JPH07273138A - ワイヤボンデイング法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄形パッケージ用デバイスに対応するループ
高さを得るに好適な、金又は金合金を対象とした、ワイ
ヤボンディング方法を提供する。 【構成】 金合金ワイヤ1の先端のボール形成時に、ボ
ール4直上部およびその付近に向かって開口したノズル
6から水素混合ガス7を噴出しつつ、このボール4直上
部およびその付近を冷却雰囲気Cに保ちながらボンディ
ングをする。
高さを得るに好適な、金又は金合金を対象とした、ワイ
ヤボンディング方法を提供する。 【構成】 金合金ワイヤ1の先端のボール形成時に、ボ
ール4直上部およびその付近に向かって開口したノズル
6から水素混合ガス7を噴出しつつ、このボール4直上
部およびその付近を冷却雰囲気Cに保ちながらボンディ
ングをする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子上のチップ
電極と外部リードとを電気的に接続する、金又は金を含
む合金の、ワイヤのボンディング方法に関する。
電極と外部リードとを電気的に接続する、金又は金を含
む合金の、ワイヤのボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】金細線は、耐食性があり、且つ、ボンデ
ィング性に優れているためにICのパッケージに多用さ
れているが、近年、半導体デバイスの高密度実装に伴う
パッケージの小型化のために、薄型の樹脂モールドパッ
ケージが必要となっている。そのためワイヤボンディン
グ工程において、薄型パッケージに対応させるために、
接合ループ高さを低くすることが要望されている。
ィング性に優れているためにICのパッケージに多用さ
れているが、近年、半導体デバイスの高密度実装に伴う
パッケージの小型化のために、薄型の樹脂モールドパッ
ケージが必要となっている。そのためワイヤボンディン
グ工程において、薄型パッケージに対応させるために、
接合ループ高さを低くすることが要望されている。
【0003】そこで、この目的を達成するための従来の
一般的な手段は、この金細線そのものの組成に種々の工
夫を凝らす、つまり高純度にしたり、微量の添加元素を
加えたりする、ことで対応しているのが現状で、種々の
金又は金合金細線が公表されている(一例としては、特
開昭63−70105号公報)。
一般的な手段は、この金細線そのものの組成に種々の工
夫を凝らす、つまり高純度にしたり、微量の添加元素を
加えたりする、ことで対応しているのが現状で、種々の
金又は金合金細線が公表されている(一例としては、特
開昭63−70105号公報)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等も、これら
多くの提案を実用に供したり、新たに本発明者等独自に
開発したもの等を用いてチップの電極表面とリードフレ
ームとをボンディングしてみたが、機械的にループコン
トロールせず素直なボンディンクを施した場合、ループ
高さは概ね160μm 程度にしかならず、これ以下にす
ることは困難であった。従って、組成(ドーピング)の
改良では満足する低いループ高さを得ることがでず、こ
の手段では限界があることが判った。
多くの提案を実用に供したり、新たに本発明者等独自に
開発したもの等を用いてチップの電極表面とリードフレ
ームとをボンディングしてみたが、機械的にループコン
トロールせず素直なボンディンクを施した場合、ループ
高さは概ね160μm 程度にしかならず、これ以下にす
ることは困難であった。従って、組成(ドーピング)の
改良では満足する低いループ高さを得ることがでず、こ
の手段では限界があることが判った。
【0005】そこで、本発明者達は、視点を全く変え
て、ワイヤボンディング工程に解決の糸口を見出すべく
鋭意研究を重ねた結果、ワイヤボンディング工程におい
て、ワイヤ先端と電極とで放電し、ワイヤ先端を溶融し
てボールを形成する際に、ボール直上部およびその付近
を冷却することで、ボール直上部およびその上にかけて
の金又は金合金細線のボール形成時の熱による再結晶領
域長さを短くでき、従来の低ループ特有の金又は金合金
細線よりもさらにループ高さを低くできることを見出し
て、本発明をするに至った。
て、ワイヤボンディング工程に解決の糸口を見出すべく
鋭意研究を重ねた結果、ワイヤボンディング工程におい
て、ワイヤ先端と電極とで放電し、ワイヤ先端を溶融し
てボールを形成する際に、ボール直上部およびその付近
を冷却することで、ボール直上部およびその上にかけて
の金又は金合金細線のボール形成時の熱による再結晶領
域長さを短くでき、従来の低ループ特有の金又は金合金
細線よりもさらにループ高さを低くできることを見出し
て、本発明をするに至った。
【0007】従って、本発明の目的は、薄型パッケージ
用デバイスに好適な低いループ高さが得られる金又は金
合金を対象としたワイヤボンディング方法を提供するこ
とにある。
用デバイスに好適な低いループ高さが得られる金又は金
合金を対象としたワイヤボンディング方法を提供するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は金又は金を含む合金のワイヤを被ボンデ
ィング位置にボンディングさせるに際して、少なくとも
ワイヤ先端のボール形成時に、ボール直上部およびその
付近を、当該部位に向かって噴出する冷却用気体6によ
って形成される、冷却雰囲気Cに保ちながらボンディン
グすることを特徴とするものである。
めに、本発明は金又は金を含む合金のワイヤを被ボンデ
ィング位置にボンディングさせるに際して、少なくとも
ワイヤ先端のボール形成時に、ボール直上部およびその
付近を、当該部位に向かって噴出する冷却用気体6によ
って形成される、冷却雰囲気Cに保ちながらボンディン
グすることを特徴とするものである。
【0008】冷却用気体6は、前記ボール直上部および
その付近に向かって開口したノズル7、キャピラリ3の
周部、更にはこれらノズル7とキャピラリ3の周部の両
方から噴出されるようにすると好都合である。
その付近に向かって開口したノズル7、キャピラリ3の
周部、更にはこれらノズル7とキャピラリ3の周部の両
方から噴出されるようにすると好都合である。
【0009】本発明では、低温雰囲気Cを得るのに、常
温の、水素混合ガス、He,N2 ,Ar等の不活性ガ
ス、空気のいずれかを使用することができる。
温の、水素混合ガス、He,N2 ,Ar等の不活性ガ
ス、空気のいずれかを使用することができる。
【0010】
【作用】本発明におけるワイヤボンディング方法は、金
又は金を含む合金のワイヤを被ボンディング位置にボン
ディングさせるに際して、少なくともワイヤ先端のボー
ル形成時に、ボール直上部およびその付近を低温雰囲気
Cに保ちながらボンディングすることによって、低温雰
囲気Cに保たれていない手段に較べ、ボール形成時の熱
影響による再結晶領域が約3分の2(約33%)の短さ
に短縮され、ボール部から極めて近い位置に固さの最小
位置が形成され、該部分の変形抵抗が他の部分よりも相
対的に小さくなり、よりボールに近い部分で大きく曲げ
られる。
又は金を含む合金のワイヤを被ボンディング位置にボン
ディングさせるに際して、少なくともワイヤ先端のボー
ル形成時に、ボール直上部およびその付近を低温雰囲気
Cに保ちながらボンディングすることによって、低温雰
囲気Cに保たれていない手段に較べ、ボール形成時の熱
影響による再結晶領域が約3分の2(約33%)の短さ
に短縮され、ボール部から極めて近い位置に固さの最小
位置が形成され、該部分の変形抵抗が他の部分よりも相
対的に小さくなり、よりボールに近い部分で大きく曲げ
られる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図2に示されるように、スプール(図外)に巻装さ
れた金合金ワイヤ1はクランパ2を介してキャピラリ3
に挿通される。このキャピラリ3の先端から突出した金
合金ワイヤ1の先端近傍にボール4を形成するための電
気トーチのトーチ電極5が設置される。
る。図2に示されるように、スプール(図外)に巻装さ
れた金合金ワイヤ1はクランパ2を介してキャピラリ3
に挿通される。このキャピラリ3の先端から突出した金
合金ワイヤ1の先端近傍にボール4を形成するための電
気トーチのトーチ電極5が設置される。
【0012】図1にも示されるように、前記ボール4を
形成する冷却雰囲気C、特にキャピラリ3下端から金合
金ワイヤ1先端までの冷却雰囲気、を保つために、この
キャピラリ3下端から金合金ワイヤ1先端までにわたる
範囲に、冷却用気体を吹き出すためのノズル7、一例と
して開口内径約2mm、が左右一対設けられ、これらのノ
ズル7から常温(室温程度:15〜30℃の適宜の範
囲)の冷却用気体6が噴出される。
