが、通常化合物（１０）に対して化合物
（１１）を１〜１００当量、好ましくは５〜５０当量用
いるのがよい。該反応は室温〜８０℃程度、好ましくは
２０〜５０℃程度にて行なわれ、一般に１〜２０時間程
度で終了する。
に使用される溶媒としては、例えばジクロロメタン、ジ
クロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン
化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類、アセトニトリル等が例
示できる。化合物（１０）と化合物（１１）との使用割
合としては、化合物（１１）の種類等により異なり一概
には言えないが、通常化合物（１０）に対して化合物
（１１）を１〜１００当量、好ましくは５〜５０当量用
いるのがよい。該反応は室温〜８０℃程度、好ましくは
２０〜５０℃程度にて行なわれ、一般に１〜２０時間程
度で終了する。
【００７０】一般式（１１）で表わされるハロゲン化有
機化合物としては、例えば２−ブロモ−エチルトリメチ
ルアンモニウム・ヨーダイド、３−ブロモ−プロピルト
リメチルアンモニウム・ヨーダイド、２−ブロモエチル
−ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニウム・ヨーダイ
ド、２−ブロモエチル−カルバモイルメチル−ジメチル
アンモニウム・ヨーダイド、Ｎ−（２−ブロモエチル）
−Ｎ−メチル−モルホニウム・ヨーダイド、Ｎ−（２−
ブロモエチル）−Ｎ−カルバモイルメチル−モルホニウ
ム・ヨーダイド、Ｎ−（２−ブロモエチル）−Ｎ−メチ
ル−ピペリジニウム・ヨーダイド、１−（２−ブロモエ
チル）−１−メチル−ピペラジニウム・ヨーダイド、１
−（２−ブロモエチル）−１−カルバモイルメチル−ピ
ペラジニウム・ヨーダイド、１−（２−ブロモエチル）
−１，４−ジメチル−ピペラジニウム・ヨーダイド、１
−（２−ブロモエチル）−１−カルバモイルメチル−４
−メチル−ピペラジニウム・ヨーダイド、１−（２−ブ
ロモエチル）−４，４−ジメチル−ピペラジニウム・ヨ
ーダイド、１−（２−ブロモエチル）−１−メチル−ピ
ロリジニウム・ヨーダイド、１−（２−ブロモエチル）
−１−カルバモイルメチル−ピロリジニウム・ヨーダイ
ド等が挙げられる。
機化合物としては、例えば２−ブロモ−エチルトリメチ
ルアンモニウム・ヨーダイド、３−ブロモ−プロピルト
リメチルアンモニウム・ヨーダイド、２−ブロモエチル
−ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニウム・ヨーダイ
ド、２−ブロモエチル−カルバモイルメチル−ジメチル
アンモニウム・ヨーダイド、Ｎ−（２−ブロモエチル）
−Ｎ−メチル−モルホニウム・ヨーダイド、Ｎ−（２−
ブロモエチル）−Ｎ−カルバモイルメチル−モルホニウ
ム・ヨーダイド、Ｎ−（２−ブロモエチル）−Ｎ−メチ
ル−ピペリジニウム・ヨーダイド、１−（２−ブロモエ
チル）−１−メチル−ピペラジニウム・ヨーダイド、１
−（２−ブロモエチル）−１−カルバモイルメチル−ピ
ペラジニウム・ヨーダイド、１−（２−ブロモエチル）
−１，４−ジメチル−ピペラジニウム・ヨーダイド、１
−（２−ブロモエチル）−１−カルバモイルメチル−４
−メチル−ピペラジニウム・ヨーダイド、１−（２−ブ
ロモエチル）−４，４−ジメチル−ピペラジニウム・ヨ
ーダイド、１−（２−ブロモエチル）−１−メチル−ピ
ロリジニウム・ヨーダイド、１−（２−ブロモエチル）
−１−カルバモイルメチル−ピロリジニウム・ヨーダイ
ド等が挙げられる。
【００７１】斯くして得られる一般式（１２）の化合物
は、製造法−Ｉで示した方法により保護基の除去を行な
うことができ、一般式（１）の本発明化合物が容易に製
造される。
は、製造法−Ｉで示した方法により保護基の除去を行な
うことができ、一般式（１）の本発明化合物が容易に製
造される。
【００７２】
【化３０】
【００７３】〔式中Ｑ、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、
Ｒ7 、Ｒ′、Ｂ- 及びＣは前記に同じ。〕 一般式（１２）の化合物は、上記製造法−III によって
も製造され得る。即ち、製造法−III によれば、一般式
（８）の化合物に一般式（１３）又は（１４）で表わさ
れる４級化されたメルカプト化合物を反応させることに
より、一般式（１２）の化合物が製造される。
Ｒ7 、Ｒ′、Ｂ- 及びＣは前記に同じ。〕 一般式（１２）の化合物は、上記製造法−III によって
も製造され得る。即ち、製造法−III によれば、一般式
（８）の化合物に一般式（１３）又は（１４）で表わさ
れる４級化されたメルカプト化合物を反応させることに
より、一般式（１２）の化合物が製造される。
【００７４】一般式（８）の化合物と一般式（１３）又
は（１４）の化合物との反応は、前記一般式（８）の化
合物と一般式（９）の化合物との反応と同様の反応条件
下に行ない得る。
は（１４）の化合物との反応は、前記一般式（８）の化
合物と一般式（９）の化合物との反応と同様の反応条件
下に行ない得る。
【００７５】
【化３１】
【００７６】〔式中Ｑ、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及び
Ｒ′は前記に同じ。Ｒ9 は
Ｒ′は前記に同じ。Ｒ9 は
【００７７】
【化３２】
【００７８】を示す。ここでＲ10は基−（ＣＨ2 ）ｍ−
Ｚ又は基−（ＣＨ2 ）ｍ−ＣＯ−Ｚ（基中、ｍは１〜５
の整数、Ｚは第３級アミノ基を示す。）を示す。Ｒ11は
低級アルキル基、低級アルケニル基、ヒドロキシ低級ア
ルキル基、カルボキシ低級アルキル基、カルバモイル低
級アルキル基、低級アルカノイル低級アルキル基、低級
アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル
低級アルキル基、アミノ低級アルキル基、低級アルキル
アミノ低級アルキル基、ジ低級アルキルアミノ低級アル
キル基又はスルホ低級アルキル基を示す。ｎは０又は１
〜４の整数を示す。〕 一般式（１２）の化合物は、上記製造法−IVによっても
製造され得る。
Ｚ又は基−（ＣＨ2 ）ｍ−ＣＯ−Ｚ（基中、ｍは１〜５
の整数、Ｚは第３級アミノ基を示す。）を示す。Ｒ11は
低級アルキル基、低級アルケニル基、ヒドロキシ低級ア
ルキル基、カルボキシ低級アルキル基、カルバモイル低
級アルキル基、低級アルカノイル低級アルキル基、低級
アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル
低級アルキル基、アミノ低級アルキル基、低級アルキル
アミノ低級アルキル基、ジ低級アルキルアミノ低級アル
キル基又はスルホ低級アルキル基を示す。ｎは０又は１
〜４の整数を示す。〕 一般式（１２）の化合物は、上記製造法−IVによっても
製造され得る。
【００７９】一般式（８）の化合物と一般式（１５）又
は（１６）の化合物との反応は、前記一般式（８）の化
合物と一般式（９）の化合物との反応と同様の反応条件
下にて行ない得る。また一般式（１７）の化合物と一般
式（１８）の化合物との反応は、前記一般式（１０）の
化合物と一般式（１１）の化合物との反応と同様の反応
条件下にて行ない得る。一般式（１８）で表わされるハ
ロゲン化有機化合物としては、例えば低級アルキルハラ
イド、低級アルケニルハライド、ヒドロキシ低級アルキ
ルハライド、カルボキシ低級アルキルハライド、カルバ
モイル低級アルキルハライド、低級アルカノイル低級ア
ルキルハライド、低級アルコキシ低級アルキルハライ
ド、低級アルコキシカルボニル低級アルキルハライド、
アミノ低級アルキルハライド、低級アルキルアミノ低級
アルキルハライド、ジ低級アルキルアミノ低級アルキル
ハライド、スルホ低級アルキルハライド等が挙げられ、
上記各種ハライドとしては、クロライド、ブロマイド、
ヨーダイド等が例示できる。
は（１６）の化合物との反応は、前記一般式（８）の化
合物と一般式（９）の化合物との反応と同様の反応条件
下にて行ない得る。また一般式（１７）の化合物と一般
式（１８）の化合物との反応は、前記一般式（１０）の
化合物と一般式（１１）の化合物との反応と同様の反応
条件下にて行ない得る。一般式（１８）で表わされるハ
ロゲン化有機化合物としては、例えば低級アルキルハラ
イド、低級アルケニルハライド、ヒドロキシ低級アルキ
ルハライド、カルボキシ低級アルキルハライド、カルバ
モイル低級アルキルハライド、低級アルカノイル低級ア
ルキルハライド、低級アルコキシ低級アルキルハライ
ド、低級アルコキシカルボニル低級アルキルハライド、
アミノ低級アルキルハライド、低級アルキルアミノ低級
アルキルハライド、ジ低級アルキルアミノ低級アルキル
ハライド、スルホ低級アルキルハライド等が挙げられ、
上記各種ハライドとしては、クロライド、ブロマイド、
ヨーダイド等が例示できる。
【００８０】一般式（９）、（１３）及び（１５）のピ
リジン誘導体においては、チオール基の結合位置によっ
て、互変異性平衡の状態にあり、例えば一般式（１５）
のピリジン誘導体にあっては次のような関係にあり、そ
のような異性体は化合物それ自体同じ範疇に含まれる。
このような互変異性体型を含む一般式（９）、（１３）
及び（１５）のピリジン誘導体は便宜上一方の表現を用
いるが他方の異性体をも包含することは言うまでもな
い。
リジン誘導体においては、チオール基の結合位置によっ
て、互変異性平衡の状態にあり、例えば一般式（１５）
のピリジン誘導体にあっては次のような関係にあり、そ
のような異性体は化合物それ自体同じ範疇に含まれる。
このような互変異性体型を含む一般式（９）、（１３）
及び（１５）のピリジン誘導体は便宜上一方の表現を用
いるが他方の異性体をも包含することは言うまでもな
い。
【００８１】
【化３３】
【００８２】〔式中Ｒ10及びｎは前記に同じ。〕 本発明の化合物は、適当な製剤用担体を用いて通常の方
法に従い、製剤組成物とされる。ここで用いられる担体
としては、通常の薬剤に汎用される各種のもの、例えば
賦形剤、結合剤、崩壊剤、滑沢剤、着色剤、矯味剤、矯
臭剤、界面活性剤等を例示できる。
法に従い、製剤組成物とされる。ここで用いられる担体
としては、通常の薬剤に汎用される各種のもの、例えば
賦形剤、結合剤、崩壊剤、滑沢剤、着色剤、矯味剤、矯
臭剤、界面活性剤等を例示できる。
【００８３】本発明製剤を人を含む哺乳動物の感染症、
殊にメチシリン耐性黄色ブドウ球菌の引き起こす感染症
の治療剤として使用する際の投与単位形態としては特に
限定されず、治療目的に応じて適宜選択でき、具体的に
は注射剤、坐剤、点眼剤、軟膏剤、エアゾール剤等の非
経口剤、錠剤、被覆錠剤、散剤、顆粒剤、カプセル剤、
液剤、丸剤、懸濁剤、乳剤等の経口剤を例示できる。
殊にメチシリン耐性黄色ブドウ球菌の引き起こす感染症
の治療剤として使用する際の投与単位形態としては特に
限定されず、治療目的に応じて適宜選択でき、具体的に
は注射剤、坐剤、点眼剤、軟膏剤、エアゾール剤等の非
経口剤、錠剤、被覆錠剤、散剤、顆粒剤、カプセル剤、
液剤、丸剤、懸濁剤、乳剤等の経口剤を例示できる。
【００８４】上記各種薬剤は、この分野で通常知られた
製剤方法により製剤化される。錠剤、散剤、顆粒剤等の
経口用固形製剤の形態に成形するに際しては、担体とし
て例えば乳糖、白糖、塩化ナトリウム、ブドウ糖、尿
素、デンプン、炭酸カルシウム、カオリン、結晶セルロ
ース、ケイ酸、メチルセルロース、グリセリン、アルギ
ン酸ナトリウム、アラビアゴム等の賦形剤、単シロッ
プ、ブドウ糖液、デンプン液、ゼラチン溶液、ポリビニ
ルアルコール、ポリビニルエーテル、ポリビニルピロリ
ドン、カルボキシメチルセルロース、セラック、メチル
セルロース、エチルセルロース、水、エタノール、リン
酸カリウム等の結合剤、乾燥デンプン、アルギン酸ナト
リウム、カンテン末、ラミナラン末、炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸カルシウム、ポリオキシエチレンソルビタン脂
肪酸エステル類、ラウリル硫酸ナトリウム、ステアリン
酸モノグリセリド、デンプン、乳糖等の崩壊剤、白糖、
ステアリン酸、カカオバター、水素添加油等の崩壊抑制
剤、第４級アンモニウム塩基、ラウリル硫酸ナトリウム
等の吸収促進剤、グリセリン、デンプン等の保湿剤、デ
ンプン、乳糖、カオリン、ベントナイト、コロイド状ケ
イ酸等の吸着剤、精製タルク、ステアリン酸塩、ホウ酸
末、ポリエチレングリコール等の滑沢剤等を使用でき
る。更に錠剤は必要に応じ通常の剤皮を施した錠剤、例
えば糖衣錠、ゼラチン被包錠、腸溶被錠、フィルムコー
ティング錠、二重錠、多層錠等とすることができる。
製剤方法により製剤化される。錠剤、散剤、顆粒剤等の
経口用固形製剤の形態に成形するに際しては、担体とし
て例えば乳糖、白糖、塩化ナトリウム、ブドウ糖、尿
素、デンプン、炭酸カルシウム、カオリン、結晶セルロ
ース、ケイ酸、メチルセルロース、グリセリン、アルギ
ン酸ナトリウム、アラビアゴム等の賦形剤、単シロッ
プ、ブドウ糖液、デンプン液、ゼラチン溶液、ポリビニ
ルアルコール、ポリビニルエーテル、ポリビニルピロリ
ドン、カルボキシメチルセルロース、セラック、メチル
セルロース、エチルセルロース、水、エタノール、リン
酸カリウム等の結合剤、乾燥デンプン、アルギン酸ナト
リウム、カンテン末、ラミナラン末、炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸カルシウム、ポリオキシエチレンソルビタン脂
肪酸エステル類、ラウリル硫酸ナトリウム、ステアリン
酸モノグリセリド、デンプン、乳糖等の崩壊剤、白糖、
ステアリン酸、カカオバター、水素添加油等の崩壊抑制
剤、第４級アンモニウム塩基、ラウリル硫酸ナトリウム
等の吸収促進剤、グリセリン、デンプン等の保湿剤、デ
ンプン、乳糖、カオリン、ベントナイト、コロイド状ケ
イ酸等の吸着剤、精製タルク、ステアリン酸塩、ホウ酸
末、ポリエチレングリコール等の滑沢剤等を使用でき
る。更に錠剤は必要に応じ通常の剤皮を施した錠剤、例
えば糖衣錠、ゼラチン被包錠、腸溶被錠、フィルムコー
ティング錠、二重錠、多層錠等とすることができる。
【００８５】丸剤の形態に成形するに際しては、担体と
して例えばブドウ糖、乳糖、デンプン、カカオ脂、硬化
植物油、カオリン、タルク等の賦形剤、アラビアゴム
末、トラガント末、ゼラチン等の結合剤、ラミナラン、
カンテン等の崩壊剤等を使用できる。
して例えばブドウ糖、乳糖、デンプン、カカオ脂、硬化
植物油、カオリン、タルク等の賦形剤、アラビアゴム
末、トラガント末、ゼラチン等の結合剤、ラミナラン、
カンテン等の崩壊剤等を使用できる。
【００８６】カプセル剤は上記で例示した各種の担体と
混合し、硬質ゼラチンカプセル、軟質カプセル等に充填
して調製される。
混合し、硬質ゼラチンカプセル、軟質カプセル等に充填
して調製される。
【００８７】坐剤の形態に成形するに際しては、担体と
して例えばポリエチレングリコール、カカオ脂、ラノリ
ン、高級アルコール、高級アルコールのエステル類、ゼ
ラチン、半合成グリセライド、ウィテップゾール（登録
商標ダイナマイトノーベル社）等に適当な吸収促進剤を
添加して使用できる。
して例えばポリエチレングリコール、カカオ脂、ラノリ
ン、高級アルコール、高級アルコールのエステル類、ゼ
ラチン、半合成グリセライド、ウィテップゾール（登録
商標ダイナマイトノーベル社）等に適当な吸収促進剤を
添加して使用できる。
【００８８】注射剤の形態に成形するに際しては、担体
として例えば水、エチルアルコール、マクロゴール、プ
ロピレングリコール、エトキシ化イソステアリルアルコ
ール、ポリオキシ化イソステアリルアルコール、ポリオ
キシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等の希釈剤、
クエン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、リン酸ナトリウ
ム等のｐＨ調整剤及び緩衝剤、ピロ亜硫酸ナトリウム、
エチレンジアミン四酢酸、チオグリコール酸、チオ乳酸
等の安定化剤等を使用できる。なお、この場合等張性の
溶液を調製するに充分な量の食塩、ブドウ糖又はグリセ
リンを医薬製剤中に含有せしめてもよく、また通常の溶
解補助剤、無痛化剤、局所麻酔剤等を添加してもよい。
これらの担体を添加して、常法により皮下、筋肉内、静
脈内用注射剤を製造することができる。
として例えば水、エチルアルコール、マクロゴール、プ
ロピレングリコール、エトキシ化イソステアリルアルコ
ール、ポリオキシ化イソステアリルアルコール、ポリオ
キシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等の希釈剤、
クエン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、リン酸ナトリウ
ム等のｐＨ調整剤及び緩衝剤、ピロ亜硫酸ナトリウム、
エチレンジアミン四酢酸、チオグリコール酸、チオ乳酸
等の安定化剤等を使用できる。なお、この場合等張性の
溶液を調製するに充分な量の食塩、ブドウ糖又はグリセ
リンを医薬製剤中に含有せしめてもよく、また通常の溶
解補助剤、無痛化剤、局所麻酔剤等を添加してもよい。
これらの担体を添加して、常法により皮下、筋肉内、静
脈内用注射剤を製造することができる。
【００８９】液体製剤は水性又は油性の懸濁液、溶液、
シロップ、エリキシル剤であってもよく、これらは通常
の添加剤を用いて常法に従い、調製される。
シロップ、エリキシル剤であってもよく、これらは通常
の添加剤を用いて常法に従い、調製される。
【００９０】軟膏剤、例えばペースト、クリーム及びゲ
ルの形態に調製するに際しては、希釈剤として例えば白
色ワセリン、パラフィン、グリセリン、セルロース誘導
体、ポリエチレングリコール、シリコン、ベントナイト
等を使用できる。
ルの形態に調製するに際しては、希釈剤として例えば白
色ワセリン、パラフィン、グリセリン、セルロース誘導
体、ポリエチレングリコール、シリコン、ベントナイト
等を使用できる。
【００９１】上記製剤中に含有されるべき本発明化合物
の量としては、剤型、投与経路、投与計画等により異な
り一概には言えず広い範囲内から適宜選択されるが、通
常製剤中に１〜７０重量％程度とするのがよい。
の量としては、剤型、投与経路、投与計画等により異な
り一概には言えず広い範囲内から適宜選択されるが、通
常製剤中に１〜７０重量％程度とするのがよい。
【００９２】上記製剤の投与方法は、例えば経腸投与、
経口投与、直腸投与、口腔内投与、経皮投与等特に制限
されず、各種製剤形態、患者の年齢、性別その他の条
件、患者の症状の程度等に応じて適宜決定される。例え
ば錠剤、丸剤、液剤、懸濁剤、乳剤、顆粒剤及びカプセ
ル剤の場合には、経口投与される。また注射剤の場合に
は単独で又はブドウ糖、アミノ酸等の通常の補液と混合
して静脈内投与され、更に必要に応じて単独で筋肉内、
皮内、皮下もしくは腹腔内投与される。坐剤の場合には
直腸内投与される。軟膏剤は、皮膚、口腔内粘膜等に塗
布される。
経口投与、直腸投与、口腔内投与、経皮投与等特に制限
されず、各種製剤形態、患者の年齢、性別その他の条
件、患者の症状の程度等に応じて適宜決定される。例え
ば錠剤、丸剤、液剤、懸濁剤、乳剤、顆粒剤及びカプセ
ル剤の場合には、経口投与される。また注射剤の場合に
は単独で又はブドウ糖、アミノ酸等の通常の補液と混合
して静脈内投与され、更に必要に応じて単独で筋肉内、
皮内、皮下もしくは腹腔内投与される。坐剤の場合には
直腸内投与される。軟膏剤は、皮膚、口腔内粘膜等に塗
布される。
【００９３】本発明の化合物の投与量は、用法、患者の
年齢、状態、病気の種類、投与する本発明化合物の種類
等に応じて適宜選択される。一般に１日１００ｍｇから
約１０ｇ、更にはそれ以上の量が患者に投与できる。病
原菌感染症の治療には、本発明化合物の１回当りの平均
投与量として約５０ｍｇ、１００ｍｇ、２５０ｍｇ、１
０００ｍｇ、２０００ｍｇの量が使用できる。
年齢、状態、病気の種類、投与する本発明化合物の種類
等に応じて適宜選択される。一般に１日１００ｍｇから
約１０ｇ、更にはそれ以上の量が患者に投与できる。病
原菌感染症の治療には、本発明化合物の１回当りの平均
投与量として約５０ｍｇ、１００ｍｇ、２５０ｍｇ、１
０００ｍｇ、２０００ｍｇの量が使用できる。
【００９４】目的化合物の有用性を示すために、本発明
の代表的化合物の寒天平板希釈法により各種細菌に対す
る抗菌力試験を行ない、各種細菌に対する菌発育最小阻
止濃度（ＭＩＣ値）をＦＭＯＸ（フロモキセフ）と比較
して試験した結果を表１に、また臨床分離メチシリン耐
性、シプロフロキサシン高度耐性黄色ブドウ球菌に対す
るＭＩＣ−８０値をＶＣＭ（バンコマイシン）、ＦＭＯ
Ｘ、ＣＰＦＸ（シプロフロキサシン）と比較した結果を
表２に示す。尚、試験化合物は以下の通りである。
の代表的化合物の寒天平板希釈法により各種細菌に対す
る抗菌力試験を行ない、各種細菌に対する菌発育最小阻
止濃度（ＭＩＣ値）をＦＭＯＸ（フロモキセフ）と比較
して試験した結果を表１に、また臨床分離メチシリン耐
性、シプロフロキサシン高度耐性黄色ブドウ球菌に対す
るＭＩＣ−８０値をＶＣＭ（バンコマイシン）、ＦＭＯ
Ｘ、ＣＰＦＸ（シプロフロキサシン）と比較した結果を
表２に示す。尚、試験化合物は以下の通りである。
【００９５】試験化合物 （ａ）：７−〔２−シクロペンチルオキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）
−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−
カルボキシレート塩化物 （ｂ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４−ピリ
ジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシ
レート塩化物 （ｃ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−カルバモイルメチル−ジメチルアンモニオ
エチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェ
ム−４−カルボキシレート塩化物 （ｄ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−アセトニル−ジメチルアンモニオエチル）
−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−
カルボキシレート塩化物 （ｅ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレート塩化物 （ｆ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボキシレート塩化物
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）
