JPH07230773A - Electron gun for cathode-ray tube and manufacture of grid electrode for the same - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To suppress generation of stray emission by forming a half or more of plate thickness in a far side from a cathode electrode in an electron beam passing hole of the second grid electrode into a shape of increasing a bore size in accordance with becoming more distant from the cathode electrode. CONSTITUTION:In the upward of a cathode electrode 4, the first/second/third grid electrodes 1, 2, 3 are arranged in a multistage with a prescribed space apart. Electron beam passing holes 1a, 2a, 3a, provided respectively in the first/ second/third electrodes 1, 2, 3, are coaxially arranged, and a hole wall surface of the electron beam passing hole 2a is formed in a sloped surface 2c having a prescribed tilt angle theta relating to a hole axis. This sloped surface 2c is formed into a reverse truncated cone shape in which a half or more of plate thickness in a far side from the cathode electrode 4 of the electron beam passing hole 2a enlarges a bore size in accordance with becoming more distant from the cathode electrode 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えばＣＲＴなどに
使用される陰極線管用電子銃およびそのグリッド電極の
製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron gun for a cathode ray tube used in, for example, a CRT and a method for manufacturing a grid electrode thereof.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図１６は、例えば特開平３−１７９６４
４号公報に示された従来の陰極線管用電子銃におけるグ
リッド電極を示す断面図である。この図１６において、
１は引き出す電子の量を制御する第１グリッド電極、１
ａは第１グリッド電極１に形成された電子ビーム通過
孔、２は第２グリッド電極、２ａは第２グリッド電極２
に形成された電子ビーム通過孔、２ｂは電子ビーム通過
孔２ａの第３グリッド電極側孔縁部に形成された板厚の
１０〜２０％程度の曲率半径を持つ円弧状の曲面、３は
第３グリッド電極、３ａは第３グリッド電極３に形成さ
れた電子ビーム通過孔、４は電子を放出するカソード電
極である。これらカソード電極４および第１・第２・第
３グリッド電極１，２，３それぞれは電子ビーム通過孔
１ａ，２ａ，３ａの孔軸を同軸としその孔軸方向に所定
間隔をもって多段に配置されている。2. Description of the Related Art FIG. 16 shows, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 17964/1993.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a grid electrode in the conventional electron gun for a cathode ray tube shown in Japanese Unexamined Patent Publication No. 4 (1994). In this FIG.
1 is a first grid electrode for controlling the amount of electrons to be extracted, 1
a is an electron beam passage hole formed in the first grid electrode 1, 2 is a second grid electrode, 2a is a second grid electrode 2
2b is an arc-shaped curved surface having a radius of curvature of about 10 to 20% of the plate thickness formed at the edge portion of the electron beam passage hole 2a on the third grid electrode side, and 3 is a third 3 grid electrodes, 3a are electron beam passage holes formed in the third grid electrode 3, and 4 is a cathode electrode which emits electrons. The cathode electrode 4 and the first, second and third grid electrodes 1, 2 and 3 are arranged in multiple stages with the hole axes of the electron beam passage holes 1a, 2a and 3a being coaxial and having a predetermined interval in the hole axis direction. There is.

【０００３】次に上記のように構成された従来例の動作
を説明する。第１グリッド電極１の下方に設置されたカ
ソード電極４から引き出された電子ビームは、第１・第
２・第３グリッド電極１，２，３それぞれの電子ビーム
通過孔１ａ，２ａ，３ａ３を順に通って第３グリッド電
極３の上方に設置される図外のレンズ群によって収束・
偏向されてレンズ群の上側に設置される図外の蛍光面に
入射する。この過程において、第２グリッド電極２の電
子ビーム通過孔２ａの第３グリッド電極側孔縁部として
の曲面２ｂが電界集中を緩和して耐電圧特性を向上させ
る。Next, the operation of the conventional example configured as described above will be described. The electron beam extracted from the cathode electrode 4 installed below the first grid electrode 1 sequentially passes through the electron beam passage holes 1a, 2a, 3a3 of the first, second and third grid electrodes 1, 2, 3 respectively. Convergence by a lens group (not shown) installed above the third grid electrode 3
The light is deflected and enters a fluorescent screen (not shown) installed above the lens group. In this process, the curved surface 2b of the electron beam passage hole 2a of the second grid electrode 2 as the hole edge portion on the third grid electrode side relaxes the electric field concentration and improves the withstand voltage characteristics.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の電
子銃では、電子ビームの発生中にカソード電極４に含ま
るれるＢａが温度上昇のために蒸発して第１・第２・第
３グリッド電極１，２，３の様々の部分に付着するが、
第２グリッド電極２の電子ビーム通過孔２ａの第３グリ
ッド電極側孔縁部を板厚の１０〜２０％程度を半径とす
る曲面２ｂに形成したものについてＢａが同様に付着す
るかを実験したところ、図１７に示すような実験結果を
得た。この図１７を考察すると、電子ビーム通過孔２ａ
の孔壁面および曲面２ｂにはＢａが多量に付着すること
が確認できる。このようにＢａが多量に付着すると、そ
こから余分な電子を放出する、いわゆる「ストレーエミ
ッション」と呼ばれる現象が起こり、画面の劣化を引き
起こす原因となるという問題が内在する。特に、Ｂａの
付着がストレーエミッションの発生の原因となるのは、
電界が集中する電子ビーム通過孔２のカソード電極４か
ら遠い側としての第３グリッド電極側である。In the conventional electron gun as described above, the Ba contained in the cathode electrode 4 evaporates due to the temperature rise during the generation of the electron beam, and the first, second and third electron guns are evaporated. It adheres to various parts of the grid electrodes 1, 2 and 3,
It was tested whether Ba adheres similarly in the case where the hole edge of the electron beam passage hole 2a of the second grid electrode 2 on the third grid electrode side is formed on the curved surface 2b having a radius of about 10 to 20% of the plate thickness. However, the experimental results shown in FIG. 17 were obtained. Considering FIG. 17, the electron beam passage hole 2a
It can be confirmed that a large amount of Ba adheres to the hole wall surface and the curved surface 2b. When a large amount of Ba adheres in this way, a phenomenon called so-called "stray emission" occurs in which extra electrons are emitted from the adhered Ba, which causes a problem of causing deterioration of the screen. In particular, the adhesion of Ba causes the generation of stray emission.
It is the side of the third grid electrode as the side far from the cathode electrode 4 of the electron beam passage hole 2 where the electric field is concentrated.

【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、第１の目的はグリッド電極の電子
ビーム通過孔のカソード電極から遠い側の孔壁面へのＢ
ａの付着量を低減してストレーエミッションの発生を抑
制できる陰極線管用電子銃を得ることである。The present invention has been made to solve the above problems. A first object of the present invention is to provide the electron beam passage hole of the grid electrode to the wall surface of the hole on the side remote from the cathode electrode.
It is to obtain an electron gun for a cathode ray tube capable of suppressing the amount of adhered a and suppressing the generation of stray emission.

【０００６】また第２の目的はグリッド電極の電子ビー
ム通過孔のカソード電極から遠い側の孔壁面へのＢａの
付着量を低減してストレーエミッションの発生を抑制で
きる陰極線管用電子銃のグリッド電極を高精度に製造す
る方法を提供することである。A second object is to provide a grid electrode for an electron gun for a cathode ray tube capable of suppressing the occurrence of stray emission by reducing the amount of Ba deposited on the wall surface of the electron beam passage hole of the grid electrode on the side remote from the cathode electrode. It is to provide a method of manufacturing with high accuracy.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項１に記載した第１
の発明に係る陰極線管用電子銃は、カソード電極から電
子ビームを引き出す第２グリッド電極の電子ビーム通過
孔におけるカソード電極から遠い側の板厚の１／２以上
がカソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大きくなる
形状に形成されたものである。[Means for Solving the Problem] A first aspect described in claim 1.
In the electron gun for a cathode ray tube according to the invention described above, the hole diameter becomes larger as ½ or more of the plate thickness on the side farther from the cathode electrode in the electron beam passage hole of the second grid electrode for drawing out the electron beam from the cathode electrode becomes farther from the cathode electrode. It is formed in a shape.

【０００８】請求項２に記載した第２の発明に係る陰極
線管用電子銃は、第１の発明における電極の電子ビーム
通過孔のカソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大き
くなる形状が電子ビーム通過孔の孔壁面を孔軸に対し１
０°以上の傾斜角度を持つ傾斜面にて構成されたもので
ある。In the electron gun for a cathode ray tube according to a second aspect of the present invention, the electron beam passage hole of the electrode of the first invention has a shape in which the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode increases. Wall surface to the hole axis 1
It is composed of an inclined surface having an inclination angle of 0 ° or more.