形成する冷却雰囲気C、特にキャピラリ3下端から金合
金ワイヤ1先端までの冷却雰囲気、を保つために、この
キャピラリ3下端から金合金ワイヤ1先端までにわたる
範囲に、冷却用気体を吹き出すためのノズル7、一例と
して開口内径約2mm、が左右一対設けられ、これらのノ
ズル7から常温(室温程度:15〜30℃の適宜の範
囲)の冷却用気体6が噴出される。
【0013】金合金ワイヤ1は、この冷却用気体6の噴
出によって形成される冷却雰囲気Cのもとで、キャピラ
リ3の先端から繰り出され、この位置でトーチ電極5が
金合金ワイヤ1の先端に誘導され、高電圧パルスが印加
され、トーチ電極5と金合金ワイヤ1の先端との間で放
電eしボール4が形成される。
出によって形成される冷却雰囲気Cのもとで、キャピラ
リ3の先端から繰り出され、この位置でトーチ電極5が
金合金ワイヤ1の先端に誘導され、高電圧パルスが印加
され、トーチ電極5と金合金ワイヤ1の先端との間で放
電eしボール4が形成される。
【0014】このボール形成時は、前記の通り、キャピ
ラリ3下端から金合金ワイヤ1先端までの間が、ノズル
7から噴出する常温の冷却用気体6により、冷却雰囲気
Cに保たれているから、ボール直上部およびその上にか
けての金合金ワイヤ1のボール形成時の熱による再結晶
領域長さを、冷却雰囲気に保たない手段に較べて約3分
の2(約33%)の長さに短縮することができ、ボール
部から極めて近い位置に固さの最小位置が形成され、該
部分の変形抵抗が他の部分よりも相対的に小さくなり、
よりボール4に近い部分で大きく曲げられ、図3に示さ
れるように、そのループ高さhを、低ループ特有の金又
は金合金ワイヤを単にボンディングした場合のループ高
さh1 に較べて、さらに確実に低くできた。
ラリ3下端から金合金ワイヤ1先端までの間が、ノズル
7から噴出する常温の冷却用気体6により、冷却雰囲気
Cに保たれているから、ボール直上部およびその上にか
けての金合金ワイヤ1のボール形成時の熱による再結晶
領域長さを、冷却雰囲気に保たない手段に較べて約3分
の2(約33%)の長さに短縮することができ、ボール
部から極めて近い位置に固さの最小位置が形成され、該
部分の変形抵抗が他の部分よりも相対的に小さくなり、
よりボール4に近い部分で大きく曲げられ、図3に示さ
れるように、そのループ高さhを、低ループ特有の金又
は金合金ワイヤを単にボンディングした場合のループ高
さh1 に較べて、さらに確実に低くできた。
【0015】このボール3のボンディング後、リードフ
レーム8の予め定められたボンディング位置に2ndボン
ディングを施す。この2ndボンディング工程では、敢え
て冷却用気体6を噴出する必要はない。しかし、必要に
応じて、ボンディング全工程中、この冷却雰囲気Cを保
持するようにしてもよい。
レーム8の予め定められたボンディング位置に2ndボン
ディングを施す。この2ndボンディング工程では、敢え
て冷却用気体6を噴出する必要はない。しかし、必要に
応じて、ボンディング全工程中、この冷却雰囲気Cを保
持するようにしてもよい。
【0016】尚、前記冷却用気体6は、水素混合ガスと
してはN2 とH2 との混合ガスが好ましい。またこの水
素混合ガスの他には、例えばHe,N2 ,Ar等の不活
性ガス、更には空気等も使用できる。
してはN2 とH2 との混合ガスが好ましい。またこの水
素混合ガスの他には、例えばHe,N2 ,Ar等の不活
性ガス、更には空気等も使用できる。
【0017】更に、前記キャピラリ3内に前記冷却用気
体6を供給しつつ、キャピラリ3の先端からこの冷却用
気体6を噴出させることによって、前記冷却雰囲気Cを
保つ構成も採用できる。具体的には、図4に示されるよ
うに、キャピラリ3の金合金ワイヤ1の入口側に、冷却
用気体6をキャピラリ3周部を通ってキャピラリ3下端
から金合金ワイヤ1先端側に向かって噴出させる噴出管
9が、このキャピラリ3の外周部周りに冷却用気体6の
流路10が形成される間隔を設けて外嵌され、この噴出
管9の上端に、コンプレッサー等の適宜の冷却用気体供
給源11に接続された、供給管12が接続されている。
この供給管12から供給された冷却用気体6は噴出管9
内に充満するとともに、キャピラリ3内にも充満し、キ
ャピラリ3の外周の流路10下端から下方に向かって勢
い良く噴出し、キャピラリ3下端から金合金ワイヤ1先
端までを冷却雰囲気Cに保つことができる。この時、前
記キャピラリ3内も冷却用気体6が充満するので、ワイ
