JPH07297191A - 半導体装置製造における平坦化方法 - Google Patents
半導体装置製造における平坦化方法Info
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- JPH07297191A JPH07297191A JP8946594A JP8946594A JPH07297191A JP H07297191 A JPH07297191 A JP H07297191A JP 8946594 A JP8946594 A JP 8946594A JP 8946594 A JP8946594 A JP 8946594A JP H07297191 A JPH07297191 A JP H07297191A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶融性材料により下地段差を平坦化する場合
も、溶融性材料の膜厚を均一化して、良好な平坦化を達
成する。 【構成】 下地１上に幅狭の凸部をなす配線領域２ａ〜
２ｃと、幅広の凸部をなす配線領域３（パッドＡｌ等）
を有することにより形成されている段差を、ＳＯＧ等の
溶融性材料４を用いて平坦化する半導体装置製造におけ
る平坦化方法において、幅広の凸部にはスリット等の開
口５ａ，５ｂを設け、この開口はその上層に形成する溶
融性材料が均一に形成される構成で形成したもので、該
開口の形成後に前記溶融瀬材料の形成及び溶融を行う。
も、溶融性材料の膜厚を均一化して、良好な平坦化を達
成する。 【構成】 下地１上に幅狭の凸部をなす配線領域２ａ〜
２ｃと、幅広の凸部をなす配線領域３（パッドＡｌ等）
を有することにより形成されている段差を、ＳＯＧ等の
溶融性材料４を用いて平坦化する半導体装置製造におけ
る平坦化方法において、幅広の凸部にはスリット等の開
口５ａ，５ｂを設け、この開口はその上層に形成する溶
融性材料が均一に形成される構成で形成したもので、該
開口の形成後に前記溶融瀬材料の形成及び溶融を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造におけ
る平坦化方法に関する。特に、下地上に幅狭の凸部をな
す配線領域と、幅広の凸部をなす配線領域を有すること
により形成されている段差を溶融性材料を用いて平坦化
する半導体装置製造における平坦化方法に関するもので
ある。
る平坦化方法に関する。特に、下地上に幅狭の凸部をな
す配線領域と、幅広の凸部をなす配線領域を有すること
により形成されている段差を溶融性材料を用いて平坦化
する半導体装置製造における平坦化方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】半導体装置の製造工程にお
いて、例えば半導体集積回路の配線形成における配線間
の平坦化プロセス、例えばＡｌ−Ａｌ層間の平坦化プロ
セスでは、従来、平坦化膜であるＳＯＧを用いてこれを
塗布して、このＳＯＧのエッチバックを行うといった手
法が採用されている。しかしこのような手法では、パッ
ド（ＰＡＤ）と称される接続用の広いＡｌ配線上に塗布
されたＳＯＧについては、その膜厚が、Ａｌ端部に比べ
て中央部が厚くなってしまい、平坦化がうまくできなく
なる。このように平坦化膜が十分には平坦化されない状
態では、絶対段差が生じ、上層の第２層Ａｌ配線のコン
タクト形成以降のフォトリソグラフィ時に広いＤＯＦ
（デフォーカス）マージンが必要となり、解像できなく
なることもあるという問題がある。
いて、例えば半導体集積回路の配線形成における配線間
の平坦化プロセス、例えばＡｌ−Ａｌ層間の平坦化プロ
セスでは、従来、平坦化膜であるＳＯＧを用いてこれを
塗布して、このＳＯＧのエッチバックを行うといった手
法が採用されている。しかしこのような手法では、パッ
ド（ＰＡＤ）と称される接続用の広いＡｌ配線上に塗布
されたＳＯＧについては、その膜厚が、Ａｌ端部に比べ
て中央部が厚くなってしまい、平坦化がうまくできなく
なる。このように平坦化膜が十分には平坦化されない状
態では、絶対段差が生じ、上層の第２層Ａｌ配線のコン
タクト形成以降のフォトリソグラフィ時に広いＤＯＦ
（デフォーカス）マージンが必要となり、解像できなく
なることもあるという問題がある。
【０００３】またＡｌ上のＳＯＧが厚いままでエッチン
グを行うと、Ａｌ上にＳＯＧが残ってしまい、コンタク
トホール開口時にコンタクト側壁にＳＯＧが露出するお
それがある。このため、Ｏ2 プラズマ処理等の特別の処
理を行わない限り、ガス発生（アウトガス）によるＡｌ
のＰｏｉｓｏｎｅｄ Ｖｉａが生じてしまうおそれがあ
る。
グを行うと、Ａｌ上にＳＯＧが残ってしまい、コンタク
トホール開口時にコンタクト側壁にＳＯＧが露出するお
それがある。このため、Ｏ2 プラズマ処理等の特別の処
理を行わない限り、ガス発生（アウトガス）によるＡｌ
のＰｏｉｓｏｎｅｄ Ｖｉａが生じてしまうおそれがあ
る。
【０００４】以下上記のような従来技術の問題点につい
て、図３を参照して更に詳述すると、次のとおりであ
る。
て、図３を参照して更に詳述すると、次のとおりであ
る。
【０００５】図３は、従来からのＳＯＧエッチングプロ
セスを模式的に示した図であって、図３（ａ）は溶融性
材料４であるＳＯＧのコート後、図３（ｂ）は更に第２
層配線層と接続をとるコンタクトホールをＲＩＥにより
形成した後の断面形状を示している。
セスを模式的に示した図であって、図３（ａ）は溶融性
材料４であるＳＯＧのコート後、図３（ｂ）は更に第２
層配線層と接続をとるコンタクトホールをＲＩＥにより
形成した後の断面形状を示している。
【０００６】この従来技術は、平坦化されるべき基板
は、下地１上に幅狭の凸部をなす配線領域２ａ〜２ｃ
と、ＰＡＤ−Ａｌである幅広の凸部をなす配線領域３を
有することにより段差が形成されているものである。こ
れを溶融性材料４であるＳＯＧを用いて平坦化するが、
従来技術にあっては、図３（ａ）に示すように、幅広の
凸部の配線領域３である例えばＰＡＤ−Ａｌ上の部分で
は、溶融性材料４が厚くなって、均一な膜厚で形成する
ことができなくなる。よって、平坦化が良好にはなされ
ない。
は、下地１上に幅狭の凸部をなす配線領域２ａ〜２ｃ
と、ＰＡＤ−Ａｌである幅広の凸部をなす配線領域３を
有することにより段差が形成されているものである。こ
れを溶融性材料４であるＳＯＧを用いて平坦化するが、
従来技術にあっては、図３（ａ）に示すように、幅広の
凸部の配線領域３である例えばＰＡＤ−Ａｌ上の部分で
は、溶融性材料４が厚くなって、均一な膜厚で形成する
ことができなくなる。よって、平坦化が良好にはなされ
ない。
【０００７】このように配線領域３（Ａ１）上の溶融性
材料４（ＳＯＧ）が厚いままでエッチングを行うと、図
３（ｂ）に示すようにＡ１上に溶融性材料４（ＳＯＧ）
が残って、コンタクトホール９′に、溶融性材料４（Ｓ
ＯＧ）が露出することがある。露出部を符号４１で示
す。
材料４（ＳＯＧ）が厚いままでエッチングを行うと、図
３（ｂ）に示すようにＡ１上に溶融性材料４（ＳＯＧ）
が残って、コンタクトホール９′に、溶融性材料４（Ｓ
ＯＧ）が露出することがある。露出部を符号４１で示
す。
【０００８】なお図中６はＰ−ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 、７
はＮＳＧ、８はＰ−ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 で、順次成膜
し、その上を溶融性材料４によって平坦化するものであ
る。
はＮＳＧ、８はＰ−ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 で、順次成膜
し、その上を溶融性材料４によって平坦化するものであ
る。
【０００９】
【発明の目的】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みて
なされたもので、下地段差を平坦化する場合も、溶融性
材料の膜厚を均一化して、良好な平坦化を達成する技術
を提供することを目的としている。
なされたもので、下地段差を平坦化する場合も、溶融性
材料の膜厚を均一化して、良好な平坦化を達成する技術
を提供することを目的としている。
【００１０】
【目的を達成するための手段】本出願の請求項１の発明
は、下地上に幅狭の凸部をなす配線領域と、幅広の凸部
をなす配線領域を有することにより形成されている段差
を、溶融性材料を用いて平坦化する半導体装置製造にお
ける平坦化方法において、前記幅広の凸部には開口を設
け、該開口は、その上層に形成する溶融性材料が均一に
形成される構成で形成したものであり、該開口の形成後
に前記溶融性材料の形成及び溶融を行うことを特徴とす
る半導体装置製造における平坦化方法であって、これに
より上記目的を達成するものである。
は、下地上に幅狭の凸部をなす配線領域と、幅広の凸部
をなす配線領域を有することにより形成されている段差
を、溶融性材料を用いて平坦化する半導体装置製造にお
ける平坦化方法において、前記幅広の凸部には開口を設
け、該開口は、その上層に形成する溶融性材料が均一に
形成される構成で形成したものであり、該開口の形成後
に前記溶融性材料の形成及び溶融を行うことを特徴とす
る半導体装置製造における平坦化方法であって、これに
より上記目的を達成するものである。
【００１１】本出願の請求項２の発明は、配線領域が、
Ａｌ系材料により形成された配線領域であることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置製造における平坦化
方法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
Ａｌ系材料により形成された配線領域であることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置製造における平坦化
方法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
【００１２】本出願の請求項３の発明は、溶融性材料が
ＳＯＧであることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体装置製造における平坦化方法であって、これに
より上記目的を達成するものである。
ＳＯＧであることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体装置製造における平坦化方法であって、これに
より上記目的を達成するものである。
【００１３】本発明において、配線材料として任意のも
のを用いることができ、例えば代表的にはＡｌ系材料か
ら形成されるＡｌ配線（例えば純Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ合
金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金その他）について適用するこ
とができる。
のを用いることができ、例えば代表的にはＡｌ系材料か
ら形成されるＡｌ配線（例えば純Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ合
金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金その他）について適用するこ
とができる。
【００１４】本発明において、溶融性材料としては、溶
融することにより平坦化を行いうる材料であれば各種の
ものを用いることができる。例えば代表的にはシリカ化
合物等の無機系のものや、ポリイミド系樹脂等の有機系
のものがあり、いずれも用いることができるが、シリカ
系のＳＯＧを好ましく用いることができる。
融することにより平坦化を行いうる材料であれば各種の
ものを用いることができる。例えば代表的にはシリカ化
合物等の無機系のものや、ポリイミド系樹脂等の有機系
のものがあり、いずれも用いることができるが、シリカ
系のＳＯＧを好ましく用いることができる。
【００１５】ここでＳＯＧとは、塗布可能であり、一般
に塗布後焼成することでＳｉＯ2 を得ることのできるも
のを言う。通常、溶剤に溶かすことによって、塗布可能
にし、例えば回転塗布して用いる。一般に、シリコンを
含み（例えばシラノール基の形で含む）、有機溶剤等の
溶剤に溶かして塗布できるものが好ましく用いられる。
例えば、シラノールＳｉ（ＯＨ）4 をエチルアルコール
Ｃ2 Ｈ5 ＯＨに溶解して成るもの、オルガノシラノール
Ｒn Ｓｉ（ＯＨ）4-n （ｎは１〜３）をブチルセルソル
ブＨＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＣ4 Ｈ9 に溶解して成るもの等を
挙げることができる。
に塗布後焼成することでＳｉＯ2 を得ることのできるも
のを言う。通常、溶剤に溶かすことによって、塗布可能
にし、例えば回転塗布して用いる。一般に、シリコンを
含み（例えばシラノール基の形で含む）、有機溶剤等の
溶剤に溶かして塗布できるものが好ましく用いられる。
例えば、シラノールＳｉ（ＯＨ）4 をエチルアルコール
Ｃ2 Ｈ5 ＯＨに溶解して成るもの、オルガノシラノール
Ｒn Ｓｉ（ＯＨ）4-n （ｎは１〜３）をブチルセルソル
ブＨＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＣ4 Ｈ9 に溶解して成るもの等を
挙げることができる。
【００１６】
【作用】本発明によれば、ＰＡＤ−Ａｌ等の幅広の凸部
には、その上層に形成する溶融性材料が均一に形成され
るように開口（例えばスリット状の開口）を設けたの
で、ＰＡＤ−Ａｌ上等でもＳＯＧ等の溶融性材料は厚膜
化せず、均一な膜厚で、良好な平坦化を達成できる。
には、その上層に形成する溶融性材料が均一に形成され
るように開口（例えばスリット状の開口）を設けたの
で、ＰＡＤ−Ａｌ上等でもＳＯＧ等の溶融性材料は厚膜
化せず、均一な膜厚で、良好な平坦化を達成できる。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
に述べる実施例により限定されるものではない。
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
に述べる実施例により限定されるものではない。
【００１８】実施例 この実施例は、本発明を、Ａｌ配線構造をもつ半導体装
置の製造プロセスについて適用したものである。特に、
幅広の凸部をなす配線領域が上層配線との接続用のＰＡ
Ｄ−Ａｌである場合について、具体化したものである。
図１（ａ）（ｂ）を参照する。
置の製造プロセスについて適用したものである。特に、
幅広の凸部をなす配線領域が上層配線との接続用のＰＡ
Ｄ−Ａｌである場合について、具体化したものである。
図１（ａ）（ｂ）を参照する。
【００１９】本実施例は、下地１上に幅狭の凸部をなす
配線領域２ａ〜２ｃと、幅広の凸部をなす配線領域３を
有することにより形成されている段差を、溶融性材料４
を用いて平坦化する半導体装置製造における平坦化方法
であって、幅広の凸部３にはスリット状の開口５ａ，５
ｂを設け、該スリット状の開口５ａ，５ｂは、その上層
に形成する溶融性材料４が均一に形成される構成で形成
したものであり、該スリット状の開口５ａ，５ｂの形成
後に溶融性材料４の形成及び溶融を行うようにしたもの
である。
配線領域２ａ〜２ｃと、幅広の凸部をなす配線領域３を
有することにより形成されている段差を、溶融性材料４
を用いて平坦化する半導体装置製造における平坦化方法
であって、幅広の凸部３にはスリット状の開口５ａ，５
ｂを設け、該スリット状の開口５ａ，５ｂは、その上層
に形成する溶融性材料４が均一に形成される構成で形成
したものであり、該スリット状の開口５ａ，５ｂの形成
後に溶融性材料４の形成及び溶融を行うようにしたもの
である。
【００２０】本実施例の配線領域は、Ａｌ系材料、特に
Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉにより形成されており、また、溶融
性材料４としては、ＳＯＧを用いた。
Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉにより形成されており、また、溶融
性材料４としては、ＳＯＧを用いた。
【００２１】図１（ａ）（ｂ）は本実施例の工程、特に
本実施例のＳＯＧエッチバックプロセスを示す図であっ
て、図１（ａ）は溶融性材料４であるＳＯＧのコートの
後、図１（ｂ）は更に第２層配線接続用のコンタクトホ
ール９をＲＩＥにより形成した後の断面形状を示してい
る。図１（ａ）中、６はＰ−ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 膜、７
はＮＳＧ膜、８はＰ−ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 膜である。
本実施例のＳＯＧエッチバックプロセスを示す図であっ
て、図１（ａ）は溶融性材料４であるＳＯＧのコートの
後、図１（ｂ）は更に第２層配線接続用のコンタクトホ
ール９をＲＩＥにより形成した後の断面形状を示してい
る。図１（ａ）中、６はＰ−ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 膜、７
はＮＳＧ膜、８はＰ−ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 膜である。
【００２２】本実施例では、ＰＡＤ−Ａｌである広い配
線領域３に開口５ａ，５ｂを形成して凹部とすることに
より、該配線領域３（Ａｌ）上の溶融性材料４（ＳＯ
Ｇ）がこの凹部開口５ａ，５ｂに流れ込み、溶融性材料
４の塗布（ＳＯＧコート）後に配線領域３（Ａｌ）上の
ＳＯＧ膜厚を薄くすることができる。よって広いＡｌ配
線であるＰＡＤ−Ａｌ上の平坦化が良好になされる。
線領域３に開口５ａ，５ｂを形成して凹部とすることに
より、該配線領域３（Ａｌ）上の溶融性材料４（ＳＯ
Ｇ）がこの凹部開口５ａ，５ｂに流れ込み、溶融性材料
４の塗布（ＳＯＧコート）後に配線領域３（Ａｌ）上の
ＳＯＧ膜厚を薄くすることができる。よって広いＡｌ配
線であるＰＡＤ−Ａｌ上の平坦化が良好になされる。
【００２３】更に、溶融性材料４であるＳＯＧのエッチ
バック後には、Ａｌ上にＳＯＧが残らず、第２層配線接
続用のコンタクトホール９を開けたときに、溶融性材料
４であるＳＯＧの露出は生じない。つまり、従来の技術
における図３（ｂ）に示したような露出部４１は発生し
ない。
バック後には、Ａｌ上にＳＯＧが残らず、第２層配線接
続用のコンタクトホール９を開けたときに、溶融性材料
４であるＳＯＧの露出は生じない。つまり、従来の技術
における図３（ｂ）に示したような露出部４１は発生し
ない。
【００２４】本実施例においては、第１層Ａｌ、即ち狭
い配線領域２ａ〜２ｃ及び広い配線領域３の下地の層ま
での構造は、従来知られている方法で形成する。この時
の下地は、例えばＢＰＳＧリフロー膜である。
い配線領域２ａ〜２ｃ及び広い配線領域３の下地の層ま
での構造は、従来知られている方法で形成する。この時
の下地は、例えばＢＰＳＧリフロー膜である。
【００２５】次に第１層Ａｌを、図１（ａ）に示すよう
に、幅広の配線領域３をなすＰＡＤ−Ａｌ部については
スリット状の開口５ａ，５ｂを開けて形成する。
に、幅広の配線領域３をなすＰＡＤ−Ａｌ部については
スリット状の開口５ａ，５ｂを開けて形成する。
【００２６】この結果、ＳＯＧ等の溶融性材料４を塗布
成膜すると、上記の通り、このスリット状凹部開口５
ａ，５ｂ中に溶融性材料４（ＳＯＧ）が流れ込むことに
より、幅広の配線領域３（Ａｌ）上の該溶融性材料４の
膜厚は薄くなる。
成膜すると、上記の通り、このスリット状凹部開口５
ａ，５ｂ中に溶融性材料４（ＳＯＧ）が流れ込むことに
より、幅広の配線領域３（Ａｌ）上の該溶融性材料４の
膜厚は薄くなる。
【００２７】以上により、Ａｌ上部とパターン形成部の
層間膜の膜厚差が小さくなり、絶対段差も小さくなる。
層間膜の膜厚差が小さくなり、絶対段差も小さくなる。
【００２８】結果的に、第２層配線接続用コンタクトホ
ール形成のためのＲＩＥ時のコンタクト深さの差が小さ
くなり、該コンタクトホール形成工程以降のフォトリソ
グラフィーでのＤＯＦが小さくて済むようになる。即
ち、溶融性材料４としてＳＯＧを成膜後これをエッチバ
ックし、Ｐ−ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 をＣＶＤしてＳｉＯ2
膜８１を形成し、その後コンタクトホール９を形成する
が、平坦化が良好であるのでこのコンタクトホール９形
成用ＲＩＥ以降の工程が容易になるのである。
ール形成のためのＲＩＥ時のコンタクト深さの差が小さ
くなり、該コンタクトホール形成工程以降のフォトリソ
グラフィーでのＤＯＦが小さくて済むようになる。即
ち、溶融性材料４としてＳＯＧを成膜後これをエッチバ
ックし、Ｐ−ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2 をＣＶＤしてＳｉＯ2
膜８１を形成し、その後コンタクトホール９を形成する
が、平坦化が良好であるのでこのコンタクトホール９形
成用ＲＩＥ以降の工程が容易になるのである。
【００２９】また、このコンタクトホール形成ＲＩＥ後
に、コンタクト側壁からＳＯＧが露出することが防止で
きるようになる。
に、コンタクト側壁からＳＯＧが露出することが防止で
きるようになる。
【００３０】なお、幅広の配線領域３の開口は、スリッ
ト形とは限らず、正方形や円形等任意の形状の開口とし
て形成してもよい。
ト形とは限らず、正方形や円形等任意の形状の開口とし
て形成してもよい。
【００３１】上述の如く、本実施例によれば、幅広の配
線領域３をなすＰＡＤ−Ａｌ上部の層間膜の平坦化を有
効に行い、かつ上層配線とのコンタクトホール形成以降
のフォトリソフラフィー時における絶対段差を低減で
き、また該コンタクトホールＲＩＥ時のコンタクト深さ
のばらつきを防止でき、また、コンタクト側壁部での溶
融性材料４（ＳＯＧ等）の露出を防止できる。
線領域３をなすＰＡＤ−Ａｌ上部の層間膜の平坦化を有
効に行い、かつ上層配線とのコンタクトホール形成以降
のフォトリソフラフィー時における絶対段差を低減で
き、また該コンタクトホールＲＩＥ時のコンタクト深さ
のばらつきを防止でき、また、コンタクト側壁部での溶
融性材料４（ＳＯＧ等）の露出を防止できる。
【００３２】実施例２ 図２は、ＰＡＤ部及び広いＡｌ配線部の双方がある場合
についての構造を、平面図で模式的に示したものであ
る。本実施例は、この平面図で示すように、ＰＡＤ−Ａ
ｌである広い配線領域３１のみならず、それ以外の幅広
の配線領域３２（広いＡｌ配線）についても、スリット
状の開口５を形成したものである。図２中、符号３３で
示すのは、配線（Ａｌ配線）の最外周である。図示の明
瞭化のため、スリット状の開口５については、特に細点
を示して明示した。
についての構造を、平面図で模式的に示したものであ
る。本実施例は、この平面図で示すように、ＰＡＤ−Ａ
ｌである広い配線領域３１のみならず、それ以外の幅広
の配線領域３２（広いＡｌ配線）についても、スリット
状の開口５を形成したものである。図２中、符号３３で
示すのは、配線（Ａｌ配線）の最外周である。図示の明
瞭化のため、スリット状の開口５については、特に細点
を示して明示した。
【００３３】ＰＡＤ−Ａｌ（図２の符号３１で示す領
域）に限らず、広い配線領域（図２の符号３２で示す領
域）では、上述した平坦化膜の不均一という問題点が発
生するおそれがあるが、本実施例では開口５の形成によ
り、この問題点を解決した。
域）に限らず、広い配線領域（図２の符号３２で示す領
域）では、上述した平坦化膜の不均一という問題点が発
生するおそれがあるが、本実施例では開口５の形成によ
り、この問題点を解決した。
【００３４】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、下地段差
を平坦化する場合も、溶融性材料の段差を均一化して、
良好な平坦化を達成することができた。
を平坦化する場合も、溶融性材料の段差を均一化して、
良好な平坦化を達成することができた。
【図１】実施例１の工程を断面図で示すものである。
【図２】実施例２の開口構造を平面図で示すものであ
る。
る。
【図３】従来例を示す図である。
１ 下地 ２ａ〜２ｃ 幅狭の配線領域 ３，３１ 幅広の配線領域（ＰＡＤ−Ａｌ） ３２ 幅広の配線領域（広いＡｌ配線領
域） ４ 溶融性材料（ＳＯＧ） ５，５ａ，５ｂ 開口（スリット）
域） ４ 溶融性材料（ＳＯＧ） ５，５ａ，５ｂ 開口（スリット）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｇ 21/469
Claims (3)
- 【請求項１】下地上に幅狭の凸部をなす配線領域と、幅
広の凸部をなす配線領域を有することにより形成されて
いる段差を、溶融性材料を用いて平坦化する半導体装置
製造における平坦化方法において、 前記幅広の凸部には部分的に開口を設け、該開口は、そ
の上層に形成する溶融性材料が均一に形成される構成で
形成したものであり、 該開口の形成後に前記溶融性材料の形成及び溶融を行う
ことを特徴とする半導体装置製造における平坦化方法。 - 【請求項２】配線領域が、Ａｌ系材料により形成された
配線領域であることを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置製造における平坦化方法。 - 【請求項３】溶融性材料がＳＯＧであることを特徴とす
る請求項１または２に記載の半導体装置製造における平
坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8946594A JPH07297191A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 半導体装置製造における平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8946594A JPH07297191A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 半導体装置製造における平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297191A true JPH07297191A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13971466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8946594A Pending JPH07297191A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 半導体装置製造における平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313960A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2007165487A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその設計方法 |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP8946594A patent/JPH07297191A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313960A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2007165487A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその設計方法 |
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