JPH0724004B2 - Constant voltage circuit - Google Patents
Constant voltage circuitInfo
- Publication number
- JPH0724004B2 JPH0724004B2 JP60217262A JP21726285A JPH0724004B2 JP H0724004 B2 JPH0724004 B2 JP H0724004B2 JP 60217262 A JP60217262 A JP 60217262A JP 21726285 A JP21726285 A JP 21726285A JP H0724004 B2 JPH0724004 B2 JP H0724004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- constant voltage
- voltage circuit
- circuit
- light
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は集積回路上に作成される定電圧回路に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a constant voltage circuit formed on an integrated circuit.
（概要） 本発明は、集積回路上に作成される定電圧回路におい
て、光検出手段を付加することにより集積回路上に作成
された定電圧回路の出力を制御し集積回路に光があたつ
た場合、定電圧回路の出力電圧の絶対値が小さくならな
い様にしたものである。(Outline) According to the present invention, in a constant voltage circuit formed on an integrated circuit, the output of the constant voltage circuit formed on the integrated circuit is controlled by adding a photo-detecting means to illuminate the integrated circuit. In this case, the absolute value of the output voltage of the constant voltage circuit is prevented from decreasing.
（従来技術） 従来、集積回路上に構成される定電圧回路は第４図に示
す様に集積回路に光があたる様な使用方法をされた場合
の考慮が全くなされないのが通例であつた。(Prior Art) Conventionally, it is customary that a constant voltage circuit formed on an integrated circuit is not considered at all when it is used such that the integrated circuit is exposed to light as shown in FIG. .
（解決しようとする問題点） しかし従来の様に集積回路に光があたる様な使用方法の
考慮がなされない時に定電圧回路のバイアス電流を非常
に小さくした場合、集積回路上の定電圧回路に光があた
ると、トランジスタの光リーク電流又はトランジスタに
寄生するダイオードの光リーク電流のため回路の動作点
が移動し出力電圧の絶対値が低下し、定電圧回路の出力
を電源として駆動される回路が存在する場合にはこの回
路の動作が停止してしまうという問題点があつた。(Problems to be solved) However, when the bias current of the constant voltage circuit is made extremely small when the usage method such that the integrated circuit is exposed to light is not considered as in the conventional case, the constant voltage circuit on the integrated circuit is When exposed to light, the circuit operating point moves due to the photo leak current of the transistor or the photo leak current of the diode parasitic on the transistor, the absolute value of the output voltage decreases, and the circuit driven by the output of the constant voltage circuit is used. However, there is a problem that the operation of this circuit is stopped when there is.
本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的は
集積回路に光があたる様な使用方法下においても、定電
圧回路の出力電圧の絶対値を光があたらない状態の値と
同等かそれ以上にすることにより、定電圧回路の出力を
駆動電源とする回路の動作を、光があたつた場合でも保
証しようとするものである。The present invention solves such a problem, and its purpose is to make the absolute value of the output voltage of the constant voltage circuit equal to the value in the state where no light is applied, even under the usage where the integrated circuit is exposed to light. By setting the output voltage of the constant voltage circuit or higher, the operation of the circuit using the output of the constant voltage circuit as a driving power source is guaranteed even when light is applied.
（課題を解決するための手段） 本発明の定電圧回路は、集積回路上に作成された定電圧
回路において、前記定電圧回路外から前記定電圧回路へ
照射される光を検出する光検出手段を前記定電圧回路内
に備え、前記光検出手段により前記光による前記定電圧
回路内の動作点の変動を補償してなることを特徴とす
る。(Means for Solving the Problems) The constant voltage circuit of the present invention is a constant voltage circuit formed on an integrated circuit, and is a photodetection means for detecting light emitted to the constant voltage circuit from outside the constant voltage circuit. Is provided in the constant voltage circuit, and the fluctuation of the operating point in the constant voltage circuit due to the light is compensated by the light detection means.
（作用） 本発明では、以上の様な構成により光検出手段からの信
号で集積回路に光があてられた場合、定電圧発生手段に
制御を加え定電圧出力電圧の絶対値が小さくならない様
にする。(Operation) According to the present invention, when the integrated circuit is illuminated by the signal from the photodetector, the constant voltage generating means is controlled so that the absolute value of the constant voltage output voltage does not become small. To do.
（実施例） 第１図に本発明の実施例を示す。1,5,10はデプレツシヨ
ン型ＰチヤンネルMOSトランジスタ、3,6,7はエンハンス
メント型ＰチヤンネルMOSトランジスタ、2,4,8,9,11,12
はエンハンスメント型ＮチヤンネルMOSトランジスタ、1
3,14,15は光検出ダイオードである。(Example) FIG. 1 shows an example of the present invention. 1,5,10 are depletion type P-channel MOS transistors, 3,6,7 are enhancement type P-channel MOS transistors, 2,4,8,9,11,12
Is an enhancement type N channel MOS transistor, 1
3, 14 and 15 are photo-detecting diodes.
本回路の動作は、１〜４までで構成される基準電圧源を
５〜12で構成されるボルテージフオロワ回路で受けVDD
−Ｄ間に定電圧出力電圧を出力するものである。本回路
において1,5,10の各トランジスタによつて決定されるバ
イアス電流が非常に小さい時、本回路に光があたつた場
合の動作を以下に述べる。This circuit operates by receiving the reference voltage source composed of 1 to 4 by the voltage follower circuit composed of 5 to 12 VDD.
A constant voltage output voltage is output between -D. The operation when light is applied to this circuit when the bias current determined by the 1, 5 and 10 transistors in this circuit is very small will be described below.
本回路に光があたつた場合、光検出ダイオードの光リー
ク電流とバイアス電流がほぼ同じオーダーの値となるな
らば、Ａ点とVSS間に接続された13の光検出ダイオード
は光リークを起こしＡ点の電位をVSS側に引つぱる。同
様にVDDとＢ点間に接続された15の光検出ダイオードは
Ｂ点の電位をVDD側に引つぱり、Ｃ点とVDD間に接続した
14の光検出ダイオードはＣ点の電位をVDD側に引つぱ
る。この様な動作により、Ｃ点の電位が光のあたらない
時と比較してVDD側に近づくことになり、Ｄ点の電位をV
SS側に近づける。従つてVDD−Ｄ間にあらわれる電圧の
絶対値は光があたることにより、あたらない時より同じ
か大きな値をとることになる。従つて、VDD−Ｄ間の電
圧VRegで動作する回路が接続されている場合、これらの
回路は光のあたらない時と同様に動作することが可能と
なる。When light is applied to this circuit, if the photo-leakage current and bias current of the photo-detection diode are of the same order of magnitude, the 13 photo-detection diodes connected between point A and VSS will cause light leakage. Pull the potential at point A to the VSS side. Similarly, the 15 photodetector diodes connected between VDD and B point pull the potential at B point to VDD side and connect between C point and VDD.
The photodetector diode 14 pulls the potential at point C to the VDD side. With this operation, the potential at point C will be closer to VDD side than when there is no light, and the potential at point D will be V
Move closer to the SS side. Therefore, the absolute value of the voltage appearing between VDD and D will be the same or larger than that when it is not exposed to light. Therefore, when circuits that operate at the voltage VReg between VDD and D are connected, these circuits can operate in the same manner as when there is no light.
第１図における13,14,15の光検出ダイオードは、第２図
a,b,c,dに示す様な方法で作成する。第２図ａは13のダ
イオードに相当するダイオードの作成方法でありP-WELL
上にN+拡散層を設けP-N+ダイオードとしている。The photodetector diodes 13, 14, 15 in FIG. 1 are shown in FIG.
Create by the method shown in a, b, c, d. Fig. 2a shows how to make a diode corresponding to the diode of 13 P - WELL
An N + diffusion layer is provided on top of the P - N + diode.
第２図ｂは４のトランジスタに寄生するダイオードを光
検出ダイオードとして使用した例である。この場合４の
Ｎチヤンネルトランジスタのドレインの面積を通常必要
とされるサイズ（最小コンタクトのとれるサイズ）より
大きくとり、P-N+ダイオードを作成している。FIG. 2b is an example in which a diode parasitic on the transistor 4 is used as a photodetection diode. In this case, the area of the drain of the N-channel transistor 4 of 4 is made larger than the size normally required (the size at which the minimum contact can be taken) to form the P − N + diode.
第２図Ｃは14又は15に相当するダイオードの作成方法で
ある。N-基板状にP+拡散を設けP+N-ダイオードを作成し
ている。FIG. 2C shows a method of forming a diode corresponding to 14 or 15. A P + diffusion is provided on the N - substrate to create a P + N - diode.
第２図ｄは同様に14又は15のダイオードの作成方法であ
る。これはN-基板上にP-WELLを作成し、P-N-ダイオード
を構成し光検出ダイオードとしている。また14,15のダ
イオードの作成方法は第２図ｂと同様に10のトランジス
タのドレイン面積を通常必要とされるサイズより大きく
とることにより実現することも可能である。第３図に
は、13,14,15の光検出ダイオードを他の素子に置き換え
る例を示してある。FIG. 2d likewise shows how to make 14 or 15 diodes. This N - creates a WELL, P - - P on the substrate N - diode constitute are a light detecting diode. Also, the method of forming the diodes 14 and 15 can be realized by making the drain area of the transistor 10 larger than the size normally required, as in FIG. 2b. FIG. 3 shows an example in which the photo-detecting diodes 13, 14, 15 are replaced with other elements.
13に対しては13′に示す様なＮチヤンネルエンハンスメ
ントMOSトランジスタのOFF接続が使用でき、14,15に対
しては14′の様にＰチヤンネルエンハンスメントMOSト
ランジスタのOFF接続が使用できる。この場合各トラン
ジスタに光があたるとチヤンネル部を光リーク電流が流
れ各点の電位をそれぞれの方向にひつぱることができ
る。The OFF connection of the N channel enhancement MOS transistor shown in 13 'can be used for 13 and the OFF connection of the P channel enhancement MOS transistor shown in 14' can be used for 14,15. In this case, when light is applied to each transistor, a light leak current flows through the channel portion and the potential at each point can be extended in each direction.
（発明の効果） 本発明の定電圧回路は、定電圧回路外部から定電圧回路
自身へ照射される不要な光を検出する光検出手段を備
え、該光検出手段により光による定電圧回路内の動作点
の変動を補償することができるため、定電圧回路の出力
電圧を一定にすることが可能となり、集積回路に光があ
たる使用方法をされた場合でも定電圧回路によつて動作
する回路の動作を安定に保つことが可能になつた。(Effects of the Invention) The constant voltage circuit of the present invention includes a photodetection unit that detects unnecessary light emitted from the outside of the constant voltage circuit to the constant voltage circuit itself. Since the fluctuation of the operating point can be compensated, it becomes possible to make the output voltage of the constant voltage circuit constant, and the constant voltage circuit can operate even if the integrated circuit is exposed to light. It became possible to keep the operation stable.
第１図、本発明の定電圧回路の回路図 第２図、（ａ）〜（ｄ）光検出ダイオードの断面図 第３図、（ａ），（ｂ）光検出手段としてのオフ接続し
たMOSトランジスタの回路図 第４図、従来の定電圧回路の回路図 13,14,15、光検出ダイオード 13′,14′、オフ接続したMOSトランジスタ。FIG. 1 is a circuit diagram of a constant voltage circuit of the present invention. FIG. 2 is a sectional view of (a) to (d) a photodetection diode. FIGS. 3 (a) and (b) is an off-connected MOS as photodetection means. Circuit diagram of transistor Fig.4, Circuit diagram of conventional constant voltage circuit 13,14,15, photo-detecting diodes 13 'and 14', off-connected MOS transistor.
Claims (1)
て、 前記定電圧回路外から前記定電圧回路へ照射される光を
検出する光検出手段を前記定電圧回路内に備え、 前記光検出手段により前記光による前記定電圧回路内の
動作点の変動を補償してなることを特徴とする定電圧回
路。1. A constant voltage circuit formed on an integrated circuit, comprising photodetection means for detecting light radiated to the constant voltage circuit from outside the constant voltage circuit, wherein the photodetection means. A constant voltage circuit, characterized in that the means compensates for fluctuations in an operating point in the constant voltage circuit due to the light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217262A JPH0724004B2 (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Constant voltage circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217262A JPH0724004B2 (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Constant voltage circuit |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6196631A Division JP2552254B2 (en) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | Constant voltage circuit |
| JP6196630A Division JP2552253B2 (en) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | Constant voltage circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277619A JPS6277619A (en) | 1987-04-09 |
| JPH0724004B2 true JPH0724004B2 (en) | 1995-03-15 |
Family
ID=16701382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217262A Expired - Lifetime JPH0724004B2 (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Constant voltage circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724004B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0769753B2 (en) * | 1988-02-09 | 1995-07-31 | 三菱電機株式会社 | Reference voltage generation circuit |
| US5227714A (en) * | 1991-10-07 | 1993-07-13 | Brooktree Corporation | Voltage regulator |
| JP3997550B2 (en) * | 1997-06-11 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | Semiconductor device, liquid crystal display device, and electronic apparatus including them |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325318Y2 (en) * | 1973-06-16 | 1978-06-28 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217262A patent/JPH0724004B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6277619A (en) | 1987-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0412649B2 (en) | ||
| JPH06282339A (en) | Substrate-bias generating circuit | |
| KR900010531A (en) | Constant current source circuit | |
| JP2724872B2 (en) | Input circuit for semiconductor integrated circuit | |
| JP3105512B2 (en) | MOS type semiconductor integrated circuit | |
| JPH04239809A (en) | Amplitude limit circuit | |
| JPH0724004B2 (en) | Constant voltage circuit | |
| JP2552253B2 (en) | Constant voltage circuit | |
| JP2552254B2 (en) | Constant voltage circuit | |
| JP3055505B2 (en) | Level conversion circuit | |
| JP2730071B2 (en) | Semiconductor circuit | |
| JPH0157504B2 (en) | ||
| JPH06152376A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| KR970023354A (en) | Internal voltage level compensation circuit | |
| JP2973679B2 (en) | Semiconductor relay | |
| JPH043974A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| US6982910B2 (en) | Reverse voltage generation circuit | |
| JP2994691B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS6350119A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPH0286319A (en) | Input/output circuit | |
| JPH0217715A (en) | Voltage doubler compatible with self-isolating c/dmos process | |
| US5233236A (en) | Method and device for compensating drift in a semiconductor element | |
| JPS595659A (en) | Complementary type mis integrated circuit | |
| JPS6276923A (en) | Output circuit | |
| JPS5935217B2 (en) | C-MOS circuit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |