JPH07283116A - X-ray projection aligner - Google Patents

X-ray projection aligner

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JPH07283116A
JPH07283116A JP6073536A JP7353694A JPH07283116A JP H07283116 A JPH07283116 A JP H07283116A JP 6073536 A JP6073536 A JP 6073536A JP 7353694 A JP7353694 A JP 7353694A JP H07283116 A JPH07283116 A JP H07283116A
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beam splitter
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ray beam
mask
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Katsuhiko Murakami
勝彦 村上
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    • G—PHYSICS
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide an X-ray projection aligner which enables use of a telecentric optical system in both an object side (a mask 4 side) and an image side (a wafer 7 side). CONSTITUTION:This X-ray projection aligner comprises at least an X-ray source 2, an illumination optical system 3 for casting X-ray emitted from the X-ray source 2 on a reflection type mask 4 and a projection imaging optical system 6 which projects and images an image of a pattern formed on the mask 4 on a wafer 7. The device is provided with an X-ray beam splitter 1 which vertically directs main beam of X-ray from the illumination optical system 3 to a surface of the reflection mask 4 and directs main beam of X-ray vertically reflected by the reflection mask 4 to the projection imaging optical system 6 parallel to an optical axis of the optical system 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィー等
に用いられるＸ線投影露光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray projection exposure apparatus used for X-ray lithography and the like.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を
向上させるために、従来の紫外線（波長１９３〜４３６
ｎｍ）に代わって、これより波長の短い軟Ｘ線（波長５
〜２０ｎｍ）を使用した投影リソグラフィー技術が開発
されている。この技術に使用されるＸ線投影露光装置は
図５に示すように、主としてＸ線源、照明光学系、マス
ク及びマスクステージ、投影結像光学系、ウェファース
テージ等により構成される。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of semiconductor integrated circuit elements, in order to improve the resolution of an optical system which is limited by the diffraction limit of light, conventional ultraviolet rays (wavelengths 193 to 436) are used.
nm) instead of soft X-rays (wavelength 5)
˜20 nm) has been developed. As shown in FIG. 5, the X-ray projection exposure apparatus used in this technique is mainly composed of an X-ray source, an illumination optical system, a mask and a mask stage, a projection imaging optical system, a wafer stage and the like.

【０００３】Ｘ線の波長域では、透明な物質は存在せ
ず、また物質表面での反射率も非常に低いため、レンズ
やミラーなどの通常の光学素子が使用できない。そのた
め、Ｘ線用の光学系は、反射面に斜め方向から入射した
Ｘ線を全反射を利用して反射させる斜入射ミラーや、多
層膜の各界面での反射光の位相を一致させて、干渉効果
によって高い反射率を得る多層膜ミラー等により構成さ
れている。In the X-ray wavelength range, since no transparent substance exists and the reflectance on the surface of the substance is very low, ordinary optical elements such as lenses and mirrors cannot be used. Therefore, the X-ray optical system uses an oblique-incidence mirror that reflects X-rays that are obliquely incident on the reflecting surface using total reflection, and makes the phases of reflected light at each interface of the multilayer film match. It is composed of a multi-layer film mirror or the like that obtains a high reflectance by the interference effect.

【０００４】斜入射ミラーは、１００％に近い反射率を
得ることも可能であるが、斜入射角（反射面から測った
入射角）が１０度以下の斜入射でしか使用できない。多
層膜ミラーは、Ｘ線を垂直に反射することも可能である
が、１００％に近い反射率は得られない。シリコンのＬ
吸収端（12.3ｎｍ）より長波長側で、モリブデンとシリ
コンからなる多層膜を用いたときに最も高い反射率が得
られるが、波長１３〜１５ｎｍでは、入射角によらず７
０％程度である。シリコンのＬ吸収端よりも短波長側で
は、垂直入射で３０％以上の反射率が得られる多層膜
は、開発されていない。The grazing incidence mirror can obtain a reflectance close to 100%, but can be used only at a grazing incidence where the grazing incidence angle (incident angle measured from the reflecting surface) is 10 degrees or less. The multilayer mirror can also reflect X-rays vertically, but a reflectance close to 100% cannot be obtained. Silicone L
The highest reflectance is obtained when a multilayer film made of molybdenum and silicon is used on the longer wavelength side than the absorption edge (12.3 nm), but at a wavelength of 13 to 15 nm, the reflectance is 7 regardless of the incident angle.
It is about 0%. On the short wavelength side of the L absorption edge of silicon, no multilayer film has been developed that can obtain a reflectance of 30% or more at normal incidence.

【０００５】Ｘ線源には、放射光光源（Synchrotron Ra
diation Source）またはレーザープラズマＸ線源等の、
強力な軟Ｘ線の得られる光源が使用される。放射光光源
は、光速に近い速度で運動する電子が磁場によって進行
方向を偏向されるときに、電子軌道の接線方向に放射さ
れる電磁波を利用するものである。レーザープラズマＸ
線源は、ターゲットに強力なレーザーパルスを照射する
と、蒸発したターゲット物質がプラズマ化し、そこから
Ｘ線を含む電磁波が放射されるものである。As an X-ray source, a synchrotron radiation source (Synchrotron Ra
diation Source) or laser plasma X-ray source,
A light source capable of obtaining intense soft X-rays is used. The synchrotron radiation light source uses an electromagnetic wave radiated in a tangential direction of an electron orbit when an electron moving at a speed close to the speed of light is deflected in its traveling direction by a magnetic field. Laser plasma X
When the target is irradiated with a strong laser pulse, the radiation source is a material in which the vaporized target material is turned into plasma, and electromagnetic waves including X-rays are radiated from the plasma.

【０００６】照明光学系は、斜入射ミラー、多層膜ミラ
ー、および所定（所望）波長のＸ線のみを透過または反
射させるフィルター等により構成され、マスク上を所望
波長のＸ線で照明する。マスクとしては、透過型マスク
と反射型マスクとが知られている。透過型マスクは、Ｘ
線を良く透過する物質からなる薄いメンブレンの上にＸ
線を吸収する物質を所定の形状（パターン）に設けるこ
とによってパターンを形成したものである。一方、反射
型マスクは、Ｘ線を反射する多層膜上に反射率の低い部
分を所定の形状に設けることによってパターンを形成し
たものである。The illumination optical system is composed of a grazing incidence mirror, a multilayer film mirror, a filter that transmits or reflects only X-rays of a predetermined (desired) wavelength, and illuminates the mask with X-rays of a desired wavelength. As the mask, a transmissive mask and a reflective mask are known. The transparent mask is X
X on a thin membrane made of a material that transmits rays well
A pattern is formed by providing a substance that absorbs rays in a predetermined shape (pattern). On the other hand, the reflective mask has a pattern formed by providing a portion having a low reflectance in a predetermined shape on a multilayer film that reflects X-rays.

【０００７】透過型マスクでは、Ｘ線の吸収を抑えるた
めに、0.1 μｍ程度以下の厚さの非常に脆弱なメンブレ
ンを使用しなければならない。そのため、実用的な寸法
（１００ｍｍ以上）のマスクを作製することができな
い。一方、反射型マスクは、充分な機械的強度を持つ厚
い基板を用いることができる。従って、Ｘ線投影露光を
実際の半導体製造に適用する際には、反射型マスクが使
用される。In the transmission type mask, in order to suppress the absorption of X-rays, a very fragile membrane having a thickness of about 0.1 μm or less must be used. Therefore, a mask having a practical size (100 mm or more) cannot be manufactured. On the other hand, a thick substrate having sufficient mechanical strength can be used as the reflective mask. Therefore, when the X-ray projection exposure is applied to actual semiconductor manufacturing, a reflective mask is used.

【０００８】このようなマスク上に形成されたパターン
は、複数の多層膜ミラー等で構成された投影結像光学系
により、フォトレジストが塗布されたウェファー上に結
像されてフォトレジストに転写される。投影結像光学系
は、全て反射系（多層膜ミラー）で構成しなければなら
ない。また、多層膜ミラーの反射率があまり高くないの
で、実用的なスループットを得るためには、ミラーの枚
数を極力少なくしなければならない。そのため、広い露
光領域全体で収差を補正することは困難である。The pattern formed on such a mask is imaged on a wafer coated with a photoresist by a projection imaging optical system composed of a plurality of multilayer film mirrors and transferred to the photoresist. It The projection image forming optical system must be composed of a reflective system (multilayer film mirror). Further, since the reflectance of the multilayer film mirror is not so high, the number of mirrors must be minimized in order to obtain a practical throughput. Therefore, it is difficult to correct the aberration over the entire wide exposure area.

【０００９】そこで、図４に示すようなリングフィール
ド光学系が考案されている。この光学系２０は、光軸２
１から所定の距離だけ離れた狭い輪帯状の領域（リング
フィールド）２２内で収差が補正されている。マスク２
３上のリングフィールド２２ａがウェファー２４上のリ
ングフィールド２２ｂへ投影結像される。ウェファー２
４上の露光領域の大きさは、輪帯の幅方向では0.5 ｍｍ
程度の狭い領域しかとれないが、光学系２０が回転対称
なので、輪帯に沿った方向では広い範囲を使用できる。Therefore, a ring field optical system as shown in FIG. 4 has been devised. This optical system 20 has an optical axis 2
Aberrations are corrected in a narrow ring-shaped region (ring field) 22 which is apart from 1 by a predetermined distance. Mask 2
The ring field 22a on the wafer 3 is projected and imaged on the ring field 22b on the wafer 24. Wafer 2
The size of the exposure area on 4 is 0.5 mm in the width direction of the ring zone.
Although only a small area can be taken, since the optical system 20 is rotationally symmetrical, a wide range can be used in the direction along the ring zone.

