JPH07249373A - 陰極線管の陰極構体の製造方法とそれに用いる装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 カソード基体の表面のうち、特に電子放出部
での電子放射物質の染み出しおよび汚染を効果的に抑制
し、カソード基体以外からの電子放射を防止すると共
に、カソード電極間のリークを防止し、電子放射特性に
優れた陰極構体を、短時間で作業性良く量産的に製造す
ることができる陰極線管の陰極構体の製造方法とそれに
用いる装置を提供すること。 【構成】 第２電極７４に、第１ホール７６と、この第
１ホール７６の下方に略同心状に位置し、第１ホール７
６の内径よりも小さい第２ホール７８とを形成する。カ
ソード基体４６が装着されたカップ体６６を、カソード
基体４６の表面が下を向くように第１ホール７６内に収
容し、カップ体６６に対して、第１電極７２を押圧し、
第１電極と第２電極との間で電流を流すことにより、カ
ップ体とカソード基体との抵抗溶接を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管の陰極構体の
製造方法とそれに用いる装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来では、陰極線管の陰極構体を製作す
るために、図７に示すように、カソード基体２をカップ
体４内に収容した状態で、スリーブ６の外側に位置する
一対の第１電極８，８と、スリーブ６の内側に位置する
第２電極１０との間で、溶接電流Ｉを流し、カップ体４
およびスリーブ６の上端をカシメながら抵抗溶接してい
る。第１電極８，８は、スリーブ６の上端外周を、たと
えば全周にわたり約３６点でカシメながら、抵抗溶接を
行う。

【０００３】カソード基体２には、電子放射物質が含浸
してある。この抵抗溶接後には、スリーブ６は、セラミ
ック製ディスクに取り付けられ、スリーブ６内にヒータ
が装着されて陰極構体が作成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来例に係る陰極構体の製造方法では、スリーブ６の全
周を約３６点でカシメながら抵抗溶接を行うため、作業
時間がかかりすぎて、量産性に向かないと言う課題を有
していた。特に、カラー陰極線管では、三原色（Ｒ，
Ｇ，Ｂ）に対応して三本のカソード基体付スリーブ６を
必要とするので、一本毎のカソード基体付スリーブ６の
製造時間の短縮が求められている。

【０００５】また、第１電極８，８によりカップ体４お
よびスリーブ６の上端をカシメながら抵抗溶接するの
で、溶接が不十分になり易い。カシメおよび溶接が不十
分であると、カップ体４とカソード基体２との間、また
はカップ体４とカソード基体２との間に隙間が生じ易
い。また、電子放射物質の分解・治性時あるいは陰極線
管の動作時などの熱により溶接部が外れることがある。

【０００６】溶接部に隙間が生じると、陰極線管の使用
時に、スリーブ６内に装着されたヒータからの熱がスリ
ーブ６を通してカソード基体２へ良好に伝わらず、カソ
ード基体２が効率的に加熱されず、電子放射の安定性の
点で課題を有している。そこで、図８（Ａ）に示すよう
に、カソード基体２の表面に、ろう材または金属膜１２
（たとえばイリジウム、ルテニウム、モリブデン、また
はこれらの合金など）を付け、その上からカップ体４を
被せ、第１電極１３および第２電極１４で抵抗溶接する
方法が提案されている。第１電極１３は、カップ体４の
底部に押圧され、第２電極１４は、カソード基体２の表
面に面接触している。この方法によれば、抵抗溶接時
に、ろう材または金属膜１２が溶融し、カソード基体２
とカップ４との接続が良好に行われる。第１電極１３に
よるカップ体４への押圧は、二点あるいは三点で済み、
十分な溶接強度を得ることができる。

【０００７】その後は、図８（Ｂ）に示すように、カソ
ード基体２が溶接されたカップ体４を、スリーブ６の上
端部に嵌合し、スリーブの上端の全周または数点を、レ
ーザ溶接あるいは抵抗溶接する。このような製造方法に
よれば、図７（Ａ），（Ｂ）に示す従来例に比較し、作
業時間を大幅に低減しつつ、溶接強度を向上させること
ができる。

【０００８】ところが、図８（Ａ），（Ｂ）に示す従来
例では、第２電極１４の表面にカソード基体２の全表面
が接触する構成であり、第２電極１４の表面の清浄性お
よび平滑性が要求される。第２電極１４の表面は、十分
に洗浄してあり、平滑化してあるが、ミクロ的に観察す
れば、多少の凹凸や汚れが存在する。また、カソード基
体２の表面も、十分に平滑化することは困難であり、カ
ソード基体２と第２電極１４とを、完全な面接触状態に
することは困難である。

【０００９】その状態で抵抗溶接を行うと、部分的に溶
接電流が多く流れ、カソード基体２に含まれる電子放射
物質の染み出しや、他物質による汚染が問題となってい
る。カソード基体２の表面に電子放射物質が染み出す
と、陰極線管の動作時に、カソード基体２に含まれる電
子放射物質が熱で蒸発し、グリッド孔に付着し、本来電
子放出が成されるべきでないグリッド孔からの電子放出
が生じるおそれがある。本来電子放出が成されるべきで
ない部分から電子放出が成されると、面ストレー現象
（陰極線管のパネルに一点のみ光らした場合に、その周
囲もぼやけて光る現象）が生じ、好ましくない。

【００１０】また、カソード２の表面から染み出した電
子放射物質が、スリーブ６などに付着すると、陰極線管
の動作時に、リークなどが問題になる。さらに、図８に
示す従来の方法では、第２電極１４の表面から、カーボ
ンあるいは第２電極１４を構成する材質が、カソード基
体２の表面に付着するおそれがあり、その汚染が問題に
なる。特にカーボンがカソード基体の表面に付着する
と、カソードとしての特性が劣化する。

【００１１】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、カソード基体の表面のうち、特に電子放出部での電
子放射物質の染み出しおよび汚染を効果的に抑制し、カ
ソード基体以外からの電子放射を防止すると共に、カソ
ード電極間のリークを防止し、電子放射特性に優れた陰
極構体を、短時間で作業性良く量産的に製造することが
できる陰極線管の陰極構体の製造方法とそれに用いる装
置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る陰極線管の陰極構体の製造方法は、カ
ソード基体の少なくとも表面側に電子放射物質を含浸ま
たは塗布する工程と、カソード基体の裏面側を覆うよう
に、カップ体を装着し、カップ体とカソード基体とを、
第１電極と第２電極との間で抵抗溶接する工程とを含む
陰極線管の陰極構体の製造方法であって、上記第２電極
に、第１ホールと、この第１ホールの下方に略同心状に
位置し、第１ホールの内径よりも小さい第２ホールとを
形成し、上記カソード基体が装着されたカップ体を、カ
ソード基体の表面が下を向くように上記第１ホール内に
収容し、カップ体に対して、上記第１電極を押圧し、第
１電極と第２電極との間で電流を流すことにより、カッ
プ体とカソード基体との抵抗溶接を行うことを特徴とす
る。

【００１３】本発明に係る陰極線管の陰極構体の製造装
置は、少なくとも表面側に電子放射物質が含浸または塗
布されたカソード基体の裏面側を覆うように、カップ体
を装着し、カップ体とカソード基体とを、第１電極と第
２電極との間で抵抗溶接する陰極線管の陰極構体の製造
装置であって、上記第２電極には、上記カソード基体が
装着されたカップ体が、カソード基体の表面が下を向く
ように入り込む第１ホールと、この第１ホールの下方に
略同心状に位置し、第１ホールの内径よりも小さい第２
ホールとが形成してある。

【００１４】上記第２電極に形成された第２ホールの内
径は、カソード基体の表面のワーキングエリアの外径よ
りも大きく設定してあることが好ましい。上記第２電極
に形成された第２ホールの内径は、上記カソード基体の
外径よりも０．２mm以上小さく設定してあることが好ま
しい。

