JPH07263387A - Device for manufacturing wafer - Google Patents
Device for manufacturing waferInfo
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- JPH07263387A JPH07263387A JP5089394A JP5089394A JPH07263387A JP H07263387 A JPH07263387 A JP H07263387A JP 5089394 A JP5089394 A JP 5089394A JP 5089394 A JP5089394 A JP 5089394A JP H07263387 A JPH07263387 A JP H07263387A
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- wafer
- polishing
- cleaning
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Prevention Of Fouling (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路を形成する半
導体ウエハ等の表面を研磨して洗浄するためのウエハの
製造装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer manufacturing apparatus for polishing and cleaning the surface of a semiconductor wafer or the like forming an integrated circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の集積回路を製造するた
めの半導体ウエハ（以下、単にウエハという。）は、デ
バイスの微細化に伴って、高精度かつ無欠陥表面となる
ように研磨することが要求されるようになってきた。こ
の研磨のメカニズムは、微粒子シリカ等によるメカニカ
ルな要素とアルカリ液によるエッチング要素とを複合し
たメカノ・ケミカル研磨法に基づいている。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor wafers for manufacturing integrated circuits such as LSIs (hereinafter simply referred to as "wafers") have been polished to have a highly accurate and defect-free surface in accordance with miniaturization of devices. Has come to be required. This polishing mechanism is based on a mechano-chemical polishing method that combines a mechanical element such as fine particle silica and an etching element with an alkaline solution.
【０００３】すなわち、ウエハは、研磨盤の研磨面に圧
接状態に配されて研磨面に摩擦させられるとともに、研
磨面との間に供給される微粒子シリカと水酸化カリウム
等のアルカリ液とを混合したスラリー状の研磨剤によっ
て研磨される。これにより、ウエハはその被研磨面を精
度よく仕上げられることになる。しかしながら、研磨後
のウエハには研磨剤が付着状態に残されることになるの
で、これを放置すると、ウエハ表面のエッチングが進行
することになるとともに、乾燥した研磨剤はウエハの表
面にこびり付いて除去することが困難になるという不都
合がある。That is, a wafer is placed in pressure contact with the polishing surface of a polishing disk and rubbed against the polishing surface, and fine particle silica and an alkaline liquid such as potassium hydroxide supplied between the polishing surface and the polishing surface are mixed. It is polished by the slurry-like polishing agent. As a result, the surface of the wafer to be polished can be accurately finished. However, the polishing agent will remain on the polished wafer, so if this is left unattended, the etching of the wafer surface will proceed, and the dry polishing agent will stick to the wafer surface and be removed. It is difficult to do this.
【０００４】かかる不都合を回避するには、ウエハの表
面に付着している研磨剤を、乾燥する前に洗浄して除去
する必要があり、研磨後即座に両面スクラバ等の洗浄機
に投入することが、従来より行われている。この洗浄機
では、研磨されたウエハを１枚１枚流通させつつその両
面をブラシ等によって擦りながら純水を噴射して研磨剤
を洗浄・除去し、その後、乾燥するようになっている。In order to avoid such inconvenience, it is necessary to wash and remove the polishing agent adhering to the surface of the wafer before it is dried. Immediately after polishing, it is put into a cleaning machine such as a double-sided scrubber. However, it has been performed conventionally. In this cleaning machine, while polishing wafers are circulated one by one, pure water is sprayed while rubbing both sides with a brush or the like to clean and remove the polishing agent, and then dried.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、この洗浄機
を挿通させられた後のウエハには、高い清浄度が要求さ
れるので、洗浄機は、クラス１０〜１００程度のクリー
ンルーム内に配設される。一方、ウエハを研磨する研磨
装置では、研磨面に供給した研磨剤が、ウエハと研磨面
との相対移動によって周囲に飛散させられる。そして、
飛散した研磨剤は、乾燥して室内の空気の流動により空
気中に浮遊することになるため、研磨装置の配される室
内の清浄度はクラス１０００程度となる。By the way, since a high degree of cleanliness is required for a wafer which has been inserted through the cleaning machine, the cleaning machine is installed in a clean room of class 10 to 100. It On the other hand, in a polishing apparatus for polishing a wafer, the polishing agent supplied to the polishing surface is scattered around due to the relative movement of the wafer and the polishing surface. And
The scattered polishing agent dries and floats in the air due to the flow of air in the room, so that the cleanliness of the room where the polishing apparatus is arranged is about class 1000.
