JPH07282977A - 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH07282977A JPH07282977A JP6064879A JP6487994A JPH07282977A JP H07282977 A JPH07282977 A JP H07282977A JP 6064879 A JP6064879 A JP 6064879A JP 6487994 A JP6487994 A JP 6487994A JP H07282977 A JPH07282977 A JP H07282977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- light
- light emitting
- fine particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 66
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 51
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 14
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 14
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 13
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C=C)=CC=CC3=CC2=C1 UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIDFGXDXQKPZMA-UHFFFAOYSA-N 14h-benz[4,5]isoquino[2,1-a]perimidin-14-one Chemical compound C1=CC(N2C(=O)C=3C4=C(C2=N2)C=CC=C4C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 NIDFGXDXQKPZMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydro-4H-imidazol-4-one Chemical compound O=C1CNC=N1 CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAIASDHEWOTKFL-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C)C=CC=1)C1=CC=CC=C1 OAIASDHEWOTKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical compound C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(N)C(N)=C3NC2=C1 VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N Imidazolidine Chemical compound C1CNCN1 WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 150000004697 chelate complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- NBGMRMDAEWWFIR-UHFFFAOYSA-N imidazole-2-thione Chemical compound S=C1N=CC=N1 NBGMRMDAEWWFIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical compound Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高輝度・高発光効率であり、発光劣化が少なく
信頼性の高いエレクトロルミネッセンス素子を提供する
ことを目的とする。 【構成】一対の電極間に、一層または複数層の有機化合
物薄膜よりなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッ
センス素子において、ガス中蒸発法により生成した微粒
子からなる有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及
び、該材料を含有するエレクトロルミネッセンス層を形
成してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 【効果】本発明の材料は、ガス中蒸発法により粒子径の
大きな粒子中に存在する原料、合成もしくは精製時に混
入した不純物を可能な限り除去してあるので、物理的も
しくは化学的成膜の際に均一な純度の高い薄膜を得るこ
とができる。本発明の材料を使用することにより、発光
強度が大きく、繰り返し使用時での安定性の優れた有機
エレクトロルミネッセンス素子を提供することが出来
る。
信頼性の高いエレクトロルミネッセンス素子を提供する
ことを目的とする。 【構成】一対の電極間に、一層または複数層の有機化合
物薄膜よりなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッ
センス素子において、ガス中蒸発法により生成した微粒
子からなる有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及
び、該材料を含有するエレクトロルミネッセンス層を形
成してなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 【効果】本発明の材料は、ガス中蒸発法により粒子径の
大きな粒子中に存在する原料、合成もしくは精製時に混
入した不純物を可能な限り除去してあるので、物理的も
しくは化学的成膜の際に均一な純度の高い薄膜を得るこ
とができる。本発明の材料を使用することにより、発光
強度が大きく、繰り返し使用時での安定性の優れた有機
エレクトロルミネッセンス素子を提供することが出来
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平面光源や表示に使用さ
れる有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関す
るものである。
れる有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】有機物質を使用したEL素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL素
子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から
構成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から注入された電子が陽極側から注入された
正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝
導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出
する現象である。
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL素
子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から
構成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から注入された電子が陽極側から注入された
正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝
導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出
