JPH07240012A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07240012A JPH07240012A JP21495994A JP21495994A JPH07240012A JP H07240012 A JPH07240012 A JP H07240012A JP 21495994 A JP21495994 A JP 21495994A JP 21495994 A JP21495994 A JP 21495994A JP H07240012 A JPH07240012 A JP H07240012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- magnetic body
- shield magnetic
- film
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアス分布を均一なものとすると共に、線
形性の改善並びにバイアス効率の向上を実現し、またM
R素子とバイアス導体との短絡を回避する。 【構成】 下部シールド磁性体1と上部シールド磁性体
2間に、MR素子5とこのMR素子5にバイアス磁界を
印加するバイアス導体6とを配してなるMRヘッドにお
いて、上記バイアス導体6を、電極3,4が形成される
側とは反対側に設けられる下部シールド磁性体1の溝部
10に埋め込む。
形性の改善並びにバイアス効率の向上を実現し、またM
R素子とバイアス導体との短絡を回避する。 【構成】 下部シールド磁性体1と上部シールド磁性体
2間に、MR素子5とこのMR素子5にバイアス磁界を
印加するバイアス導体6とを配してなるMRヘッドにお
いて、上記バイアス導体6を、電極3,4が形成される
側とは反対側に設けられる下部シールド磁性体1の溝部
10に埋め込む。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
等の如き磁気記録媒体に記録された情報を読み出すのに
好適な磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法に関
する。
等の如き磁気記録媒体に記録された情報を読み出すのに
好適な磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気抵抗効果を有するパーマロイ
等の磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と称する。)を
用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MRヘッドと
称する。)の開発が盛んに進められている。
等の磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と称する。)を
用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MRヘッドと
称する。)の開発が盛んに進められている。
【0003】かかるMRヘッドは、磁気記録媒体から漏
れ出る信号磁界によりパーマロイよりなるMR素子の抵
抗が変化し、その抵抗変化を検出することによって上記
磁気記録媒体に記録された情報を読み取ることができる
ように構成されている。
れ出る信号磁界によりパーマロイよりなるMR素子の抵
抗が変化し、その抵抗変化を検出することによって上記
磁気記録媒体に記録された情報を読み取ることができる
ように構成されている。
【0004】このようなMRヘッドは、通常の電磁誘導
型磁気ヘッドに比べて、短波長感度に優れることから、
狭トラック再生、短波長再生、超低速再生において高い
感度が得られるとされている。
型磁気ヘッドに比べて、短波長感度に優れることから、
狭トラック再生、短波長再生、超低速再生において高い
感度が得られるとされている。
【0005】MRヘッドは、例えば図25に示すよう
に、一対のシールド磁性体101,102によって挟み
込まれたMR素子103を有し、そのMR素子103に
バイアス磁界を印加するバイアス導体104を当該MR
素子103上に設けた構造とされるのが一般的である。
このMR素子103には、上記バイアス導体104に通
電されるバイアス電流によって発生するバイアス磁界
が、媒体対接面となるABS面側より後方側に向かって
印加するようになされている。
に、一対のシールド磁性体101,102によって挟み
込まれたMR素子103を有し、そのMR素子103に
バイアス磁界を印加するバイアス導体104を当該MR
素子103上に設けた構造とされるのが一般的である。
このMR素子103には、上記バイアス導体104に通
電されるバイアス電流によって発生するバイアス磁界
が、媒体対接面となるABS面側より後方側に向かって
印加するようになされている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、MR素子1
03の真上にバイアス導体104を設けた場合には、以
下のような不都合が生ずる。第1に、図26に示すMR
素子103の各位置にかかる磁束の変化を示す孤立波形
に波形歪みが発生する。波形歪みがあると、線記録密度
(BPI)が延びず記録密度が上がらない。波形歪みの
原因は一つにバイアス分布の不均一性が挙げられる。
03の真上にバイアス導体104を設けた場合には、以
下のような不都合が生ずる。第1に、図26に示すMR
素子103の各位置にかかる磁束の変化を示す孤立波形
に波形歪みが発生する。波形歪みがあると、線記録密度
(BPI)が延びず記録密度が上がらない。波形歪みの
原因は一つにバイアス分布の不均一性が挙げられる。
【0007】バイアス分布の不均一は、MR素子103
内に入ったバイアス磁束が下層のシールド磁性体101
に漏れるために発生する。バイアス分布が不均一だとバ
イアス強度の大きい部分がバイアス電流によってすぐに
飽和してしまい、結果的にその部分の透磁率μが失われ
信号磁界も入らなくなってしまう。また、バイアス強度
にむらがあると、MR感度特性の非線形領域で動作する
確率が増えトータル的に再生波形が歪んでしまう。
内に入ったバイアス磁束が下層のシールド磁性体101
に漏れるために発生する。バイアス分布が不均一だとバ
イアス強度の大きい部分がバイアス電流によってすぐに
飽和してしまい、結果的にその部分の透磁率μが失われ
信号磁界も入らなくなってしまう。また、バイアス強度
にむらがあると、MR感度特性の非線形領域で動作する
確率が増えトータル的に再生波形が歪んでしまう。
【0008】第2に、MR素子103のすぐ下にシール
ド磁性体101があると、コアの磁区の乱れでMR素子
103の磁壁が移動し、それに伴いバルクハウゼンノイ
ズが生じる。
ド磁性体101があると、コアの磁区の乱れでMR素子
103の磁壁が移動し、それに伴いバルクハウゼンノイ
ズが生じる。
【0009】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、バイアス分
布を均一なものとすると共に、線形性の改善並びにバイ
アス効率の向上を実現するMRヘッドを提供することを
目的とする。
的な課題に鑑みて提案されたものであって、バイアス分
布を均一なものとすると共に、線形性の改善並びにバイ
アス効率の向上を実現するMRヘッドを提供することを
目的とする。
【0010】さらに本発明方法は、下部シールド磁性体
に形成される溝部からのバイアス導体の突出を無くし、
狭ギャップ化に伴うMR素子とバイアス導体間の短絡を
回避し得る信頼性の高いMRヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とする。
に形成される溝部からのバイアス導体の突出を無くし、
狭ギャップ化に伴うMR素子とバイアス導体間の短絡を
回避し得る信頼性の高いMRヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のMRヘッドは、
磁気記録媒体との対接面に対して長手方向が垂直となる
ように配されるMR素子を、一対のシールド磁性体によ
って挟み込んだ,いわゆるシールド型構造の縦型MRヘ
ッドである。このMRヘッドでは、MR素子の前後にそ
れぞれ先端電極と後端電極が配されると共に、当該MR