【０００６】したがって、研磨装置と洗浄機とは同一の
室内に配することができず、完全に隔離された別々の室
内に設置しなければならなかった。しかしながら、研磨
装置と洗浄機とは、上述したように、研磨後のウエハを
即座に洗浄する必要性から、隣接配置することが好まし
く、完全に隔離された別々の室内に設置する場合には、
研磨工程と洗浄工程とを連続させることができないとい
う不都合があった。しかも、清浄度の異なる部屋間にお
いてウエハを受け渡しするために、エアシャワーによっ
て衣服等に付着した塵埃を除去する洗浄室等の付帯設備
を設ける必要があり、設備面積が増大するという問題が
あった。Therefore, the polishing apparatus and the washing machine cannot be placed in the same room, and must be installed in separate completely isolated rooms. However, as described above, the polishing apparatus and the cleaning machine are preferably arranged adjacent to each other because it is necessary to immediately clean the wafer after polishing, and when they are installed in separate completely isolated rooms,
There is an inconvenience that the polishing process and the cleaning process cannot be continued. Moreover, in order to transfer wafers between rooms having different cleanliness, it is necessary to provide auxiliary equipment such as a cleaning room for removing dust adhering to clothes by an air shower, which causes a problem that the equipment area is increased. .
【０００７】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
ものであって、ウエハに付着している研磨剤が室内に浮
遊することを防止して、研磨工程と洗浄工程とを連続さ
せることができるウエハの製造装置を提供することを目
的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and it is possible to prevent the polishing agent adhering to the wafer from floating in the chamber and to make the polishing step and the cleaning step continuous. An object of the present invention is to provide a wafer manufacturing apparatus capable of manufacturing the wafer.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ウエハを研磨する研磨装置と、研磨され
たウエハを洗浄する洗浄装置とを隣接配置するととも
に、これら研磨装置と洗浄装置との間に、各装置を含む
空間を隔離状態に区画する区画壁を設けてなり、この区
画壁に、研磨装置側と洗浄装置側とを連通するように形
成され研磨装置から洗浄装置にウエハを受け渡すための
連通部を設けるとともに、この連通部に、通過させられ
るウエハを湿らせる加湿手段と、ウエハを研磨装置から
洗浄装置に移動させる移動手段とを設けたウエハの製造
装置を提案している。In order to achieve the above object, the present invention provides a polishing apparatus for polishing a wafer and a cleaning apparatus for cleaning the polished wafer, which are adjacent to each other, and the polishing apparatus and cleaning apparatus. A partition wall for partitioning the space containing each device into an isolated state is provided between the device and the partition wall, which is formed so as to connect the polishing device side and the cleaning device side to each other. A wafer manufacturing apparatus is provided in which a communication section for transferring a wafer is provided, and a humidifying means for moistening the wafer to be passed through and a moving means for moving the wafer from the polishing apparatus to the cleaning apparatus are provided in the communication section. is doing.
【０００９】上記製造装置においては、加湿手段が、粉
霧状の純水を散布することにより連通部を遮断するよう
にウォータカーテンを形成する散水手段よりなる構成と
すれば効果的である。また、加湿手段が、純水を貯留す
る水槽よりなり、連通部がこの水槽の水中に形成されて
いる構成としてもよい。In the above-mentioned manufacturing apparatus, it is effective that the humidifying means is constituted by a water sprinkling means for forming a water curtain so as to block the communication part by spraying pure water in the form of powder mist. Further, the humidifying means may be a water tank for storing pure water, and the communication part may be formed in the water of the water tank.
【００１０】[0010]
【作用】本発明に係るウエハの研磨装置によれば、研磨
装置において研磨されたウエハが移動手段の作動によ
り、研磨装置に隣接配置されている洗浄装置に連通部を
通して移動させられる。区画壁は、研磨装置と洗浄装置
とを連通部を除いて隔離状態に区画するので、研磨装置
で発生した塵埃は、洗浄装置側に漏洩しないように保持
される。また、連通部には加湿手段が設けられていて、
区画壁を通過するウエハは、この加湿手段によって湿ら
されることになるので、ウエハに付着している研磨剤が
空気中に浮遊しないように保持されつつ洗浄装置に投入
され、該洗浄装置において研磨剤を洗い落とされること
になる。According to the wafer polishing apparatus of the present invention, the wafer polished by the polishing apparatus is moved to the cleaning apparatus disposed adjacent to the polishing apparatus through the communicating portion by the operation of the moving means. The partition wall divides the polishing device and the cleaning device into an isolated state except for the communicating portion, so that dust generated in the polishing device is held so as not to leak to the cleaning device side. Further, the communication section is provided with a humidifying means,
Since the wafer passing through the partition wall is moistened by the humidifying means, the polishing agent adhering to the wafer is thrown into the cleaning device while being held so as not to float in the air, and is polished in the cleaning device. The agent will be washed off.
