JP3259793B2 - ウエハの洗浄処理方法 - Google Patents
ウエハの洗浄処理方法Info
- Publication number
- JP3259793B2 JP3259793B2 JP14385993A JP14385993A JP3259793B2 JP 3259793 B2 JP3259793 B2 JP 3259793B2 JP 14385993 A JP14385993 A JP 14385993A JP 14385993 A JP14385993 A JP 14385993A JP 3259793 B2 JP3259793 B2 JP 3259793B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- solution
- cleaning
- mixed solution
- fine particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハの洗浄処理方法
に係り、特に、ウエハ上に付着した微粒子、金属不純
物、有機膜、酸化膜等を除去する際に行うウエハの洗浄
処理方法に関する。
に係り、特に、ウエハ上に付着した微粒子、金属不純
物、有機膜、酸化膜等を除去する際に行うウエハの洗浄
処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ウエハ上に付着した微粒子、
金属不純物、有機膜、酸化膜等を除去する目的で、種々
の洗浄処理方法が行われている。例えば、ウエハ上に付
着した微粒子を除去する方法としては、一般的に、ウエ
ハをＮＨ4 ＯＨ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液（混
合溶液）中で洗浄処理する方法が挙げられ、ウエハ上に
付着した金属不純物を除去する方法としては、ウエハを
ＨＣｌ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液中で洗浄処理
する方法が挙げられる。また、ウエハに付着した酸化膜
を除去する方法としては、一般的に、ウエハをＨＦ／Ｈ
2 Ｏからなる洗浄液中、あるいはＨＦ／ＮＨ4 Ｆからな
る洗浄液中で洗浄処理する方法が挙げられ、ウエハに付
着した有機膜を除去する方法としては、ウエハをＨ2 Ｓ
Ｏ4 ／Ｈ2 Ｏ2 からなる洗浄液中で洗浄処理する方法が
挙げられる。
金属不純物、有機膜、酸化膜等を除去する目的で、種々
の洗浄処理方法が行われている。例えば、ウエハ上に付
着した微粒子を除去する方法としては、一般的に、ウエ
ハをＮＨ4 ＯＨ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液（混
合溶液）中で洗浄処理する方法が挙げられ、ウエハ上に
付着した金属不純物を除去する方法としては、ウエハを
ＨＣｌ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液中で洗浄処理
する方法が挙げられる。また、ウエハに付着した酸化膜
を除去する方法としては、一般的に、ウエハをＨＦ／Ｈ
2 Ｏからなる洗浄液中、あるいはＨＦ／ＮＨ4 Ｆからな
る洗浄液中で洗浄処理する方法が挙げられ、ウエハに付
着した有機膜を除去する方法としては、ウエハをＨ2 Ｓ
Ｏ4 ／Ｈ2 Ｏ2 からなる洗浄液中で洗浄処理する方法が
挙げられる。
【０００３】また、この他にも、例えば、特開昭６２−
２７２５４０号公報や特開昭６２−２７２５４１号公
報、及び特開平１−２１１９２５号公報に開示されてい
るように、ウエハを洗浄する際に、ＵＶ光とハロゲンガ
スを利用するガスクリーニング処理方法が紹介されてい
る。そしてまた、特開平１−２５９５３６号公報に開示
されているように、超音波振動の伝搬された洗浄液を噴
射して個々のウエハの洗浄処理を行う枚葉式洗浄処理方
法が紹介されている。
２７２５４０号公報や特開昭６２−２７２５４１号公
報、及び特開平１−２１１９２５号公報に開示されてい
るように、ウエハを洗浄する際に、ＵＶ光とハロゲンガ
スを利用するガスクリーニング処理方法が紹介されてい
る。そしてまた、特開平１−２５９５３６号公報に開示
されているように、超音波振動の伝搬された洗浄液を噴
射して個々のウエハの洗浄処理を行う枚葉式洗浄処理方
法が紹介されている。
【０００４】さらに、特開平４−２６１２０号公報で
は、ウエハをＨＦ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液中
で洗浄処理することで、当該ウエハに付着していた金属
不純物を除去すると共に、微粒子の再付着を防止するこ
とができる洗浄処理方法が紹介されている。
は、ウエハをＨＦ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液中
で洗浄処理することで、当該ウエハに付着していた金属
不純物を除去すると共に、微粒子の再付着を防止するこ
とができる洗浄処理方法が紹介されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｎ
Ｈ4 ＯＨ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液のように、
アルカリ性の洗浄液は、微粒子を除去したり、Ｃｕ等の
ようにアンモニアと錯体を作り易い金属を除去すること
ができる反面、ＡｌやＦｅ等のように酸化し易い金属
は、前記洗浄処理の際に、酸化膜となってウエハ上に形
成され（ウエハ上に形成される酸化膜中に取り込まれ
る）、当該ウエハから除去することが困難であるという
問題があった。
Ｈ4 ＯＨ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液のように、
アルカリ性の洗浄液は、微粒子を除去したり、Ｃｕ等の
ようにアンモニアと錯体を作り易い金属を除去すること
ができる反面、ＡｌやＦｅ等のように酸化し易い金属
は、前記洗浄処理の際に、酸化膜となってウエハ上に形
成され（ウエハ上に形成される酸化膜中に取り込まれ
る）、当該ウエハから除去することが困難であるという
問題があった。
【０００６】また、前記ＨＣｌ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏから
なる洗浄液やＨ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2からなる洗浄液のよ
うに、酸性の洗浄液は、ＡｌやＦｅ等のように酸化し易
い金属は除去できるが、微粒子や拡散速度の速い金属を
除去することが困難であるという問題があった。そし
て、ＨＦ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液は、Ｃｕ等のように、
Ｓｉよりもイオン化傾向の小さい金属や微粒子が付着し
やすいという問題があった。
なる洗浄液やＨ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2からなる洗浄液のよ
うに、酸性の洗浄液は、ＡｌやＦｅ等のように酸化し易
い金属は除去できるが、微粒子や拡散速度の速い金属を
除去することが困難であるという問題があった。そし
て、ＨＦ／Ｈ2 Ｏからなる洗浄液は、Ｃｕ等のように、
Ｓｉよりもイオン化傾向の小さい金属や微粒子が付着し
やすいという問題があった。
【０００７】このため、現在では、前記種々の洗浄処理
方法を組み合わせて行うことで、ウエハに付着している
微粒子、金属不純物、有機膜、酸化膜等を除去してい
る。従って、洗浄処理に時間と手間がかかり、生産性を
低下させると共に、製造コストが増加するという問題が
あった。本発明は、このような問題を解決することを課
題とするものであり、ウエハに付着した金属不純物と微
粒子を同時に除去することが可能なウエハの洗浄処理方
法を提供することを目的とする。
方法を組み合わせて行うことで、ウエハに付着している
微粒子、金属不純物、有機膜、酸化膜等を除去してい
る。従って、洗浄処理に時間と手間がかかり、生産性を
低下させると共に、製造コストが増加するという問題が
あった。本発明は、このような問題を解決することを課
題とするものであり、ウエハに付着した金属不純物と微
粒子を同時に除去することが可能なウエハの洗浄処理方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、酸化力を有する溶液と、酸化膜をエッチ
ングする溶液と、ｐＨ調整溶液と、からなる混合溶液中
で、ウエハを洗浄する工程を備えたことを特徴とするウ
エハの洗浄処理方法を提供するものである。そして、前
記ｐＨ調整溶液として、ＮＨ4 Ｆを使用することを特徴
とするウエハの洗浄処理方法を提供するものである。
に、本発明は、酸化力を有する溶液と、酸化膜をエッチ
ングする溶液と、ｐＨ調整溶液と、からなる混合溶液中
で、ウエハを洗浄する工程を備えたことを特徴とするウ
エハの洗浄処理方法を提供するものである。そして、前
記ｐＨ調整溶液として、ＮＨ4 Ｆを使用することを特徴
とするウエハの洗浄処理方法を提供するものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、酸化力を有する溶液と、酸化
膜をエッチングする溶液と、ｐＨ調整溶液と、からなる
混合溶液中で、ウエハを洗浄するため、ウエハに付着し
た金属不純物と微粒子を同時に除去することができる。
即ち、前記混合溶液中でウエハを洗浄すると、先ず、前
記酸化力を有する溶液の作用により、ウエハに付着して
いる金属不純物や微粒子が酸化され、当該ウエハ上に酸
化膜が形成される。次に、前記酸化膜をエッチングする
溶液の作用により、前記ウエハ上に形成された酸化膜が
エッチング除去される。従って、前記混合溶液中でウエ
ハを洗浄することにより、当該ウエハに付着していた金
属不純物と微粒子を同時に除去することができる。
膜をエッチングする溶液と、ｐＨ調整溶液と、からなる
混合溶液中で、ウエハを洗浄するため、ウエハに付着し
た金属不純物と微粒子を同時に除去することができる。
即ち、前記混合溶液中でウエハを洗浄すると、先ず、前
記酸化力を有する溶液の作用により、ウエハに付着して
いる金属不純物や微粒子が酸化され、当該ウエハ上に酸
化膜が形成される。次に、前記酸化膜をエッチングする
溶液の作用により、前記ウエハ上に形成された酸化膜が
エッチング除去される。従って、前記混合溶液中でウエ
ハを洗浄することにより、当該ウエハに付着していた金
属不純物と微粒子を同時に除去することができる。
【００１０】ここで、前記混合溶液のｐＨが、所定値よ
りアルカリ性側に傾くと、ウエハから除去された金属不
純物が再びウエハに付着し易くなる。一方、前記混合溶
液のｐＨが所定値より酸性側に傾くと、ウエハから除去
された微粒子が再びウエハに付着し易くなる。従って、
本発明では、前記酸化力を有する溶液と、酸化膜をエッ
チングする溶液に、ｐＨ調整溶液を混合し、前記金属不
純物及び微粒子が、前記ウエハに再付着しないｐＨ値を
得た。
りアルカリ性側に傾くと、ウエハから除去された金属不
純物が再びウエハに付着し易くなる。一方、前記混合溶
液のｐＨが所定値より酸性側に傾くと、ウエハから除去
された微粒子が再びウエハに付着し易くなる。従って、
本発明では、前記酸化力を有する溶液と、酸化膜をエッ
チングする溶液に、ｐＨ調整溶液を混合し、前記金属不
純物及び微粒子が、前記ウエハに再付着しないｐＨ値を
得た。
【００１１】また、前記ｐＨ調整溶液として、ＮＨ4 Ｆ
を使用することで、前記混合溶液内に塩が発生すること
がなく、ウエハへの金属不純物や微粒子の再付着をさら
に効果的に防止することができる。
を使用することで、前記混合溶液内に塩が発生すること
がなく、ウエハへの金属不純物や微粒子の再付着をさら
に効果的に防止することができる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明に係る一実施例について説明す
る。先ず、Ｈ2 Ｏと、酸化力を有する溶液としてＨ2 Ｏ
2 （３０重量％）と、酸化膜をエッチングする溶液とし
てＨＦ（５０重量％）を、 Ｈ2 Ｏ：Ｈ2 Ｏ2 ：ＨＦ＝５４０：４８：１ の比率で調合し、第１の混合溶液を作製した。ここで、
濃度が０．１重量％であるＨＦは、酸化膜に対するエッ
チングレートが５Å／min 程度となる。
る。先ず、Ｈ2 Ｏと、酸化力を有する溶液としてＨ2 Ｏ
2 （３０重量％）と、酸化膜をエッチングする溶液とし
てＨＦ（５０重量％）を、 Ｈ2 Ｏ：Ｈ2 Ｏ2 ：ＨＦ＝５４０：４８：１ の比率で調合し、第１の混合溶液を作製した。ここで、
濃度が０．１重量％であるＨＦは、酸化膜に対するエッ
チングレートが５Å／min 程度となる。
【００１３】次に、前記第１の混合溶液（２４℃）中
に、洗浄すべきウエハを浸漬し、１０分間程度洗浄処理
を行った。この時、前記第１の混合溶液は、Ｈ2 Ｏ2 の
作用により、ウエハに付着していた金属不純物や微粒子
を酸化し、当該ウエハ上に酸化膜を形成する。次いで、
前記第１の混合溶液中のＨＦの作用により、前記ウエハ
上に形成された酸化膜を５０Å程度エッチング除去す
る。この除去された酸化膜は、前記第１の混合用液中に
混入（浮遊）した状態で存在する。
に、洗浄すべきウエハを浸漬し、１０分間程度洗浄処理
を行った。この時、前記第１の混合溶液は、Ｈ2 Ｏ2 の
作用により、ウエハに付着していた金属不純物や微粒子
を酸化し、当該ウエハ上に酸化膜を形成する。次いで、
前記第１の混合溶液中のＨＦの作用により、前記ウエハ
上に形成された酸化膜を５０Å程度エッチング除去す
る。この除去された酸化膜は、前記第１の混合用液中に
混入（浮遊）した状態で存在する。
【００１４】次いで、前記１０分間の洗浄処理が終了し
た第１の混合溶液に、ｐＨ調整溶液としてＮＨ4 Ｆを、
図１に示す割合（重量％）で混合（添加）し、第２の混
合溶液を作製する。なお、図１は、ＮＨ4 Ｆの添加量
と、得られた第２の混合溶液のｐＨ値との関係を示す図
である。ここで、前記第２の混合溶液は、図１に示すよ
うに、ＮＨ4 Ｆの混合量に応じてそのｐＨ値が変化して
いくことが判る。
た第１の混合溶液に、ｐＨ調整溶液としてＮＨ4 Ｆを、
図１に示す割合（重量％）で混合（添加）し、第２の混
合溶液を作製する。なお、図１は、ＮＨ4 Ｆの添加量
と、得られた第２の混合溶液のｐＨ値との関係を示す図
である。ここで、前記第２の混合溶液は、図１に示すよ
うに、ＮＨ4 Ｆの混合量に応じてそのｐＨ値が変化して
いくことが判る。
【００１５】また、図２は、第２の混合溶液のｐＨ値
と、当該第２の混合溶液中からウエハに再付着した微粒
子（particle）の数（個数）との関係を示す図である。
図２から、第２の混合溶液のｐＨ値が低くなる（酸性側
になる）ほど、微粒子の再付着量が減少することが確認
された。なお、図２では、ｐＨ値を調整した第２の混合
溶液にポリスチレンラテックス粒子（粒径＝０．３μｍ
程度）を１×１０4 個／ｍｌ程度混入し、前記ウエハに
再付着したポリスチレンラテックス粒子の数を以て、微
粒子の再付着量とした。
と、当該第２の混合溶液中からウエハに再付着した微粒
子（particle）の数（個数）との関係を示す図である。
図２から、第２の混合溶液のｐＨ値が低くなる（酸性側
になる）ほど、微粒子の再付着量が減少することが確認
された。なお、図２では、ｐＨ値を調整した第２の混合
溶液にポリスチレンラテックス粒子（粒径＝０．３μｍ
程度）を１×１０4 個／ｍｌ程度混入し、前記ウエハに
再付着したポリスチレンラテックス粒子の数を以て、微
粒子の再付着量とした。
【００１６】また、図３は、前記第２の混合溶液のｐＨ
値と、当該第２の混合溶液中からウエハに再付着した金
属不純物（Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ）の数（個数）との関係を
示す図である。図３から、第２の混合溶液のｐＨ値が２
〜４程度であれば、金属不純物の物の再付着量が一定で
あることが確認された。これらの結果から、前記第１の
混合溶液に、ＮＨ4 Ｆ（ｐＨ調整溶液）を混合し、得ら
れた第２の混合溶液のｐＨを最適な値に調整すること
で、ウエハに付着していた金属不純物及び微粒子を同時
に除去することができると共に、当該ウエハに金属不純
物及び微粒子が再付着することを防止した良好な洗浄処
理を行うことができることが立証された。
値と、当該第２の混合溶液中からウエハに再付着した金
属不純物（Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ）の数（個数）との関係を
示す図である。図３から、第２の混合溶液のｐＨ値が２
〜４程度であれば、金属不純物の物の再付着量が一定で
あることが確認された。これらの結果から、前記第１の
混合溶液に、ＮＨ4 Ｆ（ｐＨ調整溶液）を混合し、得ら
れた第２の混合溶液のｐＨを最適な値に調整すること
で、ウエハに付着していた金属不純物及び微粒子を同時
に除去することができると共に、当該ウエハに金属不純
物及び微粒子が再付着することを防止した良好な洗浄処
理を行うことができることが立証された。
【００１７】なお、本実施例では、酸化力を有する溶液
としてＨ2 Ｏ2 （１重量％）を使用したが、これに限ら
ず、酸化力を有する溶液であれば、他の種類の溶液を使
用してもよい。また、本実施例では、酸化膜をエッチン
グする溶液としてＨＦ（０．１重量％）を使用したが、
これに限らず、酸化膜をエッチングする溶液であれば、
他の種類の溶液を使用してもよい。
としてＨ2 Ｏ2 （１重量％）を使用したが、これに限ら
ず、酸化力を有する溶液であれば、他の種類の溶液を使
用してもよい。また、本実施例では、酸化膜をエッチン
グする溶液としてＨＦ（０．１重量％）を使用したが、
これに限らず、酸化膜をエッチングする溶液であれば、
他の種類の溶液を使用してもよい。
【００１８】そしてまた、前記酸化力を有する溶液と酸
化膜をエッチングする溶液との混合比は、各溶液の濃度
や洗浄するウエハに付着している物質の種類等、所望に
より決定してよい。さらに、本実施例では、ｐＨ調整溶
液としてＮＨ4 Ｆを使用したが、これに限らず、混合溶
液内に塩が発生することなく、当該混合溶液のｐＨ調整
を行うことができる溶液であれば、他の種類の溶液を用
いてもよい。
化膜をエッチングする溶液との混合比は、各溶液の濃度
や洗浄するウエハに付着している物質の種類等、所望に
より決定してよい。さらに、本実施例では、ｐＨ調整溶
液としてＮＨ4 Ｆを使用したが、これに限らず、混合溶
液内に塩が発生することなく、当該混合溶液のｐＨ調整
を行うことができる溶液であれば、他の種類の溶液を用
いてもよい。
【００１９】また、本実施例では、第２の混合溶液のｐ
Ｈを２〜４程度に調整したが、当該混合溶液のｐＨは、
状況に応じて調整すればよい。
Ｈを２〜４程度に調整したが、当該混合溶液のｐＨは、
状況に応じて調整すればよい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るウエ
ハの洗浄処理方法は、酸化力を有する溶液と、酸化膜を
エッチングする溶液と、ｐＨ調整溶液と、からなる混合
溶液中でウエハを洗浄するため、当該ウエハに付着して
いた金属不純物や微粒子を、前記酸化力を有する溶液で
酸化して該ウエハ上に酸化膜を形成し、この酸化膜を前
記酸化膜をエッチングする溶液によりエッチング除去す
ることができる。このため、前記金属不純物と微粒子を
同時に除去することができる。また、前記ｐＨ調整溶液
を混合することで、前記金属不純物及び微粒子が、前記
ウエハに再付着することを防止することができる。この
結果、一度の洗浄工程のみで良好な洗浄処理を行うこと
ができ、洗浄処理工程を簡略化することができる。
ハの洗浄処理方法は、酸化力を有する溶液と、酸化膜を
エッチングする溶液と、ｐＨ調整溶液と、からなる混合
溶液中でウエハを洗浄するため、当該ウエハに付着して
いた金属不純物や微粒子を、前記酸化力を有する溶液で
酸化して該ウエハ上に酸化膜を形成し、この酸化膜を前
記酸化膜をエッチングする溶液によりエッチング除去す
ることができる。このため、前記金属不純物と微粒子を
同時に除去することができる。また、前記ｐＨ調整溶液
を混合することで、前記金属不純物及び微粒子が、前記
ウエハに再付着することを防止することができる。この
結果、一度の洗浄工程のみで良好な洗浄処理を行うこと
ができ、洗浄処理工程を簡略化することができる。
【００２１】さらにまた、前記ｐＨ調整溶液として、Ｎ
Ｈ4 Ｆを使用することで、前記混合溶液内に塩が発生す
ることがなく、ウエハへの金属不純物や微粒子の再付着
をさらに効果的に防止することができる。
Ｈ4 Ｆを使用することで、前記混合溶液内に塩が発生す
ることがなく、ウエハへの金属不純物や微粒子の再付着
をさらに効果的に防止することができる。
【図１】本発明に係る実施例におけるＮＨ4 Ｆの添加量
と、得られた第２の混合溶液のｐＨ値との関係を示す図
である。
と、得られた第２の混合溶液のｐＨ値との関係を示す図
である。
【図２】本発明に係る実施例における第２の混合溶液の
ｐＨ値と、当該第２の混合溶液中からウエハに再付着し
た微粒子（particle）の数との関係を示す図である。
ｐＨ値と、当該第２の混合溶液中からウエハに再付着し
た微粒子（particle）の数との関係を示す図である。
【図３】本発明に係る実施例における第２の混合溶液の
ｐＨ値と、当該第２の混合溶液中からウエハに再付着し
た金属不純物の数との関係を示す図である。
ｐＨ値と、当該第２の混合溶液中からウエハに再付着し
た金属不純物の数との関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化力を有する溶液と、酸化膜をエッチ
ングする溶液と、ｐＨ調整溶液と、からなる混合溶液中
で、ウエハを洗浄する工程を備えたことを特徴とするウ
エハの洗浄処理方法。 - 【請求項２】 前記ｐＨ調整溶液として、ＮＨ4 Ｆを使
用することを特徴とする請求項１記載のウエハの洗浄処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14385993A JP3259793B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | ウエハの洗浄処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14385993A JP3259793B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | ウエハの洗浄処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076990A JPH076990A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3259793B2 true JP3259793B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=15348639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14385993A Expired - Fee Related JP3259793B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | ウエハの洗浄処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3259793B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2643814B2 (ja) * | 1993-12-24 | 1997-08-20 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の洗浄方法 |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP14385993A patent/JP3259793B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH076990A (ja) | 1995-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2586304B2 (ja) | 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 | |
| US5837662A (en) | Post-lapping cleaning process for silicon wafers | |
| EP0805484A1 (en) | Method of cleaning substrates | |
| JP3319397B2 (ja) | 半導体製造装置およびこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| KR20000017572A (ko) | 반도체 기판의 세정 방법 | |
| US6346505B1 (en) | Cleaning solution for electromaterials and method for using same | |
| JP3279532B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10256211A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3259793B2 (ja) | ウエハの洗浄処理方法 | |
| JP3239998B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH0786220A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
| JP3185732B2 (ja) | 基板表面金属汚染除去方法 | |
| JP2576409B2 (ja) | 金属不純物除去方法およびその装置 | |
| JP2002100599A (ja) | シリコンウェーハの枚葉洗浄方法 | |
| JP2001326209A (ja) | シリコン基板の表面処理方法 | |
| JPH0831781A (ja) | 洗浄薬液 | |
| JP3337895B2 (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
| JP4026384B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3158407B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP2000049132A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH11243073A (ja) | シリコンウエーハを液中で保管する方法 | |
| JP2639008B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3353477B2 (ja) | 純水リンス方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH11274129A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH11329982A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法およびこれに用いる半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071214 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091214 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |