JPH07193334A - Optical element having semiconductor laser - Google Patents
Optical element having semiconductor laserInfo
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- JPH07193334A JPH07193334A JP33357393A JP33357393A JPH07193334A JP H07193334 A JPH07193334 A JP H07193334A JP 33357393 A JP33357393 A JP 33357393A JP 33357393 A JP33357393 A JP 33357393A JP H07193334 A JPH07193334 A JP H07193334A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも半導体レー
ザと、そのレーザ光を所定の方向に向ける反射鏡とが共
通の半導体基板上に形成された半導体レーザを有する光
学素子に係わる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical element having a semiconductor laser in which at least a semiconductor laser and a reflecting mirror for directing the laser light in a predetermined direction are formed on a common semiconductor substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の光学装置、いわゆるコンパクトデ
ィスク（ＣＤ）プレーヤー等の光ディスクドライブや光
磁気ディスクドライブの光ピックアップ部では、グレー
ティングやビームスプリッタ等の各光学部品を個別に組
み立てるため装置全体の構成が複雑となり、また光学的
な配置設定が煩雑で量産性に劣るという問題がある。2. Description of the Related Art In a conventional optical device, an optical pickup unit of an optical disk drive such as a so-called compact disk (CD) player or a magneto-optical disk drive, optical components such as a grating and a beam splitter are individually assembled, so that the entire apparatus is constructed. Is complicated, and the optical layout setting is complicated, resulting in poor mass productivity.
【０００３】例えば光記録媒体、例えば光ディスクに対
する光ピックアップ装置は、図１７にその一例の略線的
拡大構成図を示すように、半導体レーザ等の光源５１か
ら出射された光は、グレーティング５２を介してビーム
スプリッタ５３に導入されて透過し、コリメータレンズ
５４を介して対物レンズ５５により光記録媒体５６の光
ディスクの記録部に集光するようになされる。図１７に
おいて一点鎖線ｃは光源５１から光記録媒体５６への光
軸を示す。In an optical pickup device for an optical recording medium, for example, an optical disc, light emitted from a light source 51 such as a semiconductor laser passes through a grating 52, as shown in FIG. Is introduced into the beam splitter 53 and transmitted therethrough, and is then condensed by the objective lens 55 via the collimator lens 54 onto the recording portion of the optical disc of the optical recording medium 56. In FIG. 17, an alternate long and short dash line c indicates the optical axis from the light source 51 to the optical recording medium 56.
【０００４】そして、光記録媒体５６から反射した光
は、対物レンズ５５、コリメータレンズ５４を介してビ
ームスプリッタ５３により反射されて、光軸ｃから分離
され、側方に設けられた凹レンズ５７及びシリンドリカ
ルレンズ５８を通じてフォトダイオード（ＰＤ）等のデ
ィテクタ５９に集光されて検出される。The light reflected from the optical recording medium 56 is reflected by the beam splitter 53 via the objective lens 55 and the collimator lens 54, separated from the optical axis c, and the concave lens 57 and the cylindrical lens provided on the side. The light is focused on a detector 59 such as a photodiode (PD) through the lens 58 and detected.
【０００５】或いはまた他の光学装置としては、例えば
図１８に反射型の光走査顕微鏡の光ピックアップ部の一
例の構成を示すように、光源１５１から出射した光をビ
ームスプリッタ５３で反射させて、対物レンズ１５５に
より試料１６０の表面に集光照射する。１６１は焦平面
を示す。そして試料１６０で反射した光を、対物レンズ
１５５を介してビームスプリッタ１５３を透過させ、共
焦点位置にディテクタを配置するか或いはピンホール１
６２を配してここを通過した光をその後方に配置したデ
ィテクタ１５９により検出する。このとき矢印ｓで示す
ように、試料１６０を配置するステージ（載置台）か又
は照射ビームを相対的に走査させて、試料表面の状態を
検出することができる。As another optical device, for example, as shown in FIG. 18 showing an example of the structure of an optical pickup section of a reflection type optical scanning microscope, the light emitted from a light source 151 is reflected by a beam splitter 53, The surface of the sample 160 is condensed and illuminated by the objective lens 155. Reference numeral 161 indicates a focal plane. Then, the light reflected by the sample 160 is transmitted through the beam splitter 153 through the objective lens 155, and the detector is arranged at the confocal position or the pinhole 1
The light passing through the light source 62 is detected by the detector 159 arranged behind it. At this time, as shown by the arrow s, the state of the sample surface can be detected by relatively scanning the stage (mounting table) on which the sample 160 is placed or the irradiation beam.
【０００６】上述した従来のピックアップ系の光学装置
では、反射光が出射位置すなわち光源に戻ることを回避
して、上述したように、光源と被照射部との間にビーム
スプリッタを配置するとか、特開平１−３０３６３８号
公開公報に開示されるようにホログラムを配置するなど
の構成が採られて、被照射部に向かう光路から反射光す
なわち光源への戻り光を分離する構成とされる。しかし
ながら、この場合、受光素子が受ける光量が小さくな
る。In the above-mentioned conventional optical system of the pickup system, the reflected light is prevented from returning to the emission position, that is, the light source, and the beam splitter is arranged between the light source and the irradiated portion as described above. As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1-303638, a configuration such as arranging holograms is adopted to separate reflected light, that is, return light to the light source, from the optical path toward the irradiated portion. However, in this case, the amount of light received by the light receiving element becomes small.
【０００７】また、例えば特開平２−２７８７７９号公
開公報に開示されているように、上述の光学ピックアッ
プ装置を共通のＳｉ等の半導体基板上にハイブリッドに
組み立てようとすると、厳しいアライメント精度が必要
となる。Further, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2-278779, when the above optical pickup device is hybridly assembled on a common semiconductor substrate such as Si, strict alignment accuracy is required. Become.
【０００８】更に、光源として用いる半導体レーザにお
いて、レーザ発振が生じるようにするには、光のフィー
ドバックを必要とするため共振器が構成される必要があ
る。通常の半導体レーザでは、この共振器の端面を結晶
の劈開によって形成するという方法が採られている。Further, in a semiconductor laser used as a light source, in order to cause laser oscillation, it is necessary to feed back light, so that a resonator must be formed. In a normal semiconductor laser, a method of forming the end face of this resonator by cleaving the crystal is adopted.
【０００９】しかしながら、このように共振器の端面を
劈開面によって構成することは、単体の半導体レーザを
製造する場合にしか適用できないものであり、共通の半
導体基板に複数の半導体素子、光学素子等を作り込んで
光集積化することができないものであり、ハイブリッド
構成を採らざるを得ない。However, the fact that the end face of the resonator is constituted by the cleavage plane as described above can be applied only when a single semiconductor laser is manufactured, and a plurality of semiconductor elements, optical elements, etc. are formed on a common semiconductor substrate. Since it is impossible to make optical integration by incorporating the above, it is unavoidable to adopt a hybrid configuration.
【００１０】これに対し、半導体レーザの共振器端面を
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチン
グによって形成することによって共通の半導体基板に複
数の半導体素子、光学素子等を作り込んでモノリシック
構成によって光集積化することも考えられるが、この場
合はそのエッチングによる共振器端面の鏡面性が不充分
で、レーザのしきい値電流Ｉthを上昇させるなどレーザ
特性に問題がある。On the other hand, by forming the resonator end face of the semiconductor laser by dry etching such as RIE (reactive ion etching), a plurality of semiconductor elements, optical elements, etc. are formed on a common semiconductor substrate to form a monolithic structure. Optical integration may be considered, but in this case, the mirror characteristics of the cavity end face due to the etching are insufficient, and there is a problem in the laser characteristics such as an increase in the threshold current I th of the laser.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した例
えば光記録媒体に対する光ピックアップ等において、そ
の構成の簡潔化をはかり、全体の小型化をはかると共
に、製造の簡略化、信頼性の向上をはかり、更に受光素
子への戻り光の光量すなわち受光光量の増大化をはかっ
て、出力の向上、ひいては発光光源の低パワー化したが
って消費電力の低減化をはかることができる光学装置を
構成する場合に適用して好適な半導体レーザを有する光
学素子を提供するものである。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention aims to simplify the structure of the above-mentioned optical pickup for an optical recording medium, for example, and to downsize the whole, to simplify the manufacturing and to improve the reliability. In the case of constructing an optical device capable of improving the output, and by extension, reducing the power consumption of the light emitting source and thus the power consumption, by further increasing the amount of light returned to the light receiving element, that is, the amount of received light. The present invention provides an optical element having a semiconductor laser suitable for application to.
【００１２】すなわち、本発明は共通の半導体基板上
に、少なくとも半導体レーザとこれよりのレーザ光を所
定方向に向けて効率良く反射することのできる反射鏡を
構成するとともに、更に上述の共通の半導体基板上にレ
ーザ光の被照射部からの戻り光、すなわち例えば光記録
媒体からの記録情報を含んだ光を受光検出する受光素子
としてのフォトダイオードを構成するいわばモノリシッ
クの光集積装置として構成し、各光学部品すなわち半導
体レーザ、反射鏡、フォトダイオード等の相互の位置関
係の設定を正確に行うことができるようにするととも
に、特に反射効率の高い反射鏡を再現性良く、正確に形
成でき、更に製造の簡易化、量産性の向上、信頼性の向
上をはかるものである。That is, the present invention comprises, on a common semiconductor substrate, a reflecting mirror capable of efficiently reflecting at least a semiconductor laser and laser light from the semiconductor laser in a predetermined direction, and further, the common semiconductor described above. The light returning from the irradiated portion of the laser light on the substrate, that is, for example, a photodiode as a light receiving element for receiving and detecting light containing recording information from the optical recording medium is configured as a so-called monolithic optical integrated device, In addition to being able to accurately set the mutual positional relationship of each optical component, that is, the semiconductor laser, the reflecting mirror, the photodiode, etc., it is possible to accurately form a reflecting mirror with particularly high reflection efficiency. It aims to simplify manufacturing, improve mass productivity, and improve reliability.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、図１に
本発明素子の一例の概略構成図を示すように、｛１０
０｝結晶面を主面とする化合物半導体基板１に、〔０１
−１〕結晶軸方向に沿って形成された溝２を挟んで第１
および第２のメサ１１および１２が形成され、溝２の少
なくとも上記第１のメサ１１に隣接する一側面２ａが逆
メサ状に形成され、第１および第２のメサ１１および１
２上にエピタキシャル半導体層３が形成されて第１のメ
サ１１上に半導体レーザＬＤが形成され、第２のメサ１
２上に溝２に隣接する側縁に沿って半導体レーザＬＤの
光出射端面に対向する特定の結晶面からなる反射鏡４が
形成された構成とする。According to the first aspect of the present invention, as shown in FIG.
The compound semiconductor substrate 1 whose main plane is the 0} crystal plane is
-1] First with the groove 2 formed along the crystal axis direction interposed
And second mesas 11 and 12 are formed, and at least one side surface 2a of the groove 2 adjacent to the first mesa 11 is formed in an inverted mesa shape, and the first and second mesas 11 and 1 are formed.
The epitaxial semiconductor layer 3 is formed on the second mesa 1 and the semiconductor laser LD is formed on the first mesa 11.
A reflecting mirror 4 made of a specific crystal surface facing the light emitting end surface of the semiconductor laser LD is formed along the side edge adjacent to the groove 2.
【００１４】第２の本発明は、この構成において、第１
または第２のメサ１１および１２の少なくとも一方に受
光素子５例えばフォトダイオードＰＤを配置する。According to a second aspect of the present invention, in this structure, the first aspect
Alternatively, the light receiving element 5, for example, the photodiode PD is arranged on at least one of the second mesas 11 and 12.
【００１５】第３の本発明は、第１のメサ１１上の溝２
に隣接する側縁に沿うエピタキシャル半導体層３の端面
８ａ2 が｛１１０｝結晶面よりなり、第２のメサ１２の
溝２に隣接する側縁に沿うエピタキシャル半導体層３の
端面が｛１１１｝Ａ結晶面による端面８ｂ1 と、｛１１
０｝結晶面による端面８ｂ2 とが共存する端面、あるい
は｛１１１｝Ａ結晶面のみによる端面８ｂ1 によって構
成する。The third aspect of the present invention is to provide the groove 2 on the first mesa 11.
The end surface 8a 2 of the epitaxial semiconductor layer 3 along the side edge adjacent to is made of a {110} crystal plane, and the end surface of the epitaxial semiconductor layer 3 along the side edge adjacent to the groove 2 of the second mesa 12 is {111} A. The end face 8b 1 formed by the crystal plane and {11
0} constituted by the end face 8b 1 by only the end face, or {111} A crystal face and an end face 8b 2 due to the crystal plane coexist.
【００１６】第４の本発明は、第１および第２のメサ１
１および１２の高さが互いに異なるすなわち互いに異な
る平面に形成する。The fourth aspect of the present invention is directed to the first and second mesas 1
The heights of 1 and 12 are different from each other, that is, they are formed in different planes.
【００１７】第５の本発明は、図２にその一例の概略斜
視図を示すように、溝２が第１のメサ１１下に入り込む
傾斜溝により構成する。The fifth aspect of the present invention, as shown in the schematic perspective view of one example in FIG. 2, is constituted by an inclined groove in which the groove 2 is inserted under the first mesa 11.
【００１８】[0018]
【作用】上述したように本発明は共通の半導体基板１上
に、少なくとも第１および第２のメサ１１および１２を
形成し、その第１のメサ１１上に半導体レーザＬＤを形
成し、第２のメサ１２に特定結晶面による反射鏡４を形
成する構成を採るので、半導体レーザＬＤからの出射光
Ｌすなわちレーザ光をこの反射鏡４によって所要の方向
に向けることができる。そして、この反射鏡４と半導体
レーザＬＤとは、共通基板１上に一体にモノリシックに
構成すること、更に反射鏡４は特定結晶面によって形成
するものであるから、正確に所定の角度に形成できるこ
とから、半導体レーザＬＤのレーザ光を正確に所定方向
に向けしめることができる。As described above, according to the present invention, at least the first and second mesas 11 and 12 are formed on the common semiconductor substrate 1, and the semiconductor laser LD is formed on the first mesa 11. Since the reflection mirror 4 having a specific crystal surface is formed on the mesa 12, the emitted light L from the semiconductor laser LD, that is, the laser light can be directed in a desired direction by the reflection mirror 4. The reflecting mirror 4 and the semiconductor laser LD are integrally formed monolithically on the common substrate 1. Further, since the reflecting mirror 4 is formed by a specific crystal plane, it can be formed at a predetermined angle accurately. Therefore, the laser light of the semiconductor laser LD can be accurately directed in a predetermined direction.
【００１９】そして、この反射鏡４は、特定の結晶面に
よって構成することから、その表面を原子面オーダのす
ぐれた鏡面性をもって形成できるので、半導体レーザＬ
Ｄからのレーザ光Ｌを効率よく反射することができる。Since the reflecting mirror 4 is composed of a specific crystal plane, the surface thereof can be formed with a mirror surface having an excellent atomic plane order.
The laser light L from D can be reflected efficiently.
【００２０】また、本発明では、モノリシックの光集積
装置として構成するので、各光学部品すなわち半導体レ
ーザ、反射鏡、受光素子例えばフォトダイオード等の相
互の位置関係の設定を正確に再現性良く形成でき、製造
の簡易化、量産性の向上、信頼性の向上をはかることが
できる。Further, according to the present invention, since it is configured as a monolithic optical integrated device, it is possible to accurately and reproducibly set the mutual positional relationship of each optical component, that is, a semiconductor laser, a reflecting mirror, a light receiving element such as a photodiode. In addition, it is possible to simplify manufacturing, improve mass productivity, and improve reliability.
【００２１】[0021]
【実施例】本発明は、図１に本発明素子の一例の概略構
成図を示すように、｛１００｝結晶面を主面とする化合
物半導体基板１に、〔０１−１〕結晶軸方向に沿って形
成された溝２を挟んで第１および第２のメサ１１および
１２が形成され、溝２の少なくとも上記第１のメサ１１
に隣接する一側面２ａが逆メサ状に形成され、第１およ
び第２のメサ１１および１２上にエピタキシャル半導体
層３が形成されて第１のメサ１１上に半導体レーザＬＤ
が形成され、第２のメサ１２上に溝２に隣接する側縁に
沿って半導体レーザＬＤの光出射端面に対向する特定の
結晶面からなる反射鏡４が形成された構成とする。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As shown in FIG. 1, which is a schematic structural view of the device of the present invention, the present invention is applied to a compound semiconductor substrate 1 having a {100} crystal plane as a principal plane, in the [01-1] crystal axis direction. First and second mesas 11 and 12 are formed so as to sandwich the groove 2 formed along the groove 2, and at least the first mesa 11 of the groove 2 is formed.
A side surface 2a adjacent to the first mesa 11 is formed in an inverted mesa shape, the epitaxial semiconductor layer 3 is formed on the first and second mesas 11 and 12, and the semiconductor laser LD is formed on the first mesa 11.
And a reflecting mirror 4 made of a specific crystal surface facing the light emitting end surface of the semiconductor laser LD is formed on the second mesa 12 along the side edge adjacent to the groove 2.
【００２２】そして、第１または第２のメサ１１および
１２の少なくとも一方に受光素子５例えばフォトダイオ
ードＰＤを配置する。Then, the light receiving element 5, for example, the photodiode PD is arranged on at least one of the first and second mesas 11 and 12.
【００２３】第１のメサ１１上の溝２に隣接する側縁に
沿うエピタキシャル半導体層３の端面８ａ2 は｛１１
０｝結晶面よりなり、第２のメサ１２の溝２に隣接する
側縁に沿うエピタキシャル半導体層３の端面は｛１１
１｝Ａ結晶面による端面８ｂ1 と、｛１１０｝結晶面に
よる端面８ｂ2 とが共存する端面、あるいは｛１１１｝
Ａ結晶面による端面８ｂ1 のみによって構成する。The end surface 8a 2 of the epitaxial semiconductor layer 3 along the side edge adjacent to the groove 2 on the first mesa 11 is {11.
The end face of the epitaxial semiconductor layer 3 formed of the {0} crystal plane and along the side edge adjacent to the groove 2 of the second mesa 12 is {11.
1} A crystal face end face 8b 1 and {110} crystal face end face 8b 2 coexist, or {111}
It is constituted only by the end face 8b 1 formed by the A crystal face.
【００２４】第１および第２のメサ１１および１２の高
さは互いに異なるすなわち互いに異なる平面に形成し
て、半導体レーザＬＤの出射光が確実に反射鏡４に入射
し、所定方向に向かわすように構成する。The heights of the first and second mesas 11 and 12 are different from each other, that is, they are formed on different planes, so that the emitted light of the semiconductor laser LD is surely incident on the reflecting mirror 4 and directed in a predetermined direction. To configure.
【００２５】本発明の理解を容易にするために、まず本
発明光学素子を適用する光学装置の一例を図３の概略構
成図を参照して説明する。この例では、光記録媒体例え
ばコンパクトディスク等の光ディスクよりなる被照射部
２２に本発明による光学素子２１からのレーザ光を照射
して光記録媒体上の記録を読み出す光ピックアップ装置
である。被照射部２２の光記録媒体は例えば記録情報が
凹凸ピットとして記録されている光ディスクであって、
読み出し光の照射によってピットにおける光の回折によ
る反射光の強弱を検出して記録情報の再生を行う。In order to facilitate understanding of the present invention, an example of an optical device to which the optical element of the present invention is applied will be described first with reference to the schematic diagram of FIG. In this example, the optical pickup device is an optical pickup device which reads a record on an optical recording medium by irradiating the irradiated portion 22 formed of an optical recording medium such as an optical disc such as a compact disc with laser light from the optical element 21 according to the present invention. The optical recording medium of the irradiated portion 22 is, for example, an optical disc on which recording information is recorded as concave and convex pits,
The intensity of the reflected light due to the diffraction of the light in the pit is detected by the irradiation of the reading light, and the recorded information is reproduced.
【００２６】この場合、本発明による半導体レーザを有
する光学素子２１と、光記録媒体例えば光ディスクより
なる被照射部２２と、収束手段２３すなわち光学レンズ
とよりなる。In this case, it comprises an optical element 21 having a semiconductor laser according to the present invention, an irradiated portion 22 made of an optical recording medium such as an optical disc, and a converging means 23, that is, an optical lens.
【００２７】そして、光学素子２１の半導体レーザから
の出射光Ｌすなわちレーザ光を収束手段２３によって被
照射部２２に収束照射し、更にこの被照射部２２から反
射された戻り光を収束させ、この収束手段２３の被照射
部２２から戻り光ＬR を、本発明による光学素子２１に
設けられた受光素子５によって受光検出させる。この光
学素子２１の受光素子５は、戻り光に関する共焦点近傍
に配置する。この構成で、レーザ光の、被照射部２２に
おいて反射される前および後の光軸は、鎖線ａで示すよ
うに、互いに同軸の経路を通過して受光素子５によって
受光されるように構成する。Then, the light L emitted from the semiconductor laser of the optical element 21, that is, the laser light is converged and irradiated onto the irradiated portion 22 by the converging means 23, and the return light reflected from the irradiated portion 22 is converged. The return light L R from the irradiated portion 22 of the converging means 23 is detected by the light receiving element 5 provided in the optical element 21 according to the present invention. The light receiving element 5 of the optical element 21 is arranged near the confocal point for the return light. With this configuration, the optical axes of the laser light before and after being reflected by the irradiated portion 22 are configured to pass through coaxial paths, and are received by the light receiving element 5, as indicated by a chain line a. .
【００２８】図３では、本発明による光学素子２１を用
いて、その半導体レーザＬＤからのレーザ光を反射鏡４
によって反射させて被照射部２２に向かう光軸ａに一致
させている。In FIG. 3, by using the optical element 21 according to the present invention, the laser light from the semiconductor laser LD is reflected by the reflecting mirror 4.
It is made to coincide with the optical axis a which is reflected by and is directed to the irradiated portion 22.
【００２９】そして、受光素子５によって受光される光
は、光回折限界近傍まで収束させるものであり、受光素
子５はその少なくとも一部の受光面が、この光回折限界
内、すな光学素子２１からの出射光の波長をλ、収束手
段２３の開口数をＮＡとするとき、受光面の配置基準面
Ｓを横切る光学素子２１からの出射光の光軸ａからの距
離が１．２２λ／ＮＡ以内の位置に設けられるようにす
る。The light received by the light receiving element 5 converges to near the light diffraction limit, and at least a part of the light receiving surface of the light receiving element 5 is within the light diffraction limit, that is, the optical element 21. When the wavelength of the light emitted from the optical element 21 is λ and the numerical aperture of the converging means 23 is NA, the distance from the optical axis a of the light emitted from the optical element 21 that crosses the arrangement reference plane S of the light receiving surface is 1.22λ / NA. It will be installed within the position.
【００３０】また、この場合図３および図４に示すよう
に、受光素子５の受光面の配置基準面での光学素子２１
の出射光の直径φｓを、上記光回折限界の直径φｄより
小とし、受光素子１の有効受光面は、発光の直径φｓ外
に位置するようにする。ここで光学素子２１の半導体レ
ーザの出射光の直径φｓは、約１〜２μｍ程度とするこ
とができる。一方、収束手段２３の開口数ＮＡが例えば
０．０９〜０．１、出射光の波長λが７８０ｎｍ程度の
場合、回折限界すなわちφｄは１．２２λ／ＮＡ≒１０
μｍ程度となる。Further, in this case, as shown in FIGS. 3 and 4, the optical element 21 on the arrangement reference plane of the light receiving surface of the light receiving element 5 is arranged.
The diameter φs of the emitted light is smaller than the diameter φd of the light diffraction limit, and the effective light receiving surface of the light receiving element 1 is located outside the diameter φs of the light emission. Here, the diameter φs of the emitted light of the semiconductor laser of the optical element 21 can be set to about 1 to 2 μm. On the other hand, when the numerical aperture NA of the converging means 23 is 0.09 to 0.1 and the wavelength λ of the emitted light is about 780 nm, the diffraction limit, that is, φd is 1.22λ / NA≈10.
It becomes about μm.
【００３１】そして、収束手段２３の一の焦点位置に光
学素子２１の出射スポットを配置する。具体的にはこの
焦点位置に半導体レーザからの出射光のウエストが位置
するようにする。そして収束手段２３の他方の焦点に被
照射部２２が位置するようにする。Then, the emission spot of the optical element 21 is arranged at one focus position of the converging means 23. Specifically, the waist of the light emitted from the semiconductor laser is positioned at this focus position. Then, the irradiated portion 22 is positioned at the other focus of the converging means 23.
【００３２】この構成において、光学素子２１からの出
射光を収束手段２３すなわち集光光学レンズを介してそ
の共焦点位置に配置した被照射部２２の光ディスクに照
射する。このようにすると、この光ディスクに照射され
てこの光ディスクから反射されたすなわち記録情報を含
んで反射した戻り光は再び収束手段２３によって集光さ
れ共焦点位置近傍に配置された受光素子５のフォトダイ
オードＰＤに入射し、これによってこの戻り光が受光検
出される。すなわち電気信号に変換され、再生信号とし
て取り出される。In this structure, the light emitted from the optical element 21 is irradiated onto the optical disk of the irradiated portion 22 arranged at the confocal position through the converging means 23, that is, the condensing optical lens. By doing so, the return light that is irradiated onto the optical disc and reflected from the optical disc, that is, the reflected light that includes the recording information is condensed again by the converging means 23 and is disposed in the vicinity of the confocal position of the photodiode of the light receiving element 5. It is incident on the PD, and this return light is received and detected. That is, it is converted into an electric signal and taken out as a reproduced signal.
【００３３】図３に示した例では、被照射部２２が例え
ば光ディスクである場合について説明したが、本発明に
よる光学素子は、被照射部２２が例えば光磁気ディスク
であってこれに磁気的に記録された信号をカー効果によ
って読み出す光ピックアップ装置に適用することもでき
る。In the example shown in FIG. 3, the case where the irradiated portion 22 is, for example, an optical disk has been described. However, in the optical element according to the present invention, the irradiated portion 22 is, for example, a magneto-optical disk and magnetically applied thereto. It can also be applied to an optical pickup device which reads out a recorded signal by the Kerr effect.
【００３４】図５は、この場合の一例の概略構成を示す
もので、この場合光学素子２１と被照射部２２との間、
すなわち光学素子２１から被照射部２２に向かう光路お
よび被照射部２２から反射されて戻る光路上に偏光子２
５を配置し、一方受光素子５上の光学素子２１からの出
射光Ｌの光路を避けた位置に検光子２６を対向配置す
る。FIG. 5 shows a schematic structure of an example in this case. In this case, between the optical element 21 and the irradiated portion 22,
That is, the polarizer 2 is provided on the optical path from the optical element 21 to the irradiated portion 22 and on the optical path reflected back from the irradiated portion 22.
5, the analyzer 26 is arranged opposite to the light receiving element 5 at a position avoiding the optical path of the emitted light L from the optical element 21.
【００３５】この構成によれば、被照射部２２の光磁気
ディスクに照射された光が記録情報に応じたカー効果に
よってその偏光面が回転して戻り光となって戻るので、
そのカー回転角に応じて検光子２６を通過する光量が変
化する。したがって、受光素子５によってこれを検出す
れば、光磁気ディスク上の記録を再生できることにな
る。According to this structure, the light radiated to the magneto-optical disk of the irradiated portion 22 is rotated by the Kerr effect according to the recorded information and its polarization plane is returned to be returned light.
The amount of light passing through the analyzer 26 changes according to the Kerr rotation angle. Therefore, if this is detected by the light receiving element 5, the recording on the magneto-optical disk can be reproduced.
【００３６】また、収束手段２３は、例えば図６に示す
ように、第１および第２の収束手段２３１および２３２
によって構成する例えばコリメータレンズとして、光路
長の設定等光学系の設計の簡易化等をはかることがで
き、このように第１および第２の収束手段２３１および
２３２を設ける場合においては、その偏光子２５を例え
ば第１および第２の収束手段２３１および２３２間に配
置する構成とすることができる。Further, the converging means 23 has first and second converging means 231 and 232 as shown in FIG. 6, for example.
For example, as a collimator lens configured as described above, it is possible to simplify the design of the optical system such as setting the optical path length. When the first and second converging means 231 and 232 are provided in this way, the polarizer is provided. 25 may be arranged, for example, between the first and second converging means 231 and 232.
【００３７】上述の各例における光学装置に適用する本
発明による半導体レーザを有する光学素子２１として
は、例えば前述した図１で示した構成とすることができ
る。この光学素子２１について詳細に説明する。この場
合その理解を容易にするために図７に示す工程図を参照
してその製造方法の一例とともに詳細に説明する。As the optical element 21 having the semiconductor laser according to the present invention applied to the optical device in each of the above-mentioned examples, for example, the configuration shown in FIG. 1 described above can be used. The optical element 21 will be described in detail. In this case, in order to facilitate the understanding, an example of the manufacturing method will be described in detail with reference to the process chart shown in FIG. 7.
【００３８】この場合、図７Ａに示すように、｛１０
０｝結晶面を主面とする第１の導電型例えばｎ型のＧａ
Ａｓ、あるいはＩｎＰ基板等による化合物半導体基板１
を用意し、その一主面に〔０１−１〕結晶軸方向に延び
る溝２を形成し、この溝２を挟んでその両側に第１およ
び第２のメサ１１および１２を形成する。In this case, as shown in FIG. 7A, {10
Ga of the first conductivity type, for example, n-type, whose major surface is a 0} crystal plane
Compound semiconductor substrate 1 made of As or InP substrate
A groove 2 extending in the [01-1] crystal axis direction is formed on one main surface thereof, and first and second mesas 11 and 12 are formed on both sides of the groove 2 with the groove 2 interposed therebetween.
【００３９】〔０１−１〕方向は、一般には順メサ方向
といわれているが、エッチング液の選定、例えば乳酸あ
るいは酒石酸によるエッチング液によってその〔０１−
１〕に沿う内側面２ａおよび２ｂ逆メサ状すなわち溝２
の深さ方向に向かって両メサ１１および１２下に入り込
む傾きを有する傾斜面として形成される。この溝２の形
成は、このような結晶学的化学エッチングによって形成
するに限られるものではなく、例えばＲＩＥ等の異方性
エッチングによる斜めエッチングによって形成すること
ができる。The [01-1] direction is generally referred to as the forward mesa direction, but the [01-] direction depends on the etching solution selected, for example, the etching solution using lactic acid or tartaric acid.
1] The inner side surfaces 2a and 2b along the inverted mesa shape, that is, the groove 2
Is formed as an inclined surface that has an inclination to enter below both mesas 11 and 12 in the depth direction. The formation of the groove 2 is not limited to the formation by such crystallographic chemical etching, but can be formed by oblique etching by anisotropic etching such as RIE.
【００４０】この溝２の内側面２ａおよび２ｂは、｛１
１１｝Ｂもしくはこれより大なる傾きをもってメサ１１
および１２下に入り込む角度、すなわち基板１の面との
なす角θが５４．７°以下となるように選定する。The inner side surfaces 2a and 2b of the groove 2 are {1
11} B or a slope greater than this, the mesa 11
And 12 and the angle θ with the surface of the substrate 1 is 54.7 ° or less.
【００４１】次に、図７Ｂに示すように、例えば第１の
メサ１１上に図示しないが、エッチングレジストを形成
し、他方の第２のメサ１２を平坦にエッチングしてこの
第２のメサ１２の高さを第１のメサ１１の高さより低め
る。Next, as shown in FIG. 7B, although not shown, for example, an etching resist is formed on the first mesa 11, and the other second mesa 12 is flatly etched to form the second mesa 12. Is lower than the height of the first mesa 11.
【００４２】その後、図１に示すように、基板１上に全
面的に例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vap
or Deposition)によって順次半導体レーザを構成する例
えばＡｌＧａＡｓによる第１導電型のｎ型の第１のクラ
ッド層４１と、例えばＧａＡｓによるもしくは第１のク
ラッド層４１に比し低Ａｌ濃度でＡｌＧａＡｓによる活
性層４２と、第２導電型の例えばｐ型のＡｌＧａＡｓに
よる第２のクラッド層４３と、受光素子５としてのフォ
トダイオードを構成する第１導電型の第１の半導体層５
１と、第２導電型の第２の半導体層５２とを一回の連続
エピタキシーによって形成する。Thereafter, as shown in FIG. 1, for example, MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor) is formed on the entire surface of the substrate 1.
or a first deposition type n-type first cladding layer 41 of, for example, AlGaAs, which sequentially configures a semiconductor laser by (or Deposition), and an active layer of AlGaAs, for example, of GaAs or of a lower Al concentration than that of the first cladding layer 41. 42, a second clad layer 43 of the second conductivity type, for example, p-type AlGaAs, and a first semiconductor layer 5 of the first conductivity type forming a photodiode as the light receiving element 5.
1 and the second semiconductor layer 52 of the second conductivity type are formed by one continuous epitaxy.
【００４３】このエピタキシーは、原料ガスとしてＡｓ
Ｈ3 、ＴＭＧ（トリ・メチル・ガリウム）、ＴＭＡ（ト
リ・メチル・アルミニウム）等を用いたメチル系ＭＯＣ
ＶＤによって形成できる。This epitaxy uses As gas as a source gas.
Methyl-based MOC using H 3 , TMG (tri-methyl-gallium), TMA (tri-methyl-aluminum), etc.
It can be formed by VD.
【００４４】このエピタキシーによって第１および第２
のメサ１１および１２の、溝２に沿う端縁すなわち〔０
１−１〕方向の端縁に沿って｛１１１｝Ａによる結晶面
８ａ 1 、８ｂ1 と、更にそのエピタキシーの進行に伴っ
て｛１１０｝による結晶面８ａ2 、８ｂ2 が発生してく
る。これは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体では、｛１０
０｝，｛１１１｝Ａ，｛１１０｝，｛１１１｝Ｂの各結
晶面では、｛１００｝の成長速度が最も大で、｛１１
１｝Ａ，｛１１０｝，｛１１１｝Ｂの順で成長速度が小
さくなる。そして、各結晶面の成長速度はエピタキシャ
ル成長条件例えば成長温度、III 族およびＶ族の原料の
供給比の選定によって、設定できるものである。By this epitaxy, the first and second
Edges of the mesas 11 and 12 along the groove 2, that is, [0
1-1] The crystal plane of {111} A along the edge
8a 1, 8b1And as the epitaxy progresses
Crystal plane 8a due to {110}2 , 8b2 Will occur
It This is {10 in the III-V group compound semiconductor.
0}, {111} A, {110}, {111} B
In the crystal plane, the growth rate of {100} is the highest,
Growth rate is small in the order of 1} A, {110}, {111} B
It gets worse. And the growth rate of each crystal plane is epitaxy.
Growth conditions such as growth temperature, Group III and V source materials
It can be set by selecting the supply ratio.
【００４５】このように、結晶面によってその成長速度
が異なることから、各半導体層４１、４２、４３、５１
および５２をエピタキシャル成長するとき、溝２内にお
いては、その内側面２ａおよび２ｂが｛１１１｝Ｂもし
くはこれより大きく傾いた面によって形成されているこ
とから、成長速度の遅い｛１１１｝Ｂのままで、あるい
はエピタキシャル成長によって｛１１１｝Ｂが発生した
ところで、これら側面２ａおよび２ｂからのエピタキシ
ャル成長の進行が殆ど停止され、溝２内では、主として
その底面からのみエピタキシャル成長が行われる。As described above, since the growth rate varies depending on the crystal plane, the semiconductor layers 41, 42, 43, 51 are formed.
And 52 are epitaxially grown, the inner side surfaces 2a and 2b of the groove 2 are formed by {111} B or a plane inclined more than this, so that the growth rate remains {111} B. , Or where {111} B is generated by the epitaxial growth, the progress of the epitaxial growth from the side surfaces 2a and 2b is almost stopped, and the epitaxial growth is mainly performed in the groove 2 only from the bottom surface thereof.
【００４６】したがって、メサ１１および１２上でのエ
ピタキシーは、少なくとも溝２と隣接する縁部では他と
分離して独立にそのエピタキシャル成長が行われること
になり、その〔０１−１〕方向に沿う縁部で基板面に対
して５４．７°をなし、｛１００｝に比して成長速度の
遅い｛１１１｝Ａ面が発生し、各半導体層において｛１
１１｝Ａによる屈曲がメサの縁部から所要の幅Ｗに渡っ
て形成される。しかしながらこの｛１１１｝Ａに関して
その成長が進行して、〔０１−１〕に沿う｛１１０｝が
発生してくると、この｛１１０｝はその成長速度が極め
て遅いことからこの面に関してはその成長が見掛け上停
止し、これによって｛１１０｝の端面８ａ2 および８ｂ
2 が形成される。そして、同時に上述した｛１１１｝Ａ
の端面８ａ1 および８ｂ1 を形成することができる。Therefore, the epitaxy on the mesas 11 and 12 is such that at least the edge portion adjacent to the groove 2 is independently epitaxially grown, and the edge along the [01-1] direction is separated. Part forms 54.7 ° with respect to the substrate surface, and a {111} A plane having a slower growth rate than that of {100} is generated.
11} A bend is formed over the required width W from the edge of the mesa. However, when the growth of {111} A progresses and {110} along [01-1] is generated, the growth rate of this {110} is extremely slow. Apparently stops, which causes the end faces 8a 2 and 8b of the {110}
2 is formed. At the same time, the above-mentioned {111} A
End surfaces 8a 1 and 8b 1 can be formed.
【００４７】このようにして、第１のメサ１１上に少な
くとも第１のクラッド層４１、活性層４２、第２のクラ
ッド層４３よりなる半導体レーザＬＤを構成し、第２の
メサ１２に｛１１１｝Ａによる基板面に対して５４．７
°の傾きを有する端面８ｂ1による反射鏡４を構成す
る。更に、この第２のメサ１２上に第１および第２の半
導体層５１および５２によるフォトダイオードＰＤを構
成する。また、必要に応じて第１のメサ１１上において
も半導体レーザＬＤ上に形成されている第１およびにの
半導体層５１および５２をもってフォトダイオードＰＤ
とすることもできる。In this way, the semiconductor laser LD including at least the first cladding layer 41, the active layer 42 and the second cladding layer 43 is formed on the first mesa 11, and the second mesa 12 has a {111. } 54.7 for the substrate surface due to A
The reflecting mirror 4 is constituted by the end face 8b 1 having an inclination of °. Further, the photodiode PD including the first and second semiconductor layers 51 and 52 is formed on the second mesa 12. Further, if necessary, the photodiode PD is also provided on the first mesa 11 with the first and second semiconductor layers 51 and 52 formed on the semiconductor laser LD.
Can also be
【００４８】この構成において、図１に示すように、そ
の溝２を所定の間隔すなわち半導体レーザＬＤの共振器
長に応じた間隔をもって２本の溝２を形成すれば、第１
のメサ１１上に各溝２の逆メサ上の側面２ａに隣接して
上述した｛１１０｝端面８ａ 2 が形成されることから、
これら端面８ａ2 間にこれら特定された結晶面｛１１
０｝による端面８ａ2 をそれぞれ両共振器端面とする共
振器が構成された半導体レーザＬＤを構成できる。そし
て、この場合その活性層４２とこれを挟む第１および第
２のクラッド層４１および４３が｛１１１｝Ａに沿って
幅Ｗに渡って屈曲した形状を有しその共振器端部には屈
折率が小さい半導体層が存在する窓いわゆるウィンドウ
構造が形成される。In this structure, as shown in FIG.
The grooves 2 of the semiconductor laser LD at predetermined intervals, that is, the resonator of the semiconductor laser LD.
If two grooves 2 are formed at intervals according to the length, the first
Adjacent to the side surface 2a on the reverse mesa of each groove 2 on the mesa 11 of
{110} end face 8a described above 2 Is formed,
These end faces 8a2 These identified crystal faces {11
0} end face 8a2 Are the end faces of both resonators.
A semiconductor laser LD having a shaker can be formed. That
In this case, the active layer 42 and the first and second
2 cladding layers 41 and 43 along {111} A
It has a shape that is bent over the width W,
A window in which a semiconductor layer with a small folding rate exists A so-called window
The structure is formed.
【００４９】このような構成による光学素子２１によれ
ば、半導体レーザＬＤからの出射光すなわちレーザ光を
反射鏡４に反射させて基板上方に向けることができるの
で、図３、図５、図６で説明した光学装置に用いて被照
射部２２例えば光記録媒体に対してレーザ光の照射を行
うことができ、この被照射部２２から反射された戻り光
ＬR を、フォトダイオードＰＤによる受光素子５によっ
て受光検出できる。According to the optical element 21 having such a configuration, the light emitted from the semiconductor laser LD, that is, the laser light can be reflected by the reflecting mirror 4 and directed toward the upper side of the substrate. It is possible to irradiate the irradiated portion 22, for example, an optical recording medium with a laser beam by using the optical device described in 1., and the return light L R reflected from the irradiated portion 22 is received by the photodiode PD. 5, the light reception can be detected.
【００５０】尚、図１で説明した光学素子２１におい
て、半導体レーザＬＤおよびフォトダイオードＰＤに対
する電極の配置は種々の配置を採り得るが、例えば図８
に示すように、第１のメサ１１においては、そのストラ
イプ状共振器を構成する部分上の第１および第２の半導
体層５１および５２を例えばストライプ状にエッチング
除去してここにレーザの一方の電極６１をオーミックに
被着形成し、基板１の裏面に他方の電極６２をオーミッ
クに被着形成する。また、メサ１１および１２上の第２
の半導体層５２の一部をエッチングによって除去して下
層の第１の半導体層５１を外部に露呈し、これに一方の
電極６３をオーミックに被着形成するとともに、第２の
半導体層５２上に他方の電極６４をオーミックに被着形
成する。In the optical element 21 described with reference to FIG. 1, various arrangements of electrodes for the semiconductor laser LD and the photodiode PD can be adopted. For example, FIG.
As shown in FIG. 1, in the first mesa 11, the first and second semiconductor layers 51 and 52 on the portion forming the stripe-shaped resonator are removed by etching, for example, in a stripe shape, and one of the lasers is formed in the first mesa 11. The electrode 61 is formed by ohmic deposition, and the other electrode 62 is formed by ohmic deposition on the back surface of the substrate 1. Also, the second on mesas 11 and 12
Part of the semiconductor layer 52 is removed by etching to expose the lower first semiconductor layer 51 to the outside, and one electrode 63 is ohmic-deposited on the first semiconductor layer 51, and the second semiconductor layer 52 is formed on the second semiconductor layer 52. The other electrode 64 is deposited ohmic.
【００５１】上述した例では、溝２がその両側面２ａお
よび２ｂに関して逆メサ状の側面とした場合であるが、
例えば半導体レーザＬＤを形成する第１のメサ１１側の
側面２ａのみを逆メサ状とすることもできる。図２は、
この場合の例を示す。この構成による光学素子２１の製
法の一例を図９を参照して説明する。In the above-mentioned example, the groove 2 is a side surface having an inverted mesa shape with respect to both side surfaces 2a and 2b thereof.
For example, only the side surface 2a of the semiconductor laser LD on the side of the first mesa 11 can be formed into an inverted mesa shape. Figure 2
An example of this case will be shown. An example of a method of manufacturing the optical element 21 having this configuration will be described with reference to FIG.
【００５２】この場合においても、図９Ａに示すよう
に、｛１００｝を主面とする例えばＧａＡｓ化合物半導
体基板１を用意する。そして、その一主面側に〔０１−
１〕方向にストライプ状に溝２を例えばＲＩＥ等の異方
性ドライエッチングによって斜めに掘り込む。この場
合、その一方の側面２ａが｛１１１｝Ｂもしくはこれに
近いか基板面に対して５４．７°以下に傾斜した面とな
るように形成する。Also in this case, as shown in FIG. 9A, for example, a GaAs compound semiconductor substrate 1 having a {100} main surface is prepared. Then, [01-
1] The grooves 2 are obliquely dug in a stripe shape by, for example, anisotropic dry etching such as RIE. In this case, the one side surface 2a is formed to be {111} B or a surface close to {111} B or a surface inclined at 54.7 ° or less with respect to the substrate surface.
【００５３】図９Ｂに示すように、前述したと同様に半
導体レーザＬＤを構成する第１のクラッド層４１、活性
層４２、第２クラッド層４３をエピタキシーする。As shown in FIG. 9B, the first clad layer 41, the active layer 42, and the second clad layer 43 which form the semiconductor laser LD are epitaxy as described above.
【００５４】図９Ｃに示すように、続いて第１および第
２の半導体層５１および５２をエピタキシーする。この
ようにすると、溝２の逆メサ状の側面２ａに隣接する第
１のメサ状に対するエピタキシャル半導体層には、前述
したように｛１１１｝Ａの端面８ａ1 と、｛１１０｝の
端面８ａ2 とが発生するが、逆メサによらない側面２ｂ
側では主として｛１１１｝Ａの端面８ｂ1 のみを発生さ
せることができる。この場合、メサ１１および１２の高
さは同一の高さすなわちその上面を一平面に形成するこ
とができ、更に、図示しないが、斜め蒸着もしくはスパ
ッタリングによって必要に応じて端面８ｂ1 に対してよ
りその反射効率を高めるための、金属、あるいは誘電体
の単層膜、多層膜の形成を行うことができると共に、更
に必要に応じて端面８ｂ1 への反射膜として金属膜等の
導電膜を被着する場合には、この反射膜の斜め蒸着もし
くはスパッタリング等の被着と同時にメサ１１および１
２上への各フォトダイオード、半導体レーザ等の電極形
成をも行うことができる。Next, as shown in FIG. 9C, the first and second semiconductor layers 51 and 52 are epitaxyed. By doing so, in the epitaxial semiconductor layer for the first mesa shape adjacent to the inverted mesa side surface 2a of the groove 2, as described above, the end surface 8a 1 of {111} A and the end surface 8a 2 of {110} are formed. But side face 2b which does not depend on the reverse mesa
On the side, mainly only the end surface 8b 1 of {111} A can be generated. In this case, the heights of the mesas 11 and 12 can be the same height, that is, the upper surfaces thereof can be formed in a single plane. Further, although not shown, oblique deposition or sputtering may be performed with respect to the end surface 8b 1 as necessary. In order to improve the reflection efficiency, a metal or dielectric single layer film or a multilayer film can be formed, and if necessary, a conductive film such as a metal film is coated as a reflective film on the end face 8b 1 . In the case of wearing, the mesas 11 and 1 are formed at the same time as the oblique deposition or sputtering of the reflective film.
It is also possible to form electrodes such as photodiodes and semiconductor lasers on the second layer.
【００５５】上述した各例では、半導体レーザが第１の
クラッド層と、活性層と、第２のクラッド層とによる基
本的構成とした場合であるがキャップ層を設ける構造と
することもできるなど種々の構成をとることができる。In each of the above-mentioned examples, the semiconductor laser has a basic structure of the first cladding layer, the active layer, and the second cladding layer, but a cap layer may be provided. Various configurations can be adopted.
【００５６】また、上述した各例では、各メサの上面が
平坦な面による場合であるが、図１０に示すように、半
導体レーザＬＤの構成部にストライプリッジ７３を形成
し、これの上に半導体レーザを限定的に形成して、狭隘
な共振器を構成してしきい値電流Ｉthの低減化をはかる
構造とすることもできる。Further, in each of the above-mentioned examples, the upper surface of each mesa is a flat surface, but as shown in FIG. 10, a stripe ridge 73 is formed in the constituent portion of the semiconductor laser LD and is formed thereon. It is also possible to limit the threshold current I th by forming a narrow resonator by forming a semiconductor laser in a limited manner.
【００５７】この場合の一例をその製造方法の一例と共
に説明する。先ず図１１に示すように、第１の導電型例
えばｎ型の｛１００｝を主面とする化合物半導体基板１
の一主面に、〔０１１〕に沿って延びるストライプリッ
ジ７３を形成する。このストライプリッジ７３の形成
は、リッジ形成部の両側を化学的エッチング、ＲＩＥ等
の周知の技術によって溝７４を掘ることによって形成す
る。An example of this case will be described together with an example of its manufacturing method. First, as shown in FIG. 11, a compound semiconductor substrate 1 having a first conductivity type, for example, n-type {100} as a main surface
A stripe ridge 73 extending along [011] is formed on one main surface of the. The stripe ridge 73 is formed by digging the groove 74 on both sides of the ridge formation portion by a known technique such as chemical etching or RIE.
【００５８】そして、図１２に示すように、基板１のス
トライプリッジ７３を形成した主面側からこのストライ
プリッジ７３の延長方向と直交する〔０１−１〕方向
に、所要の間隔を保持して複数、図示の例では２本の溝
２を形成して両溝２によってストライプリッジ７３の両
端を規定すると共に第１のメサ１１を構成し、更にその
少なくとも一方に第２のメサ１２を形成する。Then, as shown in FIG. 12, a required space is maintained from the main surface side of the substrate 1 on which the stripe ridge 73 is formed in the [01-1] direction orthogonal to the extending direction of the stripe ridge 73. A plurality of, in the illustrated example, two grooves 2 are formed, both ends of the stripe ridge 73 are defined by the both grooves 2, the first mesa 11 is formed, and the second mesa 12 is formed on at least one of them. .
【００５９】この溝２は、その両側面２ａおよび２ｂが
共に逆メサ状をなす形状とする。この逆メサ状の溝２の
形成は、〔０１−１〕方向に形成するものであることか
ら、エッチング液の選定、前述したように、例えば乳酸
あるいは酒石酸によるエッチングによって逆メサ状に形
成することができる。しかしながら、この場合において
も、この逆メサ溝２の形成は、化学的エッチングに限ら
れるものではなく、ＲＩＥ等のドライエッチングによっ
て形成することもできる。Both sides 2a and 2b of the groove 2 have an inverted mesa shape. Since the formation of the reverse mesa-shaped groove 2 is performed in the [01-1] direction, it is necessary to form the reverse mesa by selecting an etching solution and, for example, etching with lactic acid or tartaric acid as described above. You can However, also in this case, the formation of the reverse mesa groove 2 is not limited to the chemical etching, and it may be formed by dry etching such as RIE.
【００６０】この溝２の形成は、その少なくともストラ
イプリッジ７３を横切る範囲に渡って形成し、少なくと
もストライプリッジ７３に隣接する側の側面２ａおよび
２ｂが｛１１１｝Ｂとして、またはこれより大にストラ
イプリッジ３下に入り込む角度、すなわち基板面とのな
す各θが５４．７°以下となるように選定される。The groove 2 is formed over at least the range crossing the stripe ridge 73, and at least the side surfaces 2a and 2b on the side adjacent to the stripe ridge 73 are striped as {111} B or larger. The angle to enter under the ridge 3, that is, each θ formed with the substrate surface is selected to be 54.7 ° or less.
【００６１】そして、第２のメサ１２の上面を平坦エッ
チングしてその高さを第１のメサ１１の高さより低くす
る。Then, the upper surface of the second mesa 12 is flatly etched so that its height is lower than that of the first mesa 11.
【００６２】次に、メサおよびリッジが形成された基板
１上に、図１３および図１４に、それぞれリッジ７３に
沿う方向およびリッジ７３を横切る方向の断面図を示す
ように、順次基板１と同導電型の例えばＡｌＧａＡｓに
よる第１のクラッド層４１、例えばＧａＡｓによる活性
層４２、第２導電型の例えばＡｌＧａＡｓよりなる第２
のクラッド層４３の例えば下層のクラッド層７２Ａ、そ
れぞれ例えばＡｌＧａＡｓよりなる第１導電型の第１の
電流ブロック層４５Ａ、第２導電型の第２ブロック層４
５Ｂ、第１導電型の第３のブロック層４５Ｃ、更に第２
導電型のＡｌＧａＡｓによる上層の第２のクラッド層７
２Ｂ、第２導電型の例えばＧａＡｓによるキャップ層４
６とを１回の連続エピタキシーによって形成する。Next, on the substrate 1 on which the mesas and ridges are formed, as shown in FIGS. 13 and 14, sectional views in the direction along the ridge 73 and in the direction crossing the ridge 73, respectively, are sequentially formed on the substrate 1. A first clad layer 41 of, for example, AlGaAs of conductivity type, an active layer 42 of, for example, GaAs, a second clad layer 41 of second conductivity type, for example, AlGaAs.
Clad layer 43 below the clad layer 43, the first conductive type first current blocking layer 45A and the second conductive type second blocking layer 4 respectively made of, for example, AlGaAs.
5B, third block layer 45C of the first conductivity type, and second
Second upper clad layer 7 of conductive AlGaAs
2B, cap layer 4 of the second conductivity type, for example, GaAs
6 and 6 are formed by one continuous epitaxy.
【００６３】このエピタキシーはメチル系ＭＯＣＶＤに
よって行う。この場合、ストライプリッジ７３上でのエ
ピタキシャル成長層には、図１４に示すように、リッジ
７３の延長方向すなわち〔０１１〕方向に沿う縁部から
｛１１１｝Ｂによる斜面７４ａおよび７４ｂが発生して
くる。これは、前述したように、｛１１１｝Ｂの結晶成
長速度が小さいことによって、この｛１１１｝Ｂが発生
してくると、この面に対するエピタキシャル成長が殆ど
停止することによって斜面７４ａおよび７４ｂによって
挟み込まれ、両斜面７４ａおよび７４ｂがその上演で衝
合する断面３角形のエピタキシャル成長による半導体層
が形成される。つまり、これら斜面７４ａおよび７４ｂ
で他部の例えば溝１４の底面から成長する半導体層と分
離される。This epitaxy is performed by methyl-based MOCVD. In this case, in the epitaxial growth layer on the stripe ridge 73, as shown in FIG. 14, slopes 74a and 74b due to {111} B are generated from the edge portion along the extension direction of the ridge 73, that is, the [011] direction. . As described above, when {111} B is generated due to the low crystal growth rate of {111} B, the epitaxial growth on this surface almost stops, and the surface is sandwiched by the slopes 74a and 74b. , A semiconductor layer is formed by epitaxial growth having a triangular cross section in which both slopes 74a and 74b abut each other in the performance. That is, these slopes 74a and 74b
Is separated from the semiconductor layer growing from the bottom of the groove 14 in the other part.
【００６４】そこで、各エピタキシャル成長半導体層の
厚さ、ストライプリッジ７３の幅、その両側の溝１４の
深さ等を選定することによって、ストライプりっじ７３
上の上述した斜面７４ａおよび７４ｂで挟み込まれた断
面３角形部において、例えば第１のクラッド層４１と活
性層４３と下層の第２のクラッド層７２Ａによる半導体
レーザＬＤが限定的に形成される。一方、〔０１−１〕
方向に設定された溝２の内側面２ａは予め｛１１１｝Ｂ
とされているか、これより小なる角度θに選定されてい
るので、最初からあるいはエピタキシャル成長によって
成長速度の遅い結晶面例えば｛３５５｝や｛１１１〕Ｂ
が発生することによって、この溝２内では主としてその
底面からエピタキシャル成長がなされ、その側面２ａお
よび２ｂからの成長が抑制される。Therefore, by selecting the thickness of each epitaxially grown semiconductor layer, the width of the stripe ridge 73, the depth of the grooves 14 on both sides of the stripe ridge 73, etc., the stripe edge 73 is selected.
In the triangular cross section sandwiched between the above-mentioned slopes 74a and 74b, the semiconductor laser LD is limitedly formed by, for example, the first cladding layer 41, the active layer 43, and the lower second cladding layer 72A. On the other hand, [01-1]
The inner side surface 2a of the groove 2 set in the direction is {111} B in advance.
Or a smaller angle θ is selected, a crystal plane with a slow growth rate such as {355} or {111] B from the beginning or by epitaxial growth.
As a result, the epitaxial growth is mainly performed in the groove 2 from the bottom surface thereof, and the growth from the side surfaces 2a and 2b is suppressed.
【００６５】したがって、上述の各半導体層のエピタキ
シャル成長によってリッジ７３の両側の溝１４上および
両端の溝２上にこれら半導体層すなわち第１のクラッド
層４１、活性層４２、下層の第２のクラッド層７２Ａ、
電流ブロック層４５、上層の第２のクラッド層７２Ｂ、
キャップ層４６がエピタキシャル成長されるものである
が、図１３に示すように、溝２上においては、上述した
ようにその内側面２ａからの成長が抑制されるものであ
ることから、リッジ７３上の積層半導体層と分離され第
１および第２のメサ１１および１２の溝２に隣接する縁
部に前述した特定結晶面によるすなわち｛１１１｝Ａに
よる傾斜した端面８ａ1 および８ｂ1 、｛１１０｝より
なる８ａ2 および８ｂ2 が形成される。このようにして
傾斜端面８ｂ1 を反射鏡４とする。Therefore, these semiconductor layers, that is, the first clad layer 41, the active layer 42, and the lower second clad layer are formed on the grooves 14 on both sides of the ridge 73 and on the grooves 2 on both sides of the ridge 73 by the epitaxial growth of the above-mentioned semiconductor layers. 72A,
The current blocking layer 45, the upper second cladding layer 72B,
The cap layer 46 is epitaxially grown. However, as shown in FIG. 13, the growth from the inner side surface 2a of the groove 2 is suppressed on the groove 2 as described above. At the edges of the first and second mesas 11 and 12 which are separated from the laminated semiconductor layer and are adjacent to the groove 2, the end faces 8a 1 and 8b 1 and {110} inclined by the specific crystal plane described above, that is, {111} A 8a 2 and 8b 2 are formed. In this way, the inclined end surface 8b 1 is used as the reflecting mirror 4.
【００６６】この場合、メサ１１および１２の高さ、各
半導体層の厚さ、溝２の深さ等を選定することによって
リッジ７３上に形成された半導体レーザＬＤからの出射
光すなわちレーザ光がメサ１２の端面８ｂ1 による反射
鏡４によって反射させれて所定方向に向けるようになさ
れる。In this case, by selecting the height of the mesas 11 and 12, the thickness of each semiconductor layer, the depth of the groove 2 and the like, the light emitted from the semiconductor laser LD formed on the ridge 73, that is, the laser light is emitted. The end face 8b 1 of the mesa 12 is reflected by the reflecting mirror 4 and directed in a predetermined direction.
【００６７】そして、この構成による光学素子２１は、
図１４をみて明らかなように、ストライプリッジ７３上
に活性層４１が他と分離され、半導体レーザＬＤの共振
器が充分幅狭に形成されるのでしきい値電流Ｉthの低減
化をよりはかれるものである。The optical element 21 having this structure is
As apparent from FIG. 14, the active layer 41 is separated from the others on the stripe ridge 73, and the resonator of the semiconductor laser LD is formed sufficiently narrow, so that the threshold current I th can be further reduced. It is a thing.
【００６８】上述の本発明による各光学素子２１は、反
射鏡４、半導体レーザＬＤ更にフォトダイオードＰＤが
同一化合物半導体基板１上に形成されたモノリシック構
成を有することから、各半導体レーザＬＤ、反射鏡４、
フォトダイオードＰＤを充分接近して配置でき、またそ
の反射鏡４は特定の結晶面によって構成することから、
その表面性が良く反射効率が高いものであるとともにそ
の傾きの設定が確実に行われる。Since each optical element 21 according to the present invention has the monolithic structure in which the reflecting mirror 4, the semiconductor laser LD and the photodiode PD are formed on the same compound semiconductor substrate 1, the respective semiconductor laser LD and the reflecting mirror are formed. 4,
Since the photodiodes PD can be arranged sufficiently close to each other and the reflecting mirror 4 is constituted by a specific crystal plane,
The surface property is good and the reflection efficiency is high, and the inclination is surely set.
【００６９】また、例えば図１等で示されるように、半
導体レーザＬＤの両端面近傍で幅Ｗに渡って｛１１１｝
Ａの発生によって、活性層４２が屈曲した構造となり幅
Ｗに渡ってクラッド層４３による低屈折率領域が存在す
るいわゆる窓構造が形成されることから、この光出射端
面の光損傷の低減化をはかることができ、これにより半
導体レーザＬＤの高出力化をはかることができる。Further, as shown in, for example, FIG. 1, {111} over the width W in the vicinity of both end faces of the semiconductor laser LD.
By the generation of A, the active layer 42 has a bent structure, and a so-called window structure in which a low refractive index region exists due to the clad layer 43 is formed over the width W, so that the light damage on the light emitting end face can be reduced. It is possible to increase the output of the semiconductor laser LD.
【００７０】したがって、本発明による光学素子２１
を、例えば図３〜図７で説明した被照射部２２への戻り
光を検出する例えばピックアップ装置等の光学装置に用
いるときは、この光学装置の構成の簡潔化をはかり、全
体の小型化をはかると共に、製造の簡略化、信頼性の向
上をはかり、更に戻り光のフォトダイオードＰＤによる
受光光量の増大化をはかることができ、これにより出力
の向上、ひいては発光光源の低パワー化したがって消費
電力の低減化をはかることができることになる。Therefore, the optical element 21 according to the present invention
Is used in an optical device such as a pickup device that detects the return light to the irradiated portion 22 described with reference to FIGS. 3 to 7, the configuration of the optical device is simplified and the overall size is reduced. In addition to simplification of manufacturing and improvement of reliability, it is possible to increase the amount of light received by the photodiode PD of the return light, thereby improving the output, and thus reducing the power consumption of the light emitting source and thus the power consumption. Can be reduced.
【００７１】尚、本発明は、上述した構造に限らず使用
態様、目的に応じて種々の変形変更を行うことができ
る。例えば上述した例では半導体レーザＬＤの一方の端
面から出射するレーザ光のみを利用する形態を採った場
合であるが、多ビーム構成とすることもできる。例えば
図１５に示すように、半導体レーザＬＤを形成した第１
のメサ１１を挟んでその両側にそれぞれ反射鏡４を形成
した第２のメサ１２を形成して、半導体レーザＬＤの両
端面からのレーザ光をそれぞれこれに対向して形成した
反射鏡４によって所定方向に反射させて向かわせる構造
とする。あるいは例えば図１６に示すように、第２のメ
サを挟んでそれぞれ半導体レーザＬＤが形成された第１
のメサ１１を配置して各半導体レーザＬＤからのレーザ
光を共通のメサ１２の両端の端面８ａ1 による反射鏡４
によって反射させる構造とするなど種々の構造配置を採
ることができる。図１５および図１６において、図１に
対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。The present invention is not limited to the above-described structure, and various modifications and changes can be made according to the usage mode and purpose. For example, in the above-described example, the case where only the laser light emitted from one end face of the semiconductor laser LD is used is used, but a multi-beam configuration may be adopted. For example, as shown in FIG. 15, a first semiconductor laser LD is formed.
The second mesa 12 is formed by sandwiching the mesa 11 and reflecting mirrors 4 on both sides of the mesa 11, and the laser beams from both end faces of the semiconductor laser LD are formed by the reflecting mirrors 4 facing each other. The structure is such that it reflects in a certain direction and is directed. Alternatively, for example, as shown in FIG. 16, first semiconductor lasers LD are formed with a second mesa sandwiched therebetween.
The mesas 11 are arranged so that the laser beams from the respective semiconductor lasers LD are reflected by the end faces 8a 1 at both ends of the common mesa 12.
Various structural arrangements can be adopted, such as a structure in which the light is reflected by. 15 and 16, parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
【００７２】また、上述の各構成において溝２は半導体
レーザの形成部を横切るように形成するが、両端が解放
した溝とする場合に限らず、例えば両端もしくは一端が
閉じた溝とすることもできる。Further, in each of the above-mentioned configurations, the groove 2 is formed so as to cross the semiconductor laser forming portion, but the groove is not limited to the case where both ends are opened, and for example, the groove may be closed at both ends or one end. it can.
【００７３】[0073]
【発明の効果】上述したように、本発明構成によれば、
少なくとも半導体レーザＬＤとこれよりのレーザ光を所
定方向に向けて効率良く反射することのできる特定の結
晶面による反射鏡４を構成するとともに、更に上述の同
一の半導体基板上にレーザ光の被照射部からの戻り光、
すなわち例えば光記録媒体からの記録情報を含んだ光を
受光検出する受光素子としてのフォトダイオードとをい
わばモノリシックの光集積装置として構成できるので、
各光学部品すなわち半導体レーザＬＤ、反射鏡４、フォ
トダイオードＰＤ等の相互の位置関係の設定を正確、簡
単に、したがって量産的に製造できる。またその反射鏡
４を特定の結晶面から構成できることから、原子面オー
ダの鏡面性を得ることがができ、反射効率の高い反射鏡
を再現性良く、正確に形成できることから、高出力化を
はかることができて、これにより消費電力の低減化をは
かることができる。As described above, according to the configuration of the present invention,
At least the semiconductor laser LD and the reflecting mirror 4 having a specific crystal surface capable of efficiently reflecting the laser light from the semiconductor laser LD in a predetermined direction are configured, and the same semiconductor substrate is further irradiated with the laser light. Return light from the department,
That is, for example, a photodiode as a light receiving element for receiving and detecting light containing recording information from an optical recording medium can be configured as a so-called monolithic optical integrated device,
It is possible to manufacture the respective optical components, that is, the semiconductor laser LD, the reflecting mirror 4, the photodiode PD, and the like, with respect to each other accurately, easily, and therefore in mass production. Further, since the reflecting mirror 4 can be formed from a specific crystal plane, specularity on the atomic plane order can be obtained, and a reflecting mirror with high reflection efficiency can be formed with good reproducibility and high output. Therefore, it is possible to reduce power consumption.
【００７４】また、本発明構成によれば、その光源とし
ての半導体レーザＬＤと、受光素子としてのフォトダイ
オードＰＤとを充分近接して構成できるので、半導体レ
ーザＬＤによるレーザ光の被照射部２２からのレーザＬ
Ｄに向かう戻り光を直接的に検出する構成を採る場合に
おいて、高い受光効率とすることができるという効果が
ある。Further, according to the structure of the present invention, the semiconductor laser LD as the light source thereof and the photodiode PD as the light receiving element can be arranged sufficiently close to each other. Laser L
In the case of adopting the configuration of directly detecting the returning light toward D, there is an effect that high light receiving efficiency can be obtained.
【００７５】また、本発明によれば、半導体レーザおよ
びフォトダイオードの各半導体層の形成を１回の連続エ
ピタキシーで形成することのできる構造を採るので、そ
の製造工程の簡略化をはかることができるとともに、半
導体層のエピタキシーを複数の工程で行う場合に問題と
なる半導体層間の界面における結晶欠陥の発生等の問
題、酸化膜の発生の問題を回避できることから特性の安
定化と歩留りの向上をはかることができる。Further, according to the present invention, since each semiconductor layer of the semiconductor laser and the photodiode can be formed by one continuous epitaxy, the manufacturing process can be simplified. At the same time, it is possible to avoid the problems such as the occurrence of crystal defects at the interface between the semiconductor layers and the problem of the formation of an oxide film, which are problems when the epitaxy of the semiconductor layer is performed in multiple steps, so that the characteristics can be stabilized and the yield can be improved. be able to.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明による光学素子の一例の概略構成を示す
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an example of an optical element according to the present invention.
【図２】本発明による光学素子の一例の概略構成を示す
斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of an example of an optical element according to the present invention.
【図３】本発明による光学素子を適用する光学装置の一
例の概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an example of an optical device to which the optical element according to the present invention is applied.
【図４】本発明による光学素子を適用する光学装置の他
の一例の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of another example of an optical device to which the optical element according to the present invention is applied.
【図５】本発明による光学素子を適用する光学装置の他
の一例の概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of another example of an optical device to which the optical element according to the present invention is applied.
【図６】本発明による光学素子を適用する光学装置の他
の一例の概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of another example of an optical device to which the optical element according to the present invention is applied.
【図７】本発明による光学素子の製造方法の一例の工程
図である。Ａはその一工程図である。Ｂはその一工程図
である。FIG. 7 is a process drawing of an example of a method for manufacturing an optical element according to the present invention. A is the one process drawing. B is the one process drawing.
【図８】本発明による光学素子の電極配置状態での一例
を示す概略構成を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a schematic configuration showing an example of an electrode arrangement state of an optical element according to the present invention.
【図９】本発明による光学素子の製造方法の他の一例の
工程図である。Ａはその一工程図である。Ｂはその一工
程図である。Ｃはその一工程図である。FIG. 9 is a process drawing of another example of the method for manufacturing an optical element according to the present invention. A is the one process drawing. B is the one process drawing. C is the one process drawing.
【図１０】本発明による光学素子の他の一例の概略構成
を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a schematic configuration of another example of the optical element according to the present invention.
【図１１】本発明素子の製造方法の他の例の一工程図で
ある。FIG. 11 is a process chart of another example of the method for manufacturing the element of the present invention.
【図１２】本発明素子の製造方法の他の例の一工程図で
ある。FIG. 12 is a process chart of another example of the method for manufacturing the element of the present invention.
【図１３】本発明素子の他の一例の略線的縦断面図であ
る。FIG. 13 is a schematic vertical cross-sectional view of another example of the element of the present invention.
【図１４】本発明素子の他の一例の略線的横断面図であ
る。FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of another example of the element of the present invention.
【図１５】本発明素子の他の一例の概略的断面図であ
る。FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of another example of the element of the present invention.
【図１６】本発明素子の他の一例の概略的断面図であ
る。FIG. 16 is a schematic sectional view of another example of the device of the present invention.
【図１７】光学装置の一例の略線的構成図である。FIG. 17 is a schematic configuration diagram of an example of an optical device.
【図１８】光学装置の他の例の略線的構成図である。FIG. 18 is a schematic configuration diagram of another example of the optical device.
１ 化合物半導体基板 ２ 溝 ２ａ，２ｂ 側面 ３ エピタキシャル半導体層 ４ 反射鏡 ５ 受光素子 １１ 第１のメサ １２ 第２のメサ ８ａ1 ，８ａ2 ，８ｂ1 ，８ｂ2 端面 ＬＤ 半導体レーザ ＰＤ フォトダイオードDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Compound semiconductor substrate 2 Grooves 2a, 2b Side surface 3 Epitaxial semiconductor layer 4 Reflector 5 Light receiving element 11 First mesa 12 Second mesa 8a 1 , 8a 2 , 8b 1 , 8b 2 End face LD semiconductor laser PD photodiode
Claims (5)
導体基板に、〔０１−１〕結晶軸方向に沿って形成され
た溝を挟んで少なくとも第１および第２のメサが形成さ
れ、 上記溝の少なくとも上記第１のメサに隣接する一側面が
逆メサ状に形成され、 上記第１および第２のメサ上にエピタキシャル半導体層
が形成されて上記第１のメサ上に半導体レーザが形成さ
れ、上記第２のメサ上に上記溝に隣接する側縁に沿って
上記半導体レーザの光出射端面に対向する特定の結晶面
からなる反射鏡が形成されたことを特徴とする半導体レ
ーザを有する光学素子。1. A compound semiconductor substrate having a {100} crystal plane as a main surface, wherein at least first and second mesas are formed with a groove formed along a [01-1] crystal axis direction interposed therebetween. At least one side surface of the groove adjacent to the first mesa is formed in an inverted mesa shape, an epitaxial semiconductor layer is formed on the first and second mesas, and a semiconductor laser is formed on the first mesa. The semiconductor laser is characterized in that a reflecting mirror made of a specific crystal face is formed on the second mesa along a side edge adjacent to the groove, the reflecting mirror facing the light emitting end face of the semiconductor laser. Optical element.
一方に受光素子が形成されたことを特徴とする請求項１
に記載の半導体レーザを有する光学素子。2. A light receiving element is formed on at least one of the first and second mesas.
An optical element having the semiconductor laser according to 1.
縁に沿う上記エピタキシャル半導体層の端面が｛１１
０｝結晶面よりなり、 上記第２のメサの上記溝に隣接する側縁に沿う上記エピ
タキシャル半導体層の端面が｛１１１｝Ａ結晶面と、
｛１１０｝結晶面とが共存する端面、あるいは｛１１
１｝Ａ結晶面のみによる端面によって構成されたことを
特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザを有
する光学素子。3. The end surface of the epitaxial semiconductor layer along the side edge adjacent to the groove on the first mesa is {11.
0} crystal plane, and the end surface of the epitaxial semiconductor layer along the side edge of the second mesa adjacent to the groove is a {111} A crystal plane.
An end face coexisting with a {110} crystal face, or {11
An optical element having a semiconductor laser according to claim 1 or 2, wherein the optical element is constituted by an end face composed of only 1} A crystal planes.
に異なるようにしたことを特徴とする請求項１、２、ま
たは３に記載の半導体レーザを有する光学素子。4. The optical element having a semiconductor laser according to claim 1, wherein the heights of the first and second mesas are different from each other.
斜溝よりなることを特徴とする請求項１、２、３または
４に記載の半導体レーザを有する光学素子。5. An optical element having a semiconductor laser as set forth in claim 1, wherein the groove is an inclined groove which is inserted under the first mesa.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33357393A JPH07193334A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Optical element having semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33357393A JPH07193334A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Optical element having semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193334A true JPH07193334A (en) | 1995-07-28 |
Family
ID=18267559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33357393A Pending JPH07193334A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Optical element having semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193334A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177184A (en) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor laser device and its manufacture |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33357393A patent/JPH07193334A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11177184A (en) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor laser device and its manufacture |
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