JPH07288746A - Image pickup signal defect detection and correction device - Google Patents

Image pickup signal defect detection and correction device

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JPH07288746A
JPH07288746A JP6077453A JP7745394A JPH07288746A JP H07288746 A JPH07288746 A JP H07288746A JP 6077453 A JP6077453 A JP 6077453A JP 7745394 A JP7745394 A JP 7745394A JP H07288746 A JPH07288746 A JP H07288746A
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image pickup
signal
defect
unit
pseudo
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Masayuki Shimura
雅之 志村
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Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To detect and correct the defective part of image pickup signals due to a defective picture element in an image pickup surface formation part and to accurately perform normal/defective confirmation at need even in the case of being applied to an image pickup part provided with a defect-free image pickup surface formation part. CONSTITUTION:This device is provided with a data addition part 38 for selectively generating a pseudo defective part equivalent to the defective part based on output signals from the defective picture element to be provided when the defective picture element is present in the image pickup surface formation part in digital image pickup signals based on the image pickup signals from a solid-state image pickup part 10 provided with the image pickup surface formation part composed by arraying and arranging plural picture elements, a signal defect detection part 35 for detecting the defective part and the pseudo defective part, a data memory part for storing defect data corresponding to the detected defective part and pseudo defective part and a control signal formation part for obtaining defect correction instruction signals based on the defect data stored in the data memory part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数の画素が配列配置
された撮像面形成部を備えた撮像部から、撮像面形成部
における複数の画素の夫々からの出力信号に基づいて得
られる撮像信号に含まれる、撮像面形成部における欠陥
画素からの出力信号に基づく欠陥部分を検出するととも
に、欠陥部分を含んだ撮像信号に対して欠陥補正を施
す、撮像信号欠陥検出及び補正装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image pick-up obtained from an image pick-up section having an image pick-up surface forming section in which a plurality of pixels are arranged in an array based on output signals from each of the plurality of pixels in the image pick-up surface forming section. The present invention relates to an image pickup signal defect detection and correction device that detects a defective portion included in a signal based on an output signal from a defective pixel in an image pickup surface forming portion and performs defect correction on the image pickup signal including the defective portion.

【０００２】[0002]

【従来の技術】映像信号を形成するビデオカメラ等を構
成すべく用いられる固体撮像部は、半導体基体に、光電
変換を行う多数の画素が多数の並行列を形成して配列形
成されるとともに、各画素で得られた信号電荷を転送す
る電荷結合素子（ＣＣＤ）等で形成された電荷転送領域
が設けられて成る撮像面形成部を備えたものとされる。
このような固体撮像部における撮像面形成部は、その製
造過程において極めて多数の画素の全てが適正に機能す
るものとなるようにされることは容易ではなく、例え
ば、半導体の局部的な結晶欠陥等に起因して異常な動作
を行うことになる欠陥画素が含まれるものとなり易い。
また、固体撮像部が実際の使用に供された後において
も、静電破壊等に起因して、部分的に欠陥画素を含むも
のとされてしまう虞もある。2. Description of the Related Art In a solid-state image pickup section used for forming a video camera for forming a video signal, a large number of pixels for photoelectric conversion are formed in a parallel array on a semiconductor substrate, and The image pickup surface forming unit is provided with a charge transfer region formed of a charge coupled device (CCD) or the like for transferring the signal charge obtained in each pixel.
It is not easy for the image pickup surface forming unit in such a solid-state image pickup unit to have all of a very large number of pixels properly function in the manufacturing process thereof. It is likely that defective pixels will be included due to abnormal operation.
Further, even after the solid-state imaging unit is actually used, there is a possibility that the defective pixels may be partially included due to electrostatic breakdown or the like.

【０００３】そして、欠陥画素を含む撮像面形成部を備
えるものとされた固体撮像部が使用される場合には、そ
の撮像面形成部における画素の各々からの出力信号につ
いての、画素が形成する多数の並行列のうちの選択され
たものとされる読出列に従ったサンプリング読出しが行
われ、それにより順次得られる撮像信号中に、欠陥画素
からの出力信号がノイズ成分として混入して、撮像信号
の欠陥部分を形成することになるので、固体撮像部から
の撮像信号が供給されてそれに基づく撮像出力信号を形
成する信号処理回路部において、斯かる欠陥画素に起因
する撮像信号の欠陥部分に対する処置、即ち、欠陥補正
が行われることが要求される。When a solid-state image pickup section having an image pickup plane forming section including defective pixels is used, the pixel forms an output signal from each pixel in the image pickup plane forming section. Sampling and reading are performed according to the selected reading column of a large number of parallel columns, and the output signal from the defective pixel is mixed as a noise component in the image pickup signal sequentially obtained by this, and image pickup is performed. Since the defective portion of the signal is formed, in the signal processing circuit portion which is supplied with the image pickup signal from the solid-state image pickup portion and forms the image pickup output signal based on the signal, the defective portion of the image pickup signal caused by the defective pixel is detected. Treatment, that is, defect correction is required to be performed.

【０００４】それゆえ、固体撮像部に備えられる撮像面
形成部にあっては、その製造工程中における各画素が適
正に作動すべき状態とされた段階において、それに含ま
れる欠陥画素を検出してその位置を特定するためのテス
トが行われ、そのテストにより判明した欠陥画素の撮像
面形成部における位置が、例えば、撮像面形成部上にお
いて多数の画素により形成される並行列の夫々を特定す
る垂直方向アドレスデータ及び並行列の各々における画
素の夫々を特定する水平方向アドレスデータをもってあ
らわされるものとされて格納されたリード・オンリー・
メモリ（ＲＯＭ）が用意され、その欠陥画素データを内
蔵したＲＯＭが撮像面形成部に付随せしめられるように
されることが提案されている。このように、欠陥画素デ
ータを内蔵したＲＯＭが付随せしめられた撮像面形成部
は、実際の使用に供されるにあたっては、それにおける
画素の各々からの出力信号に基づいて得られる、欠陥画
素に起因する欠陥部分を含んだ撮像信号に対して、ＲＯ
Ｍから読み出された欠陥画素データに応じた欠陥補正が
施され、それにより、撮像信号における欠陥部分の除去
あるいは低減が図られるものとされることになる。Therefore, in the image pickup surface forming section provided in the solid-state image pickup section, a defective pixel included in the image pickup surface forming section is detected at a stage in which each pixel is in a proper operating state during its manufacturing process. A test for specifying the position is performed, and the position of the defective pixel found in the test in the imaging surface forming unit specifies, for example, each of parallel rows formed by a large number of pixels on the imaging surface forming unit. Read only stored as represented by vertical address data and horizontal address data identifying each of the pixels in each of the parallel columns.
It has been proposed that a memory (ROM) is prepared, and a ROM containing the defective pixel data is attached to the imaging surface forming unit. In this way, the imaging surface forming unit, which is associated with the ROM having the defective pixel data incorporated therein, can be used as a defective pixel obtained based on the output signal from each of the pixels in the actual use. RO is applied to the imaging signal including the defective portion caused by
Defect correction is performed according to the defective pixel data read from M, whereby the defective portion in the image pickup signal can be removed or reduced.

【０００５】しかしながら、上述の如くに、撮像面形成
部が欠陥画素データを内蔵したＲＯＭが付随せしめられ
るものとされるにあたっては、その製造工程中における
各画素が適正に作動すべき状態とされた段階において行
われる欠陥画素を検出してその位置を特定するためのテ
ストが、極めて複雑で高価なテスト・システムが構築さ
れたもとで行われることになる。そのため、テスト・シ
ステムの構築に多額の費用が要されるとともに、それを
用いてのテストに充てられる工数が比較的多とされて、
撮像面形成部の製造コストが嵩むことになってしまうと
いう問題がある。However, as described above, when the image pickup surface forming section is to be associated with the ROM containing the defective pixel data, each pixel in the manufacturing process is in a state in which it should properly operate. The tests for detecting and locating defective pixels performed in stages will be done under the construction of a very complex and expensive test system. Therefore, a large amount of cost is required to build a test system, and the number of man-hours dedicated to testing using it is considered to be relatively large.
There is a problem in that the manufacturing cost of the imaging surface forming unit will increase.

【０００６】さらに、固体撮像部に備えられる撮像面形
成部における画素の各々からの出力信号に基づいて得ら
れる撮像信号に含まれた欠陥画素に起因する欠陥部分に
対して、ＲＯＭから読み出された欠陥画素データに応じ
た欠陥補正を施すようになす対処は、撮像面形成部の製
造過程において発生した欠陥画素に関しては有効である
が、撮像面形成部が実際の使用に供された後において、
例えば、静電破壊等に起因して生じた欠陥画素に対して
は、効力を発揮することはできない。Further, the defective portion caused by the defective pixel included in the image pickup signal obtained based on the output signal from each pixel in the image pickup surface forming portion provided in the solid-state image pickup portion is read from the ROM. Although the countermeasure to perform the defect correction according to the defective pixel data is effective for the defective pixel generated in the manufacturing process of the image pickup surface forming unit, it can be corrected after the image pickup surface forming unit is actually used. ,
For example, the effect cannot be exerted on a defective pixel caused by electrostatic breakdown or the like.

【０００７】そこで、このような問題に対処すべく、本
願の出願人によって先に出願された特願平5-307477号に
記載されている如くの、固体撮像部における実際の撮像
動作に先立って、撮像面形成部に配列配置された複数の
画素の夫々からの出力信号に基づいて形成される撮像信
号に含まれる、欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部
分を検出するとともに、撮像面形成部における各画素を
特定するアドレスデータのうちの検出された欠陥部分の
原因をなす欠陥画素に対応するものとされる欠陥アドレ
スデータをメモリ手段に格納する動作を行い、固体撮像
部における実際の撮像動作が行なわれる際に、メモリ手
段から読み出された欠陥アドレスデータに基づいて、撮
像信号についての欠陥補正を行なう欠陥補正部に欠陥補
正動作制御信号を送出するものとされる撮像信号欠陥検
出及び補正装置が提案されている。斯かる撮像信号欠陥
検出及び補正装置によれば、固体撮像部から得られる撮
像信号に基づいて、撮像面形成部における欠陥画素の検
出及びその位置の特定が、そのための複雑で高価なテス
ト・システム等を要することなく、また、撮像面形成部
が実際の使用に供された後において生じた欠陥画素も含
めて、適宜、容易かつ確実に行われるとともにその結果
が保存され、その後においては、検出された欠陥画素に
起因する撮像信号の欠陥部分の補正が、保存された欠陥
画素の位置の特定結果に基づくタイミング設定がなされ
るもとで、適正に行われることになる。Therefore, in order to deal with such a problem, prior to the actual image pickup operation in the solid-state image pickup unit as described in Japanese Patent Application No. 5-307477 previously filed by the applicant of the present application. The imaging surface forming unit detects the defective portion based on the output signal from the defective pixel included in the imaging signal formed based on the output signal from each of the plurality of pixels arranged in the imaging surface forming unit. In the solid-state image pickup unit, an actual image pickup operation is performed by performing an operation of storing defective address data corresponding to a defective pixel causing a detected defective portion in the address data specifying each pixel in the memory means, When the defect correction operation control signal is transmitted to the defect correction section for correcting the defect of the image pickup signal, based on the defect address data read from the memory means. Imaging signal is assumed to defect detection and correction system has been proposed. According to such an image pickup signal defect detection and correction device, a complex and expensive test system for detecting and specifying the position of a defective pixel in the image pickup surface formation unit based on the image pickup signal obtained from the solid-state image pickup unit And the like, and including the defective pixels that have occurred after the imaging surface forming unit has been used for actual use, it is performed easily and surely and the result is saved, and after that, the detection is performed. The defective portion of the image pickup signal caused by the defective pixel is corrected appropriately while the timing is set based on the stored result of specifying the position of the defective pixel.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述の如くの、固体撮
像部から得られる撮像信号における欠陥部分の検出及び
検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータのメ
モリ手段への格納を行うとともに、メモリ手段から読み
出された欠陥アドレスデータに基づいて、撮像信号につ
いての欠陥補正を行なう欠陥補正部に欠陥補正動作制御
信号を送出するものとされる撮像信号欠陥検出及び補正
装置にあっては、それが適用される固体撮像部の撮像面
形成部が、撮像信号の形成に寄与する複数の画素が欠陥
画素を含まないもの、即ち、無欠陥撮像面形成部とされ
ている場合には、固体撮像部から得られる撮像信号が欠
陥部分を含まないものとされるので、適正に動作する状
態のもとにおいても、撮像信号における欠陥部分の検
出，欠陥アドレスデータのメモリ手段への格納、及び、
欠陥補正部への欠陥補正動作制御信号の送出等が行われ
ない状態におかれる。それゆえ、撮像信号における欠陥
部分の検出，欠陥アドレスデータのメモリ手段への格
納、及び、欠陥補正部への欠陥補正動作制御信号の送出
等が行われない事態が生じたときには、それが適正に動
作していない結果であるのか、適正に動作しているが、
固体撮像部が無欠陥撮像面形成部を備えたものとされて
いる結果であるのかの判別がなされないことになる。As described above, the defective portion in the image pickup signal obtained from the solid-state image pickup portion is detected, and the defective address data corresponding to the detected defective portion is stored in the memory means. In the image pickup signal defect detection and correction device, which sends a defect correction operation control signal to a defect correction section that performs defect correction on the image pickup signal based on the defect address data read from the means, When the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit to which is applied does not include defective pixels in a plurality of pixels contributing to the formation of the image pickup signal, that is, when the image pickup surface forming unit is a defect-free image pickup surface forming unit, solid-state image pickup is performed. Since it is assumed that the image pickup signal obtained from the image pickup unit does not include the defective portion, even under the proper operating condition, the detection of the defective portion in the image pickup signal and the defective address data are performed. Storing the data in the memory means, and,
The defect correction operation control signal is not sent to the defect correction unit. Therefore, when there is a situation in which the defective portion in the image pickup signal is not detected, the defective address data is stored in the memory means, and the defect correction operation control signal is not sent to the defect correction section, it is properly performed. The result is not working, or it is working properly,
It is not determined whether or not the result is that the solid-state imaging unit is provided with the defect-free imaging surface forming unit.

【０００９】従って、上述の如くの撮像信号欠陥検出及
び補正装置が適用された固体撮像部が無欠陥撮像面形成
部を備えたものである場合には、その撮像信号欠陥検出
及び補正装置が適正な動作を行う場合と適正な動作を行
わない場合とで同じ結果が得られることになり、撮像信
号欠陥検出及び補正装置についての良否確認が行えない
ことになってしまう。Therefore, when the solid-state image pickup unit to which the image pickup signal defect detection and correction device as described above is applied is provided with the defect-free image pickup surface forming unit, the image pickup signal defect detection and correction device is appropriate. The same result can be obtained in the case where the proper operation is performed and the case where the proper operation is not performed, and it becomes impossible to confirm the quality of the imaging signal defect detection and correction device.

【００１０】斯かる点に鑑み、本発明は、撮像部の撮像
面形成部に投影される画像に基づく撮像信号に含まれる
欠陥部分を検出するとともに、検出された欠陥部分に対
応する撮像面形成部についての欠陥アドレスデータをメ
モリ手段に格納し、その後、メモリ手段から読み出され
た欠陥アドレスデータに基づいて、撮像信号についての
欠陥補正を行なう欠陥補正部に欠陥補正動作制御信号を
送出する動作を行うものとされたもとで、無欠陥撮像面
形成部を備えた固体撮像部に適用された場合にあって
も、良否確認が必要に応じて的確に行われることになる
撮像信号欠陥検出及び補正装置を提供することを目的と
する。In view of the above point, the present invention detects a defective portion included in an image pickup signal based on an image projected on the image pickup surface forming portion of the image pickup portion and forms an image pickup surface corresponding to the detected defective portion. An operation of storing defect address data for a part in a memory means, and then, based on the defect address data read from the memory means, sending a defect correction operation control signal to a defect correction part for performing defect correction on an image pickup signal. In this case, even when applied to a solid-state image pickup unit having a defect-free image pickup surface forming unit, the defect confirmation and the correction of the image pickup signal will be accurately performed as necessary. The purpose is to provide a device.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成すべ
く、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置は、複
数の画素が配列配置されて成る撮像面形成部に投影され
る画像に基づく撮像信号が得られる撮像部からの撮像信
号に、撮像面形成部に欠陥画素があるとき撮像信号に含
まれるその欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部分と
同等の擬似欠陥部分を、選択的に生じさせる擬似欠陥部
分付加部が設けられ、それに加えて、撮像部からの撮像
信号に含まれた欠陥部分もしくは擬似欠陥部分を検出す
る信号欠陥検出部と、信号欠陥検出部により欠陥部分も
しくは擬似欠陥部分が検出されるとき、撮像面形成部に
おける各画素を特定するアドレスデータのうちの、欠陥
部分の原因をなす欠陥画素に対応するものとされる欠陥
アドレスデータ、もしくは、仮に擬似欠陥部分が実際の
欠陥部分であるとしたとき、その実際の欠陥部分の原因
をなすことになる画素に対応するものとされる擬似欠陥
アドレスデータを格納するデータメモリ手段と、データ
メモリ手段における欠陥アドレスデータもしくは擬似欠
陥アドレスデータの格納状態についての制御を行うメモ
リ動作制御部と、データメモリ手段から読み出された欠
陥アドレスデータもしくは擬似欠陥アドレスデータに基
づいて、撮像信号に対する欠陥補正部に欠陥補正動作制
御信号を送出する制御信号形成部とを備えて構成され
る。In order to achieve the above-mentioned object, an image pickup signal defect detecting and correcting apparatus according to the present invention is based on an image projected on an image pickup plane forming section having a plurality of pixels arranged in an array. In the image pickup signal from the image pickup unit from which the image pickup signal is obtained, when there is a defective pixel in the image pickup surface forming unit, a pseudo defect portion equivalent to the defective portion based on the output signal from the defective pixel included in the image pickup signal is selectively selected. A pseudo-defect part addition section for generating is provided, and in addition, a signal defect detection section for detecting a defect section or a pseudo-defect section included in the image pickup signal from the image pickup section, and a defect section or a pseudo-defect by the signal defect detection section. Of the address data specifying each pixel in the imaging surface forming unit when the portion is detected, the defective address data corresponding to the defective pixel causing the defective portion, In other words, assuming that the pseudo defective portion is an actual defective portion, data memory means for storing the pseudo defective address data corresponding to the pixel that causes the actual defective portion, A memory operation controller for controlling the storage state of defective address data or pseudo defective address data in the data memory means, and a defect for an image pickup signal based on the defective address data or the pseudo defective address data read from the data memory means. And a control signal forming unit for sending a defect correction operation control signal to the correction unit.

【００１２】[0012]

【作用】このように構成される本発明に係る撮像信号欠
陥検出及び補正装置においては、擬似欠陥部分付加部に
よる撮像部からの撮像信号に擬似欠陥部分を生じさせる
動作は、例えば、自己検査動作モードがとられたもとで
行われる。そして、擬似欠陥部分付加部による撮像部か
らの撮像信号に擬似欠陥部分を生じさせる動作が行われ
るときには、信号欠陥検出部により、撮像信号が欠陥部
分を含むときにはその欠陥部分と擬似欠陥部分とが、ま
た、撮像信号が欠陥部分を含まないときには擬似欠陥部
分が検出され、検出された欠陥部分に対応する欠陥アド
レスデータと検出された擬似欠陥部分に対応する擬似欠
陥アドレスデータとが、もしくは、検出された擬似欠陥
部分に対応する擬似欠陥アドレスデータが、メモリ動作
制御部による制御のもとに、データメモリ手段に格納さ
れる。その後、制御信号形成部により、データメモリ手
段から読み出された欠陥アドレスデータと擬似欠陥アド
レスデータとに基づいて、もしくは、擬似欠陥アドレス
データに基づいて、撮像信号に対する欠陥補正部に欠陥
補正動作制御信号が送出される。In the image signal defect detection and correction apparatus according to the present invention having the above-described structure, the operation of causing the pseudo defect portion in the image pickup signal from the image pickup section by the pseudo defect portion addition section is, for example, a self-inspection operation. It is done under the mode. Then, when the pseudo defect portion adding unit performs an operation of causing a pseudo defect portion in the image pickup signal from the image pickup unit, when the image pickup signal includes a defective portion, the signal defect detection unit separates the defective portion from the pseudo defect portion. When the imaging signal does not include a defective portion, a pseudo defective portion is detected, and defective address data corresponding to the detected defective portion and pseudo defective address data corresponding to the detected pseudo defective portion are detected or The pseudo defect address data corresponding to the generated pseudo defect portion is stored in the data memory means under the control of the memory operation control unit. After that, the control signal forming unit controls the defect correction operation control for the defect correction unit for the image pickup signal based on the defect address data and the pseudo defect address data read from the data memory means or based on the pseudo defect address data. The signal is sent out.

【００１３】それにより、装置が適正な動作を行う状態
にある場合には、撮像部が備える撮像面形成部が欠陥画
素を含むものであって撮像信号が欠陥部分を含むとき、
及び、撮像部が無欠陥撮像面形成部を備えていて撮像信
号が欠陥部分を含まないときのいずれにあっても、例え
ば、自己検査動作モードがとられたもとにおいて、少な
くとも、信号欠陥検出部による擬似欠陥部分の検出，メ
モリ動作制御部による制御のもとでの擬似欠陥アドレス
データのデータメモリ手段への格納，制御信号形成部に
よるデータメモリ手段から読み出された擬似欠陥アドレ
スデータに基づく欠陥補正動作制御信号の送出等が行わ
れる。従って、例えば、自己検査動作モードがとられた
もとにおいて、これらの動作が行われない場合には、装
置が適正な動作を行う状態にないことになる。Accordingly, when the device is in a state of performing an appropriate operation, when the image pickup surface forming unit included in the image pickup unit includes defective pixels and the image pickup signal includes a defective portion,
In any case where the image pickup unit includes the defect-free image pickup surface forming unit and the image pickup signal does not include a defective portion, for example, at least in the signal defect detection unit under the self-inspection operation mode. Detection of pseudo-defect portion, storage of pseudo-defect address data in data memory means under control of memory operation control section, defect correction based on pseudo-defect address data read from data memory means by control signal forming section The operation control signal is transmitted. Therefore, for example, if these operations are not performed under the self-inspection operation mode, the device is not in a state of performing proper operation.

【００１４】これよりして、本発明に係る撮像信号欠陥
検出及び補正装置にあっては、無欠陥撮像面形成部を備
えた撮像部に適用された場合においても、良否確認が必
要に応じて的確に行われることになる。Therefore, in the image pickup signal defect detection and correction apparatus according to the present invention, even when applied to the image pickup section having the defect-free image pickup surface forming section, it is necessary to confirm the quality. It will be done accurately.

【００１５】[0015]

【実施例】図１は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び
補正装置の一例を、それが適用されたビデオカメラが備
える固体撮像部，光学系等と共に示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an example of an image pickup signal defect detection and correction apparatus according to the present invention, together with a solid-state image pickup section, an optical system and the like included in a video camera to which it is applied.

【００１６】図１に示される構成においては、光電変換
を行う多数の画素が多数の並行列を形成して配列形成さ
れるとともに、各画素で得られた信号電荷を転送するＣ
ＣＤにより形成された電荷転送領域が設けられて成る撮
像面形成部を備えるものとされた固体撮像部１０が備え
られている。固体撮像部１０の前方には、レンズ・シス
テム１１及び絞り機構１２を含んで構成される光学系が
配されており、この光学系は、固体撮像部１０が有する
撮像面形成部に、撮像対象像を投影する。In the configuration shown in FIG. 1, a large number of pixels that perform photoelectric conversion are formed in an array by forming a large number of parallel columns, and C that transfers the signal charge obtained in each pixel is formed.
The solid-state image pickup unit 10 is provided which is provided with an image pickup surface forming unit including a charge transfer region formed of a CD. An optical system including a lens system 11 and a diaphragm mechanism 12 is arranged in front of the solid-state image pickup unit 10. This optical system is provided in an image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 for image pickup. Project an image.

【００１７】固体撮像部１０は、例えば、図２に示され
る如くの撮像面形成部を有した、インターライン転送型
のものとなされる。図２に示される撮像面形成部におい
ては、半導体基体１３上に、各々が個々の画素を構成す
る多数の光電変換素子部１５が、多数の水平方向（矢印
ｈの方向）に伸びる並行列（画素水平列）を形成するも
のとされて配列配置されている。多数の画素水平列の夫
々を形成する光電変換素子部１５は、また、多数の垂直
方向（矢印ｖの方向）に伸びる並行列（画素垂直列）を
も形成しており、このような光電変換素子部１５が形成
する各画素垂直列に沿って、ＣＣＤ群により形成された
垂直電荷転送部１６が配されている。各垂直電荷転送部
１６は、例えば、２相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφ
Ｖ２により駆動されて電荷転送動作を行う。The solid-state image pickup section 10 is of an interline transfer type having an image pickup surface forming section as shown in FIG. In the imaging surface forming unit shown in FIG. 2, a large number of photoelectric conversion element units 15 each of which constitutes an individual pixel are arranged on a semiconductor substrate 13 in parallel rows (horizontal direction (direction of arrow h)). Pixel horizontal columns) are arranged and arranged. The photoelectric conversion element portion 15 forming each of a large number of pixel horizontal columns also forms a large number of parallel columns (pixel vertical columns) extending in the vertical direction (direction of arrow v). A vertical charge transfer unit 16 formed of a CCD group is arranged along each pixel vertical column formed by the element unit 15. Each of the vertical charge transfer units 16 has, for example, two-phase vertical transfer drive signals φV1 and φV1.
It is driven by V2 to perform a charge transfer operation.

【００１８】各画素垂直列を形成する複数の光電変換素
子部１５の夫々とその垂直列に対応する垂直電荷転送部
１６との間には、電荷読出ゲート部１７が設けられてい
る。そして、電荷読出ゲート部１７は、画素水平列のう
ちの奇数番目のもの（奇数画素水平列）を形成する光電
変換素子部１５に関わるものが、読出ゲート駆動信号φ
ＧＯによって電荷読出状態をとるものとされ、また、画
素水平列のうちの偶数番目のもの（偶数画素水平列）を
形成する光電変換素子部１５に関わるものが、読出ゲー
ト駆動信号φＧＥによって電荷読出状態をとるものとさ
れる。A charge read gate section 17 is provided between each of the plurality of photoelectric conversion element sections 15 forming a vertical column of each pixel and the vertical charge transfer section 16 corresponding to the vertical column. In the charge read gate section 17, the read gate drive signal φ is associated with the photoelectric conversion element section 15 forming an odd-numbered pixel horizontal row (an odd pixel horizontal row).
The charge read state is set by GO, and the charge conversion is performed by the read gate drive signal φGE for the photoelectric conversion element portion 15 forming an even-numbered pixel horizontal column (even pixel horizontal column). It is assumed to be in a state.

【００１９】複数の垂直電荷転送部１６の夫々の一端部
側は、半導体基体１３の端縁部において、ＣＣＤ群によ
り形成されて水平方向に伸びるものとされた水平電荷転
送部１８に連結されている。水平電荷転送部１８は、例
えば、２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２により
駆動されて電荷転送動作を行う。そして、水平電荷転送
部１８には、電荷出力部１９が設けられており、電荷出
力部１９からは出力端子２０が導出されている。One end side of each of the plurality of vertical charge transfer portions 16 is connected to a horizontal charge transfer portion 18 which is formed of a CCD group and extends in the horizontal direction at the edge portion of the semiconductor substrate 13. There is. The horizontal charge transfer unit 18 is driven by, for example, two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 to perform a charge transfer operation. Further, the horizontal charge transfer section 18 is provided with a charge output section 19, and an output terminal 20 is derived from the charge output section 19.

【００２０】このような図２に示される撮像面形成部を
有した固体撮像部１０において撮像動作が行われる際に
は、先ず、所定の受光期間が設定され、その受光期間に
おいて、レンズ・システム１１及び絞り機構１２を含ん
で構成される光学系により、撮像対象像が投影される。
それにより、受光期間において、各々が画素を構成する
複数の光電変換素子部１５の夫々が、撮像対象像に応じ
た光電変換を行って電荷を蓄積する。When an image pickup operation is performed in the solid-state image pickup section 10 having the image pickup surface forming section shown in FIG. 2, first, a predetermined light receiving period is set, and the lens system is set in the light receiving period. An imaging target image is projected by an optical system including 11 and a diaphragm mechanism 12.
As a result, in the light receiving period, each of the plurality of photoelectric conversion element units 15 each forming a pixel performs photoelectric conversion according to the image to be captured and accumulates charges.

【００２１】その後、第１の電荷読出期間において、駆
動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形
成部に供給される読出ゲート駆動信号φＧＯによって、
奇数画素水平列を形成する光電変換素子部１５に関わる
電荷読出ゲート部１７の夫々が電荷読出状態をとるもの
とされ、電荷読出状態をとる電荷読出ゲート部１７の夫
々を通じて、それに対応する光電変換素子部１５に蓄積
された電荷が対応する垂直電荷転送部１６に読み出され
る。続いて、第１の電荷読出期間に続く第１の電荷転送
期間において、各垂直電荷転送部１６に読み出された電
荷が、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における
撮像面形成部に供給される、２相の垂直転送駆動信号φ
Ｖ１及びφＶ２によって駆動される各垂直電荷転送部１
６の電荷転送動作により、各奇数画素水平列を形成する
複数の光電変換素子部１５により得られた分宛、順次、
水平電荷転送部１８に向けて転送されていく。Thereafter, in the first charge read period, the read gate drive signal φGO supplied from the drive signal forming section 25 to the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10 causes
Each of the charge read gate sections 17 related to the photoelectric conversion element section 15 forming the odd-numbered pixel horizontal column is assumed to be in the charge read state, and the photoelectric conversion corresponding to each of the charge read gate sections 17 taking the charge read state is performed. The charges accumulated in the element unit 15 are read out to the corresponding vertical charge transfer unit 16. Subsequently, in the first charge transfer period subsequent to the first charge read period, the charges read to each vertical charge transfer unit 16 are supplied from the drive signal forming unit 25 to the image pickup surface forming unit in the solid-state image pickup unit 10. 2-phase vertical transfer drive signal φ
Each vertical charge transfer unit 1 driven by V1 and φV2
By the charge transfer operation of 6, the portions obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each odd pixel horizontal column are sequentially addressed,
The charges are transferred toward the horizontal charge transfer unit 18.

【００２２】そして、水平電荷転送部１８においては、
駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面
形成部に供給される、２相の水平転送駆動信号φＨ１及
びφＨ２によって駆動されることにより行われる電荷転
送動作により、水平電荷転送部１８に順次転送される、
奇数画素水平列の一つを形成する複数の光電変換素子部
１５で得られた分の電荷が、電荷出力部１９へと転送さ
れる。電荷出力部１９においては、水平電荷転送部１８
により転送されてくる電荷が順次信号化されて出力端子
２０に導出される。Then, in the horizontal charge transfer section 18,
By the charge transfer operation performed by being driven by the two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 supplied from the drive signal forming unit 25 to the imaging surface forming unit of the solid-state imaging unit 10, the horizontal charge transfer unit 18 is sequentially operated. Transferred,
The charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming one of the odd-numbered pixel horizontal columns are transferred to the charge output unit 19. In the charge output unit 19, the horizontal charge transfer unit 18
The charges transferred by are sequentially converted into signals and led to the output terminal 20.

【００２３】次に、第１の電荷転送期間に続く第２の電
荷読出期間において、駆動信号形成部２５から固体撮像
部１０における撮像面形成部に供給される読出ゲート駆
動信号φＧＥによって、偶数画素水平列を形成する光電
変換素子部１５に関わる電荷読出ゲート部１７の夫々が
電荷読出状態をとるものとされ、電荷読出状態をとる電
荷読出ゲート部１７の夫々を通じて、それに対応する光
電変換素子部１５に蓄積された電荷が対応する垂直電荷
転送部１６に読み出される。続いて、第２の電荷読出期
間に続く第２の電荷転送期間において、各垂直電荷転送
部１６に読み出された電荷が、駆動信号形成部２５から
固体撮像部１０における撮像面形成部に供給される、２
相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２によって駆動さ
れる各垂直電荷転送部１６の電荷転送動作により、各偶
数画素水平列を形成する複数の光電変換素子部１５によ
り得られた分宛、順次、水平電荷転送部１８に向けて転
送されていく。Next, in the second charge read period following the first charge transfer period, the read gate drive signal φGE supplied from the drive signal forming unit 25 to the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 causes even-numbered pixels. Each of the charge read gate sections 17 associated with the photoelectric conversion element sections 15 forming a horizontal column is assumed to be in a charge read state, and the corresponding photoelectric conversion element section is provided through each of the charge read gate sections 17 in the charge read state. The charges accumulated in 15 are read out to the corresponding vertical charge transfer unit 16. Subsequently, in the second charge transfer period subsequent to the second charge read period, the charges read by each vertical charge transfer unit 16 are supplied from the drive signal forming unit 25 to the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10. Will be 2
By the charge transfer operation of each vertical charge transfer unit 16 driven by the phase vertical transfer drive signals φV1 and φV2, the portions obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each even pixel horizontal column are sequentially, horizontally and horizontally. The charge is transferred toward the charge transfer unit 18.

【００２４】そして、水平電荷転送部１８においては、
駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面
形成部に供給される、２相の水平転送駆動信号φＨ１及
びφＨ２によって駆動されることにより行われる電荷転
送動作により、水平電荷転送部１８に順次転送される、
偶数画素水平列の一つを形成する複数の光電変換素子部
１５で得られた分の電荷が、電荷出力部１９へと転送さ
れる。電荷出力部１９においては、水平電荷転送部１８
により転送されてくる電荷が順次信号化されて出力端子
２０に導出される。In the horizontal charge transfer section 18,
By the charge transfer operation performed by being driven by the two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 supplied from the drive signal forming unit 25 to the imaging surface forming unit of the solid-state imaging unit 10, the horizontal charge transfer unit 18 is sequentially operated. Transferred,
The charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming one of the even-numbered pixel horizontal columns are transferred to the charge output unit 19. In the charge output unit 19, the horizontal charge transfer unit 18
The charges transferred by are sequentially converted into signals and led to the output terminal 20.

【００２５】以下、上述の第１の電荷読出期間における
電荷読出し、第１の電荷転送期間における電荷転送、第
２の電荷読出期間における電荷読出し、及び、第２の電
荷転送期間における電荷転送が順次繰り返される。そし
て、出力端子２０に、複数の光電変換素子部１５に蓄積
された電荷に基づく、撮像対象像に応じた撮像信号ＩＰ
が得られる。Hereinafter, the charge read in the first charge read period, the charge transfer in the first charge transfer period, the charge read in the second charge read period, and the charge transfer in the second charge transfer period are sequentially performed. Repeated. Then, the image pickup signal IP corresponding to the image to be picked up, which is based on the charges accumulated in the plurality of photoelectric conversion element units 15, is output to the output terminal 20.
Is obtained.

【００２６】斯かる場合、固体撮像部１０を構成する撮
像面形成部における、奇数画素水平列の夫々を形成する
複数の光電変換素子部１５で得られた電荷についての１
画素水平列分宛の、各垂直電荷転送部１６による水平電
荷転送部１８への転送が、奇数フィールド期間内におい
て終了するとともに、偶数画素水平列の夫々を形成する
複数の光電変換素子部１５で得られた電荷についての１
画素水平列分宛の、各垂直電荷転送部１６による水平電
荷転送部１８への転送が、偶数フィールド期間内におい
て終了し、また、水平電荷転送部１８の夫々に順次転送
される１画素水平列を形成する複数の光電変換素子部１
５で得られた分の電荷の、水平電荷転送部１８による電
荷出力部１９への供給は、各ライン期間内において終了
するものとされるように、２相の垂直転送駆動信号φＶ
１及びφＶ２及び２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφ
Ｈ２の夫々が設定される。それゆえ、固体撮像部１０を
構成する撮像面形成部の出力端子２０に導出される撮像
信号ＩＰは、ライン期間分を単位とするものが連なって
形成されることになる奇数フィールド期間分及び偶数フ
ィールド期間分が順次繰り返されるものとされることに
なる。In such a case, in the image pickup surface forming portion which constitutes the solid-state image pickup portion 10, one of the charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element portions 15 forming each of the odd pixel horizontal columns is set.
The transfer to the horizontal charge transfer unit 18 by each vertical charge transfer unit 16 for the pixel horizontal columns is completed within the odd field period, and at the same time, the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each of the even pixel horizontal columns. 1 about the obtained charge
The transfer of the vertical charge transfer units 16 to the horizontal charge transfer units 18 addressed to the horizontal pixel transfer columns is completed within the even field period, and the horizontal charge transfer units 18 are sequentially transferred to each horizontal pixel transfer unit. A plurality of photoelectric conversion element parts 1 forming a
The supply of the charges obtained in 5 to the charge output unit 19 by the horizontal charge transfer unit 18 is completed within each line period so that the two-phase vertical transfer drive signal φV
1 and φV2 and two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φ
Each of H2 is set. Therefore, the image pickup signal IP derived to the output terminal 20 of the image pickup surface forming unit forming the solid-state image pickup unit 10 is formed by a series of line period units and odd field period and even number. The field period will be sequentially repeated.

【００２７】従って、撮像面形成部からは、奇数フィー
ルド期間において、奇数画素水平列の夫々を形成する複
数の光電変換素子部１５で得られた電荷に基づくライン
期間分の撮像信号が奇数画素水平列の数だけ連なって形
成される、１フィールド期間分の撮像信号ＩＰが得ら
れ、また、偶数フィールド期間において、偶数画素水平
列の夫々を形成する複数の光電変換素子部１５で得られ
た電荷に基づくライン期間分の撮像信号が偶数画素水平
列の数だけ連なって形成される、１フィールド期間分の
撮像信号ＩＰが得られる。Therefore, in the odd field period, the imaging signal for the line period based on the charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each of the odd pixel horizontal columns is supplied from the imaging surface forming unit to the odd pixel horizontal line. An image pickup signal IP for one field period, which is formed continuously by the number of columns, is obtained, and in the even field period, charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each of the even pixel horizontal columns are obtained. The image pickup signal IP for one field period is obtained in which the image pickup signals for the line period based on the above are continuously formed by the number of the even pixel horizontal columns.

【００２８】駆動信号形成部２５は、タイミング信号形
成部２６からの垂直方向クロック信号ＣＬＶ，水平方向
クロック信号ＣＬＨ、及び、読出指令信号ＣＲＯ及びＣ
ＲＥが供給され、読出ゲート駆動信号φＧＯを読出指令
信号ＣＲＯに応じて形成するとともに、読出ゲート駆動
信号φＧＥを読出指令信号ＣＲＥに応じて形成し、ま
た、２相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２の夫々を
垂直方向クロック信号ＣＬＶに基づいて形成し、さら
に、２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の夫々を
水平方向クロック信号ＣＬＨに基づいて形成する。そし
て、駆動信号形成部２５は、読出ゲート駆動信号φＧ
Ｏ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２、及び、水平転
送駆動信号φＨ１及びφＨ２を読出指令信号ＣＲＯに応
じて、また、読出ゲート駆動信号φＧＥ，垂直転送駆動
信号φＶ１及びφＶ２、及び、水平転送駆動信号φＨ１
及びφＨ２を読出指令信号ＣＲＥに応じて、夫々、固体
撮像部１０における撮像面形成部に供給する。The drive signal forming section 25 has a vertical clock signal CLV, a horizontal clock signal CLH, and read command signals CRO and C from the timing signal forming section 26.
RE is supplied to form the read gate drive signal φGO according to the read command signal CRO, the read gate drive signal φGE according to the read command signal CRE, and the two-phase vertical transfer drive signals φV1 and φV2. Are formed based on the vertical clock signal CLV, and the two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 are formed based on the horizontal clock signal CRH. Then, the drive signal forming unit 25 causes the read gate drive signal φG.
O, vertical transfer drive signals φV1 and φV2, and horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 according to the read command signal CRO, and read gate drive signal φGE, vertical transfer drive signals φV1 and φV2, and horizontal transfer drive signal φH1
And φH2 are supplied to the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 in accordance with the read command signal CRE.

【００２９】タイミング信号形成部２６は、同期信号発
生部２７からの垂直同期信号ＳＶ及び水平同期信号ＳＨ
が供給され、さらに、後述される欠陥検出部３５からの
蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥが供給されるもとで、垂
直方向クロック信号ＣＬＶを水平同期信号ＳＨに基づい
て形成し、また、水平方向クロック信号ＣＬＨを、水平
同期信号ＳＨより著しく高い周波数を有するが、水平同
期信号ＳＨに同期したものとして形成するとともに、読
出指令信号ＣＲＯ及びＣＲＥを、夫々、蓄積指令信号Ｃ
ＣＯ及びＣＣＥに基づき、奇数フィールド期間及び偶数
フィールド期間に対応するものとして形成し、それらを
駆動信号形成部２５に供給するものとされている。The timing signal forming section 26 includes a vertical synchronizing signal SV and a horizontal synchronizing signal SH from the synchronizing signal generating section 27.
Is supplied, and further storage command signals CCO and CCE are supplied from the defect detection unit 35 described later, the vertical clock signal CLV is formed based on the horizontal synchronization signal SH, and the horizontal clock signal CLV is generated. The signal CLH is formed as a signal having a frequency significantly higher than that of the horizontal synchronizing signal SH, but synchronized with the horizontal synchronizing signal SH, and the read command signals CRO and CRE are respectively stored in the storage command signal C.
Based on CO and CCE, they are formed to correspond to the odd field period and the even field period, and they are supplied to the drive signal forming unit 25.

【００３０】図３及び図４は、上述の如くにして固体撮
像部１０における撮像面形成部から得られる撮像信号Ｉ
Ｐの状態を示す。図３は、主として奇数フィールド期間
における様子を示し、図３のＡに示される如くの、図３
のＢに示される垂直同期信号ＳＶの前縁部から始まる奇
数フィールド期間Ｏ−Ｆにおいては、例えば、図３のＣ
に示される水平同期信号ＳＨの奇数フィールド期間Ｏ−
Ｆの開始時点から数えて１３番目のもの以降において、
図３のＤに示される如く、奇数画素水平列の夫々を形成
する光電変換素子部１５で得られた分の電荷に基づくラ
イン期間分の撮像信号が連なって形成される撮像信号Ｉ
Ｐが得られる。撮像信号ＩＰにおける各ライン期間分に
付された奇数数字は、当該ライン期間分の撮像信号を形
成する電荷が得られた撮像面形成部における奇数画素水
平列の水平電荷転送部１８側からの番号をあらわす。な
お、この例にあっては、当該奇数フィールド期間Ｏ−Ｆ
の開始時点より３ライン期間だけ先立つ時点から当該奇
数フィールド期間Ｏ−Ｆの開始時点から１７ライン期間
だけ経過するまでの２０ライン期間に相当する期間は、
実際には垂直ブランキング期間ＴＢＬＫとされる。3 and 4 show the image pickup signal I obtained from the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10 as described above.
The state of P is shown. FIG. 3 mainly shows the state in the odd field period, and as shown in FIG.
In the odd field period OF starting from the leading edge of the vertical synchronizing signal SV shown in B of FIG.
O- of the horizontal sync signal SH shown in FIG.
After the thirteenth from the start of F,
As shown in D of FIG. 3, an image pickup signal I formed by a series of image pickup signals for a line period based on the charges obtained by the photoelectric conversion element units 15 forming each of the odd-numbered pixel horizontal columns.
P is obtained. The odd number given to each line period in the image pickup signal IP is the number from the horizontal charge transfer unit 18 side of the odd pixel horizontal column in the image pickup plane forming unit where the charge forming the image pickup signal for the line period is obtained. Represents In this example, the odd field period OF
The period corresponding to the 20-line period from the time point preceding the start time point of 3 lines period to the 17-line period from the start time point of the odd field period OF is
Actually, the vertical blanking period TBLK is set.

【００３１】同様に、図４は、主として偶数フィールド
期間における様子を示し、図４のＡに示される如くの、
図４のＢに示される垂直同期信号ＳＶの前縁部から始ま
る偶数フィールド期間Ｅ−Ｆにおいては、例えば、図４
のＣに示される水平同期信号ＳＨ（奇数フィールド期間
Ｏ−Ｆの場合に比して０．５ライン期間分のズレを生じ
ている）の偶数フィールド期間Ｅ−Ｆの開始時点から数
えて１４番目のもの以降において、図４のＤに示される
如く、偶数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部
１５で得られた分の電荷に基づくライン期間分の撮像信
号が連なって形成される撮像信号ＩＰが得られる。撮像
信号ＩＰにおける各ライン期間分に付された偶数数字
は、当該ライン期間分の撮像信号を形成する電荷が得ら
れた撮像面形成部における偶数画素水平列の水平電荷転
送部１８側からの番号をあらわす。なお、ここにおいて
も、当該偶数フィールド期間Ｅ−Ｆの開始時点より３ラ
イン期間だけ先立つ時点から当該偶数フィールド期間Ｅ
−Ｆの開始時点から１７ライン期間だけ経過するまでの
２０ライン期間に相当する期間は、実際には垂直ブラン
キング期間ＴＢＬＫとされる。Similarly, FIG. 4 mainly shows the state in the even field period, and as shown in A of FIG.
In the even field period EF starting from the front edge of the vertical synchronizing signal SV shown in FIG. 4B, for example, as shown in FIG.
14th from the start point of the even field period E-F of the horizontal synchronization signal SH shown in C of (the deviation of 0.5 line period occurs as compared with the case of the odd field period OF). After that, as shown in D of FIG. 4, the imaging is formed by a series of imaging signals for a line period based on the charges obtained by the photoelectric conversion element units 15 forming each of the even pixel horizontal columns. The signal IP is obtained. The even number given to each line period in the image pickup signal IP is the number from the horizontal charge transfer unit 18 side of the even pixel horizontal column in the image pickup plane forming unit where the charges forming the image pickup signal for the line period are obtained. Represents Note that, even in this case, the even field period E is started from a time point preceding the start time of the even field period E-F by three line periods.
The period corresponding to the 20-line period until the 17-line period elapses from the start of -F is actually the vertical blanking period TBLK.

【００３２】固体撮像部１０における撮像面形成部から
夫々得られる撮像信号ＩＰは、サンプリング・ホールド
部３０に供給される。サンプリング・ホールド部３０に
おいては、撮像信号ＩＰに対する所定の短周期毎のレベ
ル・サンプリング及びサンプル・レベルの保持が行われ
てサンプリング・ホールド出力信号ＳＩが得られ、それ
がアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換部３１に供給さ
れる。Ａ／Ｄ変換部３１においては、サンプリング・ホ
ールド出力信号ＳＩに基づいての撮像信号ＩＰのディジ
タル化が図られ、Ａ／Ｄ変換部３１から、撮像信号ＩＰ
に対応するディジタル撮像信号ＤＩが得られて、それが
データ付加部３８に供給される。The image pickup signals IP obtained from the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10 are supplied to the sampling and holding section 30. In the sampling / holding unit 30, the sampling / holding output signal SI is obtained by carrying out level sampling and holding of the sampling level for each predetermined short period with respect to the image pickup signal IP, which is an analog / digital (A / D) signal. ) Is supplied to the conversion unit 31. In the A / D conversion unit 31, the image pickup signal IP is digitized based on the sampling and holding output signal SI, and the A / D conversion unit 31 outputs the image pickup signal IP.
A digital image pickup signal DI corresponding to is obtained and is supplied to the data adding section 38.

【００３３】データ付加部３８には、所定の条件のもと
で、擬似欠陥データ送出部３９から送出される、擬似欠
陥信号としての擬似欠陥データＤＸも供給される。デー
タ付加部３８にあっては、所定の条件のもとになく、擬
似欠陥データ送出部３９からの擬似欠陥データＤＸの供
給がなされないときには、Ａ／Ｄ変換部３１からのディ
ジタル撮像信号ＤＩがそのまま通過し、また、擬似欠陥
データ送出部３９からの擬似欠陥データＤＸの供給がな
される所定の条件のもとにあっては、Ａ／Ｄ変換部３１
からのディジタル撮像信号ＤＩに擬似欠陥データＤＸ
が、例えば、ディジタル撮像信号ＤＩの一部が擬似欠陥
データＤＸによって置き換えられることによって付加さ
れ、擬似欠陥データＤＸが付加されたディジタル撮像信
号ＤＩＸが形成される。The data addition unit 38 is also supplied with the pseudo defect data DX as a pseudo defect signal transmitted from the pseudo defect data transmission unit 39 under a predetermined condition. In the data adding unit 38, when the pseudo defect data DX is not supplied from the pseudo defect data sending unit 39 under the predetermined condition, the digital image pickup signal DI from the A / D converting unit 31 is output. Under a predetermined condition that the pseudo defect data DX is supplied from the pseudo defect data transmitter 39, the A / D converter 31
Pseudo-defect data DX in the digital imaging signal DI from
However, for example, a part of the digital image pickup signal DI is added by being replaced by the pseudo defect data DX, and the digital image pickup signal DIX to which the pseudo defect data DX is added is formed.

【００３４】ディジタル撮像信号ＤＩに対しての、その
一部が擬似欠陥データＤＸによって置き換えられること
による擬似欠陥データＤＸの付加は、ディジタル撮像信
号ＤＩに擬似欠陥データＤＸによる擬似欠陥部分を生じ
させ、従って、擬似欠陥データＤＸが付加されたディジ
タル撮像信号ＤＩＸは、擬似欠陥データＤＸによる擬似
欠陥部分を含むものとされる。そして、データ付加部３
８から得られるディジタル撮像信号ＤＩ、もしくは、擬
似欠陥データＤＸが付加されたディジタル撮像信号ＤＩ
Ｘが、欠陥補正部３２に供給される。The addition of the pseudo defect data DX to the digital image pickup signal DI by replacing a part thereof with the pseudo defect data DX causes the digital image pickup signal DI to have a pseudo defect portion by the pseudo defect data DX. Therefore, the digital image pickup signal DIX to which the pseudo defect data DX is added includes the pseudo defect portion based on the pseudo defect data DX. Then, the data addition unit 3
8 or the digital image pickup signal DI to which the pseudo defect data DX is added.
X is supplied to the defect correction unit 32.

【００３５】欠陥補正部３２には、欠陥検出部３５から
送出される欠陥補正指示信号ＣＤも供給される。欠陥補
正部３２においては、欠陥補正指示信号ＣＤに応じて、
ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる、固体撮像部１０の
撮像面形成部における多数の光電変換素子部１５のうち
の動作不良を生じているもの、即ち、欠陥画素に起因し
てもたらされた欠陥部分についての補正、もしくは、擬
似欠陥データＤＸが付加されたディジタル撮像信号ＤＩ
Ｘに含まれる、欠陥画素に起因してもたらされた欠陥部
分、及び、擬似欠陥データＤＸによる擬似欠陥部分につ
いての補正が行われる。欠陥補正部３２における欠陥補
正指示信号ＣＤに応じたディジタル撮像信号ＤＩにおけ
る欠陥部分の補正、もしくは、ディジタル撮像信号ＤＩ
Ｘにおける欠陥部分及び擬似欠陥部分についての補正に
ついては、既に提案されている撮像部から得られる撮像
信号についての欠陥補正方式が適宜採用される。The defect correction section 32 is also supplied with the defect correction instruction signal CD sent from the defect detection section 35. In the defect correction section 32, according to the defect correction instruction signal CD,
One of a large number of photoelectric conversion element units 15 in the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10, which is included in the digital image pickup signal DI, causing a malfunction, that is, a defective portion caused by a defective pixel. Correction, or the digital image pickup signal DI to which the pseudo defect data DX is added
The defective portion included in X, which is caused by the defective pixel, and the pseudo defective portion based on the pseudo defective data DX are corrected. Correction of a defective portion in the digital image pickup signal DI according to the defect correction instruction signal CD in the defect correction section 32, or the digital image pickup signal DI
For the correction of the defective portion and the pseudo defective portion in X, the defect correction method for the image pickup signal obtained from the image pickup unit that has already been proposed is appropriately adopted.

【００３６】そして、欠陥補正部３２から、ディジタル
撮像信号ＤＩに対してそれに含まれる欠陥部分に応じた
欠陥補正が施されて得られるもの、もしくは、ディジタ
ル撮像信号ＤＩＸに対してそれに含まれる欠陥部分及び
擬似欠陥部分に応じた欠陥補正が施されて得られるもの
とされるディジタル撮像信号ＤＩＣが送出され、信号処
理部３３に供給される。信号処理部３３においては、デ
ィジタル撮像信号ＤＩＣについての各種の処理が行われ
て、固体撮像部１０における撮像面形成部から得られた
撮像信号ＩＰに基づく映像信号ＤＶが形成され、それが
出力端子３４に導出される。Then, the defect correction unit 32 performs defect correction on the digital image pickup signal DI in accordance with the defect portion contained therein, or the defect portion contained in the digital image pickup signal DIX. And a digital image pickup signal DIC which is obtained by performing defect correction according to the pseudo defect portion and is supplied to the signal processing unit 33. In the signal processing unit 33, various kinds of processing are performed on the digital image pickup signal DIC to form a video signal DV based on the image pickup signal IP obtained from the image pickup surface forming unit in the solid-state image pickup unit 10, which is an output terminal. 34.

【００３７】欠陥検出部３５には、データ付加部３８か
らのディジタル撮像信号ＤＩもしくはディジタル撮像信
号ＤＩＸ，タイミング信号形成部２６からの垂直方向ク
ロック信号ＣＬＶ，水平方向クロック信号ＣＬＨ，読出
指令信号ＣＲＯ及び読出指令信号ＣＲＥ，同期信号発生
部２７からの垂直同期信号ＳＶ、及び、制御ユニット３
６からのリセット信号ＣＲＳ及び欠陥検出指令信号ＣＳ
Ｔが供給される。そして、欠陥検出部３５は、ディジタ
ル撮像信号ＤＩが供給される際には、ディジタル撮像信
号ＤＩが固体撮像部１０の撮像面形成部における欠陥画
素に起因してもたらされる欠陥部分を含むものであると
き、そのディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分を検
出し、検出された欠陥部分の原因をなしている撮像面形
成部における欠陥画素を、撮像面形成部に関する垂直方
向アドレスＡＶ及び水平方向アドレスＡＨによって特定
するとともに、欠陥画素を特定する垂直方向アドレスＡ
Ｖ及び水平方向アドレスＡＨの夫々をあらわす欠陥アド
レスデータを、内蔵するデータメモリ部に格納する動
作、及び、内蔵するデータメモリ部に格納された欠陥ア
ドレスデータに基づき、適切なタイミングをとるものと
される欠陥補正指示信号ＣＤを形成して、それを欠陥補
正部３２に供給する動作を行う。In the defect detecting section 35, the digital image pickup signal DI or the digital image pickup signal DIX from the data adding section 38, the vertical clock signal CLV from the timing signal forming section 26, the horizontal clock signal CLH, the read command signal CRO and Read command signal CRE, vertical sync signal SV from sync signal generator 27, and control unit 3
6 reset signal CRS and defect detection command signal CS
T is supplied. When the digital image pickup signal DI is supplied to the defect detecting section 35, when the digital image pickup signal DI includes a defective portion caused by a defective pixel in the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10, The defective portion in the digital image pickup signal DI is detected, and the defective pixel in the image pickup surface forming portion which causes the detected defective portion is specified by the vertical address AV and the horizontal address AH related to the image pickup surface forming portion. , Vertical address A that identifies the defective pixel
It is assumed that appropriate timing is taken based on the operation of storing the defective address data representing the V and the horizontal address AH in the built-in data memory unit and the defective address data stored in the built-in data memory unit. The defect correction instruction signal CD is formed and supplied to the defect correction section 32.

【００３８】さらに、欠陥検出部３５は、擬似欠陥デー
タＤＸが付加されたディジタル撮像信号ＤＩＸが供給さ
れる際には、ディジタル撮像信号ＤＩＸが固体撮像部１
０の撮像面形成部における欠陥画素に起因してもたらさ
れる欠陥部分を含むものであるとき、その欠陥部分と擬
似欠陥データＤＸによる擬似欠陥部分とを検出して、検
出された欠陥部分の原因をなしている撮像面形成部にお
ける欠陥画素を、撮像面形成部に関する垂直方向アドレ
スＡＶ及び水平方向アドレスＡＨによって特定するとと
もに、検出された擬似欠陥部分を仮に実際の欠陥部分で
あるとしたとき、その実際の欠陥部分の原因をなすこと
になる撮像面形成部における画素を擬似欠陥画素とし
て、その擬似欠陥画素を撮像面形成部に関する垂直方向
アドレスＡＶ及び水平方向アドレスＡＨによって特定
し、欠陥画素を特定する垂直方向アドレスＡＶ及び水平
方向アドレスＡＨの夫々をあらわす欠陥アドレスデータ
と、擬似欠陥画素を特定する垂直方向アドレスＡＶ及び
水平方向アドレスＡＨの夫々をあらわす擬似欠陥アドレ
スデータとを、内蔵するデータメモリ部に格納する動
作、及び、内蔵するデータメモリ部に格納された欠陥ア
ドレスデータ及び擬似欠陥アドレスデータの夫々に基づ
き、適切なタイミングをとるものとされる欠陥補正指示
信号ＣＤを形成して、それを欠陥補正部３２に供給する
動作を行う。Further, when the digital image pickup signal DIX to which the pseudo defect data DX is added is supplied, the defect detection unit 35 outputs the digital image pickup signal DIX to the solid-state image pickup unit 1.
When a defective portion caused by a defective pixel in the image pickup surface forming portion of 0 is included, the defective portion and the pseudo defective portion based on the pseudo defective data DX are detected to cause the detected defective portion. The defective pixel in the image forming surface forming portion is specified by the vertical address AV and the horizontal address AH relating to the image forming surface forming portion, and when the detected pseudo defect portion is assumed to be the actual defective portion, the actual A pixel in the image pickup surface forming unit that causes a defective portion is set as a pseudo defective pixel, and the pseudo defective pixel is specified by a vertical address AV and a horizontal address AH related to the image pickup surface forming unit, and a defective pixel is specified. The defective address data representing each of the directional address AV and the horizontal address AH and the pseudo defective pixel are specified. Of the vertical address AV and the horizontal address AH, which are stored in the internal data memory unit, and the defective address data and the pseudo defect address data stored in the internal data memory unit. Based on each of the above, an operation of forming a defect correction instruction signal CD which is to take appropriate timing and supplying it to the defect correction section 32 is performed.

【００３９】また、ディジタル撮像信号ＤＩＸが固体撮
像部１０の撮像面形成部における欠陥画素に起因しても
たらされる欠陥部分を含まないものであるときには、擬
似欠陥データＤＸによる擬似欠陥部分を検出して、検出
された擬似欠陥部分を仮に実際の欠陥部分であるとした
とき、その実際の欠陥部分の原因をなすことになる撮像
面形成部における画素を擬似欠陥画素として、その擬似
欠陥画素を撮像面形成部に関する垂直方向アドレスＡＶ
及び水平方向アドレスＡＨによって特定し、擬似欠陥画
素を特定する垂直方向アドレスＡＶ及び水平方向アドレ
スＡＨの夫々をあらわす擬似欠陥アドレスデータを、内
蔵するデータメモリ部に格納する動作、及び、内蔵する
データメモリ部に格納された擬似欠陥アドレスデータに
基づき、適切なタイミングをとるものとされる欠陥補正
指示信号ＣＤを形成して、それを欠陥補正部３２に供給
する動作を行う。When the digital image pickup signal DIX does not include a defective portion caused by a defective pixel in the image pickup surface forming portion of the solid-state image pickup portion 10, the pseudo defective portion based on the pseudo defect data DX is detected. Assuming that the detected pseudo-defective portion is an actual defective portion, the pixel in the imaging surface forming unit that causes the actual defective portion is a pseudo-defective pixel, and the pseudo-defective pixel is the imaging surface. Vertical address AV for forming unit
And an operation of storing, in an internal data memory unit, pseudo defect address data that represents each of a vertical address AV and a horizontal address AH that are specified by a horizontal address AH and that identifies a pseudo defective pixel, and an internal data memory. Based on the pseudo defect address data stored in the unit, a defect correction instructing signal CD is formed which takes appropriate timing and is supplied to the defect correcting unit 32.

【００４０】固体撮像部１０における撮像面形成部に関
する垂直方向アドレスＡＶ及び水平方向アドレスＡＨ
は、垂直方向アドレスＡＶが、撮像面形成部における多
数の画素水平列の各々を特定するアドレスであって、水
平方向アドレスＡＨが、撮像面形成部における各画素水
平列内における画素の各々の位置を特定するアドレスで
あるものとされる。従って、欠陥アドレスデータがあら
わすアドレスは、撮像面形成部における欠陥画素が属す
る画素水平列を特定する垂直方向アドレスＡＶと、その
垂直方向アドレスＡＶによって特定された画素水平列内
における欠陥画素の位置を特定する水平方向アドレスＡ
Ｈとを含むものとされ、また、擬似欠陥アドレスデータ
があらわすアドレスは、撮像面形成部における擬似欠陥
画素が属する画素水平列を特定する垂直方向アドレスＡ
Ｖと、その垂直方向アドレスＡＶによって特定された画
素水平列内における擬似欠陥画素の位置を特定する水平
方向アドレスＡＨとを含むものとされる。A vertical address AV and a horizontal address AH relating to the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10.
Is a vertical address AV that identifies each of a large number of pixel horizontal columns in the imaging plane forming unit, and the horizontal address AH is the position of each pixel in each pixel horizontal column in the imaging plane forming unit. Is an address that identifies Therefore, the address represented by the defective address data includes the vertical direction address AV that identifies the pixel horizontal column to which the defective pixel belongs in the imaging surface forming unit and the position of the defective pixel in the pixel horizontal column identified by the vertical address AV. Horizontal address to specify A
H, and the address represented by the pseudo defect address data is a vertical address A that specifies the pixel horizontal column to which the pseudo defective pixel belongs in the imaging surface forming unit.
V and a horizontal address AH that specifies the position of the pseudo defective pixel in the pixel horizontal column specified by the vertical address AV.

【００４１】欠陥検出部３５は、このような動作を通じ
て、タイミング信号形成部２６に対する蓄積指令信号Ｃ
ＣＯ及びＣＣＥの供給を行うとともに、ディジタル撮像
信号ＤＩにおける欠陥部分を検出し、検出された欠陥部
分の原因をなしている撮像面形成部における欠陥画素を
特定する欠陥アドレスデータを内蔵するデータメモリ部
に格納する動作、あるいは、ディジタル撮像信号ＤＩＸ
における欠陥部分と擬似欠陥部分とを検出し、検出され
た欠陥部分の原因をなしている撮像面形成部における欠
陥画素を特定する欠陥アドレスデータと、検出された擬
似欠陥部分に対応する撮像面形成部における擬似欠陥画
素を特定する擬似欠陥アドレスデータとを、内蔵するデ
ータメモリ部に格納する動作、もしくは、ディジタル撮
像信号ＤＩＸにおける擬似欠陥部分を検出し、検出され
た擬似欠陥部分に対応する撮像面形成部における擬似欠
陥画素を特定する擬似欠陥アドレスデータを内蔵するデ
ータメモリ部に格納する動作が終了したとき、検出終了
信号ＣＥを制御ユニット３６に送出する。Through this operation, the defect detecting section 35 causes the timing command forming section 26 to store the storage command signal C.
A data memory unit that supplies defective CO and CCE, detects a defective portion in the digital image pickup signal DI, and incorporates defective address data that specifies a defective pixel in the image pickup surface forming portion that causes the detected defective portion. Or the digital image pickup signal DIX
Defect address data for identifying a defective pixel in the imaging surface forming portion that is the cause of the detected defective portion and an imaging surface formation corresponding to the detected pseudo defect portion. Of storing the pseudo defect address data for specifying the pseudo defective pixel in the image section in the built-in data memory section, or detecting the pseudo defect portion in the digital image pickup signal DIX, and the imaging surface corresponding to the detected pseudo defect portion. When the operation of storing the pseudo defective address data for specifying the pseudo defective pixel in the forming unit is completed, the detection end signal CE is sent to the control unit 36.

【００４２】制御ユニット３６には、擬似欠陥データ送
出部３９から擬似欠陥データＤＸが送出される動作状態
を設定すべく操作される擬似欠陥信号制御スイッチ３７
Ｘ、及び、欠陥検出部３５に、ディジタル撮像信号ＤＩ
における欠陥部分を検出し、検出された欠陥部分に対応
する欠陥アドレスデータを内蔵するデータメモリ部に格
納する動作、あるいは、ディジタル撮像信号ＤＩＸにお
ける欠陥部分と擬似欠陥部分とを検出し、検出された欠
陥部分に対応する欠陥アドレスデータと検出された擬似
欠陥部分に対応する擬似欠陥アドレスデータとを内蔵す
るデータメモリ部に格納する動作、もしくは、ディジタ
ル撮像信号ＤＩＸにおける擬似欠陥部分を検出し、検出
された擬似欠陥部分に対応する擬似欠陥アドレスデータ
を内蔵するデータメモリ部に格納する動作を行わせるべ
く操作される欠陥検出スイッチ３７Ｒが設けられてい
る。In the control unit 36, a pseudo defect signal control switch 37 operated to set an operation state in which the pseudo defect data DX is sent from the pseudo defect data sending section 39.
X and the defect detection unit 35, the digital imaging signal DI
Of detecting the defective portion in the digital image pickup signal DIX, or detecting the defective portion in the digital imaging signal DIX and storing the defective address data corresponding to the detected defective portion in the built-in data memory unit. The operation of storing the defect address data corresponding to the defective portion and the pseudo defect address data corresponding to the detected pseudo defective portion in the built-in data memory section, or detecting the pseudo defective portion in the digital image pickup signal DIX and detecting it. A defect detection switch 37R that is operated to store the pseudo defect address data corresponding to the pseudo defect portion in the built-in data memory unit is provided.

【００４３】そして、制御ユニット３６は、擬似欠陥信
号制御スイッチ３７Ｘが操作されて一時的にオン状態と
されると、制御信号ＣＥＸを、擬似欠陥データ送出部３
９に送出する。擬似欠陥データ送出部３９には、欠陥検
出部３５において、タイミング信号形成部２６からの垂
直方向クロック信号ＣＬＶ及び水平方向クロック信号Ｃ
ＬＨが、読出指令信号ＣＲＯ及び読出指令信号ＣＲＥに
応じたリセットがなされるもとで夫々計数されることに
より得られる計数データＤＡＶ及びＤＡＨが、欠陥検出
部３５から供給される。When the pseudo defect signal control switch 37X is temporarily turned on by the operation of the pseudo defect signal control switch 37X, the control unit 36 outputs the control signal CEX to the pseudo defect data sending section 3.
9 is sent. In the defect detection section 35, the pseudo defect data transmission section 39 has a vertical clock signal CLV and a horizontal clock signal C from the timing signal forming section 26.
Count data DAV and DAH obtained by counting LH under reset according to the read command signal CRO and the read command signal CRE are supplied from the defect detection unit 35.

【００４４】欠陥検出部３５からの計数データＤＡＶ及
びＤＡＨに加えて、制御ユニット３６からの制御信号Ｃ
ＥＸが供給される状態におかれた擬似欠陥データ送出部
３９は、予め設定された、計数データＤＡＶ及びＤＡＨ
に応じて定められるタイミングにおいて、固体撮像部１
０の撮像面形成部が欠陥画素を含むときその欠陥画素に
起因して生じるディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部
分に相当するものとされる擬似欠陥データＤＸを送出
し、その擬似欠陥データＤＸをデータ付加部３８に供給
する。In addition to the count data DAV and DAH from the defect detector 35, a control signal C from the control unit 36
The pseudo defect data sending unit 39 placed in the state of being supplied with the EX receives the preset count data DAV and DAH.
The solid-state imaging unit 1 at a timing determined according to
When the image pickup surface forming unit of 0 includes a defective pixel, the pseudo defect data DX that corresponds to the defective portion in the digital image pickup signal DI generated due to the defective pixel is transmitted, and the pseudo defect data DX is added to the data. Supply to the section 38.

【００４５】また、制御ユニット３６は、欠陥検出スイ
ッチ３７Ｒが操作されて一時的にオン状態とされると、
先ず、リセット信号ＣＲＳを欠陥検出部３５に供給し、
続いて、欠陥検出指令信号ＣＳＴを、その後欠陥検出部
３５から検出終了信号ＣＥが到来する時点あるいはその
後の時点まで、欠陥検出部３５及び駆動信号形成部２５
の夫々に供給する。When the defect detection switch 37R is operated and the control unit 36 is temporarily turned on,
First, the reset signal CRS is supplied to the defect detector 35,
Subsequently, the defect detection command signal CST is sent to the defect detection unit 35 and the drive signal formation unit 25 until the detection end signal CE arrives from the defect detection unit 35 thereafter or after that.
Supply to each of.

【００４６】駆動信号形成部２５は、制御ユニット３６
からの欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給されるとき、それ
に応じて、絞り機構１２に供給される絞り機構駆動信号
ＣＩを、絞り機構１２に全絞り状態をとらせるものとな
す。絞り機構１２が全絞り状態をとるもとにあっては、
固体撮像部１０における撮像面形成部が、実質的に外光
が入射しない状態に維持される。その後、駆動信号形成
部２５に対する制御ユニット３６からの欠陥検出指令信
号ＣＳＴの供給が停止されると、駆動信号形成部２５
は、絞り機構１２に供給される絞り機構駆動信号ＣＩ
を、絞り機構１２に欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給前の
状態をとらせるものに戻す。The drive signal forming section 25 includes a control unit 36.
When the defect detection command signal CST from is supplied, the diaphragm mechanism drive signal CI supplied to the diaphragm mechanism 12 is caused to cause the diaphragm mechanism 12 to assume the full aperture state. When the diaphragm mechanism 12 is in the full diaphragm state,
The image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 is maintained in a state in which substantially no external light is incident. After that, when the supply of the defect detection command signal CST from the control unit 36 to the drive signal forming unit 25 is stopped, the drive signal forming unit 25
Is a diaphragm mechanism drive signal CI supplied to the diaphragm mechanism 12.
Is returned to that which causes the diaphragm mechanism 12 to assume the state before the supply of the defect detection command signal CST.

【００４７】欠陥検出部３５は、制御ユニット３６から
のリセット信号ＣＲＳが供給されると、それに応じて、
それまで内蔵されたデータメモリ部に格納されていた欠
陥アドレスデータを消去して、内蔵されたデータメモリ
部に対する新たな欠陥アドレスデータの書込みに備え
る。そして、続いて制御ユニット３６から到来する欠陥
検出指令信号ＣＳＴに応じ、絞り機構１２が全絞り状態
をとるものとされたもとにおいて、擬似欠陥データ送出
部３９からの擬似欠陥データＤＸがデータ付加部３８に
供給されない動作状態にあるとき、ディジタル撮像信号
ＤＩにおける欠陥部分を検出し、検出された欠陥部分の
原因をなしている撮像面形成部における欠陥画素を特定
する欠陥アドレスデータを内蔵するデータメモリ部に格
納する動作を開始し、また、擬似欠陥データ送出部３９
からの擬似欠陥データＤＸがデータ付加部３８に供給さ
れる動作状態にあるときには、ディジタル撮像信号ＤＩ
Ｘにおける欠陥部分と擬似欠陥部分とを検出し、検出さ
れた欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータと検出され
た擬似欠陥部分に対応する擬似欠陥アドレスデータとを
内蔵するデータメモリ部に格納する動作、もしくは、デ
ィジタル撮像信号ＤＩＸにおける擬似欠陥部分を検出
し、検出された擬似欠陥部分に対応する擬似欠陥アドレ
スデータを内蔵するデータメモリ部に格納する動作を開
始する。When the reset signal CRS from the control unit 36 is supplied, the defect detecting section 35 responds to the reset signal CRS.
The defective address data stored in the built-in data memory unit is erased to prepare for writing new defective address data in the built-in data memory unit. Then, in response to the defect detection command signal CST coming from the control unit 36, the pseudo defect data DX from the pseudo defect data sending unit 39 is added to the data adding unit 38 under the condition that the diaphragm mechanism 12 takes the full diaphragm state. Data memory section that incorporates defect address data that detects a defective portion in the digital image pickup signal DI when the operating state is not supplied to the image pickup portion, and specifies a defective pixel in the image pickup surface forming portion that causes the detected defective portion. And the pseudo defect data sending unit 39 is started.
When the pseudo defect data DX from is supplied to the data adding section 38, the digital image pickup signal DI
An operation of detecting a defective portion and a pseudo defective portion in X and storing defect address data corresponding to the detected defective portion and pseudo defective address data corresponding to the detected pseudo defective portion in a built-in data memory unit; Alternatively, the operation of detecting the pseudo defect portion in the digital image pickup signal DIX and storing the pseudo defect address data corresponding to the detected pseudo defect portion in the built-in data memory unit is started.

【００４８】斯かるもとで、制御ユニット３６は、装置
全体に対する動作モード設定を行う動作モード制御部を
形成しており、擬似欠陥信号制御スイッチ３７Ｘ及び欠
陥検出スイッチ３７Ｒのいずれもがオフ状態におかれる
とき、もしくは、擬似欠陥信号制御スイッチ３７Ｘが操
作されて一時的にオン状態とされ、欠陥検出スイッチ３
７Ｒがオフ状態におかれるとき、固体撮像部１０におけ
る撮像面形成部から得られた撮像信号ＩＰに基づくディ
ジタル撮像信号ＤＩもしくはディジタル撮像信号ＤＩＸ
が欠陥補正され、欠陥補正されたディジタル撮像信号Ｄ
Ｉもしくはディジタル撮像信号ＤＩＸに基づく映像信号
ＤＶが出力端子３４に得られるノーマル動作モードを設
定し、擬似欠陥信号制御スイッチ３７Ｘがオフ状態にお
かれ、欠陥検出スイッチ３７Ｒが操作されて一時的にオ
ン状態とされるとき、欠陥検出部３５において、ディジ
タル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分が検出され、検出さ
れた欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータがデータメ
モリ部に格納される動作が行われる欠陥検出動作モード
を設定し、さらに、擬似欠陥信号制御スイッチ３７Ｘが
操作されて一時的にオン状態とされるとともに、欠陥検
出スイッチ３７Ｒが操作されて一時的にオン状態とされ
るとき、擬似欠陥データ送出部３９からデータ付加部３
８に擬似欠陥データＤＸが供給される状態のもとで、欠
陥検出部３５において、ディジタル撮像信号ＤＩにおけ
る欠陥部分を検出し、検出された欠陥部分に対応する欠
陥アドレスデータを内蔵するデータメモリ部に格納する
動作、あるいは、ディジタル撮像信号ＤＩＸにおける欠
陥部分と擬似欠陥部分とを検出し、検出された欠陥部分
に対応する欠陥アドレスデータと検出された擬似欠陥部
分に対応する擬似欠陥アドレスデータとを内蔵するデー
タメモリ部に格納する動作、もしくは、ディジタル撮像
信号ＤＩＸにおける擬似欠陥部分を検出し、検出された
擬似欠陥部分に対応する擬似欠陥アドレスデータを内蔵
するデータメモリ部に格納する動作が行われる自己検査
動作モードを設定する。Under the circumstances, the control unit 36 forms an operation mode control section for setting the operation mode for the entire apparatus, and both the pseudo defect signal control switch 37X and the defect detection switch 37R are turned off. When the defect detection switch 3 is placed or when the pseudo defect signal control switch 37X is operated to be turned on temporarily.
When the 7R is turned off, the digital image pickup signal DI or the digital image pickup signal DIX based on the image pickup signal IP obtained from the image pickup surface forming unit in the solid-state image pickup unit 10.
Defect-corrected, and the defect-corrected digital imaging signal D
I or the normal operation mode in which the video signal DV based on the digital image pickup signal DIX is obtained at the output terminal 34 is set, the pseudo defect signal control switch 37X is turned off, and the defect detection switch 37R is operated to be temporarily turned on. In this state, the defect detecting section 35 detects a defective portion in the digital image pickup signal DI and stores defect address data corresponding to the detected defective portion in the data memory section. Further, when the pseudo defect signal control switch 37X is operated to be temporarily turned on and the defect detection switch 37R is operated to be temporarily turned on, the pseudo defect data sending unit 39 is set. To data addition section 3
Under the condition that the pseudo defect data DX is supplied to 8, the defect detecting section 35 detects a defective portion in the digital image pickup signal DI, and a data memory section containing the defective address data corresponding to the detected defective portion. Or a defective portion and a pseudo defective portion in the digital image pickup signal DIX are detected, and defective address data corresponding to the detected defective portion and pseudo defective address data corresponding to the detected pseudo defective portion are detected. An operation of storing the data in the built-in data memory unit or an operation of detecting a pseudo defect portion in the digital imaging signal DIX and storing the pseudo defect address data corresponding to the detected pseudo defect portion in the built-in data memory unit is performed. Set the self-check operation mode.

【００４９】図５は、欠陥検出部３５の具体構成の一例
を示す。この例においては、信号入力端子４０に、同期
信号発生部２７からの垂直同期信号ＳＶが供給される。
垂直同期信号ＳＶは、図６のＡに示される如く、その各
周期によって、図６のＢに示される如くに、奇数フィー
ルド期間Ｏ−Ｆと偶数フィールド期間Ｅ−Ｆとが交互に
設定されるものとされる。また、信号入力端子４１及び
４２には、タイミング信号形成部２６からの垂直方向ク
ロック信号ＣＬＶ及び水平方向クロック信号ＣＬＨが夫
々供給される。FIG. 5 shows an example of a specific configuration of the defect detecting section 35. In this example, the vertical sync signal SV from the sync signal generator 27 is supplied to the signal input terminal 40.
As shown in FIG. 6A, the vertical synchronizing signal SV is set to alternately the odd field period OF and the even field period EF in each cycle as shown in FIG. 6B. To be taken. Further, the vertical clock signal CLV and the horizontal clock signal CRH from the timing signal forming unit 26 are supplied to the signal input terminals 41 and 42, respectively.

【００５０】制御ユニット３６に設けられた欠陥検出ス
イッチ３７Ｒが操作されてオン状態をとるものとされ、
それに応じて、制御ユニット３６からリセット信号ＣＲ
Ｓ及びそれに続く欠陥検出指令信号ＣＳＴが送出される
と、その欠陥検出指令信号ＣＳＴが、信号入力端子４３
に、例えば、図６のＣに示される如くのタイミングをも
って供給される。図６のＣに示される如くにして欠陥検
出指令信号ＣＳＴが信号入力端子４３に供給される場合
には、欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給開始時点は、固体
撮像部１０における撮像面形成部から得られた撮像信号
ＩＰに基づくディジタル撮像信号ＤＩが形成され、その
ディジタル撮像信号ＤＩに基づいて形成される映像信号
ＤＶが出力端子３４に導出される動作が行われる期間で
ある、映像信号出力期間ＴＣＯ内にあるものとされる。
斯かる映像信号出力期間ＴＣＯにおいては、信号入力端
子４４に、ディジタル撮像信号ＤＩが、図６のＧに示さ
れる如くに供給される。The defect detection switch 37R provided in the control unit 36 is operated to be turned on,
In response, the reset signal CR from the control unit 36
When S and the defect detection command signal CST subsequent thereto are transmitted, the defect detection command signal CST is sent to the signal input terminal 43.
Are supplied at a timing as shown in FIG. 6C, for example. When the defect detection command signal CST is supplied to the signal input terminal 43 as shown in C of FIG. 6, the supply start time of the defect detection command signal CST is obtained from the imaging surface forming unit of the solid-state imaging unit 10. A video signal output period TCO, which is a period during which a digital image pickup signal DI is formed based on the obtained image pickup signal IP and an operation in which the video signal DV formed based on the digital image pickup signal DI is derived to the output terminal 34 is performed. It is supposed to be inside.
During the video signal output period TCO, the digital image pickup signal DI is supplied to the signal input terminal 44 as shown by G in FIG.

【００５１】信号入力端子４４に供給されるディジタル
撮像信号ＤＩは、奇数フィールド期間Ｏ−Ｆにおいて
は、撮像面形成部における奇数画素水平列の夫々を形成
する光電変換素子部１５で得られた電荷に基づくライン
期間分の撮像信号が連なって形成された奇数ラインフィ
ールド期間信号 O.L.F. とされ、また、偶数フィールド
期間Ｅ−Ｆにおいては、撮像面形成部における偶数画素
水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた
電荷に基づくライン期間分の撮像信号が連なって形成さ
れた偶数ラインフィールド期間信号 E.L.F. とされる。In the odd field period OF, the digital image pickup signal DI supplied to the signal input terminal 44 is charged by the photoelectric conversion element section 15 forming each of the odd pixel horizontal columns in the image pickup surface forming section. Is set as an odd line field period signal OLF formed by consecutive image pickup signals for the line period, and in the even field period EF, photoelectric conversion for forming each of the even pixel horizontal columns in the image pickup surface forming unit is performed. The even line field period signal ELF is formed by a series of imaging signals for line periods based on the charges obtained in the element unit 15.

【００５２】さらに、映像信号出力期間ＴＣＯにおける
欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給前にあっては、信号入力
端子４０を通じて垂直同期信号ＳＶが供給される蓄積指
令信号発生部４５に、信号入力端子４３を通じての欠陥
検出指令信号ＣＳＴの供給がなされず、それにより、蓄
積指令信号発生部４５から得られる蓄積指令信号ＣＣＯ
及びＣＣＥが、図６のＤ及びＥに夫々示される如くに、
各々が垂直同期信号ＳＶの周期の２倍の周期を有し、垂
直同期信号ＳＶに同期して交互にあらわれるパルス信号
とされる。Further, before the defect detection command signal CST is supplied during the video signal output period TCO, the accumulation command signal generator 45 to which the vertical synchronizing signal SV is supplied through the signal input terminal 40 is supplied to the storage command signal generation unit 45 via the signal input terminal 43. The defect detection command signal CST is not supplied, so that the accumulation command signal CCO obtained from the accumulation command signal generation unit 45 is obtained.
And CCE, as shown in D and E of FIG. 6, respectively,
Each of them has a period which is twice as long as that of the vertical synchronizing signal SV and is a pulse signal which appears alternately in synchronization with the vertical synchronizing signal SV.

【００５３】そして、蓄積指令信号発生部４５に、信号
入力端子４３を通じた欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給さ
れると、蓄積指令信号発生部４５は、それ以降、欠陥検
出指令信号ＣＳＴの供給開始時点後３個目の垂直同期信
号ＳＶに同期したパルス信号として蓄積指令信号ＣＣＯ
を発生させた後、予め設定された、例えば、ｎフィール
ド期間（ｎ≧６）に相当する期間ＴＣＧＯが経過するま
で、蓄積指令信号ＣＣＯを発生させず、その後、期間Ｔ
ＣＧＯが経過したとき、蓄積指令信号ＣＣＯを、垂直同
期信号ＳＶの周期の２倍の周期を有して垂直同期信号Ｓ
Ｖに同期するパルス信号として発生させ、また、欠陥検
出指令信号ＣＳＴの供給開始時点の直前に、垂直同期信
号ＳＶに同期したパルス信号として蓄積指令信号ＣＣＥ
を発生させた後、予め設定された、例えば、ｎフィール
ド期間に相当する期間ＴＣＧＥが経過するまで、蓄積指
令信号ＣＣＥを発生させず、その後、期間ＴＣＧＥが経
過したとき、蓄積指令信号ＣＣＥを、垂直同期信号ＳＶ
に同期させて発生させ、さらに、その後６フィールド期
間に相当する期間をおいて、それ以後、再び、蓄積指令
信号ＣＣＥを垂直同期信号ＳＶの周期の２倍の周期を有
して垂直同期信号ＳＶに同期するパルス信号として発生
させる。When the defect detection command signal CST is supplied to the accumulation command signal generation unit 45 through the signal input terminal 43, the accumulation command signal generation unit 45 thereafter starts the supply of the defect detection command signal CST. The storage command signal CCO is provided as a pulse signal synchronized with the third vertical synchronization signal SV.
Is generated, the storage command signal CCO is not generated until a preset time, for example, a period TCGO corresponding to an n field period (n ≧ 6) has elapsed, and then the period T
When CGO elapses, the accumulation command signal CCO has a cycle that is twice as long as that of the vertical synchronization signal SV.
The storage command signal CCE is generated as a pulse signal synchronized with V, and immediately before the start of supply of the defect detection command signal CST, as a pulse signal synchronized with the vertical synchronization signal SV.
After generation of the storage command signal CCE, a storage command signal CCE is not generated until a preset period TCGE corresponding to the n-field period elapses, and when the period TCGE elapses thereafter, the storage command signal CCE is Vertical sync signal SV
, And after a period corresponding to 6 field periods, the storage command signal CCE has a period twice that of the vertical synchronization signal SV and then the vertical synchronization signal SV is generated again. It is generated as a pulse signal synchronized with.

【００５４】図６のＤ及びＥに示される如くに、期間Ｔ
ＣＧＯにおいてはあらわれないものとされる蓄積指令信
号ＣＣＯ及び期間ＴＣＧＥにおいてはあらわれないもの
とされる蓄積指令信号ＣＣＥは、メモリ書込制御信号発
生部４６に供給されるとともにタイミング信号形成部２
６に供給される。タイミング信号形成部２６は、読出指
令信号ＣＲＯ及びＣＲＥを、夫々、蓄積指令信号ＣＣＯ
及びＣＣＥに同期して発せられるパルス列信号として送
出する。それゆえ、期間ＴＣＧＯ内においては、駆動信
号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部
への読出ゲート駆動信号φＧＯの供給がなされず、撮像
面形成部における奇数画素水平列の夫々を形成する光電
変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６へ
の読出しは行われず、また、期間ＴＣＧＥ内において
は、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮
像面形成部への、読出ゲート駆動信号φＧＥの供給がな
されず、撮像面形成部における偶数画素水平列の夫々を
形成する光電変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷
転送部１６への読出しは行われない。As shown in D and E of FIG. 6, the period T
The storage command signal CCO that does not appear in CGO and the storage command signal CCE that does not appear in the period TCGE are supplied to the memory write control signal generation unit 46 and the timing signal formation unit 2
6 is supplied. The timing signal forming unit 26 outputs the read command signals CRO and CRE to the storage command signal CCO, respectively.
And a pulse train signal generated in synchronization with CCE. Therefore, within the period TCGO, the read gate drive signal φGO is not supplied from the drive signal forming unit 25 to the image pickup surface forming unit in the solid-state image pickup unit 10, and each odd-numbered pixel horizontal column is formed in the image pickup surface forming unit. The charges obtained by the photoelectric conversion element section 15 are not read out to the vertical charge transfer section 16, and within the period TCGE, the drive signal forming section 25 transfers to the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10. The read gate drive signal φGE is not supplied, and the charges obtained in the photoelectric conversion element section 15 forming each of the even pixel horizontal columns in the imaging surface forming section are not read to the vertical charge transfer section 16.

【００５５】このようにして、期間ＴＣＧＯにあって
は、撮像面形成部における奇数画素水平列の夫々を形成
する光電変換素子部１５が電荷蓄積状態におかれ、ま
た、期間ＴＣＧＥにあっては、撮像面形成部における偶
数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５が電
荷蓄積状態におかれることになるが、期間ＴＣＧＯ及び
期間ＴＣＧＥの両者が含まれる期間においては、固体撮
像部１０の前方に配された絞り機構１２が全絞り状態を
とるものとされているので、撮像面形成部は実質的に外
光が入射しない状態におかれており、光電変換素子部１
５における外光による電荷の蓄積はなされない。Thus, in the period TCGO, the photoelectric conversion element portions 15 forming each of the odd-numbered pixel horizontal columns in the imaging surface forming portion are in the charge accumulation state, and in the period TCGE. The photoelectric conversion element portions 15 forming each of the even-numbered pixel horizontal columns in the image pickup surface forming portion are in the charge storage state, but in the period including both the period TCGO and the period TCGE, the solid-state image pickup portion 10 is included. Since the diaphragm mechanism 12 arranged in front of the image pickup device is set to the full diaphragm state, the image pickup surface forming portion is substantially in a state where external light does not enter, and the photoelectric conversion element portion 1
No charge accumulation by external light at 5 is made.

【００５６】そして、期間ＴＣＧＯの終端時点が到来す
ると、蓄積指令信号発生部４５から蓄積指令信号ＣＣＯ
が垂直同期信号ＳＶに同期してあらわれるパルス信号と
して発生せしめられ、それがタイミング信号形成部２６
に供給される。それにより、タイミング信号形成部２６
は、期間ＴＣＧＯの終端時点において読出指令信号ＣＲ
Ｏを、蓄積指令信号ＣＣＯに同期して発せられるパルス
列信号として送出する。その結果、駆動信号形成部２５
から固体撮像部１０における撮像面形成部への、読出ゲ
ート駆動信号φＧＯ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ
２、及び、水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の供給
が、期間ＴＣＧＯの終端時点において開始され、撮像面
形成部における奇数画素水平列の夫々を形成する光電変
換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への
読出し、及び、読み出された電荷の垂直電荷転送部１６
による転送及び水平電荷転送部１８による転送が、期間
ＴＣＧＯの終端時点において開始される。When the end time of the period TCGO arrives, the storage command signal generator 45 outputs the storage command signal CCO.
Is generated as a pulse signal that appears in synchronism with the vertical synchronizing signal SV, which is generated by the timing signal forming unit 26.
Is supplied to. As a result, the timing signal forming unit 26
Is the read command signal CR at the end of the period TCGO.
O is sent as a pulse train signal that is issued in synchronization with the storage command signal CCO. As a result, the drive signal forming unit 25
To the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 from the read gate drive signal φGO and the vertical transfer drive signals φV1 and φV.
2, and the supply of the horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 is started at the end of the period TCGO, and the charges obtained by the photoelectric conversion element unit 15 forming each of the odd-numbered pixel horizontal columns in the imaging surface forming unit are perpendicular to each other. Readout to the charge transfer unit 16 and vertical charge transfer unit 16 of the read charges
And the transfer by the horizontal charge transfer unit 18 are started at the end of the period TCGO.

【００５７】同様に、期間ＴＣＧＥの終端時点が到来す
ると、蓄積指令信号発生部４５から蓄積指令信号ＣＣＥ
が垂直同期信号ＳＶに同期してあらわれるパルス信号と
して発生せしめられ、それがタイミング信号形成部２６
に供給される。それにより、タイミング信号形成部２６
は、期間ＴＣＧＥの終端時点において読出指令信号ＣＲ
Ｅを、蓄積指令信号ＣＣＥに同期して発せられるパルス
列信号として送出する。その結果、駆動信号形成部２５
から固体撮像部１０における撮像面形成部への、読出ゲ
ート駆動信号φＧＥ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ
２、及び、水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の供給
が、期間ＴＣＧＥの終端時点において開始され、撮像面
形成部における偶数画素水平列の夫々を形成する光電変
換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への
読出し、及び、読み出された電荷の垂直電荷転送部１６
による転送及び水平電荷転送部１８による転送が、期間
ＴＣＧＥの終端時点において開始される。Similarly, when the end time of the period TCGE arrives, the storage command signal generator 45 outputs the storage command signal CCE.
Is generated as a pulse signal that appears in synchronism with the vertical synchronizing signal SV, which is generated by the timing signal forming unit 26.
Is supplied to. As a result, the timing signal forming unit 26
Is the read command signal CR at the end of the period TCGE.
E is sent as a pulse train signal that is issued in synchronization with the storage command signal CCE. As a result, the drive signal forming unit 25
Read drive signal φGE and vertical transfer drive signals φV1 and φV from the solid-state image pickup unit 10 to the image pickup surface forming unit.
2, and the supply of the horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 is started at the end of the period TCGE, and the vertical direction of the charges obtained in the photoelectric conversion element unit 15 forming each of the even pixel horizontal columns in the imaging surface forming unit. Readout to the charge transfer unit 16 and vertical charge transfer unit 16 of the read charges
And the transfer by the horizontal charge transfer unit 18 are started at the end of the period TCGE.

【００５８】斯かる際における撮像面形成部における光
電変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６
への読出し、及び、読み出された電荷の垂直電荷転送部
１６による転送及び水平電荷転送部１８による転送は、
撮像面形成部における撮像信号ＩＰの形成に直接的に寄
与しない領域からの電荷の読出し及び転送をも含むもの
とされ、通常の１フィールド期間より長い期間に亙って
行われる。それにより、撮像面形成部から、それらが実
質的に外光が入射しない状態におかれたもとで、期間Ｔ
ＣＧＯが経過したときにおける奇数画素水平列の夫々を
形成する光電変換素子部１５の電荷状態をあらわす撮像
信号ＩＰが得られ、また、同様にして、撮像面形成部か
ら、それらが実質的に外光が入射しない状態におかれた
もとで、期間ＴＣＧＥが経過したときにおける偶数画素
水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５の電荷状態
をあらわす撮像信号ＩＰが得られる。In this case, the vertical charge transfer unit 16 of the charges obtained in the photoelectric conversion element unit 15 in the image pickup surface forming unit
To the vertical charge transfer section 16 and the horizontal charge transfer section 18 to transfer the read charges to
It also includes reading and transfer of charges from a region that does not directly contribute to the formation of the image pickup signal IP in the image pickup plane forming unit, which is performed over a period longer than a normal one field period. Thereby, from the imaging surface forming unit, when the external light is not substantially incident on the imaging surface forming unit, the period T
An image pickup signal IP representing the charge state of the photoelectric conversion element unit 15 forming each of the odd-numbered pixel horizontal columns when CGO has elapsed is obtained, and in the same manner, the image pickup signal IP from the image pickup plane forming unit is obtained. An image pickup signal IP representing the charge state of the photoelectric conversion element unit 15 forming each of the even pixel horizontal columns when the period TCGE has elapsed is obtained under the condition that no light is incident.

【００５９】それに伴い、欠陥検出動作モードのもとに
おいては、信号入力端子４４に、そのときの撮像信号Ｉ
Ｐに基づくディジタル撮像信号ＤＩが、図６のＧに示さ
れる如くに、期間ＴＣＧＯの終端時点から開始される１
フィールド期間より長い期間である期間ＴＤＤＯにおい
て供給され、さらに、期間ＴＣＧＥの終端時点から開始
される１フィールド期間より長い期間である期間ＴＤＤ
Ｅにおいて供給される。また、自己検査動作モードのも
とにおいては、擬似欠陥データ送出部３９からデータ付
加部３８への擬似欠陥データＤＸの供給が、図６のＨに
示される如くの、期間ＴＤＤＯ内における時点ｔｏ及び
期間ＴＤＤＥ内における時点ｔｅにおいてなされ、それ
により、信号入力端子４４に、そのときの撮像信号ＩＰ
に基づくディジタル撮像信号ＤＩＸが、図６のＧに示さ
れる如くに、期間ＴＤＤＯと期間ＴＤＤＥとにおいて供
給される。Accordingly, in the defect detection operation mode, the image pickup signal I at that time is applied to the signal input terminal 44.
The digital image pickup signal DI based on P starts at the end of the period TCGO 1 as shown in G of FIG.
A period TDD that is supplied in the period TDDO that is longer than the field period and that is longer than one field period that starts from the end point of the period TCGE.
Supplied at E. Further, under the self-inspection operation mode, the pseudo defect data sending unit 39 supplies the pseudo defect data DX to the data adding unit 38 at the time points to and within the period TDDO as shown by H in FIG. This is done at the time point te in the period TDDE, so that the image pickup signal IP at that time is input to the signal input terminal 44.
The digital image pickup signal DIX based on is supplied in the period TDDO and the period TDDE as shown in G of FIG.

【００６０】蓄積指令信号発生部４５から発せられる蓄
積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥが供給されるメモリ書込制
御信号発生部４６からは、期間ＴＣＧＥの終端時点にお
いて供給される蓄積指令信号ＣＣＥ、及び、期間ＴＣＧ
Ｏの終端時点において供給される蓄積指令信号ＣＣＯに
応じて、図６のＦに示される如くの、期間ＴＣＧＥの終
端時点から２フィールド期間に亙って、及び、期間ＴＣ
ＧＯの終端時点から２フィールド期間に亙って、夫々、
高レベルをとるメモリ書込制御信号ＣＷＣが送出され
て、それが後述される欠陥データが格納されるデータメ
モリ部４７における制御端子に供給される。From the memory write control signal generator 46 to which the storage command signals CCO and CCE issued from the storage command signal generator 45 are supplied, the storage command signal CCE supplied at the end of the period TCGE and the period TCG
According to the storage command signal CCO supplied at the end of O, as shown in F of FIG. 6, over the two field periods from the end of the period TCGE, and the period TC.
Over the two-field period from the end of GO,
The memory write control signal CWC having a high level is sent out and supplied to the control terminal in the data memory unit 47 in which defective data described later is stored.

【００６１】データメモリ部４７は、メモリ書込制御信
号発生部４６から供給されるメモリ書込制御信号ＣＷＣ
が、高レベルをとるときのみデータの書込みが可能とさ
れ、それ以外のときには、データの読出し、あるいは、
データの消去が可能とされる。従って、信号入力端子４
４に、ディジタル撮像信号ＤＩもしくはディジタル撮像
信号ＤＩＸが、図６のＧに示される如くに、期間ＴＤＤ
Ｅ及び期間ＴＤＤＯにおいて供給されるもとにあって
は、データメモリ部４７がデータの書込みが可能な状態
におかれる。The data memory section 47 receives the memory write control signal CWC supplied from the memory write control signal generating section 46.
However, it is possible to write data only when it takes a high level. In other cases, data reading or
Data can be erased. Therefore, the signal input terminal 4
4, the digital image pickup signal DI or the digital image pickup signal DIX, as shown in G of FIG.
The data memory unit 47 is placed in a state in which data can be written while being supplied during the E period and the TDDO period.

【００６２】期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯにおいて信
号入力端子４４に供給されるディジタル撮像信号ＤＩも
しくはディジタル撮像信号ＤＩＸは、クランプ部５０に
おいて黒レベルが固定され、さらに、ブランキング部５
１において、固体撮像部１０の撮像面形成部における各
画素水平列を形成する光電変換素子部１５からの電荷に
基づいて得られた部分以外の部分にブランキングがかけ
られ、ディジタル撮像信号ＤＩ’もしくはディジタル撮
像信号ＤＩＸ’とされてレベル比較部５２に供給され
る。The black level of the digital image pickup signal DI or the digital image pickup signal DIX supplied to the signal input terminal 44 in the period TDDE and the period TDDO is fixed in the clamp unit 50, and the blanking unit 5 is also used.
1, blanking is applied to a portion other than the portion obtained based on the charges from the photoelectric conversion element portion 15 forming each pixel horizontal column in the image pickup surface forming portion of the solid-state image pickup portion 10, and the digital image pickup signal DI ′ Alternatively, the digital image pickup signal DIX ′ is supplied to the level comparing section 52.

【００６３】ディジタル撮像信号ＤＩ’は、絞り機構１
２が全絞り状態とされて撮像面形成部が実質的に外光が
入射しない状態におかれたもとで得られた撮像信号ＩＰ
に基づくものであるので、撮像面形成部の夫々における
画素、即ち、光電変換素子部１５が適正に動作するもと
では小なるレベルをあらわすはずである。換言すれば、
ディジタル撮像信号ＤＩ’において、比較的大なるレベ
ルをあらわす部分があれば、その部分は、撮像面形成部
における欠陥画素に起因する欠陥部分であることにな
る。それに対して、ディジタル撮像信号ＤＩＸ’は、デ
ィジタル撮像信号ＤＩに擬似欠陥データＤＸが付加され
たものがブランキング部５１を経て得られるものである
ので、撮像面形成部の夫々における画素、即ち、光電変
換素子部１５が適正に動作するもとにおいても、擬似欠
陥データＤＸに応じて大なるレベルをあらわす部分を有
している。従って、ディジタル撮像信号ＤＩＸ’におい
ては、大なるレベルをあらわす擬似欠陥データＤＸによ
る擬似欠陥部分が必ずあり、さらに、その他に比較的大
なるレベルをとる部分があれば、その部分は、撮像面形
成部における欠陥画素に起因する欠陥部分であることに
なる。The digital image pickup signal DI 'is supplied to the diaphragm mechanism 1.
2. The image pickup signal IP obtained under the condition that 2 is the full aperture state and the image pickup surface forming portion is in a state where substantially no external light enters.
Therefore, the pixel in each of the imaging surface forming units, that is, the photoelectric conversion element unit 15, should represent a small level under the proper operation. In other words,
In the digital image pickup signal DI ′, if there is a portion representing a relatively large level, that portion is a defective portion caused by a defective pixel in the image pickup surface forming portion. On the other hand, since the digital image pickup signal DIX ′ is obtained by adding the pseudo defect data DX to the digital image pickup signal DI through the blanking section 51, the pixels in each image pickup surface forming section, that is, Even when the photoelectric conversion element portion 15 operates properly, it has a portion that represents a large level according to the pseudo defect data DX. Therefore, in the digital image pickup signal DIX ′, there is always a pseudo-defect portion due to the pseudo-defect data DX representing a large level, and if there is another portion having a relatively large level, that portion is formed as an imaging plane. It is a defective portion due to a defective pixel in the part.

【００６４】レベル比較部５２には、基準レベル発生部
５３からの予め設定された基準レベルをあらわす基準レ
ベルデータＤＲが供給される。そして、レベル比較部５
２において、ディジタル撮像信号ＤＩ’もしくはディジ
タル撮像信号ＤＩＸ’があらわすレベルと基準レベルデ
ータＤＲがあらわす基準レベルとが比較され、レベル比
較部５２から、ディジタル撮像信号ＤＩ’もしくはディ
ジタル撮像信号ＤＩＸ’があらわすレベルが基準レベル
以下であるとき低レベルをあらわし、ディジタル撮像信
号ＤＩ’もしくはディジタル撮像信号ＤＩＸ’があらわ
すレベルが基準レベルを越えているとき高レベルをあら
わすレベル比較データＤＤが得られる。従って、ディジ
タル撮像信号ＤＩ’に含まれる欠陥部分、もしくは、デ
ィジタル撮像信号ＤＩＸ’に含まれる欠陥部分及び擬似
欠陥部分が、レベル比較データＤＤが高レベルをあらわ
すものとされることにより検出される。特に、ディジタ
ル撮像信号ＤＩＸ’にあっては、それに含まれる擬似欠
陥部分が必ず検出される。斯かるレベル比較部５２から
得られるレベル比較データＤＤは、メモリ動作制御部５
４に供給される。The reference level data DR representing the preset reference level from the reference level generating section 53 is supplied to the level comparing section 52. And the level comparison unit 5
In 2, the level represented by the digital image pickup signal DI ′ or the digital image pickup signal DIX ′ is compared with the reference level represented by the reference level data DR, and the level comparison section 52 shows the digital image pickup signal DI ′ or the digital image pickup signal DIX ′. When the level is equal to or lower than the reference level, a low level is obtained, and when the level represented by the digital image pickup signal DI 'or the digital image pickup signal DIX' exceeds the reference level, level comparison data DD showing a high level is obtained. Therefore, the defective portion included in the digital image pickup signal DI ′, or the defective portion and the pseudo defect portion included in the digital image pickup signal DIX ′ are detected by the level comparison data DD representing a high level. In particular, in the digital image pickup signal DIX ′, the pseudo defect portion included in it is always detected. The level comparison data DD obtained from the level comparison unit 52 is the memory operation control unit 5
4 is supplied.

【００６５】ブランキング部５１から得られるディジタ
ル撮像信号ＤＩ’もしくはディジタル撮像信号ＤＩＸ’
は、レベルデータ形成部５５にも供給される。レベルデ
ータ形成部５５においては、ディジタル撮像信号ＤＩ’
もしくはディジタル撮像信号ＤＩＸ’のレベルをあらわ
すレベルデータＤＥが形成され、それがメモリ動作制御
部５４に供給される。メモリ動作制御部５４は、レベル
比較部５２から得られるレベル比較データＤＤが高レベ
ルをあらわし、かつ、レベルデータ形成部５５からのレ
ベルデータＤＥがあらわすレベルが所定以上であると
き、データメモリ部４７に書込み状態をとらせる書込制
御信号ＣＭを供給する。なお、ディジタル撮像信号ＤＩ
Ｘ’に含まれる擬似欠陥部分は、レベルデータＤＥがあ
らわすレベルが所定以上となるように選定される。Digital image pickup signal DI 'or digital image pickup signal DIX' obtained from the blanking section 51.
Is also supplied to the level data forming unit 55. In the level data forming unit 55, the digital image pickup signal DI '
Alternatively, level data DE representing the level of the digital image pickup signal DIX ′ is formed and supplied to the memory operation control unit 54. The memory operation control unit 54, when the level comparison data DD obtained from the level comparison unit 52 represents a high level and the level represented by the level data DE from the level data formation unit 55 is equal to or higher than a predetermined level, the data memory unit 47. A write control signal CM for bringing the write state into the write state is supplied. The digital image pickup signal DI
The pseudo defect portion included in X ′ is selected so that the level represented by the level data DE is a predetermined level or higher.

【００６６】斯かる際、信号入力端子４１を通じた垂直
方向クロック信号ＣＬＶが垂直方向アドレスカウンタ
（Ｖ−アドレスカウンタ）６１に供給され、また、信号
入力端子４２を通じた水平方向クロック信号ＣＬＨが水
平方向アドレスカウンタ（Ｈ−アドレスカウンタ）６２
に供給される。さらに、Ｖ−アドレスカウンタ６１に
は、信号入力端子６３及び６４に夫々供給される、タイ
ミング信号形成部２６により蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣ
ＣＥに基づいて形成された読出指令信号ＣＲＯ及びＣＲ
Ｅが、加算部６５を通じてリセット信号として供給さ
れ、また、Ｈ−アドレスカウンタ６２には、垂直方向ク
ロック信号ＣＬＶがリセット信号として供給される。At this time, the vertical clock signal CLV from the signal input terminal 41 is supplied to the vertical address counter (V-address counter) 61, and the horizontal clock signal CLH from the signal input terminal 42 is in the horizontal direction. Address counter (H-address counter) 62
Is supplied to. Further, the V-address counter 61 is supplied to the signal input terminals 63 and 64, respectively, by the timing signal forming unit 26, and the storage command signals CCO and C
Read command signals CRO and CR formed based on CE
E is supplied as a reset signal through the adder 65, and the vertical clock signal CLV is supplied to the H-address counter 62 as a reset signal.

【００６７】それにより、Ｖ−アドレスカウンタ６１
は、読出指令信号ＣＲＯ及びＣＲＥの到来毎に計数値が
リセットされるもとで、奇数フィールド期間及び偶数フ
ィールド期間の夫々において垂直方向クロック信号ＣＬ
Ｖを計数し、計数データＤＡＶを送出する。また、Ｈ−
アドレスカウンタ６２は、垂直方向クロック信号ＣＬＶ
の到来毎に計数値がリセットされるもとで、水平方向ク
ロック信号ＣＬＨを計数して、計数データＤＡＨを送出
する。従って、Ｖ−アドレスカウンタ６１から得られる
計数データＤＡＶの内容は、固体撮像部１０の撮像面形
成部における垂直電荷転送部１６による電荷転送に同期
して変化し、また、Ｈ−アドレスカウンタ６２から得ら
れる計数データＤＡＨの内容は、固体撮像部１０の撮像
面形成部における水平電荷転送部１８による電荷転送に
同期して変化するものとされる。As a result, the V-address counter 61
The vertical direction clock signal CL is generated in each of the odd field period and the even field period while the count value is reset each time the read command signals CRO and CRE arrive.
V is counted and count data DAV is sent out. Also, H-
The address counter 62 has a vertical clock signal CLV.
, The horizontal direction clock signal CLH is counted and the count data DAH is transmitted. Therefore, the content of the count data DAV obtained from the V-address counter 61 changes in synchronization with the charge transfer by the vertical charge transfer unit 16 in the imaging surface forming unit of the solid-state imaging unit 10, and from the H-address counter 62. The content of the obtained count data DAH is supposed to change in synchronization with the charge transfer by the horizontal charge transfer section 18 in the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10.

【００６８】それゆえ、Ｖ−アドレスカウンタ６１から
得られる計数データＤＡＶの内容は、撮像面形成部から
撮像信号ＩＰが得られるとき、撮像面形成部における、
そのとき得られている撮像信号ＩＰを形成するものとさ
れた電荷を提供した画素、即ち、光電変換素子部１５が
属する画素水平列を特定する垂直方向アドレスＡＶをあ
らわし、また、Ｈ−アドレスカウンタ６２から得られる
計数データＤＡＨの内容は、撮像面形成部から撮像信号
ＩＰが得られるとき、撮像面形成部における、そのとき
得られている撮像信号ＩＰを形成するものとされた電荷
を提供した画素、即ち、光電変換素子部１５のそれが属
する画素水平列内における位置を特定する水平方向アド
レスＡＨをあらわすものとされる。Therefore, the content of the count data DAV obtained from the V-address counter 61 is such that when the image pickup signal IP is obtained from the image pickup surface forming unit,
A vertical address AV that identifies the pixel that has provided the electric charge that is determined to form the image pickup signal IP obtained at that time, that is, the pixel horizontal column to which the photoelectric conversion element unit 15 belongs, and the H-address counter The content of the count data DAH obtained from 62 provided the electric charge that was supposed to form the image pickup signal IP obtained at that time in the image pickup surface formation unit when the image pickup signal IP was obtained from the image pickup surface formation unit. It represents a pixel, that is, a horizontal address AH that specifies the position of the photoelectric conversion element unit 15 in the pixel horizontal column to which it belongs.

【００６９】従って、期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯに
おいて、レベル比較部５２からのレベル比較データＤＤ
が高レベルをあらわすものとされて、ディジタル撮像信
号ＤＩ’に含まれた欠陥部分、もしくは、ディジタル撮
像信号ＤＩＸ’に含まれた欠陥部分及び擬似欠陥部分が
検出されたときには、そのときＶ−アドレスカウンタ６
１から得られている計数データＤＡＶがあらわす垂直方
向アドレスＡＶが、検出された欠陥部分の原因をなす撮
像面形成部における欠陥画素、もしくは、検出された擬
似欠陥部分に対応する撮像面形成部における擬似欠陥画
素が属する画素水平列を特定しており、また、そのとき
Ｈ−アドレスカウンタ６２から得られている計数データ
ＤＡＨがあらわす水平方向アドレスＡＨが、検出された
欠陥部分の原因をなす撮像面形成部における欠陥画素、
もしくは、検出された擬似欠陥部分に対応する撮像面形
成部における擬似欠陥画素のそれが属する画素水平列内
における位置を特定している。従って、斯かる際には、
計数データＤＡＶ及び計数データＤＡＨが、撮像面形成
部についての欠陥アドレスデータもしくは擬似欠陥アド
レスデータを形成していることになる。Therefore, during the period TDDE and the period TDDO, the level comparison data DD from the level comparing section 52 is obtained.
Represents a high level, and a defective portion included in the digital image pickup signal DI ′, or a defective portion and a pseudo defect portion included in the digital image pickup signal DIX ′ is detected, the V-address at that time is detected. Counter 6
The vertical address AV represented by the count data DAV obtained from 1 is the defective pixel in the image pickup surface forming portion that causes the detected defect portion or the image pickup surface forming portion corresponding to the detected pseudo defect portion. The pixel horizontal row to which the pseudo defective pixel belongs is specified, and the horizontal direction address AH represented by the count data DAH obtained from the H-address counter 62 at that time is the image pickup surface that causes the detected defective portion. Defective pixel in the forming part,
Alternatively, the position of the pseudo defective pixel in the imaging surface forming portion corresponding to the detected pseudo defective portion in the horizontal pixel row to which the pseudo defective pixel belongs is specified. Therefore, in such a case,
The count data DAV and the count data DAH form defect address data or pseudo defect address data for the imaging surface forming unit.

【００７０】このようにしてＶ−アドレスカウンタ６１
から送出される計数データＤＡＶ及びＨ−アドレスカウ
ンタ６２から送出される計数データＤＡＨは、前述の如
くに、擬似欠陥データ送出部３９に供給されるととも
に、データメモリ部４７に供給される。そして、データ
メモリ部４７においては、Ｖ−アドレスカウンタ６１か
ら送出される計数データＤＡＶ及びＨ−アドレスカウン
タ６２から送出される計数データＤＡＨが、メモリ動作
制御部５４から供給される書込制御信号ＣＭに応じて、
欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとして書き込まれて格
納される。In this way, the V-address counter 61
The count data DAV sent from the H-address counter 62 and the count data DAV sent from the H-address counter 62 are supplied to the pseudo defect data sending unit 39 and the data memory unit 47 as described above. Then, in the data memory unit 47, the count data DAV sent from the V-address counter 61 and the count data DAH sent from the H-address counter 62 are supplied with the write control signal CM supplied from the memory operation control unit 54. In response to the,
The defect data DAVR and DAHR are written and stored.

【００７１】メモリ動作制御部５４からデータメモリ部
４７への書込制御信号ＣＭの供給は、レベル比較部５２
から得られるレベル比較データＤＤが高レベルをあらわ
し、かつ、レベルデータ形成部５５からのレベルデータ
ＤＥがあらわすレベルが所定以上であるときなされるの
で、データメモリ部４７には、ディジタル撮像信号Ｄ
Ｉ’もしくはディジタル撮像信号ＤＩＸ’における欠陥
部分であって所定以上のレベルのものの原因をなす撮像
面形成部における欠陥画素を特定する垂直方向アドレス
ＡＶ及び水平方向アドレスＡＨをあらわし、欠陥アドレ
スデータを形成する計数データＤＡＶ及び計数データＤ
ＡＨが、欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとして格納さ
れ、また、ディジタル撮像信号ＤＩＸ’における擬似欠
陥部分に対応する撮像面形成部における擬似欠陥画素を
特定する垂直方向アドレスＡＶ及び水平方向アドレスＡ
Ｈをあらわし、擬似欠陥アドレスデータを形成する計数
データＤＡＶ及び計数データＤＡＨが、欠陥データＤＡ
ＶＲ及びＤＡＨＲとして格納されることになる。The write operation control signal CM is supplied from the memory operation control section 54 to the data memory section 47 in the level comparison section 52.
This is done when the level comparison data DD obtained from the high level and the level represented by the level data DE from the level data forming section 55 is equal to or higher than a predetermined level.
I'or the vertical address AV and the horizontal address AH for identifying the defective pixel in the image plane forming portion which is the cause of the defective portion in the digital image pickup signal DIX 'and has a predetermined level or more, and forms defective address data. Count data DAV and count data D
AH is stored as the defect data DAVR and DAHR, and the vertical direction address AV and the horizontal direction address A for identifying the pseudo defective pixel in the image pickup plane forming portion corresponding to the pseudo defective portion in the digital image pickup signal DIX ′.
The count data DAV and the count data DAH that represent H and represent pseudo defect address data are the defect data DA.
It will be stored as VR and DAHR.

【００７２】期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯが経過する
と、メモリ書込制御信号発生部４６からのメモリ書込制
御信号ＣＷＣが供給される検出終了信号発生部６９か
ら、図６のＩに示される如くの、メモリ書込制御信号Ｃ
ＷＣの後縁時点に応じて形成される検出終了信号ＣＥが
得られ、その検出終了信号ＣＥが制御ユニット３６に供
給される。それにより、制御ユニット３６は、図６のＣ
に示される如くに、欠陥検出指令信号ＣＳＴの送出を検
出終了信号ＣＥの前縁時点以降の時点において停止させ
る。そして、検出終了信号ＣＥの前縁時点において、欠
陥検出部３５による欠陥検出動作、即ち、ディジタル撮
像信号ＤＩ’における欠陥部分、もしくは、ディジタル
撮像信号ＤＩＸ’における欠陥部分及び擬似欠陥部分を
検出し、検出された欠陥部分の原因をなしている固体撮
像部１０の撮像面形成部における欠陥画素を特定する欠
陥アドレスデータ、もしくは、検出された欠陥部分の原
因をなしている固体撮像部１０の撮像面形成部における
欠陥画素を特定する欠陥アドレスデータ及び検出された
擬似欠陥部分に対応する固体撮像部１０の撮像面形成部
における擬似欠陥画素を特定する擬似欠陥アドレスデー
タをデータメモリ部４７に格納する動作が完了し、それ
に伴い、欠陥検出動作モードもしくは自己検査動作モー
ドが解除されて、その後、例えば、ノーマル動作モード
がとられて映像信号出力期間ＴＣＯに戻る。When the period TDDE and the period TDDO have elapsed, the detection end signal generator 69, which is supplied with the memory write control signal CWC from the memory write control signal generator 46, outputs a signal as shown by I in FIG. Memory write control signal C
The detection end signal CE formed according to the trailing edge of WC is obtained, and the detection end signal CE is supplied to the control unit 36. As a result, the control unit 36 moves to C of FIG.
As shown in, the transmission of the defect detection command signal CST is stopped at a time point after the leading edge time point of the detection end signal CE. Then, at the leading edge of the detection end signal CE, a defect detection operation by the defect detection unit 35, that is, a defect portion in the digital image pickup signal DI ′, or a defect portion and a pseudo defect portion in the digital image pickup signal DIX ′ is detected, Defect address data for specifying a defective pixel in the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 that causes the detected defect portion, or an image pickup surface of the solid-state image pickup unit 10 that causes the detected defect portion Operation of storing in the data memory unit 47 defective address data for specifying a defective pixel in the forming portion and pseudo defect address data for specifying a pseudo defective pixel in the image pickup surface forming portion of the solid-state image pickup portion 10 corresponding to the detected pseudo defective portion. Is completed, the defect detection operation mode or self-inspection operation mode is released accordingly, and then For example, return to the video signal output period TCO taken the normal operation mode.

【００７３】欠陥検出動作が完了した欠陥検出部３５に
あっては、その後の映像信号出力期間ＴＣＯにおいて、
データメモリ部４７から、そこに格納された欠陥データ
ＤＡＶＲ及びＤＡＨＲが読み出され、読み出された欠陥
データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲが、垂直方向アドレス比較
部（Ｖ−アドレス比較部）７０及び水平方向アドレス比
較部（Ｈ−アドレス比較部）７１に夫々供給されてラッ
チされる。In the defect detecting section 35 for which the defect detecting operation has been completed, in the subsequent video signal output period TCO,
The defective data DAVR and DAHR stored therein are read from the data memory unit 47, and the read defective data DAVR and DAHR are read in the vertical direction address comparison unit (V-address comparison unit) 70 and horizontal direction address comparison. Are supplied to the respective units (H-address comparison unit) 71 and latched.

【００７４】Ｖ−アドレス比較部７０には、Ｖ−アドレ
スカウンタ６１からの計数データＤＡＶが供給される。
そして、Ｖ−アドレスカウンタ６１からの計数データＤ
ＡＶがあらわす垂直方向アドレスデータＡＶがＶ−アド
レス比較部７０にラッチされた欠陥データＤＡＶＲがあ
らわす垂直方向アドレスＡＶと一致するとき、Ｖ−アド
レス比較部７０から、高レベルをとる比較出力信号ＣＶ
Ｒが得られて、アンド回路７２の一方の入力端に供給さ
れる。The count data DAV from the V-address counter 61 is supplied to the V-address comparison unit 70.
Then, the count data D from the V-address counter 61
When the vertical address data AV represented by AV coincides with the vertical address AV represented by the defective data DAVR latched in the V-address comparison unit 70, the comparison output signal CV which takes a high level from the V-address comparison unit 70.
R is obtained and supplied to one input terminal of the AND circuit 72.

【００７５】また、Ｈ−アドレス比較部７１には、Ｈ−
アドレスカウンタ６２からの計数データＤＡＨが供給さ
れる。そして、Ｈ−アドレスカウンタ６２からの計数デ
ータＤＡＨがあらわす水平方向アドレスデータＡＨがＨ
−アドレス比較部７１にラッチされた欠陥データＤＡＨ
Ｒがあらわす水平方向アドレスＡＨと一致するとき、Ｈ
−アドレス比較部７１から、高レベルをとる比較出力信
号ＣＨＲが得られて、アンド回路７２の他方の入力端に
供給される。In addition, the H-address comparison unit 71 has an H-
Count data DAH from the address counter 62 is supplied. The horizontal address data AH represented by the count data DAH from the H-address counter 62 is H.
-Defective data DAH latched in the address comparison unit 71
When it matches the horizontal address AH represented by R, H
A high-level comparison output signal CHR is obtained from the address comparison unit 71 and supplied to the other input terminal of the AND circuit 72.

【００７６】アンド回路７２からは、比較出力信号ＣＶ
Ｒと比較出力信号ＣＨＲとの両者が高レベルをとるもの
となるとき、欠陥補正指示信号ＣＤが得られ、それが欠
陥補正部３２に供給される。斯かるもとで、Ｖ−アドレ
ス比較部７０，Ｈ−アドレス比較部７１及びアンド回路
７２を含む回路ブロック部分により、制御信号形成部が
構成されている。The comparison output signal CV is output from the AND circuit 72.
When both R and the comparison output signal CHR have a high level, the defect correction instruction signal CD is obtained and supplied to the defect correction section 32. Under these circumstances, the control signal forming unit is configured by the circuit block portion including the V-address comparing unit 70, the H-address comparing unit 71, and the AND circuit 72.

【００７７】図７は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及
び補正装置の他の例の部分を、それが適用されたビデオ
カメラが備える固体撮像部と共に示す。この図７に示さ
れる本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置の他の
例は、図１に示される例において、データ付加部３８に
代えて、固体撮像部１０とサンプリング・ホールド部３
０との間にパルス付加部７５が配され、また、擬似欠陥
データ送出部３９に代えて、所定の条件のもとで、パル
ス付加部７５に擬似欠陥信号である擬似欠陥パルスＰＸ
を供給する擬似欠陥パルス送出部７６が配されたものに
相当するものとされ、その他の構成は図１に示される例
と同様とされる。FIG. 7 shows a portion of another example of the image pickup signal defect detection and correction device according to the present invention, together with a solid-state image pickup portion included in a video camera to which the image pickup signal defect detection and correction device is applied. Another example of the imaging signal defect detection and correction apparatus according to the present invention shown in FIG. 7 is the same as the example shown in FIG. 1, except that the data addition section 38 is replaced by the solid-state imaging section 10 and the sampling and holding section 3.
The pulse adding section 75 is arranged between the pulse adding section 75 and the pulse adder 0, and instead of the pseudo defect data transmitting section 39, a pseudo defect pulse PX which is a pseudo defect signal is sent to the pulse adding section 75 under a predetermined condition.
The pseudo-defective pulse sending unit 76 for supplying the signal is provided, and other configurations are similar to those of the example shown in FIG.

【００７８】パルス付加部７５には、固体撮像部１０か
ら得られる撮像信号ＩＰが供給され、また、擬似欠陥パ
ルス送出部７６には、制御ユニット３６からの制御信号
ＣＥＸ及び欠陥検出部３５からの計数データＤＡＶ及び
ＤＡＨが供給される。そして、欠陥検出部３５からの計
数データＤＡＶ及びＤＡＨに加えて、制御ユニット３６
からの制御信号ＣＥＸが供給される状態におかれた擬似
欠陥パルス送出部７６は、予め設定された、計数データ
ＤＡＶ及びＤＡＨに応じて定められるタイミングにおい
て、固体撮像部１０の撮像面形成部が欠陥画素を含むと
きその欠陥画素に起因して生じる撮像信号ＩＰにおける
欠陥部分に相当するものとされる擬似欠陥パルスＰＸを
送出し、その擬似欠陥パルスＰＸをパルス付加部７５に
供給する。The pulse adding section 75 is supplied with the image pickup signal IP obtained from the solid-state image pickup section 10, and the pseudo defect pulse sending section 76 is supplied with the control signal CEX from the control unit 36 and the defect detecting section 35. Count data DAV and DAH are supplied. Then, in addition to the count data DAV and DAH from the defect detection unit 35, the control unit 36
The pseudo defect pulse sending unit 76 in a state in which the control signal CEX from is supplied to the solid-state image pickup unit 10 at the timing determined according to the preset count data DAV and DAH. When a defective pixel is included, a pseudo defect pulse PX corresponding to the defective portion in the image pickup signal IP generated due to the defective pixel is transmitted, and the pseudo defect pulse PX is supplied to the pulse adding section 75.

【００７９】パルス付加部７５にあっては、所定の条件
のもとになく、擬似欠陥パルス送出部７６からの擬似欠
陥パルスＰＸの供給がなされないときには、固体撮像部
１０からの撮像信号ＩＰがそのまま通過し、また、擬似
欠陥パルス送出部７６からの擬似欠陥パルスＰＸの供給
がなされる所定の条件のもとにあっては、固体撮像部１
０からの撮像信号ＩＰに擬似欠陥パルスＰＸが、例え
ば、撮像信号ＩＰの一部が擬似欠陥パルスＰＸによって
置き換えられることによって付加され、擬似欠陥パルス
ＰＸが付加された撮像信号ＩＰＸが形成される。撮像信
号ＩＰに対しての、その一部が擬似欠陥パルスＰＸによ
って置き換えられることによる擬似欠陥パルスＰＸの付
加は、撮像信号ＩＰに擬似欠陥パルスＰＸによる擬似欠
陥部分を生じさせ、従って、擬似欠陥パルスＰＸが付加
された撮像信号ＩＰＸは、擬似欠陥パルスＰＸによる擬
似欠陥部分を含むものとされる。In the pulse adding section 75, when the pseudo defect pulse PX is not supplied from the pseudo defect pulse sending section 76 under the predetermined condition, the image pickup signal IP from the solid-state image pickup section 10 is output. Under the predetermined condition that the pseudo defect pulse PX is supplied from the pseudo defect pulse sending unit 76, the solid-state imaging unit 1
The pseudo defect pulse PX is added to the image pickup signal IP from 0, for example, by replacing a part of the image pickup signal IP with the pseudo defect pulse PX to form the image pickup signal IPX to which the pseudo defect pulse PX is added. The addition of the pseudo defect pulse PX to the image pickup signal IP by replacing a part thereof with the pseudo defect pulse PX causes a pseudo defect portion due to the pseudo defect pulse PX in the image pickup signal IP, and thus the pseudo defect pulse. The imaging signal IPX added with PX is assumed to include a pseudo defect portion due to the pseudo defect pulse PX.

【００８０】パルス付加部７５から得られる撮像信号Ｉ
Ｐ、もしくは、擬似欠陥パルスＰＸが付加された撮像信
号ＩＰＸが、サンプリング・ホールド部３０に供給され
る。サンプリング・ホールド部３０においては、撮像信
号ＩＰもしくは撮像信号ＩＰＸに対する所定の短周期毎
のレベル・サンプリング及びサンプル・レベルの保持が
行われてサンプリング・ホールド出力信号ＳＩもしくは
ＳＩＸが得られ、それがＡ／Ｄ変換部３１に供給され
る。Ａ／Ｄ変換部３１においては、サンプリング・ホー
ルド出力信号ＳＩもしくはＳＩＸに基づいての撮像信号
ＩＰもしくは撮像信号ＩＰＸのディジタル化が図られ、
Ａ／Ｄ変換部３１から、撮像信号ＩＰもしくは撮像信号
ＩＰＸに対応するディジタル撮像信号ＤＩもしくはＤＩ
Ｘが得られて、それが欠陥補正部３２及び欠陥検出部３
５に供給される。Imaging signal I obtained from the pulse adding section 75
The image pickup signal IPX to which P or the pseudo defect pulse PX is added is supplied to the sampling and holding unit 30. The sampling / holding unit 30 performs level sampling and holding of the sampling level for each predetermined short cycle with respect to the image pickup signal IP or the image pickup signal IPX to obtain a sampling hold output signal SI or SIX, which is A It is supplied to the / D conversion unit 31. In the A / D converter 31, the image pickup signal IP or the image pickup signal IPX is digitized based on the sampling / holding output signal SI or SIX.
From the A / D converter 31, the digital image pickup signal DI or DI corresponding to the image pickup signal IP or the image pickup signal IPX
X is obtained, which is the defect correction unit 32 and the defect detection unit 3.
5 is supplied.

【００８１】このようにして、Ａ／Ｄ変換部３１から得
られるディジタル撮像信号ＤＩもしくはＤＩＸは、図１
の例においてデータ付加部３８から得られるディジタル
撮像信号ＤＩもしくはＤＩＸと実質的に同様なものであ
る。そして、他の動作は、図１の例における動作と同様
である。In this way, the digital image pickup signal DI or DIX obtained from the A / D converter 31 is obtained as shown in FIG.
In this example, the digital image pickup signal DI or DIX obtained from the data adding section 38 is substantially the same. Then, other operations are similar to those in the example of FIG.

【００８２】上述の図１及び図７に夫々示される例にお
いては、欠陥検出部３５による、ディジタル撮像信号Ｄ
Ｉ’における欠陥部分を検出し、検出された欠陥部分の
原因をなしている固体撮像部１０の撮像面形成部におけ
る欠陥画素を特定する欠陥アドレスデータを、欠陥デー
タとしてデータメモリ部４７に格納する動作が、絞り機
構１２が全絞り状態とされて、固体撮像部１０の撮像面
形成部が実質的に外光が入射しない状態におかれたもと
で行われていて、撮像面形成部における、外光を受けな
いもとにおいても比較的大量の電荷を蓄積して送出する
という動作不良を生じる欠陥画素に関しての検出とそれ
に起因する撮像信号の欠陥部分の補正が行われている。
しかしながら、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正
装置は、斯かる例に限られるものではなく、例えば、欠
陥検出部３５による、ディジタル撮像信号ＤＩ’におけ
る欠陥部分を検出し、検出された欠陥部分の原因をなし
ている固体撮像部１０の撮像面形成部における欠陥画素
を特定する欠陥アドレスデータを、欠陥データとしてデ
ータメモリ部４７に格納する動作が、固体撮像部１０の
撮像面形成部が、その有効領域の全体に亙って外光が略
均一に入射する状態におかれたもとで行われるようにさ
れ、撮像面形成部における、外光を受けたもとにおいて
も適正量の電荷を蓄積しないという動作不良を生じる欠
陥画素に関しての検出とそれに起因する撮像信号の欠陥
部分の補正を行うことができるものとされてもよい。In the examples shown in FIGS. 1 and 7, respectively, the digital image pickup signal D generated by the defect detection section 35 is used.
Defect address data that detects a defective portion in I ′ and specifies a defective pixel in the imaging surface forming portion of the solid-state imaging portion 10 that causes the detected defective portion is stored in the data memory unit 47 as defective data. The operation is performed under the condition that the diaphragm mechanism 12 is in the full diaphragm state and the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10 is substantially free from the incidence of external light. The detection of a defective pixel that causes a malfunction in which a relatively large amount of charge is stored and transmitted even without receiving light and the correction of the defective portion of the image pickup signal caused by the defective pixel are performed.
However, the image pickup signal defect detection and correction apparatus according to the present invention is not limited to such an example, and for example, the defect detection unit 35 detects a defect portion in the digital image pickup signal DI ′ and detects the detected defect portion. The operation of storing defective address data that specifies defective pixels in the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 that causes the above as defective data in the data memory unit 47 is performed by the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10. It is performed under the condition that the outside light is incident on the entire effective area substantially uniformly, and it is said that an appropriate amount of electric charge is not accumulated even when the outside light is received in the imaging surface forming portion. It may be configured to be able to detect a defective pixel that causes a malfunction and correct a defective portion of an image pickup signal caused by the defective pixel.

【００８３】[0083]

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明に
係る撮像信号欠陥検出及び補正装置にあっては、撮像部
からの撮像信号に擬似欠陥部分を生じさせる動作が特定
の条件のもとで行われ、その際には、信号欠陥検出部に
より、撮像信号が欠陥部分を含むときにはその欠陥部分
と擬似欠陥部分とが、また、撮像信号が欠陥部分を含ま
ないときには擬似欠陥部分が検出されて、検出された欠
陥部分に対応する欠陥アドレスデータと検出された擬似
欠陥部分に対応する擬似欠陥アドレスデータとが、もし
くは、検出された擬似欠陥部分に対応する擬似欠陥アド
レスデータがデータメモリ手段に格納され、その後、デ
ータメモリ手段から読み出された欠陥アドレスデータと
擬似欠陥アドレスデータとに基づいて、もしくは、デー
タメモリ手段から読み出された擬似欠陥アドレスデータ
に基づいて、撮像信号に対する欠陥補正部に欠陥補正動
作制御信号が送出される。As is apparent from the above description, in the image pickup signal defect detection and correction apparatus according to the present invention, the operation of causing a pseudo defect portion in the image pickup signal from the image pickup section is performed under a specific condition. In that case, when the image pickup signal includes a defective portion, the signal defect detection unit detects the defective portion and the pseudo defective portion, and when the image pickup signal does not include the defective portion, the pseudo defective portion is detected. The defective address data corresponding to the detected defective portion and the pseudo defective address data corresponding to the detected pseudo defective portion, or the pseudo defective address data corresponding to the detected false defective portion is stored in the data memory means. Based on the defect address data and the pseudo defect address data stored and then read from the data memory means, or from the data memory means Based on the Desa see pseudo defect address data, the defect correcting operation control signal is sent to the defect correction unit for image signal.

【００８４】それにより、装置が適正な動作を行う状態
にある場合には、撮像部が備える撮像面形成部が欠陥画
素を含むものであって撮像信号が欠陥部分を含むとき、
及び、撮像部が無欠陥撮像面形成部を備えていて撮像信
号が欠陥部分を含まないときのいずれにあっても、特定
の条件のもとにおいて、少なくとも、信号欠陥検出部に
よる擬似欠陥部分の検出及び擬似欠陥アドレスデータの
データメモリ手段への格納等が行われ、従って、特定の
条件のもとにおいても、これらの動作が行われない場合
には、装置が適正な動作を行う状態にないことになる。
これよりして、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正
装置によれば、無欠陥撮像面形成部を備えた撮像部に適
用された場合においても、適正な動作を行う状態にある
か否かの確認を必要に応じて的確に行うことができるこ
とになる。As a result, when the device is in a state of performing an appropriate operation, when the image pickup surface forming unit included in the image pickup unit includes defective pixels and the image pickup signal includes a defective portion,
In any case where the image pickup unit includes the defect-free image pickup surface forming unit and the image pickup signal does not include a defective portion, under certain conditions, at least the pseudo-defect portion of the signal defect detection unit The detection and the storage of the pseudo defect address data in the data memory means are performed. Therefore, if these operations are not performed even under a specific condition, the device is not in a state of performing an appropriate operation. It will be.
Therefore, according to the image pickup signal defect detection and correction device of the present invention, whether or not it is in a state of performing an appropriate operation even when applied to an image pickup unit including a defect-free image pickup surface forming unit Therefore, it is possible to accurately check the item as required.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置の
一例をそれが適用されたビデオカメラが備える固体撮像
部，光学系等と共に示すブロック構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing an example of an image pickup signal defect detection and correction device according to the present invention together with a solid-state image pickup unit, an optical system, and the like included in a video camera to which the image pickup signal defect detection and correction device is applied.

【図２】図１に示される例が適用される固体撮像部にお
ける撮像面形成部の説明に供される概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram provided for explaining an imaging surface forming unit in a solid-state imaging unit to which the example shown in FIG. 1 is applied.

【図３】図１に示される例が適用される固体撮像部の動
作説明に供されるタイムーチャートである。FIG. 3 is a time chart used for explaining the operation of the solid-state imaging unit to which the example shown in FIG. 1 is applied.

【図４】図１に示される例が適用される固体撮像部の動
作説明に供されるタイムーチャートである。FIG. 4 is a time chart used for explaining the operation of the solid-state imaging unit to which the example shown in FIG. 1 is applied.

【図５】図１に示される例における欠陥検出部の具体構
成例を示すブロック構成図である。5 is a block configuration diagram showing a specific configuration example of a defect detection unit in the example shown in FIG.

【図６】図５に示される欠陥検出部の具体構成例の動作
説明に供されるタイムーチャートである。FIG. 6 is a time chart used to explain the operation of a specific configuration example of the defect detection unit shown in FIG.

【図７】本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置の
他の例の部分をそれが適用されたビデオカメラが備える
固体撮像部と共に示すブロック構成図である。FIG. 7 is a block diagram showing a portion of another example of the image pickup signal defect detection and correction device according to the present invention, together with a solid-state image pickup portion included in a video camera to which the image pickup signal defect detection and correction device is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 固体撮像部 １１ レンズ・システム １２ 絞り機構 １３ 半導体基体 １５ 光電変換素子部 １６ 垂直電荷転送部 １７ 電荷読出ゲート部 １８ 水平電荷転送部 １９ 電荷出力部 ２０ 出力端子 ２５ 駆動信号形成部 ２６ タイミング信号形成部 ２７ 同期信号発生部 ３０ サンプリング・ホールド部 ３１ Ａ／Ｄ変換部 ３２ 欠陥補正部 ３３ 信号処理部 ３５ 欠陥検出部 ３６ 制御ユニット ３７Ｒ 欠陥検出スイッチ ３７Ｘ 擬似欠陥信号制御スイッチ ３８ データ付加部 ３９ 擬似欠陥データ送出部 ４５ 蓄積指令信号発生部 ４６ メモリ書込制御信号発生部 ４７ データメモリ部 ５２ レベル比較部 ５３ 基準レベル発生部 ５４ メモリ動作制御部 ５５ レベルデータ形成部 ６１ Ｖ−アドレスカウンタ ６２ Ｈ−アドレスカウンタ ６９ 検出終了信号発生部 ７０ Ｖ−アドレス比較部 ７１ Ｈ−アドレス比較部 ７２ アンド回路 ７５ パルス付加部 ７６ 擬似欠陥パルス送出部 Reference Signs List 10 solid-state imaging unit 11 lens system 12 diaphragm mechanism 13 semiconductor substrate 15 photoelectric conversion element unit 16 vertical charge transfer unit 17 charge read gate unit 18 horizontal charge transfer unit 19 charge output unit 20 output terminal 25 drive signal formation unit 26 timing signal formation Part 27 Synchronous signal generation part 30 Sampling and holding part 31 A / D conversion part 32 Defect correction part 33 Signal processing part 35 Defect detection part 36 Control unit 37R Defect detection switch 37X Pseudo defect signal control switch 38 Data addition part 39 Pseudo defect data Sending unit 45 Storage command signal generating unit 46 Memory writing control signal generating unit 47 Data memory unit 52 Level comparing unit 53 Reference level generating unit 54 Memory operation control unit 55 Level data forming unit 61 V-address counter 62 H-address counter 69 Detection end signal Generator 70 V- address comparison unit 71 H- address comparator 72 and the circuit 75 the pulse adding section 76 nuisance pulsing unit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】複数の画素が配列配置されて成る撮像面形
成部に投影される画像に基づく撮像信号が得られる撮像
部からの上記撮像信号に、上記撮像面形成部に欠陥画素
があるとき上記撮像信号に含まれる上記欠陥画素からの
出力信号に基づく欠陥部分と同等の擬似欠陥部分を、選
択的に生じさせる擬似欠陥部分付加部と、 上記撮像部からの撮像信号に含まれた上記欠陥部分もし
くは上記擬似欠陥部分を検出する信号欠陥検出部と、 該信号欠陥検出部により上記欠陥部分もしくは上記擬似
欠陥部分が検出されるとき、上記撮像面形成部における
各画素を特定するアドレスデータのうちの、上記欠陥部
分の原因をなす欠陥画素に対応するものとされる欠陥ア
ドレスデータ、もしくは、上記擬似欠陥部分が実際の欠
陥部分であるとしたとき該実際の欠陥部分の原因をなす
ことになる画素に対応するものとされる擬似欠陥アドレ
スデータを格納するデータメモリ手段と、 該データメモリ手段における上記欠陥アドレスデータも
しくは上記擬似欠陥アドレスデータの格納状態について
の制御を行うメモリ動作制御部と、 上記データメモリ手段から読み出された上記欠陥アドレ
スデータもしくは上記擬似欠陥アドレスデータに基づい
て、上記撮像信号に対する欠陥補正部に欠陥補正動作制
御信号を送出する制御信号形成部と、を備えて構成され
る撮像信号欠陥検出及び補正装置。1. When a defective pixel is present in the image pickup surface forming unit in the image pickup signal from the image pickup unit which obtains an image pickup signal based on an image projected on an image pickup surface forming unit formed by arranging a plurality of pixels. A pseudo-defect portion adding unit that selectively causes a pseudo-defect portion equivalent to a defect portion based on an output signal from the defective pixel included in the image pickup signal, and the defect included in the image pickup signal from the image pickup unit. A signal defect detecting section that detects a portion or the pseudo defect portion; and address data that specifies each pixel in the imaging surface forming section when the signal defect detecting section detects the defect portion or the pseudo defect portion. Of the defective address data that corresponds to the defective pixel that causes the defective portion, or when the pseudo defective portion is an actual defective portion. Data memory means for storing pseudo-defect address data corresponding to a pixel which will cause a defective portion, and control for the storage state of the defect address data or the pseudo-defect address data in the data memory means And a control signal formation for sending a defect correction operation control signal to the defect correction unit for the image pickup signal based on the defect address data or the pseudo defect address data read from the data memory means. And an image pickup signal defect detecting and correcting device. 【請求項２】擬似欠陥部分付加部が、特定の条件のもと
で、撮像部からの撮像信号に、上記撮像部の撮像面形成
部における欠陥画素からの出力信号に相当する擬似欠陥
信号を付加することを特徴とする請求項１記載の撮像信
号欠陥検出及び補正装置。2. A pseudo-defect part adding section adds a pseudo-defect signal corresponding to an output signal from a defective pixel in an image pickup surface forming section of the image pickup section to the image pickup signal from the image pickup section under a specific condition. The image signal defect detection and correction device according to claim 1, wherein the device is added. 【請求項３】擬似欠陥部分付加部，信号欠陥検出部，デ
ータメモリ手段，制御信号形成部及び制御信号形成部に
対する動作モード設定を行う動作モード制御部が設けら
れ、上記擬似欠陥部分付加部が、上記動作モード制御部
により自己検査動作モードがとられたとき、撮像部から
の撮像信号に、上記撮像部の撮像面形成部における欠陥
画素からの出力信号に相当する擬似欠陥信号を付加する
動作を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像信号欠
陥検出及び補正装置。3. A pseudo defect part addition part, a signal defect detection part, a data memory means, a control signal forming part, and an operation mode control part for setting an operation mode for the control signal forming part are provided. An operation of adding a pseudo defect signal corresponding to an output signal from a defective pixel in an image pickup surface forming unit of the image pickup unit to the image pickup signal from the image pickup unit when the self-inspection operation mode is set by the operation mode control unit The image signal defect detection and correction device according to claim 1, wherein 【請求項４】擬似欠陥部分付加部が、撮像部からの撮像
信号がディジタルデータの形態をとるものとされた後に
おいて、該ディジタルデータの形態をとる撮像信号に、
擬似欠陥信号をディジタルデータの形態をとるものとし
て付加することを特徴とする請求項２または３記載の撮
像信号欠陥検出及び補正装置。4. The pseudo-defect part adding unit converts an image pickup signal from the image pickup unit into a digital data form, and then converts the image pickup signal into the digital signal form.
4. The image signal defect detection and correction device according to claim 2, wherein the pseudo defect signal is added in the form of digital data.
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