素子にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体が設
けられる。
磁気記録媒体との対接面に対して長手方向が垂直となる
ように配されるMR素子を、一対のシールド磁性体によ
って挟み込んだ,いわゆるシールド型構造の縦型MRヘ
ッドである。このMRヘッドでは、MR素子の前後にそ
れぞれ先端電極と後端電極が配されると共に、当該MR
素子にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体が設
けられる。
【0012】そして本発明では、このバイアス導体を、
電極が形成される側とは反対側に設けられるシールド磁
性体に溝部を形成し、その溝部内に完全に埋め込むよう
にすることで、上述の課題を解決する。
電極が形成される側とは反対側に設けられるシールド磁
性体に溝部を形成し、その溝部内に完全に埋め込むよう
にすることで、上述の課題を解決する。
【0013】バイアス導体としては、単層の金属膜であ
ってもよいが、このバイアス導体の上下に形成される絶
縁層との密着性を考慮してTi膜,Cu膜,Ti膜の3
層膜構造とすることが望ましい。
ってもよいが、このバイアス導体の上下に形成される絶
縁層との密着性を考慮してTi膜,Cu膜,Ti膜の3
層膜構造とすることが望ましい。
【0014】また、バイアス導体を埋め込む溝は、下部
シールド磁性体にのみ形成することが望ましい。そし
て、その溝部に埋め込まれたバイアス導体とバイアス引
き出し導体との接続部は、下部シールド磁性体形成部分
に設けることが好ましい。さらに、下部シールド磁性体
を上部シールド磁性体よりも大きくし、且つ溝部のバイ
アス導体とバイアス引き出し導体との接続部を上部シー
ルド磁性体と重ならないようにする。
シールド磁性体にのみ形成することが望ましい。そし
て、その溝部に埋め込まれたバイアス導体とバイアス引
き出し導体との接続部は、下部シールド磁性体形成部分
に設けることが好ましい。さらに、下部シールド磁性体
を上部シールド磁性体よりも大きくし、且つ溝部のバイ
アス導体とバイアス引き出し導体との接続部を上部シー
ルド磁性体と重ならないようにする。
【0015】本発明のMRヘッドの製造方法において
は、基板上に形成された下部シールド磁性体に溝部を形
成した後、上記溝部を含めて下部シールド磁性体上に第
1の絶縁膜を成膜する。次いで、この第1の絶縁膜上に
金属膜を成膜する。そして、上記金属膜をエッチングし
て、該金属膜を溝部内にのみ残存させ且つ溝部より飛び
出ないようにバイアス導体を形成する。しかる後、上記
溝部を含めて下部シールド磁性体上に第2の絶縁膜を成
膜する。そして、上記下部シールド磁性体が露出するま
で第2の絶縁膜を平面研磨し、当該下部シールド磁性体
の研磨面を平坦化することにより、上述の課題を解決す
る。
は、基板上に形成された下部シールド磁性体に溝部を形
成した後、上記溝部を含めて下部シールド磁性体上に第
1の絶縁膜を成膜する。次いで、この第1の絶縁膜上に
金属膜を成膜する。そして、上記金属膜をエッチングし
て、該金属膜を溝部内にのみ残存させ且つ溝部より飛び
出ないようにバイアス導体を形成する。しかる後、上記
溝部を含めて下部シールド磁性体上に第2の絶縁膜を成
膜する。そして、上記下部シールド磁性体が露出するま
で第2の絶縁膜を平面研磨し、当該下部シールド磁性体
の研磨面を平坦化することにより、上述の課題を解決す
る。
【0016】
【作用】本発明のMRヘッドにおいては、MR素子にバ
イアス磁界を印加するためのバイアス導体を、電極が形
成される側とは反対側に設けられるシールド磁性体の溝
部に埋め込んでいるので、MR素子とシールド磁性体と
の対向間距離が大きくなり、それによって当該MR素子
に入ったバイアス磁界が上記シールド磁性体へと漏れ出
ることが少なくなる。その結果、MR素子に印加される
バイアス磁界のバイアス分布が均一となり、線形性の向
上並びに再生波形の歪みが改善される。
イアス磁界を印加するためのバイアス導体を、電極が形
成される側とは反対側に設けられるシールド磁性体の溝
部に埋め込んでいるので、MR素子とシールド磁性体と
の対向間距離が大きくなり、それによって当該MR素子
に入ったバイアス磁界が上記シールド磁性体へと漏れ出
ることが少なくなる。その結果、MR素子に印加される
バイアス磁界のバイアス分布が均一となり、線形性の向
上並びに再生波形の歪みが改善される。
【0017】また、本発明のMRヘッドにおいては、バ
イアス導体を埋め込む溝が下部シールド磁性体にのみ形
成されると共に、このバイアス導体と接続されるバアイ
ス引き出し導体との接続部が下部シールド磁性体形成部
分に設けられているので、溝部内の段差及び接続部分で
の段差が無くなり、該段差部で起こる被膜不良が回避さ
れバイアス導体の断線が防止される。
イアス導体を埋め込む溝が下部シールド磁性体にのみ形
成されると共に、このバイアス導体と接続されるバアイ
ス引き出し導体との接続部が下部シールド磁性体形成部
分に設けられているので、溝部内の段差及び接続部分で
の段差が無くなり、該段差部で起こる被膜不良が回避さ
れバイアス導体の断線が防止される。
【0018】一方、本発明のMRヘッドの製造方法にお
いては、下部シールド磁性体に形成された溝部内をも含
めて当該下部シールド磁性体上に成膜した金属膜を、溝
部内にのみ残存させ且つ溝部より飛び出ないようにエッ
チングしてバイアス導体を形成しているので、次工程で
下部シールド磁性体上に成膜された絶縁膜を該下部シー
ルド磁性体が露出するまで平面研磨すると、当該下部シ
ールド磁性体の研磨面が平坦化される。
いては、下部シールド磁性体に形成された溝部内をも含
めて当該下部シールド磁性体上に成膜した金属膜を、溝
部内にのみ残存させ且つ溝部より飛び出ないようにエッ
チングしてバイアス導体を形成しているので、次工程で
下部シールド磁性体上に成膜された絶縁膜を該下部シー
ルド磁性体が露出するまで平面研磨すると、当該下部シ
ールド磁性体の研磨面が平坦化される。
【0019】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
【0020】本実施例のMRヘッドは、図1及び図2に
示すように、スライダと称される基板の一側面(図示は
省略する。)上に形成される一対のシールド磁性体1,
2と、これらシールド磁性体1,2間に先端電極3と後
端電極4が積層されてなるMR素子5と、このMR素子
5にバイアス磁界を印加するバイアス導体6とを有して
構成されている。
示すように、スライダと称される基板の一側面(図示は
省略する。)上に形成される一対のシールド磁性体1,
2と、これらシールド磁性体1,2間に先端電極3と後
端電極4が積層されてなるMR素子5と、このMR素子
5にバイアス磁界を印加するバイアス導体6とを有して
構成されている。
【0021】なお以下、下層に形成されるシールド磁性
体1を下部シールド磁性体1、上層に形成されるシール
ド磁性体2を上部シールド磁性体2と称する。
体1を下部シールド磁性体1、上層に形成されるシール
ド磁性体2を上部シールド磁性体2と称する。
【0022】MR素子5は、例えば平面形状が略長方形
パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体
との対接面(以下、ABS面7と称する。)に対して垂
直となるように設けられている。また、このMR素子5
の先端側の一側縁は、上記ABS面7に臨むようになさ
れている。
パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体
との対接面(以下、ABS面7と称する。)に対して垂
直となるように設けられている。また、このMR素子5
の先端側の一側縁は、上記ABS面7に臨むようになさ
れている。
【0023】かかるMR素子5は、例えばパーマロイ等
の強磁性体薄膜からなり、下部シールド磁性体1上に設
けられたギャップ膜8上に蒸着やスパッタリング等の真
空薄膜形成手段によって形成されている。このギャップ
膜8には、例えばAl2 O3よりなる膜が使用される。
の強磁性体薄膜からなり、下部シールド磁性体1上に設
けられたギャップ膜8上に蒸着やスパッタリング等の真
空薄膜形成手段によって形成されている。このギャップ
膜8には、例えばAl2 O3よりなる膜が使用される。
【0024】このMR素子5は、パーマロイよりなるM
R薄膜の単層膜であってもよいが、例えばSiO2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
MR薄膜を積層するようにしてもよい。積層膜構造とす
ることによって、バルクハウゼンノイズの発生が回避で
きる。
R薄膜の単層膜であってもよいが、例えばSiO2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
MR薄膜を積層するようにしてもよい。積層膜構造とす
ることによって、バルクハウゼンノイズの発生が回避で
きる。
【0025】先端電極3は、その一側縁がABS面7に
臨むようにしてMR素子5の先端部に直接積層され、こ
のMR素子5と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極3は、MR素子5にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップg
のギャップ膜としても機能するようになっている。
臨むようにしてMR素子5の先端部に直接積層され、こ
のMR素子5と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極3は、MR素子5にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップg
のギャップ膜としても機能するようになっている。
【0026】一方、後端電極4は、信号磁界の引き込み
の向上及びバイアス分布の均一化を目的とするフラック
スガイド9を介してMR素子5の後端部に積層されてい
る。このフラックスガイド9には、MR素子5に入る信
号の引き込み効果を高めるために、例えばパーマロイや
アモルファス(CoZr系)材等の如き高透磁率材が使
用される。かかるフラックスガイド9を形成するには、
例えばスパッタリング法や蒸着法あるいはメッキ法等の
如き真空薄膜形成手段がいずれも適用できる。
の向上及びバイアス分布の均一化を目的とするフラック
スガイド9を介してMR素子5の後端部に積層されてい
る。このフラックスガイド9には、MR素子5に入る信
号の引き込み効果を高めるために、例えばパーマロイや
アモルファス(CoZr系)材等の如き高透磁率材が使
用される。かかるフラックスガイド9を形成するには、
例えばスパッタリング法や蒸着法あるいはメッキ法等の
如き真空薄膜形成手段がいずれも適用できる。
【0027】なお、後端電極4は、MR素子5の後端部
にその一部を直接積層させるようにしてもよい。この場
合、フラックスガイド9は、後端電極4の後端部に積層
させる。
にその一部を直接積層させるようにしてもよい。この場
合、フラックスガイド9は、後端電極4の後端部に積層
させる。
【0028】バイアス導体6は、MR素子5にバイアス
磁界を印加するためのもので、先端電極3と後端電極4
の間であって、これら電極3,4が設けられる側とは反
対側の下部シールド磁性体1に形成される溝部10に配
され、絶縁膜11によって埋め込まれる形で設けられて
いる。換言すれば、バイアス導体6は、溝部10内に完
全に収納され、当該溝部10から突出しないようになっ
ている。
磁界を印加するためのもので、先端電極3と後端電極4
の間であって、これら電極3,4が設けられる側とは反
対側の下部シールド磁性体1に形成される溝部10に配
され、絶縁膜11によって埋め込まれる形で設けられて
いる。換言すれば、バイアス導体6は、溝部10内に完
全に収納され、当該溝部10から突出しないようになっ
ている。
【0029】かかるバイアス導体6は、低抵抗の金属材
料からなり、例えば導電性に優れたCu等からなる。通
常、このバイアス導体6はCu等の単層の膜であっても
よいが、バイアス導体6の上下に設けられる絶縁膜11
との密着性を考慮すると、例えば図3に示すように、C
uよりなる中間膜6aをその膜厚方向からTiよりなる
積層膜6b,6cによって挟み込んだ積層膜構造とする
ことが望ましい。
料からなり、例えば導電性に優れたCu等からなる。通
常、このバイアス導体6はCu等の単層の膜であっても
よいが、バイアス導体6の上下に設けられる絶縁膜11
との密着性を考慮すると、例えば図3に示すように、C
uよりなる中間膜6aをその膜厚方向からTiよりなる
積層膜6b,6cによって挟み込んだ積層膜構造とする
ことが望ましい。
【0030】また、上記バイアス導体6は、上記MR素
子5の長手方向に対し略直交する方向(紙面と垂直な方
向)に設けられ、その両端子部に直流電源からのバイア
ス電流が通電されるようになされている。このため、直
流電流は配線パターンの長手方向であるトラック幅方向
に流れることになり、上記ABS面7と垂直な方向であ
るMR素子5の長手方向に亘ってバイアス磁界が印加さ
れるようになっている。
子5の長手方向に対し略直交する方向(紙面と垂直な方
向)に設けられ、その両端子部に直流電源からのバイア
ス電流が通電されるようになされている。このため、直
流電流は配線パターンの長手方向であるトラック幅方向
に流れることになり、上記ABS面7と垂直な方向であ
るMR素子5の長手方向に亘ってバイアス磁界が印加さ
れるようになっている。
【0031】本実施例では、MR素子5に所定の大きさ
のバイアス磁界を印加するために、このバイアス導体6
の厚みtを50nm〜400nm、導体幅W2 を1μm
〜8μmとした。また、ABS面7と垂直方向のバイア
ス導体6と下部シールド磁性体1との対向距離L2 ,L
3 を、絶縁性を考慮してそれぞれ0.1μm〜2μm程
度とした。また、バイアス導体6とMR素子5との対向
間距離は、狭ギャップ化を考慮して0.1μm〜2μm
とした。
のバイアス磁界を印加するために、このバイアス導体6
の厚みtを50nm〜400nm、導体幅W2 を1μm
〜8μmとした。また、ABS面7と垂直方向のバイア
ス導体6と下部シールド磁性体1との対向距離L2 ,L
3 を、絶縁性を考慮してそれぞれ0.1μm〜2μm程
度とした。また、バイアス導体6とMR素子5との対向
間距離は、狭ギャップ化を考慮して0.1μm〜2μm
とした。
【0032】なお、上記バイアス導体6を埋め込む絶縁
膜11としては、バイアス導体6との絶縁性が確実にと
れる例えばAl2 O3 、SiO2 、SOG、Si3 N4
等よりなる膜が好適である。また、バイアス導体6の下
に設けられる絶縁膜11の膜厚としては、当該バイアス
導体6との絶縁性を確実に確保するために、0.1μm
〜1μm程度とすることが望ましい。
膜11としては、バイアス導体6との絶縁性が確実にと
れる例えばAl2 O3 、SiO2 、SOG、Si3 N4
等よりなる膜が好適である。また、バイアス導体6の下
に設けられる絶縁膜11の膜厚としては、当該バイアス
導体6との絶縁性を確実に確保するために、0.1μm
〜1μm程度とすることが望ましい。
【0033】上記バイアス導体6を埋め込む溝部10
は、図2に示すように、下部シールド磁性体1にのみ形
成されている。言い換えれば、溝部10は、下部シール
ド磁性体1が形成される部分以外の部分には形成されて
いないことになる。この溝部10は、平面形状が略フラ
スコ状とされる下部シールド磁性体1のABS面7と平
行な一側縁1aと、これと斜交する両側縁1b,1cに
沿って平面略コ字状をなす溝として下部シールド磁性体
1に形成されている。また、この溝部10は、バイアス
導体6をその内部に収納するに足る大きさの断面略コ字
状をなす溝として形成されている。
は、図2に示すように、下部シールド磁性体1にのみ形
成されている。言い換えれば、溝部10は、下部シール
ド磁性体1が形成される部分以外の部分には形成されて
いないことになる。この溝部10は、平面形状が略フラ
スコ状とされる下部シールド磁性体1のABS面7と平
行な一側縁1aと、これと斜交する両側縁1b,1cに
沿って平面略コ字状をなす溝として下部シールド磁性体
1に形成されている。また、この溝部10は、バイアス
導体6をその内部に収納するに足る大きさの断面略コ字
状をなす溝として形成されている。
【0034】そして、この溝部10の末端部10a,1
0bは、当該溝部10内に埋め込まれるバイアス導体6
とこのバイアス導体6へバイアス電流を通電するための
バイアス引き出し導体6a,6bとの接続部分とされて
