JPH07211985A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH07211985A JPH07211985A JP6001477A JP147794A JPH07211985A JP H07211985 A JPH07211985 A JP H07211985A JP 6001477 A JP6001477 A JP 6001477A JP 147794 A JP147794 A JP 147794A JP H07211985 A JPH07211985 A JP H07211985A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン基板に発生する不要な光電荷によっ
て信号光の検出や処理が正確に行われないという課題を
解決し、入射信号光を正確に、かつ安定して受光または
処理することができる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 シリコン基板１１のエッチングによって設け
られた凹部平坦面１２に設置されている半導体レーザチ
ップ１０と、凹部平坦面１２を除くシリコン基板１１の
両側部上面に設けられたそれぞれ信号光検出回路１６ま
たは信号処理回路１７との間にＰ−Ｎ接合よりなる光電
荷遮断領域２０を設ける。 【効果】 半導体レーザチップから出射される信号検出
用のレーザ光以外の光による悪影響から信号光検出回路
や信号処理回路を保護することができ、これらの回路を
安定して駆動することができる。
て信号光の検出や処理が正確に行われないという課題を
解決し、入射信号光を正確に、かつ安定して受光または
処理することができる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 シリコン基板１１のエッチングによって設け
られた凹部平坦面１２に設置されている半導体レーザチ
ップ１０と、凹部平坦面１２を除くシリコン基板１１の
両側部上面に設けられたそれぞれ信号光検出回路１６ま
たは信号処理回路１７との間にＰ−Ｎ接合よりなる光電
荷遮断領域２０を設ける。 【効果】 半導体レーザチップから出射される信号検出
用のレーザ光以外の光による悪影響から信号光検出回路
や信号処理回路を保護することができ、これらの回路を
安定して駆動することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理、光計測お
よび光通信等の分野において使用される半導体レーザ装
置に関する。
よび光通信等の分野において使用される半導体レーザ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のテレビ等から映像や音声を記録再
生するための磁気ヘッドによるビデオテープ方式に対し
て光学ヘッドを使用し、情報を含む媒体上に収束した光
ビームを照射し、媒体から反射された光を検出して媒体
の情報内容を映像や音として再生する光ディスク方式の
普及が最近著しくなってきた。媒体としてはオーディオ
分野ではコンパクトディスク、ビデオ分野ではレーザデ
ィスクがよく知られており、光ディスクから情報を読み
出すために光学ヘッドとして半導体レーザ装置を用いた
光ピックアップ装置が用いられる。これらの半導体レー
ザ応用による光記録再生技術は大型のコンピュータネッ
トワーク、またはパーソナルコンピュータにおけるデー
タ記憶にも適用できるものとしていわゆるマルチメディ
ヤと呼ばれる高度情報社会の中枢を担う技術として発展
しつつある。
生するための磁気ヘッドによるビデオテープ方式に対し
て光学ヘッドを使用し、情報を含む媒体上に収束した光
ビームを照射し、媒体から反射された光を検出して媒体
の情報内容を映像や音として再生する光ディスク方式の
普及が最近著しくなってきた。媒体としてはオーディオ
分野ではコンパクトディスク、ビデオ分野ではレーザデ
ィスクがよく知られており、光ディスクから情報を読み
出すために光学ヘッドとして半導体レーザ装置を用いた
光ピックアップ装置が用いられる。これらの半導体レー
ザ応用による光記録再生技術は大型のコンピュータネッ
トワーク、またはパーソナルコンピュータにおけるデー
タ記憶にも適用できるものとしていわゆるマルチメディ
ヤと呼ばれる高度情報社会の中枢を担う技術として発展
しつつある。
【０００３】以下に従来の半導体レーザ装置について説
明する。図３は従来の半導体レーザ装置の構造を示すも
のであり、図において１は半導体レーザチップ、２はヒ
ートシンク、３はレーザ出力光をモニタする受光素子、
４はステム、５はキャップ、６はキャップ５に設けられ
た窓、７は電極端子、８は絶縁部材、９はチップ搭載部
である。その構成は図に示すように、金属製のステム４
には絶縁部材８により絶縁された電極端子７とチップ搭
載部９が設けられており、ステム４上のチップ搭載部９
には半導体レーザチップ１がヒートシンク２を介して実
装されている。またステム４の上にはレーザ出力光をモ
ニタする受光素子３が取り付けられ、このステム４に窓
６を備える金属製のキャップ５が装着されて半導体レー
ザ装置を構成している。
明する。図３は従来の半導体レーザ装置の構造を示すも
のであり、図において１は半導体レーザチップ、２はヒ
ートシンク、３はレーザ出力光をモニタする受光素子、
４はステム、５はキャップ、６はキャップ５に設けられ
た窓、７は電極端子、８は絶縁部材、９はチップ搭載部
である。その構成は図に示すように、金属製のステム４
には絶縁部材８により絶縁された電極端子７とチップ搭
載部９が設けられており、ステム４上のチップ搭載部９
には半導体レーザチップ１がヒートシンク２を介して実
装されている。またステム４の上にはレーザ出力光をモ
ニタする受光素子３が取り付けられ、このステム４に窓
６を備える金属製のキャップ５が装着されて半導体レー
ザ装置を構成している。
【０００４】しかしながら上記従来の構成のように金属
製のステム４に半導体レーザチップ１を組み立てるとい
う構造では、各部品が１個ずつ独立しているために量産
時の組立工程においてステム４の取り扱いが難しく、か
つ工数がかかる上にステム４の価格が高いために製造コ
ストが極めて高くなるという課題を有していた。
製のステム４に半導体レーザチップ１を組み立てるとい
う構造では、各部品が１個ずつ独立しているために量産
時の組立工程においてステム４の取り扱いが難しく、か
つ工数がかかる上にステム４の価格が高いために製造コ
ストが極めて高くなるという課題を有していた。
【０００５】さらに量産性を改善するために金属製のキ
ャップ５の代わりに半導体レーザチップ１を実装したス
テム４の上部を透明樹脂で被覆する構造が提案されてい
るが、この封止用の透明樹脂が半導体レーザチップ１の
発生する熱や高い光密度のために劣化し、光出射特性を
低下させてしまうという問題も生じた。
ャップ５の代わりに半導体レーザチップ１を実装したス
テム４の上部を透明樹脂で被覆する構造が提案されてい
るが、この封止用の透明樹脂が半導体レーザチップ１の
発生する熱や高い光密度のために劣化し、光出射特性を
低下させてしまうという問題も生じた。
【０００６】このような課題を解決するために発明者ら
は以下に述べるような新しい技術を提案した。
は以下に述べるような新しい技術を提案した。
【０００７】図４は発明者らが提案した半導体レーザ装
置の一実施例の構造を示すものであり、図において、１
０は半導体レーザチップ、１１はその主面を選択的に異
方性エッチングして半導体レーザチップ１０を取り付け
るための凹部平坦面１２を形成したヒートシンク用シリ
コン基板であり、凹部平坦面１２を囲む側壁の少なくと
も一つは凹部平坦面１２に対して略４５度に傾斜して設
けられ反射鏡１３を構成している。なお半導体レーザチ
ップ１０はそのレーザ光出射端が反射鏡１３に対するよ
うにして取り付けられる。１４は半導体レーザチップ１
０から出たレーザ光が反射鏡１３によって９０度反射さ
れた出射光である。ヒートシンク用シリコン基板１１の
上面にはさらに出射光１４が光ディスク（図示せず）等
によって反射された信号光１５を検出するための信号光
検出回路１６、この信号光検出回路１６からの信号を処
理する信号処理回路１７および半導体レーザチップ１０
の後方から出射されるレーザ光１８を検出するためのモ
ニタ用受光素子１９がそれぞれ形成されている。
置の一実施例の構造を示すものであり、図において、１
０は半導体レーザチップ、１１はその主面を選択的に異
方性エッチングして半導体レーザチップ１０を取り付け
るための凹部平坦面１２を形成したヒートシンク用シリ
コン基板であり、凹部平坦面１２を囲む側壁の少なくと
も一つは凹部平坦面１２に対して略４５度に傾斜して設
けられ反射鏡１３を構成している。なお半導体レーザチ
ップ１０はそのレーザ光出射端が反射鏡１３に対するよ
うにして取り付けられる。１４は半導体レーザチップ１
０から出たレーザ光が反射鏡１３によって９０度反射さ
れた出射光である。ヒートシンク用シリコン基板１１の
上面にはさらに出射光１４が光ディスク（図示せず）等
によって反射された信号光１５を検出するための信号光
検出回路１６、この信号光検出回路１６からの信号を処
理する信号処理回路１７および半導体レーザチップ１０
の後方から出射されるレーザ光１８を検出するためのモ
ニタ用受光素子１９がそれぞれ形成されている。
【０００８】上記のような構造を有する半導体レーザ装
置とすることによって従来の樹脂モールド型の半導体レ
ーザ装置に比較し、樹脂モールドに起因する樹脂の黄変
による光出力特性の劣化や、熱や応力による半導体レー
ザチップの劣化等の課題が解消された。
置とすることによって従来の樹脂モールド型の半導体レ
ーザ装置に比較し、樹脂モールドに起因する樹脂の黄変
による光出力特性の劣化や、熱や応力による半導体レー
ザチップの劣化等の課題が解消された。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記改善
された技術においても図４に見られるように、半導体レ
ーザチップ１０が凹部平坦面１２上に設置されているシ
リコン基板１１の凹部を除く同一面上には信号光検出回
路１６および信号処理回路１７が形成されており、半導
体レーザチップ１０から出射された光が半導体レーザチ
ップ１０が置かれているシリコン基板１１の周辺傾斜面
で反射されずに透過してシリコン基板１１に吸収される
と、そこで電子・正孔対が発生し、この電子・正孔対が
シリコン基板１１上に設けられた信号光検出回路１６や
信号処理回路１７などに到達して雑音の原因となり、正
確な信号の検出や処理ができなくなるという課題があっ
た。
された技術においても図４に見られるように、半導体レ
ーザチップ１０が凹部平坦面１２上に設置されているシ
リコン基板１１の凹部を除く同一面上には信号光検出回
路１６および信号処理回路１７が形成されており、半導
体レーザチップ１０から出射された光が半導体レーザチ
ップ１０が置かれているシリコン基板１１の周辺傾斜面
で反射されずに透過してシリコン基板１１に吸収される
と、そこで電子・正孔対が発生し、この電子・正孔対が
シリコン基板１１上に設けられた信号光検出回路１６や
信号処理回路１７などに到達して雑音の原因となり、正
確な信号の検出や処理ができなくなるという課題があっ
た。
【００１０】本発明は上記課題を解決するものであり、
シリコン基板に発生した不要な光電荷の影響を受けるこ
となく、シリコン基板上に設けられた信号光検出回路や
信号処理回路を正確に作動させることができる半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
シリコン基板に発生した不要な光電荷の影響を受けるこ
となく、シリコン基板上に設けられた信号光検出回路や
信号処理回路を正確に作動させることができる半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、エッチングにより凹部を形成したシリコン
基板のエッチング領域に半導体レーザチップが配置さ
れ、そのエッチング領域を除くシリコン基板の上面に信
号光検出回路および信号処理回路等が形成された半導体
レーザ装置であって、少なくとも半導体レーザチップ
と、信号光検出回路または信号処理回路との間隙平面部
を含むシリコン基板の上面の一部に光電荷遮断領域を備
えるものであり、また半導体レーザチップと、信号光検
出回路または信号処理回路との間隙平面部を含むシリコ
ン基板の全周にわたってシリコン基板の上面に光電荷遮
断領域を備えるものであって、さらにその光電荷遮断領
域がＰ−Ｎ接合で構成されているものである。
するために、エッチングにより凹部を形成したシリコン
基板のエッチング領域に半導体レーザチップが配置さ
れ、そのエッチング領域を除くシリコン基板の上面に信
号光検出回路および信号処理回路等が形成された半導体
レーザ装置であって、少なくとも半導体レーザチップ
と、信号光検出回路または信号処理回路との間隙平面部
を含むシリコン基板の上面の一部に光電荷遮断領域を備
えるものであり、また半導体レーザチップと、信号光検
出回路または信号処理回路との間隙平面部を含むシリコ
ン基板の全周にわたってシリコン基板の上面に光電荷遮
断領域を備えるものであって、さらにその光電荷遮断領
域がＰ−Ｎ接合で構成されているものである。
【００１２】
【作用】したがって本発明によれば、半導体レーザチッ
プと、シリコン基板上の信号光検出回路または信号処理
回路との間に光電荷遮断領域が設けられているために、
半導体レーザチップより出射されたレーザ光がシリコン
基板内に吸収されることによって生じる電子・正孔対に
よるノイズが遮断され、信号光検出回路または信号処理
回路に到達することがないので入射信号光を正確に、か
つ安定して受光または処理することができる。
プと、シリコン基板上の信号光検出回路または信号処理
回路との間に光電荷遮断領域が設けられているために、
半導体レーザチップより出射されたレーザ光がシリコン
基板内に吸収されることによって生じる電子・正孔対に
よるノイズが遮断され、信号光検出回路または信号処理
回路に到達することがないので入射信号光を正確に、か
つ安定して受光または処理することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例における半導体レー
ザ装置について図１、図２とともに図４と同一部分には
同一番号を付して詳しい説明を省略し、相違する点につ
いて説明する。
ザ装置について図１、図２とともに図４と同一部分には
同一番号を付して詳しい説明を省略し、相違する点につ
いて説明する。
【００１４】図１は本発明の第１の実施例の構造を示す
ものであり、本実施例の半導体レーザ装置が従来の半導
体レーザ装置と異なる点は、ヒートシンク用のシリコン
基板１１のエッチングによって設けられた凹部平坦面１
２に設置されている半導体レーザチップ１０と、凹部平
坦面１２を除くシリコン基板１１の両側部上面に設けら
れたそれぞれ信号光検出回路１６または信号処理回路１
７との間にＰ−Ｎ接合よりなる光電荷遮断領域２０が設
けられていることにある。
ものであり、本実施例の半導体レーザ装置が従来の半導
体レーザ装置と異なる点は、ヒートシンク用のシリコン
基板１１のエッチングによって設けられた凹部平坦面１
２に設置されている半導体レーザチップ１０と、凹部平
坦面１２を除くシリコン基板１１の両側部上面に設けら
れたそれぞれ信号光検出回路１６または信号処理回路１
７との間にＰ−Ｎ接合よりなる光電荷遮断領域２０が設
けられていることにある。
【００１５】上記構成において、半導体レーザチップ１
０より出射された光は一部、信号検出用のレーザ光１４
となって反射鏡１３によって進行方向を９０°曲げら
れ、光ディスク（図示せず）で信号を読み取り、信号光
１５となって信号光検出回路１６へ戻ってくる。一方、
同時に半導体レーザチップ１０の後方より出たレーザ光
１８はモニタ用受光素子１９によって検出され、半導体
レーザ装置の駆動を制御する。
０より出射された光は一部、信号検出用のレーザ光１４
となって反射鏡１３によって進行方向を９０°曲げら
れ、光ディスク（図示せず）で信号を読み取り、信号光
１５となって信号光検出回路１６へ戻ってくる。一方、
同時に半導体レーザチップ１０の後方より出たレーザ光
１８はモニタ用受光素子１９によって検出され、半導体
レーザ装置の駆動を制御する。
【００１６】このほか半導体レーザチップ１０より出射
される不要な光がシリコン基板１１に吸収されて生じる
電子・正孔対（光電荷）はこの光電荷遮断領域２０によ
ってその進行を妨げられ、信号光検出回路１６または信
号処理回路１７へ到達することができない。
される不要な光がシリコン基板１１に吸収されて生じる
電子・正孔対（光電荷）はこの光電荷遮断領域２０によ
ってその進行を妨げられ、信号光検出回路１６または信
号処理回路１７へ到達することができない。
【００１７】このように本実施例によれば、信号光検出
回路１６および信号処理回路１７を不要な光電荷の妨害
から保護することができるために半導体レーザ装置を安
定に駆動することが可能となる。
回路１６および信号処理回路１７を不要な光電荷の妨害
から保護することができるために半導体レーザ装置を安
定に駆動することが可能となる。
【００１８】つぎに本発明の第２の実施例について図２
を参照して説明する。本実施例が第１の実施例と異なる
点は第１の実施例における光電荷遮断領域２０を半導体
レーザチップ１０と、信号光検出回路１６または信号処
理回路１７との間隙平面部に半導体レーザチップ１０を
取り囲むようにクローズループ状に設けた点にある。
を参照して説明する。本実施例が第１の実施例と異なる
点は第１の実施例における光電荷遮断領域２０を半導体
レーザチップ１０と、信号光検出回路１６または信号処
理回路１７との間隙平面部に半導体レーザチップ１０を
取り囲むようにクローズループ状に設けた点にある。
【００１９】光電荷遮断領域２０をこのように構成する
ことにより、半導体レーザチップ１０より出射した光の
一部は、反射鏡１３によって出射角度を変えられて信号
検出用のレーザ光１４となり、その他の出射光２１はシ
リコン基板１１に吸収されて電子・正孔対を形成しても
信号光検出回路１６および信号処理回路１７は光電荷遮
断領域２０の外に形成されているため、電子・正孔対に
よる悪影響を受けることがない。またこの光電荷遮断領
域２０に入射される出射光２１は半導体レーザチップ１
０から出射される信号検出用のレーザ光１４の光量を比
例的に反映しているために、光電荷遮断領域２０に発生
した信号をレーザ光１４のモニタ用として利用すること
も可能である。したがって本実施例の場合、モニタ用受
光素子１９を別途設ける必要はない。
ことにより、半導体レーザチップ１０より出射した光の
一部は、反射鏡１３によって出射角度を変えられて信号
検出用のレーザ光１４となり、その他の出射光２１はシ
リコン基板１１に吸収されて電子・正孔対を形成しても
信号光検出回路１６および信号処理回路１７は光電荷遮
断領域２０の外に形成されているため、電子・正孔対に
よる悪影響を受けることがない。またこの光電荷遮断領
域２０に入射される出射光２１は半導体レーザチップ１
０から出射される信号検出用のレーザ光１４の光量を比
例的に反映しているために、光電荷遮断領域２０に発生
した信号をレーザ光１４のモニタ用として利用すること
も可能である。したがって本実施例の場合、モニタ用受
光素子１９を別途設ける必要はない。
【００２０】このように上記実施例によれば、光電荷遮
断領域２０を信号光検出回路１６または信号処理回路１
７と同一平面上のシリコン基板１１上に、かつシリコン
基板１１の凹部平坦面１２上に配置された半導体レーザ
チップ１０を取り囲むように信号光検出回路１６および
信号処理回路１７の内側にクローズループ状に設けてい
るために、半導体レーザチップ１０より出射した光がシ
リコン基板１１に吸収されて生じる電子・正孔対による
影響から信号光検出回路１６または信号処理回路１７を
保護することができ、安定に駆動することができる。さ
らにモニタ用受光素子を新たに設けなくても光電荷遮断
領域２０に発生した信号を利用して半導体レーザチップ
１０の駆動を制御できるという効果も得られる。
断領域２０を信号光検出回路１６または信号処理回路１
７と同一平面上のシリコン基板１１上に、かつシリコン
基板１１の凹部平坦面１２上に配置された半導体レーザ
チップ１０を取り囲むように信号光検出回路１６および
信号処理回路１７の内側にクローズループ状に設けてい
るために、半導体レーザチップ１０より出射した光がシ
リコン基板１１に吸収されて生じる電子・正孔対による
影響から信号光検出回路１６または信号処理回路１７を
保護することができ、安定に駆動することができる。さ
らにモニタ用受光素子を新たに設けなくても光電荷遮断
領域２０に発生した信号を利用して半導体レーザチップ
１０の駆動を制御できるという効果も得られる。
【００２１】なお本実施例においては、光電荷遮断領域
としてＰ−Ｎ接合を用いた例について説明したが、Ｐ−
Ｎ接合の代わりにシリコン基板と同極性の高濃度拡散領
域を形成し、シリコン基板の表面付近で発生した光電荷
をシリコン基板側へ吸収することによっても同様の効果
を得ることができる。また光電荷遮断領域としてＰ−Ｎ
接合の代わりにシリコン基板にエッチングなどにより凹
部を形成し、シリコン基板の表面付近で発生した光電荷
を物理的に遮断することによっても同様の効果を得るこ
とができる。
としてＰ−Ｎ接合を用いた例について説明したが、Ｐ−
Ｎ接合の代わりにシリコン基板と同極性の高濃度拡散領
域を形成し、シリコン基板の表面付近で発生した光電荷
をシリコン基板側へ吸収することによっても同様の効果
を得ることができる。また光電荷遮断領域としてＰ−Ｎ
接合の代わりにシリコン基板にエッチングなどにより凹
部を形成し、シリコン基板の表面付近で発生した光電荷
を物理的に遮断することによっても同様の効果を得るこ
とができる。
【００２２】
【発明の効果】上記実施例からも明らかなように本発明
は、エッチングにより凹部を形成したシリコン基板のエ
ッチング領域に半導体レーザチップが配置され、そのエ
ッチング領域を除くシリコン基板の上面に信号光検出回
路および信号処理回路等が形成された半導体レーザ装置
であって、少なくとも半導体レーザチップと、信号光検
出回路または信号処理回路との間隙平面部を含むシリコ
ン基板の上面の一部に光電荷遮断領域を備えるものであ
り、また半導体レーザチップと、信号光検出回路または
信号処理回路との間隙平面部を含むシリコン基板の全周
にわたってシリコン基板の上面に光電荷遮断領域を備え
るものであり、したがって半導体レーザチップから出射
される信号検出用のレーザ光以外の光による悪影響から
信号光検出回路や信号処理回路を保護することができ、
これらの回路を安定して駆動することができる。
は、エッチングにより凹部を形成したシリコン基板のエ
ッチング領域に半導体レーザチップが配置され、そのエ
ッチング領域を除くシリコン基板の上面に信号光検出回
路および信号処理回路等が形成された半導体レーザ装置
であって、少なくとも半導体レーザチップと、信号光検
出回路または信号処理回路との間隙平面部を含むシリコ
ン基板の上面の一部に光電荷遮断領域を備えるものであ
り、また半導体レーザチップと、信号光検出回路または
信号処理回路との間隙平面部を含むシリコン基板の全周
にわたってシリコン基板の上面に光電荷遮断領域を備え
るものであり、したがって半導体レーザチップから出射
される信号検出用のレーザ光以外の光による悪影響から
信号光検出回路や信号処理回路を保護することができ、
これらの回路を安定して駆動することができる。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体レーザ装
置の斜視図
置の斜視図
【図２】同第２の実施例における半導体レーザ装置の斜
視図
視図
【図３】従来の半導体レーザ装置の一部分解斜視図
【図４】発明者らが過去に提案した半導体レーザ装置の
斜視図
斜視図
１０ 半導体レーザチップ １１ シリコン基板 １２ 凹部平坦面（エッチング領域） １６ 信号光検出回路 １７ 信号処理回路 ２０ 光電荷遮断領域
フロントページの続き (72)発明者 吉川 昭男 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 エッチングにより凹部を形成したシリコ
ン基板のエッチング領域に半導体レーザチップが配置さ
れ、前記エッチング領域を除くシリコン基板の上面に信
号光検出回路および信号処理回路等が形成された半導体
レーザ装置であって、少なくとも前記半導体レーザチッ
プと、前記信号光検出回路または信号処理回路との間隙
平面部を含むシリコン基板の上面の一部に、光電荷遮断
領域を備える半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 エッチングにより凹部を形成したシリコ
ン基板のエッチング領域に半導体レーザチップが配置さ
れ、前記エッチング領域を除くシリコン基板の上面に信
号光検出回路および信号処理回路等が形成された半導体
レーザ装置であって、前記半導体レーザチップと、前記
信号光検出回路または信号処理回路との間隙平面部を含
むシリコン基板の全周にわたってシリコン基板の上面に
光電荷遮断領域を備える半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 光電荷遮断領域がＰ−Ｎ接合である請求
項１または２記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 光電荷遮断領域がシリコン基板と同極性
の高濃度不純物拡散領域である請求項１または２記載の
半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 光電荷遮断領域がシリコン基板に設けた
凹部である請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00147794A JP3201119B2 (ja) | 1994-01-12 | 1994-01-12 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00147794A JP3201119B2 (ja) | 1994-01-12 | 1994-01-12 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
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