JPH07183280A - Plasma treatment device - Google Patents
Plasma treatment deviceInfo
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- JPH07183280A JPH07183280A JP34738693A JP34738693A JPH07183280A JP H07183280 A JPH07183280 A JP H07183280A JP 34738693 A JP34738693 A JP 34738693A JP 34738693 A JP34738693 A JP 34738693A JP H07183280 A JPH07183280 A JP H07183280A
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- processing
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関す
る。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a plasma processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体製造工程において、ガ
スをプラズマ化し、被処理体を処理するプラズマ処理装
置として、例えばプラズマエッチング装置が知られてい
る。このようなプラズマエッチング装置として、例えば
特開昭６３−３００５１７号が開示されている。この技
術は、半導体ウエハの直径より大きな直径の静電チャッ
クにより半導体ウエハを保持し、プラズマを生起させ半
導体ウエハをエッチング処理するものであった。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a plasma etching apparatus is known as a plasma processing apparatus for converting a gas into plasma and processing an object to be processed in a semiconductor manufacturing process. As such a plasma etching apparatus, for example, JP-A-63-300517 is disclosed. In this technique, a semiconductor wafer is held by an electrostatic chuck having a diameter larger than that of the semiconductor wafer, plasma is generated, and the semiconductor wafer is etched.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハを吸着保持する静電チャックのウエハ保持面にポ
リミド系の樹脂等を使用した場合、静電チャックのウエ
ハ吸着面の半導体ウエハを保持しない箇所がプラズマに
よりエッチングされてしまうので、静電チャックの寿命
を延命化することができないという問題点があった。ま
た被処理体、例えば半導体ウエハの周縁部は、例えば特
開平１−１９８０２６号等にも開示されているように、
半導体ウエハを搬送する際、パーティクルの発生を防止
するために、周辺露光等の処理が施されている。そし
て、この露光等の処理が施された半導体ウエハを前述の
エッチング装置でエッチングする際、半導体ウエハの本
来処理を施したい箇所と共に、露光等の処理でレジスト
膜等が剥離された半導体ウエハの周縁部も同様にエッチ
ング処理されてしまう。そして、この半導体ウエハの周
縁部がエッチング処理されると、半導体ウエハの周縁部
が微細な凹凸形状となり、エッチング処理の後、搬送装
置等で半導体ウエハを搬送する際、半導体ウエハの周縁
部が破損したり損傷するという問題が生じていた。However, when a polyimide resin or the like is used for the wafer holding surface of the electrostatic chuck for sucking and holding the semiconductor wafer, there is a portion of the electrostatic chuck wafer sucking surface where the semiconductor wafer is not held. Since it is etched by plasma, there is a problem that the life of the electrostatic chuck cannot be extended. Further, the peripheral portion of the object to be processed, for example, the semiconductor wafer, is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-198026,
When a semiconductor wafer is transferred, peripheral exposure or the like is performed to prevent the generation of particles. Then, when the semiconductor wafer that has been subjected to such exposure processing is etched by the above-described etching apparatus, along with the portion of the semiconductor wafer where the original processing is desired to be performed, the periphery of the semiconductor wafer from which the resist film has been peeled off due to the exposure processing The parts are similarly etched. When the peripheral edge of the semiconductor wafer is etched, the peripheral edge of the semiconductor wafer becomes a fine uneven shape, and when the semiconductor wafer is transferred by a transfer device or the like after the etching processing, the peripheral edge of the semiconductor wafer is damaged. There was a problem of damage and damage.
【０００４】また、半導体ウエハの周縁部が凸凹形状と
なると搬送等の際、この凸凹形状にパーティクルがトラ
ップされ、次の工程を行なう装置の処理室内に、このト
ラップされたパーティクルが飛散し、半導体ウエハに付
着して歩留りを低下させてしまうという改善点を有して
いた。さらに、プラズマ処理装置が例えばＣＶＤ装置で
あれば、半導体ウエハの周縁部に膜が付着してしまうの
で、この膜が、半導体ウエハを搬送する搬送手段等によ
って搬送される際に破損或いは損傷しパーティクルとし
て飛散してしまうという問題が生じていた。Further, when the peripheral portion of the semiconductor wafer has an uneven shape, particles are trapped in the uneven shape during transportation and the like, and the trapped particles are scattered in the processing chamber of the apparatus for performing the next step. There is an improvement in that it adheres to the wafer and reduces the yield. Further, if the plasma processing apparatus is, for example, a CVD apparatus, a film adheres to the peripheral portion of the semiconductor wafer, and therefore, this film is damaged or damaged when being transferred by a transfer unit or the like for transferring the semiconductor wafer, and particles There was a problem of being scattered as.
【０００５】本発明の目的は、覆い体によって被処理体
の処理面の周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制
し、被処理体の周縁部の被処理体の周縁部に付着するパ
ーティクルの付着量を抑制することができるプラズマ処
理装置を提供することにある。An object of the present invention is to prevent particles from adhering to the peripheral edge of the object to be processed on the peripheral edge of the object to be processed by suppressing the progress of the plasma treatment on the peripheral edge of the object to be processed by the cover. It is to provide a plasma processing apparatus capable of suppressing the amount.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室内に配
置された静電チャック機構に被処理体をクーロン力で吸
着保持し、前記処理室内にプラズマを生起して、前記被
処理体を処理するプラズマ処理装置であって、前記被処
理体とプラズマのシース部との間に配置され、前記被処
理体の処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体を具備し、
この覆い体によって前記被処理体の処理面の周縁部にプ
ラズマによる処理を施さないことを特徴とする。According to the present invention, an object to be processed is adsorbed and held by a Coulomb force on an electrostatic chuck mechanism arranged in a processing chamber, plasma is generated in the processing chamber, and the object is treated. A plasma processing apparatus for processing, comprising a cover body which is disposed between the object to be processed and a sheath portion of the plasma and which covers a peripheral portion of a processing surface of the object to be processed in a non-contact manner,
It is characterized in that the peripheral portion of the treated surface of the object to be treated is not treated with plasma by this cover.
【０００７】[0007]
【作用】本発明は、被処理体とプラズマのシース部との
間に被処理体の処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体を
配置したので、この覆い体によって被処理体の処理面の
周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制することがで
き、被処理体の処理面の周縁部の表面を処理が終了して
も、処理前の状態に維持することができる。According to the present invention, since the cover member which covers the peripheral portion of the processing surface of the object to be processed is provided between the object to be processed and the sheath portion of the plasma in a non-contact manner, the processing surface of the object to be processed is covered by the cover member. It is possible to suppress the progress of the plasma treatment on the peripheral portion of the substrate, and it is possible to maintain the state before the treatment on the surface of the peripheral portion of the treated surface of the object to be treated.
【０００８】[0008]
【実施例】以下に、本発明に基づくプラズマ処理装置を
プラズマエッチング装置に適用した一実施例を、添付図
面を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which a plasma processing apparatus according to the present invention is applied to a plasma etching apparatus will be described below with reference to the accompanying drawings.
【０００９】まず図１に示すようにプラズマエッチング
装置１は、導電性材料、例えばアルミニウム製の略円筒
形状の気密に構成された処理室２を有している。この処
理室２内の下部には昇降機構、例えばサーボモータ３が
設けられており、サーボモータ３によって上下動自在に
構成された載置台としての下部電極４が前記処理室２の
内部に設けられている。また、この下部電極４の周囲に
は下部電極４の上下動にともなって伸縮自在に構成さ
れ、前記処理室２内部を気密に隔離する材質、例えばス
テンレス鋼等からなるべローズ５が設けられている。First, as shown in FIG. 1, a plasma etching apparatus 1 has a substantially cylindrical airtight processing chamber 2 made of a conductive material such as aluminum. An elevating mechanism, for example, a servo motor 3 is provided in the lower portion of the processing chamber 2, and a lower electrode 4 as a mounting table configured to be vertically movable by the servo motor 3 is provided inside the processing chamber 2. ing. A bellows 5 made of a material such as stainless steel is provided around the lower electrode 4 so that the bellows 5 can expand and contract as the lower electrode 4 moves up and down and airtightly isolates the inside of the processing chamber 2. There is.
【００１０】前記下部電極４には、冷媒、例えばチラー
等を流通循環させるための冷媒収容部、例えば冷却ジャ
ケット６が設けられ、この冷却ジャケット６には、チラ
ーを供給及び排出するための冷媒供給／排出路７が接続
されている。さらに、前記下部電極４には、温調用ヒー
タ８が設けられており、この温調用ヒータ８は、電力供
給リード線９を介して温調用ヒータ８に電力を供給する
ための電力源１０に接続され、温調用ヒータ８と前記冷
媒ジャケット６に収容される冷媒とによって前記下部電
極４を所定温度、例えば２０℃以下に設定可能に構成さ
れている。The lower electrode 4 is provided with a coolant containing portion, for example, a cooling jacket 6 for circulating and circulating a coolant, for example, a chiller, and the cooling jacket 6 is provided with a coolant supply for supplying and discharging the chiller. / The discharge path 7 is connected. Further, the lower electrode 4 is provided with a temperature adjustment heater 8, and the temperature adjustment heater 8 is connected to a power source 10 for supplying power to the temperature adjustment heater 8 via a power supply lead wire 9. The lower electrode 4 can be set to a predetermined temperature, for example, 20 ° C. or lower, by the temperature adjusting heater 8 and the refrigerant contained in the refrigerant jacket 6.
【００１１】さらに、前記下部電極４は、表面にアルマ
イト処理を施した導電材質、例えばアルミニウム等から
なり、被処理体、例えば半導体ウエハＷを載置する面に
前記半導体ウエハＷをクーロン力によって吸着保持する
静電チャック機構４０が設けられている。この静電チャ
ック機構４０は、図２に示すように、２枚の高分子フィ
ルム４２，４３の間に銅箔等の導電膜４１を封入したも
ので、この静電チャック機構４０の半導体ウエハＷの載
置面は、半導体ウエハＷの径より小さな径に構成されて
いる。そして、前記導電膜４１は、開閉手段、例えば電
磁スイッチ４５を介して直流電源４４に接続され、この
直流電源４４をＯＮするとともに前記電磁スイッチ４５
を閉じることで前記高分子フィルム４２，４３の表面に
分極による静電気が発生し、そのクーロン力によって前
記半導体ウエハＷは、前記高分子フィルム４２の半導体
ウエハＷ載置面側に吸着され保持されるよう構成されて
いる。また、前記下部電極４には、複数、例えば３つの
貫通孔部１２が設けられ、この貫通孔部１２には、それ
ぞれリフターピン１３が設けられ、これらのリフターピ
ン１３は接合部材１４を介して上下機構、例えばエアー
シリンダー１５と接続され、上下動自在に構成されてい
る。なお、前記半導体ウエハＷは、前記リフターピン１
３にて支持され、前記エアーシリンダー１５が上下動す
ることにより前記静電チャック機構４０のウエハ載置面
から着脱するよう構成されている。Further, the lower electrode 4 is made of a conductive material whose surface is anodized, for example, aluminum, and the semiconductor wafer W is attracted to the surface on which the object to be processed, for example, the semiconductor wafer W is mounted, by the Coulomb force. An electrostatic chuck mechanism 40 for holding is provided. As shown in FIG. 2, this electrostatic chuck mechanism 40 is one in which a conductive film 41 such as a copper foil is enclosed between two polymer films 42 and 43, and the semiconductor wafer W of this electrostatic chuck mechanism 40. The mounting surface is formed to have a diameter smaller than that of the semiconductor wafer W. The conductive film 41 is connected to a DC power source 44 via an opening / closing means, for example, an electromagnetic switch 45. The DC power source 44 is turned ON and the electromagnetic switch 45 is turned on.
Is closed to generate static electricity due to polarization on the surfaces of the polymer films 42 and 43, and the Coulomb force of the static electricity causes the semiconductor wafer W to be adsorbed and held on the semiconductor wafer W mounting surface side of the polymer film 42. Is configured. Further, the lower electrode 4 is provided with a plurality of, for example, three through-hole portions 12, and the through-hole portions 12 are provided with lifter pins 13, respectively, and these lifter pins 13 are connected via a joining member 14. It is connected to an up-and-down mechanism, for example, an air cylinder 15, and is vertically movable. The semiconductor wafer W is the lifter pin 1
The air cylinder 15 is supported by 3 and is moved up and down to be attached to and detached from the wafer mounting surface of the electrostatic chuck mechanism 40.
【００１２】また、前記下部電極４には、ブロッキング
コンデンサー３０を介して高周波、例えば１３．５６Ｍ
Ｈｚ或いは４０ＭＨｚ等の高周波電源３１が接続され、
また、前記高周波電源３１は、制御器３２の指示により
ＯＮ／ＯＦＦされるよう構成され、この制御器３２は、
前記高周波電源３１のＯＮ時間を積算するよう構成され
ている。また、前記処理室２の下部側部付近には排気管
１６を介して排気手段、例えば真空ポンプ１７が接続さ
れており、前記処理室２内を所望の減圧雰囲気に真空引
き可能なように構成されている。Further, a high frequency, for example, 13.56M, is applied to the lower electrode 4 through the blocking capacitor 30.
A high frequency power source 31 such as Hz or 40 MHz is connected,
Further, the high frequency power supply 31 is configured to be turned on / off according to an instruction from the controller 32, and the controller 32 is
It is configured to integrate the ON time of the high frequency power supply 31. In addition, an exhaust means, for example, a vacuum pump 17 is connected near the lower side portion of the processing chamber 2 via an exhaust pipe 16 so that the inside of the processing chamber 2 can be evacuated to a desired reduced pressure atmosphere. Has been done.
【００１３】また、前記下部電極４の上部には、前記半
導体ウエハＷの処理面の周縁部を非接触で覆う覆い体と
してのリング１８が配置されている。このリング１８
は、複数例えば４本の高純度アルミナ製のシャフト１９
を介して処理室２の外側上部に設けられたエアシリンダ
２０に接続され構成されている。Further, a ring 18 is arranged above the lower electrode 4 as a cover for covering the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W in a non-contact manner. This ring 18
Is a plurality of, for example, four high-purity alumina shafts 19
It is connected to an air cylinder 20 provided on the upper outside of the processing chamber 2 via.
【００１４】そして、前記リング１８の半導体ウエハＷ
との対向面側即ち内側部には、半導体ウエハＷの処理面
の周縁部にプラズマによるエッチングが進行しないよう
に、廂部２２が形成されており、この廂部２２の外周に
はテーパー面２１が形成されている。さらに、この廂部
２２の幅は、半導体ウエハＷの外周部、つまりエッジか
ら、０．１〜２．０ｍｍの範囲の所定の領域Ａを覆うよ
うに構成されている。つまり、この所定の領域Ａは、前
述のように、この装置の処理の前処理として、レジスト
等を周辺露光で剥離した領域である。そして、このリン
グの材質としては、後述する反応ガス種によって選択さ
れるものである。例えば反応ガスとして塩素系のガスを
使用する場合は、塩素系のガスと反応するＳｉ系の素材
例えばＳｉ，ＳｉＣ等は、使用せず、塩素系のガスと反
応しない材質、例えばセラミックス，石英ガラス，窒化
アルミ等の材質で形成するのが好ましい。また、反応ガ
スとしてフッ素系のガスを使用する場合は、前述のＳｉ
系の素材例えばＳｉ，ＳｉＣ等で形成するのが好まし
い。Then, the semiconductor wafer W of the ring 18 is formed.
On the side opposite to, ie, on the inner side, an edge portion 22 is formed so that plasma etching does not proceed to the peripheral edge portion of the processing surface of the semiconductor wafer W, and the tapered surface 21 is formed on the outer periphery of the edge portion 22. Are formed. Further, the width of the ridge 22 is configured to cover a predetermined area A within a range of 0.1 to 2.0 mm from the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W, that is, the edge. That is, as described above, the predetermined area A is an area where the resist or the like is peeled off by the peripheral exposure as a pretreatment of the processing of this apparatus. The material of the ring is selected according to the reactive gas species described later. For example, when a chlorine-based gas is used as the reaction gas, a Si-based material that reacts with the chlorine-based gas, such as Si or SiC, is not used, and a material that does not react with the chlorine-based gas, such as ceramics or quartz glass. , Aluminum nitride or the like is preferable. When a fluorine-based gas is used as the reaction gas, the above-mentioned Si
It is preferably formed of a system material such as Si or SiC.
【００１５】また、前記リング１８の上部には、前記下
部電極４と対向する上部電極２４が設けられている。こ
の上部電極２４の下面には、材質例えばアモルファスカ
ーボン等からなる導電性を有する板状部材２５が設けら
れ、その上部に空隙２６を開けて配置されている。この
空隙２６には、反応ガス、例えばＣＨＦ３ ，ＣＦ４等
のガスや不活性ガス、例えばＮ2 ，Ａｒ等のガスを供
給するためのガス供給管２７が接続されており、このガ
ス供給管２７から供給されたガスを、前記空隙２６内に
設けられた多数の透孔を有する複数のバッフル板２８に
よって前記ガスを均等に拡散させ、前記板状部材２５に
設けられた複数の透孔２９から前記処理室２内に供給す
るよう構成されている。An upper electrode 24 facing the lower electrode 4 is provided on the ring 18. A conductive plate member 25 made of a material such as amorphous carbon is provided on the lower surface of the upper electrode 24, and a void 26 is formed above the plate member 25. A gas supply pipe 27 for supplying a reaction gas, for example, a gas such as CHF3 or CF4 or an inert gas, for example, a gas such as N 2 or Ar, is connected to the void 26. From this gas supply pipe 27 The supplied gas is evenly diffused by a plurality of baffle plates 28 having a large number of through holes provided in the void 26, and the gas is supplied from a plurality of through holes 29 provided in the plate member 25. It is configured to supply into the processing chamber 2.
【００１６】そして、前記上部電極２４は、電気的に接
地され、前記下部電極４に高周波電力を高周波電源３１
によって印加することにより、それらの電極４，２４間
でブラズマを生起するよう構成されている。The upper electrode 24 is electrically grounded, and high frequency power is supplied to the lower electrode 4 by a high frequency power source 31.
Is applied to generate a plasma between the electrodes 4 and 24.
【００１７】次に、以上のように構成されたプラズマエ
ッチング装置１の作用について説明する。Next, the operation of the plasma etching apparatus 1 configured as described above will be described.
【００１８】まず、図１に示すように処理室２内圧力を
真空ポンプ１７にて所定圧力、例えば１０-3Ｔｏｒｒ以
下の減圧雰囲気とし、半導体ウエハＷをリフターピン１
３にて支持し、エアーシリンダー１５によってリフター
ピン１３を下動し、下部電極４に設けられた静電チャッ
ク機構４０の半導体ウエハＷ載置面に載置し、直流電源
４４をＯＮするとともに、電磁スイッチ４５を閉じて、
静電チャック機構４０の半導体ウエハＷ載置面に吸着し
保持する。First, as shown in FIG. 1, the internal pressure of the processing chamber 2 is reduced by a vacuum pump 17 to a predetermined pressure, for example, a reduced pressure atmosphere of 10 −3 Torr or less, and the semiconductor wafer W is lifted by a lifter pin 1.
3, the lifter pin 13 is moved downward by the air cylinder 15, is placed on the semiconductor wafer W mounting surface of the electrostatic chuck mechanism 40 provided on the lower electrode 4, and the DC power supply 44 is turned ON. Close the electromagnetic switch 45,
The electrostatic chuck mechanism 40 attracts and holds the semiconductor wafer W mounting surface.
【００１９】この後、昇降機構３によって下部電極４を
上昇させ、半導体ウエハＷの周縁部をリング１８と離間
させた所定間隔位置で上昇を停止する。この停止位置
は、図３に示すように、半導体ウエハＷの処理面と廂部
２２とが接触しない間隔Ｂであり、この間隔Ｂは、プラ
ズマ中の活性種が、半導体ウエハＷの周縁部に作用しな
い間隔で、半導体ウエハＷの処理面から、１０ｍｍ以下
の所定距離に設定する。After that, the lower electrode 4 is lifted by the lifting mechanism 3, and the lifting is stopped at a predetermined interval position where the peripheral edge of the semiconductor wafer W is separated from the ring 18. As shown in FIG. 3, this stop position is an interval B at which the processing surface of the semiconductor wafer W and the back portion 22 do not come into contact with each other. It is set to a predetermined distance of 10 mm or less from the processing surface of the semiconductor wafer W at intervals that do not work.
【００２０】しかる後、図１に示すように処理室２内を
排気して所定の真空度、例えば数十ｍＴｏｒｒに設定し
つつ、ガス供給管２７から所定のガスを供給し、制御器
３２からの指示信号によって高周波電源３１をＯＮし、
下部電極４と上部電極２４との間に高周波電力、例えば
２００Ｗ以上の電力を印加し、プラズマを生起させ半導
体ウエハＷをエッチング処理する。Thereafter, as shown in FIG. 1, the inside of the processing chamber 2 is evacuated and a predetermined vacuum degree, for example, several tens of mTorr is set, and a predetermined gas is supplied from the gas supply pipe 27, and the controller 32 is operated. The high frequency power supply 31 is turned on by the instruction signal of
A high-frequency power, for example, a power of 200 W or more is applied between the lower electrode 4 and the upper electrode 24 to generate plasma to etch the semiconductor wafer W.
【００２１】このエッチング処理にて、図３に示すよう
に、上部電極２４と下部電極４との間に生起したプラズ
マＰのプラズマシース部Ｐ１の下部に配置したリング１
８は、プラズマＰ中の活性種、例えばイオン等で処理さ
れる半導体ウエハＷの周縁部をそれらの活性種が作用し
ないように半導体ウエハＷの周縁部を非接触で覆ってい
る。このように、リング１８と半導体ウエハＷの周縁部
とが非接触にされる理由としては、エッチング処理で生
成される反応生成物が半導体ウエハＷの周縁部とリング
１８との間に付着するのを抑制できる、或いは半導体ウ
エハＷがリング１８に接触した際、その振動によってリ
ング１８に付着した反応生成物が半導体ウエハＷ上に落
下するのを防止するためである。また、エッチング処理
ではなくて、ＣＶＤ装置では、膜付けするので、半導体
ウエハＷがリング１８に接触していると半導体ウエハＷ
の処理面とリング１８の上面に生成される膜がつながっ
て成長する恐れがあり、半導体ウエハＷの処理面とリン
グ１８が離れる際に、この膜が剥離し、半導体ウエハＷ
上に落下し付着するのを防止するためである。In this etching process, as shown in FIG. 3, the ring 1 arranged below the plasma sheath portion P1 of the plasma P generated between the upper electrode 24 and the lower electrode 4.
Reference numeral 8 covers the peripheral edge of the semiconductor wafer W, which is treated with active species in the plasma P, such as ions, in a non-contact manner so that the active species does not act on the peripheral edge. As described above, the reason why the ring 18 and the peripheral edge of the semiconductor wafer W are not in contact with each other is that the reaction product generated by the etching process adheres between the peripheral edge of the semiconductor wafer W and the ring 18. Is to prevent the reaction product attached to the ring 18 from dropping onto the semiconductor wafer W due to the vibration when the semiconductor wafer W contacts the ring 18. In addition, since the film is attached by the CVD apparatus instead of the etching process, when the semiconductor wafer W is in contact with the ring 18,
There is a possibility that a film formed on the processing surface of the semiconductor wafer W and the film formed on the upper surface of the ring 18 may be connected and grow, and when the processing surface of the semiconductor wafer W and the ring 18 are separated from each other, the film peels off and the semiconductor wafer W
This is to prevent it from falling and sticking to it.
【００２２】以上のように構成された本実施例の効果に
ついて説明する。The effects of this embodiment having the above-mentioned structure will be described.
【００２３】このように、半導体ウエハＷの処理面と廂
部２２とが接触しない間隔Ｂ、つまり、この間隔Ｂは、
プラズマ中の活性種が、半導体ウエハＷの周縁部に作用
しない間隔で、半導体ウエハＷの処理面から、１０ｍｍ
以下の所定距離に設定して配置され半導体ウエハＷの処
理が行なわれるので、半導体ウエハＷの処理面の周縁部
にプラズマによる処理の進行を抑制することができ、半
導体ウエハＷの処理面の周縁部の表面を処理が終了して
も、処理前の状態に維持することができるので、半導体
ウエハＷの周縁部の被処理体の周縁部に付着するパーテ
ィクルの付着量を抑制することができ、被処理体の歩留
りを向上することができる。As described above, the interval B at which the processing surface of the semiconductor wafer W and the sill 22 are not in contact with each other, that is, the interval B is
10 mm from the processing surface of the semiconductor wafer W at intervals such that the active species in the plasma do not act on the peripheral portion of the semiconductor wafer W.
Since the semiconductor wafer W is arranged and set at the following predetermined distance, the progress of the plasma treatment can be suppressed at the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W, and the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W can be suppressed. Even after the processing of the surface of the part is completed, the state before the processing can be maintained, so that the amount of particles adhering to the peripheral portion of the object to be processed on the peripheral portion of the semiconductor wafer W can be suppressed, The yield of the object to be processed can be improved.
【００２４】なお、実施例では、被処理体として半導体
ウエハを用いた場合を説明したが、これに限定されず、
例えばＬＣＤ基板でもよく、また、覆い体としてリング
状の形状を用いたが四角でもよく、さらに被処理体の形
状に依存しても良く、被処理体の周縁部を実質的に覆え
るものなら何でもよいことは言うまでもない。また、上
部電極側に高周波電力を印加し、下部電極に、高周波電
力を印加し下部電極を電気的に接地したが、この印加を
逆として等方性エッチング（アノードカップル型）とし
て構成してもよいことは言うまでもない。In the embodiment, the case where the semiconductor wafer is used as the object to be processed has been described, but the present invention is not limited to this.
For example, an LCD substrate may be used, and a ring-shaped shape is used as the cover, but a square shape may be used, and the shape may depend on the shape of the object to be processed as long as it can substantially cover the peripheral edge of the object to be processed. Not to mention anything. Further, high-frequency power was applied to the upper electrode side, and high-frequency power was applied to the lower electrode to electrically ground the lower electrode. However, the application may be reversed to form isotropic etching (anode couple type). It goes without saying that it is good.
【００２５】さらに、実施例では、一例として本発明に
基づくプラズマ処理装置をプラズマエッチング装置に適
用した例を示したが、かかる装置に限定されることな
く、ＣＶＤ装置、アッシング装置、ＬＣＤ装置等の処理
の際に反応生成物が発生する装置であればどのような装
置にも適応可能である。Further, in the embodiment, the example in which the plasma processing apparatus according to the present invention is applied to the plasma etching apparatus is shown as an example, but the present invention is not limited to such an apparatus, and may be a CVD apparatus, an ashing apparatus, an LCD apparatus, or the like. It can be applied to any device as long as it produces a reaction product during processing.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明は、覆い体によって被処理体の処
理面の周縁部にプラズマによる処理の進行を抑制するこ
とができ、被処理体の処理面の周縁部の表面を処理が終
了しても、処理前の状態に維持することができるので、
被処理体の周縁部の被処理体の周縁部に付着するパーテ
ィクルの付着量を抑制することができ、被処理体の歩留
りを向上することができる。According to the present invention, it is possible to suppress the progress of the plasma treatment on the peripheral portion of the processed surface of the object to be processed by the cover, and the treatment of the peripheral surface of the processed surface of the object is completed. However, since it can be maintained in the state before processing,
The amount of particles adhering to the peripheral edge of the object to be processed can be suppressed, and the yield of the object to be processed can be improved.
【図１】本発明に係る第１の実施例が適用されるプラズ
マエッチング装置の概略的な断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a plasma etching apparatus to which a first embodiment according to the present invention is applied.
【図２】図１の静電チャック機構の部分概略図である。FIG. 2 is a partial schematic view of the electrostatic chuck mechanism of FIG.
【図３】図１の覆い体の作用を説明する部分概略図であ
る。FIG. 3 is a partial schematic view illustrating the operation of the cover body in FIG.
１ プラズマエッチング装置（プラズマ処理装置） ２ 処理室 ４ 載置台（下部電極） １８ 覆い体（リング） ２１ テーパー面 ２２ 廂部 ２４ 上部電極 ４６ エッジ Ｗ 被処理体（半導体ウエハ） Ｐ プラズマ Ｐ１ シース部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plasma etching apparatus (plasma processing apparatus) 2 Processing chamber 4 Mounting table (lower electrode) 18 Cover (ring) 21 Tapered surface 22 Raised part 24 Upper electrode 46 Edge W Object to be processed (semiconductor wafer) P Plasma P1 Sheath part
Claims (4)
に被処理体をクーロン力で吸着保持し、前記処理室内に
プラズマを生起して、前記被処理体を処理するプラズマ
処理装置であって、前記被処理体とプラズマのシース部
との間に配置され、前記被処理体の処理面の周縁部を非
接触で覆う覆い体を具備し、この覆い体によって前記被
処理体の処理面の周縁部にプラズマによる処理を施さな
いことを特徴とするプラズマ処理装置。1. A plasma processing apparatus for processing an object to be processed by attracting and holding the object to be processed by a Coulomb force to an electrostatic chuck mechanism arranged in the processing chamber, generating plasma in the processing chamber, and processing the object. A covering member that is disposed between the object to be processed and the sheath portion of the plasma and covers the peripheral portion of the processing surface of the object to be processed in a non-contact manner. A plasma processing apparatus characterized in that the peripheral portion is not treated with plasma.
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
ラズマ処理装置。2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plasma processing apparatus is an etching apparatus.
縁部は被処理体のエッジから、０．１〜２．０ｍｍの範
囲の所定の領域であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載又は特許請求の範囲第２項記載のプラズマ処
理装置。3. The peripheral portion of the processing surface of the object to be processed covered with the cover is a predetermined region within a range of 0.1 to 2.0 mm from the edge of the object to be processed. The plasma processing apparatus according to claim 1 or claim 2.
１０ｍｍ以下の距離に配置され、前記被処理体の処理面
とは非接触であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載又は特許請求の範囲第２項記載のプラズマ処理装
置。4. The cover body, from the processing surface of the object to be processed,
It is arranged at a distance of 10 mm or less and is not in contact with the processing surface of the object to be processed.
The plasma processing apparatus according to claim 1 or claim 2.
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1993
- 1993-12-24 JP JP34738693A patent/JP3118497B2/en not_active Expired - Fee Related
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