JPH07219240A - ポジ型レジスト用剥離液 - Google Patents
ポジ型レジスト用剥離液Info
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- JPH07219240A JPH07219240A JP2497094A JP2497094A JPH07219240A JP H07219240 A JPH07219240 A JP H07219240A JP 2497094 A JP2497094 A JP 2497094A JP 2497094 A JP2497094 A JP 2497094A JP H07219240 A JPH07219240 A JP H07219240A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】含窒素有機ヒドロキシ化合物からなるレジスト
剥離用組成物に、分子中に水酸基を有しないカルボキシ
ル基含有有機化合物を配合してなるポジ型レジスト用剥
離液 【効果】剥離性に優れるとともに剥離性の経時的変化も
なく安定性がよく、かつアルミニウムや銅等の金属材料
を腐食しないという効果を奏する。
剥離用組成物に、分子中に水酸基を有しないカルボキシ
ル基含有有機化合物を配合してなるポジ型レジスト用剥
離液 【効果】剥離性に優れるとともに剥離性の経時的変化も
なく安定性がよく、かつアルミニウムや銅等の金属材料
を腐食しないという効果を奏する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なポジ型レジスト
用剥離液、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素
子あるいは液晶パネル素子の製造に好適に使用される、
剥離性の経時劣化が少なく、剥離安定性に優れ、かつア
ルミニウムや銅等の金属材料に対する腐食性の少ないポ
ジ型レジスト用剥離液に関する。
用剥離液、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素
子あるいは液晶パネル素子の製造に好適に使用される、
剥離性の経時劣化が少なく、剥離安定性に優れ、かつア
ルミニウムや銅等の金属材料に対する腐食性の少ないポ
ジ型レジスト用剥離液に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光および現
像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターン
をマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエ
ッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト
層を剥離液で除去して製造されている。
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光および現
像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターン
をマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエ
ッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト
層を剥離液で除去して製造されている。
【０００３】上記レジストを除去する剥離液として、従
来、全炭素数１０〜２０のアルキルベンゼンスルホン酸
と沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶
剤からなる剥離液（特開昭５１−７２５０３号公報）、
ジメチル又はジエチルスルホキシドと有機スルホンとか
らなる剥離液（特開昭５７−８４４５６号公報）、全炭
素数１０〜２０の表面活性アルキルアリールスルホン酸
と全炭素数６〜９の向水性芳香族スルホンと沸点１５０
℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤とからなる
剥離液（米国特許第４，１６５，２９４号明細書）、有
機スルホン酸および１，２−ジヒドロキシベンゼンに極
性または非極性有機溶剤を添加した剥離液（ヨ−ロッパ
公開特許第０１１９，３３７号明細書）等が使用されて
きた。
来、全炭素数１０〜２０のアルキルベンゼンスルホン酸
と沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶
剤からなる剥離液（特開昭５１−７２５０３号公報）、
ジメチル又はジエチルスルホキシドと有機スルホンとか
らなる剥離液（特開昭５７−８４４５６号公報）、全炭
素数１０〜２０の表面活性アルキルアリールスルホン酸
と全炭素数６〜９の向水性芳香族スルホンと沸点１５０
℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤とからなる
剥離液（米国特許第４，１６５，２９４号明細書）、有
機スルホン酸および１，２−ジヒドロキシベンゼンに極
性または非極性有機溶剤を添加した剥離液（ヨ−ロッパ
公開特許第０１１９，３３７号明細書）等が使用されて
きた。
【０００４】ところが、上記剥離液はレジストに対する
剥離能力が十分でなく、特に半導体素子や液晶パネル素
子の製造工程で例えば高温に曝されたり、エッチング処
理の際に強い酸溶液やプラズマのような過酷な化学環境
に曝されて、変質したレジストに対して剥離性が低いた
め、実用性に欠けるところがあった。また、上記剥離液
は導電性金属膜を形成するアルミニウム、銅、アルミニ
ウム合金等の金属に対し腐食性を有するばかりでなく、
レジスト膜の剥離温度として実用的な温度である１００
℃以上では剥離液の揮発量が多く、液組成に経時的変化
が起こり、安定な剥離液を維持できないという欠点があ
った。
剥離能力が十分でなく、特に半導体素子や液晶パネル素
子の製造工程で例えば高温に曝されたり、エッチング処
理の際に強い酸溶液やプラズマのような過酷な化学環境
に曝されて、変質したレジストに対して剥離性が低いた
め、実用性に欠けるところがあった。また、上記剥離液
は導電性金属膜を形成するアルミニウム、銅、アルミニ
ウム合金等の金属に対し腐食性を有するばかりでなく、
レジスト膜の剥離温度として実用的な温度である１００
℃以上では剥離液の揮発量が多く、液組成に経時的変化
が起こり、安定な剥離液を維持できないという欠点があ
った。
【０００５】上記従来の剥離液の欠点を解消し、防食性
に優れ、かつ高い剥離性を有する剥離液が、近年、例え
ば特開平４−３５０６６０号公報に１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドと所定量
の水溶性有機アミンからなる剥離液として、また特開平
５−２８１７５３号公報にアルカノールアミン化合物、
スルホン化合物またはスルホキシド化合物、およびヒド
ロキシ化合物からなる剥離剤として提案されている。
に優れ、かつ高い剥離性を有する剥離液が、近年、例え
ば特開平４−３５０６６０号公報に１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドと所定量
の水溶性有機アミンからなる剥離液として、また特開平
５−２８１７５３号公報にアルカノールアミン化合物、
スルホン化合物またはスルホキシド化合物、およびヒド
ロキシ化合物からなる剥離剤として提案されている。
【０００６】しかしながら、上記剥離液は、確かに従来
の剥離液に比べて、防食性や剥離性において向上が見ら
れるものの、微細加工化の進む半導体素子や液晶パネル
素子の製造工程では、アルミニウム、銅、アルミニウム
合金等が使用されるようになり、これらに対し僅かな腐
食性を有していても断線等の問題を生じるため、実用的
なレベルからみれば未だ十分なもでないという欠点を有
している。
の剥離液に比べて、防食性や剥離性において向上が見ら
れるものの、微細加工化の進む半導体素子や液晶パネル
素子の製造工程では、アルミニウム、銅、アルミニウム
合金等が使用されるようになり、これらに対し僅かな腐
食性を有していても断線等の問題を生じるため、実用的
なレベルからみれば未だ十分なもでないという欠点を有
している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は、従来のポジ型レジスト用剥離液の有する
問題点を改善すべく鋭意研究した結果、含窒素有機ヒド
ロキシ化合物からなるレジスト剥離用組成物にカルボキ
シル基含有有機化合物を配合することにより剥離性、剥
離安定性が改善され、かつアルミニウム、銅、アルミニ
ウム合金等の金属材料の腐食が少ない剥離液が得られる
ことを見出し、本発明を完成したものである。
本発明者等は、従来のポジ型レジスト用剥離液の有する
問題点を改善すべく鋭意研究した結果、含窒素有機ヒド
ロキシ化合物からなるレジスト剥離用組成物にカルボキ
シル基含有有機化合物を配合することにより剥離性、剥
離安定性が改善され、かつアルミニウム、銅、アルミニ
ウム合金等の金属材料の腐食が少ない剥離液が得られる
ことを見出し、本発明を完成したものである。
【０００８】すなわち、本発明は、導電性金属層を形成
する金属に対して腐食することの少ないポジ型レジスト
用剥離液を提供することを目的とする。
する金属に対して腐食することの少ないポジ型レジスト
用剥離液を提供することを目的とする。
【０００９】また、本発明は、剥離性に優れているとと
もに剥離安定性にも優れた剥離液を提供することを目的
とする。
もに剥離安定性にも優れた剥離液を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、含窒素有機ヒドロキシ化合物からなるレジスト剥
離用組成物に、カルボキシル基含有有機化合物を配合し
てなるポジ型レジスト用剥離液に係る。
明は、含窒素有機ヒドロキシ化合物からなるレジスト剥
離用組成物に、カルボキシル基含有有機化合物を配合し
てなるポジ型レジスト用剥離液に係る。
【００１１】以下、本発明の剥離液を詳細に説明する。
【００１２】本発明の含窒素有機ヒドロキシ化合物から
なるレジスト剥離用組成物とは、従来より公知の、含窒
素有機ヒドロキシ化合物単独、または含窒素有機ヒドロ
キシ化合物を有効成分とし、これに芳香族ヒドロキシ化
合物、トリアゾール化合物、水溶性有機溶剤または水の
少なくとも一種が配合されたレジスト剥離用組成物をい
う。このレジスト剥離用組成物の必須成分である含窒素
有機ヒドロキシ化合物としては分子中に窒素原子を有す
る有機ヒドロキシ化合物であれば特に制限されず、各種
のものが使用できる。具体的には、モノエタノールアミ
ン、Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジン、１−（２−ヒド
ロキシエチル）−２−ピロリドン、１−（３−ヒドロキ
シプロピル）−２−ピロリドン、４−（２−ヒドロキシ
エチル）モルホリン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フ
タルイミド、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、
ヒドロキシルアミン、３−（１−ピロリジル）−１，２
−プロパンジオール、２−ピペリジンメタノール、Ｎ−
メチル−３−ピペリジンメタノール、２−ピペリジンエ
タノール、Ｎ−メチル−３−ヒドロキシピペリジン、Ｎ
−メチル−４−ピペリジノール、１−ピペリジンエタノ
ール、エチルアミノエタノール、ジメチルアミノエタノ
ール、ジエチルアミノエタノール、２−（２−アミノエ
トキシ）エタノール等を挙げることができる。前記含窒
素有機ヒドロキシ化合物のうちＮ−ヒドロキシアルキル
置換のアミンおよび含窒素複素環式化合物が好ましく、
特にモノエタノールアミンが最適である。
なるレジスト剥離用組成物とは、従来より公知の、含窒
素有機ヒドロキシ化合物単独、または含窒素有機ヒドロ
キシ化合物を有効成分とし、これに芳香族ヒドロキシ化
合物、トリアゾール化合物、水溶性有機溶剤または水の
少なくとも一種が配合されたレジスト剥離用組成物をい
う。このレジスト剥離用組成物の必須成分である含窒素
有機ヒドロキシ化合物としては分子中に窒素原子を有す
る有機ヒドロキシ化合物であれば特に制限されず、各種
のものが使用できる。具体的には、モノエタノールアミ
ン、Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジン、１−（２−ヒド
ロキシエチル）−２−ピロリドン、１−（３−ヒドロキ
シプロピル）−２−ピロリドン、４−（２−ヒドロキシ
エチル）モルホリン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フ
タルイミド、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、
ヒドロキシルアミン、３−（１−ピロリジル）−１，２
−プロパンジオール、２−ピペリジンメタノール、Ｎ−
メチル−３−ピペリジンメタノール、２−ピペリジンエ
タノール、Ｎ−メチル−３−ヒドロキシピペリジン、Ｎ
−メチル−４−ピペリジノール、１−ピペリジンエタノ
ール、エチルアミノエタノール、ジメチルアミノエタノ
ール、ジエチルアミノエタノール、２−（２−アミノエ
トキシ）エタノール等を挙げることができる。前記含窒
素有機ヒドロキシ化合物のうちＮ−ヒドロキシアルキル
置換のアミンおよび含窒素複素環式化合物が好ましく、
特にモノエタノールアミンが最適である。
【００１３】上記含窒素有機ヒドロキシ化合物からなる
レジスト剥離用組成物に配合される水溶性有機溶剤とし
ては、水溶性を有する有機溶剤であればよく特に限定さ
れないが、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチ
ルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、エチレン
グリコールモノメチルエ−テル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレング
リコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコール
モノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノブチルエーテル等を挙げるこ
とができる。これらの水溶性有機溶剤は単独でもまたは
２種以上を組み合わせて用いてもよい。
レジスト剥離用組成物に配合される水溶性有機溶剤とし
ては、水溶性を有する有機溶剤であればよく特に限定さ
れないが、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチ
ルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、エチレン
グリコールモノメチルエ−テル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレング
リコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコール
モノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノブチルエーテル等を挙げるこ
とができる。これらの水溶性有機溶剤は単独でもまたは
２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１４】また、水は、配線材料をなす金属を腐食し
ない量であって、レジスト剥離用組成物全量に対して１
〜１５重量％の範囲で使用される。
ない量であって、レジスト剥離用組成物全量に対して１
〜１５重量％の範囲で使用される。
【００１５】上記レジスト剥離用組成物に配合される芳
香族ヒドロキシ化合物としては、クレゾール、キシレノ
ール、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノ
ン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、
サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコー
ル、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキ
シフェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−
アミノフェノール、ジアミノフェノール、アミノレゾル
シノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安
息香酸，２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒ
ドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、
３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げることができ、
これら化合物の単独または２種が組み合わせて用いられ
てよい。中でも剥離性の向上作用に優れたピロカテコー
ルが好適である。
香族ヒドロキシ化合物としては、クレゾール、キシレノ
ール、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノ
ン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、
サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコー
ル、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキ
シフェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−
アミノフェノール、ジアミノフェノール、アミノレゾル
シノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安
息香酸，２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒ
ドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、
３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げることができ、
これら化合物の単独または２種が組み合わせて用いられ
てよい。中でも剥離性の向上作用に優れたピロカテコー
ルが好適である。
【００１６】また、トリアゾール化合物としては、例え
ばベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−
トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボ
キシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリア
ゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロ
ピルベンゾトリアゾール等を挙げることができる。これ
らの化合物は単独でもまたは２種以上組み合わせて用い
てもよい。中でも防食性の向上作用に優れたベンゾトリ
アゾールが好適である。
ばベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−
トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボ
キシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリア
ゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロ
ピルベンゾトリアゾール等を挙げることができる。これ
らの化合物は単独でもまたは２種以上組み合わせて用い
てもよい。中でも防食性の向上作用に優れたベンゾトリ
アゾールが好適である。
【００１７】上記各成分の配合割合は、（Ａ）を含窒素
有機ヒドロキシ化合物、（Ｂ）を芳香族ヒドロキシ化合
物、（Ｃ）をトリアゾ−ル化合物、（Ｄ）を水溶性有機
溶剤としたとき、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とからなる二
成分系の場合、（Ａ）成分５０〜９８重量％と（Ｂ）成
分２〜５０重量％との割合で配合され、（Ａ）成分と
（Ｃ）又は（Ｄ）成分とからなる二成分系の場合、
（Ａ）成分２０〜８０重量％と（Ｃ）又は（Ｄ）成分２
０〜８０重量％との割合で配合され、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分又は（Ｄ）成分と（Ｃ）成分とからなる三成
分系の場合、（Ａ）成分５０〜９７．８重量％と（Ｂ）
成分又は（Ｄ）成分２〜４０重量％と（Ｃ）成分０．２
〜１０重量％との割合で配合され、（Ａ）成分と（Ｂ）
成分と（Ｄ）成分とからなる三成分系の場合、（Ａ）成
分５０〜９３重量％と（Ｂ）成分２〜４０重量％と
（Ｄ）成分５〜３０重量％との割合で配合され、（Ａ）
成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分と（Ｄ）成分とからなる
四成分系の場合、（Ａ）成分５０〜９２．８重量％と
（Ｂ）成分２〜４０重量％と（Ｃ）成分０．２〜１０重
量％と（Ｄ）成分５〜３０重量％との割合で配合される
のが好ましい。
有機ヒドロキシ化合物、（Ｂ）を芳香族ヒドロキシ化合
物、（Ｃ）をトリアゾ−ル化合物、（Ｄ）を水溶性有機
溶剤としたとき、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とからなる二
成分系の場合、（Ａ）成分５０〜９８重量％と（Ｂ）成
分２〜５０重量％との割合で配合され、（Ａ）成分と
（Ｃ）又は（Ｄ）成分とからなる二成分系の場合、
（Ａ）成分２０〜８０重量％と（Ｃ）又は（Ｄ）成分２
０〜８０重量％との割合で配合され、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分又は（Ｄ）成分と（Ｃ）成分とからなる三成
分系の場合、（Ａ）成分５０〜９７．８重量％と（Ｂ）
成分又は（Ｄ）成分２〜４０重量％と（Ｃ）成分０．２
〜１０重量％との割合で配合され、（Ａ）成分と（Ｂ）
成分と（Ｄ）成分とからなる三成分系の場合、（Ａ）成
分５０〜９３重量％と（Ｂ）成分２〜４０重量％と
（Ｄ）成分５〜３０重量％との割合で配合され、（Ａ）
成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分と（Ｄ）成分とからなる
四成分系の場合、（Ａ）成分５０〜９２．８重量％と
（Ｂ）成分２〜４０重量％と（Ｃ）成分０．２〜１０重
量％と（Ｄ）成分５〜３０重量％との割合で配合される
のが好ましい。
【００１８】本発明の剥離液の成分であるカルボキシル
基含有有機化合物とは、有機カルボン酸またはそれらの
酸無水物であって、分子中に水酸基を有しない化合物を
いう。このカルボキシル基含有有機化合物としては、具
体例には蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、
シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン
酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベン
ゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、
クエン酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン
酸、無水コハク酸等を挙げることができるが、これらに
限定されるものではなく、前記要件を満たす化合物であ
ればよい。前記カルボキシル基含有有機化合物は単独で
もまたは２種以上を組み合わせて使用されるが、その選
択に当たっては剥離液の各成分との相溶性を考慮して、
適宜選定される。好ましいカルボキシル基含有有機化合
物としては、蟻酸、フタル酸、安息香酸および無水フタ
ル酸があり、これらのカルボン酸は剥離安定性の向上作
用に優れ、特にフタル酸および無水フタル酸が好適であ
る。
基含有有機化合物とは、有機カルボン酸またはそれらの
酸無水物であって、分子中に水酸基を有しない化合物を
いう。このカルボキシル基含有有機化合物としては、具
体例には蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、
シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン
酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベン
ゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、
クエン酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン
酸、無水コハク酸等を挙げることができるが、これらに
限定されるものではなく、前記要件を満たす化合物であ
ればよい。前記カルボキシル基含有有機化合物は単独で
もまたは２種以上を組み合わせて使用されるが、その選
択に当たっては剥離液の各成分との相溶性を考慮して、
適宜選定される。好ましいカルボキシル基含有有機化合
物としては、蟻酸、フタル酸、安息香酸および無水フタ
ル酸があり、これらのカルボン酸は剥離安定性の向上作
用に優れ、特にフタル酸および無水フタル酸が好適であ
る。
【００１９】上記カルボキシル基含有有機化合物は、含
窒素有機ヒドロキシ化合物からなるレジスト剥離用組成
物に対して、０．０５〜１０重量％、好ましくは０．１
〜６重量％の割合で配合される。この配合量が０．０５
重量％未満では剥離性の安定化効果が低く実用的でな
く、また１０重量％を超えると剥離性を低下させるため
好ましくない。実用的には０．１〜６重量％が好適であ
る。
窒素有機ヒドロキシ化合物からなるレジスト剥離用組成
物に対して、０．０５〜１０重量％、好ましくは０．１
〜６重量％の割合で配合される。この配合量が０．０５
重量％未満では剥離性の安定化効果が低く実用的でな
く、また１０重量％を超えると剥離性を低下させるため
好ましくない。実用的には０．１〜６重量％が好適であ
る。
【００２０】上記の成分の配合に加えてさらに周知の添
加剤を添加できることはいうまでもない。
加剤を添加できることはいうまでもない。
【００２１】本発明のポジ型レジスト用剥離液は、基板
上に形成されたレジスト膜に対して６０〜１３０℃の温
度で接触させて使用される。該剥離液は、前記処理温度
において、成分の揮発量が少なく経時的に安定であると
ともに、成分の分解による素子や環境に対しての有害物
質の発生がない上、レジスト膜の剥離性に優れている。
レジスト膜はシリコンウエーハおよび液晶デスプレイ用
パネルに用いられるけい素、二酸化けい素、ガリウムひ
素単体あるいはその上に形成された導電性金属膜または
絶縁膜上に設けられる。
上に形成されたレジスト膜に対して６０〜１３０℃の温
度で接触させて使用される。該剥離液は、前記処理温度
において、成分の揮発量が少なく経時的に安定であると
ともに、成分の分解による素子や環境に対しての有害物
質の発生がない上、レジスト膜の剥離性に優れている。
レジスト膜はシリコンウエーハおよび液晶デスプレイ用
パネルに用いられるけい素、二酸化けい素、ガリウムひ
素単体あるいはその上に形成された導電性金属膜または
絶縁膜上に設けられる。
【００２２】次に、実施例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
【００２３】
実施例１〜１１ シリコンウエーハ上にポジ型レジストＯＦＰＲ−８００
（東京応化工業社製）を乾燥膜厚で１．３５μｍになる
ように塗布し、オーブン中でプレベークした。該シリコ
ンウエーハにレジストパターニング処理したのち、
（ｉ）１５０℃で５分間ポストベーク処理したサンプル
（ａ）、および（ｉｉ）１５０℃で５分間ポストベーク
したのち、硝酸第二セリウムアンモニウム系のエッチン
グ液である混酸ＣＴ（東京応化工業社製）に浸漬するこ
とでレジストパターンを変質させたサンプル（ｂ）を作
成し、それぞれサンプル（ａ）および（ｂ）のレジスト
膜を得た。次いでサンプル（ａ）および（ｂ）を表１に
示す剥離液に液温８０℃で浸積し、２分後、５分後およ
び１０分後にとりだして、その剥離性を以下の基準に従
って評価した。 ◎・・・・２分未満で剥離する ○・・・・２〜５分未満で剥離する △・・・・５〜１０分で剥離する ×・・・・１０分経過後も剥離しない
（東京応化工業社製）を乾燥膜厚で１．３５μｍになる
ように塗布し、オーブン中でプレベークした。該シリコ
ンウエーハにレジストパターニング処理したのち、
（ｉ）１５０℃で５分間ポストベーク処理したサンプル
（ａ）、および（ｉｉ）１５０℃で５分間ポストベーク
したのち、硝酸第二セリウムアンモニウム系のエッチン
グ液である混酸ＣＴ（東京応化工業社製）に浸漬するこ
とでレジストパターンを変質させたサンプル（ｂ）を作
成し、それぞれサンプル（ａ）および（ｂ）のレジスト
膜を得た。次いでサンプル（ａ）および（ｂ）を表１に
示す剥離液に液温８０℃で浸積し、２分後、５分後およ
び１０分後にとりだして、その剥離性を以下の基準に従
って評価した。 ◎・・・・２分未満で剥離する ○・・・・２〜５分未満で剥離する △・・・・５〜１０分で剥離する ×・・・・１０分経過後も剥離しない
【００２４】上記の剥離性評価を行った剥離液を、液温
８０℃に保持したまま１週間静置したのち、再使用し上
記と同様の剥離性評価を行い剥離液の経時変化を調べ
た。その結果を表１に示す。評価は、剥離性に変化がな
かったものを○、剥離性が低下したものを×とした。
８０℃に保持したまま１週間静置したのち、再使用し上
記と同様の剥離性評価を行い剥離液の経時変化を調べ
た。その結果を表１に示す。評価は、剥離性に変化がな
かったものを○、剥離性が低下したものを×とした。
【００２５】別に、シリコンウエーハ上に１０，０００
Å厚のアルミニウムパターンを形成し、それを表１に示
す各組成の剥離液の５０重量％水溶液、４０℃中に浸漬
し、アルミニウムパターンの腐食速度を浸漬時間（分）
とアルミニウムの腐食量（ｍÅ）から算出した。得られ
た結果を表１に示す。
Å厚のアルミニウムパターンを形成し、それを表１に示
す各組成の剥離液の５０重量％水溶液、４０℃中に浸漬
し、アルミニウムパターンの腐食速度を浸漬時間（分）
とアルミニウムの腐食量（ｍÅ）から算出した。得られ
た結果を表１に示す。
【００２６】表中、ＭＥＡはモノエタノールアミン、Ａ
ＥＥは２−（２−アミノエトキシ）エタノール、ＥＡＥ
はエチルアミノエタノール、Ａはベンゾトリアゾール、
ＮＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドン、ＤＭＳＯはジメ
チルスルホキシド、ＤＥＢＥはジエチレングリコールモ
ノブチルエーテルをそれぞれ表わし、括弧内は重量％を
示す。また、（Ｅ）および（Ｆ）の配合量は（Ａ）〜
（Ｄ）の合計量に対する量である。
ＥＥは２−（２−アミノエトキシ）エタノール、ＥＡＥ
はエチルアミノエタノール、Ａはベンゾトリアゾール、
ＮＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドン、ＤＭＳＯはジメ
チルスルホキシド、ＤＥＢＥはジエチレングリコールモ
ノブチルエーテルをそれぞれ表わし、括弧内は重量％を
示す。また、（Ｅ）および（Ｆ）の配合量は（Ａ）〜
（Ｄ）の合計量に対する量である。
【００２７】比較例１〜４ 上記実施例で使用した含窒素有機ヒドロキシ化合物から
なるレジスト剥離用組成物のみを使用し、実施例と同様
の剥離性評価を行った。その結果を表１に比較例として
示す。
なるレジスト剥離用組成物のみを使用し、実施例と同様
の剥離性評価を行った。その結果を表１に比較例として
示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】上記表から明らかなように含窒素有機ヒド
ロキシ化合物からなるレジスト剥離用組成物にカルボキ
シ基含有有機化合物を配合したポジ型レジスト用剥離液
は基板に形成されたレジスト膜に対する剥離性が優れ、
かつその経時安定性が良好である。しかも、アルミニウ
ムに対する腐食速度が低い。
ロキシ化合物からなるレジスト剥離用組成物にカルボキ
シ基含有有機化合物を配合したポジ型レジスト用剥離液
は基板に形成されたレジスト膜に対する剥離性が優れ、
かつその経時安定性が良好である。しかも、アルミニウ
ムに対する腐食速度が低い。
【００３０】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト用剥離液は、剥
離性に優れるとともに熱による含窒素有機ヒドロキシ化
合物の分解等が生じないために、剥離液の劣化が起こら
ず、剥離性の経時的変化もなく、剥離安定性が優れてい
る。特に、過酷な化合的環境に曝され、変質したレジス
トをも容易に剥離することができ、かつアルミニウムや
銅等の金属材料を腐食しないという、顕著な効果を奏
し、半導体素子や液晶パネル素子等の製造に好適に用い
ることができる。
離性に優れるとともに熱による含窒素有機ヒドロキシ化
合物の分解等が生じないために、剥離液の劣化が起こら
ず、剥離性の経時的変化もなく、剥離安定性が優れてい
る。特に、過酷な化合的環境に曝され、変質したレジス
トをも容易に剥離することができ、かつアルミニウムや
銅等の金属材料を腐食しないという、顕著な効果を奏
し、半導体素子や液晶パネル素子等の製造に好適に用い
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 初幸 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 含窒素有機ヒドロキシ化合物からなるレ
ジスト剥離用組成物に、カルボキシル基含有有機化合物
を配合してなることを特徴とするポジ型レジスト用剥離
液。 - 【請求項２】 含窒素有機ヒドロキシ化合物からなるレ
ジスト剥離用組成物が含窒素有機ヒドロキシ化合物、ま
たは該化合物と水溶性有機溶剤、水あるいは配合剤の少
なくとも１種との混合物であることを特徴とする請求項
１記載のポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項３】 配合剤が芳香族ヒドロキシ化合物または
トリアゾール化合物の少なくとも１種であることを特徴
とする請求項１記載のポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項４】 カルボキシル基含有有機化合物が、有機
カルボン酸またはそれらの酸無水物であって、分子中に
水酸基を有しない化合物であることを特徴とする請求項
１記載のポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項５】 カルボキシル基含有有機化合物が蟻酸、
フタル酸、安息香酸または無水フタル酸の少なくとも１
種であることを特徴とする請求項４記載のポジ型レジス
ト用剥離液。 - 【請求項６】 カルボキシル基含有有機化合物の含有量
が、含窒素有機ヒドロキシ化合物からなるレジスト剥離
用組成物に対して、０．０５〜１０重量％の割合で配合
されることを特徴とする請求項４または５記載のポジ型
レジスト用剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2497094A JPH07219240A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2497094A JPH07219240A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07219240A true JPH07219240A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=12152836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2497094A Pending JPH07219240A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07219240A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998059363A1 (en) * | 1997-06-24 | 1998-12-30 | Clariant International Ltd. | Detergent for lithography |
| US6218087B1 (en) | 1999-06-07 | 2001-04-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same |
| US6310020B1 (en) | 1998-11-13 | 2001-10-30 | Kao Corporation | Stripping composition for resist |
| JP2002244310A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
| US6627553B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-09-30 | Showa Denko K.K. | Composition for removing side wall and method of removing side wall |
| US6713232B2 (en) | 2000-06-15 | 2004-03-30 | Kao Corporation | Method of manufacturing semiconductor device with improved removal of resist residues |
| KR100429920B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-05-03 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법 |
| WO2012029938A1 (ja) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物 |
-
1994
- 1994-01-28 JP JP2497094A patent/JPH07219240A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998059363A1 (en) * | 1997-06-24 | 1998-12-30 | Clariant International Ltd. | Detergent for lithography |
| US6310020B1 (en) | 1998-11-13 | 2001-10-30 | Kao Corporation | Stripping composition for resist |
| US6627553B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-09-30 | Showa Denko K.K. | Composition for removing side wall and method of removing side wall |
| US6218087B1 (en) | 1999-06-07 | 2001-04-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same |
| KR100429920B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-05-03 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법 |
| US6713232B2 (en) | 2000-06-15 | 2004-03-30 | Kao Corporation | Method of manufacturing semiconductor device with improved removal of resist residues |
| JP2002244310A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
| WO2012029938A1 (ja) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物 |
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