JPH0726601B2 - Ignition advance circuit - Google Patents
Ignition advance circuitInfo
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- JPH0726601B2 JPH0726601B2 JP14764890A JP14764890A JPH0726601B2 JP H0726601 B2 JPH0726601 B2 JP H0726601B2 JP 14764890 A JP14764890 A JP 14764890A JP 14764890 A JP14764890 A JP 14764890A JP H0726601 B2 JPH0726601 B2 JP H0726601B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、内燃機関用の無接点点火装置に組付けられ、
内燃機関の点火時期を自動的に進角させる進角回路に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention is incorporated in a non-contact ignition device for an internal combustion engine,
The present invention relates to an advance circuit that automatically advances the ignition timing of an internal combustion engine.
内燃機関用無接点点火装置に組付けられる進角回路とし
ては、種々の構成のものが創案され、そして実用化され
ている。As a lead angle circuit to be assembled in a non-contact ignition device for an internal combustion engine, various advance circuits having various configurations have been devised and put into practical use.
この進角回路の従来技術の代表例としては、特公昭62-3
55号公報に示されたものがある。As a typical example of the prior art of this advance circuit, Japanese Patent Publication No. 62-3
There is one disclosed in Japanese Patent Publication No. 55.
この特公昭62-355号公報に示された従来技術は、点火コ
イルの一次巻線を流れる一次短絡電流の遮断を制御する
トランジスタ回路のオン・オフを制御するサイリスタの
アノードとゲートとの間にコンデンサと電流制限用の抵
抗との直列回路を挿入して構成され、機関の回転速度が
上昇することによる一次短絡電流の周波数の上昇による
コンデンサのインピーダンス特性に従ったインピーダン
スの低下を利用して、このコンデンサを通ってサイリス
タのゲートに流入する電流を、早期に一定値に達するよ
うにし、もって点火装置の点火時期を進角させるように
している。The prior art disclosed in this Japanese Patent Publication No. 62-355 is between the anode and gate of a thyristor that controls the on / off of a transistor circuit that controls the interruption of the primary short-circuit current that flows through the primary winding of the ignition coil. It is configured by inserting a series circuit of a capacitor and a resistor for current limitation, and by utilizing the decrease in impedance according to the impedance characteristic of the capacitor due to the increase in the frequency of the primary short-circuit current due to the increase in engine speed, The current flowing into the gate of the thyristor through this capacitor is made to reach a constant value in an early stage, so that the ignition timing of the ignition device is advanced.
このように、特公昭62-355号公報に示された従来技術
は、周波数に対するコンデンサのインピーダンス特性を
利用しているので、確実で安定した進角動作を得ること
ができると共に、回路構成が簡単であると云う利点を有
する優れたものであった。As described above, the conventional technique disclosed in Japanese Patent Publication No. 62-355 uses the impedance characteristic of the capacitor with respect to frequency, so that a reliable and stable advance angle operation can be obtained and the circuit configuration is simple. It was an excellent product having the advantage of being
しかしながら、上記した特公昭62-355号公報に示された
従来技術は、点火時期の進角をコンデンサのインピーダ
ンス特性だけに従って達成する構成となっているので、
進角動作が開始される回転速度を自由にかつ正確に設定
することができないと云う不満があった。However, since the conventional technique disclosed in Japanese Patent Publication No. 62-355 has a configuration in which the advance of the ignition timing is achieved only according to the impedance characteristic of the capacitor,
There is a complaint that the rotation speed at which the advance operation is started cannot be set freely and accurately.
また、点火時期の進角動作は、コンデンサのインピーダ
ンス特性に従って得られるのであるが、この回転速度に
従ったコンデンサのインピーダンス変化は、このコンデ
ンサと直列接続された抵抗との合成インピーダンスの変
化としてサイリスタのゲートに与えられることになるた
め、コンデンサのインピーダンス変化の割合が弱めら
れ、このためコンデンサの回転速度に対応したインピー
ダンス特性の作用による充分に大きい進角量を得ること
かできないと云う問題があった。Further, the advance operation of the ignition timing is obtained according to the impedance characteristic of the capacitor, and the impedance change of the capacitor according to this rotation speed is the change of the combined impedance of the capacitor and the resistor connected in series as the thyristor. Since it is given to the gate, the rate of change in the impedance of the capacitor is weakened, and there is a problem that a sufficiently large advance angle cannot be obtained due to the action of the impedance characteristic corresponding to the rotational speed of the capacitor. .