【００１０】露光を行う際は、図４に示したように、例
えばマスク上で長さ１２０ｍｍ程度の円弧状の露光領域
２５ｂを使用し、マスク２３とウェファー２４を縮小倍
率に応じた速度比で同期して走査することによって、３
０×３０ｍｍ程度の実用的な寸法の露光領域を確保す
る。なお、Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、Ｘ線
の光路は全て所定の真空度に維持されている。When performing the exposure, as shown in FIG. 4, for example, an arc-shaped exposure region 25b having a length of about 120 mm is used on the mask, and the mask 23 and the wafer 24 are moved at a speed ratio corresponding to the reduction magnification. 3 by scanning synchronously
An exposure area having a practical size of about 0 × 30 mm is secured. Since the X-rays are absorbed by the atmosphere and attenuated, the optical paths of the X-rays are all maintained at a predetermined vacuum degree.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従来からの投影露光装
置の投影結像光学系には、テレセントリックな光学系が
使用されている。テレセントリックな光学系とは、物体
面あるいは像面においていずれの点でも主光線が光軸に
対して平行な光学系であり、それぞれ、物体側テレセン
トリック、像側テレセントリックという。通常、物体面
および像面は光軸に対して垂直なので、これらの主光線
はマスクおよびウェファーに対して垂直に入射する。A telecentric optical system is used in the projection image forming optical system of the conventional projection exposure apparatus. A telecentric optical system is an optical system in which the principal ray is parallel to the optical axis at any point on the object plane or the image plane, and is called object-side telecentric or image-side telecentric, respectively. Since the object plane and the image plane are usually perpendicular to the optical axis, these chief rays enter the mask and the wafer perpendicularly.

【００１２】従来の紫外線を用いた露光装置では、物体
側（マスク側）も像側（ウェファー側）も両方ともテレ
セントリックな投影光学系が使用されている。テレセン
トリックな光学系を用いることの利点は、マスクまたは
ウェファーが光軸方向に移動しても光学系の倍率が変わ
らないことと、像面上で分解能が一定であることであ
る。これらの特性は、回折限界の結像性能を得ようとす
るリソグラフィー装置にとっては非常に重要である。A conventional exposure apparatus using ultraviolet rays uses a projection optical system that is telecentric on both the object side (mask side) and the image side (wafer side). The advantage of using the telecentric optical system is that the magnification of the optical system does not change even when the mask or wafer moves in the optical axis direction, and the resolution is constant on the image plane. These properties are very important for a lithographic apparatus that seeks diffraction limited imaging performance.

【００１３】ところが、図５に示すような従来の軟Ｘ線
投影露光装置においては、像側（ウェファー側）をテレ
セントリックにすることは可能だが、反射型マスク４を
使用するため、マスクへの入射光（およびマスクでの反
射光）は、マスク面に対して垂直にすることは不可能で
あり、物体側（マスク側）をテレセントリックにした光
学系を使用できないという重大な問題点があった。However, in the conventional soft X-ray projection exposure apparatus as shown in FIG. 5, the image side (wafer side) can be made telecentric, but since the reflection type mask 4 is used, it is incident on the mask. The light (and the light reflected by the mask) cannot be perpendicular to the mask surface, and there is a serious problem that an optical system in which the object side (mask side) is telecentric cannot be used.

【００１４】このような配置においても、光軸に対して
垂直ではなく傾いた物体面を有する投影結像光学系を用
いることによって、テレセントリックの条件を満たしな
がら反射マスクへの入射角を垂直ではなくすることは理
論的には可能である。しかしながら、物体面は光軸に対
して回転対称であるから、光軸に対して傾いた物体面は
平面ではない。従って、その場合には、曲率を持ったマ
スクを使用しなければならないことになり、これは非現
実的である。Even in such an arrangement, by using a projection imaging optical system having an object plane inclined not perpendicular to the optical axis, the incident angle to the reflection mask is not perpendicular while satisfying the telecentric condition. It is theoretically possible to do so. However, since the object plane is rotationally symmetrical with respect to the optical axis, the object plane tilted with respect to the optical axis is not a plane. Therefore, in that case, a mask having a curvature must be used, which is impractical.

【００１５】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、物体側（マスク側）及び像側（ウェフ
ァー側）の両方でテレセントリックな光学系を使用する
ことが可能なＸ線投影露光装置を提供することを目的と
する。The present invention has been made in view of such problems, and it is possible to use an X-ray which can use a telecentric optical system on both the object side (mask side) and the image side (wafer side). An object is to provide a projection exposure apparatus.

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「少なくとも、Ｘ線源と、該Ｘ線源から発するＸ線を
反射型マスク上に照射する照明光学系と、該マスク上に
形成されたパターンの像をウェファー上に投影結像する
投影結像光学系とからなるＸ線投影露光装置において、
前記照明光学系からのＸ線の主光線を前記反射型マスク
の表面に垂直入射させかつ、前記反射型マスクで垂直反
射したＸ線の主光線を前記投影結像光学系へ、該光学系
の光軸と平行に入射させるＸ線ビームスプリッターを設
けたことを特徴とするＸ線投影露光装置（請求項１）」
を提供する。Therefore, the present invention is firstly directed to "at least an X-ray source, an illumination optical system for irradiating an X-ray emitted from the X-ray source onto a reflection type mask, and an illumination optical system on the mask. An X-ray projection exposure apparatus comprising a projection imaging optical system for projecting an image of a formed pattern on a wafer,
The chief ray of X-rays from the illumination optical system is vertically incident on the surface of the reflective mask, and the chief ray of X-rays vertically reflected by the reflective mask is directed to the projection imaging optical system. An X-ray projection exposure apparatus having an X-ray beam splitter for making the light incident parallel to the optical axis (claim 1) "
I will provide a.

【００１７】また、本発明は第二に「前記Ｘ線ビームス
プリッターは、少なくとも、開口部を有する基板と、該
開口部を塞ぐように該基板上に形成してなる自立多層膜
とからなることを特徴とする請求項１記載のＸ線投影露
光装置（請求項２）」を提供する。また、本発明は第三
に「前記Ｘ線ビームスプリッターの開口部に、前記自立
多層膜を支持する梁状の支持部を設けたことを特徴とす
る請求項２記載のＸ線投影露光装置（請求項３）」を提
供する。The second aspect of the present invention is that the X-ray beam splitter comprises at least a substrate having an opening and a self-supporting multilayer film formed on the substrate so as to close the opening. An X-ray projection exposure apparatus according to claim 1 (claim 2) "is provided. Further, a third aspect of the present invention is that "an X-ray projection exposure apparatus according to claim 2, wherein a beam-shaped support portion for supporting the self-supporting multilayer film is provided in the opening portion of the X-ray beam splitter. Claim 3) "is provided.

【００１８】また、本発明は第四に「前記Ｘ線ビームス
プリッターを、その表面に対して平行な方向へ振動させ
る振動手段を設けたことを特徴とする請求項１〜３記載
のＸ線投影露光装置（請求項４）」を提供する。また、
本発明は第五に「前記Ｘ線ビームスプリッターの破損を
検知する検知手段を設けたことを特徴とする請求項１〜
４記載のＸ線投影露光装置（請求項５）」を提供する。In a fourth aspect of the present invention, there is provided "vibration means for vibrating the X-ray beam splitter in a direction parallel to its surface," An exposure apparatus (claim 4) "is provided. Also,
Fifthly, the present invention provides "a detection means for detecting a breakage of the X-ray beam splitter.
An X-ray projection exposure apparatus according to claim 4 is provided.

【００１９】また、本発明は第六に「複数個のＸ線ビー
ムスプリッターを収納する収納手段と、前記検知手段に
より破損が検知されたＸ線ビームスプリッターを前記収
納手段に収納されたＸ線ビームスプリッターと交換する
交換手段とを更に設けたことを特徴とする請求項５記載
のＸ線投影露光装置（請求項６）」を提供する。また、
本発明は第七に「前記Ｘ線ビームスプリッターの、使用
Ｘ線に対する反射率と透過率とを等しく又は略等しくし
てなることを特徴とする請求項１〜６記載のＸ線投影露
光装置（請求項７）」を提供する。In a sixth aspect of the present invention, there is provided "an accommodating means for accommodating a plurality of X-ray beam splitters, and an X-ray beam splitter accommodating the X-ray beam splitter whose breakage is detected by the detecting means. An X-ray projection exposure apparatus (claim 6) according to claim 5, further comprising a replacement means for replacing the splitter. Also,
In a seventh aspect of the present invention, the X-ray projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the X-ray beam splitter has the reflectance and the transmittance with respect to the used X-rays that are equal or substantially equal to each other. Claim 7) ”is provided.