する現象である。
【0003】従来の有機EL素子は、無機EL素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数100
cd/m2、最大発光効率は1.5lm/Wを達成し
て、実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、
現在までの有機EL素子は、構成の改善により発光強度
は改良されているが、未だ充分な発光輝度は有していな
い。また、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな
問題を持っている。従って、より大きな発光輝度を持
ち、繰り返し使用時での安定性の優れた有機EL素子の
開発が望まれているのが現状である。
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数100
cd/m2、最大発光効率は1.5lm/Wを達成し
て、実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、
現在までの有機EL素子は、構成の改善により発光強度
は改良されているが、未だ充分な発光輝度は有していな
い。また、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな
問題を持っている。従って、より大きな発光輝度を持
ち、繰り返し使用時での安定性の優れた有機EL素子の
開発が望まれているのが現状である。
【0004】有機EL素子を真空蒸着、スパッタリング
法により成膜する場合、高価な装置を必要とし、装置内
を高真空に保つ必要がある。また、発光効率の高い有機
EL素子を得るためには、EL層の成膜条件を厳密に制
御する必要がある。これらの問題は、素子化の省エネル
ギー化、大面積化を困難にしている。電界成膜、化学的
成膜法により薄膜を作成するには、成膜条件を厳密に管
理する必要があり、使用する原材料や装置が限定される
という問題点がある。
法により成膜する場合、高価な装置を必要とし、装置内
を高真空に保つ必要がある。また、発光効率の高い有機
EL素子を得るためには、EL層の成膜条件を厳密に制
御する必要がある。これらの問題は、素子化の省エネル
ギー化、大面積化を困難にしている。電界成膜、化学的
成膜法により薄膜を作成するには、成膜条件を厳密に管
理する必要があり、使用する原材料や装置が限定される
という問題点がある。
【0005】又、通常、有機化合物には、未反応物、中
間生成物、無機塩類等の不純物が多く含まれているの
で、有機EL素子材料として使用した場合には、それら
不純物が正孔もしくは電子伝導を妨げるトラップ、ある
いは正孔と電子の再結合励起を妨げるトラップとして作
用するので、良好な発光輝度や寿命を得ることは困難で
あった。
間生成物、無機塩類等の不純物が多く含まれているの
で、有機EL素子材料として使用した場合には、それら
不純物が正孔もしくは電子伝導を妨げるトラップ、ある
いは正孔と電子の再結合励起を妨げるトラップとして作
用するので、良好な発光輝度や寿命を得ることは困難で
あった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
強度が大きく、繰り返し使用時での安定性の優れた有機
EL素子の提供にある。更に本発明の目的は、高発光効
率、高輝度、色純度が良好な発光材料もしくは発光補助
材料の提供にある。更に本発明の目的は、電子もしくは
正孔の輸送効率を向上させ、応答速度が速く、大面積の
電極上にも高純度で平滑な有機EL層を作成できるキャ
リア輸送材料の提供にある。
強度が大きく、繰り返し使用時での安定性の優れた有機
EL素子の提供にある。更に本発明の目的は、高発光効
率、高輝度、色純度が良好な発光材料もしくは発光補助
材料の提供にある。更に本発明の目的は、電子もしくは
正孔の輸送効率を向上させ、応答速度が速く、大面積の
電極上にも高純度で平滑な有機EL層を作成できるキャ
リア輸送材料の提供にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、ガス中
蒸発法により生成した微粒子からなることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子材料。更に本発明
は、有機エレクトロルミネッセンス素子材料が発光材料
もしくは発光補助材料である上記有機エレクトロルミネ
ッセンス素子材料に関する。更に本発明は、有機エレク
トロルミネッセンス素子材料がキャリア輸送材料である
上記有機エレクトロルミネッセンス素子材料に関する。
更に本発明は、一対の電極間に、一層または複数層の有
機化合物薄膜よりなる発光層を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記有機
エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に
関する。
蒸発法により生成した微粒子からなることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子材料。更に本発明
は、有機エレクトロルミネッセンス素子材料が発光材料
もしくは発光補助材料である上記有機エレクトロルミネ
ッセンス素子材料に関する。更に本発明は、有機エレク
トロルミネッセンス素子材料がキャリア輸送材料である
上記有機エレクトロルミネッセンス素子材料に関する。
更に本発明は、一対の電極間に、一層または複数層の有
機化合物薄膜よりなる発光層を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記有機
エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に
関する。
【0008】ガス中蒸発法は、コイル状もしくはボート
状の直接加熱あるいは間接加熱をすることが出来る発熱
体に、有機EL素子材料をセットし、低圧のAr、H
e、窒素、酸素、アンモニア等のガスを導入した容器内
で、発熱体を加熱して材料を昇華、蒸発させる方法であ
る。Ar、He、窒素等のガスを使用して純度の高い有
機化合物微粒子を得ることができ、酸素ガスを使用して
酸素ドーピングさせることもできる。蒸発は10ー5〜1
0Toorの圧力下で行なわれる。蒸発物は、容器中の
ガス分子と衝突して微粒子化され、微粒子の大きさは、
昇華温度、ガスの種類、ガスの流量、圧力等により制御
出来る。微粒子の粒子径は5nm〜10μmの範囲で制
御可能であり、好ましくは10nm〜100nmの範囲
の粒子径が好ましい。ガス中蒸発法により微粒子を作製
する方法は、例えば、特開平1−162705号、特開
平2−97501号、特開平2−131134号、特開
平2−153008号、特開平2−153807号、特
開平3−70738号、特公平3−52401号等に記
載されている。
状の直接加熱あるいは間接加熱をすることが出来る発熱
体に、有機EL素子材料をセットし、低圧のAr、H
e、窒素、酸素、アンモニア等のガスを導入した容器内
で、発熱体を加熱して材料を昇華、蒸発させる方法であ
る。Ar、He、窒素等のガスを使用して純度の高い有
機化合物微粒子を得ることができ、酸素ガスを使用して
酸素ドーピングさせることもできる。蒸発は10ー5〜1
0Toorの圧力下で行なわれる。蒸発物は、容器中の
ガス分子と衝突して微粒子化され、微粒子の大きさは、
昇華温度、ガスの種類、ガスの流量、圧力等により制御
出来る。微粒子の粒子径は5nm〜10μmの範囲で制
御可能であり、好ましくは10nm〜100nmの範囲
の粒子径が好ましい。ガス中蒸発法により微粒子を作製
する方法は、例えば、特開平1−162705号、特開
平2−97501号、特開平2−131134号、特開
平2−153008号、特開平2−153807号、特
開平3−70738号、特公平3−52401号等に記
載されている。
【0009】本発明の有機EL素子に使用する、発光材
料、発光補助材料、キャリア輸送材料は、真空もしくは
不活性ガス中で昇華が可能であれば何れの化合物であっ
ても良く、染料、顔料等の有機低分子化合物、金属錯
体、モノマー、オリゴマー、ポリマー等の高分子系化合
物の中から選択されるいずれの材料であっても良い。本
発明の有機EL素子材料は、微粒子であり不純物も少な
いので、高効率の発光が可能である。また、発光層、正
孔注入層、電子注入層において、必要があれば公知の発
光材料、発光補助材料、正孔輸送材料、電子輸送材料を
併せて使用することもできる。
料、発光補助材料、キャリア輸送材料は、真空もしくは
不活性ガス中で昇華が可能であれば何れの化合物であっ
ても良く、染料、顔料等の有機低分子化合物、金属錯
体、モノマー、オリゴマー、ポリマー等の高分子系化合
物の中から選択されるいずれの材料であっても良い。本
発明の有機EL素子材料は、微粒子であり不純物も少な
いので、高効率の発光が可能である。また、発光層、正
孔注入層、電子注入層において、必要があれば公知の発
光材料、発光補助材料、正孔輸送材料、電子輸送材料を
併せて使用することもできる。
【0010】発光材料は、電場を印加することにより蛍
光発光する能力を持ち、その蛍光量子効率、発光色、発
光色純度が高く、またその化合物自身も、正孔および/
または電子を輸送する機能を併せ持ち、かつ薄膜形成能
の優れた化合物が望ましい。発光補助材料としては、発
光材料からのエネルギー遷移により、有機EL素子とし
ての輝度もしくは発光色を制御する機能が必要とされ
る。公知の発光材料または発光補助材料としては、アン
トラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テト
ラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレ
ン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フ
タロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエ
ン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジア
ゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチ
リル、ピラジン、シクロペンタジエン、オキシン、アミ
ノキノリン、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアン
トラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラ
ン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート
化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等およ
びそれらの誘導体があるが、これらに限定されるもので
はない。
光発光する能力を持ち、その蛍光量子効率、発光色、発
光色純度が高く、またその化合物自身も、正孔および/
または電子を輸送する機能を併せ持ち、かつ薄膜形成能
の優れた化合物が望ましい。発光補助材料としては、発
光材料からのエネルギー遷移により、有機EL素子とし
ての輝度もしくは発光色を制御する機能が必要とされ
る。公知の発光材料または発光補助材料としては、アン
トラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テト
ラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレ
ン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フ
タロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエ
ン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジア
ゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチ
リル、ピラジン、シクロペンタジエン、オキシン、アミ
ノキノリン、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアン
トラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラ
ン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート
化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等およ
びそれらの誘導体があるが、これらに限定されるもので
はない。
【0011】正孔輸送材料としては、正孔を輸送する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
【0012】電子輸送材料としては、電子を輸送する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオ
キシド、オキサジアゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔輸送材料に電子受容物
質を、電子輸送材料に電子供与性物質を添加することに
より増感させることもできる。
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオ
キシド、オキサジアゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔輸送材料に電子受容物
質を、電子輸送材料に電子供与性物質を添加することに
より増感させることもできる。
【0013】本発明の有機EL素子を構成する各層は、
微粒子を真空蒸着、スパッタリング等の物理的手法、微
粒子を必要があれば樹脂とともに分散した塗液を塗布す
る塗布法、LB膜法、プラズマ重合法等の化学的手法に
より形成される。真空蒸着やスパッタリングにより作製
されるEL層は、通常は1Toor以下の低真空容器中
で、材料を加熱して透明電極基板上に薄膜を形成する。
雰囲気は、真空もしくは窒素、塩素、水素、アンモニ
ア、Ar、He等の何れでもよい。化学的手法で使用さ
れる樹脂は公知であり、ポリビニルブチラール、ポリア
クリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノ
キシ、アクリル、アクリルポリオール、ポリアミド、ウ
レタン、エポキシ、シリコン、ポリスチレン、セルロー
ス、ポリ塩化ビニル、塩酢ビ共重合体、フェノール、メ
ラミン樹脂等、もしくはこれら樹脂の混合物でも良い。
これらの樹脂もしくは作製した塗液にイソシアネート、
メラミン等を添加して、熱硬化、UV光もしくは電子線
硬化により有機EL層を形成しても良い。有機EL層の
膜厚は、0.01〜10μmが好ましい。
微粒子を真空蒸着、スパッタリング等の物理的手法、微
粒子を必要があれば樹脂とともに分散した塗液を塗布す
る塗布法、LB膜法、プラズマ重合法等の化学的手法に
より形成される。真空蒸着やスパッタリングにより作製
されるEL層は、通常は1Toor以下の低真空容器中
で、材料を加熱して透明電極基板上に薄膜を形成する。
雰囲気は、真空もしくは窒素、塩素、水素、アンモニ
ア、Ar、He等の何れでもよい。化学的手法で使用さ
れる樹脂は公知であり、ポリビニルブチラール、ポリア
クリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノ
キシ、アクリル、アクリルポリオール、ポリアミド、ウ
レタン、エポキシ、シリコン、ポリスチレン、セルロー
ス、ポリ塩化ビニル、塩酢ビ共重合体、フェノール、メ
ラミン樹脂等、もしくはこれら樹脂の混合物でも良い。
これらの樹脂もしくは作製した塗液にイソシアネート、
メラミン等を添加して、熱硬化、UV光もしくは電子線
硬化により有機EL層を形成しても良い。有機EL層の
膜厚は、0.01〜10μmが好ましい。
【0014】図2〜4に、本発明で使用される有機EL
素子の模式図の一例を示した。図中、一般的に電極Aで