【００１５】上記第２電極は、上記第１ホールが形成さ
れた絶縁性板材と、上記第２ホールが形成された導電性
板材とが張り合わされて構成してあることが好ましい。

【００１６】

【作用】本発明に係る製造装置を用いて陰極構体を製造
すれば、カソード基体表面のうち、電子放射部に相当す
るワーキングエリアは、第２電極に形成された第２ホー
ルの領域内に位置するので、第２電極に接触することは
ない。したがって、その部分に抵抗溶接のための電流が
流れることはなくなり、ワーキングエリアで電子放射物
質が染み出すことはなくなる。また、ワーキングエリア
が、第２電極からの汚染物質により汚染されることもな
い。

【００１７】抵抗溶接のための電流は、第１電極、カッ
プ体、カソード基体、カソード基体の表面におけるワー
キングエリアの周囲を通して、第２電極へ流れ、カップ
体とカソード基体とは、良好に抵抗溶接され、その溶接
強度も十分である。カソード基体のワーキングエリアに
おいて電子放射物質の染み出しがなくなることから、電
子放射物質の蒸発によるカソード基体以外部分への電子
放射物質の付着がなくなり、カソード基体以外部分から
の電子放射はかなり少なくなる。また、同様な理由から
カソード電極間リークも少なくなる。特に、第１グリッ
ドの電子ビーム通過孔（グリッド孔）へ電子放射物質が
付着すると、グリッドの電界が変化することからカット
オフ電圧が変化し、ホワイトバランスが崩れるという課
題を有するが、本発明ではそれがなくなる。

【００１８】また、カソード基体の表面におけるワーキ
ングエリアの汚染がなくなることから、汚染による電子
放射特性の劣化もなくなる。電子放射物質の染み出しお
よび他物質における汚染は、カソード基体表面のワーキ
ングエリア以外部分でもかなり少なくなる。

【００１９】本発明に係る方法の抵抗溶接は、カップ体
の底の数点溶接で、十分な接合強度を得ることができる
ので、大幅な作業時間の短縮が可能であり、量産性に優
れている。

【００２０】

【実施例】以下、本発明に係る陰極線管の陰極構体の製
造方法とそれに用いる装置を、図面に示す実施例に基づ
き、詳細に説明する。まず、陰極線管（ＣＲＴ）および
それに用いる陰極構体の全体構成について説明する。

【００２１】図５に示すように、ＣＲＴ２０は、パネル
ガラス２２と、ファンネルガラス２４とを有し、これら
がフリットガラス２６で融着され、内部が高真空に維持
されている。ファンネルガラス２４のネック部２８に、
電子銃３０が内蔵してある。パネルガラス２２の内面に
は、蛍光面３２が形成してあり、その背面にアパーチャ
グリル３４が装着してある。また、ネック部２８の外周
には、偏向ヨーク３６が装着してあり、電子銃３０から
放出・制御・加速・集束された３本の電子ビームは、偏
向ヨーク３６によって偏向されることにより、蛍光面３
２の全面を走査するようになっている。

【００２２】電子銃３０は、たとえば図６に示す陰極構
体（カソード）４０と、グリッド群（図４には、第１グ
リッド４２のみ図示）とで構成される。本実施例の陰極
構体４０は、三本のカソード基体付スリーブ４４Ｒ，４
４Ｇ，４４Ｂを有する。各スリーブ４４Ｒ，４４Ｇ，４
４Ｂには、その先端部に、加熱されることにより熱電子
を発生する電子放射物質を有するカソード基体（ＢＭ）
４６が装着してある。各カソード基体付スリーブ４４
Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂは、スリーブ本体４５の先端に、後
述する方法でカソード基体４６が溶接固定されることに
より製造される。

【００２３】各カソード基体付スリーブ４４Ｒ，４４
Ｇ，４４Ｂは、絶縁性ディスク４８に形成された三つの
開口部５０内をそれぞれ挿通するように配置される。絶
縁性ディスク４８は、たとえばセラミック製ディスクで
構成される。セラミックとしては、たとえばフォルステ
ライト、ステアタイト、アルミナなどを用いることがで
きる。

【００２４】各スリーブ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの後端
側外周には、金属細線をＶ字形状に曲折してある一対の
Ｖタブ５２，５４の一端がそれぞれ溶接してある。Ｖタ
ブ５２，５４の他端は、それぞれ絶縁性ディスク４８の
背面に固定してある三対の金属ピン５６，５８に対して
溶接などで接続してある。金属ピン５６，５８は、絶縁
性ディスク４８に対してガラスなどにより融着固定して
ある。三対の金属ピン５６，５８から、それぞれ赤
（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の信号が入力される。

【００２５】絶縁性ディスク４８の背面には、金属ピン
５６，５８以外に、一対のヒータレスト６０，６０を固
定するための４本のヒータレスト固定用金属ピン６２
が、上記金属ピン５６，５８と同様な手段で融着固定し
てある。これら金属ピン６２に対して、ヒータレスト６
０，６０が溶接されることにより、ヒータレスト６０，
６０は、絶縁性ディスク４８に対して固定される。ヒー
タレスト６０，６０には、各スリーブ４４Ｒ，４４Ｇ，
４４Ｂの内部に装着されたヒータ６４（図４参照）の電
源端子がそれぞれ接続される。すなわち、このヒータレ
スト６０，６０に対して、所定の電圧を印加すること
で、各スリーブ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの内部に装着さ
れたヒータ６４が加熱される。

【００２６】次に、カソード基体付スリーブについて説
明する。カラー陰極線管の場合には、一本の電子銃につ
いて、カソード基体付スリーブは、Ｒ，Ｇ，Ｂ用に三本
準備される。各カソード基体付スリーブは、同一構成な
ので、以下の説明では、一本のカソード基体付スリーブ
４４について説明する。

【００２７】図４に示すように、カソード基体付スリー
ブ４４は、スリーブ本体４５と、その先端部にカップ体
６６を介して溶接されたカソード基体４６とを有する。
カソード基体４６は、たとえばタングステン（Ｗ）など
の高融点金属で構成される多孔質焼結体で構成され、そ
の多孔質焼結体に、Ｂａ，Ｃａ，Ａｌなどで構成される
電子放射物質が溶融含浸してある。

【００２８】スリーブ本体４５は、たとえば直径１〜２
mm、厚さ１０〜３０μｍ、長さ６〜７mmのＮｉあるいは
Ｎｉ−Ｃｒなどの高融点金属製筒体などで構成される。
カップ体６６は、たとえばＷ，Ｎｉなどの高融点金属で
構成される。カソード基体４６の底面（カップ体６６で
覆われる側）には、カソード基体４６とカップ体６６と
の溶接接合を強固にするためのロウ材または金属膜６８
が成膜してある。金属膜６８としては、イリジウム（Ｉ
ｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ある
いはこれらの合金などの薄膜を用いることができる。こ
れらの薄膜の膜厚は、特に限定されないが、たとえば１
００〜１０００ｎｍ程度である。

【００２９】また、カソード基体４６の表面には、仕事
関数を下げて、より低温での電子放射を実現するための
仕事関数低下膜７０が成膜してあることが好ましい。仕
事関数低下膜７０としては、Ｉｒなどの白金系金属を用
いることが好ましい。スリーブ本体４５の内部には、前
述したように、ヒータ６４が内蔵される。ヒータ６４
は、たとえば純タングステン線、あるいはタングステン
に２〜３％のレニウム（Ｒｅ）をドープしたタングステ
ン合金線などの電熱線で構成される。

【００３０】このカソード基体付スリーブ４４の前面側
には、図５に示す電子銃３０の一部を構成するグリッド
群が配置される。図４では、第１グリッド４２の一部の
み図示してある。次に、本発明の実施例に係る陰極線管
の陰極構体の製造方法の要部であるカソード基体４６と
カップ体６６との溶接接合方法およびそれに用いる装置
について説明する。

【００３１】本実施例の方法では、まず、図１に示す多
孔質焼結体で構成されるカソード基体４６に、Ｂａ，Ｃ
ａ，Ａｌなどで構成される電子放射物質を溶融含浸させ
る。溶融含浸させるための条件としては、特に限定され
ないが、たとえば１８００℃の温度で電子放射物質を溶
融させ、それにカソード基体４６を約３分程度浸漬させ
る。

【００３２】次に、このカソード基体４６の裏面に、ロ
ウ材あるいは金属膜６８を成膜する。このロウ材または
金属膜６８は、前述したように、カソード基体４６とカ
ップ体６６との溶接接合を強固にするために形成され、
その膜厚は、特に限定されないが、１０００〜１０００
０オングストロームである。

【００３３】次に、カソード基体４６の裏面側を覆うよ
うに、カップ体６６を装着し、それを、図１に示す第２
電極７４に形成された第１ホール７６内に、カソード基
体４６の表面が下を向くように嵌合させる。第２電極７
４には、第１ホール７６の下方に略同心状に位置し、第
１ホール７６の内径よりも小さい第２ホール７８が形成
してある。

【００３４】図２に示すように、第２電極７４には、量
産性の観点から、適当なピッチで、多数の第１ホール７
６およびそれと略同心の第２ホール７８が形成してある
ことが好ましい。第１ホール７６の中心間距離である適
当なピッチとしては、図１に示す第１電極７２の作業性
などの観点から決定され、特に限定されないが、たとえ
ば５mm程度である。

【００３５】図３に示すように、第２電極７４には、第
１ホール７６と第２ホール７８とが形成され、それらの
段部８０の平坦性が要求される。図１に示すように、段
部８０の表面に、カソード基体４６の表面が接触するか
らである。そこで、第２電極７４は、図３に示すよう
に、第１ホール７６が形成された第１板材８２と、第２
ホール７８が形成された第２板材８４とが張り合わされ
て形成されることが好ましい。段部８０の平坦性加工が
容易になるからである。なお、第１ホール７６と第２ホ
ール７８との同心度は、必ずしも厳密である必要はな
く、少なくとも、段部８０の片側領域ｓが、少なくとも
０．１mm以上となるように同心度が決定される。

【００３６】また、図１に示す第１電極７２からカップ
体６６、ロウ材または金属膜６８、カソード基体４６お
よびカソード基体４６の表面外周部を通して、第２電極
７４へ、矢印Ｉａのように抵抗溶接電流が都合良く流れ
るように、図３に示す第１板材８２は、絶縁性板材（た
とえばセラミック材）であることが好ましい。当然のこ
とながら、第２板材８４は、高融点金属などで構成され
る導電性板材で構成される。図３に示す第１板材８２が
絶縁性を有することが好ましいのは、抵抗溶接時の放電
によるカップ体６６の破損などを低減するためである。

【００３７】図３に示す第１ホール７６の内径Ｄａは、
図１に示すカップ体６６の外径よりも、好ましくは０．
０３〜０．１mm、さらに好ましくは０．０５〜０．０８
mm程度大きいことが好ましい。また、第１ホール７６の
深さｔａは、図１に示すカソード基体付カップ体６６の
軸方向長さと略同等、あるいはカップ体６６の底面が第
１ホール７６から突き出る程度の深さ、あるいは引っ込
む程度の深さに設定される。好ましくは、第１ホール７
６の深さｔａは、図１に示すカップ体６６の底面が第１
ホール７６から約０．１mm程度突き出る程度の深さに設
定される。溶接後のカップ体６６の取り出しの容易性の
ためである。具体的には、第１ホール７６の深さｔａ
は、約０．７mm程度に設定させる。第２電極７４の総厚
さＴは、特に限定されないが、第１ホール７６の深さｔ
ａの約二倍以上程度に設定される。具体的には、約１．
５mm程度である。

【００３８】第２ホール７８の内径Ｄｂは、図４に示す
カソード基体４６の表面の中央部に位置するワーキング
エリア（電子放射部）８６よりも大きく設定される。ワ
ーキングエリア８６は、第１グリッド４２のグリッド孔
（電子ビーム通過孔）８８の内径領域に、ドライブ率を
乗算した値で定義され、グリッド孔８８の内径が０．３
〜０．７mmであれば、エリア８６は、直径０．１〜０．
７mmの領域である。

【００３９】また、図３に示すように、段部８０の領域
は、片側領域ｓで約０．１mm以上必要とすることから、
第２ホール７８の内径Ｄｂは、ＣＲＴの種類にもよる
が、一般には、０．７〜０．９mm程度が好ましい。この
場合、カソード基体４６の外径は、約１．１５mmであ
る。

【００４０】図１に示すように、カソード基体４６が装
着されたカップ体６６を、カソード基体４６の表面が下
を向くように、第２電極７４の第１ホール７６内に嵌合
した後には、第１電極７２を、カップ体６６の底面に接
触させ、その部分を約１〜２Ｋｇ／ｃｍ ²で押圧し、第
１電極７２と第２電極７４との間で矢印Ｉａに示すよう
に抵抗溶接用電流を流す。抵抗溶接時のワット数は、特
に限定されないが、たとえば１０〜２０ワットである。
抵抗溶接時には、カップ体６６の酸化を防止するため
に、Ａｒなどの不活性ガスをカップ体６６に対して吹き
付けることが好ましい。

【００４１】第１電極７２によるカップ体６６の底面に
対する接触は、２〜３の数点で良い。第２電極７４に
は、図２に示すように、多数の第１ホール７６が形成し
てあるので、これら第１ホール７６内に同時に多数のカ
ソード基体付カップ体６６を収容し、逐次抵抗溶接する
ことにより量産性を上げることができる。また、第１電
極７２を第１ホール７６の数およびピッチに対応して設
け、多数のカソード基体付カップ体６６を同時に抵抗溶
接することもできる。

【００４２】本実施例に係る第１電極７２および第２電
極７４を用いて抵抗溶接を行えば、カソード基体４６表
面のうち、電子放射部に相当するワーキングエリア８６
は、第２電極７４に形成された第２ホール７８の領域内
に位置するので、第２電極７４に接触することはない。
したがって、その部分に抵抗溶接のための電流が流れる
ことはなくなり、ワーキングエリア８６で電子放射物質
が染み出すことはなくなる。また、ワーキングエリア８
６が、第２電極７４からの汚染物質により汚染されるこ
ともない。

【００４３】抵抗溶接のための電流は、矢印Ｉａで示す
ように、第１電極７２、カップ体６６、ロウ材または金
属膜６８、カソード基体４６、カソード基体４６の表面
におけるワーキングエリア８６の周囲を通して、第２電
極７４へ流れ、カップ体６６とカソード基体４６とは、
良好に抵抗溶接され、その溶接強度も十分である。

【００４４】その後、図４に示すように、カソード基体
付カップ体４６を、スリーブ本体４５の上端部に嵌合
（必要に応じてカシメる）し、スリーブ本体４５の上端
周囲から抵抗溶接あるいはレーザ溶接する。その前後
に、カソード基体４６の表面には、図４に示す仕事関数
低下膜７０を成膜する。

【００４５】その後、図４に示すように、スリーブ本体
４５の内部に、ヒータ６４を配置し、このカソード基体
付スリーブ４４を、図６（図６では、カソード基体付ス
リーブ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）に示すように、絶縁性
ディスク４８に取り付け、ヒータレスト６０、金属ピン
５６，５８などを取り付けて、陰極構体４０を製作す
る。

【００４６】本実施例では、図４に示すカソード基体４
６のワーキングエリア８６において電子放射物質の染み
出しがなくなることから、電子放射物質の蒸発によるカ
ソード基体４６以外部分への電子放射物質の付着がなく
なり、カソード基体４６以外部分からの電子放射はかな
り少なくなる。また、同様な理由からカソード電極間リ
ークも少なくなる。特に、第１グリッド４２の電子ビー
ム通過孔（グリッド孔８８）へ電子放射物質が付着する
と、グリッドの電界が変化することからカットオフ電圧
が変化し、ホワイトバランスが崩れるという課題を有す
るが、本実施例ではそれがなくなる。

【００４７】また、カソード基体４６の表面におけるワ
ーキングエリア８６の汚染がなくなることから、汚染に
よる電子放射特性の劣化もなくなる。電子放射物質の染
み出しおよび他物質における汚染は、カソード基体４６
表面のワーキングエリア以外部分でもかなり少なくな
る。

【００４８】本実施例に係る方法の抵抗溶接は、カップ
体６６の底の数点溶接で、十分な接合強度を得ることが
できるので、大幅な作業時間の短縮が可能であり、量産
性に優れている。なお、本発明は、上述した実施例に限
定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変す
ることができる。

【００４９】たとえば、上記実施例では、カラーＣＲＴ
用陰極構体について説明したが、白黒ＣＲＴ用陰極構体
に対しても本発明を同様に適用することができる。その
場合には、単一のカソード基体付スリーブ４４を、絶縁
性ディスクに配置すれば良い。

【００５０】また、上記実施例の方法では、カソード基
体４６にカップ体６６を抵抗溶接した後、カップ体６６
をスリーブ本体４５に抵抗溶接あるいはレーザ溶接する
ように構成したが、本発明では、カップ体６６にスリー
ブ本体４５を溶接した後、カップ体６６に対してカソー
ド基体４６を上記方法で抵抗溶接しても良い。

【００５１】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、基体金属表面において、特にワーキングエリアで電
子放射物質が染み出すことはなくなる。また、ワーキン
グエリアが、第２電極からの汚染物質により汚染される
こともない。電子放射物質の染み出しおよび他物質にお
ける汚染は、カソード基体表面のワーキングエリア以外
部分でもかなり少なくなる。たとえば、カソード基体の
全面で観察すれば、電子放射物質の染み出しおよび他物
質における汚染は、従来では、５０％であったのに対
し、本発明では、約３％にすることができることが確認
された。また、カソード基体の表面におけるワーキング
エリアでは、電子放射物質の染み出しおよび他物質にお
ける汚染は、従来では３０％であったのに対し、本発明
では０％にすることができることが確認された。

【００５２】抵抗溶接のための電流は、第１電極、カッ
プ体、カソード基体、カソード基体の表面におけるワー
キングエリアの周囲を通して、第２電極へ流れ、カップ
体とカソード基体とは、良好に抵抗溶接され、その溶接
強度も十分である。カソード基体のワーキングエリアに
おいて電子放射物質の染み出しがなくなることから、電
子放射物質の蒸発によるカソード基体以外部分への電子
放射物質の付着がなくなり、カソード基体以外部分から
の電子放射はかなり少なくなる。また、同様な理由から
カソード電極間リークも少なくなる。特に、第１グリッ
ドの電子ビーム通過孔（グリッド孔）へ電子放射物質が
付着すると、グリッドの電界が変化することからカット
オフ電圧が変化し、ホワイトバランスが崩れるという課
題を有するが、本発明ではそれがなくなる。また、同様
な理由から、面ストレー現象も低減することができる。

【００５３】また、カソード基体の表面におけるワーキ
ングエリアの汚染がなくなることから、汚染による電子
放射特性の劣化もなくなる。本発明に係る方法の抵抗溶
接は、カップ体の底の数点溶接で、十分な接合強度を得
ることができるので、大幅な作業時間の短縮が可能であ
り、量産性に優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の一実施例に係る陰極構体製造の
ための抵抗溶接方法を示す概略断面図である。

【図２】図２は図１に示す実施例で用いる第２電極の平
面図である。

【図３】図３は図１，２に示す第２電極に形成された第
１ホールおよび第２ホールの要部断面図である。

【図４】図４は抵抗溶接後のカソード基体と第１グリッ
ドとの位置関係を示す概略断面図である。

【図５】図５は陰極線管の概略図である。

【図６】図６（Ａ）は陰極構体の概略半断面図、同図
（Ｂ）は同図（Ａ）に示すＢ−Ｂ線に沿う底面図であ
る。

【図７】図７（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ従来例に係るカ
ソード基体の抵抗溶接方法を示す平面図および側面側断
面図である。

【図８】図８（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ従来例に係るカ
ソード基体の抵抗溶接方法を示す第１工程図および第２
工程図である。

【符号の説明】

４０… 陰極構体 ４２… 第１グリッド ４４… カソード基体付スリーブ ４５… スリーブ本体 ６４… ヒータ ６６… カップ体 ６８… 金属膜 ７０… 仕事関数低下膜 ７２… 第１電極 ７４… 第２電極 ７６… 第１ホール ７８… 第２ホール ８０… 段部 ８２… 第１板材（絶縁性板材） ８４… 第２板材（導電性板材）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 カソード基体の少なくとも表面側に電子
   放射物質を含浸または塗布する工程と、 カソード基体の裏面側を覆うように、カップ体を装着
   し、カップ体とカソード基体とを、第１電極と第２電極
   との間で抵抗溶接する工程とを含む陰極線管の陰極構体
   の製造方法であって、 上記第２電極に、第１ホールと、この第１ホールの下方
   に略同心状に位置し、第１ホールの内径よりも小さい第
   ２ホールとを形成し、 上記カソード基体が装着されたカップ体を、カソード基
   体の表面が下を向くように上記第１ホール内に収容し、
   カップ体に対して、上記第１電極を押圧し、第１電極と
   第２電極との間で電流を流すことにより、カップ体とカ
   ソード基体との抵抗溶接を行う陰極線管の陰極構体の製
   造方法。
2. 【請求項２】 上記第２電極に形成された第２ホールの
   内径は、カソード基体の表面のワーキングエリアの外径
   よりも大きく設定してある請求項１に記載の陰極線管の
   陰極構体の製造方法。
3. 【請求項３】 上記第２電極に形成された第２ホールの
   内径は、上記カソード基体の外径よりも０．２mm以上小
   さく設定してある請求項１または２に記載の陰極線管の
   陰極構体の製造方法。
4. 【請求項４】 上記第２電極は、上記第１ホールが形成
   された絶縁性板材と、上記第２ホールが形成された導電
   性板材とが張り合わされて構成してある請求項１〜３の
   いずれかに記載の陰極線管の陰極構体の製造方法。
5. 【請求項５】 少なくとも表面側に電子放射物質が含浸
   または塗布されたカソード基体の裏面側を覆うように、
   カップ体を装着し、カップ体とカソード基体とを、第１
   電極と第２電極との間で抵抗溶接する陰極線管の陰極構
   体の製造装置であって、 上記第２電極には、上記カソード基体が装着されたカッ
   プ体がカソード基体の表面が下を向くように入り込む第
   １ホールと、この第１ホールの下方に略同心状に位置
   し、第１ホールの内径よりも小さい第２ホールとが形成
   してある陰極線管の陰極構体の製造装置。
6. 【請求項６】 上記第２電極に形成された第２ホールの
   内径は、カソード基体の表面のワーキングエリアの外径
   よりも大きく設定してある請求項５に記載の陰極線管の
   陰極構体の製造装置。
7. 【請求項７】 上記第２電極に形成された第２ホールの
   内径は、上記カソード基体の外径よりも０．２mm以上小
   さく設定してある請求項５または６に記載の陰極線管の
   陰極構体の製造装置。
8. 【請求項８】 上記第２電極は、上記第１ホールが形成
   された絶縁性板材と、上記第２ホールが形成された導電
   性板材とが張り合わされて構成してある請求項５〜７の
   いずれかに記載の陰極線管の陰極構体の製造装置。