いる。この接続部分もまた下部シールド磁性体1の形成
部分にのみ設けられている。この接続部分では、バイア
ス導体6とバイアス引き出し導体6a,6bとが電気的
にそれぞれ接続されるようになっている。
0bは、当該溝部10内に埋め込まれるバイアス導体6
とこのバイアス導体6へバイアス電流を通電するための
バイアス引き出し導体6a,6bとの接続部分とされて
いる。この接続部分もまた下部シールド磁性体1の形成
部分にのみ設けられている。この接続部分では、バイア
ス導体6とバイアス引き出し導体6a,6bとが電気的
にそれぞれ接続されるようになっている。
【0035】本実施例では、感磁部長(先端電極3の後
端部からフラックスガイド9の先端部までの距離)L1
を6μmとしたときに、溝部10の開口幅W1 を8μm
とし、先端電極3の後端部と溝部10の先端部の位置を
一致させた。
端部からフラックスガイド9の先端部までの距離)L1
を6μmとしたときに、溝部10の開口幅W1 を8μm
とし、先端電極3の後端部と溝部10の先端部の位置を
一致させた。
【0036】一方、MR素子5を上下方向から挟み込む
形で設けられる一対の下部シールド磁性体1と上部シー
ルド磁性体2は、MR素子5から離れた位置の媒体から
の磁界の影響を受けないようにするシールドとして機能
するもので、例えばパーマロイ等によって形成されてい
る。これらシールド磁性体1,2のうち下部シールド磁
性体1は、上記ABS面7にその一側縁を臨ませるよう
にして、このABS面7に対して垂直方向に延在して設
けられている。この下部シールド磁性体1は、この上に
形成される上部シールド磁性体2よりも大きなパターン
として形成されている。
形で設けられる一対の下部シールド磁性体1と上部シー
ルド磁性体2は、MR素子5から離れた位置の媒体から
の磁界の影響を受けないようにするシールドとして機能
するもので、例えばパーマロイ等によって形成されてい
る。これらシールド磁性体1,2のうち下部シールド磁
性体1は、上記ABS面7にその一側縁を臨ませるよう
にして、このABS面7に対して垂直方向に延在して設
けられている。この下部シールド磁性体1は、この上に
形成される上部シールド磁性体2よりも大きなパターン
として形成されている。
【0037】一方、これに対向して設けられる上部シー
ルド磁性体2は、先の下部シールド磁性体1と同様に上
記ABS面7にその一側縁を臨ませるようにして、この
ABS面7に対して垂直にバック側へ延在して設けられ
ている。また、この上部シールド磁性体2は、ABS面
7側で先端電極3に対して直接積層されると共に、その
後方側において絶縁層12を介して積層されている。こ
の上部シールド磁性体2は、ABS面7と平行な部分を
除いた溝部10を露出させると共に、バイアス導体6と
バイアス引き出し導体6a,6bとの接続部分に対して
重ならないような大きさとされている。
ルド磁性体2は、先の下部シールド磁性体1と同様に上
記ABS面7にその一側縁を臨ませるようにして、この
ABS面7に対して垂直にバック側へ延在して設けられ
ている。また、この上部シールド磁性体2は、ABS面
7側で先端電極3に対して直接積層されると共に、その
後方側において絶縁層12を介して積層されている。こ
の上部シールド磁性体2は、ABS面7と平行な部分を
除いた溝部10を露出させると共に、バイアス導体6と
バイアス引き出し導体6a,6bとの接続部分に対して
重ならないような大きさとされている。
【0038】ところで、以上のような構成とされるMR
ヘッドは、図4に示すようなバイアス分布とされてい
る。図中波形Aは、バイアス磁界のみが印加された状
態、波形Bはバイアス磁界の印加に加え正の信号磁界が
印加された状態、波形Cはバイアス磁界の印加に加え負
の信号磁界が印加された状態をシュミレーションしたも
のである。
ヘッドは、図4に示すようなバイアス分布とされてい
る。図中波形Aは、バイアス磁界のみが印加された状
態、波形Bはバイアス磁界の印加に加え正の信号磁界が
印加された状態、波形Cはバイアス磁界の印加に加え負
の信号磁界が印加された状態をシュミレーションしたも
のである。
【0039】かかる結果から明らかなように、MR素子
5の感磁部においてはバイアス磁界が均一にかかること
が判る。これは、下部シールド磁性体1に溝部10を形
成しその中にバイアス導体6を埋め込むようにしている
ことによる。つまり、バイアス導体6を下部シールド磁
性体1の溝部10に埋め込むと、感磁部とシールド磁性
体1,2との対向間距離が大きくなり、当該MR素子5
に入ったバイアス磁界がシールド磁性体1に漏洩し難く
なるためである。
5の感磁部においてはバイアス磁界が均一にかかること
が判る。これは、下部シールド磁性体1に溝部10を形
成しその中にバイアス導体6を埋め込むようにしている
ことによる。つまり、バイアス導体6を下部シールド磁
性体1の溝部10に埋め込むと、感磁部とシールド磁性
体1,2との対向間距離が大きくなり、当該MR素子5
に入ったバイアス磁界がシールド磁性体1に漏洩し難く
なるためである。
【0040】また、バイアス導体6を下部シールド磁性
体1の溝部10に埋め込んだものと、MR素子5の上に
バイアス導体6を設けたものの孤立波形の歪みを測定し
た。これは、PW50を測定することにより評価した。
PW50は、図5に示す再生波形の高さHの半分の位置
における波形の幅W2 を表す。その結果を表1に示す。
体1の溝部10に埋め込んだものと、MR素子5の上に
バイアス導体6を設けたものの孤立波形の歪みを測定し
た。これは、PW50を測定することにより評価した。
PW50は、図5に示す再生波形の高さHの半分の位置
における波形の幅W2 を表す。その結果を表1に示す。
【0041】
【表1】
【0042】この結果から、バイアス導体6を溝部10
に埋め込んだ構造にすると、線形性が良くなり、再生波
形の歪みが改善されることが確認された。
に埋め込んだ構造にすると、線形性が良くなり、再生波
形の歪みが改善されることが確認された。
【0043】また、このMRヘッドでは、バイアス導体
6が溝部10より突出することなく完全にこの溝部10
内に絶縁膜11によって埋め込まれているので、ギャッ
プ膜8の膜厚を薄くした場合でも、MR素子5とバイア
ス導体6間の距離を充分に確保することができる。した
がって、本実施例のMRヘッドによれば、狭ギャップ化
を図った場合でもMR素子5とバイアス導体6間の短絡
を確実に回避できる。
6が溝部10より突出することなく完全にこの溝部10
内に絶縁膜11によって埋め込まれているので、ギャッ
プ膜8の膜厚を薄くした場合でも、MR素子5とバイア
ス導体6間の距離を充分に確保することができる。した
がって、本実施例のMRヘッドによれば、狭ギャップ化
を図った場合でもMR素子5とバイアス導体6間の短絡
を確実に回避できる。
【0044】ところで、バイアス導体6を埋め込む溝部
10を図6に示すように、下部シールド磁性体1とこの
下部シールド磁性体1の周囲に形成されるAl2 O3 等
からなる保護膜材11aとに跨がって形成した場合に
は、溝部10をエッチングによって形成する際のエッチ
ングレートの違いから、これらの境界部分に段差が生ず
る。
10を図6に示すように、下部シールド磁性体1とこの
下部シールド磁性体1の周囲に形成されるAl2 O3 等
からなる保護膜材11aとに跨がって形成した場合に
は、溝部10をエッチングによって形成する際のエッチ
ングレートの違いから、これらの境界部分に段差が生ず
る。
【0045】このため、かかる段差部において、バイア
ス導体6が断線したり、下部シールド磁性体1とバイア
ス導体6間の絶縁膜11の絶縁性が劣化し絶縁不良が生
じたりする。また、溝部10内に段差が生じているため
に、該溝部10内に成膜されるバイアス導体6にも段差
が生じる。段差は、エッチングレートの差から保護膜材
11a側が下部シールド磁性体1よりも高くなる。その
ため、保護膜材11aに形成されているバイアス導体6
が溝の平坦研磨により研磨され、該バイアス導体6の一
部が削れたり、無くなってしまい、当該バイアス引き出
し導体6a,6bとの接続ができなくなる。
ス導体6が断線したり、下部シールド磁性体1とバイア
ス導体6間の絶縁膜11の絶縁性が劣化し絶縁不良が生
じたりする。また、溝部10内に段差が生じているため
に、該溝部10内に成膜されるバイアス導体6にも段差