【００２０】[0020]

【作用】本発明にかかるＸ線投影露光装置の例を図１及
び図２を参照して説明する。図１及び図２に示す装置で
は、物体側（マスク側）と像側（ウェファー側）の両方
がテレセントリックなリングフィールド投影結像光学系
６を用いている。Ｘ線源２から発したＸ線は、照明光学
系３により、その主光線が互いに平行であり、且つ所定
寸法の照明領域を照射するのに充分な大きさをもつＸ線
光束に成形される。An example of an X-ray projection exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. The apparatus shown in FIGS. 1 and 2 uses a ring field projection imaging optical system 6 that is telecentric on both the object side (mask side) and the image side (wafer side). The X-ray emitted from the X-ray source 2 is shaped by the illumination optical system 3 into an X-ray light flux whose principal rays are parallel to each other and which is large enough to illuminate an illumination area of a predetermined size. .

【００２１】このＸ線光束を、まず、Ｘ線ビームスプリ
ッター１により反射（図１の場合）又は透過（図２の場
合）させてから、反射型マスク４に対して、その主光線
（反射光又は透過光）が垂直になるように入射させる。
反射型マスク４の直前には、円弧状に照明領域を制限す
るためのスリット９を設けることが好ましい。反射型マ
スク４で垂直に反射したＸ線光束を、Ｘ線ビームスプリ
ッター１により透過（図１の場合）又は反射（図２の場
合）させた後、投影結像光学系６へ入射させる。このと
き、投影結像光学系６への互いに平行である入射Ｘ線光
束の主光線の方向と投影結像光学系６の光軸とを平行に
する。これで、物体側（マスク側）がテレセントリック
な軟Ｘ線投影露光装置を構成することができる。This X-ray light flux is first reflected (in the case of FIG. 1) or transmitted (in the case of FIG. 2) by the X-ray beam splitter 1, and then the principal ray (reflected light) is reflected on the reflection type mask 4. Or the transmitted light) is made to enter vertically.
Immediately before the reflective mask 4, it is preferable to provide a slit 9 for limiting the illumination area in an arc shape. The X-ray light flux vertically reflected by the reflective mask 4 is transmitted (in the case of FIG. 1) or reflected (in the case of FIG. 2) by the X-ray beam splitter 1 and then is incident on the projection imaging optical system 6. At this time, the directions of the principal rays of the incident X-ray light flux which are parallel to the projection imaging optical system 6 are made parallel to the optical axis of the projection imaging optical system 6. This makes it possible to construct a soft X-ray projection exposure apparatus in which the object side (mask side) is telecentric.

【００２２】ウェファー７は、その表面が投影結像光学
系６の光軸に対して垂直になるように設置されており、
像側（ウェファー側）でもテレセントリックな結像が行
われる。一度に露光できる領域は、例えば幅0.5 ｍｍ、
長さ３０ｍｍ程度の円弧状の範囲なので、マスクステー
ジ５とウェファーステージ８とを、投影結像光学系６の
縮小倍率に応じた速度比で同期走査（スキャン）しなが
ら露光することによって、３０×３０ｍｍ程度の露光領
域を得る。The wafer 7 is installed so that its surface is perpendicular to the optical axis of the projection imaging optical system 6.
Telecentric imaging is also performed on the image side (wafer side). The area that can be exposed at one time is, for example, 0.5 mm wide,
Since the length is an arc-shaped range of about 30 mm, the mask stage 5 and the wafer stage 8 are exposed while being synchronously scanned (scanned) at a speed ratio according to the reduction magnification of the projection imaging optical system 6, to obtain 30 ×. An exposure area of about 30 mm is obtained.

【００２３】この領域を露光したら、ウェファー７の位
置をずらして（ステップして）、次の露光を行う。この
ようなステップ・アンド・スキャン動作を繰り返すこと
によってウェファー全面を露光する。本発明にかかるＸ
線ビームスプリッターは、少なくとも、開口部を有する
基板と、該開口部を塞ぐように該基板上に形成してなる
自立多層膜とにより構成することが好ましい（請求項
２）。このようなＸ線ビームスプリッター１の構造の一
例を図３に示す（図３ａは平面図、図３ｂは断面図） 充分な機械的強度を持つ基板１１に窓部（開口部）１２
を形成し、この開口部１２を覆うように自立した多層膜
１３が形成されている。開口部１２は、Ｘ線が透過およ
び反射する円弧状の領域（図中破線で示す）よりも全体
として大きめの長方形に形成してある。After exposing this area, the position of the wafer 7 is shifted (stepped) and the next exposure is performed. The entire surface of the wafer is exposed by repeating such step-and-scan operation. X according to the present invention
It is preferable that the line beam splitter includes at least a substrate having an opening and a self-supporting multilayer film formed on the substrate so as to close the opening (claim 2). An example of the structure of such an X-ray beam splitter 1 is shown in FIG. 3 (FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a sectional view). A substrate 11 having sufficient mechanical strength is provided with a window (opening) 12
And a self-supporting multilayer film 13 is formed so as to cover the opening 12. The opening 12 is formed in a rectangular shape as a whole larger than an arc-shaped region (shown by a broken line in the drawing) through which X-rays are transmitted and reflected.

【００２４】Ｘ線ビームスプリッターの開口部には、自
立多層膜を支持する梁状の支持部を設けることが好まし
い（請求項３）。例えば、自立多層膜１３の強度が不十
分で大きな面積では自立し難い場合には、開口部に設け
た梁状の支持部１４により、自立多層膜１３を補強（支
持）することができる。Ｘ線ビームスプリッター１は、
投影結像光学系６の焦点からずれた位置に設置されるの
で、このような支持部１４があっても、支持部１４の影
が直接ウェファー７上に転写されることはないが、露光
領域の照度ムラの原因となる。It is preferable to provide a beam-shaped support portion for supporting the self-supporting multilayer film at the opening of the X-ray beam splitter (claim 3). For example, when the strength of the self-supporting multilayer film 13 is insufficient and it is difficult for the self-supporting multilayer film 13 to be self-supporting in a large area, the beam-shaped supporting portion 14 provided in the opening can reinforce (support) the self-supporting multilayer film 13. X-ray beam splitter 1
Since the projection imaging optical system 6 is installed at a position deviated from the focus, even if such a supporting portion 14 is provided, the shadow of the supporting portion 14 is not directly transferred onto the wafer 7, but the exposure area Cause unevenness in illuminance.

【００２５】そこで、Ｘ線ビームスプリッターを、その
表面に対して平行な方向へ振動させる振動手段を設ける
ことが好ましい（請求項４）。即ち、Ｘ線ビームスプリ
ッター１をその表面に平行な面内で、例えば長方形の開
口部１２の長手方向に振動させることにより、照度ムラ
を防ぐことができる自立多層膜１３は、支持部１４によ
り補強されている場合でも、壊れやすいものである。即
ち、長時間連続して露光を続けると、自立多層膜１３が
途中で破損する可能性が充分にある。Therefore, it is preferable to provide a vibrating means for vibrating the X-ray beam splitter in a direction parallel to its surface (claim 4). That is, by vibrating the X-ray beam splitter 1 in a plane parallel to the surface thereof, for example, in the longitudinal direction of the rectangular opening 12, the self-supporting multilayer film 13 that can prevent uneven illuminance is reinforced by the support 14. Even if it is, it is fragile. That is, if exposure is continued for a long time, there is a sufficient possibility that the self-supporting multilayer film 13 will be damaged in the middle.

【００２６】そこで、前記Ｘ線ビームスプリッターの破
損を検知する検知手段を設けることが好ましい（請求項
５）。即ち、Ｘ線ビームスプリッター１の破損を検知す
る手段として例えば、Ｘ線検出器を設けることが好まし
い。Ｘ線検出器には、ＭＣＰ（マイクロチャンネルプレ
ート）、光電子増倍管、Ｘ線ダイオード、Ｘ線ＣＣＤな
どを使用することができる。Therefore, it is preferable to provide a detecting means for detecting the breakage of the X-ray beam splitter (claim 5). That is, it is preferable to provide, for example, an X-ray detector as means for detecting damage to the X-ray beam splitter 1. As the X-ray detector, an MCP (micro channel plate), a photomultiplier tube, an X-ray diode, an X-ray CCD or the like can be used.

【００２７】例えば、図１の配置の場合には、照明光学
系３からのＸ線がＸ線ビームスプリッター１を透過する
位置にＸ線検出器１０ａを設置しておき、検出されるＸ
線強度の増加によってＸ線ビームスプリッター１の破損
を検知することができる。あるいは、スリット９上にＸ
線検出器１０ｂを設置しておき、検出されるＸ線強度の
低下によってＸ線ビームスプリッター１の破損を検知す
ることができる。For example, in the case of the arrangement of FIG. 1, the X-ray detector 10a is installed at a position where the X-rays from the illumination optical system 3 pass through the X-ray beam splitter 1, and the detected X-rays are detected.
Damage to the X-ray beam splitter 1 can be detected by the increase in the line intensity. Alternatively, X on the slit 9
It is possible to detect the breakage of the X-ray beam splitter 1 due to a decrease in the detected X-ray intensity by installing the line detector 10b.

【００２８】また、図２の配置の場合には、スリット９
上にＸ線検出器１０ｂを設置しておき、検出されるＸ線
強度の増加によってＸ線ビームスプリッター１の破損を
検知することができる。Ｘ線ビームスプリッターの破損
を検知する検知手段の他に、複数個のＸ線ビームスプリ
ッターを収納する収納手段と、前記検知手段により破損
が検知されたＸ線ビームスプリッターを前記収納手段に
収納されたＸ線ビームスプリッターと交換する交換手段
とを更に設けることが好ましい（請求項６）。Further, in the case of the arrangement shown in FIG. 2, the slit 9
By installing the X-ray detector 10b on the top, the damage of the X-ray beam splitter 1 can be detected by the increase of the detected X-ray intensity. In addition to the detection means for detecting the damage of the X-ray beam splitter, a storage means for storing a plurality of X-ray beam splitters, and an X-ray beam splitter whose damage is detected by the detection means are stored in the storage means. It is preferable to further provide an exchange means for exchanging the X-ray beam splitter (Claim 6).

【００２９】例えば、前記収納手段に予め複数の予備の
Ｘ線ビームスプリッターを収納しておく。そして、破損
を検出したら直ちに前記交換手段により新品（予備のＸ
線ビームスプリッター）と交換する。このような手段を
設けることによって、Ｘ線ビームスプリッターが万一破
損しても運転を停止する必要がなくなり、Ｘ線投影露光
装置の稼働率を高めることができる。For example, a plurality of spare X-ray beam splitters are stored in advance in the storage means. Immediately after the damage is detected, a new product (spare X
Line beam splitter). By providing such means, it is not necessary to stop the operation even if the X-ray beam splitter is damaged, and the operating rate of the X-ray projection exposure apparatus can be increased.

【００３０】ところで、Ｘ線ビームスプリッター１にＸ
線が入射すると、その一部は反射し一部は透過して、残
りは多層膜１３に吸収される。本発明にかかる軟Ｘ線投
影露光装置（例えば、図１および図２）においては、照
明光学系３から出たＸ線は、投影結像光学系６に至るま
での間に、Ｘ線ビームスプリッター１で一回の反射と一
回の透過を行う。By the way, the X-ray beam splitter 1 has X
When a line is incident, part of it is reflected, part of it is transmitted, and the rest is absorbed by the multilayer film 13. In the soft X-ray projection exposure apparatus according to the present invention (for example, FIGS. 1 and 2), the X-rays emitted from the illumination optical system 3 reach the projection imaging optical system 6 before the X-ray beam splitter. At 1, one reflection and one transmission are performed.

【００３１】従って、投影結像光学系６へ入射するＸ線
の強度は、多層膜１３の反射率をＲ透過率をＴとする
と、Ｒ×Ｔに比例する。Ｒ＋Ｔ＋Ａは一定なので（Ａは
多層膜の吸収）、Ｒ＝Ｔの時にＲ×Ｔは最大となり、投
影結像光学系６へ入射するＸ線の強度は最大になる。従
って、Ｘ線ビームスプリッターの、使用Ｘ線に対する反
射率と透過率とを等しく又は略等しくすることが好まし
い（請求項７）。多層膜１３の積層数を増すと、反射率
は増加し、透過率は低下するので、この条件（Ｒ＝Ｔ）
を満たすように、適当な積層数を選択することが好まし
い。Therefore, the intensity of X-rays incident on the projection imaging optical system 6 is proportional to R × T, where R is the reflectance of the multilayer film 13 and T is the transmittance. Since R + T + A is constant (A is absorption of the multilayer film), R × T becomes maximum when R = T, and the intensity of the X-ray incident on the projection imaging optical system 6 becomes maximum. Therefore, it is preferable that the reflectance and the transmittance of the X-ray beam splitter with respect to the used X-rays are equal or substantially equal (claim 7). When the number of laminated layers of the multilayer film 13 is increased, the reflectance increases and the transmittance decreases, so this condition (R = T)
It is preferable to select an appropriate number of layers so as to satisfy the above condition.

【００３２】本発明にかかる多層膜としては、例えば、
モリブデン／ケイ素、モリブデン／ケイ素化合物、ルテ
ニウム／ケイ素、ルテニウム／ケイ素化合物、ロジウム
／ケイ素、ロジウム／ケイ素化合物、等の各組み合わせ
のうち、いずれか一つの組み合わせで交互に複数回積層
したものが好ましい。以下、実施例により本発明を更に
詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるも
のではない。Examples of the multilayer film according to the present invention include:
Among the combinations of molybdenum / silicon, molybdenum / silicon compound, ruthenium / silicon compound, ruthenium / silicon compound, rhodium / silicon, rhodium / silicon compound, etc., it is preferable that any one of them is alternately laminated a plurality of times. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

【００３３】[0033]

【実施例】まず、本発明にかかるＸ線ビームスプリッタ
ーの作製方法の例について説明する。図６はＸ線ビーム
スプリッターの第１の作製方法を示す図である。まず、
両面研磨したシリコンウェファー６１の裏面に減圧ＣＶ
Ｄ（Chemical Vapour Deposition）により、厚さ0.1 μ
ｍのシリコンナイトライド（Ｓｉ3 Ｎ4）膜を形成す
る。EXAMPLES First, an example of a method for manufacturing an X-ray beam splitter according to the present invention will be described. FIG. 6 is a diagram showing a first manufacturing method of the X-ray beam splitter. First,
Depressurized CV on the back surface of silicon wafer 61 polished on both sides.
D (Chemical Vapor Deposition) thickness 0.1 μ
m silicon nitride (Si 3 N 4 ) film is formed.

【００３４】この上にフォトレジストを塗布し、フォト
リソグラフィーによりレジストをパターニングして、Ｘ
線ビームスプリッターの窓（開口部）となる部分のレジ
ストを除去する。このレジストをマスクとして、シリコ
ンナイトライド膜をＣＦ4 ガスを用いたＲＩＥ（Reacti
ve Ion Etching）によりエッチングして、Ｘ線ビームス
プリッターの窓（開口部）となる部分が除去されたシリ
コンナイトライド膜６２を形成する（図６ａ）。A photoresist is applied on this, the resist is patterned by photolithography, and X
The resist in the portion that will be the window (opening) of the line beam splitter is removed. The resist as a mask, RIE of the silicon nitride film using the CF 4 gas (Reacti
ve ion etching) to form a silicon nitride film 62 from which the window (opening) of the X-ray beam splitter is removed (FIG. 6a).

【００３５】次に、このシリコンウェファー６１の表面
に高周波マグネトロンスパタリングにより、モリブデン
とシリコン（ケイ素）の多層膜６３を形成する（図６
ｂ）。多層膜６３の周期長と積層数は、Ｘ線ビームスプ
リッターの所望の入射角と反射率、透過率を得られる値
に適宜設定する。最後に、裏面のシリコンナイトライド
膜６２をマスクとして、ＫＯＨ水溶液により、シリコン
ウェファー６１をエッチングして、窓部（開口部）６４
を形成する。多層膜を形成している側のシリコンも、こ
のＫＯＨ水溶液に侵されるので、多層膜の第１層目（シ
リコンウェファーに最初に形成する層）はモリブデンと
する。シリコンナイトライド膜６２の残されていた部分
のシリコンウェファー６１はエッチングされずに残るの
で、多層膜６３の支持部６５が形成される。（図６ｃ） 図７はＸ線ビームスプリッターの第２の作製方法を示す
図である。Next, a multilayer film 63 of molybdenum and silicon (silicon) is formed on the surface of the silicon wafer 61 by high frequency magnetron sputtering (FIG. 6).
b). The period length and the number of stacked layers of the multilayer film 63 are appropriately set to values that can obtain the desired incident angle, reflectance, and transmittance of the X-ray beam splitter. Finally, using the silicon nitride film 62 on the back surface as a mask, the silicon wafer 61 is etched with a KOH aqueous solution to form a window (opening) 64.
To form. Since the silicon on the side of forming the multilayer film is also attacked by this KOH aqueous solution, molybdenum is used as the first layer of the multilayer film (the first layer formed on the silicon wafer). Since the silicon wafer 61 in the remaining portion of the silicon nitride film 62 remains without being etched, the supporting portion 65 of the multilayer film 63 is formed. (FIG. 6c) FIG. 7 is a diagram showing a second manufacturing method of the X-ray beam splitter.

【００３６】まず、例えば、シリコンウェファーなどの
基板７１の表面に、厚さ１μｍ程度にフォトレジスト７
２を塗布する。この上に、高周波マグネトロンスパッタ
リングにより、モリブデンとシリコンの多層膜７３を形
成する（図７ａ）。多層膜７３の周期長と積層数は、Ｘ
線ビームスプリッターの所望の入射角と、反射率又は透
過率が得られる値に適宜設定する。First, for example, a photoresist 7 having a thickness of about 1 μm is formed on the surface of a substrate 71 such as a silicon wafer.
Apply 2. On this, a multi-layered film 73 of molybdenum and silicon is formed by high frequency magnetron sputtering (FIG. 7a). The cycle length and the number of layers of the multilayer film 73 are X
The desired incident angle of the line beam splitter and the reflectance or transmittance are appropriately set.

【００３７】一般にスパッタリングにより形成した薄膜
は、圧縮応力を持つことが多いが、ここでは多層膜の内
部応力が０に近くなるように成膜条件を調節する。具体
的には、成膜時のガス圧力を通常（例えば５ｍＴｏｒｒ
程度）よりもやや高め（例えば、２０ｍＴｏｒｒ程度）
にするか、或いは、成膜時に基板を例えば、１００℃程
度に加熱することによって内部応力を低減することがで
きる。Generally, a thin film formed by sputtering often has a compressive stress. Here, the film forming conditions are adjusted so that the internal stress of the multilayer film is close to zero. Specifically, the gas pressure during film formation is usually (for example, 5 mTorr).
A little higher than (about 20 mTorr)
Alternatively, the internal stress can be reduced by heating the substrate to, for example, about 100 ° C. during film formation.