−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−
カルボキシレート塩化物 （ｂ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４−ピリ
ジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシ
レート塩化物 （ｃ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−カルバモイルメチル−ジメチルアンモニオ
エチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェ
ム−４−カルボキシレート塩化物 （ｄ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−アセトニル−ジメチルアンモニオエチル）
−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−
カルボキシレート塩化物 （ｅ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレート塩化物 （ｆ）：７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボキシレート塩化物
【００９６】
【表１】
【００９７】
【表２】
【００９８】
【実施例】以下に実施例を掲げる。
【００９９】実施例１
【０１００】
【化３４】
【０１０１】７−［２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド］−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル１９．７ｇ（０．０１６５モル）及び１−
（２−ジメチルアミノエチル）−４−ピリドチオン３．
１６ｇ（０．０１７モル）を無水ジメチルホルムアミド
１５０ｍｌを加えて溶解し室温で２．５時間撹拌した。
反応終了後、酢酸エチルエステル（１２００ｍｌ）で抽
出し、水で３回、１０％食塩水で１回洗浄を行ない、有
機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有機溶媒を
留去して、目的物の７−〔２−トリチルオキシイミノ−
２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセ
トアミド〕−３−〔２−（１−（２−ジメチルアミノエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオ
ロメタンスルホン酸塩を２０．３ｇ得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド］−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル１９．７ｇ（０．０１６５モル）及び１−
（２−ジメチルアミノエチル）−４−ピリドチオン３．
１６ｇ（０．０１７モル）を無水ジメチルホルムアミド
１５０ｍｌを加えて溶解し室温で２．５時間撹拌した。
反応終了後、酢酸エチルエステル（１２００ｍｌ）で抽
出し、水で３回、１０％食塩水で１回洗浄を行ない、有
機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有機溶媒を
留去して、目的物の７−〔２−トリチルオキシイミノ−
２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセ
トアミド〕−３−〔２−（１−（２−ジメチルアミノエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオ
ロメタンスルホン酸塩を２０．３ｇ得た。
【０１０２】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；２．１５（６Ｈ，ｓ）、２．６９（２Ｈ，ｍ）、
３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．１
８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．５５（２
Ｈ，ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、
５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，７．８Ｈ
ｚ）、６．６３（１Ｈ，ｓ）、６．９７（１Ｈ，ｓ）、
７．１−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．０９（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．７５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈ
ｚ）、８．７９（１Ｈ，ｓ）、９．９３（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．８Ｈｚ）。
ｍ；２．１５（６Ｈ，ｓ）、２．６９（２Ｈ，ｍ）、
３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．１
８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．５５（２
Ｈ，ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、
５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，７．８Ｈ
ｚ）、６．６３（１Ｈ，ｓ）、６．９７（１Ｈ，ｓ）、
７．１−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．０９（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．７５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈ
ｚ）、８．７９（１Ｈ，ｓ）、９．９３（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．８Ｈｚ）。
【０１０３】実施例２
【０１０４】
【化３５】
【０１０５】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−ジメチルアミノエチ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロ
メタンスルホン酸塩２０．３ｇ（０．０１６モル）をア
セトニトリル１００ｍｌに溶解して沃化メチル１０．３
ｍｌ（０．１６モル）を加え室温で２時間撹拌した。反
応終了後、減圧下、溶媒を留去して７−〔２−トリチル
オキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−
４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−ト
リメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビ
ニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリル
エステル・沃化物を２２．６ｇ得た．1 Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐｍ；３．１５
（９Ｈ，ｓ）、３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１
Ｈｚ）、３．９１（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢ
ｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．９６（２Ｈ，ｍ）、５．
３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，
ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，７．８Ｈｚ）、６．６２（１
Ｈ，ｓ）、６．９７（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．６（４
２Ｈ，ｍ）、８．２０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、
８．７９（１Ｈ，ｂｒｓ）、８．８２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ）、９．９３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈ
ｚ）。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−ジメチルアミノエチ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロ
メタンスルホン酸塩２０．３ｇ（０．０１６モル）をア
セトニトリル１００ｍｌに溶解して沃化メチル１０．３
ｍｌ（０．１６モル）を加え室温で２時間撹拌した。反
応終了後、減圧下、溶媒を留去して７−〔２−トリチル
オキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−
４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−ト
リメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビ
ニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリル
エステル・沃化物を２２．６ｇ得た．1 Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐｍ；３．１５
（９Ｈ，ｓ）、３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１
Ｈｚ）、３．９１（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢ
ｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．９６（２Ｈ，ｍ）、５．
３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，
ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，７．８Ｈｚ）、６．６２（１
Ｈ，ｓ）、６．９７（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．６（４
２Ｈ，ｍ）、８．２０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、
８．７９（１Ｈ，ｂｒｓ）、８．８２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ）、９．９３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈ
ｚ）。
【０１０６】実施例３
【０１０７】
【化３６】
【０１０８】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオ
エチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェ
ム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物２
２．６ｇ（０．０１６モル）をクロロホルム７０ｍｌに
溶解して、８８％ギ酸４０ｍｌ及び濃塩酸５．５ｍｌを
加え室温で４時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロ
ホルム（７０ｍｌ×３）で洗浄し、これをイソプロピル
エーテル／アセトン（２００ｍｌ／６００ｍｌ）中滴下
した。沈殿物を濾取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−
２−（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミ
ド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレートの粗生成物７．０ｇを得た。こ
の粗生成物を０．１規定塩酸１３０ｍｌに溶解してハイ
ポーラスポリマー三菱ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに
吸着して、水、次いで水／アセトニトリルで展開した。
目的物を含む分画を集め、減圧濃縮、凍結乾燥を行な
い、３．０ｇの７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２
−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボキシレートの塩化物を得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオ
エチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェ
ム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物２
２．６ｇ（０．０１６モル）をクロロホルム７０ｍｌに
溶解して、８８％ギ酸４０ｍｌ及び濃塩酸５．５ｍｌを
加え室温で４時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロ
ホルム（７０ｍｌ×３）で洗浄し、これをイソプロピル
エーテル／アセトン（２００ｍｌ／６００ｍｌ）中滴下
した。沈殿物を濾取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−
２−（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミ
ド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレートの粗生成物７．０ｇを得た。こ
の粗生成物を０．１規定塩酸１３０ｍｌに溶解してハイ
ポーラスポリマー三菱ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに
吸着して、水、次いで水／アセトニトリルで展開した。
目的物を含む分画を集め、減圧濃縮、凍結乾燥を行な
い、３．０ｇの７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２
−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボキシレートの塩化物を得た。
【０１０９】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；３．１８（９Ｈ，ｓ）、３．５９（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、３．８７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１
７．１Ｈｚ）、４．００（２Ｈ，ｍ）、５．０４（２
Ｈ，ｍ）、５．１３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、
５．７０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，７．８Ｈ
ｚ）、６．６４（１Ｈ，ｓ）、６．６−６．８（１Ｈ，
ｍ）、７．１３（２Ｈ，ｍ）、７．４２（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１５．３Ｈｚ）、８．１２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈ
ｚ）、８．９６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、９．４
５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）、１１．３８（１Ｈ，
ｓ）。
ｍ；３．１８（９Ｈ，ｓ）、３．５９（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、３．８７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１
７．１Ｈｚ）、４．００（２Ｈ，ｍ）、５．０４（２
Ｈ，ｍ）、５．１３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、
５．７０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，７．８Ｈ
ｚ）、６．６４（１Ｈ，ｓ）、６．６−６．８（１Ｈ，
ｍ）、７．１３（２Ｈ，ｍ）、７．４２（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１５．３Ｈｚ）、８．１２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈ
ｚ）、８．９６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、９．４
５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）、１１．３８（１Ｈ，
ｓ）。
【０１１０】実施例４
【０１１１】
【化３７】
【０１１２】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−ジメチルアミノエチ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロ
メタンスルホン酸塩３．０ｇ（０．００２４モル）をア
セトニトリル１５ｍｌに溶解して２−ヨードアセトアミ
ド１．８ｇ（０．０９８モル）を加え室温で４時間撹拌
した。反応終了後、減圧下、溶媒を留去して７−〔２−
トリチルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチア
ゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−カルバモイルメチル−ジメチルアンモニオエチ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物と２−
ヨードアセトアミドの混合物を４．８ｇ得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−ジメチルアミノエチ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロ
メタンスルホン酸塩３．０ｇ（０．００２４モル）をア
セトニトリル１５ｍｌに溶解して２−ヨードアセトアミ
ド１．８ｇ（０．０９８モル）を加え室温で４時間撹拌
した。反応終了後、減圧下、溶媒を留去して７−〔２−
トリチルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチア
ゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（２−カルバモイルメチル−ジメチルアンモニオエチ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物と２−
ヨードアセトアミドの混合物を４．８ｇ得た。
【０１１３】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；３．１５（６Ｈ，ｓ）、３．７５（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．１−４．２（５Ｈ，ｍ）、
４．９７（２Ｈ，ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．
１Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，
８．１Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、６．９５（１
Ｈ，ｓ）、７．０−８．０（４４Ｈ，ｍ）、８．１８
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、８．７８（１Ｈ，
ｓ）、８．８６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、９．９
２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ）。
ｍ；３．１５（６Ｈ，ｓ）、３．７５（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．１−４．２（５Ｈ，ｍ）、
４．９７（２Ｈ，ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．
１Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，
８．１Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、６．９５（１
Ｈ，ｓ）、７．０−８．０（４４Ｈ，ｍ）、８．１８
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、８．７８（１Ｈ，
ｓ）、８．８６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、９．９
２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ）。
【０１１４】実施例５
【０１１５】
【化３８】
【０１１６】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−カルバモイルメチル−
ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビ
ニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリル
エステル・沃化物４．８ｇをクロロホルム８ｍｌに溶解
して、８８％ギ酸６ｍｌ及び濃塩酸０．８ｍｌを加え室
温で３．５時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロホ
ルム（８ｍｌ×３）で洗浄し、これをイソプロピルエー
