JPH0730088A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH0730088A JPH0730088A JP5173164A JP17316493A JPH0730088A JP H0730088 A JPH0730088 A JP H0730088A JP 5173164 A JP5173164 A JP 5173164A JP 17316493 A JP17316493 A JP 17316493A JP H0730088 A JPH0730088 A JP H0730088A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＣＤ固体撮像装置の製造工程の短縮を図
る。 【構成】 撮像素子部２１と周辺回路部２２を有し、撮
像素子部２１の遮光膜１７下に反射防止膜１９が設けら
れ、周辺回路部２２の接続部にバリアメタル層２８が設
けられる固体撮像装置の製造方法において、撮像素子部
２１及び周辺回路部２２の絶縁膜１６，２５上に反射防
止兼バリアメタル層３５を成膜する工程と、反射防止兼
バリアメタル層例えばＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５上に純
チタン膜３６を成膜する工程と、ＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜
３５中に純チタン層３５を拡散させて接続部にチタンシ
リサイド層３８を形成する熱処理工程とを有する。
る。 【構成】 撮像素子部２１と周辺回路部２２を有し、撮
像素子部２１の遮光膜１７下に反射防止膜１９が設けら
れ、周辺回路部２２の接続部にバリアメタル層２８が設
けられる固体撮像装置の製造方法において、撮像素子部
２１及び周辺回路部２２の絶縁膜１６，２５上に反射防
止兼バリアメタル層３５を成膜する工程と、反射防止兼
バリアメタル層例えばＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５上に純
チタン膜３６を成膜する工程と、ＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜
３５中に純チタン層３５を拡散させて接続部にチタンシ
リサイド層３８を形成する熱処理工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置の製造方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のＣＣＤ固体撮像装置１の撮
像素子部の一例を示す。このＣＣＤ固体撮像装置１は、
第１導電形例えばＮ形のシリコン基板２上の第１の第２
導電形即ちＰ形のウェル領域３内に受光部１０を構成す
るＮ形の不純物拡散領域４と垂直転送レジスタ１２を構
成するＮ形転送チャネル領域５並びにＰ形のチャネルス
トップ領域６が形成され、上記Ｎ形の不純物拡散領域４
上にＰ形の正電荷蓄積領域７が、Ｎ形の転送チャネル領
域５の直下に第２のＰ形ウェル領域８が夫々形成されて
いる。
像素子部の一例を示す。このＣＣＤ固体撮像装置１は、
第１導電形例えばＮ形のシリコン基板２上の第１の第２
導電形即ちＰ形のウェル領域３内に受光部１０を構成す
るＮ形の不純物拡散領域４と垂直転送レジスタ１２を構
成するＮ形転送チャネル領域５並びにＰ形のチャネルス
トップ領域６が形成され、上記Ｎ形の不純物拡散領域４
上にＰ形の正電荷蓄積領域７が、Ｎ形の転送チャネル領
域５の直下に第２のＰ形ウェル領域８が夫々形成されて
いる。
【０００３】ここで、Ｎ形の不純物拡散領域４とＰ形ウ
ェル領域３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素に対応して設けられる。
ェル領域３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素に対応して設けられる。
【０００４】そして、垂直転送レジスタ１２を構成する
転送チャネル領域５、チャネルストップ領域６及び読み
出しゲート部１１上にＳｉＯ2 膜等によるゲート絶縁膜
１４を介して多結晶シリコンからなる転送電極１５が形
成され、転送チャネル領域５、ゲート絶縁膜１４及び転
送電極１５により垂直転送レジスタ１２が構成される。
転送チャネル領域５、チャネルストップ領域６及び読み