ある(17)は陽極であり、電極Bである(21)は陰
極である。また、(電極A/発光層/電子注入層/電極
B)の層構成で積層した有機EL素子もあり、本発明の
有機EL素子材料は、どの素子構成においても好適に使
用することが出来る。図2の発光層(19)には、必要
があれば本発明の有機EL素子材料に加えて、公知の発
光物質、発光補助材料、キャリア輸送を行う正孔輸送材
料や電子輸送材料を併せて使用することもできる。図3
の構造は、発光層(19)と正孔注入層(18)を分離
している。この構造により、正孔注入層(18)から発
光層(19)への正孔注入効率が向上して、発光輝度や
発光効率を増加させることができる。この場合、発光効
率のためには、発光層に使用される発光物質自身が電子
輸送性であること、または発光層中に電子輸送輸送材料
を添加して発光層を電子輸送性にすることが望ましい。
素子の模式図の一例を示した。図中、一般的に電極Aで
ある(17)は陽極であり、電極Bである(21)は陰
極である。また、(電極A/発光層/電子注入層/電極
B)の層構成で積層した有機EL素子もあり、本発明の
有機EL素子材料は、どの素子構成においても好適に使
用することが出来る。図2の発光層(19)には、必要
があれば本発明の有機EL素子材料に加えて、公知の発
光物質、発光補助材料、キャリア輸送を行う正孔輸送材
料や電子輸送材料を併せて使用することもできる。図3
の構造は、発光層(19)と正孔注入層(18)を分離
している。この構造により、正孔注入層(18)から発
光層(19)への正孔注入効率が向上して、発光輝度や
発光効率を増加させることができる。この場合、発光効
率のためには、発光層に使用される発光物質自身が電子
輸送性であること、または発光層中に電子輸送輸送材料
を添加して発光層を電子輸送性にすることが望ましい。
【0015】図4の構造は、正孔注入層(18)に加え
て電子注入層(20)を有し、発光層(19)での正孔
と電子の再結合の効率を向上させている。このように、
有機EL素子を多層構造にすることにより、クエンチン
グによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。図3お
よび図4の素子においても、必要があれば、発光物質、
発光補助材料、キャリア輸送を行う正孔輸送材料や電子
輸送材料を組み合わせて使用することが出来る。また、
正孔注入層、発光層、電子注入層の各層は、それぞれ二
層以上の層構成により形成されても良い。
て電子注入層(20)を有し、発光層(19)での正孔
と電子の再結合の効率を向上させている。このように、
有機EL素子を多層構造にすることにより、クエンチン
グによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。図3お
よび図4の素子においても、必要があれば、発光物質、
発光補助材料、キャリア輸送を行う正孔輸送材料や電子
輸送材料を組み合わせて使用することが出来る。また、
正孔注入層、発光層、電子注入層の各層は、それぞれ二
層以上の層構成により形成されても良い。
【0016】有機EL素子の陽極に使用される導電性物
質としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが好
適であり、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板
と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さ
らにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹
脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質として
は、4eVより小さな仕事関数を持つものが好適であ
り、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン等およ
びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるも
のではない。陽極および陰極は、必要があれば二層以上
の層構成により形成されていても良い。
質としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが好
適であり、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板
と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さ
らにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹
脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質として
は、4eVより小さな仕事関数を持つものが好適であ
り、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン等およ
びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるも
のではない。陽極および陰極は、必要があれば二層以上
の層構成により形成されていても良い。
【0017】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、(17)で示される電極Aまたは(21)で示さ
れる電極Bのうち、少なくとも一方は素子の発光波長領
域において充分透明にすることが望ましい。また、基板
(16)も透明であることが望ましい。透明電極は、上
記した導電性物質を使用して、蒸着やスパッタリング等
の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光
を取り出す電極は、光透過率を10%以上にすることが
望ましい。基板(16)は、機械的、熱的強度を有し、
透明なものであれば限定されるものではないが、例示す
ると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエーテルサル
フォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられ
る。
めに、(17)で示される電極Aまたは(21)で示さ
れる電極Bのうち、少なくとも一方は素子の発光波長領
域において充分透明にすることが望ましい。また、基板
(16)も透明であることが望ましい。透明電極は、上
記した導電性物質を使用して、蒸着やスパッタリング等
の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光
を取り出す電極は、光透過率を10%以上にすることが
望ましい。基板(16)は、機械的、熱的強度を有し、
透明なものであれば限定されるものではないが、例示す
ると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエーテルサル
フォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられ
る。
【0018】本発明に係わる有機EL素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が好適であるが、20nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。本発明の微粒子により有機EL層
を形成させる場合、必要とする膜厚よりもその微粒子の
平均粒子径を小さくする必要がある。本発明の微粒子
は、50nm以下、必要があれば20nm以下の平均粒
子径を有しているので、本発明の有機EL素子として好
適である。
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が好適であるが、20nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。本発明の微粒子により有機EL層
を形成させる場合、必要とする膜厚よりもその微粒子の