【０００９】請求項３に記載した第３の発明に係る陰極
線管用電子銃は、第１の発明における電極の電子ビーム
通過孔のカソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大き
くなる形状が複数の異なる傾斜角度を有する傾斜面また
は円弧状の曲面にて構成され、この傾斜面の孔軸との傾
斜角度または曲面上の接線の孔軸との傾斜角度が第２グ
リッド電極の電子ビーム通過孔のカソード電極から遠い
側の板厚の１／２以上でθ＝Ｔａｎ^-1（Ｄ／Ｌ）よりも
大きい角度に設定されたものである。ただし、上記式に
おいて、Ｄは電子ビーム通過孔の直径の最小値であり、
Ｌは第１グリッド電極と第２グリッド電極との距離に第
２グリッド電極の板厚を加えた寸法である。In the electron gun for a cathode ray tube according to a third aspect of the present invention, the electron beam passage hole of the electrode according to the first aspect of the invention has a shape in which the hole diameter increases with increasing distance from the cathode electrode, and the electron gun has a plurality of different inclination angles. The inclined angle of the inclined surface with respect to the hole axis of the second grid electrode is far from the cathode electrode of the electron beam passage hole of the second grid electrode. The angle is set to be larger than [theta] = Tan < ^-1 > (D / L) at 1/2 or more of the side plate thickness. However, in the above equation, D is the minimum value of the diameter of the electron beam passage hole,
L is a dimension obtained by adding the plate thickness of the second grid electrode to the distance between the first grid electrode and the second grid electrode.

【００１０】請求項４に記載した第４の発明に係る陰極
線管用電子銃は、第１の発明における電極の電子ビーム
通過孔のカソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大き
くなる形状が第２グリッド電極の電子ビーム通過孔のカ
ソード電極側最下端孔縁部と第１グリッド電極の電子ビ
ーム通過孔のカソード電極側最下端孔縁部とを対角線状
に結ぶ直線よりもカソード電極側に位置する傾斜面また
は曲面にて構成されたものである。In the electron gun for a cathode ray tube according to a fourth aspect of the present invention, the electron beam passage hole of the electrode according to the first aspect of the invention has a shape in which the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode increases. An inclined surface or a curved surface located on the cathode electrode side with respect to a straight line diagonally connecting the lowermost edge of the beam passage hole on the cathode electrode side and the lowermost edge of the electron beam passage hole of the first grid electrode on the cathode electrode side. It is composed of.

【００１１】請求項５に記載した第５の発明に係る陰極
線管用電子銃のグリッド電極の製造方法は、第２グリッ
ド電極に孔壁面が孔軸に沿う直孔を穴明け加工し、この
直孔に特定形状のポンチを加圧挿入し、直孔の孔壁面を
カソード電極から遠い側の板厚の１／２以上がカソード
電極から遠ざかるにつれて孔径が大きくなる形状に塑性
変形して電子ビーム通過孔を形成するようにしたもので
ある。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a grid electrode for an electron gun for a cathode ray tube, wherein the second grid electrode is formed with a straight hole whose wall surface is along the hole axis. A punch of a specific shape is pressed into the hole, and the hole wall surface of the straight hole is plastically deformed to a shape in which the hole diameter becomes larger as more than 1/2 of the plate thickness on the side far from the cathode electrode becomes farther from the cathode electrode, and the electron beam passage hole is formed. Are formed.

【００１２】請求項６に記載した第６の発明に係る陰極
線管用電子銃のグリッド電極の製造方法は、第２グリッ
ド電極のカソード電極側表面全面にレジスト膜を付ける
とともに第２グリッド電極の反カソード電極側表面の電
子ビーム通過孔形成部分以外にレジスト膜を付け、この
レジスト膜から露出する第２グリッド電極の素材をエッ
チング液にて孔壁面のカソード電極から遠い側の板厚の
１／２以上がカソード電極から遠ざかるにつれて孔径が
大きくなる形状に除去して電子ビーム通過孔を形成する
ようにしたものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a grid electrode of an electron gun for a cathode ray tube, wherein a resist film is applied to the entire surface of the second grid electrode on the cathode electrode side, and an anti-cathode of the second grid electrode is provided. A resist film is attached to a portion other than the electron beam passage hole forming portion on the electrode side surface, and the material of the second grid electrode exposed from the resist film is etched with an etchant and is 1/2 or more of the plate thickness on the side far from the cathode electrode on the hole wall surface. Is formed so that the electron beam passage hole is formed by removing the hole in a shape in which the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode increases.

【００１３】請求項７に記載した第７の発明に係る陰極
線管用電子銃のグリッド電極の製造方法は、第６の発明
におけるエッチング液による第２グリッド電極の素材の
除去処理を第２グリッド電極をエッチング液に浸すよう
にしたものである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a grid electrode of an electron gun for a cathode ray tube according to the sixth aspect of the invention, wherein the material for removing the second grid electrode is removed by the etching solution of the second grid electrode. It is soaked in an etching solution.

【００１４】請求項８に記載した第８の発明に係る陰極
線管用電子銃のグリッド電極の製造方法は、第６の発明
におけるエッチング液による第２グリッド電極の素材の
除去処理をレジスト膜から露出する第２グリッド電極の
素材にエッチング液を吹き付けるようにしたものであ
る。According to the eighth aspect of the present invention, in the method of manufacturing the grid electrode of the electron gun for a cathode ray tube according to the eighth aspect of the invention, the process for removing the material of the second grid electrode with the etching solution in the sixth aspect is exposed from the resist film. An etching solution is sprayed on the material of the second grid electrode.

【００１５】[0015]

【作用】第１の発明の陰極線管用電子銃はカソード電極
から蒸発したＢａの第２グリッド電極の電子ビーム通過
孔のカソード電極から遠い側の孔縁部への付着量が低減
し、ストレーエミッションの発生を抑制する。In the electron gun for a cathode ray tube according to the first aspect of the present invention, the amount of Ba evaporated from the cathode electrode to the edge portion of the electron beam passage hole of the second grid electrode on the side far from the cathode electrode is reduced, and the stray emission of Suppress the occurrence.

【００１６】第２乃至第４の発明の陰極線管用電子銃は
カソード電極から蒸発したＢａの第２グリッド電極の電
子ビーム通過孔のカソード電極から遠い側の孔縁部への
付着量がほとんどない程度まで低減し、ストレーエミッ
ションの発生を好適に抑制する。In the electron gun for a cathode ray tube according to the second to fourth inventions, there is almost no deposition amount of Ba vaporized from the cathode electrode on the edge of the electron beam passage hole of the second grid electrode on the side remote from the cathode electrode. To minimize the occurrence of stray emissions.

【００１７】第５の発明の製造方法は、穴明け加工と塑
性変形加工との２工程によってカソード電極から遠い側
の板厚の１／２以上がカソード電極から遠ざかるにつれ
て孔径が大きくなる形状を有する電子ビーム通過孔を形
成することから、穴明けによって形成された直孔が孔壁
面の塑性変形時の基準となり、上記電子ビーム通過孔の
加工が短時間で済み、加工精度が極めて高くなる。According to the manufacturing method of the fifth aspect of the present invention, the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode increases by ½ or more of the plate thickness on the side far from the cathode electrode by the two steps of drilling and plastic deformation. Since the electron beam passage hole is formed, the straight hole formed by drilling serves as a reference for plastic deformation of the hole wall surface, the machining of the electron beam passage hole can be completed in a short time, and the machining accuracy becomes extremely high.

【００１８】第６の発明の製造方法は、エッチング液に
よるエッチング加工によってカソード電極から遠い側の
板厚の１／２以上がカソード電極から遠ざかるにつれて
孔径が大きくなる形状を有する電子ビーム通過孔を形成
することから、グリッド電極の素材への機械的な衝撃が
少なく、上記電子ビーム通過孔の加工精度が極めて高く
なる。According to the manufacturing method of the sixth aspect of the invention, the electron beam passage hole having a shape in which the hole diameter becomes larger as the distance from the cathode electrode becomes more than 1/2 of the plate thickness on the side far from the cathode electrode is formed by etching processing with an etching solution. Therefore, the mechanical impact on the material of the grid electrode is small, and the processing accuracy of the electron beam passage hole is extremely high.

【００１９】第７の発明の製造方法は、エッチング液の
軸方向エッチングと横方向エッチングとの同時進行によ
って孔壁面の傾斜角度が比較的大きな傾斜面を高加工精
度で形成する。In the manufacturing method according to the seventh aspect of the present invention, the inclined surface having a relatively large inclination angle of the hole wall surface is formed with high processing accuracy by simultaneously performing the axial etching and the lateral etching of the etching solution.

【００２０】第８の発明の製造方法は、エッチング液の
吹き付けに伴い軸方向のエッチング速度が横方向のエッ
チング速度よりも大きくなり、孔壁面の傾斜角度が比較
的小さな傾斜面を高加工精度で形成する。In the manufacturing method of the eighth invention, the etching rate in the axial direction becomes higher than the etching rate in the lateral direction as the etching liquid is sprayed, and the inclined surface having the relatively small inclination angle of the hole wall surface is processed with high processing accuracy. Form.