出しゲート部１１上にＳｉＯ2 膜等によるゲート絶縁膜
１４を介して多結晶シリコンからなる転送電極１５が形
成され、転送チャネル領域５、ゲート絶縁膜１４及び転
送電極１５により垂直転送レジスタ１２が構成される。
【０００５】転送電極１５及び正電荷蓄積領域７上を含
む全面に、例えばＰＳＧ（リン・シリケートガラス）か
らなる層間絶縁膜１６が積層され、更に受光部１０を除
いて転送電極１５を含む領域上に層間絶縁膜１６を介し
て遮光膜、例えばＡｌ遮光膜１７が選択的に形成され
る。
む全面に、例えばＰＳＧ（リン・シリケートガラス）か
らなる層間絶縁膜１６が積層され、更に受光部１０を除
いて転送電極１５を含む領域上に層間絶縁膜１６を介し
て遮光膜、例えばＡｌ遮光膜１７が選択的に形成され
る。
【０００６】Ａｌ遮光膜１７には受光部１０から直接、
垂直転送レジスタ１２に入射される光（斜めに入射され
る光）を阻止するために、受光部１０側に一部延長する
はり出し部１７ａが一体に設けられる。そして、このＡ
ｌ遮光膜１７を含む全面上に例えばプラズマＳｉＮ膜に
よる表面保護層１８が形成される。
垂直転送レジスタ１２に入射される光（斜めに入射され
る光）を阻止するために、受光部１０側に一部延長する
はり出し部１７ａが一体に設けられる。そして、このＡ
ｌ遮光膜１７を含む全面上に例えばプラズマＳｉＮ膜に
よる表面保護層１８が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＣＣ
Ｄ固体撮像装置１においては、図７に示すように、受光
部１０に光Ｌ0 が入射された場合、その入射光Ｌ0 の一
部Ｌ1 がＡｌ遮光膜１７のはり出し部１７ａとシリコン
領域間の絶縁膜（ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１
６）中を多重反射して垂直転送レジスタ１２中に洩れ込
み、光電変換によって電荷が発生する。この電荷がＣＣ
Ｄ固体撮像装置におけるスミアの発生要因となる。
Ｄ固体撮像装置１においては、図７に示すように、受光
部１０に光Ｌ0 が入射された場合、その入射光Ｌ0 の一
部Ｌ1 がＡｌ遮光膜１７のはり出し部１７ａとシリコン
領域間の絶縁膜（ゲート絶縁膜１４及び層間絶縁膜１
６）中を多重反射して垂直転送レジスタ１２中に洩れ込
み、光電変換によって電荷が発生する。この電荷がＣＣ
Ｄ固体撮像装置におけるスミアの発生要因となる。
【０００８】この多重反射によるスミアを低減するため
に、例えば図４に示すように、Ａｌ遮光膜１７の下側に
例えばＴｉＯＮ膜、ＴｉＮ膜等の低い反射率の特性を有
した薄膜、いわゆる反射防止膜１９を形成する方法が考
えられている。この反射防止膜１９は、層間絶縁膜１６
界面における反射率が低いことが要求される。
に、例えば図４に示すように、Ａｌ遮光膜１７の下側に
例えばＴｉＯＮ膜、ＴｉＮ膜等の低い反射率の特性を有
した薄膜、いわゆる反射防止膜１９を形成する方法が考
えられている。この反射防止膜１９は、層間絶縁膜１６
界面における反射率が低いことが要求される。
【０００９】一方、ＣＣＤ固体撮像装置１の上記撮像素
子部２１の周辺に設けられる周辺回路部２２では、Ｐ形
ウェル領域３に形成された例えばＮ形の拡散領域２４に
対してＳｉＯ2 等の絶縁膜２５のコンタクトホール２６
を通じてＡｌ配線２７がオーミックコンタクトされる。
子部２１の周辺に設けられる周辺回路部２２では、Ｐ形
ウェル領域３に形成された例えばＮ形の拡散領域２４に
対してＳｉＯ2 等の絶縁膜２５のコンタクトホール２６
を通じてＡｌ配線２７がオーミックコンタクトされる。
【００１０】この拡散領域（シリコン領域）２４とＡｌ
配線２７との接続において、アロイスパイクによるリー
ク電流や、シリコン析出によるコンタクト抵抗の上昇を
防止し、良好なオーミックコンタクトを実現するため
に、バリアメタル層２８が形成される。バリアメタル層
２８には、例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）／純チ
タン（Ｔｉ）積層構造の薄膜が用いられている。即ち、
拡散領域２４と良好なオーミックコンタクトを得るチタ
ンシリサイド層２９を形成するための純チタン層と、純
チタン層上に連続して成膜し、シリコン中にＡｌが入り
込むアロイスパイク、シリコン析出（Ａｌ配線に１％程
度含有されたシリコンがシリコン領域上にエピタキシャ
ル成長し、コンタクト抵抗を増大させる）に対してバリ
