JPH07263519A - Apparatus for fabricating semiconductor - Google Patents
Apparatus for fabricating semiconductorInfo
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- JPH07263519A JPH07263519A JP6053734A JP5373494A JPH07263519A JP H07263519 A JPH07263519 A JP H07263519A JP 6053734 A JP6053734 A JP 6053734A JP 5373494 A JP5373494 A JP 5373494A JP H07263519 A JPH07263519 A JP H07263519A
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- semiconductor manufacturing
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に、半導体製造装置の内部にウエハー搬送手段を備え
た半導体製造装置であって、さらに、このウエハー搬送
手段を清浄化するための機構を有する半導体製造装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus,
In particular, the present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a wafer transfer means inside the semiconductor manufacturing apparatus, and further to a semiconductor manufacturing apparatus having a mechanism for cleaning the wafer transfer means.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子を製造するための半導体製造
装置は、半導体製造工程に応じて種々の半導体製造装
置、例えば、不純物注入装置、露光装置、エッチング装
置などが用いられている。通常、これらの半導体製造装
置は半導体製造工場、即ちクリーンルームの所定位置に
配置され、所要工程を行うべき所定枚数のウエハーが、
コンピュータ制御のウエハー搬送用ロボットにより、ウ
エハーカセットに収納されて所要工程の半導体製造装置
に自動搬送されている。2. Description of the Related Art As a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor element, various semiconductor manufacturing apparatuses such as an impurity implantation apparatus, an exposure apparatus, an etching apparatus and the like are used according to a semiconductor manufacturing process. Usually, these semiconductor manufacturing apparatuses are arranged in a predetermined position of a semiconductor manufacturing factory, that is, a clean room, and a predetermined number of wafers to be subjected to a required process are
It is stored in a wafer cassette and automatically transferred to a semiconductor manufacturing apparatus in a required process by a computer-controlled wafer transfer robot.
【０００３】また同様に、それぞれの半導体製造装置内
において、自動搬送されてくる所要工程を行うべき所定
枚数のウエハーが、コンピュータ制御のウエハー搬送用
アームにより、ウエハーカセットから順次取り出されて
所定箇所に一枚ずつ配置され、それぞれの製造工程が行
われている。また、所要工程が終了したウエハーは、再
度ウエハーカセットの所定位置に収納され、次工程へと
搬送されることにより半導体素子の製造工程が行われて
いる。Similarly, in each semiconductor manufacturing apparatus, a predetermined number of wafers, which are automatically transferred and are required to carry out a required process, are sequentially taken out from the wafer cassette by a computer-controlled wafer transfer arm to a predetermined position. They are arranged one by one and each manufacturing process is performed. Further, the wafer for which the required process has been completed is again stored in a predetermined position of the wafer cassette, and is transported to the next process, so that the semiconductor device manufacturing process is performed.
【０００４】上述する半導体素子の製造装置および製造
工場では、空気中の塵や埃、製造装置やウエハーの汚れ
などにより、半導体素子の製造歩留りが低下するので、
あらゆる点において清浄度を高く保つ必要があることは
周知の事実である。従って、半導体素子の製造工程は、
あらゆる点において清浄化されたクリーンルーム内にお
いて、全ての工程が自動化され、人手を介さずに行われ
るのが最も好ましいことはいうまでもない。In the above-described semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing factory, the manufacturing yield of semiconductor elements decreases due to dust in the air, dirt on the manufacturing apparatus and wafers, etc.
It is a well-known fact that cleanliness must be kept high in all respects. Therefore, the manufacturing process of the semiconductor device is
It goes without saying that it is most preferable that all steps are automated and performed without human intervention in a clean room that has been cleaned in all respects.
