JPH07254582A - 半導体ウェーハ粒子除去装置 - Google Patents
半導体ウェーハ粒子除去装置Info
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- JPH07254582A JPH07254582A JP26773894A JP26773894A JPH07254582A JP H07254582 A JPH07254582 A JP H07254582A JP 26773894 A JP26773894 A JP 26773894A JP 26773894 A JP26773894 A JP 26773894A JP H07254582 A JPH07254582 A JP H07254582A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体のウェーハの表面に存在する汚染粒子
をそのフラット・アライメント中に真空吸引により除去
させるフラット・アライメント装置を提供する。 【構成】 カセット（１１）に装填された複数のウェー
ハ（１２）のエッジに回転接触する中空のローラ（１
３）に、その表面から中心の空洞へ伸延する複数の開口
（１４）を配列して設け、ウェーハ（１２）をそのフラ
ット・エッジに位置合わせすべく、回転させるフラット
・アライメントの処理の際に、開口（１４）を介してロ
ーラ（１３）が真空吸引を行い、ウェーハ（１２）の表
面に存在する汚染粒子を開口１４を介してローラ（１
３）の空洞内に引き込んで除去させる。
をそのフラット・アライメント中に真空吸引により除去
させるフラット・アライメント装置を提供する。 【構成】 カセット（１１）に装填された複数のウェー
ハ（１２）のエッジに回転接触する中空のローラ（１
３）に、その表面から中心の空洞へ伸延する複数の開口
（１４）を配列して設け、ウェーハ（１２）をそのフラ
ット・エッジに位置合わせすべく、回転させるフラット
・アライメントの処理の際に、開口（１４）を介してロ
ーラ（１３）が真空吸引を行い、ウェーハ（１２）の表
面に存在する汚染粒子を開口１４を介してローラ（１
３）の空洞内に引き込んで除去させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体処理装置に関
し、特にウェーハ・フラット・アライメント中に半導体
のウェーハからシリコン粒子を除去するアライメント装
置用の半導体ウェーハ粒子除去装置に関する。
し、特にウェーハ・フラット・アライメント中に半導体
のウェーハからシリコン粒子を除去するアライメント装
置用の半導体ウェーハ粒子除去装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ処理では、ウェーハ・カ
セット内の各ウェーハのフラット・エッジの位置決めを
し、その位置を合わせて自動化装置にウェーハを処理で
きるように、かつ正しいウェーハ・アライメントが得ら
れるようにする必要がある。フラット・ファインダ装置
は、カセット即ちウェーハ・ボートに２５枚程度の半導
体のウェーハの位置を合わせために用いられる。フラッ
ト・ファインダ装置は製造プロセスにおける殆どの工程
で必要とされ、これには１７０種程度の工程が存在し得
る。
セット内の各ウェーハのフラット・エッジの位置決めを
し、その位置を合わせて自動化装置にウェーハを処理で
きるように、かつ正しいウェーハ・アライメントが得ら
れるようにする必要がある。フラット・ファインダ装置
は、カセット即ちウェーハ・ボートに２５枚程度の半導
体のウェーハの位置を合わせために用いられる。フラッ
ト・ファインダ装置は製造プロセスにおける殆どの工程
で必要とされ、これには１７０種程度の工程が存在し得
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ウェーハのフラット・
エッジは、フラット・ロケータに多数のウェーハを配置
し、かつ全てのフラット・エッジの位置が合うまでウェ
ーハを回転させることにより、位置決めされる。ローリ
ング及びアライメント処理においては、表面及びエッジ
研摩により発生するシリコン又は他の物質の粒子がウェ
ーハの表面及びエッジに付着する。これらの粒子は、除
去されないとデバイス欠陥を発生させる。
エッジは、フラット・ロケータに多数のウェーハを配置
し、かつ全てのフラット・エッジの位置が合うまでウェ
ーハを回転させることにより、位置決めされる。ローリ
ング及びアライメント処理においては、表面及びエッジ
研摩により発生するシリコン又は他の物質の粒子がウェ
ーハの表面及びエッジに付着する。これらの粒子は、除
去されないとデバイス欠陥を発生させる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、半導体
のウェーハから粒子を除去する半導体ウェーハ粒子除去
装置であって、フラット・アライメント装置の一部分を
形成すると共に、これと連係して用いられる半導体ウェ
ーハ粒子除去装置を提供することにある。前記半導体ウ
ェーハ粒子除去装置は、フラット・アライメント装置上
で用いられるローラを有する。このローラは、フラット
・アライメント中に半導体のウェーハを回転させるため
に用いられるものであり、形状がシリンダ状であり、そ
の外面に複数のパーフォレーションを有し、このパーフ
ォレーションを介して離脱した粒子、及びウェーハの外
面及びエッジから粒子をシリンダ内に吸引して破棄する
ために真空吸引を行なう。
のウェーハから粒子を除去する半導体ウェーハ粒子除去
装置であって、フラット・アライメント装置の一部分を
形成すると共に、これと連係して用いられる半導体ウェ
ーハ粒子除去装置を提供することにある。前記半導体ウ
ェーハ粒子除去装置は、フラット・アライメント装置上
で用いられるローラを有する。このローラは、フラット
・アライメント中に半導体のウェーハを回転させるため
に用いられるものであり、形状がシリンダ状であり、そ
の外面に複数のパーフォレーションを有し、このパーフ
ォレーションを介して離脱した粒子、及びウェーハの外
面及びエッジから粒子をシリンダ内に吸引して破棄する
ために真空吸引を行なう。
【０００５】ウェーハを位置合わせする際は、ローラを
ベリング上で回転させ、真空源に接続されている回転ジ
ョイントを介して真空吸引する。ローラは手で回転させ
てもよく、又は自動ウェーハ・アライナが用いるモータ
に接続されてもよい。
ベリング上で回転させ、真空源に接続されている回転ジ
ョイントを介して真空吸引する。ローラは手で回転させ
てもよく、又は自動ウェーハ・アライナが用いるモータ
に接続されてもよい。
【０００６】本発明が提供する技術な利点及び本発明の
目的は、添付図面と関連して考慮すれば、本発明による
以下の好ましい実施例の説明、及び請求の範囲に記載し
た新規の特徴から明らかである。
目的は、添付図面と関連して考慮すれば、本発明による
以下の好ましい実施例の説明、及び請求の範囲に記載し
た新規の特徴から明らかである。
【０００７】
【実施例】図１は半導体のウェーハのカセット１１の下
に配置されたフラット・アライメント装置１０を示す。
フラット・アライメント装置１０はサイド・レール２１
及び２２により接続されたエンド１６及び１７を有する
フレームを備えている。カセット１１はフラット・アラ
イメント装置１０上に配置され、かつ真空ローラ１３上
に複数枚のウェーハ１２を配置している。アライメント
中では、ノブ１５はローラ１３を回転させ、更にこのロ
ーラ１３はウェーハ１２を回転させる。ローラ１３はそ
の表面に複数の開口１４を有するのが示されており、こ
れらの開口１４はローラ１３の壁を介してローラ１３の
中央開口へ達している。ローラ１３では開口１４を介し
て真空吸引される。
に配置されたフラット・アライメント装置１０を示す。
フラット・アライメント装置１０はサイド・レール２１
及び２２により接続されたエンド１６及び１７を有する
フレームを備えている。カセット１１はフラット・アラ
イメント装置１０上に配置され、かつ真空ローラ１３上
に複数枚のウェーハ１２を配置している。アライメント
中では、ノブ１５はローラ１３を回転させ、更にこのロ
ーラ１３はウェーハ１２を回転させる。ローラ１３はそ
の表面に複数の開口１４を有するのが示されており、こ
れらの開口１４はローラ１３の壁を介してローラ１３の
中央開口へ達している。ローラ１３では開口１４を介し
て真空吸引される。
【０００８】サイド・レール２１上のセンサ・スイッチ
２６は、ウェーハ１２のカセット１１がフラット・アラ
イメント装置１０のフレーム上に搭載されているとき
に、真空を作用させる、即ち開始させるためのものであ
る。
２６は、ウェーハ１２のカセット１１がフラット・アラ
イメント装置１０のフレーム上に搭載されているとき
に、真空を作用させる、即ち開始させるためのものであ
る。
【０００９】図２はフラット・アライメント装置１０の
側面図であり、ローラ１３上のウェーハ１２の位置を示
す。ウェーハ１２のカセット１１は示されていない。ロ
ーラ１３は中空のシャフト１８上に搭載されており、シ
ャフト１８はエンド・プレート１６及び１７を貫通して
ローラ１３を搭載させており、かつシャフト１８上でロ
ーラ１３を自由に回転可能にさせている。シャフト１８
には回転するシール・ジョイント１９が取り付けられ、
シャフト１８を真空線２０に取り付けている。ローラ１
３が回転すると、ウェーハ１２も回転してウェーハのフ
ラット・エッジの位置を合わせる。真空線２０及びシャ
フト１８を介して真空吸引し、ローラ１３の開口１４へ
空気を引き込ませる。ウェーハ１２が回転するに従っ
て、シリコン粒子及び他の汚染物質をウェーハ１２から
落下させ、ローラ１３に引き込ませて、ウェーハ１２の
近傍から粒子の汚染物質を除去させる。真空吸引はウェ
ーハ１２から汚染粒子を引き込む即ち「吸い込む」こと
にも役立つ。
側面図であり、ローラ１３上のウェーハ１２の位置を示
す。ウェーハ１２のカセット１１は示されていない。ロ
ーラ１３は中空のシャフト１８上に搭載されており、シ
ャフト１８はエンド・プレート１６及び１７を貫通して
ローラ１３を搭載させており、かつシャフト１８上でロ
ーラ１３を自由に回転可能にさせている。シャフト１８
には回転するシール・ジョイント１９が取り付けられ、
シャフト１８を真空線２０に取り付けている。ローラ１
３が回転すると、ウェーハ１２も回転してウェーハのフ
ラット・エッジの位置を合わせる。真空線２０及びシャ
フト１８を介して真空吸引し、ローラ１３の開口１４へ
空気を引き込ませる。ウェーハ１２が回転するに従っ
て、シリコン粒子及び他の汚染物質をウェーハ１２から
落下させ、ローラ１３に引き込ませて、ウェーハ１２の
近傍から粒子の汚染物質を除去させる。真空吸引はウェ
ーハ１２から汚染粒子を引き込む即ち「吸い込む」こと
にも役立つ。
【００１０】図３は部分的な断面図であり、カセット１
１の壁１１ａと壁１１ｂとの間に保持されたウェーハ１
２を示す。カセット１１はフラット・アライメント装置
１０のサイド・レール２１及び２２に配置される。ロー
ラ１３はウェーハ１２と回転接触している。矢印２６、
２７及び２８は、開口１４を介してローラ１３へ流れる
空気流を示す。ウェーハ１２からの汚染粒子は開口１４
を介してローラ１３に引き込まれて、ウェーハ１２周辺
の領域から汚染粒子を除去する。アライメント・プラッ
トフォーム２５は垂直方向に上下移動してウェーハのフ
ラット・エッジの位置合わせをする。
１の壁１１ａと壁１１ｂとの間に保持されたウェーハ１
２を示す。カセット１１はフラット・アライメント装置
１０のサイド・レール２１及び２２に配置される。ロー
ラ１３はウェーハ１２と回転接触している。矢印２６、
２７及び２８は、開口１４を介してローラ１３へ流れる
空気流を示す。ウェーハ１２からの汚染粒子は開口１４
を介してローラ１３に引き込まれて、ウェーハ１２周辺
の領域から汚染粒子を除去する。アライメント・プラッ
トフォーム２５は垂直方向に上下移動してウェーハのフ
ラット・エッジの位置合わせをする。
【００１１】動作において、半導体のウェーハ１２をカ
セット１１に装填する。カセット１１をフラット・アラ
イメント装置１０上に配置し、ウェーハ１２のフラット
・エッジがローラ１３上に位置するまでローラ１３を回
転させて、回転を停止させる。アライメント・プラット
フォーム２５を上方に移動させて各フラット・エッジを
共通位置に合わせる。
セット１１に装填する。カセット１１をフラット・アラ
イメント装置１０上に配置し、ウェーハ１２のフラット
・エッジがローラ１３上に位置するまでローラ１３を回
転させて、回転を停止させる。アライメント・プラット
フォーム２５を上方に移動させて各フラット・エッジを
共通位置に合わせる。
【００１２】ウェーハ１２の回転中は、中空のローラ１
３の内部空洞に接続されているシャフト１８が真空吸引
される。空気はローラ１３に引き込まれ、汚染粒子をロ
ーラ１３に吸引させ、ウェーハ１２の近傍から汚染粒子
を除去する。
３の内部空洞に接続されているシャフト１８が真空吸引
される。空気はローラ１３に引き込まれ、汚染粒子をロ
ーラ１３に吸引させ、ウェーハ１２の近傍から汚染粒子
を除去する。
【００１３】ローラ１３はウェーハ１２間の位置でロー
ラ１３の円周における開口１４の列を配置させた特定の
孔パターンにより示された。しかし、この孔パターン
は、ウェーハ１２の各面における空気がローラ１３へ引
き込まれている限り、重要なものではない。
ラ１３の円周における開口１４の列を配置させた特定の
孔パターンにより示された。しかし、この孔パターン
は、ウェーハ１２の各面における空気がローラ１３へ引
き込まれている限り、重要なものではない。
【００１４】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。
る。
【００１５】（１）半導体のウェーハ上のフラット・エ
ッジに位置合わせをするアライメント装置の半導体ウェ
ーハ粒子除去装置において、ウェーハ・カセットを受け
止めるフレームと、前記フレームに搭載され、かつ前記
ウェーハ・カセット内の前記半導体のウェーハと回転接
触して配置される中空シリンダ状のローラと、前記ロー
ラの外面から前記ローラの内部へ伸延する前記ローラに
おける複数の開口と、前記ローラに取り付けられ、前記
複数の開口を介して前記ローラの内部を真空吸引させる
真空線とを備えていることを特徴とする半導体ウェーハ
粒子除去装置。
ッジに位置合わせをするアライメント装置の半導体ウェ
ーハ粒子除去装置において、ウェーハ・カセットを受け
止めるフレームと、前記フレームに搭載され、かつ前記
ウェーハ・カセット内の前記半導体のウェーハと回転接
触して配置される中空シリンダ状のローラと、前記ロー
ラの外面から前記ローラの内部へ伸延する前記ローラに
おける複数の開口と、前記ローラに取り付けられ、前記
複数の開口を介して前記ローラの内部を真空吸引させる
真空線とを備えていることを特徴とする半導体ウェーハ
粒子除去装置。
【００１６】（２）前記ローラの内部を前記真空線に接
続する回転シール・ジョイントを含むことを特徴とする
第１項記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
続する回転シール・ジョイントを含むことを特徴とする
第１項記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
【００１７】（３）前記ローラは前記フレームに回転可
能に搭載された中空のシャフト上に搭載されることを特
徴とする第１項記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
能に搭載された中空のシャフト上に搭載されることを特
徴とする第１項記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
【００１８】（４）前記複数の開口は半導体のウェーハ
に隣接し、前記ローラ上に該ローラと接触して配置され
ることを特徴とする第４項記載の半導体ウェーハ粒子除
去装置。
に隣接し、前記ローラ上に該ローラと接触して配置され
ることを特徴とする第４項記載の半導体ウェーハ粒子除
去装置。
【００１９】（５）前記ローラに真空を与えるために前
記アライメント装置上にカセットが配置されていること
を検知する圧力スイッチを含むことを特徴とする第１項
記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
記アライメント装置上にカセットが配置されていること
を検知する圧力スイッチを含むことを特徴とする第１項
記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
【００２０】（６）半導体のエッジ上の平坦なエッジに
位置合わせをするアライメント装置の半導体ウェーハ粒
子除去装置において、ウェーハ・カセットを受け止める
ためのフレームと、前記フレーム内の中空のシャフト上
に回転可能に搭載され、かつ前記カセットに前記半導体
のウェーハと回転接触して配置される中空シリンダ状の
ローラと、前記ローラの外面から前記ローラの内部へ伸
延する前記ローラ上の複数の開口と、前記ローラに取り
付けられ、前記複数の開口を介して前記ローラの内部を
真空吸引する真空線とを備えたことを特徴とする半導体
ウェーハ粒子除去装置。
位置合わせをするアライメント装置の半導体ウェーハ粒
子除去装置において、ウェーハ・カセットを受け止める
ためのフレームと、前記フレーム内の中空のシャフト上
に回転可能に搭載され、かつ前記カセットに前記半導体
のウェーハと回転接触して配置される中空シリンダ状の
ローラと、前記ローラの外面から前記ローラの内部へ伸
延する前記ローラ上の複数の開口と、前記ローラに取り
付けられ、前記複数の開口を介して前記ローラの内部を
真空吸引する真空線とを備えたことを特徴とする半導体
ウェーハ粒子除去装置。
【００２１】（７）前記ローラの内部を前記真空線に接
続する回転シール・ジョイントを含むことを特徴とする
請求項６記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。 （８）複数の開口は半導体のウェーハに隣接する前記ロ
ーラ上に該ローラと回転接触して配置されることを特徴
とする第６項記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
続する回転シール・ジョイントを含むことを特徴とする
請求項６記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。 （８）複数の開口は半導体のウェーハに隣接する前記ロ
ーラ上に該ローラと回転接触して配置されることを特徴
とする第６項記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
【００２２】（９）前記ローラに真空を与えるために前
記アライメント装置上にカセットが配置されていること
を検知する圧力スイッチを含むことを特徴とする第６項
記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
記アライメント装置上にカセットが配置されていること
を検知する圧力スイッチを含むことを特徴とする第６項
記載の半導体ウェーハ粒子除去装置。
【００２３】（１０）半導体のウェーハ上のフラット・
エッジの位置を合わせるアライメント装置がアライメン
ト中に前記ウェーハ１２を回転させるために用いるロー
ラ１３を有する。前記ローラ１３は、中空であり、前記
半導体のウェーハから及びその周辺から粒子の汚染物質
を除去するように真空吸引されるローラの表面に複数の
開口１４を有する。
エッジの位置を合わせるアライメント装置がアライメン
ト中に前記ウェーハ１２を回転させるために用いるロー
ラ１３を有する。前記ローラ１３は、中空であり、前記
半導体のウェーハから及びその周辺から粒子の汚染物質
を除去するように真空吸引されるローラの表面に複数の
開口１４を有する。
【図１】真空吸引されるローラを有する典型的なウェー
ハ・アライメント装置を示す斜視図。
ハ・アライメント装置を示す斜視図。
【図２】真空吸引されるローラ上のウェーハを示す部分
断面図。
断面図。
【図３】真空吸引されるローラへ流れる空気及び粒子の
流れを示す部分端面図。
流れを示す部分端面図。
１０ フラット・アライメント装置 １１ カセット １２ ウェーハ １３ ローラ １４ 開口 １６、１７ エンド・プレート １８ シャフト ２０ 真空線 ２１、２２ サイド・レール ２６ センサ・スイッチ ２５ アライメント・プラットフォーム
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体のウェーハ上のフラット・エッジ
に位置合わせをするアライメント装置の半導体ウェーハ
粒子除去装置において、 ウェーハ・カセットを受け止めるフレームと、 前記フレームに搭載され、かつ前記ウェーハ・カセット
内の前記半導体のウェーハと回転接触して配置される中
空シリンダ状のローラと、 前記ローラの外面から前記ローラの内部へ伸延する前記
ローラにおける複数の開口と、 前記ローラに取り付けられ、前記複数の開口を介して前
記ローラの内部を真空吸引させる真空線とを備えている
ことを特徴とする半導体ウェーハ粒子除去装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US144944 | 1993-10-29 | ||
| US08/144,944 US5475892A (en) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Semiconductor wafer particle extractor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254582A true JPH07254582A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=22510861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26773894A Pending JPH07254582A (ja) | 1993-10-29 | 1994-10-31 | 半導体ウェーハ粒子除去装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5475892A (ja) |
| EP (1) | EP0651438A1 (ja) |
| JP (1) | JPH07254582A (ja) |
| KR (1) | KR950012575A (ja) |
| TW (1) | TW280935B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3244220B2 (ja) * | 1996-08-06 | 2002-01-07 | 信越半導体株式会社 | 平板状物の乾燥方法および乾燥装置 |
| DE19644779C2 (de) * | 1996-10-28 | 2001-06-28 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere auch von Halbleiterwafern |
| US5883374A (en) * | 1997-03-27 | 1999-03-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Scanning system for identifying wafers in semiconductor process tool chambers |
| US6918864B1 (en) * | 1999-06-01 | 2005-07-19 | Applied Materials, Inc. | Roller that avoids substrate slippage |
| US20060000494A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Lam Research Corporation | Self-draining edge wheel system and method |
Family Cites Families (11)
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|---|---|---|---|---|
| US3004276A (en) * | 1958-11-03 | 1961-10-17 | Carl C Hoffman | Apparatus for quickly cleaning folded filter element of dry type air filters |
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| NL130001C (ja) * | 1963-07-24 | |||
| US3479222A (en) * | 1966-06-22 | 1969-11-18 | Disc Pack Corp | Apparatus for and method of cleaning memory discs |
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1995
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Also Published As
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