JPH07272314A

JPH07272314A - 光情報記録媒体

Info

Publication number: JPH07272314A
Application number: JP7047753A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ishiguro; 隆石黒; Ariake Shin; 有明辛; Emiko Hamada; 恵美子浜田; Yuji Arai; 雄治新井
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1995-02-13
Filing date: 1995-02-13
Publication date: 1995-10-20
Anticipated expiration: 2013-12-09
Also published as: JP2834420B2

Abstract

(57)【要約】【目的】データの再生に際し、ＣＤ規格に規定する範
囲内のブロックエラーレートの出力信号が得られ、しか
も、プレス等の手段を用いず、簡便な手段でピットを形
成することができ、そのため少量出版に適した光情報記
録媒体。【構成】透光性を有する基板１上に少なくとも光吸収
層２、反射層３が順次形成されている。光吸収層２は色
素膜からなり、この光吸収層２より基板１側に吸収層２
側へ突出したピット５が形成されている。基板１側から
入射させた読取り用レーザ光の前記ピット５の部分とそ
れ以外の部分の反射光の光学的位相差により記録された
信号を読み取る。光吸収層２に対して反射層３の背後側
に、ピット５が形成された層より硬度の高い硬質層を有
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、透明な基板上に少なく
とも光吸収層と反射層を有し、基板側から光吸収層に入
射したレーザ光により、光吸収層より基板側にある層に
光吸収層側に突出したピットを形成し、基板側から入射
させた読取り用レーザ光の前記ピットの部分とそれ以外
の部分の反射光の光学的位相差により記録された信号を
読み取る光情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光の照射により、データを記録す
ることができる、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒
体は、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｍｎ等の金属層や、シアニン、メロ
シアニン、フタロシアニン等の色素層等からなる記録層
を有し、レーザ光の照射により、前記記録層を変形、昇
華、蒸発或は変性させる等の手段で、透孔状のピットを
形成し、データを記録する。この記録層を有する光情報
記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の変形、昇
華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層の背後に
空隙を設けることが一般に行なわれている。具体的には
例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積層する、いわゆ
るエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がとられ
る。

【０００３】このような孔明けピットを形成するタイプ
の光情報記録媒体は、光吸収材料の光を吸収する性質を
利用し、孔明けピット部分とそれ以外の部分とでの光の
透過率の違いにより生じる反射光量の差で再生コントラ
ストをとる。つまり、反射光を読みとるが、基本的には
透過形の光情報記録媒体と変わらず、再生コントラスト
をとるメカニズムが、いわば吸光形ともいうべき光情報
記録媒体である。

【０００４】一方、予めデータが記録され、その後のデ
ータの書き込みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光
情報記録媒体が情報処理や音響部門で既に広く実用化さ
れている。この種の光情報記録媒体は、前記のような記
録層を持たず、記録データを再生するためのピットを予
めプレス等の手段でポリカーボネート製の基板の上に形
成し、この上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属膜から
なる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったも
のである。

【０００５】このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的
なものが音響部門や情報処理部門等で広く実用化されて
いるコンパクトディスク、いわゆるＣＤであり、このＣ
Ｄの記録、再生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマッ
トとして規格化され、これに準拠する再生装置は、コン
パクトディスクプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて
広く普及している。前記光情報記録媒体は、何れのもの
も中心に回転軸にクランプするための孔を有する円板状
形態、すなわち光ディスクの形態をとる。

【０００６】

【発明が解決しようとしている課題】前記光情報記録媒
体は、やはりＣＤと同じ再生手段を使用するものである
ため、既に広く普及したＣＤに準拠することが強く望ま
れる。しかしながら、前記のような孔明けピットを形成
するタイプの光情報記録媒体では、吸収層が除去されな
かった部分、つまりピットでない部分での反射光の強度
は低レベルとなり、吸収層が除去された部分、つまりピ
ット部分での反射光の強度が高レベルとなる。従って、
その反射光を捉えた場合、いわゆる位相形であるＣＤと
は逆に、一面の吸光層により暗くなった背景の中に、開
孔による明るいピットが存在することになる。このた
め、反射率を高めれば再生コントラストが低くなり、再
生コントラストを高めようとすれば反射率が低くなると
いう結果を招く。それ故、高い反射率が求められるＣＤ
規格のもとで、反射率と変調度の点で共に同規格をクリ
アすることはできなかった。

【０００７】他方、既に広く普及したＣＤは、記録デー
タを再生するためのピットを有するポリカーボネート製
の基板を、プレス等の手段で成形しなければならないた
め、大量出版向きのもので、コスト等の面から少量出版
には不向きである。本発明は、前記従来の問題点を解消
するためなされたもので、データの再生に際し、ＣＤ規
格に規定する範囲内のブロックエラーレートの出力信号
が得られ、しかも、プレス等の手段を用いず、簡便な手
段でピットを形成することができ、そのため少量出版に
適した光情報記録媒体を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明による
光情報記録媒体は、透光性を有する基板１上に少なくと
も光吸収層２、反射層３が順次形成された光情報記録媒
体において、前記光吸収層２が色素膜からなり、この光
吸収層２より基板１側に吸収層２側へ突出したピット５
が形成され、前記光吸収層２に対して反射層３の背後側
に、ピット５が形成された層より硬度の高い硬質層を有
し、前記基板１側から入射させた読取り用レーザ光の前
記ピット５の部分とそれ以外の部分の反射光の光学的位
相差により記録された信号を読み取ることを特徴とする
ものである。

【０００９】さらに、前記硬質層のロックウェル硬度
は、ＡＳＴＭＤ７８５においてＭ７５以上であり、その
熱変形温度は、ＡＳＴＭＤ６４８（４．６ｋｇ／ｃｍ
2 ）において８０℃以上であることを特徴とする。この
ような硬質層は、反射層３上に紫外線硬化性樹脂のスピ
ンコート膜により形成された保護層４をもって兼ねるこ
とができる。光吸収層２は、透光性基板上の一部の領域
に形成し、同光吸収層２の無い領域を、予め信号再生用
のプレピット９が形成された予記録領域１０とすること
もできる。後に形成されるピット５は、通常基板１や光
吸収層２に隣接した変形しやすい層に形成される。

【００１０】

【作用】本発明による光情報記録媒体では、光吸収層２
より基板１側に吸収層２側へ突出したピット５が形成さ
れているが、このようなピット５は、基板１側から光吸
収層２にレーザスポットを当てることで、色素膜である
光吸収層２がこのレーザ光を吸収し、基板１側の層の変
形を引き起こすことで形成される。この場合、光吸収層
２に対して反射層３の背後側に、ピット５が形成された
層より硬度の高い硬質層を有するため、基板１側の層の
変形作用が反射層３側の層には及ばずに、基板１側の層
にのみ、光吸収層２側に突出した明瞭なピット５が形成
されることになる。

【００１１】このようにして形成されたピット５は、基
板１側から入射させた読取り用レーザ光の反射光に光学
的位相差を生じさせる記録用のピットとなり、それは、
成形により形成された一般のＣＤのプレピットときわめ
て近いものである。そして、反射層３の背後側には変形
が起こりにくく、その変形を原因とする二次的な反射光
が生じないため、再生波形の歪がなく、ブロックエラー
レートを低く抑えることができる。従って、この光情報
記録媒体は市販のＣＤプレーヤで再生できる。

【００１２】また、本発明による光情報記録媒体では、
後述するように、記録信号の再生コントラストは、透光
性基板１側から読取り用のレーザ光を照射したとき、ピ
ット５の部分とそれ以外の部分の光学的位相差により生
じる反射光量の差でとられる。このタイプの光情報記録
媒体では、ピット５の部分での反射光の強度が低レベル
となり、それ以外の部分での反射光の強度が高レベルと
なる。このため、反射率を高くする程再生コントラスト
を高くしやすくなり、反射率と変調度の点でＣＤ規格を
同時にクリアしやすくなる。

【００１３】前記ピット５を形成するため、光吸収層２
にレーザスポットを当てたとき、同層に発生するエネル
ギは、熱エネルギを伴う。このため、硬質層６が熱変形
温度の高い層である場合も前記と同様にブロックエラー
レートを低く抑えるのに有効である。本発明者らは、実
験の結果、前記ピット５により、ＣＤ規格に準拠した再
生信号を得るためには、硬質層がロックウェル硬度ＡＳ
ＴＭＤ７８５においてＭ７５以上または、熱変形温度Ａ
ＳＴＭＤ６４８（４．６ｋｇ／ｃｍ² ）において８０
℃以上である必要があることを見出だした。例えば、ポ
リカーボネート基板上に、シアニン色素系の光吸収層
２、Ａｕ蒸着膜からなる反射層３及び紫外線硬化性樹脂
のスピンコート膜を紫外線硬化させた硬質層を形成した
光情報記録媒体の場合の硬質層の硬度とブロックエラー
レートとの関係は、具体的には図９のように示される。

【００１４】さらに、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８
（４．６ｋｇ／ｃｍ² ）において８０℃以上であると、
耐熱試験を行ったときの記録されたピット５の形状の保
存性が非常に高いことがわかった。図１０のグラフは、
前記の光情報記録媒体の場合を例として、その温度７０
℃、湿度２５％ＲＨの下でのブロックエラーレートの再
生時の経時変化を示したものである。このグラフからわ
かるように、熱変形温度が高ければ高いほどブロックエ
ラーレートの劣化が少ないことがわかる。

【００１５】反射層３の背後に設けた硬質層は、前記の
ような紫外線硬化性樹脂のスピンコート膜が用えるの
で、光吸収層２や反射層３を外力や酸化等の化学的変化
から保護するため、反射層３の上に形成される保護層４
を硬質層とすることもできる。すなわち、本発明のよう
に、反射層３の上に前記の条件を満足する紫外線硬化性
樹脂のスピンコート膜からなる保護層４を形成すれば、
それを硬質層とすることができる。これにより、形態上
も一般のＣＤと同様の光情報記録媒体が得られることに
なる。

【００１６】さらに、透光性基板１上の一部の領域に前
記光吸収層２が形成され、同光吸収層２の無い領域に予
め信号再生用のピットが形成された予記録領域を有する
光情報記録媒体では、予記録領域に予めプレス等でデー
タを記録しておくことができるが、ここには光吸収層２
が無いため、誤消去や別なデータの誤記録のおそれが無
い。また、光吸収層２を有する領域では、使用者独自の
データを任意に記録することができる。そして、この記
録されたデータがＣＤ規格に準じた信号をもって再生で
きるため、前記予記録領域の情報と同様に、全記録内容
が市販のＣＤプレーヤで再生することができる。

【００１７】

【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について具体的且つ詳細に説明する。本発明による光情
報記録媒体の模式的な構造の例を、図１〜図３及び図４
〜図６に示す。同図において、１は、透光性を有する基
板、２は、その上に形成された光吸収層である。また３
は、その上に形成された反射層、４は、その外側に設け
られた保護層を示す。さらに、５は、前記基板１側から
照射されたレーザ光を前記光吸収層２が吸収して発熱
し、溶融、蒸発、昇華、変形または変性することで、基
板１から光吸収層２側に突出するよう形成されたピット
である。

【００１８】図１〜図３で示した実施例は、保護層４が
硬質層を兼ねている場合である。これに対し、図４〜図
６で示した実施例は、反射層３の背後に硬質層６を配置
してある場合である。また、図１〜図３で示した実施例
では、光吸収層２が基板１のほぼ全面に形成されている
が、図４〜図６で示した実施例では、透光性基板１の外
周寄りの一部にのみ光吸収層２が形成され、ここが後記
録領域１１となっており、それより内周側の部分に予記
録領域１０が形成されている。

【００１９】図２は、ピット５を形成する前の状態を、
図３と図６は、ピット５を形成した後の状態、すなわ
ち、光ピックアップ８からの記録用のレーザ光を照射す
ることで、その照射部分が凸状に変形され、ピット５が
形成された状態を模式的に示す。図７は、透光性基板１
の表面に形成されたトラッキング表示手段であるところ
のプリグルーブ１２に沿ってピット５を形成するため、
前記プリグルーブ１２に沿って光吸収層２にＥＦＭ信号
に変調されたレーザスポットを照射した後、保護層４と
反射層３を透光性基板１から剥離し、さらに同基板１の
表面から光吸収層２を除去した状態を模式的に示してい
る。