【０００５】しかしながら、上述する半導体製造装置に
おいて、ウエハーを所定箇所に配置するウエハー搬送用
アームは、ウエハーを所定箇所に配置する際に、例え
ば、ウエハー裏面を真空吸着したり、ウエハーを物理的
に挟むなどしてウエハーと直接接触するので、例えば、
ウエハーの裏面が汚れていたりすると、このアームが汚
され、さらにはアームの汚れが他のウエハーに付着する
という２次汚染を引き起こし、そのために半導体素子の
製造歩留りを低下させるという問題点があった。従来、
このような２次汚染を未然に防止するために、人手によ
りアームを定期的に清掃していたが、この人手による清
掃作業は手間がかかるばかりでなく、また汚染源になる
可能性があるという問題点があるし、清掃方法によって
は、精密な精度が要求されるアームに悪影響を与えてし
まう場合があるという問題点があった。However, in the above-described semiconductor manufacturing apparatus, the wafer transfer arm for arranging the wafer at a predetermined position, when arranging the wafer at the predetermined position, for example, vacuum-adsorbs the back surface of the wafer or physically attaches the wafer. Since it directly contacts the wafer by sandwiching it, for example,
If the back surface of the wafer is soiled, the arm is soiled, and further, the soiling of the arm causes secondary contamination such that it adheres to other wafers, which lowers the manufacturing yield of semiconductor devices. . Conventionally,
In order to prevent such secondary pollution, the arm is regularly cleaned manually, but this manual cleaning work is not only time-consuming, but also a source of pollution. However, depending on the cleaning method, there is a problem in that the arm, which requires precise accuracy, may be adversely affected.
【０００６】このような問題点を解決するための１つの
手段として、特開昭６３−１３７４４８号公報に開示さ
れているような半導体ウエハー処理装置がある。この処
理装置は、ウエハーと直接接触する吸着機構の吸着面
を、例えば、純水で洗浄ブラシを用いて洗浄浄化する機
構を設けたものであり、通常の汚れ、例えば塵や埃など
の汚れを浄化するためには適した機構である。しかし、
半導体素子の各工程の製造装置においては、化学反応処
理が行われており、例えば、レジストが硬化あるいは炭
化したものやシリコンのくず等が吸着機構に付着した場
合には、上述するような純水で洗浄ブラシを用いて洗浄
するだけでは、浄化することが難しいという問題点や精
密な精度が要求されるアームに悪影響を与えてしまう場
合があるという問題点が残されていた。As one means for solving such a problem, there is a semiconductor wafer processing apparatus as disclosed in JP-A-63-137448. This processing apparatus is provided with a mechanism for cleaning and purifying the suction surface of the suction mechanism that comes into direct contact with the wafer with, for example, pure water using a cleaning brush, and removes ordinary dirt, such as dirt and dust. It is a suitable mechanism for purification. But,
In the manufacturing apparatus of each step of the semiconductor element, a chemical reaction process is performed, and for example, when hardened or carbonized resist or silicon debris adheres to the adsorption mechanism, pure water as described above is used. However, there is a problem that it is difficult to purify just by using the cleaning brush and the arm that requires high precision may be adversely affected.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術に基づく種々の問題点をかえりみて、ウエハー
搬送用アームをドライエッチングにより清浄化する機構
を半導体製造装置内部に設けることによって、通常の汚
れ、例えば塵や埃などの汚れを浄化することは勿論、さ
らに、化学反応物質、例えば、レジストが硬化あるいは
炭化したものやシリコンのくず等であっても、清浄化す
ることができる半導体製造装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide a mechanism for cleaning a wafer transfer arm by dry etching inside a semiconductor manufacturing apparatus in view of various problems based on the above-mentioned prior art. A semiconductor that can not only clean ordinary dirt, such as dust and dirt, but also can clean chemical reaction substances, such as hardened or carbonized resist and silicon debris. To provide a manufacturing apparatus.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ウエハー搬送手段を備えた半導体製造装
置であって、ドライエッチングにより、このウエハー搬
送手段を清浄化する機構を有することを特徴とする半導
体製造装置を提供するものである。In order to achieve the above object, the present invention is a semiconductor manufacturing apparatus provided with a wafer transfer means, and has a mechanism for cleaning this wafer transfer means by dry etching. And a semiconductor manufacturing apparatus characterized by the above.
【０００９】[0009]
【発明の作用】本発明の半導体製造装置は、ウエハー搬
送手段、即ちウエハー搬送用アームを用いてウエハーを
自動搬送する機構を有する半導体製造装置において、こ
のウエハー搬送用アームに付着する通常の汚れ、例え
ば、塵や埃などの汚れは勿論、さらに、化学反応物質、
例えば、レジストが硬化あるいは炭化したものやシリコ
ンのくずなどの汚れであっても、ドライエッチングによ
り清浄化することができる機構を備える半導体製造装置
である。The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is a semiconductor manufacturing apparatus having a wafer transfer means, that is, a mechanism for automatically transferring a wafer by using the wafer transfer arm. For example, not only dirt and dust, but also chemical reaction substances,
For example, it is a semiconductor manufacturing apparatus having a mechanism capable of cleaning by dry etching even if the resist is hardened or carbonized, or dirt such as silicon debris.
【００１０】ここで、本発明の半導体製造装置におい
て、ドライエッチングとして、例えば１０-2〜１ｔｏｒ
ｒ（１Ｐａ〜１００Ｐａ）の真空状態において、高周波
およびアース電極間に配置されたエッチングされる材料
（以下、被加工材料と記述する）に、例えば、ＣＦ4 ガ
ス、Ｏ2 ガスなどを供給し、高周波を印加してプラズマ
放電を行わせることによってこれらのガスを活性化さ
せ、被加工材料と活性化されたガスとを化学反応させ
て、揮発性物質あるいは蒸気圧の高い物質を生成させる
ことにより、被加工材料をエッチングするという化学的
方式、また、被加工材料を高周波電極側に配置し、同様
な条件の下で、対向するアース電極から正に帯電したイ
オンを被加工材料に衝突させ、このイオンの衝撃によっ
て被加工材料をエッチングするという物理的方式、さら
に、これらの化学的方式および物理的方式を組み合わせ
た方式などを用いることができる。Here, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, dry etching is performed, for example, from 10 -2 to 1 torr.
In a vacuum state of r (1 Pa to 100 Pa), for example, CF 4 gas, O 2 gas or the like is supplied to a material to be etched (hereinafter referred to as a material to be processed) arranged between the high frequency wave and the ground electrode, By activating these gases by applying a high frequency to cause plasma discharge, and chemically reacting the material to be processed with the activated gas to generate volatile substances or substances with high vapor pressure , A chemical method of etching the material to be processed, or by arranging the material to be processed on the high frequency electrode side, and under the same conditions, positively charged ions are made to collide with the material to be processed from opposing earth electrodes, Use a physical method that etches the material to be processed by the impact of this ion, and a method that combines these chemical methods and physical methods. You can
【００１１】従って、本発明の半導体製造装置によれ
ば、ウエハー搬送用アームに付着する汚れをドライエッ
チングにより清浄化するための機構を半導体製造装置の
内部に備え、任意のタイミングでウエハー搬送用アーム
全体のクリーニングを自動的に行うことができるので、
クリーニングを行う際に精密な精度が要求されるアーム
に悪影響を与えことも無く、常にウエハー搬送用アーム
を清潔に保つことができる。また、本発明の半導体製造
装置によれば、ウエハー搬送用アームに付着する通常の
汚れは勿論のこと、さらに、レジスト等の化学反応物質
の汚れであっても清浄化することができる。従って、本
発明の半導体製造装置によれば、ウエハー裏面に付着し
た汚れが、ウエハー搬送用アームを介して別のウエハー
に付着するという２次汚染を未然に防止することがで
き、よって半導体素子製造の歩留りを向上することがで
きる。Therefore, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, a mechanism for cleaning the dirt adhering to the wafer transfer arm by dry etching is provided inside the semiconductor manufacturing apparatus, and the wafer transfer arm is provided at any timing. Since the entire cleaning can be done automatically,
It is possible to always keep the wafer transfer arm clean without adversely affecting the arm that requires precise precision when performing cleaning. Further, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, not only ordinary dirt attached to the wafer transfer arm can be cleaned, but also dirt of a chemically reactive substance such as resist can be cleaned. Therefore, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to prevent secondary contamination in which the dirt attached to the back surface of the wafer adheres to another wafer via the wafer transfer arm. The yield can be improved.
【００１２】[0012]
【実施例】以下に、添付の図面に示す好適実施例に基づ
いて、本発明の半導体製造装置を詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention will be described in detail below with reference to the preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
【００１３】図１は、本発明の一実施例である半導体製
造装置の平面図である。同図に示す半導体製造装置１０
は、ウエハー１２が収納されたウエハーカセット１４
と、半導体素子の製造工程の一つであるウエハー１２へ
のイオン注入工程を行うイオン注入用チャンバー１６
と、回転軸１８を中心に回動し、先端に設けられたウエ
ハーチャック部２０により、ウエハーカセット１４に収
納されたウエハー１２を真空吸着してイオン注入用チャ
ンバー１６に搬送するウエハー搬送用アーム２２と、ウ
エハー搬送用アーム２２を清浄化するクリーニング部２
４とを備え、これらのウエハーカセット１４と、イオン
注入用チャンバー１６と、ウエハー搬送用アーム２２
と、クリーニング部２４とは本体２６に収納されてい
る。FIG. 1 is a plan view of a semiconductor manufacturing apparatus which is an embodiment of the present invention. Semiconductor manufacturing apparatus 10 shown in FIG.
Is a wafer cassette 14 in which the wafers 12 are stored.
And an ion implantation chamber 16 for performing an ion implantation process on the wafer 12, which is one of the semiconductor device manufacturing processes.
And a wafer transfer arm 22 that rotates about a rotation shaft 18 and vacuum-adsorbs the wafer 12 stored in the wafer cassette 14 to the ion implantation chamber 16 by the wafer chuck portion 20 provided at the tip. And a cleaning unit 2 for cleaning the wafer transfer arm 22.
4, the wafer cassette 14, the ion implantation chamber 16, and the wafer transfer arm 22.
The cleaning unit 24 is housed in the main body 26.
【００１４】ここで、ウエハーカセット１４内に収納さ
れたウエハー１２は、ウエハー搬送用アーム２２の先端
に設けられたウエハーチャック部２０により真空吸着さ
れ、イオン注入用チャンバー１６に搬送される。イオン
注入用チャンバー１６では、搬送されてきたウエハー１
２にイオン注入の工程が施され、このイオン注入工程が
終了後、ウエハー１２は再度ウエハー搬送用アーム２２
の先端に設けられたウエハーチャック部２０により真空
吸着されてウエハーカセット１４の所定位置に戻され
る。以上の処理はウエハーカセット１４に収納された全
てのウエハー１２に対して順次行われ、全てのウエハー
１２に対する処理が終了すると、ウエハーカセット１４
が交換され、次のウエハーカセット１４に収納されたウ
エハー１２に対して同一の処理が施される。Here, the wafer 12 stored in the wafer cassette 14 is vacuum-adsorbed by the wafer chuck portion 20 provided at the tip of the wafer transfer arm 22 and transferred to the ion implantation chamber 16. In the ion implantation chamber 16, the transferred wafer 1
2 is subjected to an ion implantation process, and after the ion implantation process is completed, the wafer 12 is again mounted on the wafer transfer arm 22.
The wafer chuck portion 20 provided at the front end of the wafer cassette 14 sucks it by vacuum and returns it to a predetermined position of the wafer cassette 14. The above processing is sequentially performed on all the wafers 12 stored in the wafer cassette 14, and when the processing on all the wafers 12 is completed, the wafer cassette 14
Are exchanged, and the same processing is performed on the wafer 12 stored in the next wafer cassette 14.
【００１５】次に、図２に本発明の半導体製造装置１０
のクリーニング部２４の一実施例の斜視図を示す。同図
に示すクリーニング部２４は、内部が１ｔｏｒｒ（１０
０Ｐａ）に減圧された円筒状の真空チャンバー２８と、
この真空チャンバー２８の上部に取り付けられ、高周波
源３０が接続されて高周波が印加されている上部電極３
２と、同様に、真空チャンバー２８の下部に取り付けら
れ、接地されている下部電極（アース）３４と、真空チ
ャンバー２８の側面に設けられた吸気口３６および排気
口３８とを備えている。なお、同図に示すクリーニング
部２４には、説明のために既にウエハー搬送用アーム２
２がクリーニング部２４の内部に収納された状態で示し
ている。Next, FIG. 2 shows a semiconductor manufacturing apparatus 10 of the present invention.
The perspective view of one Example of the cleaning part 24 of FIG. The inside of the cleaning unit 24 shown in the figure is 1 torr (10
A cylindrical vacuum chamber 28 whose pressure is reduced to 0 Pa),
An upper electrode 3 attached to the upper part of the vacuum chamber 28, connected to a high frequency source 30 and applied with a high frequency.
2, a lower electrode (ground) 34 attached to the lower part of the vacuum chamber 28 and grounded, and an intake port 36 and an exhaust port 38 provided on the side surface of the vacuum chamber 28. The cleaning unit 24 shown in FIG.
2 is stored in the cleaning unit 24.
【００１６】このように構成されるクリーニング部２４
によって、ウエハー搬送用アーム２２を清浄化する場合
の動作を説明する。まず、図１に示す半導体製造装置１
０において、ウエハー搬送用アーム２２は、クリーニン
グ部２４まで回動してクリーニング部２４の真空チャン
バー２８内に収納される。この時、図２に示すように、
ウエハー搬送用アーム２２は真空チャンバー２８の側面
において真空チャンバー２８の内部と外部とに分割され
ているが、ウエハー搬送用アーム２２と真空チャンバー
２８の側壁とは圧着され、真空チャンバー２８の内部と
外部とは空間的に遮断されているのが良い。続いて、Ｃ
Ｆ4 ガスにＯ2 ガスを少量加えた混合ガスを吸気口３６
から真空チャンバー２８の内部に吸気しながら、同時に
排気口３８から真空チャンバー２８の内部空気を排気す
ることにより、真空チャンバー２８内部を１ｔｏｒｒ
（１００Ｐａ）まで減圧して、上述する混合ガスが所定
量含まれた真空状態にする。The cleaning unit 24 thus constructed
The operation of cleaning the wafer transfer arm 22 will be described below. First, the semiconductor manufacturing apparatus 1 shown in FIG.
At 0, the wafer transfer arm 22 rotates to the cleaning unit 24 and is housed in the vacuum chamber 28 of the cleaning unit 24. At this time, as shown in FIG.
The wafer transfer arm 22 is divided into the inside and the outside of the vacuum chamber 28 on the side surface of the vacuum chamber 28, but the wafer transfer arm 22 and the side wall of the vacuum chamber 28 are pressure-bonded to each other so that the inside and the outside of the vacuum chamber 28 are bonded. It is good to be spatially cut off from. Then C
Intake port 36 for mixed gas obtained by adding a small amount of O 2 gas to F 4 gas
The inside of the vacuum chamber 28 is exhausted from the exhaust port 38 at the same time while sucking air from the inside to the inside of the vacuum chamber 28 by 1 torr.
The pressure is reduced to (100 Pa) so that the mixed gas described above is contained in a predetermined amount in a vacuum state.
【００１７】ここで、高周波源３０から上部電極３２に
所定の高周波を印加して、真空チャンバー２８内部をプ
ラズマ放電雰囲気にすると、ＣＦ4 ガスは、ＣＦ4 →Ｃ
Ｆ3＋Ｆ* （フッソラジカル）→ＣＦ2 ＋２Ｆ* →Ｃ＋
４Ｆ* のように、Ｃと活性化された４Ｆ* とに解離さ
れ、この活性化された４Ｆ* は、さらにウエハー搬送用
アーム２２に付着している汚れ、例えば、シリコンある
いはシリコン化合物と化学反応を起こしてＳｉ＋４Ｆ*
→ＳｉＦ4 や、ＳｉＯ2 ＋４Ｆ* →ＳｉＦ4 ＋Ｏ 2 など
の揮発性の高い化合物となり除去される。これと同時
に、ウエハー搬送用アーム２２に付着している汚れは、
下部電極３４から正に帯電したイオンがウエハー搬送用
アーム２２に衝突する際の衝撃によっても除去される。From the high frequency source 30 to the upper electrode 32,
Applying a predetermined high frequency to the interior of the vacuum chamber 28
CF in a plasma discharge atmosphereFourCF gasFour→ C
F3+ F*(Fluorine radical) → CF2+ 2F*→ C +
4F*Like C and activated 4F*Dissociated into
And this activated 4F*For further wafer transfer
There is dirt attached to the arm 22, for example, silicon.