ヤの充分な冷却作用を期待できる。また、キャピラリ3
内の冷却用気体6をキャピラリ先端からも噴出させるこ
とができるために、冷却用気体6がワイヤ1の全周部を
被覆するような形で流れ、冷却雰囲気Cを更に良好に保
つように作用する。
体6を供給しつつ、キャピラリ3の先端からこの冷却用
気体6を噴出させることによって、前記冷却雰囲気Cを
保つ構成も採用できる。具体的には、図4に示されるよ
うに、キャピラリ3の金合金ワイヤ1の入口側に、冷却
用気体6をキャピラリ3周部を通ってキャピラリ3下端
から金合金ワイヤ1先端側に向かって噴出させる噴出管
9が、このキャピラリ3の外周部周りに冷却用気体6の
流路10が形成される間隔を設けて外嵌され、この噴出
管9の上端に、コンプレッサー等の適宜の冷却用気体供
給源11に接続された、供給管12が接続されている。
この供給管12から供給された冷却用気体6は噴出管9
内に充満するとともに、キャピラリ3内にも充満し、キ
ャピラリ3の外周の流路10下端から下方に向かって勢
い良く噴出し、キャピラリ3下端から金合金ワイヤ1先
端までを冷却雰囲気Cに保つことができる。この時、前
記キャピラリ3内も冷却用気体6が充満するので、ワイ
ヤの充分な冷却作用を期待できる。また、キャピラリ3
内の冷却用気体6をキャピラリ先端からも噴出させるこ
とができるために、冷却用気体6がワイヤ1の全周部を
被覆するような形で流れ、冷却雰囲気Cを更に良好に保
つように作用する。
【0018】また、冷却雰囲気Cは、図4に示されるよ
うに、図1及び図2に示されるノズル7からと前記キャ
ピラリ3の周部及び先端からとの両方から冷却用気体6
を噴出させて形成することもできる。この場合は、前記
冷却雰囲気Cの形成、保持が一段と確実に行えて、前記
低ループ化を一層確実に、しかも高精度に現出させるこ
とができる。
うに、図1及び図2に示されるノズル7からと前記キャ
ピラリ3の周部及び先端からとの両方から冷却用気体6
を噴出させて形成することもできる。この場合は、前記
冷却雰囲気Cの形成、保持が一段と確実に行えて、前記
低ループ化を一層確実に、しかも高精度に現出させるこ
とができる。
【0019】次に、金純度が99.99 重量%以上の電解金
を用いて、イットリウム、カルシウム、ベリリウム、鉛
を配合してなる特願平6−21919号の金合金を夫々
高周波真空溶解炉で溶解鋳造し、その鋳塊を圧延した
後、常温で伸線加工を行い最終線径を30μmφの金合
金細線とし、焼鈍して伸び値が4%になるように調質す
る。
を用いて、イットリウム、カルシウム、ベリリウム、鉛
を配合してなる特願平6−21919号の金合金を夫々
高周波真空溶解炉で溶解鋳造し、その鋳塊を圧延した
後、常温で伸線加工を行い最終線径を30μmφの金合
金細線とし、焼鈍して伸び値が4%になるように調質す
る。
【0020】得られた金合金ワイヤ1を用いて、図3に
示されるように、半導体チップ12の電極表面とリード
フレーム8との段差Hを420μm、ボンディング距離
Lを2mmの条件で、図1に示されるように、ノズル7か
ら、冷却用気体6(本実施例では20〜22℃の適宜の
範囲)を噴出させて冷却雰囲気Cを形成し、アーク放電
によりボール4を形成し、ワイヤボンディングを行い、
ボンディング後の半導体素子10の電極表面よりループ
最高部までのループ高さhを、光学顕微鏡で、測定し
た。その結果を表1に示す。尚、アーク放電により金合
金ワイヤ1先端に形成されたボールの径は70〜80μ
m、また、ボンディングにより半導体チップ12の電極
表面に圧着形成された圧着ボール径は105μmであっ
た。また、冷却用気体6の温度は一般的な室温の範囲
内、即ち15〜30℃、でも初期の目的を十二分に達成
できた。
示されるように、半導体チップ12の電極表面とリード
フレーム8との段差Hを420μm、ボンディング距離
Lを2mmの条件で、図1に示されるように、ノズル7か
ら、冷却用気体6(本実施例では20〜22℃の適宜の
範囲)を噴出させて冷却雰囲気Cを形成し、アーク放電
によりボール4を形成し、ワイヤボンディングを行い、
ボンディング後の半導体素子10の電極表面よりループ
最高部までのループ高さhを、光学顕微鏡で、測定し
た。その結果を表1に示す。尚、アーク放電により金合
金ワイヤ1先端に形成されたボールの径は70〜80μ
m、また、ボンディングにより半導体チップ12の電極
表面に圧着形成された圧着ボール径は105μmであっ
た。また、冷却用気体6の温度は一般的な室温の範囲
内、即ち15〜30℃、でも初期の目的を十二分に達成
できた。
【0021】
【表1】
【0022】表1から理解されるように、本発明に係る
ワイヤボンディング法を採用した場合には、特願平6−
21919号に示される化学成分の金合金に関しては、
N2とH2 の混合ガスを採用した場合は、ループ高さh
は、比較例に示した冷却雰囲気Cを形成しない手段に較
べて平均して約10%、最大で約17%も低くでき、ま
た、空気を採用した場合でも平均して約5%、最大で約
12%低くできることが認められた。
ワイヤボンディング法を採用した場合には、特願平6−
21919号に示される化学成分の金合金に関しては、
N2とH2 の混合ガスを採用した場合は、ループ高さh
は、比較例に示した冷却雰囲気Cを形成しない手段に較
べて平均して約10%、最大で約17%も低くでき、ま
た、空気を採用した場合でも平均して約5%、最大で約
12%低くできることが認められた。
【0023】
【発明の効果】本発明のワイヤボンディング方法は、第
1表から理解される通り、約155〜136μmの低ル
ープ高さを可能にし、従来の金合金の組成を改良するだ
けの手立てで低ループ化を図る場合に較べて、更に低い
ループ高さが確実に得られる。従って、薄型パッケージ
用デバイスに対応するループ高さを得るには好適なワイ
ヤボンディング方法であり、従ってまた、産業利用上多
大な価値を有すると言える。
1表から理解される通り、約155〜136μmの低ル
ープ高さを可能にし、従来の金合金の組成を改良するだ
けの手立てで低ループ化を図る場合に較べて、更に低い
ループ高さが確実に得られる。従って、薄型パッケージ
用デバイスに対応するループ高さを得るには好適なワイ
ヤボンディング方法であり、従ってまた、産業利用上多
大な価値を有すると言える。
【0024】また、実施例に示されるように、冷却用気
体6を、ボール4直上部およびその付近に向かって開口
したノズル7とキャピラリ3の周部との両方から噴出す
るようにした場合には、低温雰囲気Cの形成並びに保持
により有効で、前記低ループ化を一層確実に、しかも精
度高く現出できる。
体6を、ボール4直上部およびその付近に向かって開口
したノズル7とキャピラリ3の周部との両方から噴出す
るようにした場合には、低温雰囲気Cの形成並びに保持
により有効で、前記低ループ化を一層確実に、しかも精
度高く現出できる。
【図1】本発明ワイヤボンディング方法の要部の拡大説
明図である。
明図である。
【図2】本発明ワイヤボンディング方法を実施するため
のワイヤボンディング装置の一例を示す要部の説明図で
ある。
のワイヤボンディング装置の一例を示す要部の説明図で
ある。
【図3】本発明ワイヤボンディング方法の実施例の試験
条件の説明図である。
条件の説明図である。
【図4】本発明ワイヤボンディング方法を実施するため
のワイヤボンディング装置の別の手段を示す要部の説明
図である。
のワイヤボンディング装置の別の手段を示す要部の説明
図である。
1─金合金ワイヤ、3─キャピラリ、4─ボール、6─
冷却用気体、7─ノズル、8─リードフレーム、10─半
導体チップ、C─冷却雰囲気、H─チップ段差、h─ル
ープ高さ、L─ボンディング距離。
冷却用気体、7─ノズル、8─リードフレーム、10─半
導体チップ、C─冷却雰囲気、H─チップ段差、h─ル
ープ高さ、L─ボンディング距離。
Claims (5)
- 【請求項1】 金又は金を含む合金のワイヤを被ボンデ
ィング位置にボンディングさせるに際して、少なくとも
ワイヤ先端のボール形成時に、ボール4直上部およびそ
の付近を、当該部位に向かって噴出する冷却用気体6に
よって形成される、冷却雰囲気Cに保ちながらボンディ
ングすることを特徴とするワイヤボンディング法。 - 【請求項2】 冷却用気体6を、前記ボール4直上部お
よびその付近に向かって開口したノズル7から噴出する
請求項1記載のワイヤボンディング法。 - 【請求項3】 冷却用気体6を、キャピラリ3の周部か
ら噴出する請求項1記載のワイヤボンディング方法。 - 【請求項4】 冷却用気体6を、前記ボール4直上部お
よびその付近に向かって開口したノズル7とキャピラリ
3の周部とから噴出する請求項1記載のワイヤボンディ
ング法。 - 【請求項5】 冷却用気体6は、常温の、水素混合ガ
ス、He,N2 ,Arなどの不活性ガスさらには空気の
いずれかである請求項1記載のワイヤボンディング方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6087417A JPH07273138A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ワイヤボンデイング法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6087417A JPH07273138A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ワイヤボンデイング法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07273138A true JPH07273138A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13914308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6087417A Pending JPH07273138A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ワイヤボンデイング法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07273138A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294975A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Kulicke & Soffa Industries Inc | ワイヤーボンディング用の酸化減少システム |
KR100889346B1 (ko) * | 2007-06-07 | 2009-03-18 | 고병완 | 와이어 본딩 장치 |
JP2009124093A (ja) * | 2007-03-07 | 2009-06-04 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8066170B2 (en) | 2008-06-10 | 2011-11-29 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Gas delivery system for reducing oxidation in wire bonding operations |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6087417A patent/JPH07273138A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294975A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Kulicke & Soffa Industries Inc | ワイヤーボンディング用の酸化減少システム |
JP2009124093A (ja) * | 2007-03-07 | 2009-06-04 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100889346B1 (ko) * | 2007-06-07 | 2009-03-18 | 고병완 | 와이어 본딩 장치 |
US8066170B2 (en) | 2008-06-10 | 2011-11-29 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Gas delivery system for reducing oxidation in wire bonding operations |
US8313015B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-11-20 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Gas delivery system for reducing oxidation in wire bonding operations |
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