【００２０】さらに、ピット５を形成した後、ＳＴＭ
（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ）を用い、前記プリグルーブ１２に沿って透
光性基板１の表面の状態を観察した例を、図８に示す。
同図では、チップ（探針）ａのプリグルーブ１２に沿う
方向、つまりトラッキング方向の移動距離を横軸にと
り、透光性基板１の表面の高度を縦軸にとって示してあ
る。同図（ａ）は、ピットの長さが１００００オングス
トロームと比較的短い場合であり、ここでは高さ約２０
０オングストロームの凸状の明瞭な変形が形成されてい
ることが理解できる。また、同図（ｂ）は、ピットの長
さが４００００オングストロームと比較的長い場合であ
り、ここでは高さ約２００オングストロームの凸状の変
形が認められるが、この変形の中間部がやや低くなって
おり、変形の峰が２つに分かれていることが分かる。

【００２１】前記光情報記録媒体の具体例について、以
下に説明する。透光性基板１の材料は、レーザ光に対す
る屈折率が１．４〜１．６の範囲の透明度の高い材料
で、耐衝撃性に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポ
リカーボネート、アクリル等が例示できるが、これらに
限られるわけではない。このような材料を用いて、基板
は例えば射出成形等の手段により成形される。

【００２２】透光性基板１には、スパイラル状にプリグ
ルーブ１２が形成されていてもよい。プリグルーブは、
通常考えられる条件のものであればどのような条件のも
のでもよいが、５０〜２５０ｎｍの深さが好適である。
プリグルーブ１２は、基板の射出成形時のスタンパを押
し当てることにより形成されるのが通常であるが、レー
ザによってカッティングすることや２Ｐ法によって作ら
れるものでもよい。透光性基板１と光吸収層２との間
に、ＳｉＯ₂ 等の耐溶剤層やエンハンス層をコーティン
グしておいてもよい。

【００２３】光吸収層２の材料は、光吸収性の有機色素
が望ましく、シアニン色素、ポリメチン色素、トリアリ
ールメタン色素、ピリリウム色素、フェナンスレン色
素、テトラデヒドロコリン色素、トリアリールアミン色
素、スクアリリウム色素、クロコニックメチン色素、フ
タロシアニン色素、アズレニウム色素等が例示できる
が、これらに限定されるものではなく、低融点金属等、
公知の記録層材料を用いても本発明の効果を得ることが
可能である。なお、光吸収層２には、他の色素、樹脂
（例えばニトロセルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性
エラストマー）、液ゴム等を含んでいても良い。

【００２４】光吸収層２は、前記の色素および任意の添
加剤を公知の有機溶媒（たとえばアルコール、アセチル
アセトン、メチルセロソルブ、トルエン等）で溶解した
ものをプリグルーブが形成された透光性基板、またはさ
らに基板上に他の層をコーティングした基板の表面に形
成される。この場合の形成手段としては、蒸着法、ＬＢ
法、スピンコート法等が挙げられるが、光吸収層の濃
度、粘度、溶剤の乾燥速度を調節することにより層厚を
制御できるために、スピンコート法が望ましい。なお、
図４〜図６のような予記録領域１０を有する光情報記録
媒体は、透光性基板１の表面の予記録領域１０となる部
分に信号再生用のプレピット９（図５参照）をスタンパ
等で予め形成しておき、その外側の後記録領域１１にの
み前記材料をコーティングして光吸収層２を形成するこ
とにより得られる。

【００２５】反射層３は、金属膜が望ましく、例えば、
金、銀、アルミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸
着法、スパッタ法等の手段により形成される。反射率が
７０％以上を有することが必要であるため、金または金
を含む合金を主体とする金属で形成することが望まし
い。さらに、反射層の酸化を防止するための耐酸化層等
の他の層を介在させてもよい。