テル／アセトン（５０ｍｌ／１００ｍｌ）中滴下した。
沈殿物を濾取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−カルバモイルメチル−ジメチル
アンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−
３−セフェム−４−カルボキシレートの粗生成物１．４
ｇを得た。この粗生成物を水１４ｍｌに溶解してハイポ
ーラスポリマー三菱ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸
着して、水、次いで水／アセトニトリルで展開した。目
的物を含む分画を集め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、
３２７ｍｇの７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−
アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（２−カルバモイルメチル−ジメチルアン
モニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボキシレートの塩化物を得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−カルバモイルメチル−
ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビ
ニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリル
エステル・沃化物４．８ｇをクロロホルム８ｍｌに溶解
して、８８％ギ酸６ｍｌ及び濃塩酸０．８ｍｌを加え室
温で３．５時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロホ
ルム（８ｍｌ×３）で洗浄し、これをイソプロピルエー
テル／アセトン（５０ｍｌ／１００ｍｌ）中滴下した。
沈殿物を濾取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−カルバモイルメチル−ジメチル
アンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−
３−セフェム−４−カルボキシレートの粗生成物１．４
ｇを得た。この粗生成物を水１４ｍｌに溶解してハイポ
ーラスポリマー三菱ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸
着して、水、次いで水／アセトニトリルで展開した。目
的物を含む分画を集め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、
３２７ｍｇの７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−
アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（２−カルバモイルメチル−ジメチルアン
モニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボキシレートの塩化物を得た。
【０１１７】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；３．３４（６Ｈ，ｓ）、３．６０（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、３．９２（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１
７．１Ｈｚ）、４．２１（２Ｈ，ｍ）、４．２９（２
Ｈ，ｓ）、５．１１（２Ｈ，ｍ）、５．１３（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．７２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
５．１Ｈｚ，８．１Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，ｓ）、
６．６−６．８（１Ｈ，ｍ）、７．１２（２Ｈ，ｂｒ
ｓ）、７．４０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ）、７．
７２（１Ｈ，ｂｒｓ）、８．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．
６Ｈｚ）、８．３２（１Ｈ，ｂｒｓ）、８．９７（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、９．４４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
８．１Ｈｚ）、１１．３８（１Ｈ，ｓ）。
ｍ；３．３４（６Ｈ，ｓ）、３．６０（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、３．９２（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１
７．１Ｈｚ）、４．２１（２Ｈ，ｍ）、４．２９（２
Ｈ，ｓ）、５．１１（２Ｈ，ｍ）、５．１３（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．７２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
５．１Ｈｚ，８．１Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，ｓ）、
６．６−６．８（１Ｈ，ｍ）、７．１２（２Ｈ，ｂｒ
ｓ）、７．４０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ）、７．
７２（１Ｈ，ｂｒｓ）、８．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．
６Ｈｚ）、８．３２（１Ｈ，ｂｒｓ）、８．９７（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、９．４４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
８．１Ｈｚ）、１１．３８（１Ｈ，ｓ）。
【０１１８】実施例６
【０１１９】
【化３９】
【０１２０】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル１５．７ｇ（０．０１３２モル）及び１−
（２−モルホリノエチル）−４−ピリドチオン３．１ｇ
（０．０１４モル）を無水ジメチルホルムアミド８０ｍ
ｌを加えて溶解し室温で２．５時間撹拌した。反応終了
後、酢酸エチルエステル（８００ｍｌ）で抽出し、水で
２回、１０％食塩水で２回洗浄を行ない、有機層を無水
硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有機溶媒を留去して、
目的物の７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−
トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕
−３−〔２−（１−（２−モルホリノエチル）−４−ピ
リジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロメタンスルホ
ン酸塩を１３．１ｇ得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル１５．７ｇ（０．０１３２モル）及び１−
（２−モルホリノエチル）−４−ピリドチオン３．１ｇ
（０．０１４モル）を無水ジメチルホルムアミド８０ｍ
ｌを加えて溶解し室温で２．５時間撹拌した。反応終了
後、酢酸エチルエステル（８００ｍｌ）で抽出し、水で
２回、１０％食塩水で２回洗浄を行ない、有機層を無水
硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有機溶媒を留去して、
目的物の７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−
トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕
−３−〔２−（１−（２−モルホリノエチル）−４−ピ
リジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロメタンスルホ
ン酸塩を１３．１ｇ得た。
【０１２１】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；２．４１（４Ｈ，ｍ）、２．７５（２Ｈ，ｍ）、
３．４８（４Ｈ，ｍ）、３．７６（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝
１８．０Ｈｚ）、４．１６（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１８．
０Ｈｚ）、４．５５（２Ｈ，ｍ）、５．３５（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ，７．８Ｈｚ）、６．６３（１Ｈ，ｓ）、
６．９９（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．６（４２Ｈ，
ｍ）、８．０７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、８．７
２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、８．７７（１Ｈ，
ｓ）、９．９３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）。
ｍ；２．４１（４Ｈ，ｍ）、２．７５（２Ｈ，ｍ）、
３．４８（４Ｈ，ｍ）、３．７６（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝
１８．０Ｈｚ）、４．１６（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１８．
０Ｈｚ）、４．５５（２Ｈ，ｍ）、５．３５（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ，７．８Ｈｚ）、６．６３（１Ｈ，ｓ）、
６．９９（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．６（４２Ｈ，
ｍ）、８．０７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、８．７
２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、８．７７（１Ｈ，
ｓ）、９．９３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）。
【０１２２】実施例７
【０１２３】
【化４０】
【０１２４】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−モルホリノエチル）−
４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロメタン
スルホン酸塩２ｇ（０．００１６モル）に沃化メチル１
０ｍｌ（０．１６モル）を加え室温で６４時間撹拌し
た。反応終了後、減圧下、沃化メチルを留去して７−
〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物を２．１５ｇ得
た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−モルホリノエチル）−
４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロメタン
スルホン酸塩２ｇ（０．００１６モル）に沃化メチル１
０ｍｌ（０．１６モル）を加え室温で６４時間撹拌し
た。反応終了後、減圧下、沃化メチルを留去して７−
〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物を２．１５ｇ得
た。
【０１２５】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；３．２８（３Ｈ，ｓ）、３．５２（４Ｈ，ｍ）、
３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１８．０Ｈｚ）、３．９
６（４Ｈ，ｍ）、４．０７（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１
Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１８．０Ｈｚ）、４．９９（２Ｈ，
ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．９
８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．４Ｈｚ）、６．
６３（１Ｈ，ｓ）、６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．１−
７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．２１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．
９Ｈｚ）、８．７８（１Ｈ，ｓ）、８．８７（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．９４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．
４Ｈｚ）。
ｍ；３．２８（３Ｈ，ｓ）、３．５２（４Ｈ，ｍ）、
３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１８．０Ｈｚ）、３．９
６（４Ｈ，ｍ）、４．０７（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１
Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１８．０Ｈｚ）、４．９９（２Ｈ，
ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．９
８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．４Ｈｚ）、６．
６３（１Ｈ，ｓ）、６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．１−
７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．２１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．
９Ｈｚ）、８．７８（１Ｈ，ｓ）、８．８７（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．９４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．
４Ｈｚ）。
【０１２６】実施例８
【０１２７】
【化４１】
【０１２８】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−（４−メチルモルホリ
ニオ）エチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃
化物２．１ｇをクロロホルム５ｍｌに溶解して、８８％
ギ酸３．２ｍｌ及び濃塩酸０．４９６ｍｌを加え室温で
４時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロホルム（５
ｍｌ×３）で洗浄し、これをイソプロピルエーテル／ア
セトン（２０ｍｌ／５０ｍｌ）中滴下した。沈殿物を濾
取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノ
チアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボキシレートの粗生成物０．５５ｇを得た。この粗生成
物を０．１規定塩酸５ｍｌに溶解してハイポーラスポリ
マー三菱ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸着して、
水、次いで水／アセトニトリルで展開した。目的物を含
む分画を集め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、０．１５
６ｇの７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノ
チアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボキシレートの塩化物を得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−（４−メチルモルホリ
ニオ）エチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃
化物２．１ｇをクロロホルム５ｍｌに溶解して、８８％
ギ酸３．２ｍｌ及び濃塩酸０．４９６ｍｌを加え室温で
４時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロホルム（５
ｍｌ×３）で洗浄し、これをイソプロピルエーテル／ア
セトン（２０ｍｌ／５０ｍｌ）中滴下した。沈殿物を濾
取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノ
チアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボキシレートの粗生成物０．５５ｇを得た。この粗生成
物を０．１規定塩酸５ｍｌに溶解してハイポーラスポリ
マー三菱ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸着して、
水、次いで水／アセトニトリルで展開した。目的物を含
む分画を集め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、０．１５
６ｇの７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノ
チアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−（４−メチルモルホリニオ）エチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボキシレートの塩化物を得た。
【０１２９】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；３．３０（３Ｈ，ｓ）、３．５３（４Ｈ，ｍ）、
３．６１（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１６．８Ｈｚ）、３．９
５（６Ｈ，ｍ）、４．０１（２Ｈ，ｍ）、５．０２（２
Ｈ，ｍ）、５．１５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、
５．７３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．４Ｈ
ｚ）、６．６６（１Ｈ，ｓ）、６．８０（１Ｈ，ｍ）、
７．１１（２Ｈ，ｍ）、７．４１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１
５．０Ｈｚ）、８．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈ
ｚ）、８．９１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．４
６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、１１．３２（１Ｈ，
ｓ）。
ｍ；３．３０（３Ｈ，ｓ）、３．５３（４Ｈ，ｍ）、
３．６１（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１６．８Ｈｚ）、３．９
５（６Ｈ，ｍ）、４．０１（２Ｈ，ｍ）、５．０２（２
Ｈ，ｍ）、５．１５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、
５．７３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．４Ｈ
ｚ）、６．６６（１Ｈ，ｓ）、６．８０（１Ｈ，ｍ）、
７．１１（２Ｈ，ｍ）、７．４１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１
５．０Ｈｚ）、８．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈ
ｚ）、８．９１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．４
６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、１１．３２（１Ｈ，
ｓ）。
【０１３０】実施例９
【０１３１】
【化４２】
【０１３２】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル２．０ｇ及び１−（２−ピペリジノエチ
ル）−４−ピリドチオン０．４ｇを無水ジメチルホルム
アミド１０ｍｌを加えて溶解し室温で４時間撹拌した。
反応終了後、酢酸エチルエステル（１００ｍｌ）で抽出
し、水で２回、１０％食塩水で２回洗浄を行ない、有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有機溶媒を留
去して、次いでクロロホルム１０ｍｌに溶解し、１００
ｍｌのイソプロピルエーテルに滴下し、生じた沈殿物を
濾取後乾燥して目的物の７−〔２−トリチルオキシイミ
ノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）
アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−ピペリジノエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオ
ロメタンスルホン酸塩を１．９９ｇ得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル２．０ｇ及び１−（２−ピペリジノエチ