平均粒子径を小さくする必要がある。本発明の微粒子
は、50nm以下、必要があれば20nm以下の平均粒
子径を有しているので、本発明の有機EL素子として好
適である。
【0019】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロフォルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等の適切な溶媒に溶解または分散させた液を使用して薄
膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。ま
た、いずれの有機層においても、成膜性向上、膜のピン
ホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良
い。このような樹脂としては、ポリスチレン、ポリカー
ボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミ
ド、ウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリメチルアクリレート等の絶縁性樹脂、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹
脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙
げることができる。
を、クロロフォルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等の適切な溶媒に溶解または分散させた液を使用して薄
膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。ま
た、いずれの有機層においても、成膜性向上、膜のピン
ホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良
い。このような樹脂としては、ポリスチレン、ポリカー
ボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミ
ド、ウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリメチルアクリレート等の絶縁性樹脂、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹
脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙
げることができる。
【0020】本発明により得られた有機EL素子の、温
度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素
子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入
して素子全体を保護することも可能である。以上のよう
に、本発明では有機EL素子に微粒子化合物を用いたた
め、発光効率と発光輝度を高くできた。また、この素子
は熱や電流に対して非常に安定であり、さらには低い駆
動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得られるため、
従来まで大きな問題であった劣化も大幅に低下させるこ
とができた。本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。以下、本発明を実施例に基
づきさらに詳細に説明する。本発明の有機EL素子は発
光効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成するものであ
り、併せて使用される発光物質、発光補助材料、正孔輸
送材料、電子輸送材料、増感剤、樹脂、電極材料等およ
び素子作製方法を限定するものではない。
度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素
子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入
して素子全体を保護することも可能である。以上のよう
に、本発明では有機EL素子に微粒子化合物を用いたた
め、発光効率と発光輝度を高くできた。また、この素子
は熱や電流に対して非常に安定であり、さらには低い駆
動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得られるため、
従来まで大きな問題であった劣化も大幅に低下させるこ
とができた。本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。以下、本発明を実施例に基
づきさらに詳細に説明する。本発明の有機EL素子は発
光効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成するものであ
り、併せて使用される発光物質、発光補助材料、正孔輸
送材料、電子輸送材料、増感剤、樹脂、電極材料等およ
び素子作製方法を限定するものではない。
【0021】
【実施例】トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体の
微粒子作成法 図4に示す微粒子蒸発室(1)内の昇華ボート(10)
の中に、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウ
ム錯体(Alq3)を20g入れ、蒸着室を10-5To
rrまで排気した後、Heガスを導入して真空度を0.
1Toorに調整する。昇華ボート内のAlq3を30
0℃で30分間加熱し、冷却板(3)により冷却した回
収フィルム(4)上に微粒子を沈着させた。回収した微
粒子の粉末X線回折パターン、赤外線吸収スペクトルか
らAlq3であることを確認した。16.6gのAlq
3微粒子が得られ、電子顕微鏡写真から測定した平均粒
子径は10nmであった。次に、Heガスの導入量を調
節することにより、昇華時の真空度を変えて、Alq3
微粒子を作成した。昇華時の真空度と作成した微粒子の
平均粒子径を表1に示す。
微粒子作成法 図4に示す微粒子蒸発室(1)内の昇華ボート(10)
の中に、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウ
ム錯体(Alq3)を20g入れ、蒸着室を10-5To
rrまで排気した後、Heガスを導入して真空度を0.
1Toorに調整する。昇華ボート内のAlq3を30
0℃で30分間加熱し、冷却板(3)により冷却した回
収フィルム(4)上に微粒子を沈着させた。回収した微
粒子の粉末X線回折パターン、赤外線吸収スペクトルか
らAlq3であることを確認した。16.6gのAlq
3微粒子が得られ、電子顕微鏡写真から測定した平均粒
子径は10nmであった。次に、Heガスの導入量を調
節することにより、昇華時の真空度を変えて、Alq3
微粒子を作成した。昇華時の真空度と作成した微粒子の
平均粒子径を表1に示す。
【0022】 表1 微粒子番号 昇華時の真空度(Toor) 微粒子の平均粒子径(nm) 1 0.1 10 2 0.5 21 3 1 52 4 5 75
【0023】銅フタロシアニンの微粒子作成法 図4に示す微粒子蒸発室(1)内の昇華ボート(10)
の中に、銅フタロシアニン(CuPc)を20g入れ、
蒸着室を10-5Torrまで排気した後、真空度が0.
1ToorになるようにArガスを導入する。昇華ボー
ト内のCuPcを350℃で30分間加熱し、冷却板
(3)により冷却した回収フィルム(4)上に微粒子を
沈着させた。回収した微粒子の粉末X線回折パターン、
赤外線吸収スペクトルからCuPcであることを確認し
た。15.3gのCuPc微粒子が得られ、電子顕微鏡
写真から測定した平均粒子径は12nmであった。次
に、Arガスの導入量を調節することにより、昇華時の
真空度を変えて、CuPc微粒子を作成した。昇華時の
真空度と作成した微粒子の平均粒子径を表2に示す。
の中に、銅フタロシアニン(CuPc)を20g入れ、
蒸着室を10-5Torrまで排気した後、真空度が0.