【００２６】保護層４は耐衝撃性の優れた樹脂によって
形成されることが望ましい。たとえば紫外線硬化性樹脂
をスピンコート法により塗布し、紫外線を照射して硬化
させることにより形成する。また、ウレタン等の弾性材
で形成してもよく、以下に述べる硬質層の機能を有する
ものでもよい。硬質層６は、メチルエチルケトン、アル
コール等の溶剤に溶けてスピンコート法により塗布する
ことができ、物理的変化（熱、光等）によって硬化する
ものが製造上望ましい。硬質層３の透光性は記録、再生
時のレーザ光の透過に影響を与えないため、その透光性
は問わない。

【００２７】硬質層６の硬度は、ＡＳＴＭＤ７８５にお
いて７５以上が望ましく、Ｍ１１０〜２００がいっそう
望ましい。また、硬質層の熱変形温度は、８０℃以上が
望ましく、１００℃以上がいっそう望しく、特に１１０
℃以上が最良である。この硬質層６の厚みは、任意に設
定できるが、５μｍ〜１０μｍの範囲が望ましい。さら
に、前記透孔性基板１側から前記光吸収層２に記録用の
レーザ光のスポットを当て、透光性基板１側の層に光吸
収層２側に突出したピット５を形成する。ここで、光吸
収層を基準として反射層側の層を基板１側の層に比べて
熱変形し難い層で形成しているため、本発明による光情
報記録媒体では、光吸収層２にレーザ光を照射すること
により、レーザ光により引き起こされた光吸収層２のエ
ネルギは透光性基板１側の層に主として与えられ、その
結果、透光性基板１側の層に明瞭なピット５が形成され
る。

【００２８】後述するように、このようなピット５は、
一般のＣＤにおいて成形により形成されるプレピットと
きわめて似ている。例えば、図３及び図６に模式的に示
すように、記録後の光ディスクの前記基板１の光吸収層
２と接する表面部分に、吸収層側に突出したピット５が
確認でき、このようにして形成されたピット５の再生波
形もまた、一般のＣＤの再生波形と同様のものである。
記録信号の再生は、透光性基板１側から読取り用のレー
ザ光を照射することにより、ピット部分の反射光とピッ
ト以外の部分の反射光の光学的位相差を読み取ることに
より行われる。

【００２９】本発明のさらに具体的な実施例について、
以下に説明する。（実施例１）直径４６〜１１７ｍｍφの範囲に、幅０．
８μｍ、深さ０．０８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプリグルーブが形成された厚さ１．２ｍｍ、外
径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのポリカーボネート基
板１を射出成形法により成形した。このポリカーボネー
ト基板１と同じ材料を用いて成形したテストピースのロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は、Ｍ７５であり、熱
変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１３２℃であった。

【００３０】光吸収層を形成するための有機色素とし
て、０．６５ｇの１，１’ジブチル３，３，３’，３’
テトラメチル４，５，４’，５’ジベンゾインドジカー
ボシアニンパークロレート（日本感光色素研究所株式会
社製、品番ＮＫ３２１９）を、ジアセトンアルコール溶
剤１０ｃｃに溶解し、これを前記の基板１の表面に、ス
ピンコート法により塗布し、膜厚１３０ｎｍの光吸収層
２を形成した。

【００３１】次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍ
ｍφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚５０
ｎｍのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。さらに、
この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの
保護層４を形成した。この保護層４と同じ材料を用いて
成形したテストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７
８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、
１５０℃であった。

【００３２】こうして得られた光ディスクの前記後記録
領域１１に、波長７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．
２ｍ／ｓｅｃ、記録パワー６．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ
信号を記録した。そして、この光ディスクを、市販のＣ
Ｄプレーヤ（ＡｕｒｅｘＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長
λ＝７８０ｎｍ）で再生したところ、半導体レーザの反
射率が７２％、Ｉ11／Ｉtop が０．６５、Ｉ3 ／Ｉtop
が０．３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．４×
１０^-3であった。