ア性を有するチタンナイトライド層の２層構造でバリア
メタル層２８が形成される。
配線２７との接続において、アロイスパイクによるリー
ク電流や、シリコン析出によるコンタクト抵抗の上昇を
防止し、良好なオーミックコンタクトを実現するため
に、バリアメタル層２８が形成される。バリアメタル層
２８には、例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）／純チ
タン（Ｔｉ）積層構造の薄膜が用いられている。即ち、
拡散領域２４と良好なオーミックコンタクトを得るチタ
ンシリサイド層２９を形成するための純チタン層と、純
チタン層上に連続して成膜し、シリコン中にＡｌが入り
込むアロイスパイク、シリコン析出（Ａｌ配線に１％程
度含有されたシリコンがシリコン領域上にエピタキシャ
ル成長し、コンタクト抵抗を増大させる）に対してバリ
ア性を有するチタンナイトライド層の２層構造でバリア
メタル層２８が形成される。
【００１１】これら、目的の異なった反射防止膜１９と
バリアメタル層２８を同一の固体撮像装置に形成するた
めには、通常、図５及び図６に示す製法がとられる。
バリアメタル層２８を同一の固体撮像装置に形成するた
めには、通常、図５及び図６に示す製法がとられる。
【００１２】先ず、図５Ａに示すように、前述の図４の
各領域を形成したシリコン基体３１上の撮像素子部２１
に対応する領域上にゲート絶縁膜１４、転送電極１５及
び層間絶縁膜１６を形成し、周辺回路部２２に対応する
領域にＳｉＯ2 等の絶縁膜２５を形成し、その拡散領域
に対応した位置にコンタクトホール２６を形成する。
各領域を形成したシリコン基体３１上の撮像素子部２１
に対応する領域上にゲート絶縁膜１４、転送電極１５及
び層間絶縁膜１６を形成し、周辺回路部２２に対応する
領域にＳｉＯ2 等の絶縁膜２５を形成し、その拡散領域
に対応した位置にコンタクトホール２６を形成する。
【００１３】次に、図５Ｂに示すように、周辺回路部２
２及び撮像素子部２１に対応する領域の全面に、純チタ
ン層３２及びチタンナイトラド層３３の２層構造のバリ
アメタル層２８を成膜する。
２及び撮像素子部２１に対応する領域の全面に、純チタ
ン層３２及びチタンナイトラド層３３の２層構造のバリ
アメタル層２８を成膜する。
【００１４】次に、図５Ｃに示すように、フォトエッチ
ング技術を用いて周辺回路部２２以外のバリアメタル
層、したがって撮像素子部２１側のバリアメタル層２８
を選択的にエッチング除去する。
ング技術を用いて周辺回路部２２以外のバリアメタル
層、したがって撮像素子部２１側のバリアメタル層２８
を選択的にエッチング除去する。
【００１５】次に、図６Ｄに示すように、全面に反射防
止膜１９、例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）薄膜を
成膜した後、図６Ｅに示すように撮像素子部２１以外の
反射防止膜１９を、同じくフォトエッチング技術により
選択的にエッチング除去する。
止膜１９、例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）薄膜を
成膜した後、図６Ｅに示すように撮像素子部２１以外の
反射防止膜１９を、同じくフォトエッチング技術により
選択的にエッチング除去する。
【００１６】しかる後、図６Ｆに示すように、Ａｌ蒸着
膜を形成しパターニングしてＡｌ遮光膜１７及びＡｌ配
線２７を形成する。
膜を形成しパターニングしてＡｌ遮光膜１７及びＡｌ配
線２７を形成する。
【００１７】コンタクトホール２６内の接続部では熱処
理によって純チタン層３２とシリコン基体３１との相互
拡散でチタンシリサイド層２９が形成される。
理によって純チタン層３２とシリコン基体３１との相互
拡散でチタンシリサイド層２９が形成される。
【００１８】このように、目的の異なる反射防止膜１７
とバリアメタル層２８の形成は、夫々個別に形成すると
いう２段階形成手法を用いる必要があり、製造工程が煩
雑となるは免れなかった。
とバリアメタル層２８の形成は、夫々個別に形成すると
いう２段階形成手法を用いる必要があり、製造工程が煩
雑となるは免れなかった。
【００１９】本発明は、上述の点に鑑み、工程の削減を
可能にし、コストの低減、製造歩留りの向上を図った固
体撮像装置の製造方法を提供するものである。
可能にし、コストの低減、製造歩留りの向上を図った固