ル）−４−ピリドチオン０．４ｇを無水ジメチルホルム
アミド１０ｍｌを加えて溶解し室温で４時間撹拌した。
反応終了後、酢酸エチルエステル（１００ｍｌ）で抽出
し、水で２回、１０％食塩水で２回洗浄を行ない、有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有機溶媒を留
去して、次いでクロロホルム１０ｍｌに溶解し、１００
ｍｌのイソプロピルエーテルに滴下し、生じた沈殿物を
濾取後乾燥して目的物の７−〔２−トリチルオキシイミ
ノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）
アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−ピペリジノエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオ
ロメタンスルホン酸塩を１．９９ｇ得た。
【０１３３】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；１．３−１．５（６Ｈ，ｍ）、２．３−２．４（４
Ｈ，ｍ）、２．７（２Ｈ，ｍ）、３．７５（１Ｈ，ＡＢ
ｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．１５（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ
＝１７．１Ｈｚ）、４．５（２Ｈ，ｍ）、５．３２（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝４．８Ｈｚ，８．２Ｈｚ）、６．６１（１Ｈ，ｓ）、
６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，
ｍ）、８．０５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．６
８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．９３（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）。
ｍ；１．３−１．５（６Ｈ，ｍ）、２．３−２．４（４
Ｈ，ｍ）、２．７（２Ｈ，ｍ）、３．７５（１Ｈ，ＡＢ
ｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．１５（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ
＝１７．１Ｈｚ）、４．５（２Ｈ，ｍ）、５．３２（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ
＝４．８Ｈｚ，８．２Ｈｚ）、６．６１（１Ｈ，ｓ）、
６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，
ｍ）、８．０５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．６
８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．９３（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）。
【０１３４】実施例１０
【０１３５】
【化４３】
【０１３６】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−ピペリジノエチル）−
４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロメタン
スルホン酸塩２ｇを６ｍｌのアセトニトリルに溶解し
て、沃化メチル２．６ｍｌを加え室温で１６時間撹拌し
た。反応終了後、イソプロピルエーテル８６ｍｌ中に滴
下して生じた沈殿物を濾取後乾燥して７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
（１−メチルピペリジニオ）エチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル・沃化物を１．９３ｇ得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−ピペリジノエチル）−
４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カ
ルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロメタン
スルホン酸塩２ｇを６ｍｌのアセトニトリルに溶解し
て、沃化メチル２．６ｍｌを加え室温で１６時間撹拌し
た。反応終了後、イソプロピルエーテル８６ｍｌ中に滴
下して生じた沈殿物を濾取後乾燥して７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
（１−メチルピペリジニオ）エチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル・沃化物を１．９３ｇ得た。
【０１３７】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；１．５−１．６（２Ｈ，ｍ）、１．７−１．９（４
Ｈ，ｍ）、３．１５（３Ｈ，ｓ）、３．３−３．５（４
Ｈ，ｍ）、３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈ
ｚ）、３．９−４．０（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１Ｈ，
ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．９−５．０（２Ｈ，
ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９
８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，８．２Ｈｚ）、６．
６２（１Ｈ，ｓ）、６．９９（１Ｈ，ｓ）、７．０−
７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９
Ｈｚ）、８．８７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．
９２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）。
ｍ；１．５−１．６（２Ｈ，ｍ）、１．７−１．９（４
Ｈ，ｍ）、３．１５（３Ｈ，ｓ）、３．３−３．５（４
Ｈ，ｍ）、３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈ
ｚ）、３．９−４．０（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１Ｈ，
ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．９−５．０（２Ｈ，
ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９
８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，８．２Ｈｚ）、６．
６２（１Ｈ，ｓ）、６．９９（１Ｈ，ｓ）、７．０−
７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９
Ｈｚ）、８．８７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．
９２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）。
【０１３８】実施例１１
【０１３９】
【化４４】
【０１４０】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−（１−メチルピペリジ
ニオ）エチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃
化物１．８ｇをクロロホルム５．１ｍｌに溶解して、８
８％ギ酸３．４ｍｌ及び濃塩酸０．２９６ｍｌを加え室
温で３．５時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロホ
ルム（５ｍｌ×３）で洗浄し、これをイソプロピルエー
テル／アセトン（８．５ｍｌ／３１ｍｌ）中滴下した。
沈殿物を濾取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−（１−メチルピペリジニオ）エ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレートの粗生成物０．６５ｇを得た。
この粗生成物を水に溶解してハイポーラスポリマー三菱
ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸着して、水、次いで
水／アセトニトリルで展開した。目的物を含む分画を集
め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、０．２７３ｇの７−
〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
（１−メチルピペリジニオ）エチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシレー
トの塩化物を得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−（１−メチルピペリジ
ニオ）エチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃
化物１．８ｇをクロロホルム５．１ｍｌに溶解して、８
８％ギ酸３．４ｍｌ及び濃塩酸０．２９６ｍｌを加え室
温で３．５時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロホ
ルム（５ｍｌ×３）で洗浄し、これをイソプロピルエー
テル／アセトン（８．５ｍｌ／３１ｍｌ）中滴下した。
沈殿物を濾取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−（１−メチルピペリジニオ）エ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレートの粗生成物０．６５ｇを得た。
この粗生成物を水に溶解してハイポーラスポリマー三菱
ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸着して、水、次いで
水／アセトニトリルで展開した。目的物を含む分画を集
め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、０．２７３ｇの７−
〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
（１−メチルピペリジニオ）エチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシレー
トの塩化物を得た。
【０１４１】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；１．４−１．６（２Ｈ，ｍ）、１．７−１．９（４
Ｈ，ｍ）、３．１９（３Ｈ，ｓ）、３．３−３．５（４
Ｈ，ｍ）、３．５８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、
３．８５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．０−
４．１（２Ｈ，ｍ）、５．０−５．１（２Ｈ，ｍ）、
５．１２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．７０（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，８．２Ｈｚ）、６．６３
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，
ｓ）、７．１５（２Ｈ，ｂｒｓ）、７．４１（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、８．０８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ）、９．００（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈ
ｚ）、９．４５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）、１１．
４８（１Ｈ，ｓ）。
ｍ；１．４−１．６（２Ｈ，ｍ）、１．７−１．９（４
Ｈ，ｍ）、３．１９（３Ｈ，ｓ）、３．３−３．５（４
Ｈ，ｍ）、３．５８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、
３．８５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、４．０−
４．１（２Ｈ，ｍ）、５．０−５．１（２Ｈ，ｍ）、
５．１２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．７０（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，８．２Ｈｚ）、６．６３
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，
ｓ）、７．１５（２Ｈ，ｂｒｓ）、７．４１（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、８．０８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ）、９．００（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈ
ｚ）、９．４５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ）、１１．
４８（１Ｈ，ｓ）。
【０１４２】実施例１２
【０１４３】
【化４５】
【０１４４】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル３．２８ｇ及び１−（３−モルホリノプロ
ピル）−４−ピリドチオン０．７３ｇを無水ジメチルホ
ルムアミド１０ｍｌを加えて溶解し室温で６２．５時間
撹拌した。反応終了後、酢酸エチルエステル（１００ｍ
ｌ）で抽出し、水で２回、１０％食塩水で２回洗浄を行
ない、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有
機溶媒を留去して、次いでクロロホルム１５ｍｌに溶解
し、７００ｍｌのイソプロピルエーテルに滴下し、生じ
た沈殿物を濾取後乾燥して目的物の７−〔２−トリチル
オキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−
４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（３−モ
ルホリノプロピル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−
３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
・トリフルオロメタンスルホン酸塩を２．８ｇ得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル３．２８ｇ及び１−（３−モルホリノプロ
ピル）−４−ピリドチオン０．７３ｇを無水ジメチルホ
ルムアミド１０ｍｌを加えて溶解し室温で６２．５時間
撹拌した。反応終了後、酢酸エチルエステル（１００ｍ
ｌ）で抽出し、水で２回、１０％食塩水で２回洗浄を行
ない、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有
機溶媒を留去して、次いでクロロホルム１５ｍｌに溶解
し、７００ｍｌのイソプロピルエーテルに滴下し、生じ
た沈殿物を濾取後乾燥して目的物の７−〔２−トリチル
オキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−
４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（３−モ
ルホリノプロピル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−
３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
・トリフルオロメタンスルホン酸塩を２．８ｇ得た。
【０１４５】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；２．０５（２Ｈ，ｍ）、２．２３（６Ｈ，ｍ）、
３．４３（４Ｈ，ｂｒｓ）、３．７４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
１７．４Ｈｚ）、４．１７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈ
ｚ）、４．４８（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．３６（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ，８．４Ｈｚ）、６．６０（１Ｈ，ｓ）、
６．９６（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．６（４２Ｈ，
ｍ）、８．０６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）、８．７
８（３Ｈ，ｍ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈ
ｚ）。
ｍ；２．０５（２Ｈ，ｍ）、２．２３（６Ｈ，ｍ）、
３．４３（４Ｈ，ｂｒｓ）、３．７４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
１７．４Ｈｚ）、４．１７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈ
ｚ）、４．４８（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．３６（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ，８．４Ｈｚ）、６．６０（１Ｈ，ｓ）、
６．９６（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．６（４２Ｈ，
ｍ）、８．０６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）、８．７
８（３Ｈ，ｍ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈ
ｚ）。
【０１４６】実施例１３
【０１４７】
【化４６】
【０１４８】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（３−モルホリノプロピル）
−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−
カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロメタ
ンスルホン酸塩１．３６ｇに沃化メチル１５ｍｌを加え
室温で１６時間撹拌した。反応終了後、減圧下溶媒を留
去して７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−ト
リチルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（３−（４−メチルモルホリニオ）プ
ロピル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェ
ム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物を
１．４ｇ得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（３−モルホリノプロピル）
−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−
カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオロメタ
ンスルホン酸塩１．３６ｇに沃化メチル１５ｍｌを加え
室温で１６時間撹拌した。反応終了後、減圧下溶媒を留
去して７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−ト
リチルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（３−（４−メチルモルホリニオ）プ
ロピル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェ
ム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物を
１．４ｇ得た。
【０１４９】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；２．３８（２Ｈ，ｍ）、３．１０（３Ｈ，ｓ）、
３．４０（４Ｈ，ｍ）、３．４８（２Ｈ，ｍ）、３．７
８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、３．９２（４Ｈ，
ｂｒｓ）、４．１９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、
４．５３（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．３７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈ
ｚ，８．４Ｈｚ）、６．６１（１Ｈ，ｓ）、６．９６
（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．１
８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）、８．７８（３Ｈ，
ｍ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
ｍ；２．３８（２Ｈ，ｍ）、３．１０（３Ｈ，ｓ）、
３．４０（４Ｈ，ｍ）、３．４８（２Ｈ，ｍ）、３．７
８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、３．９２（４Ｈ，
ｂｒｓ）、４．１９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、
４．５３（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．３７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈ
ｚ，８．４Ｈｚ）、６．６１（１Ｈ，ｓ）、６．９６
（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．１
８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）、８．７８（３Ｈ，
ｍ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
【０１５０】実施例１４
【０１５１】
【化４７】
【０１５２】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（３−（４−メチルモルホリ
ニオ）プロピル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３
−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・
沃化物１．７ｇをクロロホルム３．８ｍｌに溶解して、
８８％ギ酸２．５ｍｌ及び濃塩酸０．２７８ｍｌを加え
室温で３．５時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロ
ホルム（４ｍｌ×５）で洗浄し、これをイソプロピルエ
ーテル／アセトン（２０ｍｌ／４０ｍｌ）中滴下した。
沈殿物を濾取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（３−（４−メチルモルホリニオ）プ
ロピル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェ
ム−４−カルボキシレートの粗生成物０．５３ｇを得
た。この粗生成物を水に溶解してハイポーラスポリマー
三菱ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸着して、水、次
いで水／アセトニトリルで展開した。目的物を含む分画
を集め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、０．１１２ｇの
７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（３−（４−メチルモルホリニオ）プロピル）−４−ピ
リジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキ
シレートの塩化物を得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（３−（４−メチルモルホリ
ニオ）プロピル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３
−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・
沃化物１．７ｇをクロロホルム３．８ｍｌに溶解して、
８８％ギ酸２．５ｍｌ及び濃塩酸０．２７８ｍｌを加え
室温で３．５時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロ
ホルム（４ｍｌ×５）で洗浄し、これをイソプロピルエ
ーテル／アセトン（２０ｍｌ／４０ｍｌ）中滴下した。
沈殿物を濾取して７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（３−（４−メチルモルホリニオ）プ
ロピル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェ
ム−４−カルボキシレートの粗生成物０．５３ｇを得
た。この粗生成物を水に溶解してハイポーラスポリマー
三菱ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸着して、水、次
いで水／アセトニトリルで展開した。目的物を含む分画
を集め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、０．１１２ｇの
７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾ
ール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−
（３−（４−メチルモルホリニオ）プロピル）−４−ピ
リジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキ
シレートの塩化物を得た。
【０１５３】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；２．３６（２Ｈ，ｍ）、３．０９（３Ｈ，ｓ）、
３．４３（４Ｈ，ｍ）、３．５８（２Ｈ，ｍ）、３．７
５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、３．９２（４Ｈ，
ｂｒｓ）、４．２０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、
４．５８（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．２３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ）、５．８３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈ
ｚ，８．４Ｈｚ）、６．４８（１Ｈ，ｍ）、６．６３
（１Ｈ，ｓ）、７．０８（２Ｈ，ｂｒｓ）、７．４５
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．４Ｈｚ）、８．０６（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）、８．７４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．
０Ｈｚ）、９．４２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、１
１．３０（１Ｈ，ｓ）。
ｍ；２．３６（２Ｈ，ｍ）、３．０９（３Ｈ，ｓ）、
３．４３（４Ｈ，ｍ）、３．５８（２Ｈ，ｍ）、３．７
５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、３．９２（４Ｈ，
ｂｒｓ）、４．２０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、
４．５８（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．２３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ）、５．８３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈ
ｚ，８．４Ｈｚ）、６．４８（１Ｈ，ｍ）、６．６３
（１Ｈ，ｓ）、７．０８（２Ｈ，ｂｒｓ）、７．４５
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．４Ｈｚ）、８．０６（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）、８．７４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．
０Ｈｚ）、９．４２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、１
１．３０（１Ｈ，ｓ）。
【０１５４】実施例１５
【０１５５】
【化４８】
【０１５６】７−〔２−シクロペンチルオキシイミノ−
２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセ
トアミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニル
オキシビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル１．５９ｇ及び１−（２−ジメチルア
ミノエチル）−４−ピリドチオン０．３ｇを無水ジメチ
ルホルムアミド８．０ｍｌを加えて溶解し室温で４．５
時間撹拌した。反応終了後、酢酸エチルエステル（１２
０ｍｌ）で抽出し、水で３回、１０％食塩水で１回洗浄
を行ない、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減
圧下有機溶媒を留去した。次いでこれをクロロホルム８
ｍｌに溶解し、８０ｍｌのジイソプロピルエーテルに滴
下して生じた沈殿物を濾取し乾燥して目的物の７−〔２
−シクロペンチルオキシイミノ−２−（２−トリチルア
ミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２
−（１−（２−ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩
を１．４３ｇ得た。
２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセ
トアミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニル
オキシビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズ
ヒドリルエステル１．５９ｇ及び１−（２−ジメチルア
ミノエチル）−４−ピリドチオン０．３ｇを無水ジメチ
ルホルムアミド８．０ｍｌを加えて溶解し室温で４．５
時間撹拌した。反応終了後、酢酸エチルエステル（１２
０ｍｌ）で抽出し、水で３回、１０％食塩水で１回洗浄
を行ない、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減
圧下有機溶媒を留去した。次いでこれをクロロホルム８
ｍｌに溶解し、８０ｍｌのジイソプロピルエーテルに滴
下して生じた沈殿物を濾取し乾燥して目的物の７−〔２
−シクロペンチルオキシイミノ−２−（２−トリチルア
ミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２
−（１−（２−ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩
を１．４３ｇ得た。
【０１５７】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；１．４−１．９（８Ｈ，ｍ）、２．１５（６Ｈ，
ｓ）、２．６９（２Ｈ，ｍ）、３．７０（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１７．０Ｈｚ）、４．１５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．０
Ｈｚ）、４．５５（２Ｈ，ｍ）、４．６３（１Ｈ，
ｍ）、５．２５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．７
８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．４Ｈｚ）、６．
６５（１Ｈ，ｓ）、６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．０−
７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．０６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．
９Ｈｚ）、８．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、
９．５２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
ｍ；１．４−１．９（８Ｈ，ｍ）、２．１５（６Ｈ，
ｓ）、２．６９（２Ｈ，ｍ）、３．７０（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１７．０Ｈｚ）、４．１５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．０
Ｈｚ）、４．５５（２Ｈ，ｍ）、４．６３（１Ｈ，
ｍ）、５．２５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．７
８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．４Ｈｚ）、６．
６５（１Ｈ，ｓ）、６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．０−
７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．０６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．
９Ｈｚ）、８．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、
９．５２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
【０１５８】実施例１６
【０１５９】
【化４９】
【０１６０】７−〔２−シクロペンチルオキシイミノ−
２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセ
トアミド〕−３−〔２−（１−（２−ジメチルアミノエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオ
ロメタンスルホン酸塩１．４２ｇをアセトニトリル７．
１ｍｌに溶解して沃化メチル０．７５ｍｌを加え室温で
１．５時間撹拌した。反応終了後、ジイソプロピルエー
テル中に滴下して生じた沈殿物を濾取、乾燥して７−
〔２−シクロペンチルオキシイミノ−２−（２−トリチ
ルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物を１．５２ｇ得
た。
２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセ
トアミド〕−３−〔２−（１−（２−ジメチルアミノエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・トリフルオ
ロメタンスルホン酸塩１．４２ｇをアセトニトリル７．
１ｍｌに溶解して沃化メチル０．７５ｍｌを加え室温で
１．５時間撹拌した。反応終了後、ジイソプロピルエー
テル中に滴下して生じた沈殿物を濾取、乾燥して７−
〔２−シクロペンチルオキシイミノ−２−（２−トリチ
ルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４
−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物を１．５２ｇ得
た。
【０１６１】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；１．４−１．９（８Ｈ，ｍ）、３．１６（９Ｈ，
ｓ）、３．７１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、３．
８５−３．９５（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１７．０Ｈｚ）、４．６２（１Ｈ，ｍ）、４．９−
５．０（２Ｈ，ｍ）、５．２７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１
Ｈｚ）、５．７８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．
４Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，ｓ）、６．９７（１Ｈ，
ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．２０（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．８４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ）、９．５２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈ
ｚ）。
ｍ；１．４−１．９（８Ｈ，ｍ）、３．１６（９Ｈ，
ｓ）、３．７１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、３．
８５−３．９５（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１７．０Ｈｚ）、４．６２（１Ｈ，ｍ）、４．９−
５．０（２Ｈ，ｍ）、５．２７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１
Ｈｚ）、５．７８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．
４Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，ｓ）、６．９７（１Ｈ，
ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．２０（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．８４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ）、９．５２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈ
ｚ）。
【０１６２】実施例１７
【０１６３】
【化５０】
【０１６４】７−〔２−シクロペンチルオキシイミノ−
２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセ
トアミド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモ
ニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セ
フェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化
物１．４１ｇをクロロホルム４．７ｍｌに溶解して、８
８％ギ酸３．１ｍｌ及び濃塩酸０．２６８ｍｌを加え室
温で３時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロホルム
（５ｍｌ×３）で洗浄し、これをジイソプロピルエーテ
ル／アセトン（７．６ｍｌ／２８ｍｌ）中滴下した。沈
殿物を濾取して７−〔２−シクロペンチルオキシイミノ
−２−（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミ
ド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレートの粗生成物０．５７ｇを得た。
この粗生成物を水に溶解してハイポーラスポリマー三菱
ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸着して、水、次いで
水／アセトニトリルで展開した。目的物を含む分画を集
め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、０．４２ｇの７−
〔２−シクロペンチルオキシイミノ−２−（２−アミノ
チアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４−ピリ
ジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシ
レートの塩化物を得た。
２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセ
トアミド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモ
ニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セ
フェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・沃化
物１．４１ｇをクロロホルム４．７ｍｌに溶解して、８
８％ギ酸３．１ｍｌ及び濃塩酸０．２６８ｍｌを加え室
温で３時間撹拌した。反応終了後ギ酸層をクロロホルム
（５ｍｌ×３）で洗浄し、これをジイソプロピルエーテ
ル／アセトン（７．６ｍｌ／２８ｍｌ）中滴下した。沈
殿物を濾取して７−〔２−シクロペンチルオキシイミノ
−２−（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミ
ド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボキシレートの粗生成物０．５７ｇを得た。
この粗生成物を水に溶解してハイポーラスポリマー三菱
ダイヤイオンＨＰ−２１カラムに吸着して、水、次いで
水／アセトニトリルで展開した。目的物を含む分画を集
め、減圧濃縮、凍結乾燥を行ない、０．４２ｇの７−
〔２−シクロペンチルオキシイミノ−２−（２−アミノ
チアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−トリメチルアンモニオエチル）−４−ピリ
ジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシ
レートの塩化物を得た。
【０１６５】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；１．４−１．９（８Ｈ，ｍ）、３．１９（９Ｈ，
ｓ）、３．５７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、３．
８３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、４．０−４．１
（２Ｈ，ｍ）、４．６２（１Ｈ，ｍ）、５．０−５．１
（２Ｈ，ｍ）、５．１１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈ
ｚ）、５．６６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．４
Ｈｚ）、６．６１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、
６．６８（１Ｈ，ｓ）、７．２２（２Ｈ，ｂｒｓ）、
７．４１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、８．０９
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．９５（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．４８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈ
ｚ）。
ｍ；１．４−１．９（８Ｈ，ｍ）、３．１９（９Ｈ，
ｓ）、３．５７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、３．
８３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、４．０−４．１
（２Ｈ，ｍ）、４．６２（１Ｈ，ｍ）、５．０−５．１
（２Ｈ，ｍ）、５．１１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈ
ｚ）、５．６６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．４
Ｈｚ）、６．６１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、
６．６８（１Ｈ，ｓ）、７．２２（２Ｈ，ｂｒｓ）、
７．４１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、８．０９
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．９５（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．４８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈ
ｚ）。
【０１６６】実施例１８
【０１６７】
【化５１】
【０１６８】実施例４の方法に準じ、７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩物３．０ｇ及
びヨードアセトン８８５μｌより７−〔２−トリチルオ
キシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−４
−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−アセ
トニル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル・沃化物を３．５１ｇ得た。
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩物３．０ｇ及
びヨードアセトン８８５μｌより７−〔２−トリチルオ
キシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−４
−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−アセ
トニル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル・沃化物を３．５１ｇ得た。
【０１６９】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；２．１５（３Ｈ，ｓ）、３．２５（６Ｈ，ｓ）、
３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．０
−４．１（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝
１７．０Ｈｚ）、４．６４（２Ｈ，ｂｒｓ）、４．９−
５．０（２Ｈ，ｍ）、５．３４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．３
Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，８．
３Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、６．９９（１Ｈ，
ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．２０（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．８３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈ
ｚ）。
ｍ；２．１５（３Ｈ，ｓ）、３．２５（６Ｈ，ｓ）、
３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．０
−４．１（２Ｈ，ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝
１７．０Ｈｚ）、４．６４（２Ｈ，ｂｒｓ）、４．９−
５．０（２Ｈ，ｍ）、５．３４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．３
Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，８．
３Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、６．９９（１Ｈ，
ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．２０（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．８３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈ
ｚ）。
【０１７０】実施例１９
【０１７１】
【化５２】
【０１７２】実施例４の方法に準じ、７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩物２．５ｇ及
び２−ブロモ酢酸ベンズヒドリルエステル８．３２ｇよ
り７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−トリチ
ルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（２−ベンズヒドリルオキシカルボニルメ
チル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）
チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル・臭化物を２．６１ｇ得た。
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩物２．５ｇ及
び２−ブロモ酢酸ベンズヒドリルエステル８．３２ｇよ
り７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−トリチ
ルアミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（２−ベンズヒドリルオキシカルボニルメ
チル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）
チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル・臭化物を２．６１ｇ得た。
【０１７３】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；３．３１（６Ｈ，ｓ）、３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．０５−４．１５（２Ｈ，
ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、
４．８４（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．０−５．１（２Ｈ，
ｍ）、５．３４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．９
８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．３Ｈｚ）、６．
６２（１Ｈ，ｓ）、６．９０（１Ｈ，ｓ）、６．９９
（１Ｈ，ｓ）、７．０−７．６（５２Ｈ，ｍ）、８．２
０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、８．９０（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．
３Ｈｚ）。
ｍ；３．３１（６Ｈ，ｓ）、３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．０５−４．１５（２Ｈ，
ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、
４．８４（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．０−５．１（２Ｈ，
ｍ）、５．３４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．９
８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，８．３Ｈｚ）、６．
６２（１Ｈ，ｓ）、６．９０（１Ｈ，ｓ）、６．９９
（１Ｈ，ｓ）、７．０−７．６（５２Ｈ，ｍ）、８．２
０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、８．９０（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．
３Ｈｚ）。
【０１７４】実施例２０
【０１７５】
【化５３】
【０１７６】実施例４の方法に準じ、７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩物３．０ｇ及
び２−ヨードエタノール１９ｇより７−〔２−トリチル
オキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−
４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−ヒ
ドロキシエチル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピ
リジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル・沃化物を３．２１ｇ得た。
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩物３．０ｇ及
び２−ヨードエタノール１９ｇより７−〔２−トリチル
オキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−
４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−ヒ
ドロキシエチル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピ
リジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル・沃化物を３．２１ｇ得た。
【０１７７】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；３．１８（６Ｈ，ｓ）、３．５−３．６（２Ｈ，
ｍ）、３．７４（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），
３．８−３．９（２Ｈ，ｍ）、３．９−４．０（２Ｈ，
ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、
４．９−５．０（２Ｈ，ｍ）、５．３７（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝５．１Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈ
ｚ，８．３Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、６．９９
（１Ｈ，ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．１
９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．８２（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．
３Ｈｚ）。
ｍ；３．１８（６Ｈ，ｓ）、３．５−３．６（２Ｈ，
ｍ）、３．７４（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），
３．８−３．９（２Ｈ，ｍ）、３．９−４．０（２Ｈ，
ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、
４．９−５．０（２Ｈ，ｍ）、５．３７（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝５．１Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈ
ｚ，８．３Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、６．９９
（１Ｈ，ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，ｍ）、８．１
９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．８２（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．９５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．
３Ｈｚ）。
【０１７８】実施例２１
【０１７９】
【化５４】
【０１８０】実施例４の方法に準じ、７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩物２．５ｇ及
び２−ブロモ酢酸エチルエステル３．０ｍｌより７−
〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−エチルオキシカルボニルメチル−ジメチル
アンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−
３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
・臭化物を２．５ｇ得た。
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ジメチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩物２．５ｇ及
び２−ブロモ酢酸エチルエステル３．０ｍｌより７−
〔２−トリチルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミ
ノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−
（１−（２−エチルオキシカルボニルメチル−ジメチル
アンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−
３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
・臭化物を２．５ｇ得た。
【０１８１】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；１．２２（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、３．３０
（６Ｈ，ｓ）、３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０
Ｈｚ），４．０５−４．１５（２Ｈ，ｍ）、４．１８
（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、４．１９（２
Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、４．５６（２Ｈ，ｂｒ
ｓ）、５．０−５．１（２Ｈ，ｍ）、５．３７（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ，８．１Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、
６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，
ｍ）、８．２０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、８．９
０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、９．９５（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ）。
ｍ；１．２２（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、３．３０
（６Ｈ，ｓ）、３．７７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０
Ｈｚ），４．０５−４．１５（２Ｈ，ｍ）、４．１８
（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ）、４．１９（２
Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、４．５６（２Ｈ，ｂｒ
ｓ）、５．０−５．１（２Ｈ，ｍ）、５．３７（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ，８．１Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、
６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．０−７．６（４２Ｈ，
ｍ）、８．２０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、８．９
０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、９．９５（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ）。
【０１８２】実施例２２
【０１８３】
【化５５】
【０１８４】実施例３の方法に準じ、７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
アセトニル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジ
ニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベ
ンズヒドリルエステル・沃化物３．５ｇより７−〔２−
ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール−４−
イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−アセト
ニルージメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）
チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシレート・
塩化物を５３５ｍｇ得た。
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
アセトニル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジ
ニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベ
ンズヒドリルエステル・沃化物３．５ｇより７−〔２−
ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール−４−
イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−アセト
ニルージメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）
チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシレート・
塩化物を５３５ｍｇ得た。
【０１８５】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；２．１５（３Ｈ，ｓ）、３．２８（６Ｈ，ｓ）、
３．５６（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），３．７
９（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．１−４．
２（２Ｈ，ｍ）、４．８４（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．０−
５．１（２Ｈ，ｍ）、５．１３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．３
Ｈｚ）、５．６９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，８．
３Ｈｚ）、６．５３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、
６．６２（１Ｈ，ｓ）、７．１３（２Ｈ，ｂｒｓ）、
７．４１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、８．０５
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．９１（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．４３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈ
ｚ）、１１．５（１Ｈ，ｓ）。
ｍ；２．１５（３Ｈ，ｓ）、３．２８（６Ｈ，ｓ）、
３．５６（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），３．７
９（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．１−４．
２（２Ｈ，ｍ）、４．８４（２Ｈ，ｂｒｓ）、５．０−
５．１（２Ｈ，ｍ）、５．１３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．３
Ｈｚ）、５．６９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，８．
３Ｈｚ）、６．５３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、
６．６２（１Ｈ，ｓ）、７．１３（２Ｈ，ｂｒｓ）、
７．４１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、８．０５
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．９１（２Ｈ，ｄ，
Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．４３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈ
ｚ）、１１．５（１Ｈ，ｓ）。
【０１８６】実施例２３
【０１８７】
【化５６】
【０１８８】実施例３の方法に準じ、７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ベンズヒドリルオキシカルボニルメチルージメチルアン
モニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・臭
化物２．４１ｇより７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−カルボキシレートメチル−ジメ
チルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボキシレートを２８９ｍ
ｇ得た。
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ベンズヒドリルオキシカルボニルメチルージメチルアン
モニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・臭
化物２．４１ｇより７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−
（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−
３−〔２−（１−（２−カルボキシレートメチル−ジメ
チルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニ
ル〕−３−セフェム−４−カルボキシレートを２８９ｍ
ｇ得た。
【０１８９】1Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δｐｐｍ；３．１
８（６Ｈ，ｓ）、３．５４（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．
０Ｈｚ），３．７１（２Ｈ，ｂｒｓ）、３．７５（１
Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．０８−４．１８
（２Ｈ，ｍ）、４．８−４．９（２Ｈ，ｍ）、５．０６
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．６５（１Ｈ，ｄ，
Ｊ＝５．１Ｈｚ）、６．５４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３
Ｈｚ）、６．６４（１Ｈ，ｓ）、７．３９（１Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、７．９４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９
Ｈｚ）、８．６８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）。
８（６Ｈ，ｓ）、３．５４（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．
０Ｈｚ），３．７１（２Ｈ，ｂｒｓ）、３．７５（１
Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．０８−４．１８
（２Ｈ，ｍ）、４．８−４．９（２Ｈ，ｍ）、５．０６
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．６５（１Ｈ，ｄ，
Ｊ＝５．１Ｈｚ）、６．５４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３
Ｈｚ）、６．６４（１Ｈ，ｓ）、７．３９（１Ｈ，ｄ，
Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、７．９４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９
Ｈｚ）、８．６８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）。
【０１９０】実施例２４
【０１９１】
【化５７】
【０１９２】実施例３の方法に準じ、７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニオエチル）−４−
ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物３．２ｇより７−
〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニオエチル）−４−
ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボ
キシレート・塩化物を１６０ｍｇ得た。
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニオエチル）−４−
ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル・沃化物３．２ｇより７−
〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
ヒドロキシエチル−ジメチルアンモニオエチル）−４−
ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボ
キシレート・塩化物を１６０ｍｇ得た。
【０１９３】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；３．２１（６Ｈ，ｓ）、３．５５（２Ｈ，ｂｒ
ｓ）、３．６４（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），
３．８５（２Ｈ，ｂｒｓ）、４．０８（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．０−４．１（２Ｈ，ｍ）、
５．０−５．１（２Ｈ，ｍ）、５．１９（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝５．１Ｈｚ）、５．８０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈ
ｚ，８．３Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，ｓ）、７．０２
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、７．１３（２Ｈ，ｂ
ｒｓ）、７．３４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、
８．１８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．００（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．４８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
８．３Ｈｚ）、１１．３５（１Ｈ，ｓ）。
ｍ；３．２１（６Ｈ，ｓ）、３．５５（２Ｈ，ｂｒ
ｓ）、３．６４（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈｚ），
３．８５（２Ｈ，ｂｒｓ）、４．０８（１Ｈ，ＡＢｑ，
Ｊ＝１７．０Ｈｚ），４．０−４．１（２Ｈ，ｍ）、
５．０−５．１（２Ｈ，ｍ）、５．１９（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝５．１Ｈｚ）、５．８０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈ
ｚ，８．３Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，ｓ）、７．０２
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、７．１３（２Ｈ，ｂ
ｒｓ）、７．３４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、
８．１８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．００（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、９．４８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
８．３Ｈｚ）、１１．３５（１Ｈ，ｓ）。
【０１９４】実施例２５
【０１９５】
【化５８】
【０１９６】実施例３の方法に準じ、７−〔２−トリチ
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
エチルオキシカルボニルメチル−ジメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・臭化物２．
４９ｇより７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−ア
ミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２
−（１−（２−エチルオキシカルボニルメチル−ジメチ
ルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕
−３−セフェム−４−カルボキシレート・塩化物を３２
０ｍｇ得た。
ルオキシイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール
−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−
エチルオキシカルボニルメチル−ジメチルアンモニオエ
チル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム
−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・臭化物２．
４９ｇより７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−ア
ミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２
−（１−（２−エチルオキシカルボニルメチル−ジメチ
ルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕
−３−セフェム−４−カルボキシレート・塩化物を３２
０ｍｇ得た。
【０１９７】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；１．２３（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、３．２９
（６Ｈ，ｓ）、３．６７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０
Ｈｚ），４．０８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈ
ｚ），４．１８（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．１
−４．２（２Ｈ，ｍ）、４．６０（２Ｈ，ｂｒｓ）、
５．０−５．１（２Ｈ，ｍ）、５．２０（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝４．８Ｈｚ）、５．８０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈ
ｚ，８．１Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，ｓ）、７．０２
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ）、７．１２（２Ｈ，ｂ
ｒｓ）、７．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ）、
８．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、８．９５（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、９．４８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
８．１Ｈｚ）、１１．３２（１Ｈ，ｓ）。
ｍ；１．２３（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、３．２９
（６Ｈ，ｓ）、３．６７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０
Ｈｚ），４．０８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．０Ｈ
ｚ），４．１８（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），４．１
−４．２（２Ｈ，ｍ）、４．６０（２Ｈ，ｂｒｓ）、
５．０−５．１（２Ｈ，ｍ）、５．２０（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝４．８Ｈｚ）、５．８０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．８Ｈ
ｚ，８．１Ｈｚ）、６．６５（１Ｈ，ｓ）、７．０２
（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ）、７．１２（２Ｈ，ｂ
ｒｓ）、７．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ）、
８．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、８．９５（２
Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）、９．４８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
８．１Ｈｚ）、１１．３２（１Ｈ，ｓ）。
【０１９８】実施例２６
【０１９９】
【化５９】
【０２００】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル２．５ｇ及び１−（２−スルホエチル−メ
チルアミノエチル）−４−ピリドチオン０．７５ｇを無
水ジメチルホルムアミド１１ｍｌを加えて溶解し室温で
６時間撹拌した。反応終了後、酢酸エチルエステルを加
え、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄を行ない、有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有機溶媒を留去
し、次いで塩化メチレン１５ｍｌに溶解し、１５０ｍｌ
のイソプロピルエーテルに滴下した。生じた沈殿物を濾
取後、減圧下乾燥して、目的の７−〔２−トリチルオキ
シイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−
イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−スルホ
エチル−メチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオ
ビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩を１．４
ｇ得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シビニル）−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒド
リルエステル２．５ｇ及び１−（２−スルホエチル−メ
チルアミノエチル）−４−ピリドチオン０．７５ｇを無
水ジメチルホルムアミド１１ｍｌを加えて溶解し室温で
６時間撹拌した。反応終了後、酢酸エチルエステルを加
え、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄を行ない、有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧下有機溶媒を留去
し、次いで塩化メチレン１５ｍｌに溶解し、１５０ｍｌ
のイソプロピルエーテルに滴下した。生じた沈殿物を濾
取後、減圧下乾燥して、目的の７−〔２−トリチルオキ
シイミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−
イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−スルホ
エチル−メチルアミノエチル）−４−ピリジニオ）チオ
ビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリ
ルエステル・トリフルオロメタンスルホン酸塩を１．４
ｇ得た。
【０２０１】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；２．１７（３Ｈ，ｂｒｓ）、２．４−２．５（２
Ｈ，ｍ）、２．７−２．８（２Ｈ，ｍ）、２．７−２．
８（２Ｈ，ｍ）、３．７６（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．
７Ｈｚ）、４．１７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．７Ｈ
ｚ）、４．５−４．６（２Ｈ，ｍ）、５．３４（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．９７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
５．１Ｈｚ，８．４Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、
６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．５（４２Ｈ，
ｍ）、８．０５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．７
６（１Ｈ，ｓ）、８．７８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈ
ｚ）、９．９４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
ｍ；２．１７（３Ｈ，ｂｒｓ）、２．４−２．５（２
Ｈ，ｍ）、２．７−２．８（２Ｈ，ｍ）、２．７−２．
８（２Ｈ，ｍ）、３．７６（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．
７Ｈｚ）、４．１７（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．７Ｈ
ｚ）、４．５−４．６（２Ｈ，ｍ）、５．３４（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、５．９７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
５．１Ｈｚ，８．４Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、
６．９８（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．５（４２Ｈ，
ｍ）、８．０５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、８．７
６（１Ｈ，ｓ）、８．７８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈ
ｚ）、９．９４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
【０２０２】実施例２７
【０２０３】
【化６０】
【０２０４】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−スルホエチル−メチル
アミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・ト
リフルオロメタンスルホン酸塩０．６７ｇを用い、実施
例１０と同様にして目的物の７−〔２−トリチルオキシ
イミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イ
ル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−スルホエ
チル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）
チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル・沃化物を０．６３ｇ得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−スルホエチル−メチル
アミノエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル・ト
リフルオロメタンスルホン酸塩０．６７ｇを用い、実施
例１０と同様にして目的物の７−〔２−トリチルオキシ
イミノ−２−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イ
ル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−スルホエ
チル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）
チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル・沃化物を０．６３ｇ得た。
【０２０５】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ）δｐｐ
ｍ；３．０−３．１（２Ｈ，ｍ）、３．１３（６Ｈ，
ｓ）、３．７−３．８（２Ｈ，ｍ）、３．８３（１Ｈ，
ＡＢｑ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、３．８−３．９（２Ｈ，
ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、
４．９−５．０（２Ｈ，ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝５．１Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈ
ｚ，８．４Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、６．９８
（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．５（４２Ｈ，ｍ）、８．１
８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、８．７９（１Ｈ，
ｓ）、８．８５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、９．９
４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
ｍ；３．０−３．１（２Ｈ，ｍ）、３．１３（６Ｈ，
ｓ）、３．７−３．８（２Ｈ，ｍ）、３．８３（１Ｈ，
ＡＢｑ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、３．８−３．９（２Ｈ，
ｍ）、４．１８（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．４Ｈｚ）、
４．９−５．０（２Ｈ，ｍ）、５．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝５．１Ｈｚ）、５．９８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈ
ｚ，８．４Ｈｚ）、６．６２（１Ｈ，ｓ）、６．９８
（１Ｈ，ｓ）、７．１−７．５（４２Ｈ，ｍ）、８．１
８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、８．７９（１Ｈ，
ｓ）、８．８５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）、９．９
４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
【０２０６】実施例２８
【０２０７】
【化６１】
【０２０８】７−〔２−トリチルオキシイミノ−２−
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−スルホエチル−ジメチ
ルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕
−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステ
ル・沃化物０．６１ｇを用い、実施例３と同様にして７
−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾー
ル−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２
−スルホネートエチル−ジメチルアンモニオエチル）−
４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カ
ルボキシレート０．１５ｇを得た。
（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）アセトア
ミド〕−３−〔２−（１−（２−スルホエチル−ジメチ
ルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕
−３−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステ
ル・沃化物０．６１ｇを用い、実施例３と同様にして７
−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾー
ル−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２
−スルホネートエチル−ジメチルアンモニオエチル）−
４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カ
ルボキシレート０．１５ｇを得た。
【０２０９】1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6 ＋Ｄ2 Ｏ）
δｐｐｍ；３．０−３．１（２Ｈ，ｍ）、３．１３（６
Ｈ，ｓ）、３．５４（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈ
ｚ）、３．６−３．７（２Ｈ，ｍ）、３．７６（１Ｈ，
ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、３．８−３．９（２Ｈ，
ｍ）、４．８５−４．９５（２Ｈ，ｍ）、５．０７（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．６６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ）、６．５５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈ
ｚ）、７．４２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、８．
０１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ）、８．７３（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ）。
δｐｐｍ；３．０−３．１（２Ｈ，ｍ）、３．１３（６
Ｈ，ｓ）、３．５４（１Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈ
ｚ）、３．６−３．７（２Ｈ，ｍ）、３．７６（１Ｈ，
ＡＢｑ，Ｊ＝１７．１Ｈｚ）、３．８−３．９（２Ｈ，
ｍ）、４．８５−４．９５（２Ｈ，ｍ）、５．０７（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ）、５．６６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝
４．８Ｈｚ）、６．５５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈ
ｚ）、７．４２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ）、８．
０１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ）、８．７３（２Ｈ，
ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 賢恵 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大 塚化学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 伊藤 昌弘 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大 塚化学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 花木 秀明 徳島県徳島市川内町平石夷野224−２ 大 鵬薬品工業株式会社内 (72)発明者 兵頭 昭夫 徳島県徳島市川内町平石夷野224−２ 大 鵬薬品工業株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 〔式中ＱはＣＨ又はＮを示す。Ｒ1 はカルボキシレート
又はカルボキシル基を示す。Ｒ2 は水素原子、置換基を
有することのある低級アルキル基、置換基を有すること
のある低級アルケニル基、置換基を有することのある低
級アルキニル基、置換基を有することのある低級シクロ
アルキル基、置換基を有することのあるカルボキシ低級
アルキル基、置換基を有することのあるヒドロキシ低級
アルキル基又は置換基を有することのある低級アルコキ
シ低級アルキル基を示す。Ｒは 【化２】 を示す。ここでＲ3 は基−（ＣＨ2 ）ｍ−Ｙ又は基−
（ＣＨ2 ）ｍ−ＣＯ−Ｙ（基中、ｍは１〜５の整数、Ｙ
は第４級アンモニウム基）を示す。ｎは０又は１〜４の
整数を示す。Ｂ- は陰イオンを示す。ｆはＲ1 がカルボ
キシレートを示す場合には０又は１を、Ｒ1 がカルボキ
シル基を示す場合には２を示す。Ｃで表わされる環は低
級アルキル基で置換されることのある窒素数４以下の５
員複素環基を示す。〕で表わされるセフェム化合物、そ
のセフェムカルボキシ保護エステル及びその非毒性塩。 - 【請求項２】 ＱがＣＨである請求項１記載の化合物。
- 【請求項３】 Ｒが 【化３】 （Ｒ3 は基−（ＣＨ2 ）ｍ−Ｙを示す。ｎ、Ｂ- 、ｆ、
ｍ及びＹは前記に同じ）である請求項２記載の化合物。 - 【請求項４】 Ｒ2 が水素原子又は低級シクロアルキル
基である請求項２記載の化合物。 - 【請求項５】 Ｒが 【化４】 （Ｂ- 、ｆ、ｍ及びＹは前記に同じ）である請求項４記
載の化合物。 - 【請求項６】 ７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２
−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−
〔２−（１−（３−（４−メチルモルホリニオ）プロピ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボキシレート塩化物又はその塩、７−〔２−ヒ
ドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール−４−イ
ル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチ
ルアンモニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕
−３−セフェム−４−カルボキシレート塩化物又はその
塩、７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチ
アゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１
−（２−カルバモイルメチル−ジメチルアンモニオエチ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボキシレート塩化物又はその塩、７−〔２−ヒ
ドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール−４−イ
ル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−（４−メ
チルモルホリニオ）エチル）−４−ピリジニオ）チオビ
ニル〕−３−セフェム−４−カルボキシレート塩化物又
はその塩、７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−ア
ミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２
−（１−（２−アセトニル−ジメチルアンモニオエチ
ル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−
４−カルボキシレート塩化物又はその塩、７−〔２−ヒ
ドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール−４−イ
ル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−（１−メ
チルピペリジニオ）エチル）−４−ピリジニオ）チオビ
ニル〕−３−セフェム−４−カルボキシレート塩化物又
はその塩、７−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−ア
ミノチアゾール−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２
−（１−（２−カルボキシレートメチル−ジメチルアン
モニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−
セフェム−４−カルボキシレート又はその塩、７−〔２
−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾール−４
−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（２−ヒド
ロキシエチル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリ
ジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシ
レート塩化物又はその塩、７−〔２−ヒドロキシイミノ
−２−（２−アミノチアゾール−４−イル）アセトアミ
ド〕−３−〔２−（１−（２−エチルオキシカルボニル
メチル−ジメチルアンモニオエチル）−４−ピリジニ
オ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボキシレー
ト塩化物又はその塩、７−〔２−シクロペンチルオキシ
イミノ−２−（２−アミノチアゾール−４−イル）アセ
トアミド〕−３−〔２−（１−（２−トリメチルアンモ
ニオエチル）−４−ピリジニオ）チオビニル〕−３−セ
フェム−４−カルボキシレート塩化物又はその塩及び７
−〔２−ヒドロキシイミノ−２−（２−アミノチアゾー
ル−４−イル）アセトアミド〕−３−〔２−（１−（ス
ルホネートエチル−ジメチルアンモニオエチル）−４−
ピリジニオ）チオビニル〕−３−セフェム−４−カルボ
キシレート又はその塩から選ばれる少なくとも１種のセ
フェム化合物。 - 【請求項７】 一般式 【化５】 〔式中Ｒ4 はセフェムカルボキシル保護基を示す。Ｒ′
は 【化６】 を示す。ここでＲ3 、ｎ、Ｂ- 及びＣは前記に同じ。〕
で表わされる化合物に、一般式 【化７】 〔式中Ｒ5 はアミノ基又は保護されたアミノ基を示す。
Ｒ6 はオキシム保護基又はＲ2'基（Ｒ2'基は水素原子以
外のＲ2 基）を示す。Ｑは前記に同じ。〕で表わされる
化合物又はその反応性誘導体を反応させ、更に必要に応
じて保護基を除去することを特徴とする一般式 【化８】 〔式中Ｑ、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲは前記に同じ。〕で表わさ
れるセフェム化合物、そのセフェムカルボキシ保護エス
テル及びその非毒性塩の製造方法。 - 【請求項８】 一般式 【化９】 〔式中Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は前記に同じ。Ｒ7 はハロゲ
ン原子、低級アシルオキシ基又はスルホニルオキシ基を
示す。〕で表わされる化合物に、一般式 【化１０】 〔式中Ｒ3 、ｎ及びＢは前記に同じ。〕で表わされる化
合物を反応させ、更に必要に応じて保護基を除去するこ
とを特徴とする一般式 【化１１】 〔式中Ｑ、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲは前記に同じ。〕で表わさ
れるセフェム化合物、そのセフェムカルボキシ保護エス
テル及びその非毒性塩の製造方法。 - 【請求項９】 一般式 【化１２】 〔式中Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 及びＲ7 は前記に同じ。〕で表
わされる化合物に、一般式 Ｒ8 −ＳＭ 〔式中Ｒ8 は 【化１３】 を示す。ここでｎ及びＣは前記に同じ。Ｍは水素原子又
は金属原子を示す。〕で表わされる化合物を反応させ、
次いで一般式 Ｒ3 −Ｘ 〔式中Ｘはハロゲン原子を示す。Ｒ3 は前記に同じ。〕
で表わされる化合物を反応させ、更に必要に応じて保護
基を除去することを特徴とする一般式 【化１４】 〔式中Ｑ、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲは前記に同じ。〕で表わさ
れるセフェム化合物、そのセフェムカルボキシ保護エス
テル及びその非毒性塩の製造方法。 - 【請求項１０】 一般式 【化１５】 〔式中Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 及びＲ7 は前記に同じ。〕で表
わされる化合物に、一般式 【化１６】 〔式中Ｒ10は基−（ＣＨ2 ）ｍ−Ｚ又は基−（ＣＨ2 ）
ｍ−ＣＯ−Ｚ（基中、ｍは１〜５の整数、Ｚは第３級ア
ミノ基を示す。）を示す。ｎは０又は１〜４の整数を示
す。〕で表わされる化合物を反応させ、次いで一般式 Ｒ11−Ｘ 〔式中Ｒ11は低級アルキル基、低級アルケニル基、ヒド
ロキシ低級アルキル基、カルボキシ低級アルキル基、カ
ルバモイル低級アルキル基、低級アルカノイル低級アル
キル基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキ
シカルボニル低級アルキル基、アミノ低級アルキル基、
低級アルキルアミノ低級アルキル基、ジ低級アルキルア
ミノ低級アルキル基又はスルホ低級アルキル基を示す。
Ｘはハロゲン原子を示す。〕で表わされる化合物を反応
させ、更に必要に応じて保護基を除去することを特徴と
する一般式 【化１７】 〔式中Ｑ、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲは前記に同じ。〕で表わさ
れるセフェム化合物、そのセフェムカルボキシ保護エス
テル及びその非毒性塩の製造方法。 - 【請求項１１】 一般式 【化１８】 〔式中Ｑ、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲは前記に同じ。〕で表わさ
れるセフェム化合物、そのセフェムカルボキシ保護エス
テル及びその非毒性塩と薬学的に許容される担体とから
なる抗菌剤。 - 【請求項１２】 メチシリン耐性黄色ブドウ球菌に対し
て強い抗菌活性を有する請求項１１記載の抗菌剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05930895A JP3218363B2 (ja) | 1994-03-17 | 1995-03-17 | セフェム化合物、その製造方法及び該化合物を含む抗菌剤 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4673794 | 1994-03-17 | ||
| JP6-46737 | 1994-03-17 | ||
| JP05930895A JP3218363B2 (ja) | 1994-03-17 | 1995-03-17 | セフェム化合物、その製造方法及び該化合物を含む抗菌剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07304779A true JPH07304779A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3218363B2 JP3218363B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=26386853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05930895A Expired - Fee Related JP3218363B2 (ja) | 1994-03-17 | 1995-03-17 | セフェム化合物、その製造方法及び該化合物を含む抗菌剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3218363B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980024903A (ko) * | 1996-09-25 | 1998-07-06 | 고니시 마사유끼 | 세펨 화합물의 제조 방법 |
| EP0949262A4 (en) * | 1996-12-25 | 2000-04-26 | Zenyaku Kogyo Kk | CEPHEM DERIVATIVES |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP05930895A patent/JP3218363B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980024903A (ko) * | 1996-09-25 | 1998-07-06 | 고니시 마사유끼 | 세펨 화합물의 제조 방법 |
| EP0949262A4 (en) * | 1996-12-25 | 2000-04-26 | Zenyaku Kogyo Kk | CEPHEM DERIVATIVES |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3218363B2 (ja) | 2001-10-15 |
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