1ToorになるようにArガスを導入する。昇華ボー
ト内のCuPcを350℃で30分間加熱し、冷却板
(3)により冷却した回収フィルム(4)上に微粒子を
沈着させた。回収した微粒子の粉末X線回折パターン、
赤外線吸収スペクトルからCuPcであることを確認し
た。15.3gのCuPc微粒子が得られ、電子顕微鏡
写真から測定した平均粒子径は12nmであった。次
に、Arガスの導入量を調節することにより、昇華時の
真空度を変えて、CuPc微粒子を作成した。昇華時の
真空度と作成した微粒子の平均粒子径を表2に示す。
【0024】 表2 微粒子番号 昇華時の真空度(Toor) 微粒子の平均粒子径(nm) 5 0.1 12 6 0.5 25 7 1 60 8 5 88
【0025】無置換キナクリドンの微粒子作成法 図4に示す微粒子蒸発室(1)内の昇華ボート(10)
の中に、無置換キナクリドンを20g入れ、蒸着室を1
0-5Torrまで排気した後、真空度が0.1Toor
になるようにHeガスを導入する。昇華ボート内の無置
換キナクリドンを300℃で30分間加熱し、冷却板
(3)により冷却した回収フィルム(4)上に微粒子を
沈着させた。回収した微粒子の粉末X線回折パターン、
赤外線吸収スペクトルから無置換キナクリドンであるこ
とを確認した。17.3gの無置換キナクリドン微粒子
(微粒子番号9)が得られ、電子顕微鏡写真から測定し
た平均粒子径は15nmであった。
の中に、無置換キナクリドンを20g入れ、蒸着室を1
0-5Torrまで排気した後、真空度が0.1Toor
になるようにHeガスを導入する。昇華ボート内の無置
換キナクリドンを300℃で30分間加熱し、冷却板
(3)により冷却した回収フィルム(4)上に微粒子を
沈着させた。回収した微粒子の粉末X線回折パターン、
赤外線吸収スペクトルから無置換キナクリドンであるこ
とを確認した。17.3gの無置換キナクリドン微粒子
(微粒子番号9)が得られ、電子顕微鏡写真から測定し
た平均粒子径は15nmであった。
【0026】実施例1〜4 洗浄したITO電極付きガラス板上に、Alq3、N,
N'―ジフェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―
1,1'―ビフェニル―4,4'―ジアミン、ポリ−N−
ビニルカルバゾールを3:2:5の比率でクロロフォル
ムに溶解分散させ、スピンコーティング法により膜厚1
00nmの発光層を得た。その上に、マグネシウムと銀
を10:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形
成して、図2に示す有機EL素子を得た。この素子は直
流電圧5Vで表3に示す発光特性が得られた。
N'―ジフェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―
1,1'―ビフェニル―4,4'―ジアミン、ポリ−N−
ビニルカルバゾールを3:2:5の比率でクロロフォル
ムに溶解分散させ、スピンコーティング法により膜厚1
00nmの発光層を得た。その上に、マグネシウムと銀
を10:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形
成して、図2に示す有機EL素子を得た。この素子は直
流電圧5Vで表3に示す発光特性が得られた。
【0027】 表3 実施例 Alq3微粒子番号 初期発光輝度(cd/m2) 1 1 330 2 2 280 3 3 250 4 4 190
【0028】実施例5 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N'―ジフ
ェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―1,1'―
ビフェニル―4,4'―ジアミンを真空蒸着して、膜厚
40nmの正孔注入層を得た。次いで、微粒子番号1の
Alq3を真空蒸着して膜厚30nmの発光層を作成
し、その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した
合金で膜厚100nmの電極を形成して、図3に示す有
機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は10-6T
orrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。
この素子は直流電圧5Vで約530cd/m2の発光が
得られた。
ェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―1,1'―
ビフェニル―4,4'―ジアミンを真空蒸着して、膜厚
40nmの正孔注入層を得た。次いで、微粒子番号1の
Alq3を真空蒸着して膜厚30nmの発光層を作成
し、その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した
合金で膜厚100nmの電極を形成して、図3に示す有
機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は10-6T
orrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。
この素子は直流電圧5Vで約530cd/m2の発光が
得られた。
【0029】実施例6 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N'―ジフ
ェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―1,1'―
ビフェニル―4,4'―ジアミンを真空蒸着して、膜厚
40nmの正孔注入層を得た。次いで、微粒子番号1の
Alq3をクロロホルムに分散した液をスピンコートし
て膜厚30nmの発光層を作成し、その上に、マグネシ
ウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの
電極を形成して、図3に示す有機EL素子を得た。この
素子は直流電圧5Vで約620cd/m2の発光が得ら
れた。
ェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―1,1'―
ビフェニル―4,4'―ジアミンを真空蒸着して、膜厚
40nmの正孔注入層を得た。次いで、微粒子番号1の
Alq3をクロロホルムに分散した液をスピンコートし
て膜厚30nmの発光層を作成し、その上に、マグネシ
ウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの
電極を形成して、図3に示す有機EL素子を得た。この
素子は直流電圧5Vで約620cd/m2の発光が得ら
れた。
【0030】実施例7〜10 洗浄したITO電極付きガラス板上に、微粒子番号5〜
8のCuPcをテトラヒドロフラン中に分散した液をス
ピンコートして膜厚30nmの正孔注入層を得た。次い
で、微粒子番号1のAlq3をクロロホルムに分散した
液をスピンコートして膜厚30nmの発光層を作成し、
その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金
で膜厚100nmの電極を形成して、図3に示す有機E
L素子を得た。この素子は直流電圧5Vで表4に示す発
光特性が得られた。
8のCuPcをテトラヒドロフラン中に分散した液をス
ピンコートして膜厚30nmの正孔注入層を得た。次い
で、微粒子番号1のAlq3をクロロホルムに分散した
液をスピンコートして膜厚30nmの発光層を作成し、
その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金
で膜厚100nmの電極を形成して、図3に示す有機E
L素子を得た。この素子は直流電圧5Vで表4に示す発
光特性が得られた。
【0031】 表4 実施例 CuPc微粒子番号 初期発光輝度(cd/m2) 7 5 930 8 6 900 9 7 790 10 8 735
【0032】実施例11 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N'―ジフ
ェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―1,1'―
ビフェニル―4,4'―ジアミンを真空蒸着して、膜厚
40nmの正孔注入層を得た。次いで、微粒子番号1の
Alq3と微粒子番号9の無置換キナクリドン微粒子を
50:1の割合で真空蒸着して膜厚50nmの発光層を
作成し、その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合
した合金で膜厚150nmの膜厚の電極を形成して図3
に示す有機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は
10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸
着した。この素子は直流電圧5Vで約1200cd/m
2の発光が得られた。
ェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―1,1'―
ビフェニル―4,4'―ジアミンを真空蒸着して、膜厚
40nmの正孔注入層を得た。次いで、微粒子番号1の
Alq3と微粒子番号9の無置換キナクリドン微粒子を
50:1の割合で真空蒸着して膜厚50nmの発光層を
作成し、その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合
した合金で膜厚150nmの膜厚の電極を形成して図3
に示す有機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は
10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸
着した。この素子は直流電圧5Vで約1200cd/m
2の発光が得られた。
【0033】実施例12 洗浄したITO電極付きガラス板上に、微粒子番号5の
CuPcを真空蒸着して、膜厚30nmの正孔注入層を
得た。次いで、真空蒸着法により微粒子番号1のAlq
3の膜厚20nmの発光層を作成し、さらに真空蒸着法
により[2−(4−tert−ブチルフェニル)−5−
(ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]の膜
厚20nmの電子注入層を得た。その上に、マグネシウ
ムと銀を10:1で混合した合金で膜厚150nmの電
極を形成して図4に示す有機EL素子を得た。この素子
は直流電圧5Vで約890cd/m2の発光が得られ
た。
CuPcを真空蒸着して、膜厚30nmの正孔注入層を
得た。次いで、真空蒸着法により微粒子番号1のAlq
3の膜厚20nmの発光層を作成し、さらに真空蒸着法
により[2−(4−tert−ブチルフェニル)−5−
(ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]の膜
厚20nmの電子注入層を得た。その上に、マグネシウ
ムと銀を10:1で混合した合金で膜厚150nmの電
極を形成して図4に示す有機EL素子を得た。この素子
は直流電圧5Vで約890cd/m2の発光が得られ
た。
【0034】比較例1 発光層に微粒子化していないAlq3(平均粒子径1.
5μm)を使用する以外は、実施例1と同じ方法で有機
EL素子を作成した。この素子は直流電圧5Vで約11
0cd/m2の発光が得られた。 比較例2 正孔輸送層に微粒子化していないCuPc(平均粒子径
2μm)を使用する以外は、実施例7と同じ方法で有機
EL素子を作成した。この素子は直流電圧5Vで約33
0cd/m2の発光が得られた。本実施例で示された全
ての有機EL素子は、1mA/cm2で連続発光させた
ところ、2000時間以上の寿命を観測することができ
た。しかしながら、比較例1および2の素子は、500
時間以下の寿命しか観測できなかった。ここで寿命と
は、有機EL素子を連続発光させた際、初期発光輝度に
対して半減量になるまでの時間を示す。
5μm)を使用する以外は、実施例1と同じ方法で有機
EL素子を作成した。この素子は直流電圧5Vで約11
0cd/m2の発光が得られた。 比較例2 正孔輸送層に微粒子化していないCuPc(平均粒子径
2μm)を使用する以外は、実施例7と同じ方法で有機
EL素子を作成した。この素子は直流電圧5Vで約33
0cd/m2の発光が得られた。本実施例で示された全
ての有機EL素子は、1mA/cm2で連続発光させた
ところ、2000時間以上の寿命を観測することができ
た。しかしながら、比較例1および2の素子は、500
時間以下の寿命しか観測できなかった。ここで寿命と
は、有機EL素子を連続発光させた際、初期発光輝度に
対して半減量になるまでの時間を示す。
【0035】
【発明の効果】ガス中蒸発法では、不活性ガス中で蒸発
分子が集合もしくは合体して微粒子を形成するので、欠
陥や汚染の少ない微粒子を得ることが出来る。また、ガ
ス中蒸発法による微粒子作製法は、精製や生成粒子の粒
子径の制御が容易、粒子径の粒度分布がシャープ、収率
が高い、微粒子の純度が高いという利点がある。このた
め、本発明では微粒子化段階での不純物の混入が少な
く、発光材料としては、高発光効率、高輝度、色純度が
良好となり、更に、電子もしくは正孔の輸送効率が向上
する。又、キャリア輸送材料としては、電子もしくは正
孔の輸送効率が向上しているために、応答速度が速く、
大面積の電極上にも高純度で平滑な有機EL層を作成す
ることが出来る。したがって、本発明により、従来に比
べて高発光効率、高輝度であり、長寿命の有機EL素子
を得ることができた。
分子が集合もしくは合体して微粒子を形成するので、欠
陥や汚染の少ない微粒子を得ることが出来る。また、ガ
ス中蒸発法による微粒子作製法は、精製や生成粒子の粒
子径の制御が容易、粒子径の粒度分布がシャープ、収率
が高い、微粒子の純度が高いという利点がある。このた
め、本発明では微粒子化段階での不純物の混入が少な
く、発光材料としては、高発光効率、高輝度、色純度が
良好となり、更に、電子もしくは正孔の輸送効率が向上
する。又、キャリア輸送材料としては、電子もしくは正
孔の輸送効率が向上しているために、応答速度が速く、
大面積の電極上にも高純度で平滑な有機EL層を作成す
ることが出来る。したがって、本発明により、従来に比
べて高発光効率、高輝度であり、長寿命の有機EL素子
を得ることができた。
【図1】実施例で使用したガス中蒸発法装置の概略図。
【図2】実施例で使用した有機EL素子の概略構造を表
す断面図
す断面図
【図3】実施例で使用した有機EL素子の概略構造を表
す断面図
す断面図
【図4】実施例で使用した有機EL素子の概略構造を表
す断面図
す断面図
1.微粒子蒸発室 2.回収ロール 3.冷却板 4.フィルム 5.排気口 6.真空計 7.真空バルブ 8.真空ポンプ 9.下部ガス導入口 10.昇華ボート 11.試料 12.蒸発用加熱電源 13.微粒子回収室 14.冷却メッシュ板 15.上部ガス導入口 16.基板 17.電極A 18.正孔注入層 19.発光層 20.電子注入層 21.電極B
Claims (4)
- 【請求項1】 ガス中蒸発法により生成した微粒子から
なることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子材料。 - 【請求項2】 有機エレクトロルミネッセンス素子材料
が発光材料もしくは発光補助材料である請求項1記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 - 【請求項3】 有機エレクトロルミネッセンス素子材料
がキャリア輸送材料である請求項1記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子材料。 - 【請求項4】 一対の電極間に、一層または複数層の有
機化合物薄膜よりなる発光層を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、少なくとも一層が請求項1
ないし3記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料
を含有する層であることを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6064879A JPH07282977A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6064879A JPH07282977A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07282977A true JPH07282977A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13270854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6064879A Pending JPH07282977A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07282977A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000041443A1 (fr) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
JP2002373786A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 発光素子及び表示装置 |
US7439669B2 (en) | 2003-05-29 | 2008-10-21 | Seiko Epson Corporation | Light emitting material, method of manufacturing the light emitting material and method of manufacturing light emitting layer |
-
1994
- 1994-04-01 JP JP6064879A patent/JPH07282977A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000041443A1 (fr) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
JP3290432B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2002-06-10 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6617051B1 (en) * | 1998-12-28 | 2003-09-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
KR100424235B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2004-03-24 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 |
US7045950B2 (en) | 1998-12-28 | 2006-05-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device with organic compound layer containing lower than 500 PPM of a halogen-containing compound |
CN1298061C (zh) * | 1998-12-28 | 2007-01-31 | 出光兴产株式会社 | 有机场致发光装置和选择该装置用有机材料的方法 |
JP2002373786A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 発光素子及び表示装置 |
US7439669B2 (en) | 2003-05-29 | 2008-10-21 | Seiko Epson Corporation | Light emitting material, method of manufacturing the light emitting material and method of manufacturing light emitting layer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2365735B1 (en) | Luminescent element material and luminescent element comprising the same | |
EP0681019B1 (en) | Phenylanthracene derivative and organic EL element | |
EP1063869B1 (en) | Method for selecting organic compounds for organic electroluminescent device | |
US5142343A (en) | Organic electroluminescence device with oligomers | |
JP3606025B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2002100482A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH053080A (ja) | 有機エレクトロルミネツセンス素子 | |
JP3475620B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2982699B2 (ja) | 多層型有機エレクトロルミネッセンス素子の電子注入層形成用材料 | |
JP2003040845A (ja) | 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH05159882A (ja) | 電子注入性電極の製造方法およびこの方法を用いた有機el素子の製造方法 | |
JP2004103401A (ja) | 素子および該素子の製造方法 | |
JPH05331458A (ja) | 有機電界発光素子 | |
US5500568A (en) | Organic El device | |
JPH0726255A (ja) | 有機el素子 | |
JP3982164B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP2002110357A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子用金属錯体の形成方法 | |
JP3235241B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH07282977A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4224921B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH06212151A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3428051B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH0997676A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3151987B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3170926B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |