JP2001308446A - Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device - Google Patents
Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting deviceInfo
- Publication number
- JP2001308446A JP2001308446A JP2000131546A JP2000131546A JP2001308446A JP 2001308446 A JP2001308446 A JP 2001308446A JP 2000131546 A JP2000131546 A JP 2000131546A JP 2000131546 A JP2000131546 A JP 2000131546A JP 2001308446 A JP2001308446 A JP 2001308446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- light
- laser
- electrode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子お
よび装置に関し、特にレーザ光を出射するレーザダイオ
ードである半導体発光素子および装置に関する。The present invention relates to a semiconductor light emitting device and device, and more particularly to a semiconductor light emitting device and device which are laser diodes that emit laser light.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、ＣＤ（コンパクトディスク）、
ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）あるいはＭＤ（ミニ
ディスク）などの光学的に情報を記録する光学記録媒体
（以下、光ディスクとも称する）に記録された情報の読
み取り（再生）、あるいはこれらに情報の書き込み（記
録）を行う装置（以下、光ディスク装置とも称する）に
は、光学ピックアップ装置が内蔵されている。2. Description of the Related Art Generally, CDs (compact discs),
Reads (reproduces) information recorded on an optical recording medium (hereinafter, also referred to as an optical disk) for optically recording information such as a DVD (digital video disk) or an MD (mini disk), or writes (records) information on these. ) (Hereinafter also referred to as an optical disk device) includes an optical pickup device.
【０００３】上記の光ディスク装置や光学ピックアップ
装置においては、例えば、ＣＤの再生などには７８０ｎ
ｍ帯の波長のレーザ光を、ＤＶＤの再生などには６５０
ｎｍ帯の波長のレーザ光を用いており、それぞれの波長
のレーザ光を出射するレーザダイオードが搭載されてい
る。In the above-mentioned optical disk device and optical pickup device, for example, 780n is used for reproducing a CD.
Laser light having a wavelength in the m band is 650 for reproduction of DVD, etc.
Laser beams having wavelengths in the nm band are used, and a laser diode for emitting laser light of each wavelength is mounted.
【０００４】図５（ａ）は、例えば６５０ｎｍの波長の
レーザ光を発光する一般的な構造のレーザダイオードの
斜視図、図５（ｂ）は図５（ａ）中のＡ−Ａ’における
断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）中のＢ−Ｂ’における
断面図である。例えば、ＧａＡｓなどのｎ型基板１１上
にＩｎＧａＰなどからなる不図示のバッファ層が形成さ
れており、その上層に、例えばＡｌＧａＩｎＰからなる
ｎ型クラッド層１２、活性層（例えば発振波長６５０ｎ
ｍの多重量子井戸構造）１３、例えばＡｌＧａＩｎＰか
らなるｐ型クラッド層１４、例えばＧａＡｓからなるｐ
型キャップ層１５が積層して、半導体積層体１０が形成
されている。ｐ型キャップ層１５表面からｐ型クラッド
層１４の途中の深さまで絶縁化された領域１６となっ
て、ゲインガイド型の電流狭窄構造となるストライプを
形成している。FIG. 5A is a perspective view of a laser diode having a general structure that emits a laser beam having a wavelength of, for example, 650 nm, and FIG. 5B is a cross section taken along the line AA ′ in FIG. FIG. 5C is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. For example, a buffer layer (not shown) made of InGaP or the like is formed on an n-type substrate 11 of GaAs or the like, and an n-type cladding layer 12 made of, for example, AlGaInP and an active layer (e.g., an oscillation wavelength of 650 n
m multiple quantum well structure) 13, for example, a p-type cladding layer 14 made of AlGaInP,
The semiconductor cap 10 is formed by stacking the mold cap layers 15. The region 16 is insulated from the surface of the p-type cap layer 15 to a depth in the middle of the p-type cladding layer 14 to form a stripe having a gain guide type current confinement structure.
【０００５】上記のレーザダイオードを構成する半導体
積層体１０において、ｐ型キャップ層１５および絶縁化
された領域１６の上面を被覆してｐ電極２０が形成され
ており、ｎ型基板１１の下面を被覆してｎ電極２１が接
続して形成されている。[0005] In the semiconductor laminate 10 constituting the above laser diode, a p-type electrode 20 is formed so as to cover the upper surface of the p-type cap layer 15 and the insulated region 16. An n-electrode 21 is connected and formed by coating.
【０００６】図６は、上記のレーザダイオードを用いる
ときの電圧の印加とレーザ光の出射方向および戻り光の
進行方向を説明する図であり、（ａ）はレーザダイオー
ドの上面から見たときの平面図、（ｂ）は図５（ｂ）に
相当する模式的断面図である。上記の構造のレーザダイ
オードは、ｐ電極２０とｎ電極２１に電源Ｂにより所定
の電圧を印加されると、活性層１３のレーザ光出射部か
ら、例えば６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌａが出射さ
れる。FIGS. 6A and 6B are diagrams for explaining the application of a voltage when the above-described laser diode is used, the emission direction of the laser light, and the traveling direction of the return light. FIG. FIG. 5B is a plan view, and FIG. 5B is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. In the laser diode having the above structure, when a predetermined voltage is applied to the p-electrode 20 and the n-electrode 21 by the power supply B, the laser light emission portion of the active layer 13 emits the laser light La having a wavelength in the 650 nm band, for example. You.
【０００７】上記のようにレーザダイオードの各電極に
電圧を印加するにあたっては、一方の電極側、例えばｎ
電極２１側から半導体ブロックなどの不図示の基台上に
ハンダなどにより接続および固定し、他方の電極、例え
ばｐ電極２０にはリードなどにより電気的に接続して使
用する。この場合、レーザ光Ｌａは基台のマウント面に
平行に出射されるが、マウント面に近接して進行するレ
ーザ光は光学系を構成しにくいことから、レーザ光Ｌａ
の光軸上にミラーＭあるいはプリズムの分光面などの反
射面を配置し、進行方向を略９０°屈曲させてパッケー
ジ化して使用することが多い。In applying a voltage to each electrode of the laser diode as described above, one of the electrodes, for example, n
The electrode 21 is connected and fixed to a base (not shown) such as a semiconductor block by a solder or the like, and is electrically connected to the other electrode, for example, the p-electrode 20 by a lead or the like. In this case, the laser light La is emitted in parallel with the mount surface of the base, but the laser light traveling close to the mount surface is difficult to form an optical system.
In many cases, a mirror M or a reflecting surface such as a spectral surface of a prism is arranged on the optical axis and the traveling direction is bent by about 90 ° to be packaged and used.
【０００８】図７（ａ）は、上記のレーザダイオードを
用いた光ディスク装置用の光学ピックアップ装置に搭載
されるレーザカプラの斜視図である。レーザカプラ１
は、第１パッケージ部材２の凹部に装填され、ガラスな
どの透明な第２パッケージ部材３により封止されてい
る。FIG. 7A is a perspective view of a laser coupler mounted on an optical pickup device for an optical disk device using the above laser diode. Laser coupler 1
Is mounted in a concave portion of the first package member 2 and sealed by a transparent second package member 3 such as glass.
【０００９】図７（ｂ）は上記のレーザカプラ１の要部
拡大斜視図である。例えば、シリコンの単結晶を切り出
した基板である集積回路基板３０上に、モニター用の光
検出素子としてのＰＩＮダイオード３１が形成された半
導体ブロック３２が配置され、さらに、この半導体ブロ
ック３２上に、発光素子として図５に示す構造のレーザ
ダイオードＬＤが配置されている。FIG. 7B is an enlarged perspective view of a main part of the laser coupler 1 described above. For example, a semiconductor block 32 on which a PIN diode 31 as a photodetector for monitoring is formed is disposed on an integrated circuit substrate 30 which is a substrate obtained by cutting out a single crystal of silicon. A laser diode LD having a structure shown in FIG. 5 is arranged as a light emitting element.
【００１０】一方、集積回路基板３０には、例えばフォ
トダイオード３３が形成され、このフォトダイオード３
３上に、レーザダイオードＬＤと所定間隔をおいて、プ
リズム３４が搭載されている。On the other hand, a photodiode 33, for example, is formed on the integrated circuit board 30.
A prism 34 is mounted on 3 at a predetermined distance from the laser diode LD.
【００１１】上記のレーザダイオードＬＤのレーザ光出
射部（活性層）からは、例えば６５０ｎｍ帯の波長のレ
ーザ光Ｌａが出射される。From the laser beam emitting portion (active layer) of the laser diode LD, for example, a laser beam La having a wavelength in the 650 nm band is emitted.
【００１２】レーザダイオードＬＤから出射されたレー
ザ光Ｌａは、プリズム３４の分光面３４ａで一部反射し
て進行方向を略９０°屈曲し、第２パッケージ部材３に
形成された出射窓から出射方向に出射し、不図示の反射
ミラーや対物レンズなどを介してＤＶＤやＣＤなどの光
ディスクなどの被照射対象物に照射される。上記の被照
射対象物からの反射光は、被照射対象物への入射方向と
反対方向に進み、レーザカプラ１からの出射方向からプ
リズム３４の分光面３４ａに入射する。このプリズム３
４の上面で焦点を結びながら、プリズム３４の下面とな
る集積回路基板３０上に形成された２か所のフォトダイ
オード３３に入射する。The laser beam La emitted from the laser diode LD is partially reflected by the spectral surface 34a of the prism 34, and its traveling direction is bent by approximately 90 °, and emitted from an emission window formed in the second package member 3. And irradiates an object to be irradiated such as an optical disk such as a DVD or a CD via a reflection mirror or an objective lens (not shown). The reflected light from the irradiation target advances in the direction opposite to the incident direction on the irradiation target, and enters the spectral surface 34a of the prism 34 from the emission direction from the laser coupler 1. This prism 3
While focusing on the upper surface of 4, the light is incident on two photodiodes 33 formed on the integrated circuit substrate 30 serving as the lower surface of the prism 34.
【００１３】また、半導体ブロック３２上に形成された
ＰＩＮダイオード３１は、レーザダイオードＬＤ１のリ
ア側に出射されたレーザ光を感知し、レーザ光の強度を
測定して、レーザ光の強度が一定となるようにレーザダ
イオードＬＤの駆動電流を制御するＡＰＣ（Automatic
Power Control ）制御が行われる。The PIN diode 31 formed on the semiconductor block 32 senses the laser light emitted to the rear side of the laser diode LD1, measures the intensity of the laser light, and determines that the intensity of the laser light is constant. APC (Automatic) that controls the drive current of the laser diode LD
Power Control) is performed.
【００１４】図８は、上記のレーザカプラを用いて光学
ピックアップ装置を構成した時の例を示す構成図であ
る。レーザカプラ１に内蔵されるレーザダイオードから
出射されたレーザ光ＬａをコリメータＣ、ミラーＭ、Ｃ
Ｄ用開口制限アパーチャＲおよび対物レンズＯＬを介し
て、ＤＶＤやＣＤなどの光ディスクＤに入射する。光デ
ィスクＤからの反射光は、入射光と同一の経路をたどっ
てレーザカプラに戻り、レーザカプラに内蔵されるフォ
トダイオードにより受光される。FIG. 8 is a configuration diagram showing an example in which an optical pickup device is configured using the above laser coupler. The laser beam La emitted from the laser diode incorporated in the laser coupler 1 is collimated by a collimator C, mirrors M and C
The light is incident on an optical disc D such as a DVD or a CD via the aperture limiting aperture R for D and the objective lens OL. The reflected light from the optical disk D returns to the laser coupler along the same path as the incident light, and is received by a photodiode built in the laser coupler.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、レーザダイオードから出射されたレーザ光Ｌａ
の光軸上にミラーＭあるいはプリズムの分光面などの反
射面を配置し、進行方向を略９０°屈曲させて使用する
レーザダイオードにおいては、レーザ光の戻り光Ｌｂが
ｐ電極２０に対して上方から入射することになり、この
場合、ｐ電極２０表面の反射率が９０％以上と高い特性
であることから、上記戻り光Ｌｂをほぼそのまま反射光
Ｌｃとして戻してしまうので、この強い反射光Ｌｃがレ
ーザ共振器に戻ってくると、活性層の屈折率が温度やキ
ャリア密度の大きく依存することから発振状態に大きな
影響を与えてレーザ発振が不安定となり、レーザ光Ｌａ
と干渉してレーザ光Ｌａのノイズの原因となる。However, as described above, the laser light La emitted from the laser diode
A mirror M or a reflecting surface such as a spectral surface of a prism is disposed on the optical axis, and the traveling direction is bent by about 90 °. In this case, since the reflectance of the surface of the p-electrode 20 is as high as 90% or more, the return light Lb is returned as it is as the reflected light Lc. Returns to the laser resonator, the refractive index of the active layer greatly depends on the temperature and the carrier density, and thus greatly affects the oscillation state, and the laser oscillation becomes unstable.
And cause noise of the laser beam La.
【００１６】本発明は上述の状況に鑑みてなされたもの
であり、従って本発明は、発振状態に影響を与えるレー
ザ光の戻り光を低減してノイズを抑制した半導体発光素
子および半導体発光装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above situation, and accordingly, the present invention provides a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device in which return light of a laser beam affecting an oscillation state is reduced to suppress noise. The purpose is to provide.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体発光素子は、レーザ光を出射する半
導体発光素子であって、少なくとも第１導電型の第１ク
ラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層の
積層体を含む半導体積層体と、前記第１クラッド層側の
前記半導体積層体の表面に形成された第１電極と、前記
第２クラッド層側の前記半導体積層体の表面に形成され
た第２電極とを有し、前記第１電極は、少なくとも前記
レーザ光の戻り光が当たる部分を除く領域の前記半導体
積層体の表面に形成されている。In order to achieve the above object, a semiconductor light emitting device according to the present invention is a semiconductor light emitting device for emitting a laser beam, comprising at least a first cladding layer of a first conductivity type and an active layer. A semiconductor stack including a stack of a second cladding layer of a second conductivity type; a first electrode formed on a surface of the semiconductor stack on the first cladding layer side; and a second cladding layer side. A second electrode formed on the surface of the semiconductor laminate, and the first electrode is formed on the surface of the semiconductor laminate at least in a region excluding a portion to which the return light of the laser light is applied. .
【００１８】上記の本発明の半導体発光素子は、好適に
は、前記レーザ光は前記活性層から出射された後、進行
方向を略９０°屈曲して取り出される。In the semiconductor light emitting device of the present invention described above, preferably, the laser light is emitted from the active layer, and then is extracted by bending the traveling direction by approximately 90 °.
【００１９】上記の本発明の半導体発光素子は、好適に
は、前記第２電極の側からマウントされて用いられる。The above-described semiconductor light emitting device of the present invention is preferably used by being mounted from the side of the second electrode.
【００２０】上記の本発明の半導体発光素子は、好適に
は、前記レーザ光の波長の光に対する前記半導体積層体
の反射率は、前記第１電極よりも低い。In the semiconductor light emitting device of the present invention described above, preferably, the reflectance of the semiconductor laminate to light having the wavelength of the laser light is lower than that of the first electrode.
【００２１】上記の本発明の半導体発光素子は、少なく
とも第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導
電型の第２クラッド層の積層体を含む半導体積層体とを
有しており、第１クラッド層側の半導体積層体の表面に
おいて、レーザ光の戻り光が当たる部分を除く領域に、
第１電極が形成されている。即ち、レーザ光の戻り光が
当たる部分では半導体積層体の表面が露出している。従
って、第１電極は通常金属で形成されるので反射率は高
いが、半導体積層体の反射率は通常金属よりも低いの
で、半導体発光素子上面におけるレーザ光の戻り光の反
射を低減することができ、これによりレーザ共振器に戻
ってくる戻り光を低減して、出射するレーザ光のノイズ
を抑制することができる。The semiconductor light-emitting device of the present invention has at least a semiconductor laminate including a laminate of a first conductive type first clad layer, an active layer, and a second conductive type second clad layer. In the surface of the semiconductor laminate on the side of the first cladding layer, in a region except for a portion where the return light of the laser beam is applied,
A first electrode is formed. That is, the surface of the semiconductor laminated body is exposed in a portion where the return light of the laser beam is applied. Therefore, although the first electrode is usually formed of a metal, the reflectance is high, but the reflectance of the semiconductor laminate is usually lower than that of the metal. Thus, the return light returning to the laser resonator can be reduced, and the noise of the emitted laser light can be suppressed.
【００２２】上記の半導体発光素子が第２電極の側から
マウントされて、レーザ光が活性層から出射された後、
進行方向を略９０°屈曲して取り出される場合に、戻り
光が第１電極上方から入射することになるが、上記のよ
うにレーザ光の戻り光が当たる部分を除く領域に、第１
電極が電極が形成されているので、その反射を抑制する
ことが可能となっている。After the above-mentioned semiconductor light emitting device is mounted from the side of the second electrode and laser light is emitted from the active layer,
When the traveling direction is bent at about 90 ° and the light is taken out, the return light is incident from above the first electrode.
Since the electrode is formed with the electrode, it is possible to suppress the reflection.
【００２３】また、上記の目的を達成するため、本発明
の半導体発光装置は、基板にレーザ光を出射する半導体
発光素子を少なくとも２個以上有する半導体発光装置で
あって、基板上に形成された少なくとも第１導電型の第
１クラッド層と、第１活性層と、第２導電型の第２クラ
ッド層の積層体を含む第１半導体積層体と、前記第１半
導体積層体の表面に形成された第１電極と、前記基板上
に形成された少なくとも第１導電型の第３クラッド層
と、第２活性層と、第２導電型の第４クラッド層の積層
体を含む第２半導体積層体と、前記第２半導体積層体の
表面に形成された第２電極と、前記基板の裏面に形成さ
れた第３電極とを有し、少なくとも前記第１電極および
前記第２電極、または、前記第３電極のいずれかが、少
なくとも前記レーザ光の戻り光が当たる部分を除く領域
に形成されている。In order to achieve the above object, a semiconductor light emitting device of the present invention is a semiconductor light emitting device having at least two semiconductor light emitting elements for emitting laser light on a substrate, wherein the semiconductor light emitting device is formed on the substrate. A first semiconductor laminate including at least a first clad layer of a first conductivity type, a first active layer, and a second clad layer of a second conductivity type; and a first semiconductor laminate formed on a surface of the first semiconductor laminate. A second semiconductor laminate including a laminated first electrode, a third cladding layer of at least a first conductivity type formed on the substrate, a second active layer, and a fourth cladding layer of a second conductivity type. And a second electrode formed on a front surface of the second semiconductor laminate, and a third electrode formed on a back surface of the substrate, wherein at least the first electrode and the second electrode, or One of the three electrodes is at least the laser It is formed in a region excluding the portions of the return light strikes.
【００２４】上記の本発明の半導体発光装置は、少なく
とも第１電極および第２電極、または、第３電極のいず
れかが、レーザ光の戻り光が当たる部分を除く領域に形
成されている。即ち、複数個の半導体発光素子を有する
場合においても、それぞれの半導体発光素子において、
レーザ光の戻り光が当たる部分では半導体積層体または
基板の表面が露出している。従って、電極は通常金属で
形成されるので反射率は高いが、半導体積層体または基
板の反射率は通常金属よりも低いので、半導体発光素子
上面におけるレーザ光の戻り光の反射を低減することが
でき、これによりレーザ共振器に戻ってくる戻り光を低
減して、出射するレーザ光のノイズを抑制することがで
きる。In the above-described semiconductor light emitting device of the present invention, at least one of the first electrode and the second electrode or the third electrode is formed in a region excluding a portion to which the return light of the laser light is applied. That is, even when having a plurality of semiconductor light emitting elements, in each semiconductor light emitting element,
The surface of the semiconductor laminate or the substrate is exposed in a portion where the return light of the laser light is applied. Therefore, the electrode is usually formed of a metal, so that the reflectivity is high, but the reflectivity of the semiconductor laminate or the substrate is usually lower than that of the metal. Thus, the return light returning to the laser resonator can be reduced, and the noise of the emitted laser light can be suppressed.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光素子お
よびこれを用いたレーザカプラおよび光ディスク装置の
実施の形態について図面を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a semiconductor light emitting device, a laser coupler and an optical disk device using the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２６】第１実施形態 図１（ａ）は、本実施形態に係る半導体発光素子（レー
ザダイオード）の斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）中の
Ａ−Ａ’における断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）中の
Ｂ−Ｂ’における断面図である。本実施形態に係るレー
ザダイオードは、例えば６５０ｎｍあるいは７８０ｎｍ
の波長のレーザ光を発光する。 First Embodiment FIG. 1A is a perspective view of a semiconductor light emitting device (laser diode) according to this embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA 'in FIG. FIG. 1C is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. The laser diode according to the present embodiment is, for example, 650 nm or 780 nm.
Emits a laser beam having a wavelength of
【００２７】例えば、ＧａＡｓなどのｎ型基板１１上に
ＩｎＧａＰなどからなる不図示のバッファ層が形成され
ており、その上層に、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ
型クラッド層１２、活性層（例えば発振波長６５０ｎｍ
あるいは７８０ｎｍの多重量子井戸構造）１３、例えば
ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１４、例えばＧ
ａＡｓからなるｐ型キャップ層１５が積層して、半導体
積層体１０が形成されている。ｐ型キャップ層１５表面
からｐ型クラッド層１４の途中の深さまで絶縁化された
領域１６となって、ゲインガイド型の電流狭窄構造とな
るストライプを形成している。For example, a buffer layer (not shown) made of InGaP or the like is formed on an n-type substrate 11 made of GaAs or the like, and an n-type buffer made of AlGaInP is formed thereover.
Type cladding layer 12, an active layer (for example, an oscillation wavelength of 650 nm)
Alternatively, a p-type cladding layer 14 made of, for example, AlGaInP,
The semiconductor stacked body 10 is formed by stacking the p-type cap layers 15 made of aAs. The region 16 is insulated from the surface of the p-type cap layer 15 to a depth in the middle of the p-type cladding layer 14 to form a stripe having a gain guide type current confinement structure.
【００２８】上記のレーザダイオードを構成する半導体
積層体１０において、ｐ型キャップ層１５および絶縁化
された領域１６の上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層体など
からなるｐ電極２０が形成されており、ｎ型基板１１の
下面を被覆してＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層体などから
なるｎ電極２１が接続して形成されている。In the semiconductor laminate 10 constituting the laser diode, a p-type electrode 20 made of a laminate of Ti / Pt / Au or the like is formed on the upper surface of the p-type cap layer 15 and the insulated region 16. An n-electrode 21 made of AuGe / Ni / Au or the like is connected to the lower surface of the n-type substrate 11 so as to cover the lower surface.
【００２９】図２は、上記のレーザダイオードを用いる
ときの電圧の印加とレーザ光の出射方向および戻り光の
進行方向を説明する図であり、（ａ）はレーザダイオー
ドの上面から見たときの平面図、（ｂ）は図１（ｂ）に
相当する模式的断面図である。上記の構造のレーザダイ
オードは、ｐ電極２０とｎ電極２１に電源Ｂにより所定
の電圧を印加されると、活性層１３のレーザ光出射部か
ら、例えば６５０ｎｍ帯あるいは７８０ｎｍ帯の波長の
レーザ光Ｌａが出射される。FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining the application of voltage when using the above-mentioned laser diode, the emission direction of laser light, and the traveling direction of return light. FIG. 2A shows the state when viewed from the top of the laser diode. FIG. 1B is a plan view, and FIG. 1B is a schematic sectional view corresponding to FIG. When a predetermined voltage is applied to the p-electrode 20 and the n-electrode 21 from the power supply B, the laser diode having the above structure emits a laser beam La having a wavelength of, for example, a 650 nm band or a 780 nm band from the laser beam emitting portion of the active layer 13. Is emitted.
【００３０】上記のようにレーザダイオードの各電極に
電圧を印加するにあたっては、一方の電極側、例えばｎ
電極２１側から半導体ブロックなどの不図示の基台上に
ハンダなどにより接続および固定し、他方の電極、例え
ばｐ電極２０にはリードなどにより電気的に接続して使
用する。上記において、レーザ光Ｌａは基台のマウント
面に平行に出射されるが、マウント面に近接して進行す
るレーザ光は光学系を構成しにくいことから、レーザ光
Ｌａの光軸上にミラーＭあるいはプリズムの分光面など
の反射面を配置し、進行方向を略９０°屈曲させて使用
することが多い。As described above, when applying a voltage to each electrode of the laser diode, one electrode side, for example, n
The electrode 21 is connected and fixed to a base (not shown) such as a semiconductor block by a solder or the like, and is electrically connected to the other electrode, for example, the p-electrode 20 by a lead or the like. In the above description, the laser light La is emitted in parallel to the mount surface of the base, but the laser light traveling close to the mount surface is difficult to form an optical system. Alternatively, a reflection surface such as a spectral surface of a prism is disposed, and the traveling direction is often bent at about 90 ° for use.
【００３１】上記の場合、レーザ光の戻り光Ｌｂがｐ電
極２０に対して上方から入射することになるが、図１お
よび図２に示すように、本実施形態にレーザダイオード
においては、ｐ電極２０は少なくともレーザ光の戻り光
が当たる部分Ｓを除く領域に形成されており、即ち、レ
ーザ光の戻り光が当たる部分Ｓを含む領域２０ａにおい
て半導体積層体１０の表面が露出している。ＧａＡｓ系
化合物の半導体積層体の反射率は、６５０ｎｍの光に対
しては約３３％、７８０ｎｍの光に対しても約３３％
と、上記金属で形成されるｐ電極２０よりも低いので、
レーザダイオード上面におけるレーザ光の戻り光の反射
光Ｌｃを低減することができ、これによりレーザ共振器
に戻ってくる戻り光を低減して、出射するレーザ光のノ
イズを抑制することができる。In the above case, the return light Lb of the laser beam is incident on the p-electrode 20 from above, but as shown in FIGS. Numeral 20 is formed at least in a region excluding the portion S to which the return light of the laser light is applied, that is, the surface of the semiconductor multilayer body 10 is exposed in a region 20a including the portion S to which the return light of the laser light is applied. The reflectivity of the GaAs compound semiconductor laminate is about 33% for light of 650 nm and about 33% for light of 780 nm.
And lower than the p-electrode 20 formed of the above metal,
The reflected light Lc of the return light of the laser light on the upper surface of the laser diode can be reduced, whereby the return light returning to the laser resonator can be reduced, and the noise of the emitted laser light can be suppressed.
【００３２】例えば、上記戻り光のスポット径が約３３
μｍ、振れ幅が±４μｍであり、戻り光スポットの中心
が半導体積層体１０のレーザ光出射側端面から１３μｍ
入り込んだ位置であることから、２００×２５０μｍ2
の半導体積層体１０の上面の内、レーザ光の出射側端部
から４１×３３．５μｍ2 の面積において半導体積層体
１０が露出するようにする必要がある。実際には、プロ
セスマージンを考慮して、レーザ光の出射側端部から２
００×６０μｍ2 の面積において半導体積層体１０が露
出するようにｐ電極２０をレイアウトする。For example, the spot diameter of the return light is about 33
μm, the amplitude is ± 4 μm, and the center of the return light spot is 13 μm from the end face of the semiconductor laminate 10 on the laser light emission side.
200 × 250 μm 2
It is necessary to expose the semiconductor laminate 10 in an area of 41 × 33.5 μm 2 from the end of the laser beam emission side in the upper surface of the semiconductor laminate 10. Actually, in consideration of the process margin, 2 mm from the laser light emission side end.
The p-electrode 20 is laid out such that the semiconductor laminate 10 is exposed in an area of 00 × 60 μm 2 .
【００３３】図７（ａ）は、上記のレーザダイオードを
用いた光ディスク装置用の光学ピックアップ装置に搭載
されるレーザカプラの斜視図である。レーザカプラ１
は、第１パッケージ部材２の凹部に装填され、ガラスな
どの透明な第２パッケージ部材３により封止されてい
る。FIG. 7A is a perspective view of a laser coupler mounted on an optical pickup device for an optical disk device using the above laser diode. Laser coupler 1
Is mounted in a concave portion of the first package member 2 and sealed by a transparent second package member 3 such as glass.
【００３４】図７（ｂ）は上記のレーザカプラ１の要部
拡大斜視図である。例えば、シリコンの単結晶を切り出
した基板である集積回路基板３０上に、モニター用の光
検出素子としてのＰＩＮダイオード３１が形成された半
導体ブロック３２が配置され、さらに、この半導体ブロ
ック３２上に、発光素子として図５に示す構造のレーザ
ダイオードＬＤが配置されている。FIG. 7B is an enlarged perspective view of a main part of the laser coupler 1 described above. For example, a semiconductor block 32 on which a PIN diode 31 as a photodetector for monitoring is formed is disposed on an integrated circuit substrate 30 which is a substrate obtained by cutting out a single crystal of silicon. A laser diode LD having a structure shown in FIG. 5 is arranged as a light emitting element.
【００３５】一方、集積回路基板３０には、例えばフォ
トダイオード３３が形成され、このフォトダイオード３
３上に、レーザダイオードＬＤと所定間隔をおいて、プ
リズム３４が搭載されている。On the other hand, for example, a photodiode 33 is formed on the integrated circuit substrate 30.
A prism 34 is mounted on 3 at a predetermined distance from the laser diode LD.
【００３６】上記のレーザダイオードＬＤのレーザ光出
射部（活性層）からは、例えば６５０ｎｍ帯あるいは７
８０ｎｍ帯の波長のレーザ光Ｌａが出射される。From the laser beam emitting portion (active layer) of the laser diode LD, for example, a 650 nm band or 7
A laser beam La having a wavelength in the 80 nm band is emitted.
【００３７】レーザダイオードＬＤから出射されたレー
ザ光Ｌａは、プリズム３４の分光面３４ａで一部反射し
て進行方向を略９０°屈曲し、第２パッケージ部材３に
形成された出射窓から出射方向に出射し、不図示の反射
ミラーや対物レンズなどを介してＤＶＤやＣＤなどの光
ディスクなどの被照射対象物に照射される。上記の被照
射対象物からの反射光は、被照射対象物への入射方向と
反対方向に進み、レーザカプラ１からの出射方向からプ
リズム３４の分光面３４ａに入射する。このプリズム３
４の上面で焦点を結びながら、プリズム３４の下面とな
る集積回路基板３０上に形成された２か所のフォトダイ
オード３３に入射する。The laser beam La emitted from the laser diode LD is partially reflected by the spectral surface 34a of the prism 34, and its traveling direction is bent by approximately 90 °, and emitted from an emission window formed in the second package member 3. And irradiates an object to be irradiated such as an optical disk such as a DVD or a CD via a reflection mirror or an objective lens (not shown). The reflected light from the irradiation target advances in the direction opposite to the incident direction on the irradiation target, and enters the spectral surface 34a of the prism 34 from the emission direction from the laser coupler 1. This prism 3
While focusing on the upper surface of 4, the light is incident on two photodiodes 33 formed on the integrated circuit substrate 30 serving as the lower surface of the prism 34.
【００３８】また、半導体ブロック３２上に形成された
ＰＩＮダイオード３１は、レーザダイオードＬＤ１のリ
ア側に出射されたレーザ光を感知し、レーザ光の強度を
測定して、レーザ光の強度が一定となるようにレーザダ
イオードＬＤの駆動電流を制御するＡＰＣ（Automatic
Power Control ）制御が行われる。The PIN diode 31 formed on the semiconductor block 32 senses the laser light emitted to the rear side of the laser diode LD1, measures the intensity of the laser light, and determines that the intensity of the laser light is constant. APC (Automatic) that controls the drive current of the laser diode LD
Power Control) is performed.
【００３９】図８は、上記のレーザカプラを用いて光学
ピックアップ装置を構成した時の例を示す構成図であ
る。レーザカプラ１に内蔵されるレーザダイオードから
出射されたレーザ光ＬａをコリメータＣ、ミラーＭ、Ｃ
Ｄ用開口制限アパーチャＲおよび対物レンズＯＬを介し
て、ＤＶＤやＣＤなどの光ディスクＤに入射する。光デ
ィスクＤからの反射光は、入射光と同一の経路をたどっ
てレーザカプラに戻り、レーザカプラに内蔵されるフォ
トダイオードにより受光される。FIG. 8 is a configuration diagram showing an example in which an optical pickup device is configured using the above laser coupler. The laser beam La emitted from the laser diode incorporated in the laser coupler 1 is collimated by a collimator C, mirrors M and C
The light is incident on an optical disk D such as a DVD or a CD via the aperture limiting aperture R for D and the objective lens OL. The reflected light from the optical disk D follows the same path as the incident light, returns to the laser coupler, and is received by a photodiode built in the laser coupler.
【００４０】上記のレーザダイオードの形成方法例につ
いて説明する。まず、ｎ型のＧａＡｓ基板１１上に、例
えば有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）
などのエピタキシャル成長法により、例えばＩｎＧａＰ
からなる不図示のｎ型バッファ層、例えばＡｌＧａＩｎ
Ｐからなるｎ型クラッド層１２、活性層（発振波長６５
０ｎｍあるいは７８０ｎｍの多重量子井戸構造）１３、
例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１４、例
えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１５を順に積層さ
せ、レジスト膜により電流注入領域となる部分を保護し
て不純物をイオン注入などにより導入し、ｐ型キャップ
層１５表面からｐ型クラッド層１４の途中の深さまで絶
縁化された領域１６を形成し、ゲインガイド型の電流狭
窄構造となるストライプとする。An example of a method of forming the above laser diode will be described. First, for example, a metal organic chemical vapor deposition (MOVPE) is formed on an n-type GaAs substrate 11.
For example, by the epitaxial growth method such as InGaP
Buffer layer (not shown) made of, for example, AlGaIn
P-type n-type cladding layer 12, active layer (oscillation wavelength 65
0 nm or 780 nm multiple quantum well structure) 13,
For example, a p-type cladding layer 14 made of, for example, AlGaInP, a p-type cap layer 15 made of, for example, GaAs is sequentially stacked, and a portion serving as a current injection region is protected by a resist film, and impurities are introduced by ion implantation or the like. A region 16 insulated from the surface 15 to a depth in the middle of the p-type cladding layer 14 is formed to form a stripe having a gain guide type current confinement structure.
【００４１】次に、スパッタリング法などの成膜法によ
り、ｐ型キャップ層１５および絶縁化された領域１６の
上面を被覆してＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどのｐ型電極２０を
形成し、一方、ｎ型基板１１の下面を被覆してＡｕＧｅ
／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型電極２１を形成する。ここで、
ｐ型電極２０は、上記のように、レーザ光の戻り光が当
たる部分Ｓを含む領域２０ａにおいてエッチングなどに
より除去し、半導体積層体１０の表面を露出させる。以
降は、ペレタイズ工程などを経て、図１に示すレーザダ
イオードとする。Next, a p-type electrode 20 such as Ti / Pt / Au is formed by coating the upper surfaces of the p-type cap layer 15 and the insulated region 16 by a film forming method such as a sputtering method. AuGe by covering the lower surface of the n-type substrate 11
An n-type electrode 21 such as / Ni / Au is formed. here,
As described above, the p-type electrode 20 is removed by etching or the like in the region 20a including the portion S to which the return light of the laser beam is applied, and the surface of the semiconductor stacked body 10 is exposed. Thereafter, the laser diode shown in FIG. 1 is obtained through a pelletizing process and the like.
【００４２】第２実施形態 図３（ａ）は、本実施形態に係る半導体発光素子（レー
ザダイオード）の斜視図、図３（ｂ）は図３（ａ）中の
Ａ−Ａ’における断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）中の
Ｂ−Ｂ’における断面図である。また、図４は、上記の
レーザダイオードを用いるときの電圧の印加とレーザ光
の出射方向および戻り光の進行方向を説明する図であ
り、（ａ）はレーザダイオードの上面から見たときの平
面図、（ｂ）は図３（ｂ）に相当する模式的断面図であ
る。 Second Embodiment FIG. 3A is a perspective view of a semiconductor light emitting device (laser diode) according to this embodiment, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. FIG. 3C is a cross-sectional view taken along a line BB ′ in FIG. FIGS. 4A and 4B are diagrams for explaining the application of voltage when using the above laser diode, the emission direction of laser light, and the traveling direction of return light. FIG. 4A is a plan view when viewed from the upper surface of the laser diode. FIG. 3B is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG.
【００４３】本実施形態に係るレーザダイオードは、実
質的に第１実施形態に係るレーザダイオードと同様であ
るが、ｐ電極２０のレイアウトパターンが異なり、半導
体積層体１０の表面が露出しているレーザ光の戻り光が
当たる部分Ｓを含む領域２０ａの面積が、第１実施形態
よりも狭く配置されている。The laser diode according to this embodiment is substantially the same as the laser diode according to the first embodiment, except that the layout pattern of the p-electrode 20 is different and the surface of the semiconductor laminate 10 is exposed. The area of the region 20a including the portion S to which the return light of light is applied is arranged to be smaller than in the first embodiment.
【００４４】例えば、第１実施形態ち同様に、上記戻り
光のスポット径が約３３μｍ、振れ幅が±４μｍであ
り、戻り光スポットの中心が半導体積層体１０のレーザ
光出射側端面から１３μｍ入り込んだ位置であることか
ら、２００×２５０μｍ2 の半導体積層体１０の上面の
内、レーザ光の出射側端部から４１×３３．５μｍ2 の
面積において半導体積層体１０が露出するようにする必
要がある。実際には、プロセスマージンを考慮して、レ
ーザ光の出射側端部から６０×６０μｍ2 の面積におい
て半導体積層体１０が露出するようにｐ電極２０をレイ
アウトする。For example, similarly to the first embodiment, the spot diameter of the return light is about 33 μm, the swing width is ± 4 μm, and the center of the return light spot is 13 μm from the end face of the semiconductor laminate 10 on the laser light emission side. Therefore, it is necessary to expose the semiconductor laminated body 10 in an area of 41 × 33.5 μm 2 from the end of the laser beam emission side in the upper surface of the semiconductor laminated body 10 of 200 × 250 μm 2. is there. Actually, the p-electrode 20 is laid out so as to expose the semiconductor laminate 10 in an area of 60 × 60 μm 2 from the end of the laser beam emission side in consideration of the process margin.
【００４５】本実施形態にレーザダイオードにおいて
も、第１実施形態と同様に、レーザダイオード上面にお
けるレーザ光の戻り光の反射光Ｌｃを低減することがで
き、これによりレーザ共振器に戻ってくる戻り光を低減
して、出射するレーザ光のノイズを抑制することができ
る。In the laser diode according to the present embodiment, similarly to the first embodiment, the reflected light Lc of the return light of the laser light on the upper surface of the laser diode can be reduced, thereby returning the laser light returning to the laser resonator. Light can be reduced, and noise of the emitted laser light can be suppressed.
【００４６】以上、本発明を実施形態により説明した
が、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されるもので
はない。例えば、本発明に係る発光素子の発光波長は、
７８０ｎｍ帯あるいは６５０ｎｍ帯に限定されるもので
はなく、その他の光ディスクシステムに採用されている
波長とすることができる。すなわち、ＣＤやＤＶＤ以外
の光ディスクシステムを採用することができる。また、
本発明に係る２個あるいはあ３個以上の複数個の発光素
子を、モノリシックに構成した半導体発光装置に適用す
ることもできる。この場合、例えば、発光波長が異なる
発光素子、発光波長が同じで発光強度が異なるなどの素
子特性の異なる発光素子、さらに素子特性が同一の発光
素子などの複数個の発光素子を有する発光装置に適用す
ることが可能である。また、レーザダイオードの電流狭
窄構造としては、ゲインガイド型の他、インデックスガ
イド型、パルセーションレーザなど、様々な特性の他の
レーザに適用することも可能である。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことが可能で
ある。As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments. For example, the emission wavelength of the light emitting device according to the present invention is:
The wavelength is not limited to the 780 nm band or the 650 nm band, and may be a wavelength employed in other optical disk systems. That is, an optical disk system other than a CD or a DVD can be adopted. Also,
Two or three or more light-emitting elements according to the present invention can be applied to a semiconductor light-emitting device configured in a monolithic manner. In this case, for example, a light-emitting device having a plurality of light-emitting elements such as light-emitting elements with different emission wavelengths, light-emitting elements with different element characteristics such as the same emission wavelength and different emission intensity, and further, a light-emitting element with the same element characteristic. It is possible to apply. The current confinement structure of the laser diode can be applied to other lasers having various characteristics such as an index guide type and a pulsation laser, in addition to a gain guide type. In addition, various changes can be made without departing from the spirit of the present invention.
【００４７】[0047]
【発明の効果】本発明の半導体発光素子によれば、半導
体発光素子上面におけるレーザ光の戻り光の反射を低減
することができ、これによりレーザ共振器に戻ってくる
戻り光を低減して、出射するレーザ光のノイズを抑制す
ることができる。According to the semiconductor light emitting device of the present invention, it is possible to reduce the reflection of the return light of the laser light on the upper surface of the semiconductor light emitting device, thereby reducing the return light returning to the laser resonator. Noise of the emitted laser light can be suppressed.
【００４８】また、本発明の半導体発光装置によれば、
複数個の半導体発光素子を有する場合においても、それ
ぞれの半導体発光素子において、レーザ光の戻り光が当
たる部分では半導体積層体または基板の表面が露出して
おり、各半導体発光素子上面におけるレーザ光の戻り光
の反射を低減することができ、これによりレーザ共振器
に戻ってくる戻り光を低減して、出射するレーザ光のノ
イズを抑制することができる。According to the semiconductor light emitting device of the present invention,
Even in the case where a plurality of semiconductor light emitting elements are provided, in each semiconductor light emitting element, the surface of the semiconductor laminate or the substrate is exposed in a portion where the return light of the laser light is applied, and the laser light on the upper surface of each semiconductor light emitting element is exposed. The reflection of the return light can be reduced, whereby the return light returning to the laser resonator can be reduced, and the noise of the emitted laser light can be suppressed.
【図１】図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体発光
素子（レーザダイオード）の斜視図、図１（ｂ）は図１
（ａ）中のＡ−Ａ’における断面図、図１（ｃ）は図１
（ａ）中のＢ−Ｂ’における断面図である。FIG. 1A is a perspective view of a semiconductor light emitting device (laser diode) according to a first embodiment, and FIG.
FIG. 1C is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
It is sectional drawing in BB 'in (a).
【図２】図２は、図１に示すレーザダイオードを用いる
ときの電圧の印加とレーザ光の出射方向および戻り光の
進行方向を説明する図であり、（ａ）はレーザダイオー
ドの上面から見たときの平面図、（ｂ）は図１（ｂ）に
相当する模式的断面図である。FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining voltage application, laser light emission direction and return light traveling direction when the laser diode shown in FIG. 1 is used, and FIG. FIG. 1B is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG.
【図３】図３（ａ）は、第２実施形態に係る半導体発光
素子（レーザダイオード）の斜視図、図３（ｂ）は図３
（ａ）中のＡ−Ａ’における断面図、図３（ｃ）は図３
（ａ）中のＢ−Ｂ’における断面図である。FIG. 3A is a perspective view of a semiconductor light emitting device (laser diode) according to a second embodiment, and FIG.
FIG. 3C is a sectional view taken along line AA ′ in FIG.
It is sectional drawing in BB 'in (a).
【図４】図４は、図３に示すレーザダイオードを用いる
ときの電圧の印加とレーザ光の出射方向および戻り光の
進行方向を説明する図であり、（ａ）はレーザダイオー
ドの上面から見たときの平面図、（ｂ）は図３（ｂ）に
相当する模式的断面図である。4A and 4B are diagrams illustrating application of a voltage, a laser light emitting direction, and a return light traveling direction when the laser diode illustrated in FIG. 3 is used, and FIG. 4A is a view from the top of the laser diode. FIG. 3B is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG.
【図５】図５（ａ）は、従来例に係るレーザダイオード
の斜視図、図５（ｂ）は図５（ａ）中のＡ−Ａ’におけ
る断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）中のＢ−Ｂ’におけ
る断面図である。5 (a) is a perspective view of a laser diode according to a conventional example, FIG. 5 (b) is a cross-sectional view taken along AA 'in FIG. 5 (a), and FIG. 5 (c) is FIG. It is sectional drawing in BB 'in (a).
【図６】図６は、図５に示すレーザダイオードを用いる
ときの電圧の印加とレーザ光の出射方向および戻り光の
進行方向を説明する図であり、（ａ）はレーザダイオー
ドの上面から見たときの平面図、（ｂ）は図５（ｂ）に
相当する模式的断面図である。6A and 6B are diagrams for explaining application of a voltage when using the laser diode shown in FIG. 5, an emission direction of laser light, and a traveling direction of return light. FIG. 6A is a diagram viewed from the top of the laser diode. FIG. 5B is a schematic sectional view corresponding to FIG. 5B.
【図７】図７（ａ）は、本発明および従来例に係るレー
ザダイオードを用いた光ディスク装置用の光学ピックア
ップ装置に搭載されるレーザカプラの斜視図であり、図
７（ｂ）は上記のレーザカプラの要部拡大斜視図であ
る。FIG. 7A is a perspective view of a laser coupler mounted on an optical pickup device for an optical disk device using a laser diode according to the present invention and a conventional example, and FIG. It is a principal part expansion perspective view of a laser coupler.
【図８】図８は、本発明および従来例に係るレーザダイ
オードを備えたレーザカプラを用いて光学ピックアップ
装置を構成した時の例を示す構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram illustrating an example in which an optical pickup device is configured using a laser coupler including a laser diode according to the present invention and a conventional example.
１…レーザカプラ、２…第１パッケージ部材、３…第２
パッケージ部材、１０…半導体積層体、１１…ｎ型基
板、１２…ｎ型バッファ層、１３…活性層、１４…ｐ型
バッファ層、１５…ｐ型キャップ層、１６…絶縁化され
た領域、２０…ｐ電極、２０ａ…レーザ光の戻り光が当
たる部分を含む領域、２１…ｎ電極、３０…集積回路基
板、３１…ＰＩＮダイオード、３２…半導体ブロック、
３３…フォトダイオード、３４…プリズム、３４ａ・…
分光面、Ｂ…電源、Ｃ…コリメータ、Ｄ…光ディスク、
Ｌａレーザ光、Ｌｂ…戻り光、Ｌｃ…戻り光の反射光、
Ｌ…レーザダイオード、Ｍ…ミラー、ＯＬ…対物レン
ズ、Ｒ…ＣＤ用開口制限アパーチャ、Ｓ…レーザ光の戻
り光の当たる部分。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laser coupler, 2 ... 1st package member, 3 ... 2nd
Package member, 10: semiconductor laminate, 11: n-type substrate, 12: n-type buffer layer, 13: active layer, 14: p-type buffer layer, 15: p-type cap layer, 16: insulated region, 20 ... P-electrode, 20a area including a portion to which the return light of the laser beam shines, 21 n-electrode, 30 integrated circuit board, 31 PIN diode, 32 semiconductor block,
33 ... photodiode, 34 ... prism, 34a ...
Spectral surface, B: power supply, C: collimator, D: optical disk,
La laser light, Lb: return light, Lc: reflected light of return light,
L: Laser diode, M: Mirror, OL: Objective lens, R: Aperture limiting aperture for CD, S: Part where the return light of the laser beam hits.
Claims (5)
て、 少なくとも第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、
第２導電型の第２クラッド層の積層体を含む半導体積層
体と、 前記第１クラッド層側の前記半導体積層体の表面に形成
された第１電極と、 前記第２クラッド層側の前記半導体積層体の表面に形成
された第２電極とを有し、 前記第１電極は、少なくとも前記レーザ光の戻り光が当
たる部分を除く領域の前記半導体積層体の表面に形成さ
れている半導体発光素子。1. A semiconductor light emitting device that emits laser light, comprising: a first cladding layer of at least a first conductivity type; an active layer;
A semiconductor laminate including a laminate of a second cladding layer of a second conductivity type; a first electrode formed on a surface of the semiconductor laminate on the first cladding layer side; and a semiconductor on the second cladding layer side A second electrode formed on the surface of the multilayer body, wherein the first electrode is formed on the surface of the semiconductor multilayer body at least in a region excluding a portion where the return light of the laser beam is applied. .
後、進行方向を略９０°屈曲して取り出される請求項１
記載の半導体発光素子。2. The laser beam is emitted from the active layer and then extracted by bending the traveling direction by approximately 90 °.
The semiconductor light-emitting device according to claim 1.
られる請求項１記載の半導体発光素子。3. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein said semiconductor light emitting device is mounted and used from a side of said second electrode.
体積層体の反射率は、前記第１電極よりも低い請求項１
記載の半導体発光素子。4. The semiconductor laminate according to claim 1, wherein said semiconductor laminate has a lower reflectance with respect to light having a wavelength of said laser light than said first electrode.
The semiconductor light-emitting device according to claim 1.
を少なくとも２個以上有する半導体発光装置であって、 基板上に形成された少なくとも第１導電型の第１クラッ
ド層と、第１活性層と、第２導電型の第２クラッド層の
積層体を含む第１半導体積層体と、 前記第１半導体積層体の表面に形成された第１電極と、 前記基板上に形成された少なくとも第１導電型の第３ク
ラッド層と、第２活性層と、第２導電型の第４クラッド
層の積層体を含む第２半導体積層体と、 前記第２半導体積層体の表面に形成された第２電極と、 前記基板の裏面に形成された第３電極とを有し、 少なくとも前記第１電極および前記第２電極、または、
前記第３電極のいずれかが、少なくとも前記レーザ光の
戻り光が当たる部分を除く領域に形成されている半導体
発光装置。5. A semiconductor light-emitting device having at least two semiconductor light-emitting elements for emitting laser light on a substrate, comprising: a first cladding layer of at least a first conductivity type formed on the substrate; and a first active layer. A first semiconductor laminate including a laminate of a second cladding layer of a second conductivity type; a first electrode formed on a surface of the first semiconductor laminate; and at least a first electrode formed on the substrate. A second semiconductor laminate including a laminate of a conductive third clad layer, a second active layer, and a second conductive fourth clad layer; and a second semiconductor laminate formed on a surface of the second semiconductor laminate. An electrode, and a third electrode formed on a back surface of the substrate, at least the first electrode and the second electrode, or
A semiconductor light emitting device in which one of the third electrodes is formed at least in a region excluding a portion where the return light of the laser light is applied.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000131546A JP2001308446A (en) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000131546A JP2001308446A (en) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308446A true JP2001308446A (en) | 2001-11-02 |
Family
ID=18640423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000131546A Pending JP2001308446A (en) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308446A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010028020A (en) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Sharp Corp | Semiconductor laser element, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor laser element |
-
2000
- 2000-04-26 JP JP2000131546A patent/JP2001308446A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010028020A (en) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Sharp Corp | Semiconductor laser element, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor laser element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4599687B2 (en) | Laser diode, semiconductor light emitting device, and manufacturing method | |
| JP2000244060A (en) | Semiconductor light emitting device and its manufacture | |
| US6930024B2 (en) | Semiconductor laser device and method for fabricating the same | |
| US6185237B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP2001244570A (en) | Semiconductor laser, laser coupler data regenerating device, data recording device and method of manufacturing semiconductor laser | |
| US20060067375A1 (en) | Semiconductor laser array and semiconductor laser device having semiconductor laser array | |
| JP4844791B2 (en) | Semiconductor light emitting device and optical device using the same | |
| JP5633670B2 (en) | Light emitting device and optical device using the same | |
| JP2002232077A (en) | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method | |
| JP2001308446A (en) | Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device | |
| JP4617600B2 (en) | Two-wavelength semiconductor laser device | |
| JP2001185811A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP4561381B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
| JP2001250255A (en) | Optical apparatus and optical disk device | |
| US20050162994A1 (en) | Two-wavelength optical element | |
| JP4770002B2 (en) | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP4821829B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor light emitting device | |
| JP4281209B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor light emitting device | |
| JP3674266B2 (en) | Laser equipment | |
| JP2000187876A (en) | Optical device and optical disk drive | |
| JP3131497B2 (en) | Optical head device | |
| JP2004328011A (en) | Manufacturing method of semiconductor light emitting device | |
| JP2002133696A (en) | Optical integrated unit and optical pickup device | |
| JP2001244573A (en) | Method of manufacturing semiconductor light emitting device | |
| JP2001250254A (en) | Optical apparatus and optical disk device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061219 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100413 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100629 |