【００３８】次に、このようにして表面に多層膜７３を
形成した基板７１を、アセトン等の有機溶剤に浸漬す
る。そうすると、レジスト７２は有機溶剤に溶けるの
で、多層膜７３が基板７１から剥がれる。この多層膜７
３（図７ｂ）を掬い取って、予め窓部（開口部）７５と
支持部７６を形成しておいた別の基板７４上に接着剤を
用いて貼り付けることにより、図７ｃに示すようなＸ線
ビームスプリッターが完成する。Next, the substrate 71 having the multilayer film 73 formed on the surface in this manner is immersed in an organic solvent such as acetone. Then, the resist 72 is dissolved in the organic solvent, so that the multilayer film 73 is peeled off from the substrate 71. This multilayer film 7
3 (FIG. 7b) is scooped out and attached to another substrate 74 on which the window (opening) 75 and the supporting portion 76 are formed in advance by using an adhesive, as shown in FIG. 7c. The X-ray beam splitter is completed.

【００３９】次に、このようにして作製したＸ線ビーム
スプリッタの特性の例について説明する。図８は、波長
１３ｎｍ、入射角４５度で使用するＸ線ビームスプリッ
ターの反射率（実線）と透過率（破線）を示す。多層膜
は、モリブデン層の厚さが3.2 ｎｍ、シリコン層の厚さ
が6.4 ｎｍ、積層数は１２層対であり、全体の厚さは11
5.2 ｎｍである。反射率は３３％、透過率は３４％であ
るので、このＸ線ビームスプリッターの効率（反射率と
透過率の積）は１１％である。Next, an example of the characteristics of the X-ray beam splitter thus manufactured will be described. FIG. 8 shows the reflectance (solid line) and transmittance (broken line) of an X-ray beam splitter used at a wavelength of 13 nm and an incident angle of 45 degrees. The multilayer film has a molybdenum layer thickness of 3.2 nm, a silicon layer thickness of 6.4 nm, and the number of laminated layers is 12 pairs, and the total thickness is 11 nm.
It is 5.2 nm. Since the reflectance is 33% and the transmittance is 34%, the efficiency (product of reflectance and transmittance) of this X-ray beam splitter is 11%.

【００４０】図９は、波長１３ｎｍ、入射角１５度で使
用するＸ線ビームスプリッターの反射率（実線）と透過
率（破線）を示す。多層膜は、モリブデン層の厚さが2.
3ｎｍ、シリコン層の厚さが4.6 ｎｍ、積層数は１３層
対であり、全体の厚さは89.7ｎｍである。反射率は３９
％、透過率は４３％であるので、このＸ線ビームスプリ
ッターの効率（反射率と透過率の積）は１７％である。FIG. 9 shows the reflectance (solid line) and transmittance (broken line) of an X-ray beam splitter used at a wavelength of 13 nm and an incident angle of 15 degrees. The multilayer film has a molybdenum layer thickness of 2.
3 nm, the thickness of the silicon layer is 4.6 nm, the number of stacked layers is 13 pairs, and the total thickness is 89.7 nm. The reflectance is 39
%, And the transmittance is 43%, the efficiency (product of reflectance and transmittance) of this X-ray beam splitter is 17%.

【００４１】図１０は、波長１３ｎｍ、入射角６０度で
使用するＸ線ビームスプリッターの反射率（実線）と透
過率（破線）を示す。多層膜は、モリブデン層の厚さが
4.8ｎｍ、シリコン層の厚さが9.6 ｎｍ、積層数は４層
対であり、全体の厚さは57.6ｎｍである。反射率は４１
％、透過率は３３％であるので、このＸ線ビームスプリ
ッターの効率（反射率と透過率の積）は１４％である。FIG. 10 shows the reflectance (solid line) and transmittance (broken line) of an X-ray beam splitter used at a wavelength of 13 nm and an incident angle of 60 degrees. The thickness of the molybdenum layer is
4.8 nm, the thickness of the silicon layer is 9.6 nm, the number of stacked layers is 4 layers, and the total thickness is 57.6 nm. The reflectance is 41
%, And the transmittance is 33%, the efficiency (product of reflectance and transmittance) of this X-ray beam splitter is 14%.

【００４２】以上三つのＸ線ビームスプリッターは、非
偏光のＸ線に対して用いられるものであり、レーザープ
ラズマＸ線源を光源とする場合に使用する。放射光は直
線偏光なので、その場合は若干多層膜の構成が異なる。
図１１は、波長１３ｎｍのｓ偏光に対して、入射角４５
度で使用するＸ線ビームスプリッターの反射率（実線）
と透過率（破線）を示す。多層膜は、モリブデン層の厚
さが3.2 ｎｍ、シリコン層の厚さが6.4 ｎｍ、積層数は
６層対であり、全体の厚さは57.6ｎｍである。反射率は
３８％、透過率は４４％であるので、このＸ線ビームス
プリッターの効率（反射率と透過率の積）は１７％であ
る。The above three X-ray beam splitters are used for non-polarized X-rays and are used when a laser plasma X-ray source is used as a light source. Since the emitted light is linearly polarized light, the structure of the multilayer film is slightly different in that case.
FIG. 11 shows an incident angle of 45 for s-polarized light having a wavelength of 13 nm.
X-ray beam splitter reflectivity (solid line)
And the transmittance (broken line) are shown. In the multilayer film, the molybdenum layer has a thickness of 3.2 nm, the silicon layer has a thickness of 6.4 nm, the number of laminated layers is 6 layers, and the total thickness is 57.6 nm. Since the reflectance is 38% and the transmittance is 44%, the efficiency (product of reflectance and transmittance) of this X-ray beam splitter is 17%.

【００４３】次に、本発明にかかるＸ線投影露光装置の
実施例について具体的に説明する。図１２は、入射角４
５度のＸ線ビームスプリッターを用いた本発明にかかる
Ｘ線投影露光装置の第１実施例である。かかる装置は、
不図示の真空チャンバー内に設置されており、所定の真
空度の下で動作するものである。Ｘ線源２にレーザープ
ラズマＸ線源を用いた場合には、図８に示した特性のＸ
線ビームスプリッターを用い、放射光光源を用いた場合
には、図１１に示した特性のＸ線ビームスプリッターを
用いる。後者の場合には、投影結像光学系６の光軸は、
放射光光源の電子軌道面（通常は水平面）に対して垂直
になるよう配置される。Next, an embodiment of the X-ray projection exposure apparatus according to the present invention will be specifically described. FIG. 12 shows an incident angle of 4
1 is a first embodiment of an X-ray projection exposure apparatus according to the present invention that uses a 5-degree X-ray beam splitter. Such a device
It is installed in a vacuum chamber (not shown) and operates under a predetermined degree of vacuum. When a laser plasma X-ray source is used as the X-ray source 2, the X of the characteristics shown in FIG.
When a synchrotron radiation source is used with a line beam splitter, an X-ray beam splitter with the characteristics shown in FIG. 11 is used. In the latter case, the optical axis of the projection imaging optical system 6 is
It is arranged so as to be perpendicular to the electron orbit plane (usually the horizontal plane) of the synchrotron radiation source.

【００４４】照明光学系３から出たＸ線は、Ｘ線ビーム
スプリッター１により反射された後マスクステージ５に
保持されたマスク４へ垂直に入射する。Ｘ線ビームスプ
リッター１を透過したＸ線は、Ｘ線検出器（検知手段の
一例）１０ａにより、その強度が監視される。マスク４
の直前には、露光領域を制限するための円弧状の開口を
もったスリット９が設置されている。このスリット上に
もＸ線検出器（検知手段の一例）１０ｂが設けられてお
り、Ｘ線の強度を監視する。The X-rays emitted from the illumination optical system 3 are reflected by the X-ray beam splitter 1 and then vertically enter the mask 4 held on the mask stage 5. The intensity of the X-ray transmitted through the X-ray beam splitter 1 is monitored by an X-ray detector (an example of detection means) 10a. Mask 4
Immediately before the above, a slit 9 having an arc-shaped opening for limiting the exposure area is provided. An X-ray detector (an example of detection means) 10b is also provided on this slit to monitor the intensity of X-rays.

【００４５】Ｘ線ビームスプリッター１が破損すると、
Ｘ線検出器１０ａの出力は増加し、Ｘ線検出器１０ｂの
出力は低下するので、破損を直ちに検知することができ
る。マスク４で垂直に反射したＸ線は、再度Ｘ線ビーム
スプリッター１へ入射し、これを透過した後、投影結像
光学系６へ入射する。本実施例では、投影結像光学系６
には４枚の非球面形状の反射面からなる光学系を用い
た。各反射面には、Ｘ線を反射するためのモリブデンと
シリコンからなる多層膜がコーティングされている。When the X-ray beam splitter 1 is damaged,
Since the output of the X-ray detector 10a increases and the output of the X-ray detector 10b decreases, the damage can be immediately detected. The X-rays reflected vertically by the mask 4 enter the X-ray beam splitter 1 again, pass through the X-ray beam splitter 1, and then enter the projection imaging optical system 6. In this embodiment, the projection imaging optical system 6
For this, an optical system consisting of four aspherical reflecting surfaces was used. Each reflection surface is coated with a multilayer film made of molybdenum and silicon for reflecting X-rays.

【００４６】この光学系は、物体側（マスク側）と像側
（ウェファー側）の両側とも、テレセントリックな光学
系である。この光学系の像側（ウェファー側）開口数は
0.08、縮小倍率は１／４であり、波長１３ｎｍにおいて
0.1 μｍの解像力を有する。投影結像光学系６は、ウェ
ファーステージ８に保持されたウェファー７の表面にマ
スクパターンの像を形成する。This optical system is a telecentric optical system on both the object side (mask side) and the image side (wafer side). The image side (wafer side) numerical aperture of this optical system is
0.08, reduction ratio is 1/4, at wavelength 13nm
It has a resolution of 0.1 μm. The projection imaging optical system 6 forms an image of the mask pattern on the surface of the wafer 7 held by the wafer stage 8.

【００４７】一度に露光される領域は、幅0.5 ｍｍ、長
さ３０ｍｍの細い円弧状の領域であるので、マスクステ
ージ５とウェファーステージ８を動かして、マスク４と
ウェファー７とを縮小倍率に応じた速度比で同期走査
（スキャン）を行うことにより３０ｍｍ角の露光領域に
マスク４上のパターン全体を転写する。ウェファー７上
の一つの露光領域を露光した後、ウェファーステージ８
を動かしてウェファー７の位置をずらし（ステップし
て）、再度次の露光領域をスキャンしてパターンの転写
を行う。Since the area exposed at one time is a thin arc-shaped area having a width of 0.5 mm and a length of 30 mm, the mask stage 5 and the wafer stage 8 are moved so that the mask 4 and the wafer 7 are adjusted in accordance with the reduction magnification. The entire pattern on the mask 4 is transferred to the exposure area of 30 mm square by performing synchronous scanning (scanning) at the above speed ratio. After exposing one exposure area on the wafer 7, the wafer stage 8
Is moved to shift the position of the wafer 7 (in steps), and the next exposure area is scanned again to transfer the pattern.

【００４８】このようなステップ・アンド・スキャン動
作を繰り返すことによって、直径が８インチから１２イ
ンチのウェファー７全面へパターンの転写を行う。本実
施例のＸ線投影露光装置には、Ｘ線ビームスプリッター
１を、その面内で振動させるための振動駆動手段（振動
手段の一例）１０１が設けられており、自立多層膜を補
強（支持）する梁（支持部）により露光領域の照度ムラ
が生じることを防ぐ。By repeating such a step-and-scan operation, a pattern is transferred onto the entire surface of the wafer 7 having a diameter of 8 inches to 12 inches. The X-ray projection exposure apparatus of this embodiment is provided with a vibration driving means (an example of a vibrating means) 101 for vibrating the X-ray beam splitter 1 in its plane, and reinforces (supports) the self-supporting multilayer film. It is possible to prevent unevenness of illuminance in the exposure area due to the beam (supporting portion).

【００４９】また、本実施例の露光装置には、予備のＸ
線ビームスプリッターを２０枚収納するＸ線ビームスプ
リッター収納部（収納手段の一例）１０３と、収納部１
０３から使用時の位置へＸ線ビームスプリッターを搬送
して交換する搬送手段（交換手段の一例）１０２が設け
られている。Ｘ線検出器１０（１０ａ，１０ｂ）によっ
てＸ線ビームスプリッター１の破損が検知されると、直
ちに搬送手段１０２により破損したＸ線ビームスプリッ
ター１は、収納部１０３に納められている予備品と交換
される。Further, the exposure apparatus of this embodiment has a spare X
X-ray beam splitter storage section (an example of storage means) 103 for storing 20 line beam splitters, and storage section 1
A carrier means (an example of a replacement means) 102 for carrying the X-ray beam splitter from 03 to a position for use and replacing the same is provided. As soon as the X-ray detector 10 (10a, 10b) detects the damage of the X-ray beam splitter 1, the X-ray beam splitter 1 damaged by the transport means 102 is replaced with a spare part stored in the storage section 103. To be done.

【００５０】真空を破ってＸ線ビームスプリッター１を
交換し、再度所定の真空度まで排気する必要がないた
め、露光装置の運転停止時間を最小限に（数十秒間に）
とどめることができるので、スループットが大幅に向上
する。図１３は、入射角１５度のＸ線ビームスプリッタ
ーを用いた本発明にかかるＸ線投影露光装置の第２実施
例である。かかる装置は、不図示の真空チャンバー内に
設置されており、所定の真空度の下で動作するものであ
る。Since it is not necessary to break the vacuum and replace the X-ray beam splitter 1 and evacuate to a predetermined degree of vacuum again, the operation stop time of the exposure apparatus is minimized (to several tens of seconds).
Since it can be stopped, the throughput is significantly improved. FIG. 13 shows a second embodiment of the X-ray projection exposure apparatus according to the present invention, which uses an X-ray beam splitter with an incident angle of 15 degrees. Such a device is installed in a vacuum chamber (not shown) and operates under a predetermined degree of vacuum.

【００５１】Ｘ線源２には、レーザープラズマＸ線源を
用いている。照明光学系３から出たＸ線は、Ｘ線ビーム
スプリッター１により反射された後、マスクステージ５
に保持されたマスク４へ垂直に入射する。Ｘ線ビームス
プリッター１を透過したＸ線は、Ｘ線検出器（検知手段
の一例）１０ａにより、その強度を監視される。マスク
４の直前には露光領域を制限するための円弧状の開口を
もったスリット９が設置されている。このスリット上に
もＸ線検出器（検知手段の一例）１０ｂが設けられ、Ｘ
線の強度を監視する。As the X-ray source 2, a laser plasma X-ray source is used. The X-rays emitted from the illumination optical system 3 are reflected by the X-ray beam splitter 1, and then the mask stage 5
The light is vertically incident on the mask 4 held by. The intensity of the X-ray transmitted through the X-ray beam splitter 1 is monitored by an X-ray detector (an example of detection means) 10a. Immediately before the mask 4, a slit 9 having an arc-shaped opening for limiting the exposure area is provided. An X-ray detector (an example of detection means) 10b is also provided on this slit, and X
Monitor the strength of the line.

【００５２】Ｘ線ビームスプリッター１が破損すると、
Ｘ線検出器１０ａの出力は増加し、Ｘ線検出器１０ｂの
出力は低下するので、破損を直ちに検知することができ
る。マスク４で垂直に反射したＸ線は、再度Ｘ線ビーム
スプリッター１へ入射し、これを透過した後、投影結像
光学系６へ入射する。本実施例では、投影結像光学系６
には、２枚の非球面形状の反射面からなる光学系を用い
た。各反射面にはＸ線を反射するためのモリブデンとシ
リコンからなる多層膜がコーティングされている。When the X-ray beam splitter 1 is damaged,
Since the output of the X-ray detector 10a increases and the output of the X-ray detector 10b decreases, the damage can be immediately detected. The X-rays reflected vertically by the mask 4 enter the X-ray beam splitter 1 again, pass through the X-ray beam splitter 1, and then enter the projection imaging optical system 6. In this embodiment, the projection imaging optical system 6
For this, an optical system consisting of two aspherical reflecting surfaces was used. Each reflection surface is coated with a multilayer film made of molybdenum and silicon for reflecting X-rays.

【００５３】この光学系は、物体側（マスク側）と像側
（ウェファー側）の両側ともテレセントリックな光学系
である。この光学系の像側（ウェファー側）開口数は0.
08、縮小倍率は１／４であり、波長１３ｎｍにおいて0.
1 μｍの解像力を有する。投影結像光学系６は、ウェフ
ァーステージ８に保持されたウェファー７の表面にマス
クパターンの像を形成する。This optical system is a telecentric optical system on both the object side (mask side) and the image side (wafer side). The image side (wafer side) numerical aperture of this optical system is 0.
08, reduction ratio is 1/4, and at wavelength 13nm is 0.
It has a resolution of 1 μm. The projection imaging optical system 6 forms an image of the mask pattern on the surface of the wafer 7 held by the wafer stage 8.

【００５４】一度に露光される領域は幅0.5 ｍｍ、長さ
３０ｍｍの細い円弧状の領域であるので、マスク４とウ
ェファー７とを縮小倍率に応じた速度比で同期走査（ス
キャン）を行うことにより、３０ｍｍ角の露光領域にマ
スク４上のパターン全体を転写する。ウェファー７上の
一つの露光領域を露光した後、ウェファーステージ８を
動かしてウェファー７の位置をずらし（ステップし
て）、再度次の露光領域をスキャンしてパターンの転写
を行う。Since the area exposed at one time is a thin arc-shaped area having a width of 0.5 mm and a length of 30 mm, the mask 4 and the wafer 7 are synchronously scanned at a speed ratio corresponding to the reduction ratio. Thus, the entire pattern on the mask 4 is transferred to the exposure area of 30 mm square. After exposing one exposure area on the wafer 7, the wafer stage 8 is moved to shift (step) the position of the wafer 7, and the next exposure area is scanned again to transfer the pattern.

【００５５】このようなステップ・アンド・スキャン動
作を繰り返すことによって、直径が８インチから１２イ
ンチのウェファー７の全面へパターンの転写を行う。本
実施例のＸ線投影露光装置には、Ｘ線ビームスプリッタ
ー１を、その面内で振動させるための振動駆動手段（振
動手段の一例）１０１が設けられており、自立多層膜を
補強（支持）する梁（支持部）により露光領域の照度ム
ラが生じることを防ぐ。By repeating such a step-and-scan operation, a pattern is transferred onto the entire surface of the wafer 7 having a diameter of 8 inches to 12 inches. The X-ray projection exposure apparatus of this embodiment is provided with a vibration driving means (an example of a vibrating means) 101 for vibrating the X-ray beam splitter 1 in its plane, and reinforces (supports) the self-supporting multilayer film. It is possible to prevent unevenness of illuminance in the exposure area due to the beam (supporting portion).

【００５６】また、本実施例の露光装置には、予備のＸ
線ビームスプリッターを２０枚収納するＸ線ビームスプ
リッター収納部（収納手段の一例）１０３と、収納部１
０３から使用時の位置へＸ線ビームスプリッターを搬送
して交換する搬送手段（交換手段の一例）１０２が設け
られている。Ｘ線検出器１０（１０ａ，１０ｂ）によっ
てＸ線ビームスプリッター１の破損が検知されると、直
ちに搬送手段１０２により破損したＸ線ビームスプリッ
ター１は、収納部１０３に納められている予備品と交換
される。Further, the exposure apparatus of this embodiment has a spare X
X-ray beam splitter storage section (an example of storage means) 103 for storing 20 line beam splitters, and storage section 1
A carrier means (an example of a replacement means) 102 for carrying the X-ray beam splitter from 03 to a position for use and replacing the same is provided. When the damage of the X-ray beam splitter 1 is detected by the X-ray detector 10 (10a, 10b), the X-ray beam splitter 1 damaged by the transport means 102 is immediately replaced with a spare part stored in the storage unit 103. To be done.

【００５７】真空を破ってＸ線ビームスプリッター１を
交換し、再度所定の真空度まで排気する必要がないた
め、露光装置の運転停止時間を最小限に（数十秒間に）
とどめることができるので、スループットが大幅に向上
する。図１４は、入射角６０度のＸ線ビームスプリッタ
ーを用いた本発明にかかるＸ線投影露光装置の第３実施
例である。かかる装置は、不図示の真空チャンバー内に
設置されており、所定の真空度の下で動作するものであ
る。Since it is not necessary to break the vacuum and replace the X-ray beam splitter 1 and evacuate to a predetermined degree of vacuum again, the operation stop time of the exposure apparatus is minimized (to several tens of seconds).
Since it can be stopped, the throughput is significantly improved. FIG. 14 shows a third embodiment of the X-ray projection exposure apparatus according to the present invention, which uses an X-ray beam splitter with an incident angle of 60 degrees. Such a device is installed in a vacuum chamber (not shown) and operates under a predetermined degree of vacuum.

【００５８】Ｘ線源２には、レーザープラズマＸ線源を
用いている。照明光学系３から出たＸ線は、Ｘ線ビーム
スプリッター１を透過した後、マスクステージ５に保持
されたマスク４へ垂直に入射する。マスク４の直前に
は、露光領域を制限するための円弧状の開口をもったス
リット９が設置されている。このスリット上にはＸ線検
出器１０ｂが設けられておりＸ線の強度を監視する。As the X-ray source 2, a laser plasma X-ray source is used. The X-rays emitted from the illumination optical system 3 pass through the X-ray beam splitter 1 and then vertically enter the mask 4 held by the mask stage 5. Immediately before the mask 4, a slit 9 having an arc-shaped opening for limiting the exposure area is provided. An X-ray detector 10b is provided on this slit to monitor the intensity of X-rays.

【００５９】Ｘ線ビームスプリッター１が破損すると、
Ｘ線検出器１０ｂの出力は低下するので、破損を直ちに
検知することができる。マスク４で垂直に反射したＸ線
は、再度Ｘ線ビームスプリッター１へ入射してこれより
反射された後、投影結像光学系６へ入射する。本実施例
では、投影結像光学系６には２枚の球面形状の反射面で
３回反射するオフナー光学系を用いた。各反射面には、
Ｘ線を反射するためのモリブデンとシリコンからなる多
層膜がコーティングされている。When the X-ray beam splitter 1 is damaged,
Since the output of the X-ray detector 10b decreases, it is possible to immediately detect the damage. The X-rays reflected vertically by the mask 4 enter the X-ray beam splitter 1 again, are reflected therefrom, and then enter the projection imaging optical system 6. In this embodiment, an Offner optical system that reflects three times by two spherical reflecting surfaces is used as the projection imaging optical system 6. Each reflective surface has
A multilayer film made of molybdenum and silicon is coated to reflect X-rays.

【００６０】この光学系は、物体側（マスク側）と像側
（ウェファー側）の両側ともテレセントリックな光学系
である。この光学系の像側（ウェファー側）開口数は0.
08、縮小倍率は等倍であり、波長１３ｎｍにおいて0.1
μｍの解像力を有する。投影結像光学系６の後には、マ
スクステージ５とウェファーステージ８との干渉を防ぐ
ために、Ｘ線ビームを折り曲げるための平面形状の多層
膜ミラー１４１が設置されている。This optical system is a telecentric optical system on both the object side (mask side) and the image side (wafer side). The image side (wafer side) numerical aperture of this optical system is 0.
08, reduction ratio is 1x, 0.1 at wavelength 13nm
It has a resolution of μm. After the projection imaging optical system 6, in order to prevent interference between the mask stage 5 and the wafer stage 8, a planar multilayer mirror 141 for bending the X-ray beam is installed.

【００６１】投影結像光学系６は、ウェファーステージ
８に保持されたウェファー７の表面にマスクパターンの
像を形成する。一度に露光される領域は幅0.5 ｍｍ、長
さ３０ｍｍの細い円弧状の領域であるので、マスク４と
ウェファー７とを同じ速度で同期走査（スキャン）を行
うことにより、３０ｍｍ角の露光領域にマスク４上のパ
ターン全体を転写する。The projection imaging optical system 6 forms an image of the mask pattern on the surface of the wafer 7 held by the wafer stage 8. The area to be exposed at one time is a thin arc-shaped area having a width of 0.5 mm and a length of 30 mm. Therefore, the mask 4 and the wafer 7 are synchronously scanned at the same speed to form an exposure area of 30 mm square. The entire pattern on the mask 4 is transferred.

【００６２】ウェファー７上の一つの露光領域を露光し
た後、ウェファーステージ８を動かしてウェファー７の
位置をずらし（ステップして）、再度次の露光領域をス
キャンしてパターンの転写を行う。このようなステップ
・アンド・スキャン動作を繰り返すことによって、直径
が８インチから１２インチのウェファー７の全面へパタ
ーンの転写を行う。After exposing one exposure area on the wafer 7, the wafer stage 8 is moved to shift (step) the position of the wafer 7, and the next exposure area is scanned again to transfer the pattern. By repeating such a step-and-scan operation, a pattern is transferred onto the entire surface of the wafer 7 having a diameter of 8 inches to 12 inches.

【００６３】本実施例のＸ線投影露光装置には、Ｘ線ビ
ームスプリッター１を、その面内で振動させるための振
動駆動手段（振動手段の一例）１０１が設けられてお
り、自立多層膜を補強（支持）する梁（支持部）により
露光領域の照度ムラが生じることを防ぐ。また、本実施
例の露光装置には、予備のＸ線ビームスプリッターを２
０枚収納するＸ線ビームスプリッター収納部（収納手段
の一例）１０３と、収納部１０３から使用時の位置へＸ
線ビームスプリッターを搬送して交換する搬送手段（交
換手段の一例）１０２が設けられている。The X-ray projection exposure apparatus of this embodiment is provided with a vibration driving means (an example of a vibrating means) 101 for vibrating the X-ray beam splitter 1 in its plane, and a self-supporting multilayer film is formed. The reinforcing (supporting) beam (supporting portion) prevents unevenness of illuminance in the exposure area. Further, the exposure apparatus of the present embodiment is provided with a spare X-ray beam splitter.
An X-ray beam splitter storage section (an example of storage means) 103 for storing 0 sheets, and X from the storage section 103 to a position when in use
Conveying means (an example of exchanging means) 102 for conveying and exchanging the line beam splitter is provided.

【００６４】Ｘ線検出器１０によってＸ線ビームスプリ
ッター１の破損が検知されると、直ちに搬送手段１０２
により破損したＸ線ビームスプリッター１は、収納部１
０３に納められている予備品と交換される。真空を破っ
てＸ線ビームスプリッター１を交換し、再度所定の真空
度まで排気する必要がないため、露光装置の運転停止時
間を最小限に（数十秒間に）とどめることができるの
で、スループットが大幅に向上する。When the X-ray detector 10 detects the damage of the X-ray beam splitter 1, the transport means 102 immediately.
The X-ray beam splitter 1 damaged by
It will be replaced with a spare part stored in 03. Since it is not necessary to break the vacuum and replace the X-ray beam splitter 1 and to exhaust the vacuum to a predetermined degree of vacuum again, the operation stop time of the exposure apparatus can be minimized (to several tens of seconds), and the throughput can be improved. Greatly improved.

【００６５】[0065]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば反射型マ
スクへのＸ線の入射角を垂直にすることができるので、
従来のＸ線投影露光装置では使用できなかった物体側
（マスク側）テレセントリックな投影結像光学系を使用
することが可能となり、露光装置の結像性能を大幅に向
上することができる。As described above, according to the present invention, the incident angle of X-rays on the reflective mask can be made vertical,
It becomes possible to use an object side (mask side) telecentric projection imaging optical system which cannot be used in the conventional X-ray projection exposure apparatus, and it is possible to greatly improve the imaging performance of the exposure apparatus.

【００６６】また、本発明にかかるＸ線ビームスプリッ
ターの反射角度は、任意の値に設定することができるの
で、露光装置の構成要素（Ｘ線源、照明光学系、マスク
ステージ、投影結像光学系、ウェファーステージなど）
の配置の自由度が増し、露光装置全体をコンパクトに設
計することができる。Further, since the reflection angle of the X-ray beam splitter according to the present invention can be set to an arbitrary value, the constituent elements of the exposure apparatus (X-ray source, illumination optical system, mask stage, projection imaging optics). System, wafer stage, etc.)
The degree of freedom in arranging is increased, and the entire exposure apparatus can be designed compactly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明のＸ線投影露光装置の一例を示す構成図
である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of an X-ray projection exposure apparatus of the present invention.

【図２】本発明のＸ線投影露光装置の他例を示す構成図
である。FIG. 2 is a configuration diagram showing another example of the X-ray projection exposure apparatus of the present invention.

【図３】本発明にかかるＸ線ビームスプリッターの一例
を示す概略平面図（ａ）及び概略断面図（ｂ）である。FIG. 3 is a schematic plan view (a) and a schematic sectional view (b) showing an example of an X-ray beam splitter according to the present invention.

【図４】リングフィールド光学系の一例を示す概略斜視
図である。FIG. 4 is a schematic perspective view showing an example of a ring field optical system.

【図５】従来の軟Ｘ線投影露光装置の一例を示す構成図
である。FIG. 5 is a configuration diagram showing an example of a conventional soft X-ray projection exposure apparatus.

【図６】本発明にかかるＸ線ビームスプリッターを作製
する方法の一例（第１の製作方法）を説明する概略断面
図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example (first manufacturing method) of a method of manufacturing an X-ray beam splitter according to the present invention.

【図７】本発明にかかるＸ線ビームスプリッターを作製
する方法の一例（第２の製作方法）を説明する概略断面
図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating an example (second manufacturing method) of a method of manufacturing an X-ray beam splitter according to the present invention.

【図８】実施例に用いられる第１のＸ線ビームスプリッ
ターの反射透過特性図である。FIG. 8 is a reflection / transmission characteristic diagram of the first X-ray beam splitter used in the example.

【図９】実施例に用いられる第２のＸ線ビームスプリッ
ターの反射透過特性図である。FIG. 9 is a reflection / transmission characteristic diagram of a second X-ray beam splitter used in an example.

【図１０】実施例に用いられる第３のＸ線ビームスプリ
ッターの反射透過特性図である。FIG. 10 is a reflection / transmission characteristic diagram of a third X-ray beam splitter used in an example.

【図１１】実施例に用いられる第４のＸ線ビームスプリ
ッターの反射透過特性図である。FIG. 11 is a reflection / transmission characteristic diagram of a fourth X-ray beam splitter used in an example.

【図１２】本発明にかかるＸ線投影露光装置の第１実施
例を示す構成図である。FIG. 12 is a configuration diagram showing a first embodiment of an X-ray projection exposure apparatus according to the present invention.

【図１３】本発明にかかるＸ線投影露光装置の第２実施
例を示す構成図である。FIG. 13 is a configuration diagram showing a second embodiment of the X-ray projection exposure apparatus according to the present invention.

【図１４】本発明にかかるＸ線投影露光装置の第３実施
例を示す構成図である。FIG. 14 is a configuration diagram showing a third embodiment of an X-ray projection exposure apparatus according to the present invention.

【主要部分の符号の説明】[Explanation of symbols for main parts]

１ Ｘ線ビームスプリッター ２ Ｘ線源 ３ 照明光学系 ４ 反射型マスク ５ マスクステージ ６ 投影結像光学系 ７ ウェファー ８ ウェファーステージ ９ スリット １０ Ｘ線検出器（検知手段の一例） １１ 基板 １２ 窓部（開口部） １３ 多層膜 １４ 支持部 ２０ リングフィールド光学系 ２１ 光軸 ２２ リングフィールド ２３ マスク ２４ ウェファー ２５ 円弧状の露光領域 ６１ シリコンウェファー ６２ シリコンナイトライド膜 ６３ 多層膜 ６４ 窓部（開口部） ６５ 支持部 ７１ シリコンウェファー ７２ レジスト層 ７３ 多層膜 ７４ 基板 ７５ 窓部（開口部） ７６ 支持部 １０１ Ｘ線ビームスプリッター振動駆動手段（振動手
段の一例） １０２ Ｘ線ビームスプリッター搬送手段（交換手段の
一例） １０３ Ｘ線ビームスプリッター収納部（収納手段の一
例） 以 上1 X-ray beam splitter 2 X-ray source 3 Illumination optical system 4 Reflective mask 5 Mask stage 6 Projection imaging optical system 7 Wafer 8 Wafer stage 9 Slit 10 X-ray detector (an example of detection means) 11 Substrate 12 Window part ( 13) Multilayer film 14 Supporting part 20 Ringfield optical system 21 Optical axis 22 Ringfield 23 Mask 24 Wafer 25 Arcuate exposure area 61 Silicon wafer 62 Silicon nitride film 63 Multilayer film 64 Window (opening) 65 Support Part 71 Silicon wafer 72 Resist layer 73 Multilayer film 74 Substrate 75 Window (opening) 76 Support part 101 X-ray beam splitter vibration driving means (an example of a vibrating means) 102 X-ray beam splitter conveying means (an example of an exchanging means) 103 X-ray beam splitter storage (Example of storage means)

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 少なくとも、Ｘ線源と、該Ｘ線源から発
するＸ線を反射型マスク上に照射する照明光学系と、該
マスク上に形成されたパターンの像をウェファー上に投
影結像する投影結像光学系とからなるＸ線投影露光装置
において、 前記照明光学系からのＸ線の主光線を前記反射型マスク
の表面に垂直入射させかつ、前記反射型マスクで垂直反
射したＸ線の主光線を前記投影結像光学系へ、該光学系
の光軸と平行に入射させるＸ線ビームスプリッターを設
けたことを特徴とするＸ線投影露光装置。1. An X-ray source, an illumination optical system for irradiating an X-ray emitted from the X-ray source onto a reflective mask, and an image of a pattern formed on the mask projected onto a wafer. In the X-ray projection exposure apparatus including the projection imaging optical system, the X-rays are such that the principal ray of X-rays from the illumination optical system is vertically incident on the surface of the reflective mask and is vertically reflected by the reflective mask. An X-ray projection exposure apparatus is provided with an X-ray beam splitter for causing the principal ray of the above to enter the projection imaging optical system in parallel with the optical axis of the optical system. 【請求項２】 前記Ｘ線ビームスプリッターは、少なく
とも、開口部を有する基板と、該開口部を塞ぐように該
基板上に形成してなる自立多層膜とからなることを特徴
とする請求項１記載のＸ線投影露光装置。2. The X-ray beam splitter comprises at least a substrate having an opening and a self-supporting multilayer film formed on the substrate so as to cover the opening. The X-ray projection exposure apparatus described. 【請求項３】 前記Ｘ線ビームスプリッターの開口部
に、前記自立多層膜を支持する梁状の支持部を設けたこ
とを特徴とする請求項２記載のＸ線投影露光装置。3. The X-ray projection exposure apparatus according to claim 2, wherein a beam-shaped support portion that supports the self-supporting multilayer film is provided in the opening portion of the X-ray beam splitter. 【請求項４】 前記Ｘ線ビームスプリッターを、その表
面に対して平行な方向へ振動させる振動手段を設けたこ
とを特徴とする請求項１〜３記載のＸ線投影露光装置。4. The X-ray projection exposure apparatus according to claim 1, further comprising vibrating means for vibrating the X-ray beam splitter in a direction parallel to a surface thereof. 【請求項５】 前記Ｘ線ビームスプリッターの破損を検
知する検知手段を設けたことを特徴とする請求項１〜４
記載のＸ線投影露光装置。5. A detecting means for detecting breakage of the X-ray beam splitter is provided.
The X-ray projection exposure apparatus described. 【請求項６】 複数個のＸ線ビームスプリッターを収納
する収納手段と、前記検知手段により破損が検知された
Ｘ線ビームスプリッターを前記収納手段に収納されたＸ
線ビームスプリッターと交換する交換手段とを更に設け
たことを特徴とする請求項５記載のＸ線投影露光装置。6. A storage means for storing a plurality of X-ray beam splitters, and an X-ray beam splitter whose damage is detected by the detection means, stored in the storage means.
6. The X-ray projection exposure apparatus according to claim 5, further comprising exchange means for exchanging the line beam splitter. 【請求項７】 前記Ｘ線ビームスプリッターの、使用Ｘ
線に対する反射率と透過率とを等しく又は略等しくして
なることを特徴とする請求項１〜６記載のＸ線投影露光
装置。7. Use X of the X-ray beam splitter
7. The X-ray projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the reflectance and the transmittance for the rays are equal or substantially equal.
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