体撮像装置の製造方法を提供するものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、撮像素子部２
１と周辺回路部２２を有し、撮像素子部２１の遮光膜１
７下に反射防止膜１９が設けられ、周辺回路部２２の接
続部にバリアメタル層２８が設けられる固体撮像装置の
製造方法において、撮像素子部２１及び周辺回路部２２
の絶縁膜１６，２５上に反射防止兼バリアメタル層３５
を成膜する工程と、反射防止兼バリアメタル層３５上に
接続部の半導体基体３１と合金層を形成すべき金属層３
６を成膜する工程と、反射防止兼バリアメタル層３５中
に上記金属３６を拡散させ、接続部に金属・半導体合金
層３８を形成するための熱処理工程とを有する。
１と周辺回路部２２を有し、撮像素子部２１の遮光膜１
７下に反射防止膜１９が設けられ、周辺回路部２２の接
続部にバリアメタル層２８が設けられる固体撮像装置の
製造方法において、撮像素子部２１及び周辺回路部２２
の絶縁膜１６，２５上に反射防止兼バリアメタル層３５
を成膜する工程と、反射防止兼バリアメタル層３５上に
接続部の半導体基体３１と合金層を形成すべき金属層３
６を成膜する工程と、反射防止兼バリアメタル層３５中
に上記金属３６を拡散させ、接続部に金属・半導体合金
層３８を形成するための熱処理工程とを有する。
【００２１】上記反射防止兼バリアメタル層３５として
はチタンナイトライト又はチタンオキシナイトライドで
形成し、上記金属層３６としてはチタンで形成するのが
好ましい。
はチタンナイトライト又はチタンオキシナイトライドで
形成し、上記金属層３６としてはチタンで形成するのが
好ましい。
【００２２】
【作用】本発明においては、撮像素子部２１及び周辺回
路部２２の絶縁膜１６，２５上に反射防止兼バリアメタ
ル層３５を成膜し、さらに、この反射防止兼バリアメタ
ル層３５上に金属層３６を成膜した後、熱処理すること
により、金属層３６が反射防止兼バリアメタル層３５中
を拡散し、周辺回路部２２の接続部において金属・半導
体合金層３８が形成される。従って、周辺回路部２２の
接続部では金属・半導体合金層３８とバリアメタル層２
８（３５）とにより良好なオーミックコンタクトが得ら
れ、同時に、撮像素子部２１では反射防止膜１９（３
５）が形成され、製造工程の削減が達成される。
路部２２の絶縁膜１６，２５上に反射防止兼バリアメタ
ル層３５を成膜し、さらに、この反射防止兼バリアメタ
ル層３５上に金属層３６を成膜した後、熱処理すること
により、金属層３６が反射防止兼バリアメタル層３５中
を拡散し、周辺回路部２２の接続部において金属・半導
体合金層３８が形成される。従って、周辺回路部２２の
接続部では金属・半導体合金層３８とバリアメタル層２
８（３５）とにより良好なオーミックコンタクトが得ら
れ、同時に、撮像素子部２１では反射防止膜１９（３
５）が形成され、製造工程の削減が達成される。
【００２３】反射防止兼バリアメタル層３５としてチタ
ンナイトライド又はチタンオキシナイトライドを用い、
金属層３６としてチタンを用いるときは、周辺回路部２
１の接続部において良好なバリアメタル層２８を形成
し、撮像素子部２１では良好な反射防止膜（いわゆる低
反射率の特性を有する膜）１９を形成することができ
る。
ンナイトライド又はチタンオキシナイトライドを用い、
金属層３６としてチタンを用いるときは、周辺回路部２
１の接続部において良好なバリアメタル層２８を形成
し、撮像素子部２１では良好な反射防止膜（いわゆる低
反射率の特性を有する膜）１９を形成することができ
る。
【００２４】
【実施例】以下、図１〜図３を参照して本発明による固
体撮像装置の製造方法の実施例を説明する。
体撮像装置の製造方法の実施例を説明する。
【００２５】図１及び図２において、前述の図４と対応
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２６】図３は、本実施例で用いるマルチチャンバ
ー方式のＤ．Ｃマグネトロンスパッタリング装置４１を
示す。このＤ．Ｃマグネトロンスパッタリング装置４１
は、中央の真空とされた分離チャンバー４２と、その周
囲に配された複数のスパッタリング処理室、即ち少なく
とも純Ｔｉターゲット４３が取り付けられた第１のスパ
ッタ処理室４４、ＴｉＮ又はＴｉＯＮターゲット４５が
取り付けられた第２のスパッタ処理室４６及びＡｌ−１
％Ｓｉターゲット４７が取付けられた第３のスパッタ処
理室４８と、さらに予備排気室４９とを有し、分離チャ
