JPH0722562A - Cutting/shaping die - Google Patents
Cutting/shaping dieInfo
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- JPH0722562A JPH0722562A JP16716093A JP16716093A JPH0722562A JP H0722562 A JPH0722562 A JP H0722562A JP 16716093 A JP16716093 A JP 16716093A JP 16716093 A JP16716093 A JP 16716093A JP H0722562 A JPH0722562 A JP H0722562A
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- gate
- cutting
- runner
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は切断整形金型に係り、特
に熱硬化性樹脂封止半導体の製造工程において用いられ
る切断整形金型に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cutting and shaping die, and more particularly to a cutting and shaping die used in a process of manufacturing a thermosetting resin-sealed semiconductor.
【0002】現在、半導体装置(以下、ICという)は
大容量化,高機能化が進められており、リードの本数が
増大しパッケージの形状も大きくなってきている。At present, semiconductor devices (hereinafter referred to as ICs) are being increased in capacity and functionality, and the number of leads is increasing and the package shape is also increasing.
【0003】また、リード間ピッチの狭ピッチ化が進
み、一方において耐湿性の新タイプの樹脂の開発によ
り、樹脂封止金型においてもモールド整形条件(例え
ば、インナーリード変形,ボイド,ピンホール,ワイヤ
ー変形の条件出し等)が難しくなってきている。そのた
め、パッケージの樹脂注入口(以下、ゲートという)の
形状も多様化してきており、これに伴い樹脂封止工程の
ゲートブレーク(ゲートを切断する処理)も難しくなっ
てきている。Further, as the pitch between the leads has become narrower, on the other hand, the development of a new type of resin that is resistant to moisture has led to mold shaping conditions (such as inner lead deformation, voids, pinholes, It is becoming difficult to set conditions for wire deformation. Therefore, the shape of the resin injection port (hereinafter referred to as a gate) of the package has been diversified, and along with this, the gate break (the process of cutting the gate) in the resin sealing process has become difficult.
【0004】よって、ICのリード等に損傷を与えるこ
となくゲートブレークを行う方法が望まれている。Therefore, there is a demand for a method of performing a gate break without damaging IC leads or the like.
【0005】[0005]
【従来の技術】一般に半導体製造工程においては、半導
体チップが搭載されワイヤボンディング処理が行われた
リードフレームに対して樹脂パッケージを形成するため
に、熱硬化性樹脂のモールド工程を行い、樹脂モールド
工程終了後にゲート位置に形成された不要樹脂(以下、
ゲート部ランナという)を除去する処理(以下、デゲー
ト処理という)が行われる。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor manufacturing process, a thermosetting resin molding process is performed to form a resin package on a lead frame on which a semiconductor chip is mounted and a wire bonding process is performed. Unnecessary resin formed at the gate position after the end (hereinafter,
A process of removing the gate runner (hereinafter referred to as a degating process) is performed.
【0006】このデゲート処理は切断整形金型を用いて
行われる。この切断整形金型は上型及び下型とにより構
成されており、上型にはパンチが、下型にはダイが夫々
設けられている。そして、上型が下型に向けて下動しパ
ンチがダイに噛合することにより、ゲート部ランナは切
断除去される。This degate process is performed using a cutting and shaping die. This cutting and shaping die is composed of an upper die and a lower die. The upper die is provided with a punch, and the lower die is provided with a die. Then, the upper die moves downward toward the lower die and the punch engages with the die, whereby the gate runner is cut and removed.
【0007】図4は、樹脂モールド工程終了後の半導体
装置の部分拡大図である。同図において1はパッケー
ジ、2はリードフレームを構成するリード、3は同じく
リードフレームを構成するタイバーである。同図におい
て、ハッチングで示す部分がゲート部ランナ4であり、
切断整形金型により切断除去される部分である。FIG. 4 is a partially enlarged view of the semiconductor device after the resin molding process is completed. In the figure, 1 is a package, 2 is a lead which constitutes a lead frame, and 3 is a tie bar which also constitutes a lead frame. In the figure, the hatched portion is the gate runner 4,
It is a part that is cut and removed by a cutting and shaping die.
【0008】前記した切断整形金型を構成するパンチ及
びダイの形状は、このゲート部ランナ4に対応した形状
とされている。よって、上型が下型に向けて下動しパン
チがダイに噛合することにより、ゲート部ランナ4はパ
ッケージ1から切断除去される。The shape of the punch and die forming the cutting and shaping mold is the shape corresponding to the gate runner 4. Therefore, the gate die runner 4 is cut and removed from the package 1 by the upper die moving downward toward the lower die and the punch engaging with the die.
【0009】上記のようにデゲート処理が実施され、ゲ
ート部ランナ4がパッケージ1から切断除去されると、
続いてリードフレームに形成されているタイバー3、及
びゲート部ランナ4の近傍に配設されたリード(このリ
ードをゲート回りのリードと呼び、特に符号2aを付
す)を切断するタイバーカット処理が実施される。この
タイバーカット処理も、パンチ5及びダイ6(図6に示
す。尚、ダイ6は一点鎖線で示す)を有したタイバーカ
ット用の金型を用いて行われる。When the gate portion runner 4 is cut and removed from the package 1 by performing the degating process as described above,
Then, a tie bar cutting process is performed to cut the tie bar 3 formed on the lead frame and the lead arranged near the gate runner 4 (this lead is called a lead around the gate, and is especially labeled with reference numeral 2a). To be done. This tie bar cutting process is also performed using a tie bar cutting die having a punch 5 and a die 6 (shown in FIG. 6, the die 6 is shown by a chain line).
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかるに、前記したよ
うに各リード2のリード間ピッチが狭くなってくると、
ゲート回りのリード2aがゲート部ランナ4と接触する
場合が生じる。このようにゲート回りのリード2aがゲ
ート部ランナ4と接触した状態においてデゲート処理が
実施されゲート部ランナ4がパッケージ1から切断除去
されると、ゲート回りのリード2aは切断されるゲート
部ランナ4に引っ張られてリード曲がりが発生する。図
5はゲート回りのリード2aにリード曲がりが発生した
状態を示している。However, as described above, when the lead pitch of each lead 2 becomes narrower,
The lead 2a around the gate may come into contact with the gate runner 4. Thus, when the gate portion runner 4 is cut and removed from the package 1 by performing the degate process in a state where the lead 2a around the gate is in contact with the gate runner 4, the lead 2a around the gate is cut. The lead is bent by being pulled by. FIG. 5 shows a state in which lead bending occurs in the lead 2a around the gate.
【0011】このようにゲート回りのリード2aにリー
ド曲がりが発生した状態のままでタイバーカット処理を
実施すると、図6に示されるようにその曲がったゲート
回りのリード2aがタイバーカット用のダイ6に入り込
んで、タイバーカット用のパンチ5及びダイ6を破損す
る等の障害を発生するおそれがあるという問題点があっ
た。When the tie bar cutting process is performed in the state where the lead bend 2a around the gate is generated as described above, as shown in FIG. 6, the bent lead 2a around the gate 2 is cut by the die 6 for tie bar cutting. There is a problem that it may get in and cause trouble such as damage to the tie bar cutting punch 5 and the die 6.
【0012】このパンチ5及びダイ6の破損を防止する
方法として、従来ではゲート回りのリード2aに変形が
発生しているかどうかを目視検査を行い、変形している
場合には手直し作業を行った上でタイバーカット処理を
行っていた。As a method of preventing the punch 5 and the die 6 from being damaged, conventionally, a visual inspection is performed to see if the lead 2a around the gate is deformed, and if it is deformed, a repair work is performed. The tie bar cut processing was performed above.
【0013】しかるに、この方法では目視検査及び手直
し作業に多くの工数を必要とし、半導体装置の製品コス
トが上昇してしまうと共に生産効率が低下してしまうと
いう問題点があった。However, this method requires a large number of man-hours for the visual inspection and the repair work, which causes a problem that the product cost of the semiconductor device is increased and the production efficiency is decreased.
【0014】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、半導体装置のコスト低減及び生産性の向上を図り
うる切断整形金型を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a cutting and shaping die capable of reducing the cost of a semiconductor device and improving the productivity.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、半導体装置の樹脂封止工程において樹
脂整形後にパッケージのゲート部に形成されたランナを
リードフレームから分離するデゲート処理に用いられる
切断整形金型において、前記デゲート処理を行う際、前
記パッケージのゲート部近傍に位置するリードフレーム
を前記ランナと共に切断し得る構成としたことを特徴と
するものである。In order to solve the above problems, according to the present invention, a degate process for separating a runner formed on a gate portion of a package from a lead frame after resin shaping in a resin sealing process of a semiconductor device is performed. In the cutting and shaping die used, the lead frame located near the gate portion of the package can be cut together with the runner when the degating process is performed.
【0016】また、対向配設されたパンチとダイとによ
り構成されており、前記パンチとダイが噛合することに
より、半導体装置の樹脂封止工程において樹脂整形後に
パッケージのゲート部に形成されたランナをリードフレ
ームから除去する構成とされた切断整形金型において、
前記パンチの切断面積を前記ゲート部に形成されたラン
ナの形状よりも大きく設定し、前記パッケージのゲート
部近傍に位置するリードフレームを前記ランナと共に切
断する構成としたことを特徴とするものである。Further, the punch and the die are arranged so as to face each other, and the punch and the die are meshed with each other, so that the runner formed in the gate portion of the package after resin shaping in the resin sealing process of the semiconductor device. In the cutting and shaping mold configured to remove the
The cutting area of the punch is set to be larger than the shape of the runner formed in the gate portion, and the lead frame located near the gate portion of the package is cut together with the runner. .
【0017】[0017]
【作用】上記のように切断整形金型を構成することによ
り、ゲート部に形成されたランナをリードフレームから
分離する際、パッケージのゲート部近傍に位置するリー
ドフレームも前記ランナと共に切断されるため、ゲート
部に形成されたランナの切断にともないゲート部近傍に
位置するリードフレームが変形することはなくなる。By constructing the cutting and shaping die as described above, when the runner formed in the gate portion is separated from the lead frame, the lead frame located near the gate portion of the package is also cut together with the runner. Therefore, the lead frame located in the vicinity of the gate portion is not deformed due to the cutting of the runner formed in the gate portion.
【0018】よって、デゲート処理の後に実施されるタ
イバーカット処理においてタイバーカット用のパンチ及
びダイが破損する等の障害を確実に防止することがで
き、またリード曲がりの発生を調べるための目視検査及
び手直し作業は不要となり、半導体装置の生産効率の向
上及び製品コストの低減を図ることができる。Therefore, in the tie bar cutting process performed after the degate process, it is possible to surely prevent an obstacle such as breakage of the punch and die for tie bar cutting, and also to perform visual inspection and check for occurrence of lead bending. The reworking work is unnecessary, and the production efficiency of the semiconductor device can be improved and the product cost can be reduced.
【0019】[0019]
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.
【0020】図2は本発明になる切断整形金型10の概
略構成図である。この切断整形金型10を用いて樹脂モ
ールド工程終了後にゲート位置に形成されたゲート部ラ
ンナを除去するデゲート処理が行われる。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the cutting and shaping die 10 according to the present invention. Using this cutting and shaping die 10, a degating process is performed to remove the gate runner formed at the gate position after the resin molding process is completed.
【0021】この切断整形金型10は上型12及び下型
13とにより構成されており、上型12にはパンチ14
が、下型13にはダイ15が夫々設けられている。そし
て、上型12が下型13に向けて下動しパンチ14がダ
イ15に噛合することによりゲート部ランナ11は切断
除去される。The cutting and shaping die 10 is composed of an upper die 12 and a lower die 13, and the upper die 12 has a punch 14
However, the lower mold 13 is provided with the dies 15 respectively. Then, the upper die 12 moves downward toward the lower die 13 and the punch 14 meshes with the die 15, whereby the gate runner 11 is cut and removed.
【0022】図1は、樹脂モールド工程終了後の半導体
装置の部分拡大図である。同図において16は成型され
た樹脂パッケージであり、17はリードフレームを構成
するリードであり、18は同じくリードフレームを構成
しモールド時における樹脂の漏洩を防止するタイバーで
ある。また、同図において破線のハッチングで示す部分
がゲート部ランナ11であり、樹脂パッケージ16の形
成時にゲートが配設されることにより形成されたもので
ある。このゲート部ランナ11は半導体装置にとって不
要部分であるため切断整形金型10により切断除去され
る。FIG. 1 is a partially enlarged view of the semiconductor device after the resin molding process is completed. In the figure, 16 is a molded resin package, 17 is a lead that constitutes a lead frame, and 18 is a tie bar that also constitutes a lead frame and prevents resin leakage during molding. In addition, the hatched portion in the figure is the gate runner 11, which is formed by disposing the gate when the resin package 16 is formed. Since the gate runner 11 is an unnecessary portion for the semiconductor device, it is cut and removed by the cutting and shaping die 10.
【0023】ここで、上記の切断整形金型10を構成す
るパンチ14及びダイ15の形状に注目し、以下説明す
る。Here, the shapes of the punch 14 and the die 15 which constitute the cutting and shaping die 10 will be noted and described below.
【0024】従来の切断整形金型のパンチ及びダイの形
状はゲート部ランナの形状のみに基づき設定されてお
り、具体的にはゲート部ランナの形状と略同一形状とさ
れていた。これは、従来のパンチ及びダイはゲート部ラ
ンナのみを切断する構成とされていたためである。The shape of the punch and die of the conventional cutting and shaping die is set based only on the shape of the gate runner, and specifically, it is substantially the same as the shape of the gate runner. This is because the conventional punch and die are configured to cut only the gate runner.
【0025】これに対して本願構成の切断整形金型10
に用いられたパンチ14及びダイ15は、ゲート部ラン
ナ11の形状よりも大きな形状とされており、ゲート部
ランナ11の近傍に配設されたゲート回りのリード17
aをも含む大きさに設定されている。また、パンチ14
及びダイ15の材質は樹脂であるゲート部ランナ11の
切断ばかりではなく、金属であるゲート回りのリード1
7aをも切断しうる硬質材質により形成されている。On the other hand, the cutting and shaping die 10 of the present construction
The punch 14 and the die 15 used in the above are larger in shape than the gate runner 11, and the leads 17 around the gate are provided near the gate runner 11.
The size is set to include a. Also, punch 14
In addition to cutting the gate runner 11 made of resin, the die 15 is made of metal, and the lead 1 around the gate 1 is made of metal.
It is made of a hard material that can also cut 7a.
【0026】本願構成の切断整形金型10では、ゲート
部ランナ11の切断をする際、合わせてゲート回りのリ
ード17aも切断できるため、デゲート処理が終了した
段階で変形の発生が起こり易かったゲート回りのリード
17aは除去されている(図3はデゲート処理が終了し
た段階における半導体装置を示している)。In the cutting and shaping die 10 having the structure of the present application, when the gate runner 11 is cut, the leads 17a around the gate can also be cut, so that the deformation is likely to occur at the stage when the degating process is completed. The surrounding leads 17a are removed (FIG. 3 shows the semiconductor device at the stage when the degating process is completed).
【0027】従って、デゲート処理の後に実施されるタ
イバーカット処理においては、ゲート回りのリード17
aは存在しないため、タイバーカット処理において使用
されるタイバーカット用のパンチ及びダイが破損する等
の障害を確実に防止することができる。Therefore, in the tie bar cutting process performed after the degate process, the leads 17 around the gate are
Since a does not exist, it is possible to reliably prevent damage such as damage to the tie bar cutting punch and die used in the tie bar cutting process.
【0028】また従来必要とされていたリード曲がりの
発生を調べるための目視検査及び手直し作業は不要とな
り、半導体装置の生産効率の向上及び製品コストの低減
を図ることができる。Further, the visual inspection and the reworking work for checking the occurrence of the lead bending, which have been conventionally required, are unnecessary, and the production efficiency of the semiconductor device can be improved and the product cost can be reduced.
【0029】[0029]
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、ゲート部に
形成されたランナをリードフレームから分離する際、パ
ッケージのゲート部近傍に位置するリードフレームも前
記ランナと共に切断されるため、ゲート部に形成された
ランナの切断にともないゲート部近傍に位置するリード
フレームが変形することはなくなり、よってデゲート処
理の後に実施されるタイバーカット処理においてタイバ
ーカット用のパンチ及びダイが破損する等の障害を確実
に防止することができ、またリード曲がりの発生を調べ
るための目視検査及び手直し作業は不要となり、半導体
装置の生産効率の向上及び製品コストの低減を図ること
ができる等の特長を有する。As described above, according to the present invention, when the runner formed in the gate portion is separated from the lead frame, the lead frame located in the vicinity of the gate portion of the package is also cut together with the runner. The lead frame located in the vicinity of the gate will not be deformed due to the cutting of the runner formed on the tie bar. It has features that it can be surely prevented, and that visual inspection and rework for checking the occurrence of lead bending are not necessary, and that production efficiency of semiconductor devices can be improved and product cost can be reduced.
【図1】本発明の一実施例である切断整形金型に用いら
れるパンチの形状を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining the shape of a punch used in a cutting and shaping die that is an embodiment of the present invention.
【図2】本発明になる切断整形金型の概略構成図であ
る。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a cutting and shaping mold according to the present invention.
【図3】デゲート処理が終了した段階における半導体装
置を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the semiconductor device at a stage when the degate process is completed.
【図4】ゲート部ランナの形成状態を説明するための図
である。FIG. 4 is a diagram for explaining a formation state of a gate runner.
【図5】ゲート回りのリードにリード曲がりが発生した
状態を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a state where lead bending occurs in a lead around a gate.
【図6】タイバーカット処理を説明するための図であ
る。FIG. 6 is a diagram for explaining tie bar cutting processing.
10 切断整形金型 11 ゲート部ランナ 12 上型 13 下型 14 パンチ 15 ダイ 16 パッケージ 17 リード 17a ゲート回りのリード 18 タイバー 10 Cutting and shaping die 11 Gate runner 12 Upper die 13 Lower die 14 Punch 15 Die 16 Package 17 Lead 17a Gate surrounding lead 18 Tie bar
Claims (2)
整形後にパッケージ(16)のゲート部に形成されたラ
ンナ(11)をリードフレームから分離するデゲート処
理に用いられ、 前記デゲート処理を行う際、前記パッケージ(16)の
ゲート部近傍に位置するリードフレーム(17a)も前
記ランナ(11)と共に切断し得る構成としてなること
を特徴とする切断整形金型。1. A degate process for separating a runner (11) formed on a gate portion of a package (16) from a lead frame after resin shaping in a resin encapsulation process of a semiconductor device, wherein the degate process is performed, A cutting and shaping mold, wherein the lead frame (17a) located near the gate of the package (16) can be cut together with the runner (11).
(15)とにより構成されており、前記パンチ(14)
とダイ(15)が噛合することにより、半導体装置の樹
脂封止工程において樹脂整形後にパッケージ(16)の
ゲート部に形成されたランナ(11)をリードフレーム
から除去する構成とされた切断整形金型において、 前記パンチ(14)の切断面積を前記ゲート部に形成さ
れたランナ(11)の形状よりも大きく設定し、前記パ
ッケージ(16)のゲート部近傍に位置するリードフレ
ーム(17a)を前記ランナ(11)と共に切断する構
成としたことを特徴とする切断整形金型。2. The punch (14) is composed of a punch (14) and a die (15) which are arranged to face each other.
And the die (15) are engaged with each other, so that the runner (11) formed on the gate portion of the package (16) is removed from the lead frame after resin shaping in the resin sealing process of the semiconductor device. In the mold, the cutting area of the punch (14) is set larger than the shape of the runner (11) formed in the gate part, and the lead frame (17a) located near the gate part of the package (16) is A cutting and shaping mold which is configured to be cut together with the runner (11).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16716093A JPH0722562A (en) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | Cutting/shaping die |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16716093A JPH0722562A (en) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | Cutting/shaping die |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0722562A true JPH0722562A (en) | 1995-01-24 |
Family
ID=15844537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16716093A Pending JPH0722562A (en) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | Cutting/shaping die |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0722562A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020009885A (en) * | 2000-07-27 | 2002-02-02 | 마이클 디. 오브라이언 | Leadframe for semiconductor package |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP16716093A patent/JPH0722562A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020009885A (en) * | 2000-07-27 | 2002-02-02 | 마이클 디. 오브라이언 | Leadframe for semiconductor package |
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