JP3456938B2 - 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の光
情報記録装置のレーザ光源に用いられる青色レーザ光を
出力する半導体レーザ装置に関し、特に、自然放出光の
外部への放出を防止する半導体レーザ装置、これを用い
た光ディスク装置及び光集積化装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】III 族元素として、特にアルミニウム
（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）又はインジウム（Ｉｎ）を
含むIII 族窒化物半導体を材料とする窒化物半導体レー
ザ装置は、活性層にＩｎＧａＮからなる混晶を用いるこ
とにより、波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の青色レ
ーザ光を発振できる。この青色半導体レーザ装置が実用
化されると、現在、波長が６５０ｎｍの赤色光を発振す
る赤色半導体レーザ装置を用いたＤＶＤの記録容量を３
倍以上、すなわち、直径が１２ｃｍのディスクの片面で
１５ギガバイト以上にまで高めることが可能となる。こ
の１５ギガバイトの記録容量は、動画情報圧縮技術の国
際標準であるＭＰＥＧ２方式を用いると、高品位（Ｈ
Ｄ）ビデオ信号として２時間以上の再生を行なえるた
め、青色半導体レーザ装置の実現が強く期待されてい
る。現在、発振に成功している窒化物半導体レーザ装置
は、活性層としてＩｎＧａＮ混晶を用い、クラッド層と
してＡｌＧａＮ混晶を用いており、その発振波長は約４
００ｎｍ〜４５０ｎｍである。

【０００３】通常、ＩｎＧａＮからなる活性層及びＡｌ
ＧａＮからなるクラッド層は、これらの層を基板上に結
晶成長させることにより形成される。従って、結晶欠陥
がない成長膜を得るには、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮと
同一の結晶構造を持ち、格子定数がほぼ同一のＧａＮか
らなる基板を用いるのが最適である。しかしながら、現
在のところ、基板として利用できる、一辺が１０ｍｍ以
上のサイズのＧａＮからなる基板が得られていない。そ
のため、一般にはサファイア（単結晶Ａｌ₂Ｏ₃）からな
る基板が用いられている。サファイアは、ＧａＮに対し
て格子定数が約１４％も異なるものの、ＧａＮと同一の
結晶構造を有し且つ１０００℃以上の高温下でも安定な
ため、窒化物半導体結晶の成長に適している。

【０００４】窒化物半導体レーザ装置に限らず、半導体
レーザ装置のｐ側電極及びｎ側電極に対して、しきい値
電流を超える電流を注入すると、注入された電流から生
じる電子及び正孔の再結合による放出光が活性層に強く
閉じ込められることにより増幅され発振し、レーザ光と
して活性層の出射端面から出射される。

【０００５】窒化物半導体レーザ装置の活性層には、前
述したようにＩｎＧａＮ混晶を用い、Ｉｎ組成比が１５
％の場合に発振波長が４１０ｎｍの青紫色のレーザ光を
得られる。活性層の基板側及び基板と反対側には、該活
性層とのエネルギーギャップが０．４ｅＶ以上であり、
且つ、屈折率が活性層よりも小さいクラッド層が必要と
なる。このクラッド層には、Ａｌ組成比が７％のＡｌＧ
ａＮ混晶が用いられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の窒化物半導体レーザ装置から出射される青色レーザ
光は、原理的に赤色レーザ光よりも検出が難しく、光検
出器等の受光素子のＳ／Ｎ比が小さくならざるを得な
い。従って、短波長型の窒化物半導体レーザ装置は、赤
色半導体レーザ装置と比べてレーザ装置が発する雑音を
低減する必要性が極めて高くなる。

【０００７】本発明は、短波長型の窒化物半導体レーザ
装置において、該装置が発する雑音、特に光学的雑音を
確実に低減できるようにすることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願発明者らは、短波長
レーザを実用化するにあたり、青色光レーザ装置からの
雑音源を種々検討した結果、その一つとして以下のよう
な光学的な原因を突き止めている。

【０００９】すなわち、半導体レーザ装置に電流を印加
し始めると、活性層の発光領域において自然放出光が発
生し、印加電流が所定値を超えると共振器の長手方向の
自然放出光が増幅されて発振し、位相が揃ったレーザ光
が活性層の出射端面から出射する。この所定の電流値を
発振しきい値電流と呼び、印加電流がしきい値電流に達
してレーザ発振が起こるまでの間は自然放出光のみが増
え続ける。

【００１０】この自然放出光は、位相が揃ったレーザ光
ではないため、レーザ光に混入すると種々の悪影響を及
ぼす。例えば、レーザ装置を光ディスクの光ピックアッ
プとして用いる場合には、自然放出光成分はレーザ光の
雑音となり、情報読み取り動作時のＳＮ比を低下させ
る。また、レーザチップのレーザ出射端面以外から放出
される自然放出光は、レーザチップが光検出器又は電子
回路と集積されてなる光電子集積素子における光検出器
に対するバイアス光となって検出動作に悪影響を及ぼす
こととなる。

【００１１】前記の目的を達成するため、本発明は、レ
ーザチップから漏れ出す自然放出光を防止できるよう
に、自然放出光を吸収する自然放出光吸収層をチップの
内部又はチップ表面に設ける構成とする。また、自然放
出光を外部に漏らさないように、チップの上面又は側面
に自然放出光に対する高反射率の自然放出光防止膜を設
ける構成とする。また、自然放出光がレーザチップの自
動出力制御用のモニタ光に混入しないように、自然放出
光を遮光する遮光手段を、レーザチップとモニタ光検出
器との間に設ける構成とする。

【００１２】以下、具体的に、本発明の解決手段を列挙
する。

【００１３】本発明に係る第１の半導体レーザ装置は、
基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる
第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に形成され
た窒化物半導体からなる活性層と、活性層の上に形成さ
れた第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド
層とを備え、基板と第１のクラッド層との間に、第１導
電型の窒化物半導体からなり、活性層から放出される自
然放出光を吸収する自然放出光吸収層が形成されてい
る。

【００１４】第１の半導体レーザ装置によると、基板と
第１のクラッド層との間に、第１のクラッド層と同一の
導電型の窒化物半導体からなり、活性層から放出される
自然放出光を吸収する自然放出光吸収層が形成されてい
るため、自然放出光吸収層が活性層から基板側へ放出さ
れる自然放出光を吸収する。

【００１５】第１の半導体レーザ装置において、自然放
出光吸収層がインジウムを含み、第１のクラッド層と接
するように形成されていることが好ましい。このように
すると、自然放出光吸収層がインジウムを含むため、自
然放出光吸収層のエネルギーギャップが、窒化物半導体
から放出される自然放出光のエネルギーよりも小さくな
るようにできるので、自然放出光を確実に吸収できる。

【００１６】第１の半導体レーザ装置において、自然放
出光吸収層がインジウムを含み、基板と接するように形
成されていることが好ましい。このようにすると、自然
放出光吸収層がインジウムを含むため、自然放出光吸収
層のエネルギーギャップが、窒化物半導体から放出され
る自然放出光のエネルギーよりも小さくなるようにでき
るので、自然放出光を確実に吸収できる。さらに、基板
の上面に該基板上に成長する窒化物半導体層の結晶性を
高めるためのバッファ層を形成する場合に、自然放出光
吸収層に該バッファ層を兼ねさせることができる。

【００１７】本発明に係る第２の半導体レーザ装置は、
基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる
第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に形成され
た窒化物半導体からなる活性層と、活性層の上に形成さ
れた第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド
層と、第２のクラッド層の上に形成された電極とを備
え、第２のクラッド層と前記電極との間に、第２導電型
の窒化物半導体からなり、活性層から放出される自然放
出光を吸収する自然放出光吸収層が形成されている。

【００１８】第２の半導体レーザ装置によると、第２の
クラッド層と電極との間に、第２のクラッド層と同一の
導電型の窒化物半導体からなり、活性層から放出される
自然放出光を吸収する自然放出光吸収層が形成されてい
るため、自然放出光吸収層が活性層から第２のクラッド
層上に設けられた電極側へ放出される自然放出光を吸収
する。

【００１９】第２の半導体レーザ装置において、自然放
出光吸収層がインジウムを含み、前記第２のクラッド層
と接するように形成されていることが好ましい。

【００２０】第２の半導体レーザ装置において、自然放
出光吸収層がインジウムを含み、前記電極と接するよう
に形成されていることが好ましい。このようにすると、
第２のクラッド層の上方に電極とオーミック接触するコ
ンタクト層を形成する場合に、自然放出光吸収層に該コ
ンタクト層を兼ねさせることができる。

【００２１】本発明に係る第３の半導体レーザ装置は、
基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる
第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に形成され
た窒化物半導体からなる活性層と、活性層の上に形成さ
れた第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド
層とを備え、基板における活性層と反対側の面に、活性
層から放出される自然放出光を吸収又は反射する自然放
出光防止膜が形成されている。

【００２２】第３の半導体レーザ装置によると、基板に
おける活性層と反対側の面に、活性層から放出される自
然放出光を吸収又は反射する自然放出光防止膜が形成さ
れているため、自然放出光防止膜が活性層から基板側へ
放出される自然放出光の外部への漏出を防止する。

【００２３】本発明に係る第４の半導体レーザ装置は、
基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる
第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に形成され
た窒化物半導体からなる活性層と、活性層の上に形成さ
れた第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド
層とを有するレーザ素子本体を備え、レーザ素子本体に
おける活性層のレーザ光出射部を除く出射端面と該出射
端面と反対側の反射端面とに、活性層から放出される自
然放出光を吸収又は反射する自然放出光防止膜が形成さ
れている。

【００２４】第４の半導体レーザ装置によると、レーザ
素子本体における活性層のレーザ光出射部を除く出射端
面と該出射端面と反対側の反射端面とに、活性層から放
出される自然放出光を吸収又は反射する自然放出光防止
膜が形成されているため、自然放出光防止膜が活性層か
ら第２のクラッド層の上に設けられた電極側へ放出され
る自然放出光の外部への漏出を防止する。なお、本明細
書においてレーザ素子（チップ）本体とは、基板上に形
成された共振器構造を含む複数の半導体層部分をいう。

【００２５】本発明に係る第５の半導体レーザ装置は、
基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる
第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に形成され
た窒化物半導体からなる活性層と、活性層の上に形成さ
れた第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド
層とを有するレーザ素子本体を備え、レーザ素子本体に
おけるレーザ光の出射方向と平行な側面に、活性層から
放出される自然放出光を吸収又は反射する自然放出光防
止膜が形成されている。

【００２６】第５の半導体レーザ装置によると、レーザ
素子本体におけるレーザ光の出射方向と平行な側面に、
活性層から放出される自然放出光を吸収又は反射する自
然放出光防止膜が形成されているため、自然放出光防止
膜が活性層からレーザ素子本体の側面方向へ放出される
自然放出光の外部への漏出を防止する。

【００２７】第３〜第５の半導体レーザ装置において、
自然放出光防止膜が、金を含む金属又はシリコンからな
ることが好ましい。このようにすると、シリコンのエネ
ルギーギャップは、窒化物半導体から放出される自然放
出光のエネルギーよりも小さいため、自然放出光を確実
に吸収できる。また、金は材料的に安定であり且つ窒化
物半導体から放出される自然放出光を高い反射率で反射
する。さらに、金及びシリコンは半導体製造プロセスと
極めてなじみやすい。

【００２８】本発明に係る第６の半導体レーザ装置は、
基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる
第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に形成され
た窒化物半導体からなる活性層と、活性層の上に形成さ
れた第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド
層と、第２のクラッド層の上に形成され、活性層に対し
てストライプ状に電流を注入する電極とを備え、活性層
におけるストライプ状の電流注入領域の側方には、該電
流注入領域に沿って溝部が形成され、溝部には、活性層
から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収材
が充填されている。

【００２９】第６の半導体レーザ装置によると、電流注
入領域の側方に該電流注入領域に沿って設けられた溝部
を有し、該溝部に活性層から放出される自然放出光を吸
収する自然放出光吸収材が充填されているため、自然放
出光吸収材が活性層からレーザ素子本体の側面方向へ放
出される自然放出光の外部への漏出を防止する。

【００３０】第６の半導体レーザ装置において、自然放
出光吸収材が、シリコン又は金を含む金属からなること
が好ましい。

【００３１】本発明に係る第７の半導体レーザ装置は、
基板上に形成された第１導電型の窒化物半導体からなる
第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に形成され
た窒化物半導体からなる活性層と、活性層の上に形成さ
れた第２導電型の窒化物半導体からなる第２のクラッド
層とを有するレーザ素子本体と、基板における活性層と
反対側の面及びレーザ素子本体の側面のうちの少なくと
も一方と間隔をおいて形成され、活性層から放出される
自然放出光を吸収又は反射する自然放出光防止部材とを
備えている。

【００３２】第７の半導体レーザ装置によると、基板に
おける活性層と反対側の面及びレーザ素子本体の側面の
うちの少なくとも一方と間隔をおいて形成され、活性層
から放出される自然放出光を吸収又は反射する自然放出
光防止部材とを備えているため、自然放出光防止部材
が、活性層から基板側又はレーザ素子本体の側面方向へ
放出される自然放出光の外部への漏出を防止する。

【００３３】第７の半導体レーザ装置において、基板
が、サファイア、炭化ケイ素又は窒化ガリウムからなる
ことが好ましい。

【００３４】本発明に係る第８の半導体レーザ装置は、
半導体レーザチップと、半導体レーザチップから出射さ
れるレーザ光を受光して半導体レーザチップの光出力値
を検出する光電変換素子と、半導体レーザチップにおけ
るレーザ光の出射部及び光電変換素子の受光部の間に設
けられ半導体レーザチップから放出される自然放出光の
少なくとも一部を遮光する遮光手段とを備えている。

【００３５】第８の半導体レーザ装置によると、半導体
レーザチップにおけるレーザ光の出射部及び光電変換素
子の受光部の間に設けられ半導体レーザチップから放出
される自然放出光の少なくとも一部を遮光する遮光手段
とを備えているため、半導体レーザチップの光出力値を
モニタする光電変換素子に混入する自然放出光の光量が
減るので、自動出力制御を確実に行なえるようになる。

【００３６】第８の半導体レーザ装置において、遮光手
段は、自然放出光が遮光手段を通過する際の自然放出光
の減衰量が、レーザ光が遮光手段を通過する際のレーザ
光の減衰量よりも多くなるように設けられていることが
好ましい。

【００３７】第８の半導体レーザ装置において、遮光手
段が、レーザ光の光軸上に開口部を有する遮光板である
ことが好ましい。

【００３８】第８の半導体レーザ装置において、半導体
レーザチップがレーザ光を透過する材料からなる基板を
有していることが好ましい。

【００３９】この場合に、半導体レーザチップが、窒化
物系半導体からなり、基板が、サファイア、炭化ケイ素
又は窒化ガリウムからなることが好ましい。

【００４０】本発明に係る光ディスク装置は、本発明の
第１〜第８の半導体レーザ装置のうちのいずれか１つ
と、半導体レーザ装置から出射されたレーザ光をデータ
が記録された記録媒体上に集光する集光光学系装置と、
記録媒体によって反射されたレーザ光を検出する光検出
器とを備えている。

【００４１】本発明に係る光集積化装置は、半導体から
なる基体上に、本発明の第１〜第８の半導体レーザ装置
のうちのいずれか１つと、半導体レーザ装置から出射さ
れたレーザ光の反射光を検出する光検出器とが設けられ
ている。

【００４２】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００４３】図１は本発明の第１の実施形態に係る窒化
物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図１に示
すように、本実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１
Ａは、その素子形成面が絶縁性を有する炭化シリコン
（ＳｉＣ）又はダイヤモンドからなるサブマウント２の
主面と対向するように実装されている。ここで、窒化物
半導体レーザ装置とは、レーザを構成する半導体の組成
がＡｌ_x Ｇａ_y Ｉｎ_z Ｎ（但し、ｘ、ｙ及びｚは、０≦
ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であ
る）の半導体レーザ装置をいう。

【００４４】窒化物半導体レーザ装置１Ａにおいて、サ
ファイアからなる基板１１のサブマウント２側の主面
（素子形成面）には、サファイアとＧａＮ系結晶との格
子定数の不整合を緩和して結晶欠陥が少ない半導体層を
得るためのＧａＮ又はＡｌＮからなるバッファ層１２
と、Ｓｉをドーパントとするｎ型ＧａＮからなるｎ型コ
ンタクト層１３とが順次形成されている。ｎ型コンタク
ト層１３の下面には、ダブルヘテロ（ＤＨ）のｐｎ接合
からなるレーザ構造を形成する素子形成領域とｎ側電極
を形成するｎ側電極形成領域とを有し、該ｎ側電極形成
領域には、例えば、Ｔｉ／Ａｌ又はＭｏ／Ｐｔ／Ａｕの
積層体からなるｎ側電極１４が形成されている。

【００４５】ｎ型コンタクト層１３の下面における素子
形成領域には、後述する活性層から放出される自然放出
光を吸収するエネルギーギャップを持つｎ型Ｉｎ_x Ｇａ
_1-xＮ（但し、ｘは０＜ｘ＜１である。）からなる自然
放出光吸収層１５Ａと、活性層において生成される生成
光を活性層に閉じ込めると共に電子を活性層に閉じ込め
るためのｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１６
と、閉じ込められた電子及び正孔を再結合させて再結合
光を生成するＩｎ_y Ｇａ_1-y Ｎ（但し、ｙは０＜ｙ＜１
である。）からなる活性層１７と、活性層１７において
生成される生成光を活性層１７に閉じ込めると共に正孔
を活性層１７に閉じ込めるためのｐ型ＡｌＧａＮからな
るｐ型クラッド層１８と、後述するｐ側電極とオーミッ
ク接触するｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１９
と、ストライプ状の開口部を有するシリコン酸化膜から
なる絶縁膜２０とが順次形成されている。ここで、自然
放出光吸収層１５Ａと活性層１７とにおけるＩｎの組成
ｘ及びｙの関係はｘ≧ｙとする。

【００４６】活性層１７における井戸層のＩｎの混晶比
ｙを１５％とすると、発振するレーザ光の波長は４１０
ｎｍとなる。従って、自然放出光吸収層１５ＡのＩｎ混
晶比ｘを１５％以上とすれば、該自然放出光吸収層１５
Ａは活性層１７から放出される自然放出光に対して透明
でなくなるので、レーザ発振に寄与しない自然放出光を
確実に吸収できる。ここでは、井戸層の厚さを約５ｎｍ
以下としている。

【００４７】絶縁膜２０の下面には該絶縁膜２０の開口
部を充填するように、例えば、Ｎｉ／Ａｕ又はＮｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕの積層体からなるｐ側電極２１が形成されてい
る。

【００４８】サブマウント２の主面上には、ｐ側電極２
１と対向する領域にｐ側端子電極２３が形成され、ｎ側
電極１４と対向する領域にｎ側端子電極２５が形成され
ている。ｐ側電極２１とｐ側端子電極２３、及びｎ側電
極１４とｎ側端子電極２５とは、鉛（Ｐｂ）とスズ（Ｓ
ｎ）又は金（Ａｕ）とを含む半田材２２、２４を介して
それぞれ電気的に接続されている。

【００４９】前述したように、窒化物半導体レーザ装置
１Ａのｐ側電極２１及びｎ側電極１４に対して電流を注
入すると、活性層１７からは、しきい値電流を超える電
流が注入されている場合であっても、レーザ発振に寄与
しない自然放出光が周囲に放出され続ける。さらに、発
振波長が４１０ｎｍ程度の放出光は、サファイアからな
る基板１１、ＡｌＧａＮからなるｎ型及びｐ型クラッド
層１６，１８並びにＧａＮからなるｎ型及びｐ型コンタ
クト層１３，１９に対していずれも透明であるため、活
性層１７の周囲のすべての方向にわたって放出される。

【００５０】しかしながら、本実施形態によると、ｎ型
クラッド層１６とｎ型コンタクト層１３との間に、活性
層１７よりもＩｎの混晶比が大きい、すなわち、活性層
１７よりもエネルギーギャップが小さい自然放出光吸収
層１５Ａを設けているため、この自然放出光吸収層１５
Ａは活性層１７からの自然放出光に対して透明でなくな
り、その結果、この自然放出光は自然放出光吸収層１５
Ａに吸収されることになる。

【００５１】このように、本実施形態によると、窒化物
半導体レーザ装置１Ａがサブマウント２に実装された状
態では、活性層１７の基板１１側に放出される自然放出
光の漏出を防止できるため、基板１１側に配置される光
素子に対する光学的ノイズを除去できる。

【００５２】また、自然放出光吸収層１５Ａはｎ型クラ
ッド層１６と隣接して設けられていることにより、光源
である活性層１７の最も近い位置にあり、自然放出光の
吸収効率が高くなる。

【００５３】なお、本実施形態においては、自然放出光
吸収層１５Ａに活性層１７と比べてエネルギーギャップ
が小さいＩｎＧａＮを用いたが、これに限らず、ＧａＮ
系半導体結晶が成長可能な半導体材料であればよい。

【００５４】以下、前記のように構成された窒化物半導
体レーザ装置１Ａの製造方法について説明する。

【００５５】ここでは、窒化物半導体の成長法として、
高温の反応炉に、III 族源としてトリメチルアルミニウ
ム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びトリ
メチルインジウム（ＴＭＩ）等の有機金属化合物原料を
導入すると共に、窒素源にアンモニア（ＮＨ₃ ）ガスを
導入して、反応炉内で各有機金属化合物原料及びＮＨ ₃
を熱分解することにより基板上に窒化物半導体を成長さ
せる有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）法を用い
る。

【００５６】まず、基板温度を６００℃程度に設定した
後、反応炉内に保持された基板１１の主面上にＴＭＧと
ＮＨ₃ とを導入しながら、基板１１の主面にＧａＮから
なるバッファ層１２を成長させる。このように、ＧａＮ
系半導体と格子定数が異なるサファイア上に成長させ
る、いわゆる低温バッファ層を設けることにより、クラ
ック等の欠陥が生じにくくできることが知られている。
なお、基板１１上にＡｌＮからなるバッファ層１２を成
長させる場合には、ＴＭＧの替わりにＴＭＡを用いる。

【００５７】次に、基板温度を１０００℃程度にまで昇
温した後、ＴＭＧとＮＨ₃ とを導入しながら、バッファ
層１２の上面にｎ型不純物としてＳｉがドープされたｎ
型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層１３を成長させる。

【００５８】次に、基板温度を８００℃程度にまで降温
した後、III 族源にＴＭＩを追加して、ｎ型コンタクト
層１３の上面にｎ型Ｉｎ_x Ｇａ_1-x Ｎからなる自然放出
光吸収層１５Ａを成長させる。

【００５９】次に、基板温度を１０００℃程度にまで昇
温した後、III 族源としてＴＭＧ及びＴＭＡを基板１１
上に導入して、自然放出光吸収層１５Ａの上面にｎ型Ａ
ｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１６を成長させる。

【００６０】次に、基板温度を８００℃程度に降温した
後、III 族源としてＴＭＡの導入を止め替わりにＴＭＩ
を追加して、ｎ型クラッド層１６の上面にＩｎ_y Ｇａ
_1-y Ｎからなる活性層１７を成長させる。ここで、活性
層１７として、例えば、膜厚がそれぞれ５ｎｍ以下で、
ＩｎＧａＮからなる井戸層とＡｌＧａＮからなる障壁層
とを交互に積層してなる多重量子井戸構造とすることに
より、レーザ発振のしきい値電流を小さくすることがで
きる。

【００６１】次に、基板温度を１０００℃程度にまで昇
温した後、III 族源としてＴＭＧ及びＴＭＡを基板１１
上に導入することにより、活性層１７の上面に、ｐ型不
純物としてＭｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮからなる
ｐ型クラッド層１８と、ＴＭＡの導入を止めてｐ型クラ
ッド層１８の上面にｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト
層１９とを順次成長させる。

【００６２】次に、各窒化物半導体層が形成された基板
（エピタキシャル基板）を反応炉から取り出し、ｐ型コ
ンタクト層１９の上面にシリコン酸化膜等の絶縁膜２０
を形成する。続いて、絶縁膜２０に対して選択的にエッ
チングを行なって絶縁膜２０にストライプ状の開口部を
形成する。

【００６３】次に、蒸着法等を用いて、開口部を含む絶
縁膜２０の全面にわたって、Ｎｉ／Ａｕ等の積層膜から
なるｐ側電極２１を形成する。

【００６４】次に、ｐ側電極２１の素子形成領域をマス
クし、エピタキシャル層に対してエッチングを行なうこ
とにより、ｎ型コンタクト層１３を露出してｎ側電極形
成領域を形成する。このｎ側電極形成領域の上に、例え
ば蒸着法を用いてＴｉ／Ａｌの積層膜からなるｎ側電極
１４を形成する。

【００６５】次に、エピタキシャル基板に対して共振器
が得られるように該エピタキシャル基板を劈開する。続
いて、共振器端面に所定の端面コートを施し、窒化物半
導体レーザ装置１Ａにおける基板１１の素子形成面側を
サブマウント２の主面と対向させ、ｐ側電極２１及びｎ
側電極１４とそれぞれ接続されるｐ側端子電極２３及び
ｎ側端子電極２５との位置合わせを行なった後、それぞ
れの電極同士を半田材２２、２４により固着することに
より、図１に示す窒化物半導体レーザ装置１Ａを得る。

【００６６】なお、活性層１７の基板１１側及び基板１
１と反対側には該活性層１７と接するように形成され、
活性層１７への光閉じ込め率を向上させるｎ型ＧａＮか
らなるｎ型光ガイド層及びｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガ
イド層を設けると、活性層１７への光閉じ込め効果が向
上して、しきい値電流をさらに低減できる。

【００６７】（第１の実施形態の第１変形例）以下、本
発明の第１の実施形態の第１変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００６８】図２は本実施形態の第１変形例に係る窒化
物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図２にお
いて、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の
符号を付すことにより説明を省略する。図２に示すよう
に、本変形例に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｂは、活
性層１７と比べてエネルギーギャップが小さいｎ型Ｉｎ
ＧａＮからなる自然放出光吸収層１５Ｂが、バッファ層
１２とｎ型コンタクト層１３との間に形成されているこ
とを特徴とする。

【００６９】このようにすると、自然放出光吸収層１５
Ｂは基板１１の主面の全面を覆うことができるため、基
板１１側に放出される自然放出光の漏出を一層防止でき
る。

【００７０】さらに、自然放出光吸収層１５Ｂを低温で
成長させることにより、バッファ層１２として用いれ
ば、製造工程の負担とならない。

【００７１】（第１の実施形態の第２変形例）以下、本
発明の第１の実施形態の第２変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００７２】図３は本実施形態の第２変形例に係る窒化
物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図３にお
いて、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の
符号を付すことにより説明を省略する。図３に示すよう
に、本変形例に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｃは、活
性層１７と比べてエネルギーギャップが小さいｐ型Ｉｎ
ＧａＮからなる自然放出光吸収層１５Ｃが、ｐ型クラッ
ド層１８とｐ型コンタクト層１９との間に形成されてい
ることを特徴とする。ここでは、自然放出光吸収層１５
Ｃをｐ型とする必要があり、ｐ型ドーパントとしてＭｇ
を用いている。

【００７３】このようにすると、自然放出光吸収層１５
Ｃは、活性層１７からｐ側電極２１側に放出される自然
放出光の漏出を防止できる。

【００７４】（第１の実施形態の第３変形例）以下、本
発明の第１の実施形態の第３変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００７５】図４は本実施形態の第３変形例に係る窒化
物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図４にお
いて、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の
符号を付すことにより説明を省略する。図４に示すよう
に、本変形例に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｄは、活
性層１７と比べてエネルギーギャップが小さいｐ型Ｉｎ
ＧａＮからなる自然放出光吸収層１５Ｄが、ｐ型コンタ
クト層１９とｐ側電極２１との間に形成されていること
を特徴とする。

【００７６】このようにすると、自然放出光吸収層１５
Ｄは、ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１９よりもエネ
ルギーギャップが小さいため、ｐ型コンタクト層１９と
比べてコンタクト抵抗が小さくなるので、しきい値電圧
を低減できる。

【００７７】以上説明したように、第１の実施形態及び
その各変形例においては、レーザ構造を形成するエピタ
キシャル層中に、自然放出光吸収層１５Ａ〜１５Ｄのい
ずれかを設けたが、自然放出光吸収層が活性層１７に近
い程、該自然放出光吸収層がレーザ光の一部を吸収して
しまい、レーザ発振時の損失が増える。このため、逆
に、発振しきい値電流が増大するので、レーザ光の光分
布を十分に考慮して設計する必要がある。

【００７８】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００７９】図５は本発明の第２の実施形態に係る窒化
物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図５にお
いて、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の
符号を付すことにより説明を省略する。本実施形態にお
いては、第１の実施形態のように自然放出光吸収層をエ
ピタキシャル層中に設けるのではなく、レーザチップ本
体の外面上に自然放出光防止膜を設ける構成とする。

【００８０】図５に示すように、本実施形態に係る窒化
物半導体レーザ装置１Ｅは、サファイアからなる基板１
１の素子形成面と反対側の面（裏面）に、活性層１７か
らの自然放出光を吸収するか又は反射する自然放出光防
止膜３１Ａが形成されている。

【００８１】ここで、ＩｎＧａＮからなる活性層１７か
ら放出される自然放出光を吸収する材料として、自然放
出光のエネルギーよりも小さいエネルギーギャップを有
する結晶シリコン又はアモルファスシリコンを用いる。
このシリコン（Ｓｉ）膜は、例えばスパッタ法等を用い
て形成する。なお、Ｓｉに限らず、エネルギーギャップ
が自然放出光のエネルギーよりも小さく且つプロセスに
なじみやすい材料であればよい。

【００８２】また、活性層１７から放出される自然放出
光を高度に反射する材料として、例えば、Ａｕ膜、又は
Ａｕと他の金属とを積層した、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕからなる積層膜が好ましい。これらの金属膜又は積層
膜は電子ビーム蒸着法又は抵抗加熱蒸着法等を用いる。

【００８３】また、自然放出光防止膜３１Ａの材料とし
て、Ａｕ、Ｔｉ及びＰｔ以外にも、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕ、
Ｆｅ、Ａｇ又はＩｎ等の金属、又はこれらの積層膜、合
金（例えば、ＡｕとＳｎ等）を用いる。

【００８４】さらに、吸収膜と高反射膜とを組み合わせ
ても良く、例えば、Ｓｉからなる吸収膜の上にＡｕから
なる高反射膜を積層すると一層効果的である。

【００８５】このように、本実施形態によると、窒化物
半導体レーザ装置１Ｅがサブマウント２に実装された状
態では、活性層１７の基板１１側に放出される自然放出
光の漏出を防止できるため、窒化物半導体レーザ装置１
Ｅにおける基板１１側の周辺部に配置される光素子に対
する光学的ノイズを除去できる。

【００８６】（第２の実施形態の第１変形例）以下、本
発明の第２の実施形態の第１変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００８７】図６は本実施形態の第１変形例に係る窒化
物半導体レーザ装置の外観を示している。図６におい
て、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符
号を付すことにより説明を省略する。図６に示すよう
に、本変形例に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｆは、レ
ーザチップ本体における活性層のレーザ光出射部を除く
出射端面上と該出射端面と反対側の反射端面上とに、活
性層から放出される自然放出光を吸収又は反射する自然
放出光防止膜３１Ｂが形成されている。

【００８８】レーザ光出射部のスポットサイズは５μｍ
角程度である。また、反射端面から例えばモニター用の
レーザ光を取り出さないような場合には反射端面の全面
に自然放出光防止膜３１Ｂを形成することが好ましい。
このようにすると、発振しきい値をより低減できる。

【００８９】吸収膜としては、第２の実施形態と同様に
Ｓｉ膜が好ましい。また、高反射膜としては、前述の金
属膜でよいが、ただし、金属等の導電性膜を設ける場合
には、各半導体層の電気的な短絡を防ぐため、あらかじ
めＳｉＯ₂ 等からなる絶縁膜を下地層として形成してお
く必要がある。

【００９０】ここで、本変形例に係る自然放出光防止膜
３１Ｂは、レーザチップ本体におけるレーザ光の共振方
向と垂直な方向の端面に設けられているため、吸収膜と
するよりは、反射膜とするほうが好ましい。このように
すると、自然放出光防止膜３１Ｂで反射される自然放出
光がレーザ発振に寄与できるからである。

【００９１】また、高反射膜は、例えば、ＳｉＯ₂ ／Ｔ
ｉＯ₂ のように共に誘電体からなる積層膜を用いてもよ
い。この場合は、自然放出光の波長の１／４に相当する
膜厚を有するＳｉＯ₂ 膜とＴｉＯ₂ 膜とを交互に積層す
ることにより、例えば、６層構造とすると９４％までの
反射率を得ることができる。

【００９２】このように、本変形例によると、活性層１
７から共振器に対してほぼ平行な方向に放出される自然
放出光の漏出を防止できるため、窒化物半導体レーザ装
置１Ｆにおけるレーザ光の出射方向又は該出射方向と反
対方向の周辺部に配置される光素子に対する光学的ノイ
ズを除去できる。

【００９３】（第２の実施形態の第２変形例）以下、本
発明の第２の実施形態の第２変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００９４】図７は本実施形態の第２変形例に係る窒化
物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図７にお
いて、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の
符号を付すことにより説明を省略する。図７に示すよう
に、本変形例に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｇは、レ
ーザチップ本体におけるレーザ光の出射方向と平行な側
面上に、活性層１７から放出される自然放出光を吸収又
は反射する自然放出光防止膜３１Ｃが形成されている。

【００９５】ここで、吸収膜としては、第２の実施形態
と同様にＳｉ膜が好ましい。また、高反射膜としては、
前述のＡｕ等の金属膜でよいが、但し、金属等の導電性
膜を設ける場合には、各半導体層の電気的な短絡を防ぐ
ため、あらかじめＳｉＯ₂ 等からなる絶縁膜を下地層と
して形成しておく必要がある。

【００９６】また、吸収膜と高反射膜とを組み合わせて
用いてもよく、例えば、Ｓｉからなる吸収膜の上にＡｕ
からなる高反射膜を積層してなる積層体を用いてもよ
い。

【００９７】このように、本変形例によると、活性層１
７から共振器に対してほぼ垂直な方向に放出される自然
放出光の漏出を防止できるため、共振器と垂直な方向の
周辺部に配置される光素子に対する光学的ノイズを除去
できる以上、第１の実施形態及びその変形例並びに第２
の実施形態及びその変形例を説明したが、これらの実施
形態及び変形例をそれぞれ組み合わせると、レーザチッ
プ本体から漏出する自然放出光をほぼ完全に防止でき
る。

【００９８】なお、製造プロセスが複雑化することをも
考慮すると、例えば、図１に示す第１の実施形態に係る
自然放出光吸収層１５Ａ又は図２に示す第１の実施形態
の第１変形例に係る自然放出光吸収層１５Ｂ、及び図５
に示す第２の実施形態に係る自然放出光防止膜３１Ａか
らなる吸収層及び防止膜を一の半導体レーザ装置に設け
ることが好ましい。

【００９９】図８は本発明に係る自然放出光吸収層１５
Ａ及び自然放出光防止膜３１Ａを設けた場合の窒化物半
導体レーザ装置と従来の窒化物半導体レーザ装置の各注
入電流に対するそれぞれの光出力特性を表わしている。
図８において、横軸はレーザ装置に注入する電流値（単
位ｍＡ）を表わし、縦軸はレーザ光の出力値（単位ｍ
Ｗ）を表わし、曲線３は本発明に係るレーザ装置を表わ
し、曲線４は従来のレーザ装置を表わしている。図８に
示すように、曲線４に示す従来の半導体レーザ装置にお
いては、発振しきい値に達するまで自然放出光の漏出が
見られるのに対し、曲線３に示す本発明に係る半導体レ
ーザ装置においては、発振しきい値の近傍における自然
放出光の出力がほとんどなく、レーザ光のみが出射して
いることが分かる。

【０１００】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１０１】図９は本発明の第３の実施形態に係る窒化
物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図９にお
いて、図５に示す構成部材と同一の構成部材には同一の
符号を付すことにより説明を省略する。図９に示すよう
に、本実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｈは、
レーザチップ本体におけるｐ側電極２１から電流が注入
される電流注入領域（いわゆるストライプ領域）の側方
の領域であって、ｐ型コンタクト層１９からｎ型コンタ
クト層１３にまで達することにより活性層１７を共振器
の長手方向に分断すると共に、電流注入領域とほぼ平行
に延びる溝部２６がエッチングにより形成されているこ
とを特徴とする。

【０１０２】また、基板１１の素子形成面と反対側の面
上には、例えばシリコンからなる自然放出光防止膜３１
Ａが形成されている。

【０１０３】溝部２６の壁面上には、シリコン酸化膜等
からなる絶縁膜２７が形成されており、溝部２６は、絶
縁膜２７上に、例えば金（Ａｕ）のように自然放出光を
吸収可能な自然放出光吸収材２８が蒸着等により充填さ
れている。

【０１０４】ＭＯＶＰＥ法によって積層されたレーザチ
ップ本体は、総膜厚が約５μｍと小さいものの、積層体
からなるため、各半導体層から基板面の面内方向に放出
される自然放出光も無視できない。

【０１０５】本実施形態によると、レーザチップ本体に
おける電流注入領域の側方の領域に、自然放出光吸収材
２８が充填された溝部２６により活性層１７を分断する
自然放出光吸収領域が形成されているため、基板１１の
面内方向に放出される自然放出光を吸収させることがで
きる。

【０１０６】なお、自然放出光吸収材２８としてＡｕを
用いたが、これに限らず、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆ
ｅ、Ａｇ、Ｐｔ若しくはＩｎ等の金属、又はこれらのう
ちの複数の金属（例えば、Ｔｉ／Ａｕ等）を含む積層膜
や合金を用いてもよい。また、単結晶シリコン又はアモ
ルファスシリコン等のエネルギーギャップが比較的小さ
い半導体を用いてもよい。

【０１０７】また、本実施形態においては、レーザチッ
プ本体における電流注入領域に対してｎ側電極１４と反
対側の領域にのみ自然放出光吸収材２８を設けたが、電
流注入領域に対してｎ側電極１４側の領域に設けてもよ
い。

【０１０８】なお、図９に示すように、電流注入領域に
対してｎ側電極側の領域に溝部２６を設けない場合で
も、ｎ側電極１４とｎ側端子電極２５との間に介在させ
た半田材２４によって、自然放出光は吸収され得る。ま
た、Ｐｂ及びＳｎ等を含む半田材２２の代わりに、自然
放出光を吸収可能な材料、例えば、導電性接着材又は銀
ペースト材を用いてもよい。

【０１０９】また、この溝部２６は、活性層１７から導
波路以外に放出される自然放出光を抑制すればよく、必
ずしも電流注入領域に平行に設けられる必要はない。

【０１１０】本実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置
における注入電流に対する光出力特性は、図８に示す曲
線３とほぼ同等の特性を示すことを観察している。

【０１１１】このように、本実施形態によると、レーザ
チップ本体の内部に設けられた自然放出光吸収材２８、
及び基板１１の素子形成面と反対側の面上に設けられた
自然放出光防止膜３１Ａにより、レーザチップから放出
される自然放出光が低減されるため、コヒーレントなレ
ーザ光を確実に得ることができる。また、光出力モニタ
用のフォトダイオードに対する自然放出光の影響を小さ
くできるため、レーザ光の光出力の制御性を向上させる
ことができる。

【０１１２】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１１３】図１０は本発明の第４の実施形態に係る窒
化物半導体レーザ装置の断面構成を示している。図１０
において、図５に示す構成部材と同一の構成部材には同
一の符号を付すことにより説明を省略する。図１０に示
すように、本実施形態に係る窒化物半導体レーザ装置１
Ｉは、サブマウント２上にｐ側端子電極２３又はｎ側端
子電極２５を介すると共に、レーザチップ本体における
レーザ光の出射方向と平行な側面と間隔をおいて設けら
れ、活性層１７から放出される自然放出光を吸収又は反
射する自然放出光防止壁３２が形成されていることを特
徴とする。

【０１１４】さらに、基板１１の素子形成面と反対側の
面上には、第２の実施形態において説明した、例えば、
Ａｕ又はＳｉ等からなる自然放出光防止膜３１Ａが形成
されている。

【０１１５】自然放出光防止壁３２は、自然放出光防止
膜３１Ａと同等の材料でよく、レーザチップから放出さ
れる自然放出光を吸収する材料が好ましい。

【０１１６】この自然放出光防止壁３２の形成方法は、
前述した金属からなるバルク状若しくは焼結体状のブロ
ック材、又はＳｉＣからなるブロック材として形成し、
サブマウント２のｐ側端子電極２３及びｎ側端子電極２
５上にレーザチップの側面と間隔をおいて半田材等によ
りそれぞれ固着する。ここで、ｐ側端子電極２３又はｎ
側端子電極２５と自然放出光防止壁３２との間に絶縁膜
を介在させてもよい。

【０１１７】また、他の形成方法として、ガラスからな
るブロック材の表面に蒸着により前述の金属からなる薄
膜を形成し、これを接着材等を用いて各端子電極２３、
２５上に固着してもよい。

【０１１８】このように、本実施形態によると、レーザ
チップ本体におけるレーザ光の出射方向と平行な方向の
側面に間隔をおいて設けられた自然放出光防止壁３２、
及び基板１１の素子形成面と反対側の面上に設けられた
自然放出光防止膜３１Ａにより、レーザチップから放出
される自然放出光が低減されるため、コヒーレントなレ
ーザ光を確実に得ることができる。

【０１１９】また、本実施形態における自然放出光防止
膜３１Ａ及び自然放出光防止壁３２はいずれも、レーザ
チップの各エピタキシャル層にダメージを与えるおそれ
がない。

【０１２０】なお、自然放出光防止壁３２は、レーザチ
ップ本体におけるレーザ光の出射方向と平行な側面のう
ちのいずれか一方でもよい。

【０１２１】また、基板１１に絶縁性のサファイアでは
なく、例えばｎ型ＧａＮのように導電性基板を用いる場
合には、自然放出光防止膜３１Ａをｎ側電極１４として
もよい。

【０１２２】（第４の実施形態の一変形例）以下、本発
明の第４の実施形態の一変形例について図面を参照しな
がら説明する。

【０１２３】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は本発明の
第４の実施形態の一変形例に係る窒化物半導体レーザ装
置であって、（ａ）は断面構成を示し、（ｂ）は外観を
示している。図１１（ａ）及び（ｂ）において、図１０
に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付し
ている。図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本変形
例に係る窒化物半導体レーザ装置１Ｊは、サブマウント
２上に、Ａｕ、Ｔｉ又はＰｔを含む金属等からなり、レ
ーザチップ本体を覆うように設けられた蓋（ふた）状の
遮光ケース３３を有していることを特徴とする。この遮
光ケース３３は、底面が基板１１の素子形成面と反対側
の面と間隔をおくと共に、内壁面はレーザチップ本体の
各側面と間隔をおき、且つ、ｐ側端子電極２３及びｎ側
端子電極２５との間にそれぞれ絶縁膜３４を介在させて
固着されている。

【０１２４】また、図１１（ｂ）に示すように、遮光ケ
ース３３は、レーザチップにおけるレーザ光出射部と対
向する部分にはレーザ光を外部に出力するための開口部
３３ａが設けられている。活性層１７の電流注入領域の
幅が約５μｍとしているため、レーザ光の出射端面にお
けるスポットサイズは５μｍ角程度である。従って、開
口部３３ａの開口径は５μｍか又は５μｍをやや越える
程度とすればよい。

【０１２５】また、レーザ光の出力をモニタする必要が
ある場合には、遮光ケース３３の側面における開口部３
３ａと対向する部分に該開口部３３ａと同形状の他の開
口部（図示せず）を設けてもよい。

【０１２６】また、窒化物半導体レーザ装置１Ｊの用途
によっては、必ずしもレーザチップ本体の４つの側面を
覆う必要はない。例えば、遮光ケース３３における光軸
方向と交差する側の側板はいずれか一方でもよく、ま
た、これら両方の側板がなくてもよい。

【０１２７】本実施形態及びその変形例に係る窒化物半
導体レーザ装置においても、注入電流に対する光出力特
性が、図８に示す曲線３とほぼ同等の特性であることを
観察している。

【０１２８】以上説明した窒化物半導体レーザ装置１Ａ
〜１Ｊは、ｐ型コンタクト層１９をストライプ状の開口
部を持つ絶縁膜２０で覆うことにより、活性層１７にス
トライプ状の電流注入領域を形成したが、さらにレーザ
光の横モードの制御性を高めるために、ｐ型コンタクト
層１９とｐ型クラッド層１８をリッジ状に形成してもよ
い。

【０１２９】なお、ＩｎＧａＮからなる活性層１７を有
する窒化物半導体レーザ装置に限らず、活性層１７のエ
ネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを持
つ基板１１を用いる窒化物系半導体レーザ装置にも適用
できる。

【０１３０】また、各実施形態においては、窒化物半導
体結晶をＭＯＶＰＥ法によって形成したが、これに限ら
ず、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法やハライドＶＰＥ
（Ｈ−ＶＰＥ）等用いて形成してもよい。

【０１３１】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１３２】図１２は本発明の第５の実施形態に係る光
ディスク装置の構成を模式的に表わしている。本実施形
態に係る光ディスク装置は、本発明の窒化物半導体レー
ザ装置を光ディスク装置の発光部に用いている。図１２
に示すように、光ディスク装置には、半導体レーザ装置
４１の出射端面と、所望のデータが記録された記録媒体
である光ディスク５０のデータ保持面とが互いに対向す
るように設けられ、半導体レーザ装置４１と光ディスク
５０との間には、集光光学系装置としての集光光学部４
０が設けられている。

【０１３３】集光光学部４０は、半導体レーザ装置４１
側から順に設けられた、半導体レーザ装置４１から出射
される出射光５１を平行光とするコリメータレンズ４２
と、平行光を３本のビーム（図示せず）に分割する回折
格子４３と、出射光５１を透過し且つ光ディスク５０か
らの反射光５２の光路を変更するハーフプリズム４４
と、３本のビームを光ディスク５０上に集光させる集光
レンズ４５とを有している。ここでは、発光光５１とし
て波長が約４１０ｎｍのレーザ光を用いている。

【０１３４】光ディスク５０上に集光された３本のビー
ムは径がそれぞれ０．４μｍ程度のスポット形状とな
る。この３つのスポットの位置によって検出される光デ
ィスク５０の半径方向の位置ずれを、集光レンズ４５を
適当に移動させることにより修正する駆動系回路４６が
設けられている。

【０１３５】ハーフプリズム４４からの反射光５２の光
路上には反射光５２を絞る受光レンズ４７と、焦点の位
置ずれを検出するシリンドリカルレンズ４８と、集光さ
れた反射光５２を電気信号に変換する光検出器としての
フォトダイオード素子４９とが設けられている。

【０１３６】このように、半導体レーザ装置４１からの
発光光５１を光ディスク５０に導く集光光学部４０、及
び光ディスク５０により反射した反射光５２を受光する
フォトダイオード素子４９とを備えた光ディスク装置の
発光部として、自然放出光の漏出を抑制又は防止する半
導体レーザ装置４１を用いるため、光ディスク５０がデ
ータの記録密度が高い高密度光ディスクであっても、該
光ディスク５０からのデータの読み出し（再生）時のＳ
／Ｎ比が向上するので、低歪みの読み出し（再生）動作
を実現できる。

【０１３７】光ディスク５０に対してデータの記録を行
なうには、記録時にレーザ光の出力として、５ｍＷ程度
の低出力から３０ｍＷ程度の高出力に至るまで出力値を
正確に制御する必要がある。それは、出力が３０ｍＷで
書き込む前に低出力でアドレスを探す必要があるからで
ある。

【０１３８】本実施形態に係る光ディスク装置による
と、半導体レーザ装置４１から雑音源である自然放出光
の漏出が抑えられるため、半導体レーザ装置４１の光出
力を検出（モニタ）するフォトダイオード（図示せず）
は、出力中のレーザ光をより正確に電流に変換すること
ができるようになる。具体的には、半導体レーザ装置４
１は光出力を変更させた時に線形的にモニタ電流が変化
するため、該半導体レーザ装置４１の出力動作を確実に
コントロールできる。その結果、光ディスク装置の再生
時又は記録時の動作が向上する。

【０１３９】（第６の実施形態）以下、本発明の第６の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１４０】図１３は本発明の第６の実施形態に係る光
集積化装置の構成を模式的に表わしている。図１３に示
すように、本実施形態に係る光集積化装置は、Ｓｉから
なる１つの基体６１上に形成されている。基体６１の主
面上には凹部６１ａが設けられ、該凹部６１ａの底面上
には本発明の半導体レーザ装置６２が半田材等により固
着されている。凹部６１ａにおける半導体レーザ装置６
２の出射端面側の側壁には、基体６１の主面に対して４
５°の角度をなすマイクロミラー６３が設けられてい
る。これにより、レーザチップ６２から出射される発光
光５１は、マイクロミラー６３により反射されて基体６
１の主面に対してほぼ垂直に進行する。ここで、マイク
ロミラー６３はＳｉの面方位の（１１１）面を用いるこ
とが好ましい。

【０１４１】基体６１の凹部６１ａの壁面のうち、マイ
クロミラー６３と対向する壁面には、半導体レーザ装置
６２の反射端面から若干出射されるレーザ光からレーザ
チップの出力値をモニタする出力モニタ用フォトダイオ
ード素子６４が形成されている。マイクロミラー６３の
表面はシリコンのままでもよく、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌ等
の金属薄膜を蒸着してもよい。

【０１４２】基体６１の上部におけるマイクロミラー６
３の反射面と平行な方向であって該マイクロミラー６３
を互いに挟む領域には、発光光５１の光ディスク（図示
せず）による反射光５２を受光する光検出器としての第
１のフォトダイオード素子６５Ａ及び第２のフォトダイ
オード素子６５Ｂが、基体６１に直接形成されている。

【０１４３】このように、１つの基体上に発光部と受光
部とが設けられ、小型化及び薄型化を図る光集積化装置
の発光部に、自然放出光の放出が低レベルに抑制された
半導体レーザ装置６２を用いているため、受光部のＳ／
Ｎ比を確実に向上させることができる。

【０１４４】（第７の実施形態）以下、本発明の第７の
実施形態について説明する。

【０１４５】本実施形態は、半導体レーザ装置における
自動出力制御（ＡＰＣ）を確実に実行できる構成を説明
する。

【０１４６】一般に、半導体レーザ装置の光出力値はレ
ーザチップに流す電流値によって変化するため、半導体
レーザ装置を光ディスクや光通信等の光情報処理装置に
用いる場合には、半導体レーザ装置に流す電流値を調節
することにより所定の光出力を得ている。以下、この様
子をグラフで説明する。

【０１４７】図１６（ａ）は半導体レーザ装置の動作電
流値と光出力値との関係（以下、Ｉ−Ｌ特性曲線と呼
ぶ。）を表わし、図１６（ｂ）はＩ−Ｌ特性曲線の温度
変化を表わしている。図１６（ａ）に示す動作電流の変
化分（ΔＩ）に対する光出力の変化分（ΔＬ）は一般に
スロープ効率と呼ばれている。

【０１４８】図１６（ｂ）は、第１の温度Ｔ1 のときに
第１の動作電流値Ｉ1 で所定の光出力値Ｌ0 を得られた
とすると、この光出力値Ｌ0 を維持するには、第１の温
度Ｔ1 よりも高い第２の温度Ｔ2 、さらに第２の温度Ｔ
2 よりも高い第３の温度Ｔ3においては、それぞれ第１
の動作電流値Ｉ1 よりも大きい第２の動作電流値Ｉ2、
及び該第２の動作電流値Ｉ2 よりも大きい第３の動作電
流値Ｉ3 を与える必要があることを示している。

【０１４９】スロープ効率はレーザ素子の個体差が大き
いため、温度によって敏感に変化する。具体的には、図
１６（ｂ）に示すように、温度が高くなるに連れてしき
い値電流が増大し且つスロープ効率が低下する傾向にあ
る。従って、前述したように、温度が高くなるに連れ
て、所定の光出力値を得るための動作電流を増やす必要
がある。

【０１５０】このような温度依存性を持つ半導体レーザ
装置を製品に応用する際には、所定の光出力値Ｌ0 を維
持するために、レーザ素子の温度に対して動作電流値を
調節するか、又はレーザ素子の温度を所定値に保つよう
な温度制御が必要となる。

【０１５１】温度に依らず光出力値を維持する方法とし
て、一般には、レーザ光の一部を光電変換素子で検出し
て光出力をモニタし、半導体レーザ装置の動作電流値を
調節する自動出力制御方法が採用されている。自動出力
制御に必要な光出力値のモニタを行なうには、半導体レ
ーザ装置からの出射光をフォトダイオード等の光電変換
素子により受光する必要がある。半導体レーザ装置は、
通常、共振器ミラーの両端面からレーザ光が出射するた
め、一方の出射光（以下、前方光と呼ぶ。）を素子のパ
ッケージから外部に取り出し、他方の出射光（以下、後
方光と呼ぶ。）をパッケージ内でフォトダイオードによ
り受光する構成を採る。

【０１５２】このとき、レーザ光の発振しきい値に達す
る前に、半導体レーザ装置の活性領域からは、無指向性
の自然放出光がレーザ装置の周囲に放出される。このう
ち、半導体レーザ装置の共振器ミラー方向に放出される
成分は、図１６（ａ）に示すＩ−Ｌ特性曲線上に、印加
電流がしきい電流値に達する前の光出力として表われ
る。

【０１５３】以下、半導体レーザ装置の材料、すなわち
発振波長の相違によるＩ−Ｌ特性を比較する。

【０１５４】図１７は発振波長が異なる半導体レーザ装
置のＩ−Ｌ特性曲線であって、曲線５はＧａＡｓからな
る基板上に形成され発振波長が約６５０ｎｍのＩｎＧａ
ＡｌＰ系半導体レーザ装置のＩ−Ｌ特性を示し、曲線６
はサファイアからなる基板上に形成され発振波長が約４
００ｎｍのＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザ装置のＩ−Ｌ
特性を示している。図１７から分かるように、曲線５に
示すＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ装置と比べて、曲線
６に示すＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザ装置はしきい値
における自然放出光量が５倍以上も多い。これは、Ｇａ
Ａｓ基板は波長が８７０ｎｍ以下の光を吸収するため、
ＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ装置の波長が６５０ｎｍ
の自然放出光は吸収されるのに対し、サファイア基板は
ＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザ装置の波長が４００ｎｍ
の自然放出光を吸収できないからである。

【０１５５】このように、発振しきい値に達する前の自
然放出光が多いと、モニタ用のフォトダイオードにバイ
アス光として入力されてしまうため、自動出力制御によ
る正確な光出力制御が困難となる。

【０１５６】以下、本発明の第７の実施形態に係る半導
体レーザパッケージについて図面を参照しながら説明す
る。

【０１５７】図１４は本実施形態に係る半導体レーザパ
ッケージ７０の一部を切り欠いた斜視図である。図１４
に示すように、本実施形態に係る半導体レーザパッケー
ジ７０は、放熱性に優れた金属等からなる円板状のベー
ス７１と、放熱性に優れた金属等からなる四角錐台形状
を有し、上底面がベース７１の軸方向と平行となるよう
にその側面がベース７１の上面と固着されたマウント７
２と、マウント７２の上底面の上にサブマウント７３を
介在させ且つベース７１の軸線方向とレーザ光の光軸と
がほぼ一致するように固着された半導体レーザチップ７
４とを備えている。

【０１５８】ベース７１上には、半導体レーザチップ７
４におけるベース７１と対向する領域に半導体レーザチ
ップ７４からの後方光Ｌb を検出する光電変換素子とし
てのフォトダイオード素子７５が固着されている。

【０１５９】マウント７２の上底面上の半導体レーザチ
ップ７４とフォトダイオード素子７５との間に設けら
れ、後方光Ｌb の光軸上に開口部７６ａを有する遮光手
段としての遮光板７６を有している。遮光板７６は、レ
ーザ光が透過しない材料であればよく、金属材、プラス
チック材又はガラス材等を用いる。また、遮光板７６の
半導体レーザチップ７４と対向する対向面は、後方光Ｌ
b の反射光が前方光Ｌfに混入しないように、少なくと
も対向面をマット状（つや消し状）とすることが好まし
い。さらには、遮光板７６がレーザ光を吸収する材料、
又は少なくとも対向面にレーザ光を吸収する塗料等が塗
布されていることが好ましい。

【０１６０】ベース７１の上面には、マウント７２及び
遮光板７６を覆うキャップが気密に固着されている。キ
ャップ７７における前方光Ｌf の光軸上には、該前方光
Ｌfを透過する窓部が設けられ該窓部の内側にはウィン
ドガラス７８が気密に設けられている。また、ベースの
下面には、半導体レーザチップ７４及びフォトダイオー
ド７５と外部とを電気的に接続する外部リード７９が設
けられている。

【０１６１】レーザ光は強い指向性を有し、ある程度の
広がり角を持ちながら光軸に沿って出射される。それに
対して自然放出光は半導体レーザチップ７４からチップ
７４の周囲全体に出射する。自然放出光のうちレーザ光
の光軸方向に出射する成分はレーザ光と分離することは
困難である。しかしながら、本実施形態のように、レー
ザ光の光軸に沿った位置に開口部７６ａを持つ遮光板７
６を、半導体レーザチップ７４とフォトダイオード７５
との間に設けることにより、自然放出光の光軸方向と異
なる成分をフォトダイオード７５に検出されなくするこ
とができる。

【０１６２】前述したように、半導体レーザチップ７４
の基板に、サファイア、ＳｉＣ又はＧａＮを用いる、発
振波長が４００ｎｍ付近のＩｎＧａＡｌＮ系レーザ装置
においては、基板が自然放出光を吸収しないため、半導
体レーザチップ７４から漏れる自然放出光が、発振波長
が６５０ｎｍ程度の赤色レーザ装置の場合よりも多い。
従って、本実施形態のように、半導体レーザチップ７４
と光出力モニタ用のフォトダイオード７５との間に、自
然放出光における遮光板７６の通過後の減衰量が、後方
光Ｌb における遮光板７６の通過後の減衰量よりも多く
なるように設けられた遮光板７６を有する構成は極めて
効果が大きい。

【０１６３】なお、開口部７６ａの開口径は、大きくす
る程、後方光Ｌb 及び自然放出光の減衰量が少なくなる
ため、後方光Ｌb の減衰量は少なく且つ自然放出光の減
衰量は多くなるように、適当な径を選ぶことが好まし
い。さらに、後方光Ｌb の減衰量が０となるように設定
するのが好ましい。

【０１６４】また、遮光板７６の開口部７６ａの開口形
状は円形でも方形でもよい。より好ましくは、半導体レ
ーザチップから出射されるレーザ光のビーム形状が一般
に長円形であるため、ビーム形状と対応した長円形とす
る。但し、半導体レーザチップの実装状態によっては、
後方光のビーム形状が乱れる場合があり、必ずしも長円
形状が最適な形状とは限らない。

【０１６５】図１５は本実施形態に係る半導体レーザパ
ッケージが自動出力制御される様子を模式的に表わして
いる。図１５において、図１４に示す構成要素と同一の
構成要素には同一の符号を付している。図１５に示すよ
うに、半導体レーザチップ７４から出射される後方光Ｌ
b は、フォトダイオード７５により光電変換されてＡＰ
Ｃ回路８０にモニタ信号として出力される。該モニタ信
号を受けるＡＰＣ回路８０は、半導体レーザチップ７４
の光出力値が所定値を維持できるように、半導体レーザ
チップ７４の動作電流の電流量を調節する。

【０１６６】本実施形態によると、半導体レーザチップ
７４から放出される自然放出光のうちレーザ光の後方光
Ｌb と同方向に放出される成分を除いた成分は、半導体
レーザチップ７４とフォトダイオード７５との間に設け
られた遮光板７６により遮られるため、フォトダイオー
ド７５に入射されない。これにより、遮光板７６を設け
ない場合と比べて、自然放出光の検出量を１０分の１程
度にまで低減することができる。その結果、動作電流の
しきい値近傍の低光出力状態であっても、自然放出光の
影響を低減できるため、自動出力制御を高精度に行なう
ことができる。

【０１６７】従来は、フォトダイオード７５が後方光Ｌ
b に比較的多く混入する自然放出光までをも後方光Ｌb
の検出光として光電変換してしまうため、実際のレーザ
光の出力値を高く評価することとなる。その結果、ＡＰ
Ｃ回路８０は所定の光出力値よりも低い動作電流を設定
することとなる。

【０１６８】なお、本実施形態においては、遮光手段
を、開口部７６ａを持つ遮光板７６としたが、開口部７
６ａは必ずしも必要ではない。例えば、自然放出光の減
衰量がレーザ光の減衰量よりも大きい薄膜でもよい。

【０１６９】また、板状の部材以外にも、例えば、後方
光Ｌb の光軸を包含するように延びる筒状の部材であっ
てもよい。

【０１７０】また、遮光手段は、半導体レーザチップ７
４とフォトダイオード７５との間に設けられる部材に限
られない。例えば、図１４に示すキャップ７７の内部に
充填され、自然放出光の減衰量がレーザ光の減衰量より
も大きい気体又は樹脂材であってもよい。

【０１７１】また、効果は弱まるものの、長波長発振型
のＩｎＧａＡｌＰ系レーザ装置に対しても本実施形態と
同様の遮光板７６を設けることにより、自然放出光を低
減できることはいうまでもない。

【０１７２】

【発明の効果】本発明に係る半導体レーザ装置による
と、レーザ発振に付随する自然放出光が装置の外部に放
出されなくなるため、該装置の周辺部に配置される光素
子に対する光学的ノイズを除去できる。従って、光ディ
スク等の読み取り動作時のＳ／Ｎ比が向上するので、自
動出力制御をより確実に行なえるようになると共に、光
集積化装置への応用が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体レ
ーザ装置を示す構成断面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態の第１変形例に係る窒
化物半導体レーザ装置を示す構成断面図である。

【図３】本発明の第１の実施形態の第２変形例に係る窒
化物半導体レーザ装置を示す構成断面図である。

【図４】本発明の第１の実施形態の第３変形例に係る窒
化物半導体レーザ装置を示す構成断面図である。

【図５】本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体レ
ーザ装置を示す構成断面図である。

【図６】本発明の第２の実施形態の第１変形例に係る窒
化物半導体レーザ装置を示す斜視図である。

【図７】本発明の第２の実施形態の第２変形例に係る窒
化物半導体レーザ装置を示す構成断面図である。

【図８】本発明に係る窒化物半導体レーザ装置と従来の
窒化物半導体レーザ装置の各注入電流に対するそれぞれ
の光出力特性を表わすグラフである。

【図９】本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体レ
ーザ装置を示す構成断面図である。

【図１０】本発明の第４の実施形態に係る窒化物半導体
レーザ装置を示す構成断面図である。

【図１１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４の実施形態
の一変形例に係る窒化物半導体レーザ装置を示し、
（ａ）は構成断面図であり、（ｂ）は斜視図である。

【図１２】本発明の第５の実施形態に係る光ディスク装
置を示す模式的な構成図である。

【図１３】本発明の第６の実施形態に係る光集積化装置
を示す模式的な斜視図である。

【図１４】本発明の第７の実施形態に係る半導体レーザ
装置を示す一部切欠断面斜視図である。

【図１５】本発明の第７の実施形態に係る半導体レーザ
装置における自動出力制御方法を示す模式的な構成図で
ある。

【図１６】（ａ）は通常の半導体レーザ装置における動
作電流値と光出力値との関係（Ｉ−Ｌ特性曲線）を表わ
すグラフである。（ｂ）はＩ−Ｌ特性曲線の温度依存性
を表わすグラフである。

【図１７】従来の短波長発振型半導体レーザ装置と長波
長発振型半導体レーザ装置とにおけるＩ−Ｌ特性曲線を
比較したグラフである。

【符号の説明】

１Ａ 窒化物半導体レーザ装置 １Ｂ 窒化物半導体レーザ装置 １Ｃ 窒化物半導体レーザ装置 １Ｄ 窒化物半導体レーザ装置 １Ｅ 窒化物半導体レーザ装置 １Ｆ 窒化物半導体レーザ装置 １Ｇ 窒化物半導体レーザ装置 １Ｈ 窒化物半導体レーザ装置 １Ｉ 窒化物半導体レーザ装置 １Ｊ 窒化物半導体レーザ装置 ２ サブマウント １１ 基板 １２ バッファ層 １３ ｎ型コンタクト層 １４ ｎ側電極 １５Ａ 自然放出光吸収層 １５Ｂ 自然放出光吸収層 １５Ｃ 自然放出光吸収層 １５Ｄ 自然放出光吸収層 １６ ｎ型クラッド層（第１のクラッド層） １７ 活性層 １８ ｐ型クラッド層（第２のクラッド層） １９ ｐ型コンタクト層 ２０ 絶縁膜 ２１ ｐ側電極 ２２ 半田材 ２３ ｐ側端子電極 ２４ 半田材 ２５ ｎ側端子電極 ２６ 溝部 ２７ 絶縁膜 ２８ 自然放出光吸収材 ３１Ａ 自然放出光防止膜 ３１Ｂ 自然放出光防止膜 ３１Ｃ 自然放出光防止膜 ３２ 自然放出光防止壁 ３３ 遮光ケース ３４ 絶縁膜 ４０ 集光光学部（集光光学系装置） ４１ 半導体レーザ装置 ４２ コリメータレンズ ４３ 回折格子 ４４ ハーフプリズム ４５ 集光レンズ ４６ 駆動系回路 ４７ 受光レンズ ４８ シリンドリカルレンズ ４９ フォトダイオード素子（光検出器） ５０ 光ディスク ５１ 発光光 ５２ 反射光 ６１ 基体 ６１ａ 凹部 ６２ 半導体レーザ装置 ６３ マイクロミラー ６４ 出力モニタ用フォトダイオード素子 ６５Ａ 第１のフォトダイオード素子（光検出器） ６５Ｂ 第２のフォトダイオード素子（光検出器） ７０ 半導体レーザパッケージ ７１ ベース ７２ マウント ７３ サブマウント ７４ 半導体レーザチップ ７５ フォトダイオード素子（光電変換素子） ７６ 遮光板（遮光手段） ７６ａ 開口部 ７７ キャップ ７８ ウィンドガラス ７９ 外部リード Ｌb 後方光 Ｌf 前方光

フロントページの続き (72)発明者 宮永 良子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 鈴木 政勝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平９−232685（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−152046（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−335969（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−282474（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−104590（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−251685（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−68256（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−214182（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−198390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−34991（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−16489（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 33/00

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成された第１導電型の窒化物
   半導体からなる第１のクラッド層と、 前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体か
   らなる活性層と、 前記活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体
   からなる第２のクラッド層とを備え、 前記基板と前記第１のクラッド層との間に、第１導電型
   の第１のコンタクト層が挟まれており、前記基板と前記第１導電型の第１のコンタクト層との間
   にバッファ層が挟まれており、 前記バッファ層と前記第１のコンタクト層との間に、Ｉ
   ｎを含む 第１導電型の窒化物半導体からなり、前記活性
   層から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収
   層が形成されており、 前記自然放出光吸収層は、前記バッファ層と接するよう
   に形成されており、 前記活性層はＩｎを含み、 前記Ｉｎを含む第１導電型の窒化物半導体層に含まれる
   Ｉｎの量が前記活性層に含まれるＩｎの量と同じか又は
   それ以上であり、 前記Ｉｎを含む第１導電型の窒化物半導体層のエネルギ
   ーギャップが、前記活性層のエネルギーギャップよりも
   小さい、 半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 基板上に形成された第１導電型の窒化物
   半導体からなる第１のクラッド層と、 前記第１のクラッド層の上に形成された窒化物半導体か
   らなる活性層と、 前記活性層の上に形成された第２導電型の窒化物半導体
   からなる第２のクラッド層とを備え、前記基板と前記第１のクラッド層との間に、第１導電型
   の第１のコンタクト層が挟まれており、 前記第１のコンタクト層には第１電極が接続されてお
   り、 前記第２のクラッド層を前記活性層との間に挟む第２導
   電型の窒化物半導体からなる第２のコンタクト層を有し
   ており、 前記第２のコンタクト層を前記第２のクラッド層との間
   に挟むと共に、ストライプ状の開口部を有する絶縁膜を
   有しており、 前記絶縁膜を前記第２のコンタクト層との間に挟むと共
   に、前記開口部を充填する第２電極を有しており、 前記絶縁膜と前記第２のコンタクト層との間に、Ｉｎを
   含む 第２導電型の窒化物半導体層からなり、前記活性層
   から放出される自然放出光を吸収する自然放出光吸収層
   が形成されており、 前記自然放出光吸収層は前記第２電極と接しており、 前記活性層はＩｎを含み、 前記Ｉｎを含む第２導電型の窒化物半導体層に含まれる
   Ｉｎの量が前記活性層に含まれるＩｎの量と同じか又は
   それ以上であり、 前記Ｉｎを含む第２導電型の窒化物半導体層のエネルギ
   ーギャップが、前記活性層のエネルギーギャップよりも
   小さい、 半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 前記絶縁膜が酸化シリコンからなる、請
   求項２に記載の半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 半導体レーザ装置と、 前記半導体レーザ装置から出射されたレーザ光をデータ
   が記録された記録媒体上に集光する集光光学系装置と、 前記記録媒体によって反射されたレーザ光を検出する光
   検出器とを備え、 前記半導体レーザ装置は、請求項１に記載の半導体レー
   ザ装置であることを特徴とする光ディスク装置。
5. 【請求項５】 半導体レーザ装置と、 前記半導体レーザ装置から出射されたレーザ光をデータ
   が記録された記録媒体上に集光する集光光学系装置と、 前記記録媒体によって反射されたレーザ光を検出する光
   検出器とを備え、 前記半導体レーザ装置は、請求項２に記載の半導体レー
   ザ装置であることを特徴とする光ディスク装置。
6. 【請求項６】 半導体からなる基体上に設けられた半導
   体レーザ装置と、 前記基体上に形成され、前記半導体レーザ装置から出射
   されたレーザ光の反射光を検出する光検出器とを備え、 前記半導体レーザ装置は、請求項１に記載の半導体レー
   ザ装置であることを特徴とする光集積化装置。
7. 【請求項７】 半導体からなる基体上に設けられた半導
   体レーザ装置と、 前記基体上に形成され、前記半導体レーザ装置から出射
   されたレーザ光の反射光を検出する光検出器とを備え、 前記半導体レーザ装置は、請求項２に記載の半導体レー
   ザ装置であることを特徴とする光集積化装置。