【００３３】ＣＤ規格では、反射率が７０％以上、Ｉ11
／Ｉtop が０．６以上、Ｉ3 ／Ｉtop が０．３〜０．
７、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３×１０^-2以下と
定められており、この実施例による光ディスクは、この
規格を満足している。さらに、前記記録後の光ディスク
の保護層４と反射層４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗
浄し、透光性基板１の剥離面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎ
ｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観
察したところ、ピットの部分に凸状の変形が見られた。
なお、この実施例は、保護層４を硬質層として利用した
場合の実施例である。

【００３４】（実施例２）前記実施例１と同様の形状及
びプリグルーブを有するポリカーボネート（帝人化学
製、パンライト）基板の上に、前記と同様にして光吸収
層２を形成した後、この上に反射層３として、真空蒸着
法により膜厚５０ｎｍのＡｇ膜を形成し、この上に硬質
層６として、膜厚５０ｎｍのシリコンアクリル層を形成
し、さらにこの上に前記実施例１と同様の保護層４を形
成した。なお、前記基板と同じ材料を用いて成形したテ
ストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ７
５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１３５℃で
あった。これに対し、前記硬質層６と同じ材料を用いて
成形したテストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７
８５はＭ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８
は、２００℃であった。この光ディスクについて、前記
実施例１と同様にしてデータを記録し、これを再生した
ところ、半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ11／Ｉtop
が０．６４、Ｉ3 ／Ｉtop が０．３４、ブロックエラー
レートＢＬＥＲが３．７×１０^-3であった。

【００３５】（実施例３）前記実施例１と同様の形状及
びプリグルーブを有するポリカーボネート（三菱ガス化
学製、ユーピロン）基板の上に、前記と同様にして光吸
収層２を形成した後、その上に反射層３として、真空蒸
着法により膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにこの
上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚７μｍのエポ
キシ樹脂層を形成した。なお、前記基板と同じ材料を用
いて成形したテストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭ
Ｄ７８５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８
は、１３５℃であった。これに対し、前記硬質層６と同
じ材料を用いて成形したテストピースのロックウェル硬
度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴ
ＭＤＤ６４８は、１４０℃であった。この光ディスクに
ついて、前記実施例１と同様にしてデータを記録し、こ
れを再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、
Ｉ11／Ｉtop が０．６３、Ｉ3 ／Ｉtop が０．３３、ブ
ロックエラーレートＢＬＥＲが２．７×１０^-3であっ
た。

【００３６】（実施例４）前記実施例１と同様の形状及
びプリグルーブを有するポリスチレン基板の上に、前記
と同様にして光吸収層２を形成した後、この上に反射層
３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形
成し、この上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚１
０μｍのアクリル樹脂層を形成した。なお、前記基板と
同じ材料を用いて成形したテストピースのロックウェル
硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ８０であり、熱変形温度ＡＳ
ＴＭＤ６４８は、８９℃であった。これに対し、前記硬
質層６と同じ材料を用いて成形したテストピースのロッ
クウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ１００であり、熱変
形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１００℃であった。この光
ディスクについて、前記実施例１と同様にしてデータを
記録し、これを再生したところ、半導体レーザの反射率
が７２％、Ｉ11／Ｉtop が０．６３、Ｉ3 ／Ｉtop が
０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが７．１×１
０^-3であった。

【００３７】（実施例５）前記実施例１と同様の形状及
びプリグルーブを有するポリメチルメタクリレート基板
の上に、前記と同様にして光吸収層２を形成した後、そ
の上に反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍ
のＡｕ膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高めるた
めエポキシ樹脂をスピンコートしてから、保護層を兼ね
る硬質層６として、膜厚１０μｍのポリエステル樹脂層
を形成した。なお、前記基板と同じ材料を用いて成形し
たテストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
Ｍ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１１
０℃であった。これに対し、前記硬質層６と同じ材料を
用いて成形したテストピースと同じ材料を用いて成形し
たテストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
Ｍ１１０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１１
５℃であった。この光ディスクについて、前記実施例１
と同様にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ11／Ｉtop が０．６
５、Ｉ3 ／Ｉtop が０．３４、ブロックエラーレートＢ
ＬＥＲが８．３×１０^-3であった。