が生じる。段差は、エッチングレートの差から保護膜材
11a側が下部シールド磁性体1よりも高くなる。その
ため、保護膜材11aに形成されているバイアス導体6
が溝の平坦研磨により研磨され、該バイアス導体6の一
部が削れたり、無くなってしまい、当該バイアス引き出
し導体6a,6bとの接続ができなくなる。
【0046】しかしながら、本実施例のMRヘッドで
は、バイアス導体6を埋め込む溝部10を下部シールド
磁性体1にのみ形成していることから、溝部10内の段
差が無く、該段差部で起こる被膜不良が回避され、バイ
アス導体6の断線を防止できる。また、同様にバイアス
導体6の上下に設けられる絶縁膜11も被膜不良が無く
なり、バイアス導体6と下部シールド磁性体1の絶縁不
良を防止できる。さらに、バイアス導体6とバイアス引
き出し導体6a,6bとの接続部分も下部シールド磁性
体1の形成部分に設けられているので、同様に段差の無
い状態でこれらの接続がなされる。
は、バイアス導体6を埋め込む溝部10を下部シールド
磁性体1にのみ形成していることから、溝部10内の段
差が無く、該段差部で起こる被膜不良が回避され、バイ
アス導体6の断線を防止できる。また、同様にバイアス
導体6の上下に設けられる絶縁膜11も被膜不良が無く
なり、バイアス導体6と下部シールド磁性体1の絶縁不
良を防止できる。さらに、バイアス導体6とバイアス引
き出し導体6a,6bとの接続部分も下部シールド磁性
体1の形成部分に設けられているので、同様に段差の無
い状態でこれらの接続がなされる。
【0047】次に、上記構成のMRヘッドの製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0048】先ず、図7に示すように、Al2 O3 −T
iC材(アルチック材)からなる基板13を用意する。
そして、この基板13の上に、該基板13の絶縁性と表
面性の改善を目的として図示しないAl2 O3 膜を形成
する。
iC材(アルチック材)からなる基板13を用意する。
そして、この基板13の上に、該基板13の絶縁性と表
面性の改善を目的として図示しないAl2 O3 膜を形成
する。
【0049】次に、上記Al2 O3 膜上に、例えばパー
マロイやセンダスト等の磁性膜14をスパッタリング又
はメッキ等によって形成する。
マロイやセンダスト等の磁性膜14をスパッタリング又
はメッキ等によって形成する。
【0050】次いで、図8に示すように、上記磁性膜1
4をドライエッチングし、所定形状の下部シールド磁性
体15を形成する。
4をドライエッチングし、所定形状の下部シールド磁性
体15を形成する。
【0051】しかる後、図9に示すように、下部シール
ド磁性体15を覆ってAl2 O3 よりなる平坦化膜16
を成膜する。
ド磁性体15を覆ってAl2 O3 よりなる平坦化膜16
を成膜する。
【0052】次に、図10に示すように、平坦化膜16
を研磨し、下部シールド磁性体15を露出させると共
に、この下部シールド磁性体15が所定の膜厚となるよ
うにする。
を研磨し、下部シールド磁性体15を露出させると共
に、この下部シールド磁性体15が所定の膜厚となるよ
うにする。
【0053】そして、平坦化された下部シールド磁性体
15にドライエッチングを施して、図11に示すような
溝部17を形成する。溝部17は、下部シールド磁性体
15とその周囲とに跨がって形成するのではなく、下部
シールド磁性体1にのみ形成する。
15にドライエッチングを施して、図11に示すような
溝部17を形成する。溝部17は、下部シールド磁性体
15とその周囲とに跨がって形成するのではなく、下部
シールド磁性体1にのみ形成する。
【0054】溝部17を下部シールド磁性体15にのみ
形成することにより、図6に示す従来構造のものに比べ
て下部シールド磁性体15とその周囲に設けられる平坦
化膜11aの境界部に生じた段差の影響で発生していた
バイアス導体の断線や、下部シールド磁性体15とバイ
アス導体の絶縁不良が確実に回避できる。
形成することにより、図6に示す従来構造のものに比べ
て下部シールド磁性体15とその周囲に設けられる平坦
化膜11aの境界部に生じた段差の影響で発生していた
バイアス導体の断線や、下部シールド磁性体15とバイ
アス導体の絶縁不良が確実に回避できる。
【0055】次に、図12に示すように、上記溝部17
を含めてAl2 O3 をスパッタリングして第1の絶縁膜
18を形成する。
を含めてAl2 O3 をスパッタリングして第1の絶縁膜
18を形成する。
【0056】次いで、図13に示すように、上記第1の
絶縁膜18上にバイアス導体を形成するためのCuをス
パッタリングして金属膜19を形成する。
絶縁膜18上にバイアス導体を形成するためのCuをス
パッタリングして金属膜19を形成する。
【0057】しかる後、上記金属膜19を溝部17内に
のみ残存させ且つ溝部17より飛び出ないようにパター
ニングしてドライエッチングすることにより、図14に
示す如きバイアス導体20を形成する。この結果、バイ
アス導体20は、溝部17に完全に埋め込まれ、当該溝
部17より飛び出ない。
のみ残存させ且つ溝部17より飛び出ないようにパター
ニングしてドライエッチングすることにより、図14に
示す如きバイアス導体20を形成する。この結果、バイ
アス導体20は、溝部17に完全に埋め込まれ、当該溝
部17より飛び出ない。
【0058】次に、溝部17に形成された部分を除いて
第1の絶縁膜18をエッチングする。エッチングは、ア
イランド(Island)エッチングを使用する。
第1の絶縁膜18をエッチングする。エッチングは、ア
イランド(Island)エッチングを使用する。
【0059】この結果、図15に示すように、下部シー
ルド磁性体15上に第1の絶縁膜18が残存せず、溝部
17内にのみ第1の絶縁膜18が残る。
ルド磁性体15上に第1の絶縁膜18が残存せず、溝部
17内にのみ第1の絶縁膜18が残る。
【0060】次に、図16に示すように、上記溝部17
を含めて下部シールド磁性体15上にAl2 O3 をスパ
ッタリングし、平坦化膜としての第2の絶縁膜21を形
成する。
を含めて下部シールド磁性体15上にAl2 O3 をスパ
ッタリングし、平坦化膜としての第2の絶縁膜21を形
成する。
【0061】次いで、図17に示すように、下部シール
ド磁性体15が露出するまで第2の絶縁膜21を平面研
磨する。平面研磨は、直径2μmのダイヤモンド砥粒と
銅ケメット定盤による機械研磨及びSiO2 砥粒と繊維
質のクロスによるバフ研磨の併用又はバフ研磨のみで行
う。
ド磁性体15が露出するまで第2の絶縁膜21を平面研
磨する。平面研磨は、直径2μmのダイヤモンド砥粒と
銅ケメット定盤による機械研磨及びSiO2 砥粒と繊維
質のクロスによるバフ研磨の併用又はバフ研磨のみで行
う。
【0062】この結果、下部シールド磁性体15の研磨
面は平坦化される。その表面粗度は1nm程度と非常に
平滑な面となる。バフ研磨によって平坦化を行うと、当
該バフ研磨は研磨量が小さいことから基板13のそりに
依存せず研磨が行われ、溝深さのばらつきを大幅に改善
することができる。また、金属膜であるバイアス導体2
0とAl2 O3 よりなる絶縁膜21の研磨レートの違い
から砥石等を用いた機械研磨によって研磨を行った場合
には、絶縁膜21が金属膜に対してより早く研磨されて
しまうが、バフ研磨によれば研磨レートの違いによって
生ずる段差を無くすことができる。
面は平坦化される。その表面粗度は1nm程度と非常に
平滑な面となる。バフ研磨によって平坦化を行うと、当
該バフ研磨は研磨量が小さいことから基板13のそりに
依存せず研磨が行われ、溝深さのばらつきを大幅に改善
することができる。また、金属膜であるバイアス導体2
0とAl2 O3 よりなる絶縁膜21の研磨レートの違い
から砥石等を用いた機械研磨によって研磨を行った場合
には、絶縁膜21が金属膜に対してより早く研磨されて
しまうが、バフ研磨によれば研磨レートの違いによって
生ずる段差を無くすことができる。
【0063】なお、上記平坦化によって溝部17では、
図18に示すように、下部シールド磁性体15に比べて
若干へこみが生ずるが、この溝部17の第2の絶縁膜2
1の研磨面は平坦化される。
図18に示すように、下部シールド磁性体15に比べて
若干へこみが生ずるが、この溝部17の第2の絶縁膜2