【００２１】[0021]

【実施例】以下、この発明の各実施例を図１乃至図１５
を用い前述の従来例と同一部分に同一符号を付して説明
する。 実施例１（請求項１、請求項２に対応）．図１はこの発
明の実施例１としての電子銃の主要部を模式的に示す断
面図である。この図１において、第１グリッド電極１と
第２グリッド電極２および第３グリッド電極３はカソー
ド電極４の上方に所定の間隔をもって多段配置され、第
１グリッド電極１に設けられた電子ビーム通過孔１ａと
第２グリッド電極２に設けられた電子ビーム通過孔２ａ
および第３グリッド電極３に設けられた電子ビーム通過
孔３ａは同軸配置され、第２グリッド電極２の電子ビー
ム通過孔２ａの孔壁面は孔軸に対する所定の傾斜角度θ
を有する傾斜面２ｃに形成されている。この傾斜面２ｃ
は電子ビーム通過孔２ａの全周にわたることから電子ビ
ーム通過孔２ａをカソード電極４から遠ざかるにつれて
孔径が大きくなる逆截頭円錐形に形成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Each embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
The same parts as those of the above-described conventional example are designated by the same reference numerals and will be described. Example 1 (corresponding to claim 1 and claim 2). 1 is a sectional view schematically showing a main part of an electron gun as a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the first grid electrode 1, the second grid electrode 2, and the third grid electrode 3 are arranged in multiple stages above the cathode electrode 4 with a predetermined interval, and an electron beam passage hole provided in the first grid electrode 1 is provided. 1a and electron beam passage hole 2a provided in the second grid electrode 2
And the electron beam passage hole 3a provided in the third grid electrode 3 is coaxially arranged, and the hole wall surface of the electron beam passage hole 2a of the second grid electrode 2 has a predetermined inclination angle θ with respect to the hole axis.
Is formed on the inclined surface 2c. This inclined surface 2c
Since it covers the entire circumference of the electron beam passage hole 2a, the electron beam passage hole 2a is formed in an inverted truncated cone shape whose diameter increases as the distance from the cathode electrode 4 increases.

【００２２】この実施例１における傾斜面２ｃの傾斜角
度θを種々の角度に形成し、カソード電極４から蒸発し
たＢａの付着について実験したところ、図２に示す実験
結果を得た。この図２は横軸に傾斜角度θを示し、縦軸
にＢａ付着量を示す。このＢａ付着量は傾斜角度θ＝０
°のときを「１」とした相対値で表示してある。この図
２を考察すると、傾斜角度θが大きくなるにしたがって
傾斜面２ｃのＢａ付着量は減少し、傾斜角度θ＝０°か
ら１０°までの間で傾斜面２ｃのＢａ付着量が急激に減
少し、傾斜角度θ＝１０°から４５°までの間で傾斜面
２ｃのＢａ付着量がやや緩やかに減少し、傾斜角度θ＝
４５°以上になると傾斜面２ｃにＢａが付着できなくな
る。このようなことから、傾斜面２ｃの孔軸に対する傾
斜角度θは１０°以上であれば、大きければ大きいほど
Ｂａの付着量は減少し、ストレーエミッションの発生は
さらに抑制されることになる。When the inclination angle θ of the inclined surface 2c in Example 1 was formed to various angles and the adhesion of Ba evaporated from the cathode electrode 4 was tested, the experimental results shown in FIG. 2 were obtained. In FIG. 2, the horizontal axis represents the inclination angle θ, and the vertical axis represents the amount of deposited Ba. This Ba adhesion amount is the inclination angle θ = 0
It is displayed as a relative value with "1" at ° C. Considering FIG. 2, the amount of Ba deposited on the inclined surface 2c decreases as the inclination angle θ increases, and the amount of Ba deposited on the inclined surface 2c sharply decreases between the inclined angle θ = 0 ° and 10 °. However, the amount of adhered Ba on the inclined surface 2c slightly decreases between the inclination angle θ = 10 ° and 45 °, and the inclination angle θ =
When the angle is 45 ° or more, Ba cannot adhere to the inclined surface 2c. Therefore, if the inclination angle θ of the inclined surface 2c with respect to the hole axis is 10 ° or more, the larger the amount, the smaller the amount of Ba deposited, and the more the stray emission is further suppressed.

【００２３】また、この実施例１の傾斜面２ｃに１０°
の傾斜角度と３０°の傾斜角度とを付けた場合の傾斜面
２ｃにおけるＢａの付着状況を表す実験結果を図３に示
す。第２グリッド電極２の電子ビーム通過孔２の構造は
軸対象であるため、図３には電子ビーム通過孔２の左半
分のみを図示してある。図３のａ図には電子ビーム通過
孔２の孔壁面２ｄに傾斜を付けない（電子ビーム通過孔
２ａは孔壁面２ｄが孔軸に沿う直孔に形成され、電子ビ
ーム通過孔２ａの第３グリッド電極側孔縁部が曲面に形
成されていない）対比例の実験結果を示し、図３のｂ図
には傾斜面２ｃに１０°の傾斜角度を付けた実施例１の
実験結果を示し、図３のｃ図には傾斜面２ｃに３０°の
傾斜角度を付けた実施例１の実験結果を示す。この図３
を考察すると、電子ビーム通過孔２の孔壁面を孔軸に対
し１０°の傾斜角度を付けた傾斜面２ｃに形成したもの
はＢａの付着量が対比例に比べて１／２に減少し、３０
°の傾斜角度を付けた傾斜面２ｃに形成したものはＢａ
の付着量が対比例に比べて約１／４に減少していること
がわかる。このようなＢａの付着量の減少により、スト
レーエミッションの発生が抑制できる。In addition, the inclined surface 2c of the first embodiment has 10 °.
FIG. 3 shows the experimental results showing the adhesion state of Ba on the inclined surface 2c when the inclination angle of 30 ° and the inclination angle of 30 ° are attached. Since the structure of the electron beam passage hole 2 of the second grid electrode 2 is symmetrical, only the left half of the electron beam passage hole 2 is shown in FIG. In FIG. 3A, the hole wall surface 2d of the electron beam passage hole 2 is not inclined (in the electron beam passage hole 2a, the hole wall surface 2d is formed as a straight hole along the hole axis, and the electron beam passage hole 2a has a third hole). (The grid electrode side hole edge is not formed in a curved surface) The experimental result of the proportionality is shown, and the experimental result of Example 1 in which the inclined surface 2c is provided with an inclination angle of 10 ° is shown in FIG. FIG. 3c shows the experimental results of Example 1 in which the inclined surface 2c has an inclination angle of 30 °. This Figure 3
Considering the above, in the case where the hole wall surface of the electron beam passage hole 2 is formed on the inclined surface 2c with an inclination angle of 10 ° with respect to the hole axis, the deposition amount of Ba is reduced to 1/2 as compared with the proportionality. Thirty
What is formed on the inclined surface 2c having an inclination angle of ° is Ba
It can be seen that the amount of adhering is reduced to about 1/4 compared with the proportional amount. Due to such a decrease in the adhered amount of Ba, the generation of stray emission can be suppressed.

【００２４】実施例２（請求項１、請求項２に対応）．
図４はこの発明の実施例２としての第２グリッド電極２
の電子ビーム通過孔２ａの形状とＢａ付着量とを模式的
に示す図である。この図４において、電子ビーム通過孔
２ａはカソード電極４に近い側（図４の下部側）の板厚
の１／２未満の孔壁面が孔軸に沿う平行な直円形面２ｅ
に形成され、カソード電極４から遠い側（図４の上部
側）の板厚の１／２以上の孔壁面を孔軸に対する所定の
傾斜角度θを有しカソード電極４から遠ざかるにつれて
孔径が大きくなる傾斜面２ｆに形成されている。つま
り、この図４に示す電子ビーム通過孔２ａはカソード電
極４から遠い側の板厚の１／２以上の孔壁面が傾斜面２
ｆに形成された皿穴のような形状になっている。その理
由は、ストレーエミッションの発生の原因となるのは特
に電界が集中する電子ビーム通過孔２のカソード電極４
から遠い側としての上部側であるため、傾斜面２ｆは必
ずしも実施例１のように電子ビーム通過孔２ａのカソー
ド電極４に近い側としての下部側から上部側まで全体に
わたって形成する必要はなく、板厚の上部１／２以上あ
ればよいからである。Embodiment 2 (corresponding to claim 1 and claim 2).
FIG. 4 shows a second grid electrode 2 as a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically showing the shape of the electron beam passage hole 2a and the amount of Ba attached. In FIG. 4, the electron beam passage hole 2a has a straight circular surface 2e in which the hole wall surface of the side closer to the cathode electrode 4 (lower side in FIG. 4) is less than 1/2 of the plate thickness is parallel to the hole axis.
And has a hole wall surface that is ½ or more of the plate thickness on the side farther from the cathode electrode 4 (the upper side in FIG. 4) and has a predetermined inclination angle θ with respect to the hole axis, and the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode 4 increases. It is formed on the inclined surface 2f. In other words, in the electron beam passage hole 2 a shown in FIG. 4, the hole wall surface that is ½ or more of the plate thickness on the side far from the cathode electrode 4 has the inclined surface 2.
It is shaped like a countersink formed in f. The reason is that the cause of stray emission is particularly the cathode electrode 4 of the electron beam passage hole 2 where the electric field is concentrated.
Since it is the upper side as the side farther from, the inclined surface 2f does not necessarily have to be formed over the entire area from the lower side to the upper side as the side close to the cathode electrode 4 of the electron beam passage hole 2a as in the first embodiment. This is because it is sufficient if the upper half of the plate thickness is 1/2 or more.

【００２５】この実施例２の傾斜面２ｆの傾斜角度を３
０°にした場合における電子ビーム通過孔２ａの孔壁面
へのＢａの付着状況を図４に網目を付して表した実験結
果について考察すると、電子ビーム通過孔の上部１／２
部分は上記図３のａ図の傾斜角度を付けない対比例に比
べて、Ｂａ付着量が１／４にまで減少しており、その結
果、ストレーエミッションの発生を抑制できることがわ
かる。In the second embodiment, the inclination angle of the inclined surface 2f is set to 3
Considering the experimental results, in which the state of attachment of Ba to the hole wall surface of the electron beam passage hole 2a in the case of 0 ° is shown in FIG.
As compared with the comparative example in which the inclination angle of FIG. 3A is not added, the amount of Ba attached is reduced to 1/4 in the portion, and as a result, it can be seen that stray emission can be suppressed.

【００２６】なお、この実施例２における傾斜面２ｅの
傾斜角度θは実施例１と同様な理由から１０°以上あれ
ばストレーエミッションの発生を抑制できることは明ら
かであろう。It will be apparent that the occurrence of stray emission can be suppressed if the inclination angle θ of the inclined surface 2e in the second embodiment is 10 ° or more for the same reason as in the first embodiment.

【００２７】実施例３（請求項３に対応）．図５はこの
発明の実施例３としての第２グリッド電極２の電子ビー
ム通過孔２ａの形状とＢａ付着量とを模式的に示す図で
ある。図５において、電子ビーム通過孔２ａはその孔壁
面が曲率半径が板厚に等しい円弧状の曲面２ｇに形成さ
れている。この曲面２ｇは電子ビーム通過孔２ａの全周
にわたることから電子ビーム通過孔２ａをカソード電極
４から遠ざかるつれて孔径が大きくなるラッパ形に形成
する。Embodiment 3 (corresponding to claim 3). FIG. 5 is a diagram schematically showing the shape of the electron beam passage holes 2a of the second grid electrode 2 and the amount of adhered Ba as the third embodiment of the present invention. In FIG. 5, the electron beam passage hole 2a has a wall surface formed in an arcuate curved surface 2g having a radius of curvature equal to the plate thickness. Since the curved surface 2g covers the entire circumference of the electron beam passage hole 2a, the electron beam passage hole 2a is formed in a trumpet shape in which the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode 4 increases.

【００２８】この実施例３の場合における電子ビーム通
過孔２ａの孔壁面へのＢａの付着状況を図５に網目を付
して表した実験結果によれば、電子ビーム通過孔２ａの
下孔縁部近傍は上記図３のａ図の傾斜角度を付けない対
比例における下孔縁部と同様に多量のＢａが付着する
が、上方に行くにしたがってＢａ付着量は急激に減少し
ていく。この場合、曲面２ｇの接線と孔軸線とのなす角
度は下部側から上部側に行くにしたがって大きくなり、
板厚の中点より上側では次式（１）で表されるθよりも
大きくなる。 θ＝Ｔａｎ^-1（Ｄ／Ｌ）………（１） ただし、Ｄは電子ビーム通過孔２ａの直径の最小値であ
り、Ｌは第１グリッド電極１と第２グリッド電極２との
距離に第２グリッド電極２の板厚を加えた寸法である
（図１参照）。また図５の網目を付した部分を見ると、
電子ビーム通過孔２ａのθ以上の角度を持つ曲面２ｇに
はＢａは付着しなかった。この実施例３ではθの値が４
５°となるため、板厚の中点より上側ではＢａの付着は
起こらなかった。ストレーエミッションは特に電界が集
中する第３グリッド電極側端近傍で発生しやすいため、
この実施例３のようにその部分のＢａの付着量を０にで
きることは、ストレーエミッションを抑制するには非常
に有効である。According to the experimental result shown in FIG. 5 that the adhesion state of Ba to the hole wall surface of the electron beam passage hole 2a in the case of the third embodiment is shown, the lower edge of the electron beam passage hole 2a is shown. A large amount of Ba adheres in the vicinity of the portion as in the case of the pilot hole edge portion in the comparative example in which the inclination angle in FIG. 3A is not provided, but the Ba adhesion amount decreases sharply as it goes upward. In this case, the angle formed by the tangent to the curved surface 2g and the hole axis increases from the lower side to the upper side,
Above the midpoint of the plate thickness, it becomes larger than θ expressed by the following equation (1). θ = Tan ⁻¹ (D / L) (1) where D is the minimum value of the diameter of the electron beam passage hole 2a and L is the distance between the first grid electrode 1 and the second grid electrode 2. It is a dimension including the plate thickness of the second grid electrode 2 (see FIG. 1). Looking at the shaded area in Fig. 5,
Ba did not adhere to the curved surface 2g of the electron beam passage hole 2a having an angle of θ or more. In the third embodiment, the value of θ is 4
Since it was 5 °, Ba did not adhere above the midpoint of the plate thickness. Since stray emission is likely to occur especially near the third grid electrode side end where the electric field is concentrated,
It is very effective to suppress the stray emission so that the amount of adhered Ba at that portion can be reduced to 0 as in the third embodiment.

【００２９】実施例４（請求項３に対応）．図６はこの
発明の実施例４としての第２グリッド電極２の電子ビー
ム通過孔２ａの形状とＢａ付着量とを模式的に示す図で
ある。この図６において、電子ビーム通過孔２ａはその
孔壁面の第３グリッド電極側の板厚の１／２以上を曲率
半径が同板厚の１／２以上に等しい円弧状の曲面２ｇ’
に形成されている。この実施例４の場合、板厚の１／４
より上側で上記θの値が４５°となるため、板厚の１／
４より第３グリッド電極側ではＢａの付着は全く起こら
なかった。よって、ストレーエミッションの発生が抑制
される。Embodiment 4 (corresponding to claim 3). FIG. 6 is a diagram schematically showing the shape of the electron beam passage hole 2a of the second grid electrode 2 and the amount of Ba deposited as Example 4 of the present invention. In FIG. 6, the electron beam passage hole 2a has an arcuate curved surface 2g 'having a radius of curvature equal to or greater than 1/2 of the plate thickness of the hole wall surface on the side of the third grid electrode.
Is formed in. In the case of this Example 4, 1/4 of the plate thickness
At the upper side, the value of θ becomes 45 °, so 1 / of the plate thickness
No adhesion of Ba took place on the side of the third grid electrode from No. 4. Therefore, generation of stray emission is suppressed.

【００３０】実施例５（請求項１、請求項２に対応）．
図７はこの発明の実施例５としての第２グリッド電極２
の電子ビーム通過孔２ａの形状とＢａ付着量とを模式的
に示す図である。この図７において、電子ビーム通過孔
２ａはその孔壁面が孔軸に対する異なる複数の傾斜角度
を有する傾斜面２ｈ，２ｉに形成されている。例えば、
板厚の下部１／３が孔軸に対し３０°の傾斜角度を持つ
傾斜面２ｈに形成され、上部２／３が孔軸に対し６０°
の傾斜角度を持つ傾斜面２ｉに形成された場合、板厚の
下部１／３ではＢａが上方に行くにしたがって減少し、
板厚の上部２／３ではＢａの付着は全く起こらなかっ
た。よって、ストレーエミッションの発生が抑制され
る。Example 5 (corresponding to claim 1 and claim 2).
FIG. 7 shows a second grid electrode 2 as a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically showing the shape of the electron beam passage hole 2a and the amount of Ba attached. In FIG. 7, the electron beam passage hole 2a has its wall surface formed on inclined surfaces 2h and 2i having different inclination angles with respect to the hole axis. For example,
The lower 1/3 of the plate thickness is formed on the inclined surface 2h having an inclination angle of 30 ° to the hole axis, and the upper 2/3 is 60 ° to the hole axis.
When it is formed on the inclined surface 2i having the inclination angle of, Ba decreases as it goes upward in the lower 1/3 of the plate thickness,
In the upper 2/3 of the plate thickness, Ba did not adhere at all. Therefore, generation of stray emission is suppressed.

【００３１】実施例６（請求項３に対応）．図８はこの
発明の実施例６としての第２グリッド電極２の電子ビー
ム通過孔２ａの形状とＢａ付着量とを模式的に示す図で
ある。この図８において、電子ビーム通過孔２ａはその
孔壁面が上方に行くにしたがって曲率半径が大きくなる
円弧状の曲面２ｊに形成されている。例えば、板厚の下
部１／３と上部２／３との境界点Ｐにおける傾斜角度θ
の値を４５°に形成した場合、板厚の下部１／３ではＢ
ａが上方に行くにしたがって急激に減少し、板厚の上部
２／３ではＢａの付着は全く起こらなかった。よって、
ストレーエミッションの発生が抑制される。Embodiment 6 (corresponding to claim 3). FIG. 8 is a diagram schematically showing the shape of the electron beam passage holes 2a of the second grid electrode 2 and the amount of adhered Ba as the sixth embodiment of the present invention. In FIG. 8, the electron beam passage hole 2a is formed in an arc-shaped curved surface 2j whose radius of curvature increases as the hole wall surface goes upward. For example, the inclination angle θ at the boundary point P between the lower 1/3 and the upper 2/3 of the plate thickness
When the value of is set to 45 °, B is used in the lower 1/3 of the plate thickness.
The value of a decreased sharply as it went upward, and Ba did not adhere to the upper 2/3 of the plate thickness. Therefore,
Generation of stray emissions is suppressed.

【００３２】実施例７（請求項４に対応）．図９はこの
発明の実施例７としての電子銃の主要構成部を模式的に
示した断面図である。この図９において、５は第１グリ
ッド電極１に設けた電子ビーム通過孔１ａのカソード電
極側最下端孔縁部と、第２グリッド電極２に設けた電子
ビーム通過孔２ａのカソード電極側最下端孔縁部とを対
角線状に結ぶ直線である。２ｅは直線５を上方に越えな
いような凹円弧状の曲面２ｋに形成した電子ビーム通過
孔２の孔壁面である。Embodiment 7 (corresponding to claim 4). FIG. 9 is a sectional view schematically showing main components of an electron gun as a seventh embodiment of the present invention. In FIG. 9, 5 is the bottom edge of the electron beam passage hole 1a provided in the first grid electrode 1 on the cathode electrode side, and the bottom edge of the electron beam passage hole 2a provided in the second grid electrode 2 on the cathode electrode side. It is a straight line that connects the edge of the hole diagonally. Reference numeral 2e is a hole wall surface of the electron beam passage hole 2 formed on the curved surface 2k having a concave arc shape so as not to cross the straight line 5 upward.

【００３３】この実施例７によれば、電子ビーム通過孔
２の孔壁面を形成する曲面２ｋが直線５より下側（カソ
ード電極４側）に位置しているので、カソード電極４か
ら蒸発したＢａは第２グリッド電極２の下面で遮られ、
曲面２ｋにはＢａの付着が全く起こらなかった。よっ
て、ストレーエミッションの発生が抑制される。According to the seventh embodiment, since the curved surface 2k forming the hole wall surface of the electron beam passage hole 2 is located below the straight line 5 (cathode electrode 4 side), Ba evaporated from the cathode electrode 4 is formed. Is blocked by the lower surface of the second grid electrode 2,
Ba did not adhere to the curved surface 2k at all. Therefore, generation of stray emission is suppressed.

【００３４】実施例８（請求項４に対応）．図１０はこ
の発明の実施例８としての電子銃の主要構成部を模式的
に示した断面図である。この図１０において、第２グリ
ッド電極２の電子ビーム通過孔２ａのカソード電極側最
下端孔縁部が曲率半径の小さい円弧状の曲面２ｍに形成
され、同孔縁部が鋭利に尖っていないように丸みを有す
るようにしたものであり、直線５は第１グリッド電極１
の電子ビーム通過孔１ａのカソード電極側最下端孔縁部
と上記第２グリッド電極２の電子ビーム通過孔２ａの曲
面２ｍとに接する対角線状に引くものとする。この電子
ビーム通過孔２における曲面２ｍの直線５との接点より
上側の孔壁面は上方に行くにしたがって曲率半径が大き
くなる凸円弧状の曲面２ｎに形成されている。この曲面
２ｎと上記曲面２ｍとは直線５との接点において段差な
く滑らかに連なっている。Embodiment 8 (corresponding to claim 4). FIG. 10 is a sectional view schematically showing the main components of an electron gun as an eighth embodiment of the present invention. In FIG. 10, the cathode-electrode-side lowermost hole edge of the electron beam passage hole 2a of the second grid electrode 2 is formed into an arc-shaped curved surface 2m having a small radius of curvature, and the hole edge is not sharply pointed. And the straight line 5 is the first grid electrode 1
It is assumed that the electron beam passage hole 1a is drawn in a diagonal line in contact with the edge portion of the cathode electrode side lower end hole and the curved surface 2m of the electron beam passage hole 2a of the second grid electrode 2. The hole wall surface above the contact point of the curved surface 2m of the electron beam passage hole 2 with the straight line 5 is formed into a convex arc-shaped curved surface 2n whose curvature radius increases as it goes upward. The curved surface 2n and the curved surface 2m are smoothly connected at the point of contact with the straight line 5 without any step.

【００３５】この実施例８によれば、カソード最下端孔
縁部の曲面２ｍのカソード電極４側にはＢａが付着する
ことになるが、その丸みより上方につらなる凸円弧状の
曲面２ｎにはＢａが全く付着しないしないので、ストレ
ーエミッションの発生が抑制される。このカソード最下
端孔縁部の曲面２ｍの曲率半径は小さければ小さいほど
Ｂａの付着が減少する。しかも、この実施例８のように
電子ビーム通過孔２ａの最下端孔縁部を曲面２ｍに形成
して丸みを付けたことにより、電子ビーム通過孔２ａの
カソード電極側最下端孔縁部における電界の集中を緩和
できる利点もある。According to the eighth embodiment, Ba adheres to the cathode electrode 4 side of the curved surface 2m at the edge of the lowermost hole of the cathode, but the convex arc-shaped curved surface 2n that hangs above the roundness is Ba. Since Ba does not adhere at all, generation of stray emission is suppressed. The smaller the radius of curvature of the curved surface 2m at the edge of the lowermost hole of the cathode, the smaller the adhesion of Ba. In addition, as in Example 8, the lowermost hole edge portion of the electron beam passage hole 2a is formed into a curved surface 2m and is rounded, so that the electric field at the lowermost hole edge portion of the electron beam passage hole 2a on the cathode electrode side. There is also an advantage that the concentration of can be eased.

【００３６】実施例９（請求項５に対応）．図１１はこ
の発明の実施例９としての第２グリッド電極２の電子ビ
ーム通過孔２の製造方法を模式的に示す断面図である。
図１１のａ図において、第２グリッド電極２には孔軸に
沿う孔壁を有する直孔２ｐがドリル加工または打ち抜き
加工などの穴明け加工によってあらかじめ形成されてい
る。この直孔２ｐを有する第２グリッド電極２をダイ１
１上に置き、逆截頭円錐形のテーパポンチ部１０ａを有
するポンチ１０を下降し、そのテーパポンチ部１０ａを
直孔２ｐ内に下降挿入することによって、図１１のｂ図
に示すように、テーパポンチ部１０ａが直孔２ｐの孔壁
面に塑性変形を与え、直孔２ｐの孔壁面がテーパポンチ
部１０ａの外周面に沿う傾斜角度θを持つ傾斜面２ｑに
形成される。このポンチ１０の下降限度位置ではテーパ
ポンチ部１０ａの下面がダイ１１の上面に接触する直前
まで近づき、第２グリッド電極２の上面とポンチ１０の
テーパポンチ部１０ａを立設した下面との間に約１０μ
ｍ程度の隙間ｄが存在し、この隙間ｄが上記塑性変形の
肉の逃げＳを吸収する。Embodiment 9 (corresponding to claim 5). FIG. 11 is a sectional view schematically showing a method of manufacturing the electron beam passage hole 2 of the second grid electrode 2 as the ninth embodiment of the present invention.
In FIG. 11A, a straight hole 2p having a hole wall extending along the hole axis is previously formed in the second grid electrode 2 by drilling or punching. The die 1 is provided with the second grid electrode 2 having the straight holes 2p.
1, the punch 10 having an inverted truncated cone-shaped tapered punch portion 10a is lowered, and the tapered punch portion 10a is lowered and inserted into the straight hole 2p. As shown in FIG. 10a gives plastic deformation to the hole wall surface of the straight hole 2p, and the hole wall surface of the straight hole 2p is formed on the inclined surface 2q having an inclination angle θ along the outer peripheral surface of the tapered punch portion 10a. At the lower limit position of the punch 10, the lower surface of the taper punch portion 10a approaches until just before contacting the upper surface of the die 11, and the distance between the upper surface of the second grid electrode 2 and the lower surface of the punch 10 in which the tapered punch portion 10a is erected is about 10 μm.
There is a gap d of about m, and this gap d absorbs the relief S of the plastically deformed meat.

【００３７】この実施例９の製造方法によれば、穴明け
加工と塑性変形加工との２工程で電子ビーム通過孔２ａ
の孔壁面を傾斜面２ｑに形成したので、傾斜面２ｑの加
工精度が電子銃のフォーカス性能を満足するのに必要か
つ十分な極めて高精度なものとなる。この実施例９では
テーパポンチ部１０ａを截頭円錐形としたが、このテー
パポンチ部１０ａを円弧状の曲面や複数段の傾斜面を有
する特定形状にすることで、上記各実施例の電子ビーム
通過孔２ａを形成することができる。According to the manufacturing method of the ninth embodiment, the electron beam passage hole 2a is formed by the two steps of drilling and plastic deformation.
Since the hole wall surface is formed on the inclined surface 2q, the processing accuracy of the inclined surface 2q becomes extremely high and necessary and sufficient to satisfy the focusing performance of the electron gun. In the ninth embodiment, the tapered punch portion 10a has a frustoconical shape. However, the tapered punch portion 10a has a specific shape having an arcuate curved surface or a plurality of inclined surfaces, so that the electron beam passage hole of each of the above embodiments can be formed. 2a can be formed.

【００３８】実施例１０（請求項６、請求項７に対
応）．図１２はこの発明の実施例１０としての第２グリ
ッド電極の電子ビーム通過孔の製造方法に使用する浸染
タイプのエッチング装置を模式的に示す断面図である。
この図１２において、２０は浴槽、２１は浴槽２０内に
入れたエッチング液、、２２は浴槽２０内のエッチング
液２１内に入れた石英管、２３は浴槽２０の下部と上部
とに連通開口するように浴槽２０の外部に接続されたパ
イプ、２４はパイプ２３の中間部に介装されたポンプで
ある。浴槽２０内には液面がパイプ２３の上下部の開口
より上位となるようにエッチング液２１を入れておき、
ポンプ２４の駆動によって浴槽２０内のエッチング液２
１がパイプ２３の下部から上方に流れて浴槽２０内に放
出され、浴槽２０内のエッチング液２１が循環して攪拌
される。上記石英管２２はその内部に図外の電熱線を有
し、この電熱線には浴槽２０内のエッチング液温を約４
０℃に保つように図外の電源から通電されている。Example 10 (corresponding to claims 6 and 7). FIG. 12 is a sectional view schematically showing a dip dyeing type etching apparatus used in a method of manufacturing electron beam passage holes of a second grid electrode as Embodiment 10 of the present invention.
In FIG. 12, 20 is a bath, 21 is an etching liquid contained in the bath 20, 22 is a quartz tube contained in the etching liquid 21 in the bath 20, and 23 is open to communicate with the lower and upper parts of the bath 20. The pipe 24 is connected to the outside of the bathtub 20, and the pump 24 is provided in the middle portion of the pipe 23. The etching liquid 21 is placed in the bath 20 so that the liquid level is higher than the upper and lower openings of the pipe 23.
The etching liquid 2 in the bath 20 is driven by driving the pump 24.
1 flows upward from the lower part of the pipe 23 and is discharged into the bath 20, and the etching liquid 21 in the bath 20 is circulated and stirred. The quartz tube 22 has a heating wire (not shown) therein, and the heating wire has a temperature of the etching solution of about 4 in the bath 20.
Power is supplied from a power source (not shown) to keep it at 0 ° C.

【００３９】図１３はエッチング処理前の第２グリッド
電極２を示す断面図である。この図１３において、第２
グリッド電極２の第３グリッド電極側面にはレジスト膜
２５を電子ビーム通過孔に相当する部分にだけ開口部２
５ａを残して全面に塗布し、第２グリッド電極２の反対
側面には一面にレジスト膜２５を塗布しておく。FIG. 13 is a sectional view showing the second grid electrode 2 before the etching process. In FIG. 13, the second
The resist film 25 is formed on the side surface of the third grid electrode 2 of the grid electrode 2 only at the portion corresponding to the electron beam passage hole.
5a is left on the entire surface, and the resist film 25 is applied on one side opposite to the second grid electrode 2.

【００４０】このように両面にレジスト膜２５を塗布し
た第２グリッド電極２を上記図１２に示した浴槽２０内
の温度管理されたエッチング液２１の中に浸けてエッチ
ング処理を行う。このエッチング処理によって、図１４
に示すように、エッチング液２１がレジスト膜２５の開
口部２５ａから第２グリッド電極２の電子ビーム通過孔
が形成されるべき部分に存在する素材を徐々にエッチン
グする。この場合、軸方向下方に向かうのと同様に横方
向にもエッチングが進むため、エッチングされる孔は図
１４に示すようにレジスト膜２５の開口部２５ａが存在
する方に行くほど孔径が大きくなり、最終的にはエッチ
ングされた孔が電子ビーム通過孔２ａとなる。この図１
４に示すような電子ビーム通過孔２ａが形成され、エッ
チングが終了すると、第２グリッド電極２を浴槽中のエ
ッチング液２１から取り出し、レジスト膜２５を除去す
る。結果として孔壁面が傾斜面２ｓとなった電子ビーム
通過孔２ａが第２グリッド電極２に形成される。The second grid electrode 2 having the resist film 25 coated on both sides in this manner is immersed in the temperature-controlled etching solution 21 in the bath 20 shown in FIG. 12 to perform the etching process. By this etching process, FIG.
As shown in FIG. 5, the etching solution 21 gradually etches the material existing in the portion where the electron beam passage hole of the second grid electrode 2 is to be formed from the opening 25a of the resist film 25. In this case, since the etching proceeds in the lateral direction as well as in the axially downward direction, the hole to be etched has a larger diameter as it goes toward the opening 25a of the resist film 25 as shown in FIG. Finally, the etched hole becomes the electron beam passage hole 2a. This Figure 1
When the electron beam passage hole 2a as shown in FIG. 4 is formed and the etching is completed, the second grid electrode 2 is taken out from the etching solution 21 in the bath and the resist film 25 is removed. As a result, the electron beam passage hole 2a having the inclined wall surface 2s is formed in the second grid electrode 2.

【００４１】実施例１１（請求項６、請求項８に対
応）．図１５はこの発明の実施例１１としての第２グリ
ッド電極の電子ビーム通過孔の製造方法に使用する吹き
付けタイプのエッチング装置を模式的に示す断面図であ
る。図１５において、２６はエッチング液２１を吹き付
けるためのノズルであって、このノズル２６は浴槽２０
内に配置されている。浴槽２０内には液面がパイプ２３
の下部の開口より上位で上部開口より下位となるように
エッチング液２１を入れておき、浴槽２０内のエッチン
グ液２１を図外の電熱線を内蔵した石英管２２によって
温度管理し、このエッチング液２１がポンプ２４の駆動
によって浴槽２０内の下部からパイプ２３を経由しノズ
ル２６から浴槽２０内に噴射される。Example 11 (corresponding to claim 6 and claim 8). FIG. 15 is a sectional view schematically showing a spraying type etching apparatus used in a method of manufacturing electron beam passage holes of a second grid electrode as an eleventh embodiment of the present invention. In FIG. 15, reference numeral 26 is a nozzle for spraying the etching solution 21, and this nozzle 26 is a bath 20.
It is located inside. The liquid level in the bathtub 20 is a pipe 23
The etching solution 21 is placed so as to be higher than the lower opening and lower than the upper opening, and the temperature of the etching solution 21 in the bath 20 is controlled by a quartz tube 22 containing a heating wire (not shown). 21 is jetted from the lower part of the bath 20 through the pipe 23 from the nozzle 26 into the bath 20 by driving the pump 24.

【００４２】そして、上記図１３に示す両面にレジスト
膜１２を塗布した第２グリッド電極２を図１５に示すよ
うに浴槽２０内に入れ、第２グリッド電極２におけるレ
ジスト膜２５の開口部２５ａをノズル２６に向け、開口
部２５ａの軸線がノズル２６の中心の噴射軸線と同軸に
配置し、ノズル２６から噴射されるエッチング液２１を
第２グリッド電極２にレジスト膜２５の開口部２５ａを
中心として吹き付けてエッチング処理を行う。このエッ
チング処理の場合、吹き付けによる圧力によって、横方
向のエッチング速度よりも軸方向のエッチング速度が大
きくなるので、上記実施例１０よりも傾斜角度θの小さ
な電子ビーム通過孔２ａが形成できる。Then, the second grid electrode 2 having the resist film 12 applied on both surfaces shown in FIG. 13 is placed in the bath 20 as shown in FIG. 15, and the opening 25a of the resist film 25 in the second grid electrode 2 is opened. The axis of the opening 25a is arranged coaxially with the injection axis of the center of the nozzle 26 toward the nozzle 26, and the etching solution 21 injected from the nozzle 26 is applied to the second grid electrode 2 with the opening 25a of the resist film 25 as the center. An etching process is performed by spraying. In the case of this etching process, the etching rate in the axial direction becomes higher than the etching rate in the lateral direction due to the pressure applied by the spraying, so that the electron beam passage hole 2a having a smaller inclination angle θ than that in the tenth embodiment can be formed.

【００４３】[0043]

【発明の効果】第１の発明によれば、第２グリッド電極
の電子ビーム通過孔におけるカソード電極から遠い側の
板厚の１／２以上がカソード電極から遠ざかるにつれて
孔径が大きくなる形状に形成される構成としたので、カ
ソード電極から蒸発したＢａの上記電子ビーム通過孔の
カソード電極から遠い側の孔縁部への付着量が低減で
き、結果として、ストレーエミッションの発生が抑制で
きるという効果がある。According to the first aspect of the invention, at least ½ of the plate thickness of the electron beam passage hole of the second grid electrode on the side far from the cathode electrode is formed in a shape in which the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode increases. With this configuration, the amount of Ba evaporated from the cathode electrode to the edge portion of the electron beam passage hole on the side far from the cathode electrode can be reduced, and as a result, stray emission can be suppressed. .

【００４４】第２の発明によれば、電子ビーム通過孔の
カソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大きくなる形
状が電子ビーム通過孔の孔壁面を孔軸に対し１０°以上
の傾斜角度を持つ傾斜面にて構成されるので、カソード
電極から蒸発したＢａの第２グリッド電極の電子ビーム
通過孔のカソード電極から遠い側の孔縁部への付着量が
極めて低減でき、ストレーエミッションの発生を好適に
抑制できるという効果がある。According to the second aspect of the invention, the shape of the electron beam passage hole whose diameter increases with distance from the cathode electrode is such that the hole wall surface of the electron beam passage hole is an inclined surface having an inclination angle of 10 ° or more with respect to the hole axis. Therefore, the amount of Ba evaporated from the cathode electrode to the edge portion of the electron beam passage hole of the second grid electrode on the side far from the cathode electrode can be extremely reduced, and the occurrence of stray emission can be suppressed appropriately. There is an effect.

【００４５】第３の発明によれば、電子ビーム通過孔の
カソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大きくなる形
状が複数の異なる傾斜角度を有する傾斜面または円弧状
の曲面にて構成され、この傾斜面の孔軸との傾斜角度ま
たは曲面上の接線の孔軸との傾斜角度が第２グリッド電
極の電子ビーム通過孔のカソード電極から遠い側の板厚
の１／２以上でθ＝Ｔａｎ^-1（Ｄ／Ｌ）よりも大きい角
度に設定されるように構成したので、カソード電極から
蒸発したＢａの第２グリッド電極の電子ビーム通過孔の
カソード電極から遠い側の孔縁部への付着量がほとんど
ない程度まで低減でき、ストレーエミッションの発生を
極めて好適に抑制できるという効果がある。According to the third aspect of the present invention, the shape of the electron beam passage hole whose hole diameter increases with distance from the cathode electrode is formed by a plurality of inclined surfaces having different inclination angles or arcuate curved surfaces. If the inclination angle with the hole axis or the tangent line on the curved surface with the hole axis is 1/2 or more of the plate thickness of the electron beam passage hole of the second grid electrode on the side far from the cathode electrode, θ = Tan ⁻¹ (D / L), the amount of Ba evaporated from the cathode electrode to the edge portion of the electron beam passage hole of the second grid electrode on the side far from the cathode electrode is almost zero. There is an effect that it can be reduced to a certain extent and the occurrence of stray emission can be suppressed very suitably.

【００４６】第４の発明によれば、電子ビーム通過孔の
カソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大きくなる形
状が第２グリッド電極の電子ビーム通過孔のカソード電
極側最下端孔縁部と第１グリッド電極の電子ビーム通過
孔のカソード電極側最下端孔縁部とを対角線状に結ぶ直
線よりもカソード電極側に位置する傾斜面または曲面に
て構成されたので、カソード電極から蒸発したＢａの上
記電子ビーム通過孔の孔壁面への付着量がほとんどない
程度まで低減でき、ストレーエミッションの発生を極め
て好適に抑制できるという効果がある。According to the fourth aspect of the invention, the shape of the electron beam passage hole whose diameter increases with distance from the cathode electrode is such that the edge portion of the second grid electrode on the cathode electrode side of the electron beam passage hole and the first grid electrode. The electron beam of Ba vaporized from the cathode electrode is formed by an inclined surface or a curved surface located on the cathode electrode side with respect to a straight line diagonally connecting the bottom edge of the electron beam passage hole on the cathode electrode side. There is an effect that the amount of adhesion of the passage hole to the wall surface of the hole can be reduced to the extent that it hardly occurs, and the occurrence of stray emission can be suppressed very suitably.

【００４７】第５の発明によれば、第２グリッド電極に
孔壁面が孔軸に沿う直孔を穴明け加工し、この直孔に特
定形状のポンチを加圧挿入し、直孔の孔壁面をカソード
電極から遠い側の板厚の１／２以上がカソード電極から
遠ざかるにつれて孔径が大きくなる形状に塑性変形して
電子ビーム通過孔を形成するようにしたので、穴明けに
よって形成された直孔を孔壁面の塑性変形時の基準と
し、上記電子ビーム通過孔の加工が短時間で行え、その
加工精度が極めて高くなるという効果がある。According to the fifth aspect of the present invention, a straight hole whose hole wall surface is along the hole axis is punched in the second grid electrode, and a punch having a specific shape is press-inserted into this straight hole to form a hole wall surface of the straight hole. Since ½ or more of the plate thickness on the side farther from the cathode electrode is plastically deformed to form an electron beam passage hole in a shape in which the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode increases, a straight hole formed by drilling Is used as a reference at the time of plastic deformation of the hole wall surface, there is an effect that the electron beam passage hole can be processed in a short time, and the processing accuracy becomes extremely high.

【００４８】第６の発明によれば、第２グリッド電極の
カソード電極側表面全面にレジスト膜を付けるとともに
第２グリッド電極の反カソード電極側表面の電子ビーム
通過孔形成部分以外にレジスト膜を付け、このレジスト
膜から露出する第２グリッド電極の素材をエッチング液
にて孔壁面のカソード電極から遠い側の板厚の１／２以
上がカソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大きくな
る形状に除去して電子ビーム通過孔を形成するようにし
たので、グリッド電極の素材への機械的な衝撃を与えず
に、上記電子ビーム通過孔の加工精度が極めて高くなる
という効果がある。According to the sixth aspect of the invention, a resist film is attached to the entire surface of the second grid electrode on the side of the cathode electrode, and a resist film is attached to a portion of the surface of the second grid electrode on the side opposite to the cathode electrode where electron beam passage holes are formed. The material of the second grid electrode exposed from the resist film is removed by an etching solution into a shape in which the hole diameter becomes larger as the distance from the cathode electrode becomes more than 1/2 of the plate thickness on the side of the hole wall farther from the cathode electrode. Since the beam passage hole is formed, there is an effect that the machining accuracy of the electron beam passage hole becomes extremely high without giving a mechanical impact to the material of the grid electrode.

【００４９】第７の発明によれば、エッチング液による
第２グリッド電極の素材の除去処理を第２グリッド電極
をエッチング液に浸すようにしたので、エッチング液の
軸方向エッチングと横方向エッチングとの同時進行によ
って孔壁面の傾斜角度が比較的大きな傾斜面で高加工精
度に形成できるという効果がある。According to the seventh aspect of the invention, the material for the second grid electrode is removed by the etching solution by immersing the second grid electrode in the etching solution. With the simultaneous progress, there is an effect that a hole wall surface can be formed with high processing accuracy on an inclined surface having a relatively large inclination angle.

【００５０】第８の発明によれば、エッチング液による
第２グリッド電極の素材の除去処理をレジスト膜から露
出する第２グリッド電極の素材にエッチング液を吹き付
けるようにしたので、エッチング液の吹き付けに伴い軸
方向のエッチング速度が横方向のエッチング速度よりも
大きくなり、孔壁面の傾斜角度が比較的小さな傾斜面で
高加工精度に形成できるという効果がある。According to the eighth aspect of the invention, the material for the second grid electrode is removed by the etching solution by spraying the etching solution onto the material of the second grid electrode exposed from the resist film. As a result, the etching rate in the axial direction becomes higher than the etching rate in the lateral direction, and there is an effect that the hole wall surface can be formed with high processing accuracy by an inclined surface having a relatively small inclination angle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】実施例１の陰極線管用電子銃を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view showing an electron gun for a cathode ray tube according to a first embodiment.

【図２】実施例１の傾斜角度とＢａ付着量との関係の実
験結果を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an experimental result of a relationship between a tilt angle and a Ba adhesion amount in Example 1.

【図３】実施例１と対比例との電子ビーム通過孔の断面
構造とそのＢａ付着状況の実験結果と示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional structure of an electron beam passage hole and an experimental result of its Ba adhesion state in contrast with Example 1.

【図４】実施例２の電子ビーム通過孔の断面構造とその
Ｂａ付着状況の実験結果とを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional structure of an electron beam passage hole of Example 2 and an experimental result of its Ba adhesion state.

【図５】実施例３の電子ビーム通過孔の断面構造とその
Ｂａ付着状況の実験結果とを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a cross-sectional structure of an electron beam passage hole of Example 3 and an experimental result of its Ba adhesion state.

【図６】実施例４の電子ビーム通過孔の断面構造とその
Ｂａ付着状況の実験結果とを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a cross-sectional structure of an electron beam passage hole of Example 4 and an experimental result of its Ba adhesion state.

【図７】実施例５の電子ビーム通過孔の断面構造とその
Ｂａ付着状況の実験結果とを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional structure of an electron beam passage hole of Example 5 and an experimental result of its Ba adhesion state.

【図８】実施例６の電子ビーム通過孔の断面構造とその
Ｂａ付着状況の実験結果とを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a cross-sectional structure of an electron beam passage hole of Example 6 and an experimental result of its Ba adhesion state.

【図９】実施例７の陰極線管用電子銃を示す断面図であ
る。FIG. 9 is a sectional view showing an electron gun for a cathode ray tube of Example 7.

【図１０】実施例８の陰極線管用電子銃を示す断面図で
ある。FIG. 10 is a sectional view showing an electron gun for a cathode ray tube according to an eighth embodiment.

【図１１】実施例９の製造方法を示す工程図である。FIG. 11 is a process drawing showing the manufacturing method of the ninth embodiment.

【図１２】実施例１０に使用するエッチング装置を示す
断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing an etching apparatus used in Example 10.

【図１３】実施例１０に使用するエッチング処理前の第
２グリッド電極を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a second grid electrode before being used for etching in Example 10.

【図１４】実施例１０に使用するエッチング処理後の第
２グリッド電極を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing the second grid electrode after the etching treatment used in Example 10.

【図１５】実施例１１に使用するエッチング装置を示す
断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing an etching apparatus used in Example 11.

【図１６】従来の陰極線管用電子銃を示す断面図であ
る。FIG. 16 is a sectional view showing a conventional electron gun for a cathode ray tube.

【図１７】従来の電子ビーム通過孔の断面構造とそのＢ
ａ付着状況の実験結果とを示す図である。FIG. 17 is a sectional structure of a conventional electron beam passage hole and its B.
FIG. 6 is a diagram showing an experimental result of an adhesion state.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 第１グリッド電極 ２ 第２グリッド電極 ４ カソード電極 ２ａ 電子ビーム通過孔 ２ｃ，２ｆ，２ｈ，２ｉ，２ｑ 傾斜面 ２ｇ，２ｇ’，２ｊ 曲面 １０ ポンチ １０ａ テーパポンチ部 ２１ エッチング液 ２５ レジスト膜 ２５ａ 開口部 1 1st grid electrode 2 2nd grid electrode 4 Cathode electrode 2a Electron beam passage hole 2c, 2f, 2h, 2i, 2q inclined surface 2g, 2g ', 2j curved surface 10 punch 10a taper punch part 21 etching liquid 25 resist film 25a opening part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 利一 長岡京市馬場図所１番地 三菱電機株式会 社管球製作所内 (72)発明者 平野 孝之 長岡京市馬場図所１番地 三菱電機株式会 社管球製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Toshikazu Kondo No.1 Baba Institute of Nagaokakyo City Mitsubishi Electric Co., Ltd. Inside the Tube Manufacturing Company (72) Takayuki Hirano No.1 Baba Institute of Nagaokakyo Mitsubishi Electric Corporation Inside the Tube Mill

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 カソード電極と電子ビーム通過孔を有す
る第１・第２などの複数のグリッド電極とが所定間隔を
もって多段に配置された陰極線管用電子銃において、第
２グリッド電極の電子ビーム通過孔におけるカソード電
極から遠い側の板厚の１／２以上がカソード電極から遠
ざかるにつれて孔径が大きくなる形状に形成されたこと
を特徴とする陰極線管用電子銃。1. In an electron gun for a cathode ray tube, wherein a cathode electrode and a plurality of grid electrodes such as first and second grid electrodes having electron beam passage holes are arranged in multiple stages at a predetermined interval, an electron beam passage hole of the second grid electrode. An electron gun for a cathode ray tube, characterized in that at least ½ of the plate thickness on the side farther from the cathode electrode is formed in a shape in which the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode increases. 【請求項２】 前記第２グリッド電極の電子ビーム通過
孔のカソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大きくな
る形状は電子ビーム通過孔の孔壁面を孔軸に対し１０°
以上の傾斜角度を持つ傾斜面にて構成されたことを特徴
とする請求項第１項記載の陰極線管用電子銃。2. The electron beam passage hole of the second grid electrode has a shape in which the hole diameter increases with distance from the cathode electrode, and the hole wall surface of the electron beam passage hole is 10 ° with respect to the hole axis.
The electron gun for a cathode ray tube according to claim 1, wherein the electron gun is formed of an inclined surface having the above inclination angle. 【請求項３】 前記第２グリッド電極の電子ビーム通過
孔のカソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大きくな
る形状は複数の異なる傾斜角度を有する傾斜面または円
弧状の曲面にて構成され、この傾斜面の孔軸との傾斜角
度または曲面上の接線の孔軸との傾斜角度が第２グリッ
ド電極の電子ビーム通過孔のカソード電極から遠い側の
板厚の１／２以上でθ＝Ｔａｎ^-1（Ｄ／Ｌ）よりも大き
い角度に設定されたことを特徴とする請求項第１項記載
の陰極線管用電子銃。ただし、上記式において、Ｄは電
子ビーム通過孔の直径の最小値であり、Ｌは第１グリッ
ド電極と第２グリッド電極との距離に第２グリッド電極
の板厚を加えた寸法である。3. The electron beam passage hole of the second grid electrode has a shape in which the hole diameter increases with distance from the cathode electrode, and is formed by a plurality of inclined surfaces having different inclination angles or arcuate curved surfaces. If the inclination angle with the hole axis or the tangent line on the curved surface with the hole axis is 1/2 or more of the plate thickness of the electron beam passage hole of the second grid electrode on the side far from the cathode electrode, θ = Tan ⁻¹ (D The electron gun for a cathode ray tube according to claim 1, wherein the angle is set to be larger than / L). However, in the above equation, D is the minimum value of the diameter of the electron beam passage hole, and L is the dimension of the distance between the first grid electrode and the second grid electrode plus the plate thickness of the second grid electrode. 【請求項４】 前記第２グリッド電極の電子ビーム通過
孔のカソード電極から遠ざかるにつれて孔径が大きくな
る形状は第２グリッド電極の電子ビーム通過孔のカソー
ド電極側最下端孔縁部と第１グリッド電極の電子ビーム
通過孔のカソード電極側最下端孔縁部とを対角線状に結
ぶ直線よりもカソード電極側に位置する傾斜面または曲
面にて構成されたことを特徴とする請求項１記載の陰極
線管用電子銃。4. The shape of the electron beam passage hole of the second grid electrode, the hole diameter of which becomes larger as the distance from the cathode electrode is increased, the bottom edge portion of the electron beam passage hole of the second grid electrode on the cathode electrode side and the first grid electrode. 2. The cathode ray tube according to claim 1, wherein the electron beam passage hole is formed of an inclined surface or a curved surface located closer to the cathode electrode than a straight line connecting a lowermost hole edge portion of the electron beam passage hole on the cathode electrode side. Electron gun. 【請求項５】 第２グリッド電極に孔壁面が孔軸に沿う
直孔を穴明け加工し、この直孔に特定形状のポンチを加
圧挿入し、直孔の孔壁面をカソード電極から遠い側の板
厚の１／２以上がカソード電極から遠ざかるにつれて孔
径が大きくなる形状に塑性変形して電子ビーム通過孔を
形成することを特徴とするグリッド電極の製造方法。5. A straight hole whose hole wall surface extends along the hole axis is punched in the second grid electrode, and a punch of a specific shape is press-inserted into this straight hole so that the hole wall surface of the straight hole is far from the cathode electrode. 2. A method of manufacturing a grid electrode, wherein: at least ½ of the plate thickness is plastically deformed into a shape in which the hole diameter increases as the distance from the cathode electrode increases, and the electron beam passage hole is formed. 【請求項６】 第２グリッド電極のカソード電極側表面
全面にレジスト膜を付けるとともに第２グリッド電極の
反カソード電極側表面の電子ビーム通過孔形成部分以外
にレジスト膜を付け、このレジスト膜から露出する第２
グリッド電極の素材をエッチング液にて孔壁面のカソー
ド電極から遠い側の板厚の１／２以上がカソード電極か
ら遠ざかるにつれて孔径が大きくなる形状に除去して電
子ビーム通過孔を形成することを特徴とするグリッド電
極の製造方法。6. A resist film is attached to the entire surface of the second grid electrode on the cathode electrode side, and a resist film is attached to a portion other than the electron beam passage hole forming portion on the surface of the second grid electrode opposite to the cathode electrode, and exposed from this resist film. Second
Characteristic of forming the electron beam passage hole by removing the material of the grid electrode with an etching solution into a shape in which more than 1/2 of the plate thickness on the side of the hole wall surface farther from the cathode electrode becomes larger as the distance from the cathode electrode increases And a method for manufacturing a grid electrode. 【請求項７】 前記エッチング液による第２グリッド電
極の素材の除去処理を第２グリッド電極をエッチング液
に浸すことを特徴とする請求項第６項記載のグリッド電
極の製造方法。7. The method of manufacturing a grid electrode according to claim 6, wherein the second grid electrode material is removed by the etching solution by immersing the second grid electrode in the etching solution. 【請求項８】 前記エッチング液による第２グリッド電
極の素材の除去処理をレジスト膜から露出する第２グリ
ッド電極の素材にエッチング液を吹き付けることを特徴
とする請求項第６項記載のグリッド電極の製造方法。8. The grid electrode according to claim 6, wherein the material for the second grid electrode is removed by the etching solution, and the material for the second grid electrode exposed from the resist film is sprayed with the etching solution. Production method.