ンバー４２に設置された搬送ロボット５０によって、ス
パッタされるべき基板が大気に曝されることなく、各ス
パッタ処理室４６，４４，４７に搬送されるように構成
されている。
ー方式のＤ．Ｃマグネトロンスパッタリング装置４１を
示す。このＤ．Ｃマグネトロンスパッタリング装置４１
は、中央の真空とされた分離チャンバー４２と、その周
囲に配された複数のスパッタリング処理室、即ち少なく
とも純Ｔｉターゲット４３が取り付けられた第１のスパ
ッタ処理室４４、ＴｉＮ又はＴｉＯＮターゲット４５が
取り付けられた第２のスパッタ処理室４６及びＡｌ−１
％Ｓｉターゲット４７が取付けられた第３のスパッタ処
理室４８と、さらに予備排気室４９とを有し、分離チャ
ンバー４２に設置された搬送ロボット５０によって、ス
パッタされるべき基板が大気に曝されることなく、各ス
パッタ処理室４６，４４，４７に搬送されるように構成
されている。
【００２７】本実施例においては、先ず、図１Ａに示す
ように、内部構造は省略するも、前述の図４と同様の各
領域が形成されたシリコン基体３１上の撮像素子部２１
に対応する領域にＳｉＯ2 膜等からなるゲート絶縁膜１
４、多結晶シリコンからなる転送電極１５及びＰＳＧに
よる層間絶縁膜１６を形成し、周辺回路部２２に対応す
る領域にＳｉＯ2 等の絶縁膜（例えば上記層間絶縁膜１
６と同じ膜でも可）２５を形成し、そのシリコン基体３
１の拡散領域の接続部分に対応する位置にコンタクトホ
ール２６を形成する。
ように、内部構造は省略するも、前述の図４と同様の各
領域が形成されたシリコン基体３１上の撮像素子部２１
に対応する領域にＳｉＯ2 膜等からなるゲート絶縁膜１
４、多結晶シリコンからなる転送電極１５及びＰＳＧに
よる層間絶縁膜１６を形成し、周辺回路部２２に対応す
る領域にＳｉＯ2 等の絶縁膜（例えば上記層間絶縁膜１
６と同じ膜でも可）２５を形成し、そのシリコン基体３
１の拡散領域の接続部分に対応する位置にコンタクトホ
ール２６を形成する。
【００２８】シリコン基体３１内の各領域、ゲート絶縁
膜１４、転送電極１５、絶縁膜２５、コンタクトホール
２６までは、通常の方法で形成することができる。
膜１４、転送電極１５、絶縁膜２５、コンタクトホール
２６までは、通常の方法で形成することができる。
【００２９】次に、この基体３１をＤ．Ｃマグネトロン
スパッタリング装置４１の第２のスパッタ処理室４６に
搬送して、図１Ｂに示すように、層間絶縁膜１６及びコ
ンタクトホール２６を含む絶縁膜２５の全面上に例えば
厚さ７０ｎｍ程度のＴｉＮ膜又はＴｉＯＮ膜等、反射防
止兼バリアメタル層３５を成膜する。
スパッタリング装置４１の第２のスパッタ処理室４６に
搬送して、図１Ｂに示すように、層間絶縁膜１６及びコ
ンタクトホール２６を含む絶縁膜２５の全面上に例えば
厚さ７０ｎｍ程度のＴｉＮ膜又はＴｉＯＮ膜等、反射防
止兼バリアメタル層３５を成膜する。
【００３０】例えばＴｉＮ膜の成膜条件は、アルゴンと
窒素の混合ガス圧力を８ｍＴｏｒｒ、スパッタ電力を３
ＫＷ、スパッタ時間を７１ｓｅｃとする。
窒素の混合ガス圧力を８ｍＴｏｒｒ、スパッタ電力を３
ＫＷ、スパッタ時間を７１ｓｅｃとする。
【００３１】次に、上記基体３１を真空のまま第２のス
パッタ処理室４６から第１のスパッタ処理室４４に搬送
し、図２Ｃに示すように、反射防止兼バリアメタル層３
５上に厚さ３０ｎｍ程度の純Ｔｉ層３６を成膜する。こ
のときの条件は、アルゴンガス圧力を４ｍＴｏｒｒ、ス
パッタ電力を２ＫＷ、スパッタ時間を１５ｓｅｃとす
る。
パッタ処理室４６から第１のスパッタ処理室４４に搬送
し、図２Ｃに示すように、反射防止兼バリアメタル層３
５上に厚さ３０ｎｍ程度の純Ｔｉ層３６を成膜する。こ
のときの条件は、アルゴンガス圧力を４ｍＴｏｒｒ、ス
パッタ電力を２ＫＷ、スパッタ時間を１５ｓｅｃとす
る。
【００３２】この操作により、純チタン層３６とＴｉＮ
又はＴｉＯＮの反射防止兼バリアメタル層３５とによる
積層膜３７が形成される。
又はＴｉＯＮの反射防止兼バリアメタル層３５とによる
積層膜３７が形成される。
【００３３】次に、積層膜３７が形成された基体３１
を、窒素雰囲気中で４５０℃、３０分間の熱処理を施
す。この熱処理によって、図２Ｄに示すように、反射防
止兼バリアメタル層、即ちＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５上
の純Ｔｉ３６がＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５中を拡散し、
コンタクトホール２６内の接続部において基体３１のシ
リコンと反応し、チタンシリサイド層３８を形成する。
を、窒素雰囲気中で４５０℃、３０分間の熱処理を施
す。この熱処理によって、図２Ｄに示すように、反射防
止兼バリアメタル層、即ちＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５上
の純Ｔｉ３６がＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５中を拡散し、
コンタクトホール２６内の接続部において基体３１のシ
リコンと反応し、チタンシリサイド層３８を形成する。
【００３４】また、撮像素子部２１側でも同様に純Ｔｉ
３６がＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５中に拡散するが、層間
絶縁膜１６との界面にシリサイド層の形成がなく、Ｔｉ
Ｎ又はＴｉＯＮ膜３５の反射率に変化は生じない。
３６がＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５中に拡散するが、層間
絶縁膜１６との界面にシリサイド層の形成がなく、Ｔｉ
Ｎ又はＴｉＯＮ膜３５の反射率に変化は生じない。
【００３５】次に、上記基体３１を、Ｄ．Ｃマグネトロ
ンスパッタリング装置４１の第３のスパッタ処理室４８
に搬送し、ＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５上に遮光膜及び配
線となるアルミニウム薄膜を成膜し、その後、フォトエ
ッチング技術を用いて、アルミニウム薄膜及びＴｉＮ又
はＴｉＯＮ膜３５を所望パターンにパターニングする。
ンスパッタリング装置４１の第３のスパッタ処理室４８
に搬送し、ＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜３５上に遮光膜及び配
線となるアルミニウム薄膜を成膜し、その後、フォトエ
ッチング技術を用いて、アルミニウム薄膜及びＴｉＮ又
はＴｉＯＮ膜３５を所望パターンにパターニングする。
【００３６】これによって、図２Ｅに示すように、撮像
素子部２１ではＡｌ遮光膜１７が形成されると共に、こ
のＡｌ遮光膜１７下にＴｉＮ又はＴｉＯＮによる反射防
止膜１９が形成され、周辺回路部２２ではコンタクトホ
ール２６内の接続部において、チタンシリサイド層３８
を介してＴｉＮ又はＴｉＯＮによるバリアメタル層２８
が形成され、このバリアメタル層２８上にＡｌ配線２７
が形成される。
素子部２１ではＡｌ遮光膜１７が形成されると共に、こ
のＡｌ遮光膜１７下にＴｉＮ又はＴｉＯＮによる反射防
止膜１９が形成され、周辺回路部２２ではコンタクトホ
ール２６内の接続部において、チタンシリサイド層３８
を介してＴｉＮ又はＴｉＯＮによるバリアメタル層２８
が形成され、このバリアメタル層２８上にＡｌ配線２７
が形成される。
【００３７】斯くして得られた固体撮像装置３９は、周
辺回路部２２の接続部においてＴｉＮ又はＴｉＯＮによ
るバリアメタル層２８下のＳｉ界面でのみチタンシリサ
イド層３８が形成されることにより、シリコン基体３１
の拡散領域と良好なオーミックコンタクトが得られ、同
時に、撮像素子部２１の遮光膜１７の下側にＴｉＮ又は
ＴｉＯＮ膜による反射防止膜１９が形成され、洩れ光に
基因するスミアの低減が達成される。
辺回路部２２の接続部においてＴｉＮ又はＴｉＯＮによ
るバリアメタル層２８下のＳｉ界面でのみチタンシリサ
イド層３８が形成されることにより、シリコン基体３１
の拡散領域と良好なオーミックコンタクトが得られ、同
時に、撮像素子部２１の遮光膜１７の下側にＴｉＮ又は
ＴｉＯＮ膜による反射防止膜１９が形成され、洩れ光に
基因するスミアの低減が達成される。
【００３８】上述の実施例によれば、バリアメタル層２
８と反射防止膜１９を１つの薄膜３５で兼用させること
によって、固体撮像装置の製造工程を大幅に削減し、コ
ストの低減、歩留りの向上を図ることができる。
８と反射防止膜１９を１つの薄膜３５で兼用させること
によって、固体撮像装置の製造工程を大幅に削減し、コ
ストの低減、歩留りの向上を図ることができる。
【００３９】なお、ＴｉＮ又はＴｉＯＮ膜の反射防止兼
バリアメタル層３５と純チタン層３６との積層膜３７を
形成した後の熱処理は、Ｄ．Ｃマグネトロンスパッタリ
ング装置４１の別の処理室でランプ加熱することでも達
成できる。
バリアメタル層３５と純チタン層３６との積層膜３７を
形成した後の熱処理は、Ｄ．Ｃマグネトロンスパッタリ
ング装置４１の別の処理室でランプ加熱することでも達
成できる。
【００４０】また、上記の熱処理は、Ａｌのスパッタリ
ングを高温で行なうことでコンタクトホールのカバレッ
ジが改善されるが、このときの加熱を代用することも可
能である。
ングを高温で行なうことでコンタクトホールのカバレッ
ジが改善されるが、このときの加熱を代用することも可
能である。
【００４１】尚、反射防止兼バリアメタル層３５は、低
反射率で且つバリア性を有する膜であれば、ＴｉＮ、Ｔ
ｉＯＮ以外の材料でも適用できる。また、反射防止兼バ
リアメタル層３５上の金属層３６も、層３５の特性を損
なうことなく層３５中を拡散し、シリコンと合金を作っ
て良好なオーミックコンタクトが得られれば、純チタン
以外の金属でも適用できる。
反射率で且つバリア性を有する膜であれば、ＴｉＮ、Ｔ
ｉＯＮ以外の材料でも適用できる。また、反射防止兼バ
リアメタル層３５上の金属層３６も、層３５の特性を損
なうことなく層３５中を拡散し、シリコンと合金を作っ
て良好なオーミックコンタクトが得られれば、純チタン
以外の金属でも適用できる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、周辺回路部の接続部に
おけるバリアメタル層と、撮像素子部の遮光膜下の反射
防止膜とを１つの同じ膜で兼用させることにより、固体
撮像装置の製造工程を大幅に短縮することができ、コス
トの低減及び歩留りの向上を図ることができる。
おけるバリアメタル層と、撮像素子部の遮光膜下の反射
防止膜とを１つの同じ膜で兼用させることにより、固体
撮像装置の製造工程を大幅に短縮することができ、コス
トの低減及び歩留りの向上を図ることができる。
【図１】Ａ 本発明に係る実施例の製造工程図である。 Ｂ 本発明に係る実施例の製造工程図である。
【図２】Ｃ 本発明に係る実施例の製造工程図である。 Ｄ 本発明に係る実施例の製造工程図である。 Ｅ 本発明に係る実施例の製造工程図である。
【図３】マルチチャンバー方式のＤ．Ｃマグネトロンス
パッタ装置の構成図である。
パッタ装置の構成図である。
【図４】本発明に適用されるＣＣＤ固体撮像装置の断面
図である。
図である。
【図５】Ａ 参考例の製造工程図である。 Ｂ 参考例の製造工程図である。 Ｃ 参考例の製造工程図である。
【図６】Ｄ 参考例の製造工程図である。 Ｅ 参考例の製造工程図である。 Ｆ 参考例の製造工程図である。
【図７】従来例に係るＣＣＤ固体撮像装置の撮像素子部
の断面図である。
の断面図である。
１，３９ 固体撮像装置 ２ シリコン基板 ３ 第１のウェル領域 ４ 不純物拡散領域 ５ 転送チャネル領域 ６ チャネルストップ領域 ７ 正電荷蓄積領域 ８ 第２のウェル領域 １０ 受光部 １１ 読み出しゲート部 １２ 垂直転送レジスタ １４ ゲート絶縁膜 １５ 転送電極 １６ 層間絶縁膜 １７ 遮光膜 １７ａ はり出し部 １８ 表面保護膜 １９ 反射防止膜 ２１ 撮像素子部 ２２ 周辺回路部 ２４ 拡散領域 ２５ 絶縁膜 ２６ コンタクトホール ２７ 配線 ２８ バリアメタル層 ２９ チタンシリサイド層 ３１ シリコン基体 ３２ 純チタン膜 ３３ ＴｉＮ膜 ３５ 反射防止兼バリアメタル層（ＴｉＮ又はＴｉＯ
Ｎ） ３６ 純チタン層 ３７ 積層膜 ４１ マルチチャンバー方式のＤ．Ｃマグネトロンスパ
ッタリング装置
Ｎ） ３６ 純チタン層 ３７ 積層膜 ４１ マルチチャンバー方式のＤ．Ｃマグネトロンスパ
ッタリング装置
Claims (2)
- 【請求項１】 撮像素子部と周辺回路部を有し、前記撮
像素子部の遮光膜下に反射防止膜が設けられ、前記周辺
回路部の接続部にバリアメタル層が設けられる固体撮像
装置の製造方法において、 前記撮像素子部及び前記周辺回路部の絶縁膜上に反射防
止兼バリアメタル層を成膜する工程と、 前記反射防止兼バリアメタル層上に、前記接続部の半導
体基体と合金層を形成すべき金属層を成膜する工程と、 前記反射防止兼バリアメタル層中に前記金属を拡散させ
て前記接続部に金属・半導体合金層を形成するための熱
処理工程を有することを特徴とする固体撮像装置の製造
方法。 - 【請求項２】 前記反射防止兼バリアメタル層がチタン
ナイトライド又はチタンオキシナイトライドで形成さ
れ、前記金属層がチタンで形成されることを特徴とする
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173164A JPH0730088A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173164A JPH0730088A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730088A true JPH0730088A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15955290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5173164A Pending JPH0730088A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730088A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11233749A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-08-27 | Motorola Inc | 半導体イメージ・センサおよびその方法 |
| US6344668B1 (en) | 1998-05-11 | 2002-02-05 | Nec Corporation | Solid-state image pickup device and method of manufacturing the same |
| US6399485B1 (en) | 1999-07-28 | 2002-06-04 | Nec Corporation | Semiconductor device with silicide layers and method of forming the same |
| JP2009147203A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー、及びフォトセンサーの製造方法 |
| JP2017092499A (ja) * | 2017-02-10 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び撮像システム |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP5173164A patent/JPH0730088A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11233749A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-08-27 | Motorola Inc | 半導体イメージ・センサおよびその方法 |
| JP2014060450A (ja) * | 1997-11-14 | 2014-04-03 | Intellectual Ventures Second Llc | 半導体イメージ・センサ |
| US6344668B1 (en) | 1998-05-11 | 2002-02-05 | Nec Corporation | Solid-state image pickup device and method of manufacturing the same |
| US6399485B1 (en) | 1999-07-28 | 2002-06-04 | Nec Corporation | Semiconductor device with silicide layers and method of forming the same |
| JP2009147203A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー、及びフォトセンサーの製造方法 |
| JP2017092499A (ja) * | 2017-02-10 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び撮像システム |
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