1の研磨面は平坦化される。
【0064】次に、図19に示すように、平坦化された
研磨面にAl2 O3 をスパッタリングしてギャップ膜2
2を形成する。
研磨面にAl2 O3 をスパッタリングしてギャップ膜2
2を形成する。
【0065】溝部17では多少のへこみがあるために、
図20に示すように、ギャップ膜22にわずかに段差が
生ずる。しかし、溝部17における第2の絶縁膜21の
表面は平坦化されているので、このギャップ膜22とバ
イアス導体20との絶縁性が確保されると共に、ギャッ
プ膜22と絶縁膜21の密着強度が向上する。
図20に示すように、ギャップ膜22にわずかに段差が
生ずる。しかし、溝部17における第2の絶縁膜21の
表面は平坦化されているので、このギャップ膜22とバ
イアス導体20との絶縁性が確保されると共に、ギャッ
プ膜22と絶縁膜21の密着強度が向上する。
【0066】続いて、図21に示すように、上記ギャッ
プ膜22上にMR素子23を形成する。
プ膜22上にMR素子23を形成する。
【0067】MR素子23を形成するに際しては、パー
マロイをスパッタリングや蒸着によって成膜した後、そ
の長手方向がABS面に対して垂直となるように平面長
方形パターンに形成する。
マロイをスパッタリングや蒸着によって成膜した後、そ
の長手方向がABS面に対して垂直となるように平面長
方形パターンに形成する。
【0068】溝部17におけるMR素子23の状態を図
22に拡大して示すが、当該溝部17では平坦化工程で
研磨面が平坦となされていることから、バイアス導体2
0とMR素子23との対向間距離がギャップ膜22によ
って絶縁を図るに充分な距離とされる。したがって、狭
ギャップ化のためにギャップ膜22を薄くした場合でも
MR素子23とバイアス導体20間の短絡を確実に回避
することができる。
22に拡大して示すが、当該溝部17では平坦化工程で
研磨面が平坦となされていることから、バイアス導体2
0とMR素子23との対向間距離がギャップ膜22によ
って絶縁を図るに充分な距離とされる。したがって、狭
ギャップ化のためにギャップ膜22を薄くした場合でも
MR素子23とバイアス導体20間の短絡を確実に回避
することができる。
【0069】なお、上述の工程では図14に示す第1の
絶縁膜18を形成した後に溝部17以外の絶縁膜18を
除去する工程を入れているが、この工程を省略して第1
の絶縁膜18形成工程後に次工程の平坦化膜である第2
の絶縁膜21を形成するようにしてもよい。
絶縁膜18を形成した後に溝部17以外の絶縁膜18を
除去する工程を入れているが、この工程を省略して第1
の絶縁膜18形成工程後に次工程の平坦化膜である第2
の絶縁膜21を形成するようにしてもよい。
【0070】次に、図23に示すように、MR素子23
の先端に先端電極24を形成する。その後、MR素子2
3の後端側にフラックスガイド25を形成する。
の先端に先端電極24を形成する。その後、MR素子2
3の後端側にフラックスガイド25を形成する。
【0071】次いで、このフラックスガイド25の一部
に積層する形で後端電極26を形成する。このとき、後
端電極26と同層で、溝部17に埋め込まれたバイアス
導体20の両端に接続するバイアス引き出し導体27を
それぞれ形成する。バイアス引き出し導体27は、後端
電極26と別工程で形成してもよいが、電極材質・膜厚
共に同じにできるので本実施例では同時形成とした。
に積層する形で後端電極26を形成する。このとき、後
端電極26と同層で、溝部17に埋め込まれたバイアス
導体20の両端に接続するバイアス引き出し導体27を
それぞれ形成する。バイアス引き出し導体27は、後端
電極26と別工程で形成してもよいが、電極材質・膜厚
共に同じにできるので本実施例では同時形成とした。
【0072】次に、図24に示すように、絶縁層を介し
て上部シールド磁性体28を積層形成する。ここで形成
する上部シールド磁性体28は、下部シールド磁性体1
5よりも外形寸法が小さいパターンとして形成すると共
に、バイアス導体20とバイアス引き出し導体27との
接続部が上部シールド磁性体28と重ならないようにす
る。
て上部シールド磁性体28を積層形成する。ここで形成
する上部シールド磁性体28は、下部シールド磁性体1
5よりも外形寸法が小さいパターンとして形成すると共
に、バイアス導体20とバイアス引き出し導体27との
接続部が上部シールド磁性体28と重ならないようにす
る。
【0073】それにより、バイアス引き出し導体27と
MR素子23の引き出し導体を兼ねた上部シールド磁性
体28の絶縁不良が確実に回避できる。
MR素子23の引き出し導体を兼ねた上部シールド磁性
体28の絶縁不良が確実に回避できる。
【0074】そして最後に、端子部を形成してMRヘッ
ドを完成する。
ドを完成する。
【0075】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のMRヘッドにおいては、MR素子にバイアス磁界を
印加するためのバイアス導体を、電極が形成される側と
は反対側に設けられるシールド磁性体の溝部に埋め込
み、MR素子とシールド磁性体との対向間距離を大とな
し、それによって当該MR素子に入ったバイアス磁界を
上記シールド磁性体へと漏洩することを防止するように
しているので、MR素子に印加されるバイアス磁界のバ
イアス分布を均一なものとすることができる。その結
果、線形性が改善され再生波形の歪みを解消することが
できる。
明のMRヘッドにおいては、MR素子にバイアス磁界を
印加するためのバイアス導体を、電極が形成される側と
は反対側に設けられるシールド磁性体の溝部に埋め込
み、MR素子とシールド磁性体との対向間距離を大とな
し、それによって当該MR素子に入ったバイアス磁界を
上記シールド磁性体へと漏洩することを防止するように
しているので、MR素子に印加されるバイアス磁界のバ
イアス分布を均一なものとすることができる。その結
果、線形性が改善され再生波形の歪みを解消することが
できる。
【0076】また、本発明のMRヘッドにおいては、バ
イアス導体を溝部より突出しないように完全に埋め込ん
でいるので、その上に形成されるMR素子とバイアス導
体との短絡を確実に回避することができる。特に、バイ
アス導体を絶縁膜によって埋め込んだ溝部の表面が平坦
化されているので、その上に成膜されるギャップ膜を薄
くしても、充分にMR素子とバイアス導体との対向間距
離が確保できることから、当該MR素子とバイアス導体
との短絡を防止できる。
イアス導体を溝部より突出しないように完全に埋め込ん
でいるので、その上に形成されるMR素子とバイアス導
体との短絡を確実に回避することができる。特に、バイ
アス導体を絶縁膜によって埋め込んだ溝部の表面が平坦
化されているので、その上に成膜されるギャップ膜を薄
くしても、充分にMR素子とバイアス導体との対向間距
離が確保できることから、当該MR素子とバイアス導体
との短絡を防止できる。
【0077】さらに本発明のMRヘッドにおいては、バ
イアス導体を埋め込む溝部を下部シールド磁性体にのみ
形成しているので、溝部内に段差が生じず、該段差部で
起こる被膜不良を回避でき、バイアス導体の断線を防止
することができる。また、同様に溝部内には段差が生じ
ないことから、バイアス導体と下部シールド磁性体との
絶縁不良がより一層回避できる。さらに、溝部内のバイ
アス導体の高さが同一高さとなることから、下部シール
ド磁性体の上面よりバイアス導体が露出せず、平坦化研
磨による該バイアス導体の研磨が回避され、当該バイア
ス導体の導通不良を回避することができる。
イアス導体を埋め込む溝部を下部シールド磁性体にのみ
形成しているので、溝部内に段差が生じず、該段差部で
起こる被膜不良を回避でき、バイアス導体の断線を防止
することができる。また、同様に溝部内には段差が生じ
ないことから、バイアス導体と下部シールド磁性体との
絶縁不良がより一層回避できる。さらに、溝部内のバイ
アス導体の高さが同一高さとなることから、下部シール
ド磁性体の上面よりバイアス導体が露出せず、平坦化研
磨による該バイアス導体の研磨が回避され、当該バイア
ス導体の導通不良を回避することができる。
【0078】一方、本発明のMRヘッドの製造方法によ
れば、下部シールド磁性体に形成された溝部も平坦化で
きるため、その上にギャップ膜を介して成膜されるMR
素子とバイアス導体との短絡を防止することができる。
したがって、ギャップ膜を薄くして狭ギャップ化を図っ
た場合においても充分にMR素子とバイアス導体との短
絡が回避でき、狭トラック化の図れる高密度記録に対応
したMRヘッドを提供することができる。また、平坦化
された溝部上に成膜されたギャップ膜の絶縁性の確保と
密着性の向上も達成できる。
れば、下部シールド磁性体に形成された溝部も平坦化で
きるため、その上にギャップ膜を介して成膜されるMR
素子とバイアス導体との短絡を防止することができる。
したがって、ギャップ膜を薄くして狭ギャップ化を図っ
た場合においても充分にMR素子とバイアス導体との短
絡が回避でき、狭トラック化の図れる高密度記録に対応
したMRヘッドを提供することができる。また、平坦化
された溝部上に成膜されたギャップ膜の絶縁性の確保と
密着性の向上も達成できる。
【図1】本発明を適用したMRヘッドの拡大断面図であ
る。
る。
【図2】本発明を適用したMRヘッドの平面図である。
【図3】バイアス導体を積層膜構造した例を示す要部拡
大断面図である。
大断面図である。
【図4】MRヘッドのバイアス分布をシュミレーション
した結果を示す特性図である。
した結果を示す特性図である。
【図5】PW50を説明するための波形図である。
【図6】バイアス導体を埋め込む溝部を下部シールド磁
性体とその周囲に設けられる保護膜材とに跨がって形成
した例を示すMRヘッドの平面図である。
性体とその周囲に設けられる保護膜材とに跨がって形成
した例を示すMRヘッドの平面図である。
【図7】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順次
示すもので、磁性膜形成工程を示す要部拡大断面図であ
る。
示すもので、磁性膜形成工程を示す要部拡大断面図であ
る。
【図8】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順次
示すもので、下部シールド磁性体形成工程を示す要部拡
大断面図である。
示すもので、下部シールド磁性体形成工程を示す要部拡
大断面図である。
【図9】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順次
示すもので、平坦化膜形成工程を示す要部拡大断面図で
ある。
示すもので、平坦化膜形成工程を示す要部拡大断面図で
ある。
【図10】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、平坦化工程を示す要部拡大断面図であ
る。
次示すもので、平坦化工程を示す要部拡大断面図であ
る。
【図11】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、下部シールド磁性体に溝部を形成する工
程を示す要部拡大断面図である。
次示すもので、下部シールド磁性体に溝部を形成する工
程を示す要部拡大断面図である。
【図12】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、第1の絶縁膜形成工程を示す要部拡大断
面図である。
次示すもので、第1の絶縁膜形成工程を示す要部拡大断
面図である。
【図13】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、金属膜形成工程を示す要部拡大断面図で
ある。
次示すもので、金属膜形成工程を示す要部拡大断面図で
ある。
【図14】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、バイアス導体形成工程を示す要部拡大断
面図である。
次示すもので、バイアス導体形成工程を示す要部拡大断
面図である。
【図15】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、第1の絶縁膜エッチング工程を示す要部
拡大断面図である。
次示すもので、第1の絶縁膜エッチング工程を示す要部
拡大断面図である。
【図16】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、第2の絶縁膜形成工程を示す要部拡大断
面図である。
次示すもので、第2の絶縁膜形成工程を示す要部拡大断
面図である。
【図17】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、平坦化工程を示す要部拡大断面図であ
る。
次示すもので、平坦化工程を示す要部拡大断面図であ
る。
【図18】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、図15の溝部を拡大して示す要部拡大断
面図である。
次示すもので、図15の溝部を拡大して示す要部拡大断
面図である。
【図19】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、ギャップ膜形成工程を示す要部拡大断面
図である。
次示すもので、ギャップ膜形成工程を示す要部拡大断面
図である。
【図20】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、図19の溝部を拡大して示す要部拡大断
面図である。
次示すもので、図19の溝部を拡大して示す要部拡大断
面図である。
【図21】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、MR素子形成工程を示す要部拡大断面図
である。
次示すもので、MR素子形成工程を示す要部拡大断面図
である。
【図22】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、図21の溝部を拡大して示す要部拡大断
面図である。
次示すもので、図21の溝部を拡大して示す要部拡大断
面図である。
【図23】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、電極形成工程を示す平面図である。
次示すもので、電極形成工程を示す平面図である。
【図24】本発明を適用したMRヘッドの製造工程を順
次示すもので、上部シールド磁性体形成工程を示す平面
図である。
次示すもので、上部シールド磁性体形成工程を示す平面
図である。
【図25】従来構造のMRヘッドの拡大断面図である。
【図26】従来構造のMRヘッドのMR素子にかかる磁
束の量を示す特性図である。
束の量を示す特性図である。
【符号の説明】 1 下部シールド磁性体 2 上部シールド磁性体 3 先端電極 4 後端電極 5 MR素子 6 バイアス導体 6a,6b バイアス引き出し導体 7 ABS面 8 ギャップ膜 9 フラックスガイド 10 溝部 11 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 伸浩 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 高田 昭夫 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 黒須 実喜也 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 大島 千鶴 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 磁気記録媒体との対接面に対して長手方
向が垂直となるように配される磁気抵抗効果素子と、 上記磁気記録媒体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス導体と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
及びバイアス導体を挟み込む一対のシールド磁性体とを
備えてなり、 上記バイアス導体は、電極が形成される側とは反対側に
設けられるシールド磁性体の溝部に埋め込まれているこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項2】 バイアス導体は、Ti膜,Cu膜,Ti
膜よりなり、この順に積層された積層膜構造とされてい
ることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。 - 【請求項3】 磁気記録媒体との対接面に対して長手方
向が垂直となるように配される磁気抵抗効果素子と、 上記磁気記録媒体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス導体と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
及びバイアス導体を挟み込む下部シールド磁性体と上部
シールド磁性体とを備えてなり、 上記バイアス導体は、下部シールド磁性体にのみ形成さ
れた溝部に埋め込まれると共に、バイアス引き出し導体
との接続部がこの下部シールド磁性体形成部分に設けら
れていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項4】 下部シールド磁性体が上部シールド磁性
体よりも大きく、且つ溝部のバイアス導体とバイアス引
き出し導体との接続部が上部シールド磁性体と重ならな
いことを特徴とする請求項3記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。 - 【請求項5】 基板上に形成された下部シールド磁性体
に溝部を形成する工程と、 上記溝部を含めて下部シールド磁性体上に第1の絶縁膜
を成膜する工程と、 上記第1の絶縁膜上に金属膜を成膜する工程と、 上記金属膜をエッチングし、該金属膜を溝部内にのみ残
存させ且つ溝部より飛び出ないようにバイアス導体を形
成する工程と、 上記溝部を含めて下部シールド磁性体上に第2の絶縁膜
を成膜する工程と、 下部シールド磁性体が露出するまで第2の絶縁膜を平面
研磨し、当該下部シールド磁性体の研磨面を平坦化する
工程とを有してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21495994A JPH07240012A (ja) | 1993-11-30 | 1994-09-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
EP19950104755 EP0701247B1 (en) | 1994-09-08 | 1995-03-30 | Magneto-resistive head |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30051793 | 1993-11-30 | ||
JP6-717 | 1994-01-10 | ||
JP5-300517 | 1994-01-10 | ||
JP71794 | 1994-01-10 | ||
JP21495994A JPH07240012A (ja) | 1993-11-30 | 1994-09-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07240012A true JPH07240012A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=27274570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21495994A Withdrawn JPH07240012A (ja) | 1993-11-30 | 1994-09-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07240012A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6084752A (en) * | 1996-02-22 | 2000-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP21495994A patent/JPH07240012A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6084752A (en) * | 1996-02-22 | 2000-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
US6400537B2 (en) | 1996-02-22 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5809636A (en) | Method of making a magnetoresistive thin film magnetic head with specific shapes of leads | |
JP3583649B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気抵抗効果装置 | |
JP2002025015A (ja) | 磁気トンネル効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH04351706A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
US5867350A (en) | Magneto-resistance effect head with insulated bias conductor embedded in shield groove | |
JPH08167124A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
US6662433B1 (en) | Method of fabricating the thin film magnetic head | |
JP3530064B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法 | |
JP3553393B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH07240012A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JP2002025014A (ja) | 磁気トンネル効果型磁気ヘッド及び記録再生装置 | |
EP0701247B1 (en) | Magneto-resistive head | |
JPH103617A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH10269523A (ja) | 磁気ヘッドおよびこれを用いた磁気記録装置 | |
JP4356253B2 (ja) | 磁気トンネル効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
JP2002026423A (ja) | 磁気トンネル接合素子の製造方法及び磁気トンネル効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
JP3000905B2 (ja) | 誘導型・mr型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH07230611A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドのヘッド特性測定方法及びその測定に用いるヘッド特性測定用磁気ヘッド | |
JP2000339639A (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法 | |
JPH0830928A (ja) | ヘッド特性測定用磁気ヘッド | |
JP4010702B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JP2002183914A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH08235532A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JPH11185221A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JPS60254404A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |