JPH0721336A - 接触型携帯機器及び非接触型携帯機器 - Google Patents

接触型携帯機器及び非接触型携帯機器

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JPH0721336A
JPH0721336A JP5165689A JP16568993A JPH0721336A JP H0721336 A JPH0721336 A JP H0721336A JP 5165689 A JP5165689 A JP 5165689A JP 16568993 A JP16568993 A JP 16568993A JP H0721336 A JPH0721336 A JP H0721336A
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circuit
data processing
terminal
external device
output
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JP5165689A
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Toshiyuki Matsubara
利行 松原
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 外部からのリセット信号の入力シーケンスが
確実に行われる接触型携帯機器を提供することを目的と
する。 【構成】 電源端子を介して外部機器から電源が投入さ
れると、内部リセット信号生成回路のラッチ回路22が
コンデンサ21の一端部Oの電位をラッチし、このラッ
チ回路22の出力を用いてNORゲート25から内部リ
セット信号RSTZが発生される。また、RST端子を
介して外部機器からリセット解除信号が入力されるとN
ORゲート25からの内部リセット信号RSTZの発生
が停止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ICカード等の携帯
機器に係り、特に接続端子を介して外部と接続される接
触型の携帯機器及び電源としての電池を内蔵した非接触
型の携帯機器に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、接触型のICカードは、ICカ
ード用マイクロコンピュータをカードの内部に搭載し、
マイクロコンピュータからカード表面に引き出された接
続端子を介して外部とデータの授受を行う。具体的に
は、ICカードは図示しないリーダライタにセットさ
れ、この状態で外部システムとデータの授受が行われ
る。
【0003】図16は、従来の接触型ICカード1の機
能ブロック図である。ICカード1は、外部との接続端
子としてVDD端子、GND端子、RST端子、CLK端
子及びI/O端子の5つの端子を持っており、外部との
データの授受はI/O端子を介してシリアルで行ってい
る。I/O端子を介して外部から入力されたシリアルデ
ータはUART6でシリアル/パラレル変換された後、
バス7を介してCPU2に取り込まれる。CPU2は、
マスクROM3に予め格納されている処理プログラムに
従ってデータ処理を行い、一時的に記憶する必要がある
データはRAM4に格納され、一方、処理結果等、長期
間にわたって記憶しておく必要があるデータはデータメ
モリとしてのEEPROM5に格納される。また、外部
へ出力されるデータは、UART6でパラレル/シリア
ル変換された後、I/O端子を介してシリアルで外部へ
転送される。
【0004】次にICカード1の動作開始時について説
明する。ICカード1がリーダライタにセットされる
と、まずVDD端子及びGND端子を介してリーダライタ
側からVDD及びGNDの供給を受ける。次に、リーダラ
イタ側からRST端子を介してICカード1の内部リセ
ット信号生成回路8にリセット信号が入力される。図1
7に示されるように、リセット信号は、内部リセット信
号生成回路8のインバータ回路8aで反転された後、ラ
ッチ回路8bでラッチされ、内部リセット信号RSTZ
としてICカード1内の各回路に供給される。これによ
りICカード1内の各回路はリセット状態となる。この
状態で、CLK端子を介してリーダライタ側からクロッ
ク信号の供給が開始される。さらに、リセット信号を反
転させてリセット状態を解除した後、通常のデータ授受
及びデータ処理が行われる。
【0005】次に、非接触型のICカードについて図1
8を用いて説明する。非接触型ICカード11は、図1
6の接触型ICカード1とは異なり、カード表面に外部
機器に接続される端子を持たず、電波等を用いて非接触
でデータの授受を行うカードである。この非接触型IC
カード11においては、カード携帯者がシステム側の機
器にこのカードを近接させることにより、非接触でデー
タの処理が行われる。非接触型ICカード11内部に
は、電源としての電池20が内蔵されており、その電池
20から供給される電源により発振回路15が起動さ
れ、カード全体にクロック信号が供給される。データ受
信時は、アンテナ19を介して受信されたアナログ信号
が変復調回路18でディジタル信号に変換され、入出力
制御回路16へ送られる。入出力制御回路16に送られ
たディジタル信号はバス17を介してCPU12に読み
取られ、マスクROM13に予め格納されている処理プ
ログラムに従って処理される。格納が必要なデータはC
PU12によりRAM14に格納される。一方、データ
をカード外部へ送信する際は、出力データを入出力制御
回路16を通して変復調回路18に送り、ここでアナロ
グ信号に変換した後、アンテナ19を介してカード外部
へ送信する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の接触型ICカー
ド1においては、電源立上り時にRST端子を介してリ
セット信号が供給されることが不可欠であり、リセット
信号が確実に入力されないと誤動作を起こす恐れがある
ので、リセット信号の入力シーケンスが重要であった。
また、カード携帯者が接触型ICカード1をリーダライ
タにセットした時に電源の立上りからリセット信号及び
クロック信号の供給までの動作がシーケンス通りに行わ
れなかった場合、あるいはリーダライタに接続される端
子部が接続不良を起こした場合には、ICカード1内の
RAM4及びEEPROM5に格納されているデータが
破壊される恐れがあるという安全性上の問題があった。
【0007】また、従来の接触型ICカード1では、I
Cカード1が多種のリーダライタで使用され、各リーダ
ライタからRST端子を介してリセット信号が供給され
るので、ICカード1の信頼性確保のためには電源立ち
上がり時のリセット信号の供給シーケンスが重要であっ
た。ICカード1は、動作開始時に常に確実にリセット
状態になることが必要であった。しかしながら、従来
は、リセット信号の供給シーケンスはリーダライタ側の
信頼性に依存しており、ICカード1側ではリセット入
力の不具合に対する対策は何も講じられていなかった。
【0008】一方、従来の非接触型ICカード11、特
に現在量産されている非接触ICカード11では、カー
ド全体を密封し、機密性を高め、耐水性等を確保するた
めに内蔵される電池20を交換できないものが一般的で
あり、カード内に搭載されている電池20の寿命がカー
ド自体の寿命となっていた。そのため、現在大量に流通
している磁気ストライプカードに比べてカードの価格が
非常に高い非接触型ICカードにおいては、電池20の
消費を極力抑え、カードの寿命を伸ばすことが望まれて
いた。また、電池20が密封されるため、製造工程にお
いて電池を搭載した後はカード内部の発振回路15は発
振をし続け、従って電池20も消費し続けていた。この
ため、特にカード製造後から実際にカード利用者が非接
触型ICカード11の使用を開始するまでにかなりの時
間がある場合が多く、カードの実効的な使用期間が短く
なるという問題もあった。
【0009】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、外部からのリセット信号の入力
シーケンスが確実に行われる接触型携帯機器を提供する
ことを目的とする。また、この発明は、電池の消耗を抑
えることのできる非接触型携帯機器を提供することを目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の接触型
携帯機器は、外部機器に接続される電源端子、リセット
端子及び入出力端子と、前記入出力端子を介して外部と
のデータの入出力を行うための入出力回路と、前記入出
力回路に接続され且つデータ処理を行うためのデータ処
理回路と、前記データ処理回路に接続され且つデータを
記憶するためのメモリ回路と、一端部が接地されたコン
デンサとこのコンデンサの他端部に接続されたラッチ回
路とを含み且つ前記電源端子を介して外部機器から電源
が投入されるとラッチ回路の出力を用いて内部リセット
信号を発生することにより前記の各回路をリセット状態
にすると共に前記リセット端子を介して外部機器からリ
セット解除信号が入力されると内部リセット信号の発生
を停止して前記の各回路のリセット状態を解除する内部
リセット信号生成回路とを備えたものである。
【0011】請求項2に記載の接触型携帯機器は、内部
リセット信号生成回路が、一端部が電源端子に接続され
たプルアップ抵抗とこのプルアップ抵抗の他端部に接続
されたラッチ回路とを含み、電源端子を介して外部機器
から電源が投入されるとラッチ回路の出力を用いて内部
リセット信号を発生することにより各回路をリセット状
態にすると共にリセット端子を介して外部機器からリセ
ット解除信号が入力されると内部リセット信号の発生を
停止して各回路のリセット状態を解除するものである。
【0012】請求項3に記載の非接触型携帯機器は、外
部機器と非接触でデータの送受信を行うための送受信回
路と、前記送受信回路に接続され且つデータ処理を行う
ためのデータ処理回路と、前記データ処理回路に接続さ
れ且つデータを記憶するためのメモリ回路と、各回路に
電源を供給するための電池と、一端部が接地されたコン
デンサとこのコンデンサの他端部に接続されたラッチ回
路とを含み且つ前記電池からの電源供給によるラッチ回
路の出力を用いてクロック信号の発振を停止すると共に
前記送受信回路を介して外部機器からトリガ信号が受信
されるとクロック信号の発振を開始して前記データ処理
回路に供給する発振回路とを備えたものである。
【0013】請求項4に記載の非接触型携帯機器は、発
振回路が、一端部が電池に接続されたプルアップ抵抗と
このプルアップ抵抗の他端部に接続されたラッチ回路と
を含み、電池からの電源供給によるラッチ回路の出力を
用いてクロック信号の発振を停止すると共に送受信回路
を介して外部機器からトリガ信号が受信されるとクロッ
ク信号の発振を開始してデータ処理回路に供給するもの
である。
【0014】請求項5に記載の非接触型携帯機器は、外
部機器と非接触でデータの送受信を行うための送受信回
路と、前記送受信回路に接続され且つデータ処理を行う
ためのデータ処理回路と、前記データ処理回路に接続さ
れ且つデータを記憶するためのメモリ回路と、各回路に
電源を供給するための電池と、一端部が前記電池に接続
されたプルアップ抵抗と、前記プルアップ抵抗の他端部
に接続されるラッチ回路を含み且つ前記電池からの電源
供給によるラッチ回路の出力を用いてクロック信号の発
振を停止すると共に前記送受信回路を介して外部機器か
らトリガ信号が受信されるとクロック信号の発振を開始
して前記データ処理回路に供給する発振回路とを備え、
前記送受信回路、データ処理回路、メモリ回路及び発振
回路は一つの素子に形成され且つ前記プルアップ抵抗は
前記素子に付加される他の素子として形成されたもので
ある。
【0015】
【作用】請求項1の接触型携帯機器においては、電源端
子を介して外部機器から電源が投入されると、内部リセ
ット信号生成回路のラッチ回路がコンデンサの他端部の
電位をラッチし、このラッチ回路の出力を用いて内部リ
セット信号が発生される。また、内部リセット信号生成
回路はリセット端子を介して外部機器からリセット解除
信号が入力されると内部リセット信号の発生を停止す
る。
【0016】請求項2の接触型携帯機器においては、電
源端子を介して外部機器から電源が投入されると、内部
リセット信号生成回路のラッチ回路がプルアップ抵抗に
よりプルアップされた電位をラッチし、このラッチ回路
の出力を用いて内部リセット信号が発生される。また、
内部リセット信号生成回路はリセット端子を介して外部
機器からリセット解除信号が入力されると内部リセット
信号の発生を停止する。
【0017】請求項3の非接触型携帯機器においては、
電池が搭載されて電池から電源が供給されると、発振回
路のラッチ回路がコンデンサの他端部の電位をラッチ
し、このラッチ回路の出力を用いてクロック信号の発振
が停止される。また、送受信回路を介して外部機器から
トリガ信号が受信されるとクロック信号の発振を開始す
る。
【0018】請求項4の非接触型携帯機器においては、
電池が搭載されて電池から電源が供給されると、発振回
路のラッチ回路がプルアップ抵抗によりプルアップされ
た電位をラッチし、このラッチ回路の出力を用いてクロ
ック信号の発振が停止される。また、送受信回路を介し
て外部機器からトリガ信号が受信されるとクロック信号
の発振を開始する。
【0019】請求項5の非接触型携帯機器においては、
送受信回路、データ処理回路、メモリ回路及び発振回路
が一つの素子に形成される一方、プルアップ抵抗がこの
素子に外付けされる他の素子として形成される。
【0020】
【実施例】以下、この発明の実施例について添付図面を
参照して説明する。 実施例1.実施例1に係る接触型ICカード1Aの構成
を図1に示す。ICカード1Aは、データ処理回路とな
るCPU2を有しており、CPU2にバス7を介してマ
スクROM3、RAM4、EEPROM5、UART6
及び内部リセット信号生成回路8Aが接続されている。
RAM4及びEEPROM5がこの発明のメモリ回路
を、UART6が入出力回路をそれぞれ構成している。
また、ICカード1Aは、リーダライタ等の外部機器と
の接続端子としてVDD端子、GND端子、RST端子、
CLK端子及びI/O端子の5つの端子を有しており、
RST端子に内部リセット信号生成回路8Aが、I/O
端子にUART6がそれぞれ接続されている。
【0021】内部リセット信号生成回路8Aは、図2に
示されるように、一端部が接地されたコンデンサ21
と、コンデンサ21の他端部Oに接続されたラッチ回路
22とを有しており、ラッチ回路22の出力端PがNチ
ャネルトランジスタ23を介して接地されている。この
トランジスタ23のゲートはインバータ回路24を介し
てRST端子に接続されている。また、ラッチ回路22
の出力端P及びトランジスタ23のゲートにNORゲー
ト25が接続され、このNORゲート25の出力端が内
部リセット信号生成回路8Aの出力端となっている。な
お、トランジスタ23によるP点の負荷容量Cpがコン
デンサ21の負荷容量Coの10〜100倍程度の値を
有するように、コンデンサ21及びトランジスタ23が
設計され、さらにコンデンサ21は電源投入時にトラン
ジスタ23がオフの状態でO点がLレベルになるように
負荷容量Cpの値が決められている。
【0022】次に、ICカード1Aの動作開始時につい
て図3のタイミングチャートを参照して説明する。IC
カード1Aが図示しないリーダライタにセットされる
と、まず時刻T1にVDD端子及びGND端子を介してリ
ーダライタ側からVDD及びGNDの供給を受ける。VDD
及びGNDの供給に伴い、図2に示される内部リセット
信号生成回路8Aのコンデンサ21によって、ラッチ回
路22の入力端OがLレベルに下がり、出力端PがHレ
ベルになってラッチ回路22はデータをラッチする。P
点がHレベルになるので、NORゲート25からLレベ
ルの内部リセット信号RSTZが出力される。この内部
リセット信号RSTZは、バス7を介してICカード1
A内の各回路に供給され、これによりICカード1A内
の各回路はリセット状態となる。
【0023】すなわち、電源端子であるVDD端子及びG
ND端子を介してリーダライタ側から電源が供給される
と、ICカード1Aの内部がリセット状態に設定され
る。
【0024】このようにしてICカード1A内部にリセ
ットがかけられた状態で時刻T2にリーダライタ側から
RST端子を介して内部リセット信号生成回路8AにL
レベルのリセット信号が入力されると、リセット信号は
インバータ回路24でHレベルに反転された後、トラン
ジスタ23のゲートに入力し、このトランジスタ23を
オン状態とする。このため、ラッチ回路22の出力端P
はLレベルに引き下げられ、これに伴いラッチ回路22
の入力端OがHレベルとなってラッチ回路22はデータ
をラッチする。このとき、P点はLレベルになるがイン
バータ回路24の出力がHレベルとなるので、NORゲ
ート25から出力される内部リセット信号RSTZはL
レベルのまま変化せず、これによりICカード1A内の
リセット状態が保持される。また、この状態でCLK端
子を介してリーダライタ側からクロック信号の供給が開
始される。
【0025】時刻T3にRST端子に入力されるリセッ
ト信号がHレベルになると、NORゲート25の二入力
が共にLレベルとなるので、NORゲート25から出力
される内部リセット信号RSTZがHレベルとなり、こ
れによりICカード1A内の各回路のリセット状態が解
除される。
【0026】外部とのデータの授受及びデータ処理の動
作は、図16に示した従来のICカードと同様である。
すなわち、I/O端子を介して外部からシリアルデータ
が入力されると、このデータはUART6でシリアル/
パラレル変換された後、バス7を介してCPU2に取り
込まれる。CPU2は、マスクROM3に予め格納され
ている処理プログラムに従ってデータ処理を行い、一時
的に記憶する必要があるデータはRAM4に格納され、
一方、長期間にわたって記憶しておく必要があるデータ
はEEPROM5に格納される。また、外部へ出力され
るデータは、UART6でパラレル/シリアル変換され
た後、I/O端子を介してシリアルで外部へ転送され
る。
【0027】実施例2.実施例1における内部リセット
信号生成回路8Aの代わりに図4に示されるような内部
リセット信号生成回路を用いることができる。この内部
リセット信号生成回路は、図2に示した実施例1の内部
リセット信号生成回路8Aにおいて、一端部が接地され
たコンデンサ26と、コンデンサ26の他端部Qに接続
されたラッチ回路27と、ラッチ回路27の出力端Rに
接続されたNチャネルトランジスタ28とをさらに備
え、ラッチ回路27の出力端RをNORゲート25に接
続したものである。また、トランジスタ23のゲートと
トランジスタ28のゲートが互いに接続されている。
【0028】トランジスタ28はR点の負荷容量がトラ
ンジスタ23によるP点の負荷容量と同等の値を有する
ように設計されるが、コンデンサ26はコンデンサ21
の負荷容量Coとは異なる負荷容量Cqを有するように
設計されている。すなわち、この実施例2では、コンデ
ンサとラッチ回路とからなる直列回路が二段に形成され
ると共に互いのコンデンサの負荷容量値を異なったもの
としている。実施例1で述べたように、コンデンサ21
の負荷容量Coの値は、トランジスタ23によるP点の
負荷容量Cpに対して制約を受け、また電源投入時にO
点がLレベルになるように決めなければならない。従っ
て、コンデンサ21の負荷容量Coは、回路設計上の困
難さを伴う。そこで、実施例2では、複数の負荷容量の
値を設けて、より確実に電源投入時にICカード内部を
リセット状態にするようにしている。
【0029】次に、動作について説明する。まず、図5
の時刻T1においてICカードに電源が印加され、各回
路にVDD及びGNDの供給が開始される。それに伴い、
コンデンサ21及び26の負荷容量Co及びCqによっ
て、ラッチ回路22及び27の入力端O及びQがそれぞ
れLレベルに下がるように作用するが、負荷容量値や電
源電圧値などの条件によっては、O点及びQ点がLレベ
ルに下がりきらない場合がでてくる。ここでは、コンデ
ンサ21の負荷容量Coとコンデンサ26の負荷容量C
qとの間にCo<Cqの関係があり、O点がLレベルに
ならず、Q点のみがLレベルになる場合について説明す
る。
【0030】電源投入後、ラッチ回路22の入力端Oが
Lレベルに下がらないため、出力端Pは不確定の状態と
なる。しかしながら、ラッチ回路27の入力端QがLレ
ベルに下がるため、出力端RがHレベルになってNOR
ゲート25からLレベルの内部リセット信号RSRZが
出力され、これによりICカード内部はリセット状態と
なる。次に、時刻T2にLレベルのリセット信号がRS
T端子に入力されると、トランジスタ23及び28が共
にオンし、P点及びR点がLレベルになって、ラッチ回
路22及び27がP点及びQ点のデータをそれぞれラッ
チする。その後、時刻T3にリセット信号がHレベルに
なると、NORゲート25から出力される内部リセット
信号RSTZがHレベルになり、ICカード内部のリセ
ット状態が解除される。
【0031】このように、負荷容量の異なるコンデンサ
を複数段設けることにより、より確実に電源投入時にI
Cカード内部をリセット状態にすることができる。な
お、実施例2では、コンデンサとラッチ回路からなる直
列回路を二段設けたが、二段に限るものではなく、三段
以上設けてもよい。
【0032】実施例3.実施例3に係る非接触型ICカ
ード11Aの構成を図6に示す。ICカード11Aは、
データ処理回路となるCPU12を有しており、CPU
12にバス17を介してマスクROM13、メモリ回路
としてのRAM14、発振回路15A及び入出力制御回
路16が接続され、入出力制御回路16に変復調回路1
8を介してアンテナ19が接続されている。また、IC
カード11Aには、電源として電池20が内蔵されてい
る。なお、CPU12、マスクROM13、RAM1
4、発振回路15A入出力制御回路16、バス17及び
変復調回路18はマイクロコンピュータを構成する一つ
のIC素子として形成されている。
【0033】発振回路15Aは、図7に示されるよう
に、一端部が接地されたコンデンサ21と、コンデンサ
21の他端部Oに接続されたラッチ回路22とを有して
おり、ラッチ回路22の出力端PがNチャネルトランジ
スタ23を介して接地されている。このトランジスタ2
3のゲートはインバータ回路24を介してバス17に接
続されている。また、ラッチ回路22の出力端P及びト
ランジスタ23のゲートにNORゲート25が接続さ
れ、このNORゲート25の出力端にNANDゲート2
9を介して分周回路30が接続されている。NANDゲ
ートの入力端と出力端との間には図示しない発振子が接
続されている。なお、実施例1と同様に、トランジスタ
23によるP点の負荷容量Cpがコンデンサ21の負荷
容量Coの10〜100倍程度の値を有するように、コ
ンデンサ21及びトランジスタ23が設計され、さらに
コンデンサ21は電源供給時にトランジスタ23がオフ
の状態でO点がLレベルになるように負荷容量Cpの値
が決められている。
【0034】この非接触型ICカード11Aでは、図8
の時刻T1に電池20が搭載されて発振回路15Aに電
源が供給されると、コンデンサ21の負荷容量Cpによ
ってラッチ回路22の出力端PがHレベルになり、NO
Rゲート25からLレベルの信号がNANDゲート29
に出力されるため、NANDゲート29の出力端SがH
レベルに固定される。すなわち、図示しない発振子によ
るクロック信号の発振が停止され、これにより電池20
の消耗が抑制される。
【0035】次に、時刻T2にICカード11Aに外部
機器からアンテナ19を介してLレベルのトリガ信号が
受信されると、トリガ信号は変復調回路18、入出力制
御回路16及びバス17を介して発振回路15Aに入力
され、トランジスタ23がオンしてP点がLレベルに下
がる。このとき、インバータ回路24を介してHレベル
に反転されたトリガ信号がNORゲート25に入力され
るため、NANDゲート29の出力端Sは依然としてH
レベルに固定され、クロック信号の発振は停止されたま
まとなる。
【0036】時刻T3にトリガ信号がHレベルになる
と、NORゲート25からHレベルの信号がNANDゲ
ート29に入力されるため、NANDゲート29の出力
端Sのレベルの固定が解除され、発振子によるクロック
信号の発振が開始される。S点に現れたクロック信号
は、分周回路30で分周され、内部クロック信号CLK
としてICカード11A内部の各回路に供給される。こ
の他のICカード11Aの基本動作は、図18に示した
従来のICカード11の動作と同様である。
【0037】この実施例3によれば、非接触型ICカー
ド11Aの製造工程中において、カード内部に電池20
を搭載した後もクロック信号の発振を停止して電池の消
耗を抑制することができる。そして、実使用を開始する
際に外部機器からトリガ信号を一度入力することにより
クロック信号の発振が開始され、従来のカードと同一の
機能を実現することができる。
【0038】実施例4.非接触型ICカードにおいて
も、実施例2の接触型ICカードと同様に、コンデンサ
とラッチ回路からなる直列回路を複数段設けることがで
きる。実施例4は、図9に示されるように、実施例3の
非接触型ICカードに、コンデンサ26、ラッチ回路2
7及びトランジスタ28をさらに設けて、コンデンサと
ラッチ回路からなる直列回路を二段形成したものであ
る。
【0039】図10の時刻T1においてICカードに電
池20が搭載されると、コンデンサ21及び26の負荷
容量Co及びCqによって、ラッチ回路22及び27の
入力端O及びQがそれぞれLレベルに下がるように作用
するが、負荷容量値や電源電圧値などの条件によって
は、O点及びQ点がLレベルに下がりきらない場合がで
てくる。ここでは、コンデンサ21の負荷容量Coとコ
ンデンサ26の負荷容量Cqとの間にCo<Cqの関係
があり、O点がLレベルにならず、Q点のみがLレベル
になる場合について説明する。
【0040】電池20の搭載後、一方のラッチ回路22
の入力端OがLレベルに下がりきらないため、出力端P
が不定の状態になっても、他方のラッチ回路27の出力
端RがHレベルになってNORゲート25からLレベル
の信号がNANDゲート29に出力され、NANDゲー
ト29の出力端SがHレベルに固定される。次に、時刻
T2に外部機器からLレベルのトリガ信号が入力される
と、トランジスタ23及び28が共にオンしてP点及び
R点をLレベルにし、さらに時刻T3にトリガ信号がH
レベルになると、NANDゲート29の出力端Sのレベ
ルの固定が解除される。すなわち、図示しない発振子に
よるクロック信号の発振が開始される。クロック信号は
分周回路30で分周された後、内部クロック信号CLK
としてICカード内部の各回路へ供給される。
【0041】実施例5.実施例1では、コンデンサ21
を用いて電源投入時にラッチ回路22の出力端PをHレ
ベルとしたが、コンデンサも代わりにプルアップ抵抗を
用いることもできる。図11に、実施例5に係る接触型
ICカードに用いられた内部リセット信号生成回路の論
理回路図を示す。この内部リセット信号生成回路は、図
2に示した実施例1の内部リセット信号生成回路8Aに
おいて、コンデンサ21の代わりに一端部が電源ライン
に接続されたプルアップ抵抗34と、プルアップ抵抗3
4の他端部に接続されたインバータ回路36をラッチ回
路22の入力端に接続したものである。また、プルアッ
プ抵抗34の他端部は保護コンデンサ35を介して接地
されている。
【0042】実施例5の動作について図12のタイミン
グチャートを参照して説明する。まず、時刻T1にVDD
端子及びGND端子を介して電源が投入されると、プル
アップ抵抗34及びプルダウンされた保護コンデンサ3
5によってこれら抵抗34及びコンデンサ35の接続点
Tは次第にHレベルに上がってくる。それに伴い、ラッ
チ回路22の出力端UはHレベルに上がり、NORゲー
ト25からLレベルの内部リセット信号RSTZが出力
されてICカード内の各回路がリセット状態になる。次
に、時刻T2にRST端子を介してLレベルのリセット
信号が入力されると、トランジスタ23がオンし、U点
をLレベルにする。さらに、時刻T3にリセット信号が
Hレベルになると、内部リセット信号RSRZがHレベ
ルになり、ICカード内部のリセット状態が解除され
る。
【0043】実施例6.図13に実施例6に係る非接触
型ICカードに用いられる発振回路の論理回路図を示
す。この発振回路は、図7に示した実施例3の発振回路
において、コンデンサ21の代わりに一端部が電源ライ
ンに接続されたプルアップ抵抗34と、プルアップ抵抗
34の他端部に接続されたインバータ回路36をラッチ
回路22の入力端に接続したものである。また、プルア
ップ抵抗34の他端部は保護コンデンサ35を介して接
地されている。
【0044】図14のタイミングチャートにおいて、時
刻T1に電池を搭載してICカード内の発振回路に電源
が供給されると、プルアップ抵抗34及びプルダウンさ
れた保護コンデンサ35によってこれらの接続点TがH
レベルに上がっていく。それに伴い、ラッチ回路22の
出力端UがHレベルになり、NORゲート25からLレ
ベルの信号が出力されてNANDゲート29の出力端S
がHレベルに固定される。この状態は外部機器からトリ
ガ信号が受信されるまで保持される。次に、時刻T2に
外部機器からLレベルのトリガ信号が入力されると、ト
ランジスタ23がオンしてU点がLレベルに下がる。さ
らに、時刻T3にトリガ信号がHレベルになると、NA
NDゲート29の出力端Sのレベルの固定が解除され、
図示しない発振子によるクロック信号の発振が開始され
る。S点に現れたクロック信号は、分周回路30で分周
された後、内部クロック信号CLKとしてICカード内
の各回路へ供給される。
【0045】実施例7.実施例3で述べたように、CP
U12、マスクROM13、RAM14、発振回路15
A、入出力制御回路16、バス17及び変復調回路18
はマイクロコンピュータを構成する一つのIC素子とし
て形成されるが、図15に示されるように、プルアップ
抵抗34及び保護コンデンサ35をマイクロコンピュー
タを構成する素子37とは別個の素子38として形成す
ることもできる。すなわち、この実施例7では、プルア
ップ抵抗34及び保護コンデンサ35からなる素子38
がICカード内においてマイクロコンピュータ素子37
に外付けされる。
【0046】実施例6では、内部クロック信号の発振を
停止させるプルアップ抵抗34及びプルタウンされた保
護コンデンサ35を発振回路内に設けたが、これらプル
アップ抵抗34及びコンデンサ35を発振回路と共にマ
イクロコンピュータ素子内部に搭載すると抵抗値及び負
荷容量値が固定されてしまい、マイクロコンピュータの
動作電源電圧の変更や特性のバラツキに対して対応でき
ない場合がある。そこで、この実施例7のようにプルア
ップ抵抗34及び保護コンデンサ35をマイクロコンピ
ュータ素子37の外部に独立して素子38として搭載す
ることにより、マイクロコンピュータの特性に合わせて
カード設計段階で動作上、最も効果的な値の抵抗及びコ
ンデンサを搭載することができ、フレキシブルに対応で
きるようになる。その結果、より確実にマイクロコンピ
ュータ内部のクロック信号の発振を停止することができ
る。なお、回路の動作については実施例6の場合と同様
である。
【0047】
【発明の効果】請求項1に記載の接触型携帯機器は、外
部機器に接続される電源端子、リセット端子及び入出力
端子と、前記入出力端子を介して外部とのデータの入出
力を行うための入出力回路と、前記入出力回路に接続さ
れ且つデータ処理を行うためのデータ処理回路と、前記
データ処理回路に接続され且つデータを記憶するための
メモリ回路と、一端部が接地されたコンデンサとこのコ
ンデンサの他端部に接続されたラッチ回路とを含み且つ
前記電源端子を介して外部機器から電源が投入されると
ラッチ回路の出力を用いて内部リセット信号を発生する
ことにより前記の各回路をリセット状態にすると共に前
記リセット端子を介して外部機器からリセット解除信号
が入力されると内部リセット信号の発生を停止して前記
の各回路のリセット状態を解除する内部リセット信号生
成回路とを備えているので、外部からのリセット信号の
入力シーケンスが確実に行われ、信頼性の向上が図られ
る。
【0048】請求項2に記載の接触型携帯機器は、内部
リセット信号生成回路が、一端部が電源端子に接続され
たプルアップ抵抗とこのプルアップ抵抗の他端部に接続
されたラッチ回路とを含み、電源端子を介して外部機器
から電源が投入されるとラッチ回路の出力を用いて内部
リセット信号を発生することにより各回路をリセット状
態にすると共にリセット端子を介して外部機器からリセ
ット解除信号が入力されると内部リセット信号の発生を
停止して各回路のリセット状態を解除するので、電源投
入により確実にリセット状態にでき、信頼性が向上す
る。
【0049】請求項3に記載の非接触型携帯機器は、外
部機器と非接触でデータの送受信を行うための送受信回
路と、前記送受信回路に接続され且つデータ処理を行う
ためのデータ処理回路と、前記データ処理回路に接続さ
れ且つデータを記憶するためのメモリ回路と、各回路に
電源を供給するための電池と、一端部が接地されたコン
デンサとこのコンデンサの他端部に接続されたラッチ回
路とを含み且つ前記電池からの電源供給によるラッチ回
路の出力を用いてクロック信号の発振を停止すると共に
前記送受信回路を介して外部機器からトリガ信号が受信
されるとクロック信号の発振を開始して前記データ処理
回路に供給する発振回路とを備えているので、電池の消
耗を抑制することができる。
【0050】請求項4に記載の非接触型携帯機器は、発
振回路が、一端部が電池に接続されたプルアップ抵抗と
このプルアップ抵抗の他端部に接続されたラッチ回路と
を含み、電池からの電源供給によるラッチ回路の出力を
用いてクロック信号の発振を停止すると共に送受信回路
を介して外部機器からトリガ信号が受信されるとクロッ
ク信号の発振を開始してデータ処理回路に供給するの
で、電池の搭載時に確実にクロック信号の発振を停止す
ることができ、電池の消耗が抑制される。
【0051】請求項5に記載の非接触型携帯機器は、外
部機器と非接触でデータの送受信を行うための送受信回
路と、前記送受信回路に接続され且つデータ処理を行う
ためのデータ処理回路と、前記データ処理回路に接続さ
れ且つデータを記憶するためのメモリ回路と、各回路に
電源を供給するための電池と、一端部が前記電池に接続
されたプルアップ抵抗と、前記プルアップ抵抗の他端部
に接続されるラッチ回路を含み且つ前記電池からの電源
供給によるラッチ回路の出力を用いてクロック信号の発
振を停止すると共に前記送受信回路を介して外部機器か
らトリガ信号が受信されるとクロック信号の発振を開始
して前記データ処理回路に供給する発振回路とを備え、
前記送受信回路、データ処理回路、メモリ回路及び発振
回路は一つの素子に形成され且つ前記プルアップ抵抗は
前記素子に付加される他の素子として形成されているの
で、携帯機器の動作上、最も効果的な値のプルアップ抵
抗を搭載することができ、電池の消耗を確実に抑制する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1に係る接触型ICカードを
示すブロック図である。
【図2】実施例1に用いられた内部リセット信号生成回
路を示す論理回路図である。
【図3】図2の内部リセット信号生成回路の動作を示す
タイミングチヤートである。
【図4】実施例2に係る接触型ICカードに用いられた
内部リセット信号生成回路を示す論理回路図である。
【図5】図4の内部リセット信号生成回路の動作を示す
タイミングチヤートである。
【図6】実施例3に係る非接触型ICカードを示すブロ
ック図である。
【図7】実施例3に用いられた発振回路を示す論理回路
図である。
【図8】図7の発振回路の動作を示すタイミングチヤー
トである。
【図9】実施例4に係る非接触型ICカードに用いられ
た発振回路を示す論理回路図である。
【図10】図9の発振回路の動作を示すタイミングチヤ
ートである。
【図11】実施例5に係る接触型ICカードに用いられ
た内部リセット信号生成回路を示す論理回路図である。
【図12】図11の内部リセット信号生成回路の動作を
示すタイミングチヤートである。
【図13】実施例6に係る非接触型ICカードに用いら
れた発振回路を示す論理回路図である。
【図14】図13の発振回路の動作を示すタイミングチ
ヤートである。
【図15】実施例7に係る非接触型ICカードの要部を
示す論理回路図である。
【図16】従来の接触型ICカードを示すブロック図で
ある。
【図17】図16のICカードに用いられた内部リセッ
ト信号生成回路を示す論理回路図である。
【図18】従来の非接触型ICカードを示すブロック図
である。
【符号の説明】
1A 接触型ICカード 2、12 CPU 4、14 RAM 5 EEPROM 6 UART 8A 内部リセット信号生成回路 11A 非接触型ICカード 15A 発振回路 16 入出力制御回路 20 電池 21、26、35 コンデンサ 22、27 ラッチ回路 23、28 トランジスタ 24、36 インバータ回路 25 NORゲート 29 NANDゲート 34 プルアップ抵抗

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部機器に接続される電源端子、リセッ
    ト端子及び入出力端子と、 前記入出力端子を介して外部とのデータの入出力を行う
    ための入出力回路と、 前記入出力回路に接続され且つデータ処理を行うための
    データ処理回路と、 前記データ処理回路に接続され且つデータを記憶するた
    めのメモリ回路と、 一端部が接地されたコンデンサとこのコンデンサの他端
    部に接続されたラッチ回路とを含み且つ前記電源端子を
    介して外部機器から電源が投入されるとラッチ回路の出
    力を用いて内部リセット信号を発生することにより前記
    の各回路をリセット状態にすると共に前記リセット端子
    を介して外部機器からリセット解除信号が入力されると
    内部リセット信号の発生を停止して前記の各回路のリセ
    ット状態を解除する内部リセット信号生成回路とを備え
    たことを特徴とする接触型携帯機器。
  2. 【請求項2】 外部機器に接続される電源端子、リセッ
    ト端子及び入出力端子と、 前記入出力端子を介して外部とのデータの入出力を行う
    ための入出力回路と、 前記入出力回路に接続され且つデータ処理を行うデータ
    処理回路と、 前記データ処理回路に接続され且つデータを記憶するた
    めのメモリ回路と、 一端部が前記電源端子に接続されたプルアップ抵抗とこ
    のプルアップ抵抗の他端部に接続されたラッチ回路とを
    含み且つ前記電源端子を介して外部機器から電源が投入
    されるとラッチ回路の出力を用いて内部リセット信号を
    発生することにより前記の各回路をリセット状態にする
    と共に前記リセット端子を介して外部機器からリセット
    解除信号が入力されると内部リセット信号の発生を停止
    して前記の各回路のリセット状態を解除する内部リセッ
    ト信号生成回路とを備えたことを特徴とする接触型携帯
    機器。
  3. 【請求項3】 外部機器と非接触でデータの送受信を行
    うための送受信回路と、 前記送受信回路に接続され且つデータ処理を行うための
    データ処理回路と、 前記データ処理回路に接続され且つデータを記憶するた
    めのメモリ回路と、 各回路に電源を供給するための電池と、 一端部が接地されたコンデンサとこのコンデンサの他端
    部に接続されたラッチ回路とを含み且つ前記電池からの
    電源供給によるラッチ回路の出力を用いてクロック信号
    の発振を停止すると共に前記送受信回路を介して外部機
    器からトリガ信号が受信されるとクロック信号の発振を
    開始して前記データ処理回路に供給する発振回路とを備
    えたことを特徴とする非接触型携帯機器。
  4. 【請求項4】 外部機器と非接触でデータの送受信を行
    うための送受信回路と、 前記送受信回路に接続され且つデータ処理を行うための
    データ処理回路と、 前記データ処理回路に接続され且つデータを記憶するた
    めのメモリ回路と、 各回路に電源を供給するための電池と、 一端部が前記電池に接続されたプルアップ抵抗とこのプ
    ルアップ抵抗の他端部に接続されたラッチ回路とを含み
    且つ前記電池からの電源供給によるラッチ回路の出力を
    用いてクロック信号の発振を停止すると共に前記送受信
    回路を介して外部機器からトリガ信号が受信されるとク
    ロック信号の発振を開始して前記データ処理回路に供給
    する発振回路とを備えたことを特徴とする非接触型携帯
    機器。
  5. 【請求項5】 外部機器と非接触でデータの送受信を行
    うための送受信回路と、 前記送受信回路に接続され且つデータ処理を行うための
    データ処理回路と、 前記データ処理回路に接続され且つデータを記憶するた
    めのメモリ回路と、 各回路に電源を供給するための電池と、 一端部が前記電池に接続されたプルアップ抵抗と、 前記プルアップ抵抗の他端部に接続されるラッチ回路を
    含み且つ前記電池からの電源供給によるラッチ回路の出
    力を用いてクロック信号の発振を停止すると共に前記送
    受信回路を介して外部機器からトリガ信号が受信される
    とクロック信号の発振を開始して前記データ処理回路に
    供給する発振回路とを備え、前記送受信回路、データ処
    理回路、メモリ回路及び発振回路は一つの素子に形成さ
    れ且つ前記プルアップ抵抗は前記素子に付加される他の
    素子として形成されたことを特徴とする非接触型携帯機
    器。
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