Si + 4F by chemically reacting with silicon compounds*
→ SiFFourOr SiO2+ 4F*→ SiFFour+ O 2Such
It becomes a highly volatile compound and is removed. At the same time
In addition, the dirt attached to the wafer transfer arm 22 is
Ions positively charged from the lower electrode 34 are used for wafer transfer
It is also removed by the impact when it collides with the arm 22.
【００１８】このように、ウエハー搬送用アーム２２に
付着している通常の汚れ、例えば塵や埃などの汚れを浄
化できることは勿論、さらに、化学反応物質、例えば、
レジストが硬化あるいは炭化したものやシリコンのくず
等であっても、清浄化することができる。なお、ＣＦ4
ガスにＯ2 ガスを少量加えているのは、プラズマ放電励
起によりＣＦ4 はＣＦ4 →ＣＦ3 ＋Ｆ* となり、このＣ
Ｆ3 がＯ2 ガスと反応して、ＣＦ3 ＋Ｏ2 →ＣＯＦ3 と
なり、さらに、ＣＯＦ3 →ＣＯＦ2 ＋Ｆ* のように、活
性化されたＦ* を増大させるよう作用してエッチング速
度を増加することができるからである。また、ＣＦ4 ガ
スおよびＯ2 ガスを供給する順序は、どちらが先でも良
いし、同時に供給しても良いし、どのような割合で供給
しても良い。As described above, it is of course possible to purify the normal dirt adhering to the wafer transfer arm 22, for example, dirt such as dust and dirt, and further, to further react with the chemical reaction material such as dust.
Even if the resist is hardened or carbonized, or silicon debris, it can be cleaned. Note that CF 4
A small amount of O 2 gas is added to the gas because CF 4 becomes CF 4 → CF 3 + F * due to plasma discharge excitation.
F 3 reacts with O 2 gas, CF 3 + O 2 → COF 3 , and the further, COF 3 → COF 2 + F * as in, increasing the etch rate acts to increase the F * activated Because you can do it. The CF 4 gas and the O 2 gas may be supplied first, at the same time, or at any ratio.
【００１９】次に、図３に本発明の半導体製造装置１０
のウエハー搬送用アーム２２のクリーニングを行う場合
の一実施例のタイミングチャートを示す。同図に示すタ
イミングチャートにおいては、バッチ毎に、即ち、ウエ
ハーカセット１４に収納された所定枚数のウエハー１２
に対して製造工程の処理が終了する毎に、ウエハー搬送
用アーム２２をクリーニングする場合の動作を示すもの
である。まず、２４枚のウエハー１２を有する１バッチ
目の製造工程の処理が終了後、ウエハー搬送用アーム２
２はクリーニングされ、以下同様に、１０枚のウエハー
１２を有する２バッチ目の製造工程の処理が終了後、ウ
エハー搬送用アーム２２はクリーニングされ、２０枚の
ウエハー１２を有する３バッチ目の製造工程の処理が終
了後、ウエハー搬送用アーム２２はクリーニングされ
る。Next, FIG. 3 shows a semiconductor manufacturing apparatus 10 of the present invention.
7 is a timing chart of an example in which the wafer transfer arm 22 is cleaned. In the timing chart shown in the figure, a predetermined number of wafers 12 stored in the wafer cassette 14 are batch by batch.
