JPH07193021A - 熱処理装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents
熱処理装置及びそのクリーニング方法Info
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- JPH07193021A JPH07193021A JP5342356A JP34235693A JPH07193021A JP H07193021 A JPH07193021 A JP H07193021A JP 5342356 A JP5342356 A JP 5342356A JP 34235693 A JP34235693 A JP 34235693A JP H07193021 A JPH07193021 A JP H07193021A
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Abstract
ス置換効率を向上させて、配管途中に設けられたフィル
タ等のクリーニングが短時間行えるようにし、スループ
ットの向上を図る。 【構成】 反応容器41内を常時真空引きしつつ、反応
ガス供給配管23内に流量制御手段(MFC)29の上
流側(反応ガスボンベ25側)から不活性ガスを導入し
て配管23内の反応ガスを置換する。その後、MFC2
9の下流側の流路を遮断して上流側から配管23内を真
空引きして所定の真空度とする。これにより、ガス置換
効率を向上することができ、MFC29が抵抗となるこ
となく急速に真空引きすることができる。また、真空引
き後、配管23内に再度不活性ガスを導入することで、
配管23内に気化して残留していた反応ガス等を完全に
除去して不活性ガスで置換することができる。
Description
クリーニング方法に関するもので、更に詳細には、例え
ば半導体ウエハ等の被処理体に不純物拡散処理等を施す
ための熱処理装置及びそのクリーニング方法に関するも
のである。
半導体ウエハ(以下にウエハという)上に薄膜や酸化膜
等を積層したり、あるいは不純物の拡散等を行うのに、
CVD装置、酸化膜形成装置、あるいは拡散装置等が用
いられる。これらの装置には、高温加熱した反応容器内
に反応ガスを導入してウエハの処理を行う熱処理装置が
あり、熱処理装置は一度に大量のウエハを処理できるた
め多用されている。この種の熱処理装置においては、反
応容器内へ導入する反応ガスの流量を所定流量に適正に
制御するための流量制御手段が不可欠である。この流量
制御手段として、ガス流量検出センサとそのセンサ検出
値に基いて流路を絞り、ガス流量を設定流量に調節する
流量制御手段とを備えたいわゆるマスフローコントロー
ラが広く用いられている。
は、図3に示すように、反応容器1とマスフローコント
ローラ2とを結ぶ反応ガス供給配管3の途中に、ガス中
のパーティクルを捕集するためのファイナルフィルタ4
が設けられており、このフィルタ4に液化した反応ガス
等が付着して詰まりが生じ易い。また、マスフローコン
トローラ2においても、その内部のオリフィス部に液化
したガス等が付着して詰まりが生じ易い。そのため、定
期的に反応ガス供給配管3内を真空引きして、ファイナ
ルフィルタ4に付着した反応ガスを除去(クリーニン
グ)する必要がある。しかし、反応ガスとして可燃性ガ
スや有毒性ガスを使用している場合、真空引きの前に、
窒素(N2 )ガス等の不活性ガスを配管3内に導入し
て、配管3内に残っているガスを置換しなければならな
い。そこで、同図に示すように、マスフローコントロー
ラ2の上流側に不活性ガス供給源5を、下流側に真空ポ
ンプ6を接続している。このようにして不活性ガス供給
配管7と真空排気管8とに各々設けられたバルブ11,
12及び反応ガス供給配管3の反応容器1側(下流側)
と反応ガス供給源13側(上流側)とに設けられたバル
ブ9,10を個々に開閉操作することで、反応容器1へ
の反応ガス導入、反応ガス供給配管3内の真空引き及び
不活性ガス導入が適宜行えるようにしている。
応ガス供給配管3に設けられた上流側及び下流側の両バ
ルブ9,10を開き、不活性ガス供給配管7及び真空排
気管8に設けられたバルブ11,12を閉じる。この状
態で、反応ガス供給源13からの反応ガスがフィルタ1
4、マスフローコントローラ2及びファイナルフィルタ
4を通って反応容器1に導入され、ウエハの処理に供さ
れる。このとき反応容器1内はその下流側に接続された
真空ポンプ15によって所定の真空状態に真空引きされ
ており、処理後のガスは真空ポンプ15を通って図示し
ないガス処理装置へ送られる。
てクリーニングする場合は、まず反応ガス供給配管3の
上流側のバルブ10と真空排気管8のバルブ11を閉じ
た状態で、不活性ガス供給配管7のバルブ12を開き、
不活性ガス供給源5より反応ガス供給配管3内へ不活性
ガスを導入してガス置換を行なう。このガス置換は、上
流側(一次側)からの不活性ガスの押し出しのみによっ
て行われる。そして、反応ガス供給配管3内が不活性ガ
スで置換された後、不活性ガス供給配管7のバルブ12
を閉じ、真空排気管8のバルブ11を開いて、反応ガス
供給配管3内を真空排気管8と反応容器1の双方から真
空引きする。この真空引きによって、ファイナルフィル
タ4に液化して付着していた反応ガス等が除去される。
そして、この真空引きを十分行なった後、不活性ガス供
給配管7のバルブ12を閉じクリーニングを終了する。
クリーニング終了後、反応容器1に未処理のウエハをセ
ットし、反応ガス供給配管3の一次側のバルブ10を開
いて反応容器1内に反応ガスを導入し、次のウエハ処理
を行なう。
ガス供給配管内を真空引きしてクリーニングを行なうこ
とで、ファイナルフィルタ4やマスフローコントローラ
2の詰まりを防止し、ウエハ処理の際に常に適正な流量
で反応ガスを導入することができる。
たクリーニング方法は、マスフローコントローラ2内の
小径のオリフィスを通しての不活性ガスの導入を上流側
からの不活性ガスの押し出しのみによって行うためガス
置換効率が悪く、また、下流側より真空引きを行う際も
マスフローコントローラ2内の小径のオリフィスが抵抗
となるため、一次側の真空度が徐々にしか上がらず、ク
リーニングに時間がかかるという問題があった。
応ガス供給配管3の途中に、マスフローコントローラ2
を迂回させて開閉弁16を有するバイパス配管17を設
け、反応ガス導入時は開閉弁16を閉じておき、ガス置
換の際にこれを開いてガスを導入することも行われてい
る。これによって、マスフローコントローラ2の下流側
への不活性ガスの導入が円滑に行えるようになる。しか
し、真空引き効率の悪さは依然解消されていない。ま
た、バイパス配管17を設けたことにより、その内部に
反応ガスが残留して配管腐食が発生しやすくなるという
新たな問題が生じる。
で、反応ガス供給配管内の真空引き効率並びにガス置換
効率を向上させ、配管途中に設けられたフィルタ等のク
リーニングを短時間で行うことができる熱処理装置及び
そのクリーニング方法を提供することを目的とするもの
である。
にこの発明の第1の熱処理装置は、反応ガス供給配管及
び処理ガス排出管が接続された反応容器と、上記反応ガ
ス供給配管に取付けられた流量制御手段と、上記反応ガ
ス供給配管の流量制御手段より上流側にバルブを介して
接続された反応ガス供給手段と、上記反応ガス供給配管
の流量制御手段より上流側にバルブを介して接続された
不活性ガス供給手段と、上記処理ガス排出管に取付けら
れた真空ポンプと、上記反応ガス供給配管の流量制御手
段より上流側と、上記処理ガス排出管の真空ポンプより
上流側を互いに連結するバイパス配管と、上記反応ガス
供給配管の流量制御手段より下流側及びバイパス配管に
各々取付けられたバルブと、を具備したことを特徴とす
るものである(請求項1)。
応ガス供給配管及び処理ガス排出管が接続された反応容
器と、上記反応ガス供給配管に取付けられた流量制御手
段と、上記反応ガス供給配管の流量制御手段より上流側
にバルブを介して接続された反応ガス供給手段と、上記
反応ガス供給配管の流量制御手段より上流側にバルブを
介して接続された不活性ガス供給手段と、上記処理ガス
排出管に接続された第1の真空ポンプと、上記反応ガス
供給配管の流量制御手段より上流側にバルブを介して接
続された第2の真空ポンプと、上記反応ガス供給配管の
流量制御手段より下流側に取付けられたバルブと、を具
備したことを特徴とするものである(請求項2)。
ガス供給配管の流量制御手段より下流側にフィルタを取
付ける方が好ましい。
グ方法は、反応ガス供給配管及び処理ガス排出管が接続
された反応容器、反応ガス供給配管に取付けられた流量
制御手段とを具備した熱処理装置のクリーニング方法を
前提とし、上記処理ガス排出管内を真空引きすると共
に、上記反応ガス供給配管内に上記流量制御手段より上
流側から不活性ガスを導入して、上記反応ガス供給配管
内及び上記反応容器内の反応ガスを不活性ガスで置換す
る第1の工程と、上記処理ガス排出管内を真空引きする
と共に、上記反応ガス供給配管を流量制御手段の下流側
で遮断して、上記流量制御手段の下流側の反応ガス供給
配管内及び反応容器内を真空引きすると共に、上記流量
制御手段の上流側の反応ガス供給配管内を真空引きする
第2の工程と、を有することを特徴とするものである
(請求項3)。
工程において、流量制御手段の上流側の反応ガス供給配
管内は、反応ガス供給配管と処理ガス排出管とを連通す
るバイパス配管を介して、処理ガス排出管内の真空引き
と同時に真空引きすることができる(請求項4)。ま
た、上記第2の工程において、流量制御手段の上流側の
反応ガス供給配管内は、処理ガス排出管と独立して真空
引きすることができる(請求項5)。
記第1の工程と第2の工程からなるサイクルは任意の回
数でよいが、好ましくは第1の工程と第2の工程からな
るサイクルを10回以上繰り返す方がよい。この場合、
1サイクル中の第1の工程及び第2の工程をいずれも5
秒以内、好ましくは2秒以内で行う方がよい。また、第
1の工程において、反応容器及び反応ガス供給配管内を
1500〜1900Torrに加圧する方が好ましく、また
第2の工程において、反応容器及び反応ガス供給配管内
は、300Torr以下、好ましくは70Torr以下まで減圧
する方がよい。
供給手段のバルブを閉め、処理ガス排気管を真空ポンプ
で真空引きすると共に、反応ガス供給配管内に不活性ガ
ス供給手段のバルブを開として不活性ガスを導入して、
反応ガス供給配管内及び反応容器内の反応ガスを不活性
ガスで置換することができる。また、反応ガス供給配管
の流量制御手段より下流側のバルブを閉とし、バイパス
配管のバルブを開として流量制御手段の下流側の反応ガ
ス供給配管内及び反応容器内を真空引きすると共に、流
量制御手段の上流側の反応ガス供給配管内を真空引きす
ることができる。
ガス供給手段のバルブを閉め、処理ガス排気管を第1の
真空ポンプで真空引きすると共に、反応ガス供給配管内
に不活性ガス供給手段のバルブを開として不活性ガスを
導入して、反応ガス供給配管内及び反応容器内の反応ガ
スを不活性ガスで置換することができる。また、反応ガ
ス供給配管の流量制御手段より下流側のバルブを閉と
し、流量制御手段の下流側の反応ガス供給配管内及び反
応容器内を真空引きすると共に、第2の真空ポンプのバ
ルブを開とし、第2の真空ポンプにより流量制御手段の
上流側の反応ガス供給配管内を真空引きすることができ
る。
方法によれば、反応容器内を常時真空引きしつつ、反応
ガス供給配管内に流量制御手段の上流側から不活性ガス
を導入することで、効率良く短時間でガス置換が行われ
る。このガス置換の後、流量制御手段の下流側近傍の流
路を遮断し、上流側から配管内を真空引きすることで、
流量制御手段内が真空引きされ、その流路絞り部等に液
化して付着していた反応ガス等が除去される。一方、下
流側の配管内は、反応容器側から真空引きされるので、
短時間で所定の真空度に達し、その配管途中に設けられ
ているフィルタ等に液化して付着していた反応ガス等が
気化して除去されていく。このクリーニング処理を、次
の反応ガス導入の前に行なっておくことで、フィルタや
流量制御手段の詰まりを防止し、反応容器内に常に適正
な流量でクリーンな反応ガスを導入することができる。
したがって、真空引き効率並びにガス置換効率が良いの
で、クリーニングを短時間で行うことができ、スループ
ットの向上を図ることができる。
例に挙げ、この発明のクリーニング方法の一実施例につ
いて説明する。
と、この加熱炉40のヒータ40aの内側に配置された
石英製の反応容器41と、この反応容器41内に半導体
ウエハ等の被処理体Wを水平に多数保持した状態で矢印
18で示したようにロード、アンロードする石英製の熱
処理ボ−ト19とで主要部が構成されている。
端に開口されて形成された外筒20と、この外筒20内
に同軸的に設けられた上下両端が開口された内筒21と
を備え、全体として下端に開口部が形成された二重構造
の容器として構成されている。そして、この反応容器4
1内に上記熱処理ボ−ト19をロードすると、この熱処
理ボ−ト19下端の保温筒22に形成されたキャップ2
2aで反応容器41の開口部が封止されて気密状態とな
るように構成されている。
供給配管23並びに処理ガス排出管24が接続されてい
る。反応ガス供給配管23の上流端には、反応ガス、例
えばジクロールシラン(SiH2 Cl2 )を収容した反
応ガスボンべ25が設けられており、この反応ガスボン
べ25から反応容器41に至る反応ガス供給配管23の
管路途中には、上流側から順に、一次側フィルタ26、
圧力計27、第1のバルブ28、流量制御手段としての
マスフローコントローラ(以下にMFCという)29、
第2のバルブ30及びファイナルフィルタ31が配設さ
れている。一方、処理ガス排出管25には第1の真空ポ
ンプ32aが設けられ、この第1の真空ポンプ32aの
更に下流にはガス処理装置33が設けられている。
おいて、第1の真空ポンプ32aによって反応容器41
内を所定の真空状態に調節すると共に、第1、第2の両
方のバルブ28,30を開くことにより、反応ガスボン
べ25からの反応ガスが、一次側フィルタ26を通り、
ガス中のパーティクル等が除去される。次に、反応ガス
はMFC29内の図示しないオリフィス部で流量制御さ
れ、更にファイナルフィルタ31で液化した部分等が除
去されて反応容器41内に導入される。反応ガスは被処
理体Wの処理に供された後、処理ガス排出管24を通し
てガス処理装置33に収集され、ここで無害化処理され
て排気される。
管23に設けられたファイナルフィルタ31やMFC2
9は、液化した反応ガス等が付着して詰まりが生じ易
い。そのため、適宜反応ガス供給配管23内を真空引き
して、ファイナルフィルタ31やマスフローコントロー
ラ29をクリーニングする必要がある。
いては、この発明のクリーニング方法によって上記MF
C29及び上記ファイナルフィルタ31のクリーニング
を行なうために、上記反応ガス供給配管23のMFC2
9上流側と上記処理ガス排出管24の第1の真空ポンプ
32aより上流側とを第3のバルブ34を有するクリー
ニング用の配管35で連結する。この配管35の第3の
バルブ34と反応ガス供給配管23との間の管路途中
に、第4のバルブ36を有する分岐管37を介して例え
ば窒素(N2 )等の不活性ガスの供給源である不活性ガ
スボンべ38が接続されている。そして、第3,第4の
バルブ34,36と上記第1,第2のバルブ26,30
の4つのバルブを個々に開閉操作することで、反応容器
41への反応ガス導入、反応ガス供給配管23内の真空
引き及び不活性ガス導入が行えるようになっている。更
にまた、上記反応ガス供給配管23のMFC29より上
流側に、第5のバルブ42を有する連結管43を介して
第2の真空ポンプ32bが接続されている。なお、この
第2の真空ポンプ32bは必ずしも設けなくてもよい。
熱拡散処理を施す場合には、まず、加熱炉40で所定の
熱処理温度に加熱された反応容器41内へ熱処理ボ−ト
19をロードして水平に保持した多数の被処理体Wを反
応容器41内に収納する。このとき、反応容器41の開
口部は保温筒22のキャップ22aで封止される。次い
で、真空ポンプ33を駆動させて反応容器41内を所定
の真空度に保持した状態で、反応ガス供給配管23の第
1及び第2の両バルブ28,30を開とし、反応ガス供
給配管23を介して反応容器41内に反応ガスを所定流
量で所定時間供給して被処理体Wに熱拡散層を形成す
る。
グ処理を行う。クリーニング処理中、第1の真空ポンプ
32aは常に駆動させたままの状態としておく。クリー
ニング処理において、まず第1のバルブ28を閉じた
後、第4のバルブ36を開として反応ガス供給配管23
内にMFC29の上流側から不活性ガスを導入し、反応
ガス供給配管23及び反応容器41内の反応ガスを不活
性ガスに置換する。このガス置換における不活性ガスの
導入は、反応容器41側から反応ガス供給配管23内が
真空引きされつつ行われるので、短時間で十分なガス置
換がなされる。この場合、第3のバルブ34及び第5の
バルブ42は閉となっている(第1の工程)。
ガスの供給を断ち、第2のバルブ30を閉じてMFC2
9の下流側の流路を遮断した後、第3のバルブ34を開
く。これによって、反応ガス供給配管23内は、MFC
29の上流側と反応容器41側(下流側)の両側から真
空引きされる。そして、上流側からの真空引きにより、
MFC29内が急速に所定の真空度に真空引きされ、M
FC29のオリフィス部等に液化して付着していた反応
ガス等が気化して除去されていく。一方、第2のバルブ
30より下流側の反応ガス供給配管23内も、反応容器
41側から真空引きされるので、MFC29が抵抗とな
ることなく急速に所定の真空度に達し、ファイナルフィ
ルタ31に液化して付着していた反応ガス等が気化して
除去されていく(第2の工程)。この場合、同時に第5
のバルブ42を開とし、第1の真空ポンプ32aと共に
第2の真空ポンプ32bを駆動させてもよい。
させることにより、反応ガス供給配管23のMFC29
より上流側を迅速に真空引きすることができる。第2の
真空ポンプ32bを駆動させるときは、第4のバルブ3
4を閉じることによりバイパス配管35を使用しなくて
もよい。
る第1の工程と真空引きする第2の工程からなるサイク
ルが、10回以上繰り返される。この場合、1サイクル
中の第1の工程は5秒以内、好ましくは2秒以内で行わ
れ、第2の工程も5秒以内、好ましくは2秒以内となっ
ている。例えば第1の工程及び第2の工程を各々2秒間
で行い、10サイクルのクリーニング処理を行うと、合
計40秒でクリーング処理が終了する。
反応ガス供給配管23内は、約1500〜1900Torr
まで加圧され、第2の工程中、反応容器41及び反応ガ
ス供給配管23内は真空引きにより300Torr以下、好
ましくは70Torr以下まで減圧される。このような加圧
状態(第1の工程)と減圧状態(第2の工程)を短時間
の間に繰り返すことにより、反応容器41及び反応ガス
供給配管23内に乱流を生じさせることができる。この
ためMFC29内及びファイナルフィルタ31内に液化
して付着している反応ガス等を容易に引剥がして、不活
性ガスと共に外方へ排出することができる。
後、反応容器41内を不活性ガスで置換し、熱処理ボ−
ト19をアンロードして、熱処理された被処理体Wを反
応容器41内より取り出す。そして、未処理の被処理体
Wを保持した熱処理ボ−ト19を上述したと同様にロー
ドして反応容器41内に収納した後、第4のバルブ36
を閉じて不活性ガスの供給を断ち、加熱炉40によって
反応容器41が所定の熱処理温度に加熱されるのを待っ
て、第1のバルブ28を開放して反応容器41に反応ガ
スを導入し、被処理体Wの熱処理を行う。この間、第3
のバルブ34及び第5のバルブ42は閉となっている。
応ガス供給配管23内をクリーニングすることで、フィ
ルタ31やMFC29の詰まりを防止し、反応容器41
内に常に適正な流量でクリーンな反応ガスを導入するこ
とができるので、歩留まり向上が図られる。また、この
発明のクリーニング方法は、反応ガス供給配管23内の
真空引き並びに不活性ガスによるガス置換を効率良く短
時間で行えるのでクリーニングの所要時間が短く、スル
ープットが向上する。
ば、反応ガス供給配管3の途中に、図3に示すようなバ
イパス配管を設ける必要がないので、その内部に反応ガ
スが残留して配管腐食が発生するのを防止することがで
きる。また、上記実施例のように、反応ガス供給配管2
3と処理ガス排出管25とをバイパス配管35で連結
し、反応ガス供給配管23内の上流側と下流側の両側か
らの真空引を1つの第1の真空ポンプ32aで行った場
合、配管系が一系統に集約される。その結果、配管系の
内容積が小さくなり、短時間で真空引きできるようにな
る。
配管に対して真空引きを行った場合と、同一の反応ガス
供給配管に対して従来方法で真空引きを行った場合の真
空度の時間変化の測定結果を図2のグラフに示す。この
測定結果によると、この発明に係る方法で真空引きを行
った場合、真空引きを開始してから直ぐにCl2 濃度の
急速な低下がみられ、約40秒後にはバックグラウンド
に達している。これに対し、従来方法による場合では、
真空引き開始後約40秒経過した時点ではわずかな変化
しかみられず、約30分経過した時点でもバックグラウ
ンドよりも遥かに高いCl2 濃度のままである。
処理装置及びそのクリーニング方法によれば、以下のよ
うな優れた効果が得られる。
ス供給配管内に流量制御手段の上流側から不活性ガスを
導入して配管内の反応ガスを置換するようにしたので、
ガス置換効率を著しく向上できる。
の下流側近傍の流路を遮断し、上流側から反応ガス供給
配管内を真空引きするようにしたので、流量制御手段内
が急速に真空引きされ、流路絞り部等に液化して付着し
ていた反応ガスなを短時間で除去できる。また、遮断箇
所よりも下流側の配管内も、反応容器側から真空引きさ
れるので、流量制御手段が抵抗となることなく急速に真
空引きされ、配管途中に設けられているフィルタ等に液
化して付着していた反応ガス等を短時間で除去できる。
このため、短時間でクリーニングを行うことができ、ス
ループットの向上を図ることができる。
導入の前に行なっておくことで、フィルタや流量制御手
段の詰まりを防止し、反応容器内に常に適正な流量でク
リーンな反応ガスを導入することができるので、歩留ま
りの向上を図ることができる。
例が適用される熱処理装置を示す構成図である。
と、従来方法で真空引きを行った場合の真空度の時間変
化の測定結果を示すグラフである。
置を示す概念図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 反応ガス供給配管及び処理ガス排出管が
接続された反応容器と、 上記反応ガス供給配管に取付けられた流量制御手段と、 上記反応ガス供給配管の流量制御手段より上流側にバル
ブを介して接続された反応ガス供給手段と、 上記反応ガス供給配管の流量制御手段より上流側にバル
ブを介して接続された不活性ガス供給手段と、 上記処理ガス排出管に取付けられた真空ポンプと、 上記反応ガス供給配管の流量制御手段より上流側と、上
記処理ガス排出管の真空ポンプより上流側を互いに連結
するバイパス配管と、 上記反応ガス供給配管の流量制御手段より下流側及びバ
イパス配管に各々取付けられたバルブと、 を具備したことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項2】 反応ガス供給配管及び処理ガス排出管が
接続された反応容器と、 上記反応ガス供給配管に取付けられた流量制御手段と、 上記反応ガス供給配管の流量制御手段より上流側にバル
ブを介して接続された反応ガス供給手段と、 上記反応ガス供給配管の流量制御手段より上流側にバル
ブを介して接続された不活性ガス供給手段と、 上記処理ガス排出管に接続された第1の真空ポンプと、 上記反応ガス供給配管の流量制御手段より上流側にバル
ブを介して接続された第2の真空ポンプと、 上記反応ガス供給配管の流量制御手段より下流側に取付
けられたバルブと、 を具備したことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項3】 反応ガス供給配管及び処理ガス排出管が
接続された反応容器と、反応ガス供給配管に取付けられ
た流量制御手段とを具備した熱処理装置のクリーニング
方法において、 上記処理ガス排出管内を真空引きすると共に、上記反応
ガス供給配管内に上記流量制御手段より上流側から不活
性ガスを導入して、上記反応ガス供給配管内及び上記反
応容器内の反応ガスを不活性ガスで置換する第1の工程
と、 上記処理ガス排出管内を真空引きすると共に、上記反応
ガス供給配管を流量制御手段の下流側で遮断して、上記
流量制御手段の下流側の反応ガス供給配管内及び反応容
器内を真空引きすると共に、上記流量制御手段の上流側
の反応ガス供給配管内を真空引きする第2の工程と、 を有することを特徴とする熱処理装置のクリーニング方
法。 - 【請求項4】 第2の工程において、流量制御手段の上
流側の反応ガス供給配管内は、反応ガス供給配管と処理
ガス排出管とを連通するバイパス配管を介して、処理ガ
ス排出管内の真空引きと同時に真空引きされることを特
徴とする請求項3記載の熱処理装置のクリーニング方
法。 - 【請求項5】 第2の工程において、流量制御手段の上
流側の反応ガス供給配管内は、処理ガス排出管と独立し
て真空引きされることを特徴とする請求項3記載の熱処
理装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34235693A JP3374256B2 (ja) | 1992-12-18 | 1993-12-14 | 熱処理装置及びそのクリーニング方法 |
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---|---|---|---|
JP4-354909 | 1992-12-18 | ||
JP35490992 | 1992-12-18 | ||
JP34235693A JP3374256B2 (ja) | 1992-12-18 | 1993-12-14 | 熱処理装置及びそのクリーニング方法 |
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JPH07193021A true JPH07193021A (ja) | 1995-07-28 |
JP3374256B2 JP3374256B2 (ja) | 2003-02-04 |
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ID=26577245
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