【００３８】（実施例６）直径４６〜１００ｍｍφの範
囲（予記録領域１０）に、幅０．６μｍ、深さ０．１０
μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイラル状のＣＤフォーマ
ット信号が再生できるプレピット８が形成され、その外
側の直径１００〜１１７ｍｍφの範囲（後記録領域１
１）に、幅０．７μｍ、深さ０．０７μｍ、ピッチ１．
６μｍのスパイラル状のプリグループが形成された厚さ
１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのポリ
オレフィン基板１を射出成形法により成形した。

【００３９】前記基板の直径１００ｍｍφより外周側の
部分、つまり後記録領域１１の上にのみ、１、１’ジブ
チル３、３、３’、３’テトラメチル５、５’ジエトキ
シインドジカーボシアニンパークロレートをスピンコー
ト法により塗布し、光吸収層２を形成した後、基板１の
全面にわたり反射層３として、真空蒸着法により膜厚５
０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高
めるためエポキシ樹脂をスピンコートしてから、保護層
を兼ねる硬質層６として、膜厚７μｍのシリコンアクリ
ル樹脂層を形成した。なお、前記基板と同じ材料を用い
て成形したテストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ
７８５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８
は、１４０℃であった。これに対し、前記硬質層６と同
じ材料を用いて成形したテストピースのロックウェル硬
度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ１００であり、熱変形温度ＡＳ
ＴＭＤ６４８は、２００℃であった。

【００４０】この光ディスクについて、前記実施例１と
同様にして前記後記録領域１１にデータを記録し、予記
録領域及び後記録領域について再生したところ、後記録
領域での半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ11／Ｉtop
が０．６２、Ｉ3 ／Ｉtop が０．３４、ブロックエラー
レートＢＬＥＲが２．４×１０^-3であり、予記録領域で
の半導体レーザの反射率が９０％、Ｉ11／Ｉtop が０．
８０、Ｉ3 ／Ｉtop が０．５０、ブロックエラーレート
ＢＬＥＲが１．０×１０^-3であった。

【００４１】（実施例７）直径４６〜１００ｍｍφの範
囲（予記録領域１０）に、幅０．６μｍ、深さ０．１０
μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイラル状のＣＤフォーマ
ット信号が再生できるプレピット８が形成され、その外
側の直径１００〜１１７ｍｍφの範囲（後記録領域１
１）に、幅０．７μｍ、深さ０．０７μｍ、ピッチ１．
６μｍのスパイラル状のプリグループが形成された厚さ
１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのエポ
キシ樹脂基板１を射出成形法により成形した。

【００４２】前記基板の直径１００ｍｍφより外周側の
部分、つまり後記録領域１１の上にのみ、１、１’ジブ
チル３、３、３’、３’テトラメチル５、５’ジエトキ
シインドジカーボシアニンパークロレートをスピンコー
ト法により塗布し、光吸収層２を形成した後、基板１の
全面にわたり反射層３として、真空蒸着法により膜厚５
０ｎｍのＡｌ膜を形成し、この上に保護層を兼ねる硬質
層６として、膜厚７μｍのシリコン樹脂層を形成した。
なお、前記透光性基板１と同じ材料を用いて成形したテ
ストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ９
０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１３５℃で
あった。これに対し、前記硬質層６と同じ材料を用いて
成形したテストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７
８５はＭ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８
は、１８０℃であった。

【００４３】この光ディスクについて、前記実施例１と
同様にして前記後記録領域１１にデータを記録し、予記
録領域及び後記録領域について再生したところ、後記録
領域での半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ11／Ｉtop
が０．６２、Ｉ3 ／Ｉtop が０．３２、ブロックエラー
レートＢＬＥＲが２．１×１０^-3であり、予記録領域で
の半導体レーザの反射率、Ｉ11／Ｉtop、Ｉ3 ／Ｉtop 、
ブロックエラーレートは前記実施例１２と同様であっ
た。

【００４４】（比較例）前記実施例１において、紫外線
硬化性樹脂により形成された保護層４と同じ材料を用い
て成形したテストピースのロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ
７８５を、Ｍ６０、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８（４．
６ｋｇ／ｃｍ² ）を７５℃としたこと以外は、同実施例
１と同様にして、光ディスクを製作した。この光ディス
クに、前記実施例１と同様にして波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃで照射し、ＥＦＭ信号
を記録したところ、基板１の板面側には、十分明瞭なピ
ットが確認できなかった。そして、この光ディスクを、
前記実施例１で用いたのと同じＣＤプレーヤで再生した
ところ、光ディスクの反射率が７１％、Ｉ11／Ｉtop が
０．７、Ｉ3 ／Ｉtop が０．３７であったが、ブロック
エラーレートＢＬＥＲが１．５×１０^-1あり、上述した
ＣＤ規格を満足することができなかった。

【００４５】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明の光情報記録
媒体では、光吸収層２に対して反射層３の背後側に硬度
の高い硬質層を設け、色素膜からなる光吸収層２に記録
用レーザ光のスポットを当て、この光吸収層２より基板
１側の層に光吸収層２側へ突出したピット５を形成した
ので、成形という手段で形成される一般のＣＤのプレピ
ットにきわめて近似した明瞭なピット５を形成できる。
そして、基板１側から入射させた読取り用レーザ光の前
記ピット５の部分とそれ以外の部分の反射光の光学的位
相差により記録された信号を読み取ることにより、高い
反射率が得られると共に、一般のＣＤと同様の再生信号
が得られ、且つその再生信号のブロックエラーレートを
ＣＤ規格に規定された範囲に収めることができる。従っ
て、記録用レーザ光の照射という簡便な手段でピットを
形成することができ、そのためコスト上少量出版に適
し、しかも一般のＣＤプレーヤで再生できる光情報記録
媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による光情報記録媒体を示す模
式半断面斜視図である。

【図２】ピットを形成する前の同光情報記録媒体をトラ
ッキング方向に断面した拡大断面図である。

【図３】ピットを形成した後の同光情報記録媒体をトラ
ッキング方向に断面した拡大断面図である。

【図４】本発明の他の実施例による光情報記録媒体を示
す模式半断面斜視図である。

【図５】図４のＡ部拡大断面図である。

【図６】図４のＢ部拡大断面図である。

【図７】本発明の実施例による光情報記録媒体の透光性
基板の表面を示す要部拡大斜視図である。

【図８】前記透光性基板の表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉ
ｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観
察したときのチップのトラッキング方向に沿う移動距離
と高度の関係を示すグラフの例である。

【図９】硬質層の硬度とブロックエラーレートとの関係
の例を示すグラフである。

【図１０】再生時のブロックエラーレートの経時変化を
示したグラフである。

【符号の説明】

１基板２光吸収層３反射層４保護層５ピット６硬質層１０予記録領域１１後記録領域１２プリグルーブ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者新井雄治東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘電株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性を有する基板（１）上に少なくと
も光吸収層（２）、反射層（３）が順次形成された光情
報記録媒体において、前記光吸収層（２）が色素膜から
なり、この光吸収層（２）より基板（１）側に吸収層
（２）側へ突出したピット（５）が形成され、前記光吸
収層（２）に対して反射層（３）の背後側に、ピット
（５）が形成された層より硬度の高い硬質層を有し、前
記基板（１）側から入射させた読取り用レーザ光の前記
ピット（５）の部分とそれ以外の部分の反射光の光学的
位相差により記録された信号を読み取ることを特徴とす
る光情報記録媒体。
【請求項２】硬質層がロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７
８５においてＭ７５以上であることを特徴とする請求項
１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】硬質層が熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８
（４．６ｋｇ／ｃｍ2 ）において８０℃以上であること
を特徴とする請求項１または２に記載の光情報記録媒
体。
【請求項４】反射層の上に紫外線硬化性樹脂のスピン
コート膜により形成された保護層（４）が硬質層を兼ね
ていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の
光情報記録媒体。
【請求項５】前記光吸収層（２）が透光性基板（１）
上の一部の領域に形成され、同光吸収層（２）の無い領
域に予め信号再生用のプレピット（９）が形成された予
記録領域（１０）を有する光情報記録媒体。
【請求項６】ピット（５）が形成された層が基板
（１）であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに
記載の光情報記録媒体。