On the other hand, the operation of cleaning the wafer transfer arm 22 each time the processing of the manufacturing process is completed is shown. First, after the processing of the manufacturing process of the first batch having 24 wafers 12 is completed, the wafer transfer arm 2
2 is cleaned, and thereafter, similarly, after the processing of the manufacturing process of the second batch having 10 wafers 12 is completed, the wafer transfer arm 22 is cleaned and the manufacturing process of the third batch having 20 wafers 12 is performed. After the above process is completed, the wafer transfer arm 22 is cleaned.
【００２０】以上、クリーニング部２４を備えたイオン
注入装置を例にとって、円筒状の真空チャンバー２８に
ウエハー搬送用アーム２２を収納し、ＣＦ4 ガスおよび
Ｏ2ガスを用いてプラズマエッチングによりクリーニン
グをバッチ毎に行う場合を示したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、本発明はイオン注入装置に限ら
ずウエハー搬送用アーム２２を用いてウエハー１２を自
動搬送する機構を有する半導体製造装置であれば、どの
ような半導体製造装置、例えば、不純物注入装置、露光
装置、エッチング装置、さらには製造装置全体が真空系
で処理される半導体製造装置であっても適用することが
できる。Taking the example of the ion implantation apparatus having the cleaning unit 24, the wafer transfer arm 22 is housed in the cylindrical vacuum chamber 28, and the cleaning is performed by the plasma etching using CF 4 gas and O 2 gas. Although the present invention is not limited to this, the present invention is not limited to the ion implantation apparatus, and the semiconductor manufacturing apparatus having a mechanism for automatically carrying the wafer 12 using the wafer carrying arm 22 is shown. Any semiconductor manufacturing apparatus, for example, an impurity implantation apparatus, an exposure apparatus, an etching apparatus, or a semiconductor manufacturing apparatus in which the entire manufacturing apparatus is processed in a vacuum system can be applied.
【００２１】また、クリーニング部２４の真空チャンバ
ー２８の形状は、円筒形に限らず平行平板形や発生域分
離形など、どのような形状であっても良い。また、ウエ
ハー搬送用アームの先端は、例えば、ウエハー裏面を真
空吸着したり、ウエハーを物理的に挟むなどしてウエハ
ーを搬送することができれば、どのような機構であって
も良い。また、プラズマエッチングに限らずスパッタエ
ッチングやイオンビームエッチングなど、ドライエッチ
ングであれば良いし、ドライエッチングに用いるガス
は、ＣＦ4 ガスおよびＯ2 ガスに限らずウエハー搬送用
アーム２２に付着する汚れと化学反応を起こし、揮発性
物質あるいは蒸気圧の高い物質を生成できるように適宜
決めれば良い。さらに、クリーニングを行うタイミング
は任意のタイミングで良いが、例えば、１枚毎、所定枚
数毎または所定時間毎にクリーニングを行うようにして
も良い。Further, the shape of the vacuum chamber 28 of the cleaning section 24 is not limited to a cylindrical shape, but may be any shape such as a parallel plate shape or a generation area separation shape. Further, the tip of the wafer transfer arm may be of any mechanism as long as it can transfer the wafer by, for example, vacuum suctioning the back surface of the wafer or physically sandwiching the wafer. Further, not only plasma etching but also dry etching such as sputter etching or ion beam etching may be used. The gas used for dry etching is not limited to CF 4 gas and O 2 gas, and may be dirt attached to the wafer transfer arm 22. It may be appropriately determined so as to cause a chemical reaction to generate a volatile substance or a substance having a high vapor pressure. Furthermore, the timing of cleaning may be arbitrary, but for example, cleaning may be performed for each sheet, for each predetermined number of sheets, or for each predetermined time period.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の半導
体製造装置は、ウエハー搬送用アームに付着する汚れを
ドライエッチングにより清浄化するための機構を半導体
製造装置の内部に備え、任意のタイミングでウエハー搬
送用アーム全体のクリーニングを自動的に行うことがで
きるので、本発明の半導体製造装置によれば、クリーニ
ングを行う際に精密な精度が要求されるアームに悪影響
を与えことも無く、常にウエハー搬送用アームを清潔に
保つことができる。また、本発明の半導体製造装置によ
れば、ウエハー搬送用アームに付着する通常の汚れは勿
論、さらに、化学反応物質の汚れであっても清浄化する
ことができる。従って、本発明の半導体製造装置によれ
ば、ウエハー裏面に付着した汚れが、ウエハー搬送用ア
ームを介して別のウエハーに付着するという２次汚染を
未然に防止することができ、よって半導体素子製造の歩
留りを向上することができる。As described in detail above, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is provided with a mechanism for cleaning dirt adhered to the wafer transfer arm by dry etching, inside the semiconductor manufacturing apparatus. Since it is possible to automatically clean the entire wafer transfer arm at a timing, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention does not adversely affect the arm that requires precise precision during cleaning, The wafer transfer arm can always be kept clean. Further, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to clean not only normal dirt attached to the wafer transfer arm but also dirt of a chemically reactive substance. Therefore, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to prevent secondary contamination in which the dirt attached to the back surface of the wafer adheres to another wafer via the wafer transfer arm. The yield can be improved.
【図１】 本発明の半導体製造装置の一実施例の平面図
である。FIG. 1 is a plan view of an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図２】 本発明の半導体製造装置のクリーニング部の
一実施例の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of an embodiment of a cleaning unit of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図３】 本発明の半導体製造装置のウエハー搬送用ア
ームのクリーニングを行う場合の一実施例のタイミング
チャートである。FIG. 3 is a timing chart of an example of cleaning the wafer transfer arm of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
１０ 半導体製造装置 １２ ウエハー １４ ウエハーカセット １６ イオン注入用チャンバー １８ 回転軸 ２０ ウエハーチャック部 ２２ ウエハー搬送用アーム ２４ クリーニング部 ２６ 本体 ２８ 真空チャンバー ３０ 高周波源 ３２ 上部電極 ３４ 下部電極 ３６ 吸気口 ３８ 排気口 10 Semiconductor Manufacturing Equipment 12 Wafer 14 Wafer Cassette 16 Ion Implantation Chamber 18 Rotation Axis 20 Wafer Chuck 22 Wafer Transfer Arm 24 Cleaning Section 26 Main Body 28 Vacuum Chamber 30 High Frequency Source 32 Upper Electrode 34 Lower Electrode 36 Inlet 38 Outlet
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/304 ３４１ Ｄ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０３ Ｇ 21/302 Ｎ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI Technical indication location H01L 21/3065 21/304 341 D H01L 21/30 503 G 21/302 N
Claims (1)
であって、 ドライエッチングにより、このウエハー搬送手段を清浄
化する機構を有することを特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus having a wafer transfer means, comprising a mechanism for cleaning the wafer transfer means by dry etching.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053734A JPH07263519A (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Apparatus for fabricating semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053734A JPH07263519A (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Apparatus for fabricating semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263519A true JPH07263519A (en) | 1995-10-13 |
Family
ID=12951065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6053734A Withdrawn JPH07263519A (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Apparatus for fabricating semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263519A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100687014B1 (en) * | 2000-01-20 | 2007-02-26 | 삼성전자주식회사 | Method for Cleaning the Exposure Device |
| JP2008216949A (en) * | 2007-02-06 | 2008-09-18 | Toppan Printing Co Ltd | Lithography for photosensitive resin plate and method for manufacturing organic electroluminescence element |
| JP2011146702A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-28 | Asml Netherlands Bv | Object with improved suitability for plasma cleaning treatment |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP6053734A patent/JPH07263519A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
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| JP2011146702A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-28 | Asml Netherlands Bv | Object with improved suitability for plasma cleaning treatment |
| CN102156388A (en) * | 2009-12-22 | 2011-08-17 | Asml荷兰有限公司 | Object with an improved suitability for a plasma cleaning treatment |
| US8780322B2 (en) | 2009-12-22 | 2014-07-15 | Asml Netherlands B.V. | Object with an improved suitability for a plasma cleaning treatment |
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