特に、コンデンサに直列接続された抵抗は、保護抵抗と
しての機能を有するものであるので、その抵抗値は当然
に大きく、このためコンデンサと抵抗との直列回路全体
のインピーダンスに占めるコンデンサの周波数に対する
インピーダンス変化分の割合がどうしても小さくなって
しまうのである。In particular, the resistance connected in series with the capacitor has a function as a protective resistance, and therefore its resistance value is naturally large. Therefore, the impedance with respect to the frequency of the capacitor occupies the impedance of the entire series circuit of the capacitor and the resistance. The rate of change is inevitably small.
そこで、本発明は、上記した従来技術における問題点を
解消すべく創案されたもので、内燃機関の回転速度に対
するコンデンサのインピーダンス特性を、点火時期の進
角動作により有効にかつ強力に作用させることを技術的
課題とし、もってより確実でかつ正確でそして大きい進
角幅の進角を得ることができるようにすることを目的と
する。Therefore, the present invention was devised in order to solve the above-mentioned problems in the prior art, and makes the impedance characteristic of the capacitor with respect to the rotation speed of the internal combustion engine effectively and strongly act by the advance operation of the ignition timing. It is an object of the present invention to provide a more reliable and accurate advance angle with a large advance angle range.
上記技術的課題を達成する本発明の手段は、二次巻線に
プラグを接続した点火コイルの一次巻線に、トランジス
タ回路を通って流れる一次短絡電流を、トランジスタ回
路のベースに接続された半導体スイッチング素子を導通
させることによりトランジスタ回路をターンオフさせて
遮断し、もってプラグに火花放電を発生させて点火動作
を行う点火装置に組付けられる進角回路であること、ト
ランジスタのエミッタまたはベースのいずれか一方と一
次巻線の陰極端子との間に接続された、小容量のインピ
ーダンスコンデンサと調整抵抗とを直列接続した分圧回
路を有すること、 トランジスタ回路のエミッタと半導体スイッチング素子
の制御極との間にコレクタとエミッタとで接続され、ベ
ースを分圧回路の分圧点に接続したトランジスタ体を有
すること、 にある。Means of the present invention to achieve the above technical problem is a semiconductor in which a primary short-circuit current flowing through a transistor circuit is connected to a primary winding of an ignition coil in which a plug is connected to a secondary winding, and which is connected to the base of the transistor circuit. It is an advance circuit that is installed in an ignition device that turns off the transistor circuit by turning on the switching element to cut off the transistor circuit, thereby generating spark discharge in the plug and performing ignition operation, either the emitter or the base of the transistor. Having a voltage divider circuit in which a small-capacity impedance capacitor and an adjustment resistor are connected in series between one side and the cathode terminal of the primary winding, and between the emitter of the transistor circuit and the control pole of the semiconductor switching element. Has a transistor body with a collector and an emitter connected to the base and a base connected to the voltage dividing point of the voltage dividing circuit. There is something to do.
進角動作時に、半導体スイッチング素子をトリガするた
めのスイッチ体として機能するトランジスタ体として
は、コレクタをトランジスタ回路のエミッタに接続し、
エミッタを半導体スイッチング素子の制御極に接続した
一つのNPN型のトランジスタで構成するか、またはベー
スを分圧回路の分圧点に接続すると共にエミッタを一次
巻線の陰極端子に接続したNPN型の第１トランジスタ
と、エミッタをトランジスタ回路のエミッタに接続する
と共に、コレクタを半導体スイッチング素子の制御極に
接続し、さらにベースを第１トランジスタのコレクタに
接続したPNP型の第２トランジスタとから構成するのが
良い。As the transistor body that functions as a switch body for triggering the semiconductor switching element during the advance operation, the collector is connected to the emitter of the transistor circuit,
It consists of one NPN type transistor whose emitter is connected to the control pole of the semiconductor switching element, or of NPN type whose base is connected to the voltage dividing point of the voltage dividing circuit and whose emitter is connected to the cathode terminal of the primary winding. It comprises a first transistor and a PNP type second transistor having an emitter connected to the emitter of a transistor circuit, a collector connected to a control pole of a semiconductor switching element, and a base connected to the collector of the first transistor. Is good.
半導体スイッチング素子として、シリコン制御整流素子
を用いるのが有効であるが、パワートランジスタを用い
ても良い。Although it is effective to use a silicon controlled rectifying element as the semiconductor switching element, a power transistor may be used.
内燃機関の始動時を含む低速時には、一次巻線に順方向
電圧が立ち上がると、トランジスタ回路が自己トリガし
て導通し、一次巻線に、この一次巻線における順方向電
圧の増大に従って増大する一次短絡電流を流す。At low speeds, including when the internal combustion engine is started, when the forward voltage rises in the primary winding, the transistor circuit self-triggers and conducts, and the primary winding increases in the primary winding as the forward voltage increases. Apply short-circuit current.
この一次短絡電流が充分に大きくなったところで、半導
体スイッチング素子の制御極にトリガ信号が与えられて
半導体スイッチング素子がターンオンするので、このタ
ーンオンした半導体スイッチング素子によりトランジス
タ回路は、そのベースが側路されてターンオフし、一次
短絡電流を急激に遮断し、もって点火コイルの二次巻線
に高電圧を誘起してプラグを火花放電を発生させ、点火
動作を行う。When this primary short-circuit current becomes sufficiently large, a trigger signal is given to the control pole of the semiconductor switching element to turn on the semiconductor switching element.Thus, the turned-on semiconductor switching element causes the base of the transistor circuit to be bypassed. Then, the primary short-circuit current is suddenly cut off, a high voltage is induced in the secondary winding of the ignition coil to cause spark discharge in the plug, and an ignition operation is performed.
この内燃機関の始動時および低速時には、一次短絡電流
の周波数が低いので、インピーダンスコンデンサのイン
ピーダンスは大きく、このため分圧回路に流入する電流
は小さく、トランジスタ体はオンすることができないの
で、進角回路は不動作状態に維持される。At startup and low speed of this internal combustion engine, the frequency of the primary short-circuit current is low, so the impedance of the impedance capacitor is large, so the current flowing into the voltage dividing circuit is small, and the transistor body cannot be turned on. The circuit remains inactive.
この状態から内燃機関の回転速度が上昇して、予め設定
された値に達すると、回転速度すなわち一次短絡電流の
周波数に対するインピーダンス特性に従ってインピーダ
ンスコンデンサのインピーダンスが低下しているので、
その分、分圧回路の分圧点の電位が早期に上昇してトラ
ンジスタ体をターンオンさせるので、このトランジスタ
体のターンオンにより半導体スイッチング素子が導通し
て点火時期の進角が行われる。When the rotation speed of the internal combustion engine rises from this state and reaches a preset value, the impedance of the impedance capacitor is reduced according to the impedance characteristics with respect to the rotation speed, that is, the frequency of the primary short-circuit current.
As a result, the potential at the voltage dividing point of the voltage dividing circuit rises early to turn on the transistor body, so that the turn-on of the transistor body causes the semiconductor switching element to conduct, thereby advancing the ignition timing.
この進角動作が開始される回転速度の設定、すなわち進
角回路が動作を開始する回転速度の設定は、インピーダ
ンスコンデンサと直列接続されて分圧回路を構成する調
整抵抗の抵抗値を調整設定することにより達成される。The setting of the rotation speed at which the advance operation is started, that is, the rotation speed at which the advance circuit starts the operation, is performed by adjusting and setting the resistance value of the adjustment resistor which is connected in series with the impedance capacitor and constitutes the voltage dividing circuit. It is achieved by
この進角回路による点火時期の進角動作は、内燃機関の
回転速度、すなわち一次巻線の誘導電流の周波数に対す
るインピーダンスコンデンサのインピーダンス特性に従
って行われるので、回転速度の増大に従って進角角度も
大きくなり、第４図に示すように、分圧回路を構成する
調整抵抗により設定された回転速度ｒを越えた速度範囲
で、ほぼ回転速度に比例して増大する。Since the advance operation of the ignition timing by the advance circuit is performed according to the rotational speed of the internal combustion engine, that is, the impedance characteristic of the impedance capacitor with respect to the frequency of the induced current in the primary winding, the advance angle also increases as the rotational speed increases. As shown in FIG. 4, in the speed range that exceeds the rotation speed r set by the adjusting resistor that constitutes the voltage dividing circuit, the speed increases substantially in proportion to the rotation speed.
回転速度の増大に対する進角量は、インピーダンスコン
デンサの周波数に対するインピーダンス特性によるイン
ピーダンス変化に直接従って決定されるので、単位回転
速度増大分に対する進角量が大きくなる。The advance amount with respect to the increase of the rotation speed is directly determined by the impedance change due to the impedance characteristic with respect to the frequency of the impedance capacitor, so that the advance amount with respect to the increase of the unit rotation speed becomes large.
また、進角動作中における半導体スイッチング素子の導
通は、インピーダンスコンデンサのインピーダンス変化
に従ったトランジスタ体のターンオンによって達成さ
れ、かつこのトランジスタ体を介して半導体スイッチン
グ素子の制御極に与えられるトリガ信号は、トランジス
タ回路を流れる一次短絡電流の一部であるので、半導体
スイッチング素子の導通が極めて確実なものとなる。Further, the conduction of the semiconductor switching element during the advance operation is achieved by turning on the transistor body according to the impedance change of the impedance capacitor, and the trigger signal given to the control pole of the semiconductor switching element via the transistor body is: Since it is a part of the primary short circuit current flowing through the transistor circuit, the conduction of the semiconductor switching element becomes extremely reliable.
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら説明す
る。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図示実施例における点火装置は、二次巻線T2にプラグＰ
を接続した点火コイルＴの一次巻線T1の両端子ａ、ｂ間
に、高抵抗値の第１の抵抗R1とトランジスタ２と第１の
コンデンサC1との直列回路と、二つのトランジスタをダ
ーリントン接続したトランジスタ回路１と低抵抗値の第
２の抵抗R2との直列回路と、高抵抗値の第３の抵抗R3と
ゲートとカソードとの間にゲート抵抗R5を接続した半導
体スイッチング素子SCとしてのシリコン制御整流器３と
の直列回路とを並列に接続し、トランジスタ２のベース
を第２の抵抗R2に接続されたトランジスタ回路１のエミ
ッタに接続すると共に、このトランジスタ２のコレクタ
をシリコン制御整流器３のゲートに安定化抵抗R4を介し
て接続し、トランジスタ回路１のベースをシリコン制御
整流器３のアノードに接続して構成されている。The ignition device in the illustrated embodiment has a plug P on the secondary winding T2.
Between the terminals a and b of the primary winding T1 of the ignition coil T connected to the series circuit of the high resistance first resistor R1, the transistor 2 and the first capacitor C1 and the two transistors Darlington connection Silicon circuit as a semiconductor switching element SC in which a transistor circuit 1 and a second resistor R2 having a low resistance value are connected in series, and a third resistor R3 having a high resistance value and a gate resistor R5 are connected between the gate and the cathode. A series circuit with the controlled rectifier 3 is connected in parallel, the base of the transistor 2 is connected to the emitter of the transistor circuit 1 connected to the second resistor R2, and the collector of the transistor 2 is connected to the gate of the silicon controlled rectifier 3. To the anode of the silicon controlled rectifier 3 by connecting the base of the transistor circuit 1 to the anode of the silicon controlled rectifier 3.
なお、トランジスタ２とコンデンサC1との直列回路と並
列に接続されたコンデンサC0は、プリスパーク防止のた
めのものであるが、必要に応じて設ければ良い。The capacitor C0 connected in parallel with the series circuit of the transistor 2 and the capacitor C1 is for preventing prespark, but it may be provided if necessary.
次に、この点火装置の動作を説明する。Next, the operation of this ignition device will be described.
一次巻線T1に正電圧の立ち上がりに先立って逆電圧が発
生すると、この逆電圧の一部がコンデンサC1に図示した
極性で充電される。このコンデンサC1に充電された逆電
圧は、一次巻線T1における正電圧の立ち上がりに先立っ
て、トランジスタ２のベースからエミッタを通って放電
されるので、トランジスタ２はトリガされる。When a reverse voltage is generated in the primary winding T1 prior to the rise of the positive voltage, a part of this reverse voltage is charged in the capacitor C1 with the polarity shown in the figure. The reverse voltage charged in this capacitor C1 is discharged from the base of the transistor 2 through the emitter prior to the rise of the positive voltage in the primary winding T1, so that the transistor 2 is triggered.
この状態から、一次巻線T1に正電圧が立ち上がると、抵
抗R3を通ってトランジスタ回路１のベースに電流が流入
するので、トランジスタ回路１はターンオンし、このト
ランジスタ回路１を通って一次巻線T1に一次短絡電流が
流れる。When a positive voltage rises in the primary winding T1 from this state, a current flows into the base of the transistor circuit 1 through the resistor R3, so that the transistor circuit 1 turns on, and the primary winding T1 passes through the transistor circuit 1. A primary short-circuit current flows through.
トランジスタ回路１に一次短絡電流が流れることによ
り、抵抗R2の両端子間には電圧降下が発生し、このため
一次短絡電流の一部がトランジスタ２のベースに流入し
て、このトランジスタ２をターンオンするので、コンデ
ンサC1は図示とは逆極性で充電する。Since a primary short-circuit current flows through the transistor circuit 1, a voltage drop occurs between both terminals of the resistor R2, so that part of the primary short-circuit current flows into the base of the transistor 2 and turns on the transistor 2. Therefore, the capacitor C1 is charged with the polarity opposite to that shown.
コンデンサC1における正電圧の充電が進と、一次短絡電
流の増大にもかかわらず、トランジスタ２のベース電流
は増大せず、これによりトランジスタ２のコレクタ電位
が上昇し、この上昇した電位がシリコン制御整流器３の
ゲートに印加され、この印加された電位がシリコン制御
整流器３のトリガレベルに達すると、シリコン制御整流
器３がターンオンする。As the charging of the positive voltage in the capacitor C1 progresses, the base current of the transistor 2 does not increase in spite of the increase in the primary short-circuit current, which increases the collector potential of the transistor 2 and this increased potential causes the silicon controlled rectifier. When the applied potential reaches the trigger level of the silicon controlled rectifier 3, the silicon controlled rectifier 3 is turned on.
シリコン制御整流器３がターンオンすると、トランジス
タ回路１がターンオフして一次短絡電流を遮断し、もっ
て二次巻線T2に高電圧を誘起してプラグＰに火花放電を
発生させて、点火動作が行われる。When the silicon controlled rectifier 3 is turned on, the transistor circuit 1 is turned off to cut off the primary short-circuit current, thereby inducing a high voltage in the secondary winding T2 to cause spark discharge in the plug P, and an ignition operation is performed. .
このように、点火装置は、トランジスタ２のコレクタ電
位の一定レベルまでの上昇に従って点火動作を行うの
で、点火時期は内燃機関の速度変化に影響されることな
しに殆ど一定となり、面倒な点火時期設定調整は全く不
要である。In this way, since the ignition device performs the ignition operation according to the rise of the collector potential of the transistor 2 to a certain level, the ignition timing becomes almost constant without being affected by the speed change of the internal combustion engine, and the troublesome ignition timing setting is performed. No adjustment is necessary.
この点火装置に組付けられる本発明による進角回路ES
は、第１図図示実施例の場合、トランジスタ回路１のエ
ミッタまたはベースと一次巻線T1の陰極端子ｂとの間に
接続されたインピーダンスコンデンサC2と調整抵抗R6と
の直列回路である分圧回路６と、トランジスタ回路１の
エミッタとシリコン制御整流器３のゲートとの間にコレ
クタとエミッタとで接続され、ベースを分圧回路６の分
圧点ｃに接続したトランジスタ体５としての第１トラン
ジスタ51とから構成されている。The lead angle circuit ES according to the present invention assembled in this ignition device
In the case of the embodiment shown in FIG. 1, is a voltage dividing circuit which is a series circuit of an impedance capacitor C2 and an adjusting resistor R6 connected between the emitter or base of the transistor circuit 1 and the cathode terminal b of the primary winding T1. 6, a first transistor 51 as a transistor body 5 which is connected between the emitter of the transistor circuit 1 and the gate of the silicon controlled rectifier 3 by a collector and an emitter, and whose base is connected to a voltage dividing point c of the voltage dividing circuit 6. It consists of and.
第１図実線図示のように、分圧回路６の一端をトランジ
スタ回路１のエミッタに接続した場合には、トランジス
タ回路１を通る一次短絡電流の一部をトランジスタ体５
のトリガ電流として働かすことができるので、トランジ
スタ体５のターンオン動作を、トランジスタ回路１の動
作に悪影響を与えることなしに、確実にかつ正確に達成
できる反面、インピーダンスコンデンサC2として耐圧強
度の大きいものと使用する必要がある。When one end of the voltage dividing circuit 6 is connected to the emitter of the transistor circuit 1 as shown by the solid line in FIG. 1, a part of the primary short-circuit current passing through the transistor circuit 1 is partially transferred to the transistor body 5.
Since it can be used as a trigger current of the transistor body 5, the turn-on operation of the transistor body 5 can be reliably and accurately achieved without adversely affecting the operation of the transistor circuit 1. On the other hand, the impedance capacitor C2 has a high withstand voltage strength. Need to use.
また、第１図点線図示のように、分割回路６の一端をト
ランジスタ回路１のベースに接続した場合には、インピ
ーダンスコンデンサC2として、極めて小型で耐圧が低
く、安価なコンデンサを使用することができるが、トラ
ンジスタ回路１のベース電流の一部を分流させるので、
トランジスタ回路１の動作効率を低下させる恐れがあ
り、また微弱な電流でトランジスタ体５のトリガを達成
しなければならないので、電気部品数値の設定がやや面
倒となる。When one end of the dividing circuit 6 is connected to the base of the transistor circuit 1 as shown by the dotted line in FIG. 1, an extremely small, low withstand voltage, inexpensive capacitor can be used as the impedance capacitor C2. However, since a part of the base current of the transistor circuit 1 is shunted,
Since the operating efficiency of the transistor circuit 1 may be reduced and the trigger of the transistor body 5 must be achieved with a weak current, the setting of the numerical values of the electrical components becomes somewhat troublesome.
第２図は、本発明による進角回路ESの他の実施例を示す
もので、トランジスタ体５を、ベースを分圧点ｃに接続
し、エミッタを陰極端子ｂに接続したNPN型トランジス
タである第２トランジスタ52と、エミッタをトランジス
タ回路１のエミッタに接続し、コレクタを半導体スイッ
チング素子SCの制御極に接続し、そしてベースを第２ト
ランジスタ52のコレクタに接続したPNP型トランジスタ
である第３トランジスタ53とから構成している。なお、
第３トランジスタ53のエミッタ、ベース間に接続された
抵抗R7は第３トランジスタ53の安定化抵抗である。FIG. 2 shows another embodiment of the lead angle circuit ES according to the present invention, which is an NPN transistor in which the base is connected to the voltage dividing point c and the emitter is connected to the cathode terminal b. A second transistor 52 and a third transistor which is a PNP type transistor whose emitter is connected to the emitter of the transistor circuit 1, whose collector is connected to the control pole of the semiconductor switching device SC, and whose base is connected to the collector of the second transistor 52. It consists of 53 and. In addition,
A resistor R7 connected between the emitter and the base of the third transistor 53 is a stabilizing resistor of the third transistor 53.
第２図図示実施例の場合、トランジスタ体５を構成する
のに二つのトランジスタを必要とし、その分部品点数が
増えると云う欠点を持つ反面、第２および第３トランジ
スタ52、53として定格が小さく安価のトランジスタを使
用できると云う利点がある。In the case of the embodiment shown in FIG. 2, two transistors are required to form the transistor body 5, and the number of parts increases correspondingly. On the other hand, the ratings of the second and third transistors 52 and 53 are small. There is an advantage that an inexpensive transistor can be used.
また、半導体スイッチング素子SCは、シリコン制御整流
器３に限定されることはなく、第３図に示すように一つ
のパワートランジスタ４で構成することもできる。Further, the semiconductor switching element SC is not limited to the silicon controlled rectifier 3 and may be composed of one power transistor 4 as shown in FIG.
本発明は、上記した構成となっているので、以下に示す
効果を奏する。Since the present invention has the above-mentioned configuration, it has the following effects.
トランジスタ体のベース電位である分圧回路の分圧点の
電位を、調整抵抗の抵抗値により調整できるので、進角
回路の進角動作開始回転速度を、この調整抵抗により設
定することができ、もって進角動作を必要とする内燃機
関の回転速度を所望する値に設定できる。Since the potential of the voltage dividing point of the voltage dividing circuit, which is the base potential of the transistor body, can be adjusted by the resistance value of the adjusting resistor, the advance operation starting rotational speed of the advancing circuit can be set by this adjusting resistor, Therefore, the rotation speed of the internal combustion engine that requires the advance operation can be set to a desired value.
進角動作開始後の進角程度は、インピーダンスコンデン
サのインピーダンス変化に直接従うことになるので、充
分に大きな進角量を得ることができる。The degree of advance after the start of the advance operation directly follows the impedance change of the impedance capacitor, so that a sufficiently large advance amount can be obtained.
進角回路による半導体スイッチング素子のターンオン
は、トランジスタ回路を通る一次短絡電流の一部により
達成するので、この半導体スイッチング素子のターンオ
ン動作が確実に達成され、もって確実で正確な進角動作
を得ることができる。Since the turn-on of the semiconductor switching element by the advance circuit is achieved by a part of the primary short-circuit current passing through the transistor circuit, the turn-on operation of this semiconductor switching element can be reliably achieved, and thus a reliable and accurate advance operation can be obtained. You can
第１図は、点火装置に組付けた本発明回路の一実施例を
示す電気回路図である。 第２図は、本発明回路の他の実施例を示す電気回路図で
ある。 第３図は、半導体スイッチング素子の他の実施例を示す
図である。 第４図は、本発明回路が発揮する進角動作の基本的形態
を示す進角特性線図である。 符号の説明 1;トランジスタ回路、2;トランジスタ、3;シリコン制御
整流器、4;パワートランジスタ、5;トランジスタ体、6;
分圧回路、ES;進角回路、SC;半導体スイッチング素子、
C2;インピーダンスコンデンサ、R6;調整抵抗。FIG. 1 is an electric circuit diagram showing one embodiment of the circuit of the present invention assembled in an ignition device. FIG. 2 is an electric circuit diagram showing another embodiment of the circuit of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the semiconductor switching element. FIG. 4 is a lead angle characteristic diagram showing the basic form of the lead angle operation exhibited by the circuit of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Transistor circuit, 2; Transistor, 3; Silicon controlled rectifier, 4; Power transistor, 5; Transistor body, 6;
Voltage divider circuit, ES; Lead angle circuit, SC; Semiconductor switching element,
C2; impedance capacitor, R6; adjusting resistor.
Claims (5)
点火コイル（Ｔ）の一次巻線（T1）に、トランジスタ回
路（１）を通って流れる一次短絡電流を、前記トランジ
スタ回路（１）のベースに接続された半導体スイッチン
グ素子（SC）を導通させることにより前記トランジスタ
回路（１）をターンオフさせて遮断し、もって前記プラ
グ（Ｐ）に火花放電を発生させて点火動作を行う点火装
置において、前記トランジスタ回路（１）のエミッタま
たはベースのいずれか一方と前記一次巻線（T1）の陰極
端子（ｂ）との間に、小容量のインピーダンスコンデン
サ（C2）と調整抵抗（R6）とを直列接続した分圧回路
（６）を接続し、前記トランジスタ回路（１）のエミッ
タと前記半導体スイッチング素子（SC）の制御極との間
にコレクタとエミッタとで接続されたトランジスタ体
（５）のベースを、前記分圧回路（６）の分圧点（ｃ）
に接続して成る点火装置の進角回路。1. A primary short-circuit current flowing through a transistor circuit (1) in a primary winding (T1) of an ignition coil (T) in which a plug (P) is connected to a secondary winding (T2) is applied to the transistor. By turning on the semiconductor switching element (SC) connected to the base of the circuit (1), the transistor circuit (1) is turned off and cut off, thereby causing spark discharge in the plug (P) to start the ignition operation. In the ignition device for performing, a small-capacity impedance capacitor (C2) and an adjusting resistor (C2) are provided between either the emitter or the base of the transistor circuit (1) and the cathode terminal (b) of the primary winding (T1). R6) is connected in series to a voltage dividing circuit (6), and a collector and an emitter are provided between the emitter of the transistor circuit (1) and the control pole of the semiconductor switching element (SC). Dividing point the base of a transistor connected member (5), wherein the voltage dividing circuit (6) (c)
Advance circuit of the ignition device connected to.
ンジスタ回路（１）のエミッタに接続し、エミッタを半
導体スイッチング素子（SC）の制御極に接続した一つの
NPN型のトランジスタ（5a）で構成した請求項１に記載
の点火装置の進角回路。2. A transistor body (5), wherein the collector is connected to the emitter of the transistor circuit (1) and the emitter is connected to the control pole of the semiconductor switching element (SC).
The advance circuit for an ignition device according to claim 1, wherein the advance circuit is formed of an NPN transistor (5a).
路（６）の分圧点（ｃ）に接続すると共にエミッタを一
次巻線（T1）の陰極端子（ｂ）に接続したNPN型の第１
トランジスタ（5b）と、エミッタをトランジスタ回路
（１）のエミッタに接続し、コレクタを半導体スイッチ
ング素子（SC）の制御極に接続し、さらにベースをトラ
ンジスタ（5b）のコレクタに接続したPNP型の第２トラ
ンジスタ（5c）とから構成した請求項１に記載の点火装
置の進角回路。3. An NPN type in which a base of a transistor body (5) is connected to a voltage dividing point (c) of a voltage dividing circuit (6) and an emitter is connected to a cathode terminal (b) of a primary winding (T1). First of
The transistor (5b) and the emitter are connected to the emitter of the transistor circuit (1), the collector is connected to the control pole of the semiconductor switching device (SC), and the base is connected to the collector of the transistor (5b). The advance circuit of the ignition device according to claim 1, wherein the advance circuit comprises two transistors (5c).
リコン制御整流素子（３）を用いた請求項１または２ま
たは３に記載の点火装置の進角回路。4. The advance circuit for an ignition device according to claim 1, 2 or 3, wherein a silicon controlled rectifying element (3) is used as the semiconductor switching element (SC).
ワートランジスタ（４）を用いた請求項１または２また
は３に記載の点火装置の進角回路。5. The advance circuit for an ignition device according to claim 1, 2 or 3, wherein a power transistor (4) is used as the semiconductor switching element (SC).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14764890A JPH0726601B2 (en) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | Ignition advance circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14764890A JPH0726601B2 (en) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | Ignition advance circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0441975A JPH0441975A (en) | 1992-02-12 |
| JPH0726601B2 true JPH0726601B2 (en) | 1995-03-29 |
Family
ID=15435102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14764890A Expired - Fee Related JPH0726601B2 (en) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | Ignition advance circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726601B2 (en) |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14764890A patent/JPH0726601B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0441975A (en) | 1992-02-12 |
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