【００１１】加湿手段を散水手段よりなる構成とすれ
ば、形成されるウォータカーテンによって連通部が遮蔽
状態とされ、この連通部を通過させられるウエハは、必
ずウォータカーテンを横切らなければならず、確実に湿
らされることになる。また、加湿手段を水槽とし、連通
部をこの水槽の水中に形成することとすれば、ウエハ
は、水槽に貯留された水中に一旦浸漬状態とされなけれ
ば、洗浄装置側に移動することができないので、より確
実に湿らされることになる。If the moisturizing means is composed of water sprinkling means, the communication portion is shielded by the formed water curtain, and the wafers that pass through this communication portion must cross the water curtain without fail. Will be damp. If the humidifying means is a water tank and the communication part is formed in the water of this water tank, the wafer cannot move to the cleaning device side unless it is immersed in the water stored in the water tank. So it will be more reliably moistened.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明に係るウエハの製造装置の一実
施例について、図１を参照して説明する。本実施例のウ
エハの製造装置１は、研磨剤を供給しながらウエハ２の
研磨を行う研磨装置３と、これに隣接配置される洗浄装
置４とを具備し、該洗浄装置４および研磨装置３の間に
これらの装置が配される空間を区画する区画壁５を設け
て構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a wafer manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIG. The wafer manufacturing apparatus 1 of the present embodiment includes a polishing apparatus 3 that polishes the wafer 2 while supplying a polishing agent, and a cleaning apparatus 4 arranged adjacent to the polishing apparatus 3. The cleaning apparatus 4 and the polishing apparatus 3 are provided. A partition wall 5 for partitioning a space in which these devices are arranged is provided between them.
【００１３】前記研磨装置３および洗浄装置４は、従来
のものと同様のものを使用している。前記区画壁５は、
研磨装置３および洗浄装置４が配されている空間６・７
（以下、単に、研磨室、洗浄室という。）を区画して、
研磨室６をクラス１０００程度、洗浄室７をクラス１０
〜１００程度の清浄度にそれぞれ保持することができる
ようになっている。また、洗浄室７は研磨室３よりも高
い圧力状態、例えば、洗浄室は２０ｍｍＡｑ、研磨室は
１０ｍｍＡｑ程度となるように調整されている。なお、
この圧力値は、これに限定されず、状況に応じて任意の
圧力値を設定することとしてよい。The polishing device 3 and the cleaning device 4 are the same as the conventional ones. The partition wall 5 is
Spaces 6 and 7 in which the polishing device 3 and the cleaning device 4 are arranged
(Hereinafter, simply referred to as polishing room and cleaning room.)
Polishing room 6 is about class 1000, cleaning room 7 is class 10
The cleanliness of about 100 to 100 can be maintained. The pressure in the cleaning chamber 7 is adjusted to be higher than that in the polishing chamber 3, for example, 20 mmAq in the cleaning chamber and 10 mmAq in the polishing chamber. In addition,
This pressure value is not limited to this, and an arbitrary pressure value may be set according to the situation.
【００１４】また、この区画壁５には、研磨室６と洗浄
室７とを連通する連通部８が設けられている。この連通
部８は、図１に示すように、区画壁５の一部に形成さ
れ、研磨室６および洗浄室７にそれぞれ開口する開口部
８ａ・８ｂを有する小空間である。この連通部８の開口
部８ａ・８ｂには、それぞれ独立に駆動される遮蔽扉９
・１０が設けられている。この遮蔽扉９・１０は、例え
ば、エアシリンダ１１・１２等のアクチュエータによっ
て、必要に応じて開閉されるようになっている。Further, the partition wall 5 is provided with a communication portion 8 which connects the polishing chamber 6 and the cleaning chamber 7. As shown in FIG. 1, the communication portion 8 is a small space that is formed in a part of the partition wall 5 and has openings 8a and 8b that open to the polishing chamber 6 and the cleaning chamber 7, respectively. The openings 8a and 8b of the communication portion 8 have a shield door 9 that is independently driven.
・ 10 is provided. The shield doors 9 and 10 are adapted to be opened and closed as needed by actuators such as air cylinders 11 and 12, for example.
【００１５】この連通部８内には、先端に把持ハンド１
３を有する旋回アームのような移動手段１４が設けられ
ている。この移動手段１４は、図１に示すように、水平
状態に配されるアーム１５を水平旋回させることによっ
て、その先端に設けられている把持ハンド１３を連通部
８の各開口部８ａ・８ｂから連通部８の外部に突出させ
ることができるようになっている。そして、研磨装置３
によって研磨された後のウエハ２を、把持ハンド１３に
よって一枚ずつ把持するとともに、アーム１５を水平旋
回させてウエハ２を搬送し、開口部８ｂの外方に配され
ている洗浄装置４に移載することができるようになって
いる。Inside the communicating portion 8, the gripping hand 1 is attached to the tip.
There is provided a moving means 14 such as a swivel arm having three. As shown in FIG. 1, the moving means 14 horizontally pivots an arm 15 arranged in a horizontal state, so that the gripping hand 13 provided at the tip of the moving means 14 is released from the openings 8a and 8b of the communicating portion 8. It can be made to project to the outside of the communication portion 8. And polishing device 3
The wafers 2 that have been polished by are held by the holding hand 13 one by one, and the arms 15 are horizontally swung to transfer the wafers 2, and the wafers 2 are transferred to the cleaning device 4 arranged outside the opening 8b. It can be posted.
【００１６】また、連通部８には、図１に示すように、
該連通部８内にミスト状の純水を噴出するノズルのよう
な散水手段１６よりなる加湿手段１７が設けられてい
る。この加湿手段１７は、図示しない純水供給源から供
給される純水を常時噴出していて、連通部８を遮蔽する
ウォータカーテンＷ1を形成するようになっている。ま
た、連通部８の下部には、図示しない排出口が設けられ
ており、落下した純水を回収して外部に排出するように
なっている。なお、図において、符号１８は研磨前のウ
エハ２を貯蓄しておくカセット、１９は研磨後のウエハ
２を貯蓄しておくカセット、２０はカセット１９を浸水
状態に収納する水槽、２１は研磨装置３から研磨された
ウエハ２をカセット１９に移し替える移載ロボットであ
る。Further, in the communication section 8, as shown in FIG.
A humidifying means 17 including a water sprinkling means 16 such as a nozzle for ejecting mist-like pure water is provided in the communicating portion 8. The humidifying means 17 constantly ejects pure water supplied from a pure water supply source (not shown) to form a water curtain W 1 that shields the communicating portion 8. Further, a discharge port (not shown) is provided in the lower part of the communication section 8 so that the pure water that has fallen is collected and discharged to the outside. In the figure, reference numeral 18 is a cassette for storing the wafer 2 before polishing, 19 is a cassette for storing the wafer 2 after polishing, 20 is a water tank for storing the cassette 19 in a flooded state, and 21 is a polishing apparatus. The transfer robot transfers the wafer 2 polished from 3 to the cassette 19.
【００１７】次に、このように構成されたウエハ２の製
造装置１の作用について、以下に説明する。まず、研磨
装置１の作動によって、研磨剤を供給されながら研磨さ
れたウエハ２は、移載ロボット２１の作動によってカセ
ット１９に移載され、該カセット１９内に一旦貯留状態
に保持される。Next, the operation of the wafer 2 manufacturing apparatus 1 thus constructed will be described below. First, the wafer 2 polished by supplying the polishing agent by the operation of the polishing apparatus 1 is transferred to the cassette 19 by the operation of the transfer robot 21, and is temporarily held in the cassette 19 in the storage state.
【００１８】一方、連通部８においては、加湿手段１７
が作動され、連通部８内にウォータカーテンＷ1が形成
されている。この状態で、研磨室６側のエアシリンダ１
１が作動され、遮蔽扉９が開かれると同時に、移動手段
１４が作動させられて、アーム１５が研磨室６側の開口
部８ａから突出させられる。そして、アーム１５先端の
把持ハンド１３がカセット１９の中からウエハ２を把持
して取り出し、アーム１５を再度旋回させてウエハ２を
連通部８内に配するとともに、前記エアシリンダ１１を
作動させて遮蔽扉９により開口部８ａを閉鎖する。On the other hand, in the communicating portion 8, the humidifying means 17
Is activated, and the water curtain W 1 is formed in the communication portion 8. In this state, the air cylinder 1 on the polishing chamber 6 side
1 is operated and the shielding door 9 is opened, and at the same time, the moving means 14 is operated, and the arm 15 is projected from the opening 8a on the polishing chamber 6 side. Then, the gripping hand 13 at the tip of the arm 15 grips and takes out the wafer 2 from the cassette 19, and the arm 15 is swung again to dispose the wafer 2 in the communicating portion 8 and the air cylinder 11 is operated. The opening 8a is closed by the shielding door 9.
【００１９】これにより、ウエハ２は、ウォータカーテ
ンＷ1内に配され、十分に湿らされることになる。そし
て、洗浄室７側のエアシリンダ１２を作動させて遮蔽扉
１０を上昇させ開口部８ｂを開いた後に、アーム１５を
旋回させて開口部８ｂからアーム１５先端を洗浄室７内
に突出させ、把持ハンド１３に把持されたウエハ２を洗
浄装置４に移し替えることにより、洗浄装置４による洗
浄が実施される。As a result, the wafer 2 is placed in the water curtain W 1 and sufficiently moistened. Then, after operating the air cylinder 12 on the cleaning chamber 7 side to raise the shielding door 10 to open the opening 8b, the arm 15 is swung to project the tip of the arm 15 into the cleaning chamber 7 from the opening 8b. Cleaning by the cleaning device 4 is performed by transferring the wafer 2 gripped by the gripping hand 13 to the cleaning device 4.
【００２０】このように、本実施例に係るウエハ２の製
造装置１によれば、研磨室６と洗浄室７とが区画壁５に
よって区画されかつこれら研磨室６と洗浄室７とを連通
する連通部８が加湿手段１７によって形成されたウォー
タカーテンＷ1によって遮蔽されているので、研磨室６
の空気中に浮遊している研磨剤の微粉等を洗浄室６に進
入しないように保持することができる。また、研磨装置
３によって研磨されたウエハ２は、ウォータカーテンＷ
1が形成されている連通部８を通過させられることによ
って、付着している研磨剤等の塵埃をウォータカーテン
Ｗ1によって洗い流され、洗浄室７には湿った状態で供
給される。これにより、供給されたウエハ２から研磨剤
の塵埃等が洗浄室７内に放出されないように保持するこ
とができる。As described above, according to the wafer 2 manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, the polishing chamber 6 and the cleaning chamber 7 are partitioned by the partition wall 5 and the polishing chamber 6 and the cleaning chamber 7 are communicated with each other. Since the communicating portion 8 is shielded by the water curtain W 1 formed by the humidifying means 17, the polishing chamber 6
It is possible to hold the fine particles of the polishing agent floating in the air so as not to enter the cleaning chamber 6. In addition, the wafer 2 polished by the polishing device 3 has a water curtain W.
By passing through the communication portion 8 in which 1 is formed, dust such as attached abrasives is washed off by the water curtain W 1 , and is supplied to the cleaning chamber 7 in a wet state. As a result, it is possible to hold the supplied wafer 2 so that the dust and the like of the polishing agent is not discharged into the cleaning chamber 7.
【００２１】さらに、研磨室６と洗浄室７との間には圧
力差が発生させられているので、研磨室６から洗浄室７
への塵埃の漏洩防止効果を向上することができる。そし
て、連通部８は、遮蔽扉９・１０によって閉塞されるの
で、ウォータカーテンＷ1の純水が研磨室６あるいは洗
浄室７に飛散しないように保持することができる。Furthermore, since a pressure difference is generated between the polishing chamber 6 and the cleaning chamber 7, the polishing chamber 6 to the cleaning chamber 7
It is possible to improve the effect of preventing the leakage of dust to the. Since the communication portion 8 is closed by the shielding doors 9 and 10, the pure water of the water curtain W 1 can be held so as not to be scattered into the polishing chamber 6 or the cleaning chamber 7.
【００２２】なお、本実施例においては、連通部８内に
移動手段１４を設けることとしたが、これに代えて、図
２に示すように、洗浄室７に設置してもよく、また、研
磨室６に設置することとしてもよい。この場合、アーム
１５は、伸縮式あるいは水平関節式等、その長さ寸法を
任意に変化させることができるものを採用すればよい。
また、このような移動手段１４によるウエハ２の移載作
業は、図２に示すように、連通部８の２箇所の開口部８
ａ・８ｂを同時に開口させた状態で行われるが、研磨室
６と洗浄室７との間に圧力差が発生させられているの
で、連通部８内のミスト状の純水は、研磨室６側に引き
込まれ、洗浄室７の清浄度が低下しないように維持する
ことができる。In the present embodiment, the moving means 14 is provided in the communication part 8, but instead of this, it may be installed in the cleaning chamber 7 as shown in FIG. It may be installed in the polishing chamber 6. In this case, the arm 15 may be of a telescopic type or a horizontal joint type, and the length of which can be arbitrarily changed.
Further, as shown in FIG. 2, the transfer operation of the wafer 2 by the moving means 14 as described above is performed at two opening portions 8 of the communicating portion 8.
Although a and 8b are opened at the same time, since a pressure difference is generated between the polishing chamber 6 and the cleaning chamber 7, the mist-like pure water in the communicating portion 8 is removed. It can be maintained so that the cleanliness of the cleaning chamber 7 is not lowered by being drawn to the side.
【００２３】次に、本発明に係るウエハの製造装置の他
の実施例について、図３を参照して説明する。本実施例
の製造装置３０は、上記実施例と連通部３１の構造にお
いて相違している。この製造装置３０における連通部３
１は、区画壁５の最下部に配される水槽３２よりなる加
湿手段と、水槽３２内に配されるコンベヤ３３とこれに
ウエハ２を受け渡す移載ロボット３４・３５とからなる
移動手段３６とを具備している。Next, another embodiment of the wafer manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. The manufacturing apparatus 30 of this embodiment is different from the above embodiment in the structure of the communicating portion 31. Communication unit 3 in the manufacturing apparatus 30
Reference numeral 1 denotes a humidifying means composed of a water tank 32 arranged at the bottom of the partition wall 5, a moving means 36 composed of a conveyor 33 arranged in the water tank 32 and transfer robots 34 and 35 for transferring the wafer 2 to the conveyor 33. It has and.
【００２４】前記水槽３２には、純水が貯留され、ある
いは、適宜、循環・瀘過させられている。この純水の水
面Ｗ2は、前記区画壁５によって区画されており、研磨
室６と洗浄室７とが、この水槽３２の水中において連通
されるようになっている。前記コンベヤ３３は、研磨室
６と洗浄室７とに跨がるように水槽３２内に設置されて
おり、研磨室６から洗浄室７にウエハ２を搬送するよう
になっている。Pure water is stored in the water tank 32, or is appropriately circulated and filtered. The surface W 2 of pure water is partitioned by the partition wall 5, and the polishing chamber 6 and the cleaning chamber 7 are connected to each other in the water in the water tank 32. The conveyor 33 is installed in the water tank 32 so as to extend over the polishing chamber 6 and the cleaning chamber 7, and conveys the wafer 2 from the polishing chamber 6 to the cleaning chamber 7.
【００２５】前記移載ロボット３４・３５は、研磨室６
と洗浄室７とにそれぞれ設置された、例えば、円筒座標
径のロボットであって、それぞれのアームの先端に把持
ハンド１３を有している。そして、研磨室６に配されて
いる移載ロボット３４は、把持ハンド１３によって、研
磨されたウエハ２を収納しているカセット１９を、カセ
ット１９ごと把持して搬送し、水槽３２内のコンベア３
３に移載することができるようになっている。また、洗
浄室７に配されている移載ロボット３４は、コンベア３
３によって搬送されてきたカセット１９を把持して洗浄
装置４に投入することができるようになっている。The transfer robots 34 and 35 are installed in the polishing chamber 6
For example, a robot having a cylindrical coordinate diameter is installed in each of the cleaning chamber 7 and the cleaning chamber 7, and has a gripping hand 13 at the tip of each arm. Then, the transfer robot 34 arranged in the polishing chamber 6 holds the cassette 19 containing the polished wafer 2 by the gripping hand 13 and conveys the cassette 19 together with the cassette 19 in the water tank 32.
It is possible to reprint it in 3. In addition, the transfer robot 34 arranged in the cleaning room 7 is
The cassette 19 conveyed by 3 can be grasped and loaded into the cleaning device 4.
【００２６】このように構成されたウエハ２の製造装置
３０によれば、研磨装置３によって研磨されたウエハ２
はカセット１９に収納された状態で、水槽３２に貯留さ
れている純水内に完全に浸漬されるので、その表面に付
着している研磨剤その他の塵埃を洗い落とされるととも
に、ウエハ２自体も確実に濡れた状態とされる。したが
って、清浄度の比較的低い研磨室６と清浄度の高い洗浄
室７とが、連通部３１においても水槽３２に貯留された
純水によって隔離状態に区画され、搬送されたウエハ２
からも塵埃が放出されることがないので、洗浄室７内の
清浄度を維持することができる。According to the wafer manufacturing apparatus 30 having the above-described structure, the wafer 2 polished by the polishing apparatus 3 is used.
While being stored in the cassette 19, it is completely immersed in the pure water stored in the water tank 32, so that the polishing agent and other dust adhering to the surface thereof are washed off, and the wafer 2 itself It is definitely wet. Therefore, the polishing chamber 6 having a relatively low degree of cleanliness and the cleaning chamber 7 having a high degree of cleanliness are separated from each other in the communicating portion 31 by the pure water stored in the water tank 32 and transferred to the wafer 2.
Since no dust is emitted from the cleaning chamber, the cleanliness of the cleaning chamber 7 can be maintained.
【００２７】その結果、研磨室６と洗浄室７とを確実に
隔離しつつ、研磨されたウエハ２を研磨室６から洗浄室
７に搬送することができるので、研磨装置３と洗浄装置
７とを隣接配置して両工程を連続させることができる。
これにより、ウエハ２の製造効率を向上することができ
るとともに、設備面積の縮小、付帯設備の排除を実施し
得て、設備コストの大幅な低減を図ることができる。As a result, the polished wafer 2 can be transferred from the polishing chamber 6 to the cleaning chamber 7 while surely separating the polishing chamber 6 and the cleaning chamber 7, so that the polishing device 3 and the cleaning device 7 can be separated from each other. Can be arranged adjacent to each other so that both steps can be continued.
As a result, the manufacturing efficiency of the wafers 2 can be improved, and the equipment area can be reduced and incidental equipment can be eliminated, and the equipment cost can be significantly reduced.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係るウエ
ハの製造装置によれば、研磨装置と洗浄装置とを隣接配
置し、これらの間に、両装置を隔離状態に区画する区画
壁を設けてなり、この区画壁に、研磨装置から洗浄装置
にウエハを受け渡すための連通部を設け、連通部を通過
させられるウエハを湿らせる加湿手段と、ウエハを研磨
装置から洗浄装置に移動させる移動手段とを設けたの
で、区画壁によって研磨装置側の塵埃が洗浄装置側に漏
洩しないように保持することができるとともに、連通部
を通過させられるウエハが湿らされ、付着している塵埃
が洗浄装置側に放出されないように保持することができ
るという効果を奏する。これによって、洗浄装置が設置
されている空間の清浄度の低下が防止されるので、研磨
工程と洗浄工程とを連続させることが可能となり、ウエ
ハの製造効率を向上させることができる。しかも、研磨
装置と洗浄装置とを隣接配置し得て、設置面積を最小限
に抑制し、エアーシャワー室等の付帯設備を排除して、
設備コストの大幅な低減を図ることができる。As described above in detail, according to the wafer manufacturing apparatus of the present invention, the polishing apparatus and the cleaning apparatus are arranged adjacent to each other, and the partition wall for partitioning the polishing apparatus and the cleaning apparatus into the isolated state. The partition wall is provided with a communication part for transferring the wafer from the polishing device to the cleaning device, a humidifying means for wetting the wafer that passes through the communication part, and the wafer is moved from the polishing device to the cleaning device. Since the partition wall prevents the dust on the polishing device side from leaking to the cleaning device side, the wafer passing through the communication part is moistened, and the attached dust is removed. The cleaning device can be held so as not to be discharged. As a result, the cleanliness of the space in which the cleaning device is installed is prevented from being lowered, so that the polishing process and the cleaning process can be continued, and the wafer manufacturing efficiency can be improved. Moreover, the polishing device and the cleaning device can be arranged adjacent to each other to minimize the installation area and eliminate the auxiliary equipment such as the air shower room.
The equipment cost can be significantly reduced.
【００２９】また、上記ウエハの製造装置において加湿
手段を散水手段とすれば、粉霧状の純水によるウォータ
カーテンによって連通部が遮断され、該連通部を通過さ
せられるウエハを確実に湿らせて、洗浄装置の配されて
いる空間への塵埃の放出を防止することができるという
効果を奏する。Further, in the above wafer manufacturing apparatus, if the humidifying means is the sprinkling means, the communication portion is blocked by the water curtain of pure water in the form of atomized powder, and the wafer that passes through the communication portion is surely wetted. Therefore, it is possible to prevent the dust from being discharged to the space where the cleaning device is arranged.
【００３０】さらに、加湿手段を純水を貯留する水槽に
より構成し、連通部を水中に形成することとすれば、連
通部を水槽の純水によって確実に閉塞し、しかも、この
連通部を通過させられるウエハを完全に水中に浸漬させ
ることができるので、洗浄装置の配されている空間の清
浄度をより確実に維持することができるという効果を奏
する。Further, if the humidifying means is constituted by a water tank for storing pure water and the communication portion is formed in water, the communication portion is surely blocked by the pure water in the water tank, and moreover, it passes through this communication portion. Since the wafer to be made can be completely immersed in water, the cleanliness of the space where the cleaning device is arranged can be maintained more reliably.
【図１】本発明に係るウエハの製造装置の一実施例を示
す正面図である。FIG. 1 is a front view showing an embodiment of a wafer manufacturing apparatus according to the present invention.
【図２】図１のウエハの製造装置の変形例を示す正面図
である。FIG. 2 is a front view showing a modified example of the wafer manufacturing apparatus of FIG.
【図３】本発明に係るウエハの製造装置の他の実施例を
示す正面図である。FIG. 3 is a front view showing another embodiment of the wafer manufacturing apparatus according to the present invention.
１・３０ 製造装置 ２ ウエハ ３ 研磨装置 ４ 洗浄装置 ５ 区画壁 ８・３１ 連通部 １４・３６ 移動手段 １６ 散水手段 １７ 加湿手段 ３２ 水槽 Ｗ1 ウォータカーテン Ｗ2 水面1/30 Manufacturing Device 2 Wafer 3 Polishing Device 4 Cleaning Device 5 Partition Wall 8/31 Communication Portion 14/36 Moving Means 16 Water Sprinkling Means 17 Humidifying Means 32 Water Tank W 1 Water Curtain W 2 Water Surface
Claims (3)
たウエハを洗浄する洗浄装置とを隣接配置するととも
に、 これら研磨装置と洗浄装置との間に、各装置を含む空間
を隔離状態に区画する区画壁を設けてなり、 該区画壁に、研磨装置側と洗浄装置側とを連通するよう
に形成され研磨装置から洗浄装置にウエハを受け渡すた
めの連通部を設け、 該連通部に、この連通部を通過させられるウエハを湿ら
せる加湿手段と、ウエハを研磨装置から洗浄装置に移動
させる移動手段とを設けたことを特徴とするウエハの製
造装置。1. A polishing apparatus for polishing a wafer and a cleaning apparatus for cleaning a polished wafer are arranged adjacent to each other, and a space including each apparatus is partitioned between the polishing apparatus and the cleaning apparatus in an isolated state. A partition wall for connecting the polishing device side and the cleaning device side to each other, and a communication part for transferring the wafer from the polishing device to the cleaning device is provided on the partition wall, and the communication part, An apparatus for manufacturing a wafer, comprising: a humidifying unit that moistens a wafer that passes through the communication section; and a moving unit that moves the wafer from a polishing apparatus to a cleaning apparatus.
とにより連通部を遮断するようにウォータカーテンを形
成する散水手段よりなることを特徴とする請求項１記載
のウエハの製造装置。2. The apparatus for manufacturing a wafer according to claim 1, wherein the humidifying means comprises water sprinkling means for forming a water curtain so as to cut off the communicating portion by spraying pure water in the form of powder mist. .
り、連通部がこの水槽の水中に形成されていることを特
徴とする請求項１記載のウエハの製造装置。3. The wafer manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the humidifying means is composed of a water tank for storing pure water, and the communication portion is formed in the water of the water tank.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP5089394A JP3132284B2 (en) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | Wafer manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP5089394A JP3132284B2 (en) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | Wafer manufacturing equipment |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH07263387A true JPH07263387A (en) | 1995-10-13 |
| JP3132284B2 JP3132284B2 (en) | 2001-02-05 |
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ID=12871420
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|---|---|---|---|
| JP5089394A Expired - Fee Related JP3132284B2 (en) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | Wafer manufacturing equipment |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3132284B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068569A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor wafer |
| KR100576630B1 (en) * | 1998-07-24 | 2006-05-04 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device |
| CN110729219A (en) * | 2019-10-25 | 2020-01-24 | 江苏佳晟精密设备科技有限公司 | Semiconductor grinding machine assembly |
-
1994
- 1994-03-22 JP JP5089394A patent/JP3132284B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100683028B1 (en) * | 1998-07-24 | 2007-02-15 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device |
| WO2004068569A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor wafer |
| CN110729219A (en) * | 2019-10-25 | 2020-01-24 | 江苏佳晟精密设备科技有限公司 | Semiconductor grinding machine assembly |
| CN110729219B (en) * | 2019-10-25 | 2021-12-07 | 江苏佳晟精密设备科技有限公司 | Semiconductor grinding machine assembly |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3132284B2 (en) | 2001-02-05 |
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