JPH07181412A - Multibeam scanner - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To realize a multibeam scanner which facilitates adjustment of scanning line pitches and has excellent stability of the scanning line pitches with lapse of time. CONSTITUTION:This multibeam scanner is substantially integrally constituted with a light source device and has beam inclining means which are set with a prescribed inter-beam angle thetaB in a direction for setting a prescribed inter- beam angle and inclines the direction of the plane copossessed by n-pieces of synthesized beams at a prescribed angle thetaR of inclination with the direction corresponding to main scanning between the respective light beams of the synthesized beams emitted from this light source. The angles thetaB and thetaR are so set that conditions (I) thetaB. sinthetaR=tan<-1>-thetaRtheta(Ps/¦fS¦) and (II) thetaB>=tan<-1>(PS/¦fS¦) are satisfied with respect to the focal length fS in the direction corresponding to sub-scanning of an imaging optical system and the scanning line pitch PS on the plane to be scanned.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は「マルチビーム走査装
置」に関する。この発明はレーザプリンタ、デジタル複
写機、レーザファクシミリ等に利用できる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a "multi-beam scanning device". The present invention can be used in laser printers, digital copying machines, laser facsimiles and the like.

【０００２】[0002]

【従来の技術】複数の半導体レーザからの光ビームをそ
れぞれコリメートし、副走査対応方向（光源から被走査
面に到る光路を、光軸に沿って直線的に展開した仮想的
な光路上で副走査方向に平行的に対応する方向をいう。
上記仮想的な方向で、主走査方向に平行的に対応する方
向を主走査対応方向という）に互いに微小角度を持たせ
て合成し、偏向手段を介し、結像光学系により被走査面
上に複数の光スポットとして結像し、一度に複数ライン
を走査する「マルチビーム走査装置」が知られている。2. Description of the Related Art Light beams from a plurality of semiconductor lasers are collimated to form sub-scanning corresponding directions (on a virtual optical path in which an optical path from a light source to a surface to be scanned is linearly expanded along an optical axis). It refers to a direction parallel to the sub-scanning direction.
A direction corresponding to the main scanning direction in the virtual direction and parallel to the main scanning direction is referred to as a main scanning corresponding direction) and is combined with a minute angle, and is combined onto the surface to be scanned by the imaging optical system via the deflecting means. A "multi-beam scanning device" is known in which an image is formed as a plurality of light spots and a plurality of lines are scanned at one time.

【０００３】説明の具体性のため、半導体レーザの数を
２として説明すると、上記方法で一度に２ラインを走査
できる訳であるが、このとき２本の光ビームが「副走査
対応方向においてなす角」を「θ_S」とすると、被走査
面上に結像する２つの光スポットによる走査ラインのラ
イン間隔、即ち走査線ピッチ：Ｐ_Sは、結像光学系の副
走査対応方向の焦点距離を「ｆ_S」として、 Ｐ_S＝｜ｆ_S｜ｔａｎ~¹θ_S （１） で与えられる。一般に、｜ｆ_S｜は５０〜３００ｍｍ程
度であり、Ｐ_Sは、例えば「走査密度」として４００ｄ
ｐｉを想定すると６３．５μｍである。走査線ピッチＰ
_S＝６３．５μｍに対し、上記｜ｆ_S｜の範囲に就き、
角：θ_Sを（１）式に基づき算出すると０．７〜４．４
分となる。これは角度としては極めて小さい。しかも、
角度：θ_Sが僅か「±１０秒」変動しただけでも、走査
線ピッチは±２．４〜１４．５μｍも変動してしまう。For the sake of concreteness of description, if the number of semiconductor lasers is two, it is possible to scan two lines at a time by the above method. At this time, two light beams are formed in the "direction corresponding to sub-scanning". When the angle is “θ _S ”, the line spacing between the scanning lines formed by the two light spots formed on the surface to be scanned, that is, the scanning line pitch: P _S is the focal length of the imaging optical system in the sub-scanning corresponding direction. as "f _S" a, P _S = | given by _{^{tan ~ 1 θ S (1)}} | f S. Generally, | f _S | is about 50 to 300 mm, and P _S is, for example, “scanning density” of 400 d.
Assuming pi, it is 63.5 μm. Scan line pitch P
_{For S} = 63.5 μm, the above range of | f _S |
Angle: θ _S is 0.7 to 4.4 when calculated based on the equation (1).
It will be a minute. This is an extremely small angle. Moreover,
Even if the angle: θ _S slightly fluctuates “± 10 seconds”, the scanning line pitch fluctuates ± 2.4 to 14.5 μm.

【０００４】即ち、走査線ピッチを適正に保ちつつ、良
好なマルチビーム走査を実現するには、角：θ_Sを極め
て高精度に調整しなければならない。光ビーム間の角度
を調整する方法としては、実開昭６２−１０９１３４号
公報開示の方法や、特開昭６０−１６６９１６号公報開
示の方法が知られている。That is, the angle: θ _S must be adjusted with extremely high accuracy in order to realize good multi-beam scanning while keeping the scanning line pitch appropriate. As a method for adjusting the angle between the light beams, the method disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 62-109134 and the method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 60-166916 are known.

【０００５】しかし、前者の方法は、角：θ_Sを直接手
動で調整するので、正確な調整のためには高度の熟練を
要し、調整の容易性に欠ける。後者の方法では、サーボ
機構を用いて自動的に調整がなされるが、機構が複雑で
コスト高となりやすく、また、秒オーダーの微小角を２
次元的に安定して制御することは困難である。However, in the former method, since the angle θ _S is directly and manually adjusted, a high degree of skill is required for accurate adjustment and the ease of adjustment is lacking. In the latter method, the servo mechanism is used for automatic adjustment, but the mechanism is complicated and the cost is high.
It is difficult to control dimensionally stably.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この発明は上述した事
情に鑑みてなされたものであって、走査線ピッチの調整
が容易で、走査線ピッチの経時的な安定性に優れたマル
チビーム走査装置の提供を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and it is easy to adjust the scanning line pitch, and the multi-beam scanning device is excellent in the stability of the scanning line pitch over time. For the purpose of providing.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明のマ
ルチビーム走査装置は「ｎ（≧２）個の半導体レーザ
と、これら半導体レーザからのｎ本の光ビームを、それ
ぞれ実質的な平行光束とするｎ個のコリメートレンズ
と、平行光束化されたｎ本の光ビームを合成するビーム
合成手段とを有する光源装置と、この光源装置から射出
した複数の光ビームを偏向させる偏向手段と、上記光源
装置から射出した複数の光ビームを、上記偏向手段を介
して被走査面上に光スポットとして結像させる結像光学
系と」を有するマルチビーム走査装置であって、以下の
点を特徴とする。A multi-beam scanning device according to a first aspect of the present invention is configured such that "n (≧ 2) semiconductor lasers and n light beams from these semiconductor lasers are substantially parallel to each other. A light source device having n collimating lenses as light fluxes, a beam combining means for combining n light beams converted into parallel light fluxes, and a deflecting means for deflecting a plurality of light beams emitted from the light source device, An imaging optical system for forming a plurality of light beams emitted from the light source device as light spots on a surface to be scanned via the deflecting means, and a multi-beam scanning device characterized by the following features. And

【０００８】即ち、光源装置が「実質的に一体的に構成
され」るとともに、光源装置から射出する合成ビームの
各光ビーム間に所定の「ビーム間角度：θ_B」が所定の
「ビーム間角度設定方向」に設定され、合成されたｎ本
のビームの共有する平面の方向を、主走査対応方向に対
して所定の傾き角：θ_R傾ける「ビーム傾け手段」を有
する。上記結像光学系の副走査対応方向における焦点距
離をｆ_S、被走査面上における走査線ピッチをＰ_S、とす
るとき、上記角：θ_Bおよびθ_Rは、条件 （Ｉ） θ_B・ｓｉｎθ_R＝ｔａｎ~¹（Ｐ_S／｜ｆ_S
｜） （ＩＩ） θ_B＞＝ｔａｎ~¹（Ｐ_S／｜ｆ_S｜） が満足するように設定される。That is, the light source device is "substantially integrally formed", and a predetermined "beam angle: θ _B " is a predetermined "beam interval" between the light beams of the combined beam emitted from the light source device. It has a “beam tilting means” that tilts the direction of the plane shared by the n beams that are combined and set in the “angle setting direction” with respect to the main scanning corresponding direction by a predetermined tilt angle: θ _R. When the focal length of the imaging optical system in the sub-scanning corresponding direction is f _S and the scanning line pitch on the surface to be scanned is P _S , the angles: θ _B and θ _R satisfy the condition (I) θ _B · sin θ _R = tan ~ ¹ (P _S / | f _S
│) (II) θ _B > = tan ~ ¹ (P _S / │f _S │) is set to be satisfied.

【０００９】合成されたｎ本のビームの共有する平面の
方向を、主走査対応方向に対して所定の傾き角：θ_R傾
ける「ビーム傾け手段」としては、種々の形態が可能で
あり、「光源装置自体を主走査対応方向に対して傾けて
角：θ_Rを設定する」ように構成してもよいし（請求項
２）、あるいは、「光源装置と偏向手段との間に、イメ
ージ回転子を含むビーム傾け手段を配備し、結像光学系
に入射する複数の光ビームの主光線を共有する平面を、
主走査対応方向に対して所定の傾き角：θ_R傾ける」よ
うにしてもよい（請求項３）。Various forms are possible as the "beam tilting means" for tilting the direction of the plane shared by the synthesized n beams with respect to the main scanning corresponding direction by a predetermined tilt angle: θ _R. The light source device itself may be tilted with respect to the main scanning corresponding direction to set the angle: θ _R "(Claim 2), or" the image is rotated between the light source device and the deflecting means. A plane for sharing the chief ray of a plurality of light beams incident on the imaging optical system by providing a beam tilting means including a child,
A predetermined inclination angle: θ _R with respect to the main scanning corresponding direction ”may be set (claim 3).

【００１０】また、光源装置における複数のコリメート
レンズを、同一の基板に、光軸を平行にして１列に設
け、複数の半導体レーザを、それぞれの支持体を介して
上記基板に配設し、各半導体レーザの発光部位置と、対
応するコリメートレンズの光軸との位置関係により、所
定のビーム間角度：θ_Bの設定を行うことができる（請
求項４）。Further, a plurality of collimating lenses in the light source device are provided on the same substrate in one row with their optical axes parallel to each other, and a plurality of semiconductor lasers are arranged on the substrate via their respective supports. The predetermined inter-beam angle: θ _B can be set by the positional relationship between the position of the light emitting portion of each semiconductor laser and the optical axis of the corresponding collimating lens (claim 4).

【００１１】光源装置における「ビーム合成手段」は、
１／２波長板と偏光ビームスプリッタと１／４波長板と
を有するようにすることができ（請求項５）、あるい
は、請求項６記載の発明のように、ビーム合成手段が
「ｎ−１個のビームスプリッタと１枚のミラーとを一体
化したビーム合成プリズム」を有するようにしてもよ
い。The "beam combining means" in the light source device is
It is possible to have a half-wave plate, a polarization beam splitter, and a quarter-wave plate (Claim 5), or, as in the invention according to Claim 6, the beam combining means is "n-1". It is also possible to have a "beam combining prism" in which one beam splitter and one mirror are integrated.

【００１２】さらに、光源装置と結像光学系との間に、
「ビーム整形用アパーチャを、光源装置と別体に有す
る」ことができる（請求項７）。Further, between the light source device and the imaging optical system,
It is possible to "have the beam shaping aperture separately from the light source device" (claim 7).

【００１３】請求項８記載の発明は、上記請求項１〜７
記載のマルチビーム走査装置の構成に加え、「傾き角：
θ_Rが、複数の走査線ピッチに応じて予め設定された複
数の角の間で切り換え可能」であり、画素密度に応じ
て、ビーム傾け手段を制御して傾き角：θ_Rを切り換え
制御する「制御手段」を有する。The invention according to claim 8 is the above-mentioned claims 1 to 7.
In addition to the configuration of the described multi-beam scanning device, "tilt angle:
θ _R can be switched among a plurality of angles set in advance according to a plurality of scanning line pitches. ”The beam tilting means is controlled according to the pixel density, and the tilt angle: θ _R is switched and controlled. It has "control means".

【００１４】[0014]

【作用】上記のように、この発明においては、結像光学
系の副走査対応方向における焦点距離：ｆ_S、被走査面
上における走査線ピッチ：Ｐ_Sに対し、角：θ_Bおよびθ
_Ｒが、条件（Ｉ）および（ＩＩ）を満足するように設定
されることにより、所望の走査線ピッチ：Ｐ_Ｓが設定さ
れる。As described above, according to the present invention, the focal length in the sub-scanning corresponding direction of the imaging optical system is f _S , the scanning line pitch is P _S on the surface to be scanned, and the angles are θ _B and θ.
By setting _R so as to satisfy the conditions (I) and (II), a desired scan line pitch: P _S is set.

【００１５】なお、結像光学系は、光源装置からの複数
の光ビームが平行光束のまま偏向される場合には、通常
のｆθレンズ等であり、光源からの光束が線像結像光学
系により一旦、偏光手段による偏向の起点近傍に「線
像」として結像する場合には、線像の結像位置と被走査
面とを副走査対応方向に関して幾何光学的な共役関係と
するアナモフィックなｆθレンズ等と上記線像結像光学
系とが「結像光学系」を構成する。そして、この後者の
場合には、「結像光学系の副走査対応方向の焦点距離」
は、線像結像光学系の焦点距離：ｆ_cyと、アナモフィッ
クなｆθレンズ等の副走査対応方向の横倍率：βとの
「積」で定義される。The imaging optical system is an ordinary fθ lens or the like when a plurality of light beams from the light source device are deflected as parallel light beams, and the light beam from the light source is a line image imaging optical system. Therefore, when an image is formed as a "line image" in the vicinity of the starting point of the deflection by the polarization means, the anamorphic anamorphic relationship is formed in which the image formation position of the line image and the surface to be scanned have a geometrical-optical conjugate relationship with respect to the sub-scanning corresponding direction. The fθ lens and the like and the above-mentioned line image forming optical system form an “image forming optical system”. In the latter case, "the focal length of the imaging optical system in the sub-scanning corresponding direction"
Is defined as the "product" of the focal length of the linear image forming optical system: f _cy and the lateral magnification of the anamorphic fθ lens or the like in the sub-scanning corresponding direction: β.

【００１６】[0016]

【実施例】以下、具体的な実施例を説明する。図１は、
請求項１，２，５，６，７記載の発明を、半導体レーザ
の数が２である場合に適用した１実施例を示している。EXAMPLES Specific examples will be described below. Figure 1
An embodiment in which the invention described in claims 1, 2, 5, 6, and 7 is applied when the number of semiconductor lasers is two is shown.

【００１７】符号１０は光源装置を示している。光源装
置１０は、２つの半導体レーザ１１および１２、２つの
コリメートレンズ１３および１４、１／２波長板１５、
ビーム合成プリズム１６、１／４波長板１７を有し、破
線で示すケーシング内において、これらが相対的に位置
決めされて「実質的に一体化」されている。Reference numeral 10 indicates a light source device. The light source device 10 includes two semiconductor lasers 11 and 12, two collimating lenses 13 and 14, a half-wave plate 15,
It has a beam combining prism 16 and a quarter-wave plate 17, which are relatively positioned and “substantially integrated” in a casing shown by a broken line.

【００１８】半導体レーザ１１，１２から放射された光
ビーム（共に直線偏向で、偏向方向は互いに平行であ
る）は、それぞれコリメートレンズ１３，１４により
「実質的な平行光束」とされる。半導体レーザ１２から
放射され、コリメートレンズ１４により平行光束化され
た光ビームは、ビーム合成プリズム１６のミラー面１６
１により反射され、さらに同プリズム１６の偏光ビーム
スプリッタ面１６２により反射され、１／４波長板１７
により「円偏光」に変換されて光源装置１０から射出す
る。The light beams emitted from the semiconductor lasers 11 and 12 (both of which are linearly deflected and whose deflection directions are parallel to each other) are converted into "substantially parallel light beams" by the collimating lenses 13 and 14, respectively. The light beam emitted from the semiconductor laser 12 and made into a parallel light flux by the collimator lens 14 is a mirror surface 16 of the beam combining prism 16.
1 and further reflected by the polarization beam splitter surface 162 of the prism 16, and the quarter wavelength plate 17
Is converted into “circularly polarized light” and emitted from the light source device 10.

【００１９】一方、半導体レーザ１１から放射され、コ
リメートレンズ１３により平行光束化された光ビーム
は、１／２波長板１５により偏光方向を「９０度」旋回
され、ビーム合成プリズム１６の偏光ビームスプリッタ
面１６２を透過し、１／４波長板１７により円偏光に変
換されて光源装置１０から射出する。このようにして、
半導体レーザ１１，１２からの光ビームは、平行光束化
され、合成されて光源装置１０から射出する。１／２波
長板１５とビーム合成プリズム１６と１／４波長板１７
とは「ビーム合成手段」を構成している（請求項５）。On the other hand, the light beam emitted from the semiconductor laser 11 and collimated by the collimator lens 13 has its polarization direction rotated by 90 ° by the ½ wavelength plate 15, and the polarization beam splitter of the beam combining prism 16 is rotated. The light passes through the surface 162, is converted into circularly polarized light by the quarter-wave plate 17, and is emitted from the light source device 10. In this way
The light beams from the semiconductor lasers 11 and 12 are collimated, combined, and emitted from the light source device 10. Half-wave plate 15, beam combining prism 16, and quarter-wave plate 17
And constitute a "beam combining means" (claim 5).

【００２０】光源装置１０から射出した２本の光束は、
ビーム整形用アパーチャ３０により所定のビーム形状に
整形され、線像結像光学系であるシリンダレンズ３０に
入射する。シリンダレンズ３０は、副走査対応方向にの
み正のパワーを有し、２本の平行光束を共に副走査対応
方向へのみ収束させ、偏向手段である回転多面鏡４０の
偏向反射面近傍に主走査対応方向に長い線像として結像
させる。The two light beams emitted from the light source device 10 are
The beam is shaped into a predetermined beam shape by the beam shaping aperture 30 and is incident on the cylinder lens 30 which is a line image forming optical system. The cylinder lens 30 has a positive power only in the sub-scanning corresponding direction, converges the two parallel light beams only in the sub-scanning corresponding direction, and performs main scanning in the vicinity of the deflecting / reflecting surface of the rotary polygon mirror 40 as a deflecting means. A long line image is formed in the corresponding direction.

【００２１】２本の光ビームは、回転多面鏡４０の偏向
反射面に反射されると、ｆθレンズ３２に入射し、ｆθ
レンズ３２の作用で、被走査面５０上に２つの光スポッ
トとして結像される。即ち、ｆθレンズ３２は、回転多
面鏡４０の偏向反射面位置と被走査面５０の位置とを
「副走査対応方向において幾何光学的な共役関係」とす
るアナモフィックなレンズであり、シリンダレンズ３０
とともに「結像光学系」を構成する。従って、結像光学
系の焦点距離は前述したように、シリンダレンズ３０の
副走査対応方向の焦点距離：ｆ_cyと、ｆθレンズ３２の
副走査対応方向の横倍率：βとの「積；ｆ_cy・β」で定
義される。When the two light beams are reflected by the deflecting / reflecting surface of the rotary polygon mirror 40, they enter the fθ lens 32 and fθ
By the action of the lens 32, images are formed on the surface to be scanned 50 as two light spots. That is, the fθ lens 32 is an anamorphic lens in which the position of the deflecting / reflecting surface of the rotary polygon mirror 40 and the position of the surface to be scanned 50 have a “geometrical optical conjugate relationship in the sub-scanning corresponding direction”, and the cylinder lens 30.
Together with this, it constitutes an “imaging optical system”. Therefore, as described above, the focal length of the imaging optical system is the product of the focal length of the cylinder lens 30 in the sub scanning corresponding direction: f _cy and the lateral magnification of the fθ lens 32 in the sub scanning corresponding direction: β. _cy · β ”.

【００２２】回転多面鏡４０が等速回転すると、２本の
光ビームは等角速度的に偏向され、被走査面５０は２本
の光ビームにより２ラインが一度に等速走査される。被
走査面５０の位置には、一般に、光導電性の記録媒体が
配備される。When the rotary polygon mirror 40 rotates at a constant speed, the two light beams are deflected at a constant angular velocity, and the surface to be scanned 50 is scanned at a constant speed for two lines at a time by the two light beams. A photoconductive recording medium is generally arranged at the position of the scanned surface 50.

【００２３】図２は、２本の光ビームの結像の様子を示
している。図２は、シリンダレンズ３０から被走査面５
０に到る光路を直線的に展開した状態を示し、（ａ）は
図２の上下方向が主走査対応方向に対応するように描か
れ、（ｂ）は図の上下方向が副走査対応方向に対応する
ように描かれている。実線で示す光ビームＢ１は、図１
に示す半導体レーザ１１から放射された光ビームであ
る。破線で示す光ビームＢ２は半導体レーザ１２から放
射された光ビームである。FIG. 2 shows how the two light beams are imaged. FIG. 2 shows the surface to be scanned 5 from the cylinder lens 30.
2 shows a state in which the optical path reaching 0 is linearly developed, (a) is drawn so that the vertical direction in FIG. 2 corresponds to the main scanning corresponding direction, and (b) is the vertical direction in the drawing corresponding to the sub scanning corresponding direction. It is drawn to correspond to. The light beam B1 shown by the solid line is shown in FIG.
The light beam is emitted from the semiconductor laser 11 shown in FIG. A light beam B2 shown by a broken line is a light beam emitted from the semiconductor laser 12.

【００２４】図１に戻ると、半導体レーザ１１の「発光
部」は、コリメートレンズ１３の光軸上に位置し、半導
体レーザ１１から放射された光ビームは、コリメートレ
ンズ１３の光軸に平行な平行光束となる。コリメートレ
ンズ１３の光軸は、光源から被走査面に到る光路を展開
した状態において、「結像光学系（３０，３２）」と光
軸が合致している。Returning to FIG. 1, the “light emitting portion” of the semiconductor laser 11 is located on the optical axis of the collimating lens 13, and the light beam emitted from the semiconductor laser 11 is parallel to the optical axis of the collimating lens 13. It becomes a parallel light flux. The optical axis of the collimator lens 13 coincides with the "imaging optical system (30, 32)" in a state where the optical path from the light source to the surface to be scanned is developed.

【００２５】一方、コリメートレンズ１４の光軸も、結
像光学系の光軸と「光軸合わせ」されているが、半導体
レーザ１２の「発光部」は、コリメートレンズ１４の光
軸から若干ずれており、この「ずれ」があるため、コリ
メートレンズ１４から射出する平行光束は、コリメート
レンズ１４の光軸、従って結像光学系の光軸に対して傾
いたビームとなる。従って、光源装置から放射される２
本の光ビームのうち、コリメートレンズ１２により平行
光束化された光ビーム（前述の光ビームＢ１）が、結像
光学系の光軸に対して平行であるのに対し、コリメート
レンズ１４により平行光束化された光ビームＢ２は、光
ビームＢ１との間にビーム間角度：θ_Bを有することに
なる。On the other hand, the optical axis of the collimator lens 14 is also “optical axis aligned” with the optical axis of the imaging optical system, but the “light emitting portion” of the semiconductor laser 12 is slightly deviated from the optical axis of the collimator lens 14. Due to this "deviation", the parallel light flux emitted from the collimator lens 14 becomes a beam that is inclined with respect to the optical axis of the collimator lens 14, and thus the optical axis of the imaging optical system. Therefore, 2 emitted from the light source device
Of the light beams of the book, the light beam (the above-mentioned light beam B1) which is collimated by the collimator lens 12 is parallel to the optical axis of the imaging optical system, while the collimator lens 14 collimates the parallel light beam. The converted light beam B2 has an inter-beam angle: θ _B with the light beam B1.

【００２６】図１に示す例に就いて説明すると、半導体
レーザ１１，１２の発光部を結ぶ直線（ビーム間角度設
定方向）は、コリメートレンズ１３，１４の中心を結ぶ
方向と平行であるが、半導体レーザ１２の発光部は、上
記ビーム間角度設定方向において、コリメートレンズ１
４の光軸上から微小距離ずれているのである。従って、
合成されて射出する２本の光ビームＢ１，Ｂ２の間に
は、コリメートレンズ１３，１４の光軸を共有する平面
内において、前記ビーム間角度：θ_Bの開きがあること
になる。Explaining the example shown in FIG. 1, the straight line connecting the light emitting portions of the semiconductor lasers 11 and 12 (inter-beam angle setting direction) is parallel to the direction connecting the centers of the collimating lenses 13 and 14. The light emitting portion of the semiconductor laser 12 has the collimating lens 1 in the beam angle setting direction.
That is, there is a slight deviation from the optical axis of No. 4. Therefore,
Between the two light beams B1 and B2 which are combined and emitted, there is an opening of the inter-beam angle: θ _B in a plane sharing the optical axes of the collimator lenses 13 and 14.

【００２７】図１に示すように、光源装置１０は、コリ
メートレンズ１３の光軸を回転軸として、主走査対応方
向から時計回りに「傾き角：θ_R」だけ傾けられてい
る。このため前述のビーム間角度設定方向は、主走査対
応方向に対し傾き角：θ_Rだけ傾くことになる。即ち、
光源装置１０を主走査対応方向に対し、傾き角：θ_Rだ
け傾けて固定する光源装置保持機構（図示されず）が、
「光ビーム傾け手段」を構成するのである（請求項
２）。As shown in FIG. 1, the light source device 10 is tilted clockwise from the direction corresponding to the main scanning by the "tilt angle: θ _R " with the optical axis of the collimator lens 13 as the rotation axis. Therefore, the above-mentioned beam angle setting direction is tilted by the tilt angle: θ _{R with} respect to the main scanning corresponding direction. That is,
A light source device holding mechanism (not shown) for fixing the light source device 10 by inclining the light source device 10 with respect to the main scanning direction by an inclination angle of θ _R ,
This constitutes the "light beam tilting means" (claim 2).

【００２８】このように、光源装置１０から放射される
光ビームＢ１，Ｂ２の間に、ビーム間角度：θ_Bがあ
り、ビーム間角度設定方向は、主走査対応方向に対し傾
き角：θ_Rだけ傾いているため、被走査面５０上に結像
する２つの光スポットは、主走査方向に距離：Ｐ_M、副
走査方向に距離：Ｐ_Sだけずれることになり、この距
離：Ｐ_Sが走査線ピッチを与えることになる。なお、こ
の例では、ビーム間角度設定方向を、半導体レーザ１
１，１２の配列方向に設定したが、これに限らず「ビー
ム間角度設定方向」は任意の方向、例えばコリメートレ
ンズ１３，１４の配列方向に直交する方向に設定するこ
とが可能である。As described above, the inter-beam angle: θ _B exists between the light beams B1 and B2 emitted from the light source device 10, and the inter-beam angle setting direction is the inclination angle: θ _{R with} respect to the main scanning corresponding direction. since the tilted by two light spots imaged on the scanned surface 50 in the main scanning direction a distance: P _M, the distance in the sub-scanning direction: will only shift that P _S, the distance: P _S is It will give the scan line pitch. In this example, the beam angle setting direction is set to the semiconductor laser 1
Although the arrangement directions of 1 and 12 are set, the present invention is not limited to this, and the “beam angle setting direction” can be set to an arbitrary direction, for example, a direction orthogonal to the arrangement direction of the collimator lenses 13 and 14.

【００２９】図３は、光源装置から放射された２本の光
ビームＢ１，Ｂ２（主光線で示している）の関係を示し
ている。光ビームＢ１，Ｂ２の間には、ビーム間角度：
θ_Bが設定され、且つビーム間角度設定方向が主走査対
応方向に対し：傾き角：θ_Rだけ傾くため、２本の光ビ
ームＢ１，Ｂ２は、主走査対応方向に就いては、互いに
「θ_M」の角をなし、副走査対応方向に就いては、互い
に角「θ_S」をなすことになる。FIG. 3 shows the relationship between the two light beams B1 and B2 (indicated by the chief rays) emitted from the light source device. Between the light beams B1 and B2, the angle between the beams is:
Since θ _B is set and the inter-beam angle setting direction is inclined with respect to the main scanning corresponding direction by: inclination angle: θ _R , the two light beams B1 and B2 are mutually “ The angles of “θ _M ” are formed, and the angles corresponding to the sub-scanning corresponding directions form the angles of “θ _S ”.

【００３０】角：θ_M，θ_Sは、ビーム間角度：θ_B，傾
き角：θ_Rと ｔａｎθ_M＝ｔａｎθ_B・ｃｏｓθ_R
（２） ｔａｎθ_S＝ｔａｎθ_B・ｓｉｎθ_R
（３） の関係にある。The angles: θ _M and θ _S are the inter-beam angle: θ _B , the tilt angle: θ _R and tan θ _M = tan θ _B · cos θ _R
(2) tan θ _S = tan θ _B · sin θ _R
There is a relationship of (3).

【００３１】θ_M，θ_S，θ_Bは微小角であるので、これ
ら（２），（３）式は、 θ_M＝θ_B・ｃｏｓθ_R （２’） θ_S＝θ_B・ｓｉｎθ_R （３’） と表すことができる。結像光学系の焦点距離を、主走査
対応方向につきｆ_M、副走査対応方向につき｜ｆ_S｜（＝
ｆ_cy・β）とすると、図１，３のＰ_M，Ｐ_Sは、 Ｐ_M＝ｆ_M・θ_M＝ｆ_M・θ_B・ｃｏｓθ_R （４） Ｐ_S＝｜ｆ_S｜・ｔａｎθ_S＝｜ｆ_S｜・ｔａｎ（θ_B・ｓｉｎθ_R） （５） となる。Since θ _M , θ _S , and θ _B are minute angles, these equations (2) and (3) are expressed by θ _M = θ _B · cos θ _R (2 ′) θ _S = θ _B · sin θ _R ( 3 ') can be represented. The focal length of the imaging optical system is f _M for the main scanning corresponding direction and | f _S | (= for the sub scanning corresponding direction.
f _cy · β), P _M and P _{S in} FIGS. 1 and 3 are P _M = f _M · θ _M = f _M · θ _B · cos θ _R (4) P _S = | f _S | · tan θ _S = | F _S | · tan (θ _B · sin θ _R ) (5)

【００３２】従って、所望の走査線ピッチ：Ｐ_Sを実現
するには、角：θ_B，θ_Rが（５）を満足するようにすれ
ばよく、そのためには、 「θ_B・ｓｉｎθ_R＝ｔａｎ~¹（Ｐ_S／｜ｆ_S｜）」 即ち、条件（Ｉ）が満足されればよいことになる。Therefore, in order to realize the desired scanning line pitch: P _S , the angles: θ _B , θ _R should satisfy (5), and for that purpose, “θ _B · sin θ _R = _{^{tan ~ 1 (P S / |}} f S |) "that is, the condition (I) need be satisfied.

【００３３】ここで、具体的な数値例を与える。Here, a specific numerical example will be given.

【００３４】図１の実施例構成において、結像光学系の
焦点距離を、主走査対応方向につきｆ_M＝２００ｍｍ、
副走査対応方向につき｜ｆ_S｜＝７５ｍｍとし、ビーム
間角度：：θ_B＝２０’に設定し、走査線ピッチ：Ｐ_Sを
傾き角：θ_Rで調整することを考える。画素密度：２４
０，３００，４００４８０，６００，８００ｄｐｉに対
し、θ_R，θ_S，θ_M，Ｐ_S，Ｐ_Mを与えると、以下のよう
になる。In the configuration of the embodiment shown in FIG. 1, the focal length of the imaging optical system is f _M = 200 mm in the main scanning corresponding direction,
It is considered that | f _S | = 75 mm is set in the sub-scanning corresponding direction, the inter-beam angle is set to: θ _B = 20 ′, and the scanning line pitch: P _S is adjusted by the tilt angle: θ _R. Pixel density: 24
When θ _R , θ _S , θ _M , P _S , and P _M are given to 0, 300, 400480, 600, and 800 dpi, the following is obtained.

【００３５】 画素密度(ｄｐｉ) ２４０ ３００ ４００ ４８０ ６００ ８００ θ_R(単位：度) 14.03 11.19 8.37 6.95 5.54 4.18 θ_S(単位：分） 4.85 3.88 2.91 2.42 1.94 1.46 θ_M(単位：分） 19.4 19.6 19.8 19.9 19.9 19.9 Ｐ_S(単位：μｍ) 105.8 84.7 63.5 52.9 42.3 31.8 Ｐ_M(単位：ｍｍ) 1.13 1.14 1.15 1.16 1.16 1.16 Δθ_R(単位：分） 42 34 25 21 17 13 Δθ_S(単位：秒) 15 12 8.7 7.3 5.8 4.4 。Pixel density (dpi) 240 300 400 480 600 800 800 _R (unit: degree) 14.03 11.19 8.37 6.95 5.54 4.18 θ _S (unit: min) 4.85 3.88 2.91 2.42 1.94 1.46 θ _M (unit: min) 19.4 19.6 19.8 19.9 19.9 19.9 P _S (unit: μm) 105.8 84.7 63.5 52.9 42.3 31.8 P M ( unit: mm) 1.13 1.14 1.15 1.16 1.16 1.16 Δθ R ( in minutes) 42 34 25 21 17 13 Δθ S ( in seconds) 15 12 8.7 7.3 5.8 4.4.

【００３６】「Δθ_R」は、走査線ピッチ：Ｐ_Sを、設定
誤差：５％以内とするための調整精度を表す。「Δ
θ_S」は、θ_Sの調整のみで設定誤差：５％以内とするた
めの調整精度を表し、比較のためのものである。“Δθ _R ” represents the adjustment accuracy for keeping the scanning line pitch: P _S within the setting error: 5%. "Δ
“θ _S ” represents the adjustment accuracy for making the setting error within 5% only by adjusting θ _S , and is for comparison.

【００３７】この発明のように、ビーム間角度：θ_Bを
設定し、傾き角：θ_Rで走査線ピッチを調整すると、θ_S
の調整のみで調整する場合に比して、調整の精度が著し
く緩やかであり、走査線ピッチの設定が容易である。If the inter-beam angle: θ _B is set and the scanning line pitch is adjusted with the tilt angle: θ _{R as} in the present invention, θ _S
The accuracy of the adjustment is remarkably gentle and the scanning line pitch can be easily set, as compared with the case where the adjustment is performed only by the adjustment.

【００３８】ただし、ビーム間角度：θ_Bは、あまり大
きく設定しすぎると偏向手段におけるビームピッチが拡
大し、偏向反射面を大きくする必要がり、また傾き角：
θ_Rに対する調整精度も厳しくなるから、２〜３度以下
に設定するのが好ましい。However, if the inter-beam angle: θ _B is set too large, the beam pitch in the deflecting means expands, and it is necessary to enlarge the deflecting / reflecting surface, and the tilt angle:
Since the adjustment accuracy with respect to θ _R also becomes strict, it is preferable to set it to 2 to 3 degrees or less.

【００３９】またビーム間角度：θ_Bが小さすぎると、
所定の走査線ピッチが得られなくなるので、ビーム間角
度：θ_Bの下限は、条件（ＩＩ）、即ち、 「θ_B＞＝ｔａｎ~¹（Ｐ_S／｜ｆ_S｜）」 を満足することが必要である。If the angle between beams: θ _B is too small,
Since the predetermined scanning line pitch cannot be obtained, the lower limit of the inter-beam angle: θ _B must satisfy the condition (II), that is, “θ _B > = tan ~ ¹ (P _S / | f _S |)”. is necessary.

【００４０】図４は、請求項３記載の発明の１実施例を
要部のみ略示している。繁雑を避けるため、混同の虞れ
が無いと思われるものについては、図１におけると同一
の符号を付する。FIG. 4 schematically shows only an essential part of one embodiment of the invention according to claim 3. In order to avoid complication, the same symbols as those in FIG.

【００４１】この実施例に於いては、光源装置１０には
傾き角：θ_Rが与えられておらず、従って、ビーム間角
度設定方向は主走査対応方向に平行であり、光源装置１
０から放射される２本の光ビームは、主走査対応方向と
結像光学系の光軸とを含む平面内で、ビーム間角度：θ
_Bを与えられている。なお、２本の光ビームのうちの１
本は、図１の実施例の場合と同じく、その主光線が、結
像光学系の光軸に合致している。In this embodiment, the light source device 10 is not provided with the tilt angle: θ _R , and therefore the inter-beam angle setting direction is parallel to the main scanning corresponding direction.
The two light beams emitted from 0 are in a plane including the main scanning corresponding direction and the optical axis of the imaging optical system, and the inter-beam angle: θ.
Given _B. Note that one of the two light beams
As in the case of the embodiment of FIG. 1, the book has its chief ray aligned with the optical axis of the imaging optical system.

【００４２】これら２本の光ビームは、イメージ回転子
６０に入射し、主走査対応方向に対して所定の傾き角：
θ_R傾けられる。ビーム傾け手段は、イメージ回転子６
０と、この６０を光軸の回りに回転調整する工程の適宜
の手段（図示されず）により構成されている。These two light beams are incident on the image rotator 60 and have a predetermined inclination angle with respect to the main scanning corresponding direction:
θ _R Tilted. The beam tilt means is the image rotator 6.
0 and appropriate means (not shown) in the step of adjusting the rotation of the 60 around the optical axis.

【００４３】イメージ回転子には種々の形態のものを利
用できる。図４に示された実施例において用いられてい
るイメージ回転子６０は、図５（ａ）に示すような台形
型のダブプリズムであり、光軸の回りに回転可能であ
る。Various forms of the image rotator can be used. The image rotator 60 used in the embodiment shown in FIG. 4 is a trapezoidal Dove prism as shown in FIG. 5A, and is rotatable around the optical axis.

【００４４】ダブプリズム６０を、光軸の回りに回転さ
せると、これに入射する２本の光ビームのうち、光軸に
合致する方の光ビームは変化しないが、この光ビームに
対してビーム間角度：θ_Bだけ傾いた光ビームは、ダブ
プリズム６０の回転と共に光軸を軸として回転してダブ
プリズム６０から射出するので、ダブプリズム６０の回
転角を調整することにより、２本の光ビームに、傾き
角：θ_R を与えることができる。When the Dove prism 60 is rotated around the optical axis, the one of the two light beams incident on the Dove prism 60 which matches the optical axis does not change. The angle of the light beam, which is inclined by θ _B , rotates around the optical axis as the Dove prism 60 rotates and exits from the Dove prism 60. Therefore, by adjusting the rotation angle of the Dove prism 60, the two light beams The beam can be given a tilt angle: θ _R.

【００４５】ダブプリズム６０以後に就いては、図１の
実施例とまったく同様である。「イメージ回転子」とし
ては、図５（ａ）に示すダブプリズム６０に変えて、図
５（ｂ）に示すような、プリズム内で光線を３回反射さ
せる凹型プリズム６１や、図５（ｃ）に示すように、屈
曲平面鏡６２Ａと平面鏡６２Ｂとを対応させて組合せ一
体化したもの（機能は、（ｂ）の凹型プリズムと全く同
様である）、あるいは図５（ｅ）に示すように、２枚の
ウエッジプリズム６３Ａ，６３Ｂを光軸方向へ直列的に
配列し、これらを光軸に対して独立に回転調整するよう
にしたもの等を好適に用いることが出来る。なお、ウエ
ッジプリズム６３Ａ，６３Ｂは、図５（ｄ）に示すよう
に、断面形状が「楔状」をしたプリズムである。After the Dove prism 60, it is exactly the same as the embodiment of FIG. As the “image rotator”, instead of the Dove prism 60 shown in FIG. 5A, a concave prism 61 for reflecting light rays three times inside the prism as shown in FIG. 5B, and FIG. ), A curved flat mirror 62A and a flat mirror 62B are associated and integrated (the function is exactly the same as that of the concave prism of (b)), or, as shown in FIG. 5 (e), The two wedge prisms 63A and 63B arranged in series in the optical axis direction, and those independently rotating and adjusted with respect to the optical axis can be preferably used. The wedge prisms 63A and 63B are prisms having a “wedge” cross-sectional shape, as shown in FIG.

【００４６】図６は、請求項４記載の発明の１実施例を
示している。請求項４記載の発明は「光源装置の構成」
を特徴とするものである。この実施例に示された光源装
置の構成は、図１，図４の実施例における光源装置１０
の構成として利用できる。FIG. 6 shows an embodiment of the invention described in claim 4. The invention according to claim 4 is "a structure of a light source device".
It is characterized by. The structure of the light source device shown in this embodiment is the same as the light source device 10 in the embodiment of FIGS.
Available as a configuration.

【００４７】繁雑を避けるため、図６においても、混同
の虞れが無いと思われるものに就いては図１におけると
同一の符号を用いる。In order to avoid complication, the same reference numerals as those in FIG. 1 are used in FIG. 6 for those which are not likely to be confused.

【００４８】コリメートレンズ１３，１４は、同一の基
板１０１に光軸を平行にして、図の上下方向に１列に設
けられ、半導体レーザ１１，１２は、それぞれの支持体
１０２Ａ，１０２Ｂを介して基板１０１に配設される。
半導体レーザ１１は、その発光部がコリメートレンズ１
３の光軸上に位置するように位置合わせされて基板１０
１に固定されている。これに対し、半導体レーザ１２
は、図の上下方向に微調整が可能で、この微調整によ
り、半導体レーザ１２の発光部とコリメートレンズ１４
の光軸との「ずれ」を調整することにより、合成された
２本の光ビームＢ１，Ｂ２の間に「ビーム間角度」が与
えられ、上記「ずれ」の大きさによりビーム間角度：θ
_Bの大きさが決定される。即ち、半導体レーザ１１，１
２の発光部位置と、対応するコリメートレンズ１３，１
４の光軸との位置関係により、ビーム間角度：θ_Bの設
定が行われるのである。The collimator lenses 13 and 14 are provided in a line in the vertical direction of the figure with the optical axis parallel to the same substrate 101, and the semiconductor lasers 11 and 12 are provided via the respective supports 102A and 102B. It is arranged on the substrate 101.
The light emitting portion of the semiconductor laser 11 has a collimating lens 1
The substrate 10 is aligned so as to be located on the optical axis of the substrate 3.
It is fixed at 1. On the other hand, the semiconductor laser 12
Can be finely adjusted in the vertical direction in the figure. By this fine adjustment, the light emitting portion of the semiconductor laser 12 and the collimator lens 14 can be adjusted.
By adjusting the "deviation" with respect to the optical axis of, the "inter-beam angle" is given between the two combined light beams B1 and B2, and the inter-beam angle: θ depending on the magnitude of the "deviation".
The size of _B is determined. That is, the semiconductor lasers 11, 1
2 light emitting part positions and corresponding collimating lenses 13 and 1
The inter-beam angle: θ _B is set according to the positional relationship with the optical axis of No. 4.

【００４９】一方、基板１０１の、図で右側には保持体
１０３が設けられている。保持体１０３は、ビーム合成
プリズム１６と、１／２波長板１５と、１／４波長板１
７とを図のように固定的に保持しており、基板１０１の
右側に固定される。On the other hand, a holding body 103 is provided on the right side of the substrate 101 in the figure. The holder 103 includes a beam combining prism 16, a half-wave plate 15, and a quarter-wave plate 1.
7 and 7 are fixedly held as shown in the figure and fixed to the right side of the substrate 101.

【００５０】従って、半導体レーザ１１から放射された
光ビームＢ１はコリメートレンズ１３により平行光束化
され、１／２波長板１５により偏光方向を９０度旋回さ
れ、偏光ビームスプリッタ面１６２を透過し、１／４波
長板１７により円偏光に変換され、コリメートレンズ１
３の光軸に合致する平行光束として射出する。Therefore, the light beam B1 emitted from the semiconductor laser 11 is collimated by the collimator lens 13, the polarization direction is rotated 90 degrees by the half-wave plate 15, and the light beam B1 is transmitted through the polarization beam splitter surface 162. Collimated lens 1 converted into circularly polarized light by quarter wave plate 17
It is emitted as a parallel light flux that matches the optical axis of 3.

【００５１】半導体レーザ１２から放射された光は、コ
リメートレンズ１４により平行光束化され、ミラー１６
２と偏光ビームスプリッタ面１６２とに順次反射され、
１／４波長板１７により円偏光に変換され、光ビームＢ
１に対し、図面内でビーム間角度：θ_B傾いた光ビーム
Ｂ２となって射出する。The light emitted from the semiconductor laser 12 is collimated by the collimator lens 14 and is reflected by the mirror 16.
2 and the polarization beam splitter surface 162 are sequentially reflected,
The light beam B is converted into circularly polarized light by the quarter-wave plate 17
1, the inter-beam angle: θ _B in the drawing becomes a light beam B2 inclined and emitted.

【００５２】光源装置をこのように構成すると、「半導
体レーザとコリメートレンズの対」が、同一基板上に近
接して配列されるので、振動等の機械的な外乱や基板の
温度変動に伴う伸縮が生じても、各光ビームの射出方向
の相対的な変動が生じ難く、経時的に安定した走査線ピ
ッチを維持できる。With this structure of the light source device, since the "semiconductor laser and collimator lens pair" are arranged in close proximity to each other on the same substrate, expansion and contraction due to mechanical disturbance such as vibration or temperature change of the substrate. Even if occurs, it is difficult for the relative variation in the emission direction of each light beam to occur, and a stable scanning line pitch can be maintained over time.

【００５３】図６に示す光源装置は、請求項５記載の発
明の実施例にもなっている。即ち、「ビーム合成手段」
は、１／２波長板１５と、偏光ビームスプリッタ１６２
と、１／４波長板１７とを有する。半導体レーザから放
射される光ビームは周知の如く、実質的な「直線偏光光
束」であるから、これを１／２波長板と偏光ビームスプ
リッタの組合せで合成することにより、各半導体レーザ
からの光を光損失最小で合成でき、マルチビーム走査に
おける光利用効率を高め、高速の光走査を実現できる。The light source device shown in FIG. 6 is also an embodiment of the invention described in claim 5. That is, "beam combining means"
Is a half-wave plate 15 and a polarization beam splitter 162.
And a quarter wavelength plate 17. As is well known, the light beam emitted from the semiconductor laser is a substantially “linearly polarized light beam”. Therefore, by combining this with a combination of a half-wave plate and a polarization beam splitter, the light from each semiconductor laser can be obtained. Can be combined with minimum light loss, the efficiency of light utilization in multi-beam scanning can be improved, and high-speed optical scanning can be realized.

【００５４】また、合成された２本の光ビームを「１／
４波長板により円偏光に変換」して用いている。図７
は、Ｐ，Ｓ偏光および円偏光に対する入射角と反射率と
の周知の関係を示している。例えば、回転多面鏡におけ
る入射角の変化領域を、光走査の有効領域に対応して３
０度±２０度（１０〜５０度）とすると、この入射角領
域に於いて、反射率の変動は「円偏光」の場合が最小で
あり、偏向反射面における「入射角の変化」に伴う反射
率の変動を有効に抑えられるほか、偏向手段以降のｆθ
レンズ等の反射率や透過率も各光ビームで同一となるの
で、光スポットの像高による露光強度の変動を小さく抑
えることが出来、光ビーム間での露光むらも生じない。Further, the two combined light beams are converted into "1 /
It is used after being converted into circularly polarized light by a four-wave plate. Figure 7
Shows the well-known relationship between the incident angle and the reflectance for P, S polarized light and circularly polarized light. For example, the incident angle change region in the rotary polygon mirror is set to 3 in correspondence with the effective region of optical scanning.
If the angle is 0 ° ± 20 ° (10 to 50 °), the reflectance variation in this incident angle region is the smallest in the case of “circularly polarized light”, and is accompanied by the “change of the incident angle” on the deflective reflection surface. In addition to effectively suppressing the fluctuation of the reflectance, fθ after the deflecting means
Since the reflectance and the transmittance of the lens and the like are the same for each light beam, the fluctuation of the exposure intensity due to the image height of the light spot can be suppressed to a small level, and the uneven exposure between the light beams does not occur.

【００５５】また、図６に示す実施例は、請求項６記載
の発明の１実施例となっている。即ち、半導体レーザの
数：ｎ＝２に対し、「ビーム合成手段」はｎ−１個、即
ち１個のビームスプリッタ（偏光ビームスプリッタ面１
６２）と、１枚のミラー（ミラー１６１）とを一体化し
たビーム合成プリズム１６を有している。The embodiment shown in FIG. 6 is an embodiment of the invention described in claim 6. That is, for the number of semiconductor lasers: n = 2, the number of “beam combining means” is n−1, that is, one beam splitter (polarization beam splitter surface 1).
62) and a beam combining prism 16 in which one mirror (mirror 161) is integrated.

【００５６】図１〜６に即して説明した実施例では、半
導体レーザの数：ｎは２であるが、この発明に於いて、
半導体レーザの数：ｎは２に限らず、３以上の適宜の数
とすることができる。この場合、一般にｎ本の光ビーム
を互いに所定のビーム間角度ずつ傾けて合成するのであ
り、原理的には、ｎ−１個のビームスプリッタと１枚の
ミラーとを用いて合成すれば良いが、ｎ個のビームスプ
リッタと１枚のミラーとが互いに「別体」であると、こ
れらビームスプリッタとミラーの間の相互の位置合わせ
が面倒であり、また、位置合わせした後にも、機械的な
振動等による外乱で、相互の位置関係に狂いが生じやす
く、走査線ピッチの経時的な安定性を実現するのが難し
い。In the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 6, the number of semiconductor lasers: n is 2, but in the present invention,
The number of semiconductor lasers: n is not limited to 2, but may be an appropriate number of 3 or more. In this case, generally, n light beams are combined by inclining each other by a predetermined inter-beam angle, and in principle, n-1 beam splitters and one mirror may be used for composition. , N beam splitters and one mirror are “separate” from each other, alignment between these beam splitters and mirrors is troublesome, and even after alignment, mechanical alignment is difficult. Disturbances due to vibrations and the like tend to cause mutual positional deviations, and it is difficult to achieve temporal stability of the scanning line pitch.

【００５７】このような問題を解決するには、請求項６
記載の発明のように「ｎ−１個のビームスプリッタと１
枚のミラーとを、ビーム合成プリズムとして一体化す
る」のが良い。その場合、ビームスプリッタとしては偏
光ビームスプリッタとすることが光利用効率の面からし
て好ましいことは言うまでもない。In order to solve such a problem, claim 6
As described in the invention, "n-1 beam splitters and 1
It is better to integrate the mirrors as a beam combining prism. In that case, it is needless to say that a polarized beam splitter is preferable as the beam splitter from the viewpoint of light utilization efficiency.

【００５８】図８に、請求項６記載の発明を、ｎ＝４の
場合に適用した実施例を２例示す。（ａ）では、ビーム
合成プリズム１６Ａの斜面部１６Ａ１がミラーであり、
ビームスプリッタ面１６Ａ２，１６Ａ３，１６Ａ４は、
何れも偏光ビームスプリッタ面となっている。（ｂ）で
は、ビーム合成プリズム１６Ｂの内部にミラー１６Ｂ１
が設けられ、ビームスプリッタ面１６Ｂ２，１６Ｂ３，
１６Ｂ４が、何れも偏光ビームスプリッタ面となってい
る。FIG. 8 shows two embodiments in which the invention of claim 6 is applied when n = 4. In (a), the slope portion 16A1 of the beam combining prism 16A is a mirror,
The beam splitter surfaces 16A2, 16A3, 16A4 are
Both are polarization beam splitter surfaces. In (b), the mirror 16B1 is provided inside the beam combining prism 16B.
Is provided, and the beam splitter surfaces 16B2, 16B3
16B4 is a polarization beam splitter surface.

【００５９】また、ビーム合成プリズムに対して、１／
２波長板１４、１／４波長板１７を一体化しても良い。
図９に、この場合の例を２例示す。（ａ）の例は、図６
に示す光源装置例において、ビーム合成プリズム１６に
対し、１／２波長板１５と１／４波長板１７とを、１／
２波長板１５を偏光ビームスプリッタ面を挾んで、貼り
合わせ等により一体化した例である。（ｂ）は、ビーム
合成プリズム１６に対し、１／２波長板１５をミラーに
対向させ、１／２波長板１７を偏光ビームスプリッタ面
に対応させて貼り合わせ等により一体化した例である。Further, with respect to the beam combining prism, 1 /
The two-wave plate 14 and the quarter-wave plate 17 may be integrated.
FIG. 9 shows two examples of this case. An example of (a) is shown in FIG.
In the example of the light source device shown in FIG. 1, the half wave plate 15 and the quarter wave plate 17 are
This is an example in which the two-wave plate 15 is integrated by sandwiching the polarization beam splitter surface and bonding the two. (B) is an example in which the ½ wavelength plate 15 is opposed to the mirror and the ½ wavelength plate 17 is integrated with the beam combining prism 16 so as to correspond to the polarization beam splitter surface.

【００６０】図９（ａ），（ｂ）に示す例では、各半導
体レーザーから放射される光ビームの偏向方向が（ａ）
と（ｂ）とで互いに９０度異なっている。In the example shown in FIGS. 9A and 9B, the deflection direction of the light beam emitted from each semiconductor laser is (a).
And (b) are different from each other by 90 degrees.

【００６１】図１，４に示すビーム整形用アパーチャ２
０は、光源装置により合成された２本の光ビームに対し
て共通して用いられている。ビーム整形用プリズムによ
るビーム整形は、原理的には、各半導体レーザからの光
ビームが合成される以前に、各光ビームごとに行っても
良い。しかし、合成以前の各光ビーム毎にビーム整形を
行うには、光ビームの本数に等しいビーム整形用アパー
チャを別個に位置合わせして組み付ける煩わしさがあ
り、また各ビーム整形用アパーチャの位置に、組み付け
誤差や経時変化による狂いが生じた場合、光ビームが本
来のものから「光軸直交方向」にずれる。Beam shaping aperture 2 shown in FIGS.
0 is commonly used for two light beams combined by the light source device. In principle, the beam shaping by the beam shaping prism may be performed for each light beam before the light beams from the respective semiconductor lasers are combined. However, in order to perform beam shaping for each light beam before combining, there is the trouble of separately aligning and assembling beam shaping apertures equal to the number of light beams, and at the position of each beam shaping aperture, When an error occurs due to an assembly error or a change with time, the light beam deviates from the original light beam in the “direction orthogonal to the optical axis”.

【００６２】例えば図１０（ａ）は、本来「破線」の如
きものである光ビームＢ２が、実線のようにずれた場合
であり、このようなずれは、光スポット位置をずらし、
走査線曲がり等の問題を引き起こす。For example, FIG. 10 (a) shows a case where the light beam B2, which is originally like a "dashed line", shifts as shown by the solid line. Such shift shifts the light spot position,
This causes problems such as scan line bending.

【００６３】また、ビーム整形用アパーチャを光源装置
の一部として配備した場合、「アパーチャの主軸」が、
必ずしも主・副走査対応方向と平行にならないため、図
１０（ｂ）に示すように、被走査面上の光スポット形状
が「傾いた形状」となる可能性がある。When the beam shaping aperture is provided as a part of the light source device, the "main axis of the aperture" is
Since it is not always parallel to the main / sub-scanning corresponding direction, the light spot shape on the surface to be scanned may be an “inclined shape” as shown in FIG.

【００６４】このような問題を有効に解決するには、請
求項７記載の発明のように「ビーム整形用アパーチャ」
を、光源装置と結像光学系との間に、光源装置と別体に
有する」ようにするのが良い。図１，４に示す実施例は
このようになっている。In order to effectively solve such a problem, the "beam shaping aperture" as in the invention of claim 7 is used.
Is separately provided from the light source device between the light source device and the imaging optical system. The embodiment shown in FIGS. 1 and 4 has such a structure.

【００６５】このようにすると、光ビームは合成された
後にビーム整形されるので、図１０（ｃ）に示すよう
に、光源装置の側において光ビームのシフトが生じて
も、ビーム整形された光ビームにシフトはなく、光スポ
ット形状が傾く虞れも無い。In this way, since the light beams are combined and then beam-shaped, as shown in FIG. 10C, even if the light beam shifts on the light source device side, the beam-shaped light is There is no shift in the beam and there is no risk of the light spot shape tilting.

【００６６】図１１は、請求項８記載の発明を、図４に
示した装置例に適用した１実施例を示している。従っ
て、混同の虞れがないと思われるものについては、図４
におけると同一の符号を用いる。FIG. 11 shows an embodiment in which the invention described in claim 8 is applied to the apparatus example shown in FIG. Therefore, as for what seems not to be confused,
The same symbols as in are used.

【００６７】図１１（ａ）に示すように、画素密度切換
信号発生手段８７からの信号は、一方において走査周波
数制御手段８８を介して、偏向手段である回転多面鏡４
０の回転数を制御するようになっており、他方におい
て、走査線ピッチ検出手段８６、ステッピングモータド
ライバ８５、画素クロック制御手段８４、駆動電流制御
手段８２を制御するようになっている。As shown in FIG. 11A, the signal from the pixel density switching signal generating means 87 is transmitted through the scanning frequency control means 88 on the one hand to the rotary polygon mirror 4 which is a deflecting means.
On the other hand, it controls the scanning line pitch detection means 86, the stepping motor driver 85, the pixel clock control means 84, and the drive current control means 82.

【００６８】画素クロック制御手段８４からは、画素密
度に応じて制御された「画像クロック」が発せられ、こ
の画像クロックはアンドゲート８３に印加され、アンド
ゲート８３は、印加される画像クロックによりタイミン
グを取って「画素データ」をレーザドライバ８１に出力
する。An "image clock" controlled in accordance with the pixel density is issued from the pixel clock control means 84, and this image clock is applied to the AND gate 83, and the AND gate 83 is timed by the applied image clock. Then, the “pixel data” is output to the laser driver 81.

【００６９】レーザドライバ８１は、アンドゲートから
の画素データに応じ、「駆動電流制御手段８２により画
素密度に応じて制御された制御電流」を半導体レーザに
通じ、各半導体レーザを画素データに応じて点滅させ
る。The laser driver 81 passes the "control current controlled by the drive current control means 82 according to the pixel density" to the semiconductor laser in accordance with the pixel data from the AND gate, and causes each semiconductor laser to respond to the pixel data. Make it blink.

【００７０】図１１（ｂ）に示すように、ステッピング
モータ８５０に設けられた駆動ギヤ８５Ａは、イメージ
回転子であるダブプリズム６０を光軸の回りに回転可能
に保持するホルダ６０１の外周に一体化された従動ギヤ
６０２と噛み合っている。As shown in FIG. 11B, the drive gear 85A provided on the stepping motor 850 is integrated with the outer periphery of the holder 601 which holds the Dove prism 60, which is an image rotor, rotatably around the optical axis. The driven gear 602 is meshed.

【００７１】また、図１１（ａ）に示すように、被走査
面５０の近傍には、ＣＣＤセンサ等である位置センサ７
０が設けられ、２つの光スポットの走査を受けて走査線
ピッチを検出できるようになっている。Further, as shown in FIG. 11A, a position sensor 7 such as a CCD sensor is provided near the surface 50 to be scanned.
0 is provided so that the scanning line pitch can be detected by scanning two light spots.

【００７２】ビーム傾け手段により与えられる傾き角：
θ_Rは、「複数の走査線ピッチに応じて予め設定された
複数の角」の間で切り換え可能であり、画素密度に応
じ、制御手段により「ビーム傾け手段」を制御して傾き
角：θ_Rを切り換え制御する。この例において、ビーム
傾け手段はダブプリズム６０とホルダ６０１と、ステッ
ピングモータ８５０で構成されている。Tilt angle given by the beam tilting means:
θ _R can be switched between “a plurality of angles preset according to a plurality of scanning line pitches”, and the tilt angle: θ is controlled by controlling the “beam tilting means” by the control means according to the pixel density. _R is switched and controlled. In this example, the beam tilting means includes a Dove prism 60, a holder 601, and a stepping motor 850.

【００７３】また、「制御手段」は、画素密度切換信号
発生手段８７と位置センサ７０と走査線ピッチ検出手段
８６とにより構成されている。The "control means" is composed of the pixel density switching signal generating means 87, the position sensor 70 and the scanning line pitch detecting means 86.

【００７４】画素密度を変換するときは、画素密度切換
信号発生手段８７から「信号」が発生される。この信号
により、走査周波数制御回路８８が制御され、回転多面
鏡４０の回転数が選択された画素密度に応じた回転数に
設定される。一方、上記信号は画素クロック制御手段８
４により画素クロックを新たな画素密度に応じて調整
し、駆動電流制御手段８２を制御して、半導体レーザの
発光量を、新たな画素密度に適合した大きさに設定す
る。When converting the pixel density, a "signal" is generated from the pixel density switching signal generating means 87. This signal controls the scanning frequency control circuit 88 to set the rotation speed of the rotary polygon mirror 40 to a rotation speed according to the selected pixel density. On the other hand, the signal is the pixel clock control means 8
4, the pixel clock is adjusted in accordance with the new pixel density, the drive current control means 82 is controlled, and the light emission amount of the semiconductor laser is set to a size suitable for the new pixel density.

【００７５】この新たな光強度、走査速度で光走査が行
われ、そのときの走査線ピッチが、位置センサ７０を介
して走査線ピッチ検出手段８６により検出される。走査
線ピッチ検出手段８６は、検出した走査線ピッチに応じ
た信号をステッピングモータドライバ８５に送る。Optical scanning is performed at this new light intensity and scanning speed, and the scanning line pitch at that time is detected by the scanning line pitch detecting means 86 via the position sensor 70. The scanning line pitch detecting means 86 sends a signal according to the detected scanning line pitch to the stepping motor driver 85.

【００７６】ステッピングモータドライバ８５は、画素
密度切換信号発生手段８７からの信号により制御され、
走査線ピッチ検出手段８６からの信号に基づき、ステッ
ピングモータ８５０を駆動し、ダブプリズム６０を光軸
の回りに回転させる。この回転に伴い、走査線ピッチが
微小ステップで変化する。走査線ピッチ検出手段８５
が、「画素密度切換信号発生手段８７からの信号により
指定されたピッチ」を検出すると、同手段８５はステッ
ピングモータドライバ８５を制御して、ステッピングモ
ータ８５０の駆動を停止する。このようにして、所望の
画素密度を実現出来、ビーム傾け手段は、新たな傾き
角：θ_Rに切り換えられている。上記の場合、傾き角：
θ_Rの切り換え量：δθ_Rに対し、ダブプリズム６０の光
軸の回りの回転量は「１／２・δθ_R」である。The stepping motor driver 85 is controlled by a signal from the pixel density switching signal generating means 87,
Based on the signal from the scanning line pitch detecting means 86, the stepping motor 850 is driven to rotate the dove prism 60 around the optical axis. With this rotation, the scanning line pitch changes in minute steps. Scanning line pitch detecting means 85
However, when the "pitch specified by the signal from the pixel density switching signal generating means 87" is detected, the means 85 controls the stepping motor driver 85 to stop the driving of the stepping motor 850. In this way, the desired pixel density can be realized, and the beam tilting means is switched to a new tilt angle: θ _R. In the above case, the tilt angle:
Switching amount of θ _R : With respect to δθ _R , the rotation amount of the Dove prism 60 around the optical axis is “½ · δθ _R ”.

【００７７】図１の実施例の場合には、光源装置１０自
体を、ステッピングモータで回転させるようにして、同
様に傾き角を切り換えて画素密度を変換することができ
る。In the case of the embodiment shown in FIG. 1, the light source device 10 itself can be rotated by a stepping motor so that the inclination angle can be similarly switched to convert the pixel density.

【００７８】[0078]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば新規なマルチビーム走査装置を提供できる。この発明
のマルチビーム走査装置は上述の如き構成となっている
から、走査線ピッチの調整が容易であり、適正な走査線
ピッチを容易且つ確実に設定することが出来、走査線ピ
ッチの経時的な安定性も良い（請求項１〜８）。As described above, according to the present invention, a novel multi-beam scanning device can be provided. Since the multi-beam scanning device of the present invention is configured as described above, it is easy to adjust the scanning line pitch, the proper scanning line pitch can be set easily and surely, and the scanning line pitch can be changed with time. Excellent stability (claims 1-8).

【００７９】請求項２記載の発明では光源装置自体を回
転させて調整するので、走査線ピッチを連続的に変化さ
せることができ、走査線ピッチの調整が容易である。請
求項３記載の発明では、光源装置よりも小型のイメージ
回転子を回転させて傾き角を設定するので、傾き角設定
の機構を小型化でき、光源装置が固定的となるため、経
時的な特性の安定性が良い。According to the second aspect of the invention, since the light source device itself is rotated for adjustment, the scanning line pitch can be continuously changed, and the scanning line pitch can be easily adjusted. According to the third aspect of the present invention, since the tilt angle is set by rotating the image rotator, which is smaller than the light source device, the tilt angle setting mechanism can be downsized, and the light source device becomes fixed. Good stability of characteristics.

【００８０】請求項４記載の発明では、振動等の外乱が
あっても、光源装置から射出する各光ビーム間のビーム
間角度：θ_Bが変化しにくく、安定した走査線ピッチを
維持し易い。請求項５記載の発明では、光利用効率良く
光ビームを合成出来、光スポットの像高による露光強度
の変動、所謂シェーディングや、光ビーム間の露光量格
差を有効に防止できる。[0080] In the present invention of claim 4 wherein, even if a disturbance such as vibration, a beam between the angle between the light beams emitted from the light source device: theta _B hardly changes, easy to maintain a stable scanning line pitch . According to the fifth aspect of the invention, the light beams can be combined with good light utilization efficiency, and variations in exposure intensity due to the image height of the light spot, so-called shading, and exposure amount difference between the light beams can be effectively prevented.

【００８１】請求項６記載の発明では、光ビームの合成
状態が経時的に変化しにくく、安定した走査線ピッチを
得られる。請求項７記載の発明では、マルチビーム相互
のビームシフトや、光スポット形状の傾きを防止出来
る。請求項８記載の発明では、画素密度に応じて、走査
線ピッチを容易且つ確実に切り換えることができる。According to the sixth aspect of the invention, the combined state of the light beams is unlikely to change with time, and a stable scanning line pitch can be obtained. According to the invention described in claim 7, it is possible to prevent mutual beam shift between the multiple beams and inclination of the light spot shape. According to the invention described in claim 8, the scanning line pitch can be easily and surely switched according to the pixel density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】請求項１，２，５，６，７記載の発明の１実施
例を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining one embodiment of the invention described in claims 1, 2, 5, 6, and 7.

【図２】上記背実施例における結像光学系の作用を説明
するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the imaging optical system in the spin example.

【図３】ビーム間角度：θ_Bと傾き各：θ_Rとの関係を説
明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a relationship between an inter-beam angle: θ _B and each inclination: θ _R.

【図４】請求項１，３，５，６，７記載の発明の１実施
例を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining one embodiment of the invention described in claims 1, 3, 5, 6, and 7.

【図５】イメージ回転子を４例示す図である。FIG. 5 is a diagram showing four examples of image rotators.

【図６】請求項４記載の発明１実施例を説明するための
図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the first embodiment of the invention according to claim 4;

【図７】請求項５記載の発明の効果を説明するための図
である。FIG. 7 is a diagram for explaining an effect of the invention according to claim 5;

【図８】請求項６記載の発明の実施例を説明するための
図である。FIG. 8 is a diagram for explaining an embodiment of the invention according to claim 6;

【図９】請求項６記載の発明の変形実施例を説明するた
めの図である。FIG. 9 is a diagram for explaining a modified embodiment of the invention according to claim 6;

【図１０】請求項７記載の発明の効果を説明するための
図である。FIG. 10 is a diagram for explaining an effect of the invention described in claim 7;

【図１１】請求項８記載の発明の１実施例を説明するた
めの図である。FIG. 11 is a diagram for explaining one embodiment of the invention according to claim 8;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 光源装置 １１，１２ 半導体レーザ １３，１４ コリメートレンズ １５ １／２波長板 １６ ビーム合成プリズム １７ １／４波長板 ２０ ビーム整形用アパーチャ ３０，３２ 結像光学系 ４０ 偏向手段 ５０ 被走査面 10 Light Source Device 11, 12 Semiconductor Laser 13, 14 Collimating Lens 15 1/2 Wave Plate 16 Beam Combining Prism 17 1/4 Wave Plate 20 Beam Shaping Aperture 30, 32 Imaging Optical System 40 Deflection Means 50 Scanned Surface

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】ｎ（≧２）個の半導体レーザと、これら半
導体レーザからのｎ本の光ビームをそれぞれ実質的な平
行光束とするｎ個のコリメートレンズと、平行光束化さ
れたｎ本の光ビームを合成するビーム合成手段とを有す
る光源装置と、 この光源装置から射出した複数の光ビームを偏向させる
偏向手段と、 上記光源装置から射出した複数の光ビームを、上記偏向
手段を介して被走査面上に光スポットとして結像させる
結像光学系とを有するマルチビーム走査装置において、 上記光源装置が実質的に一体的に構成されるとともに、
光源装置から射出する合成ビームの各光ビーム間に、所
定のビーム間角度：θ_Bが所定のビーム間角度設定方向
に設定され、 上記合成されたｎ本のビームの共有する平面の方向を、
主走査対応方向に対して所定の傾き角：θ_R傾ける、ビ
ーム傾け手段を有し、 上記結像光学系の副走査対応方向における焦点距離をｆ
_S、被走査面上における走査線ピッチをＰ_S、とすると
き、上記角：θ_Bおよびθ_Rを、条件 （Ｉ） θ_B・ｓｉｎθ_R＝ｔａｎ~¹（Ｐ_S／｜ｆ_S
｜） （ＩＩ） θ_B＞＝ｔａｎ~¹（Ｐ_S／｜ｆ_S｜） が満足されるように設定したことを特徴とするマルチビ
ーム走査装置。1. An n (≧ 2) number of semiconductor lasers, an n number of collimator lenses for converting n number of light beams from these semiconductor lasers into substantially parallel light fluxes, and n number of parallel light fluxes. A light source device having a beam combining means for combining light beams, a deflection means for deflecting a plurality of light beams emitted from the light source device, and a plurality of light beams emitted from the light source device via the deflection means. In a multi-beam scanning device having an image forming optical system for forming an image as a light spot on a surface to be scanned, the light source device is configured substantially integrally, and
A predetermined inter-beam angle: θ _B is set in a predetermined inter-beam angle setting direction between the light beams of the combined beam emitted from the light source device,
There is a beam tilting means for inclining a predetermined tilt angle: θ _R with respect to the main scanning corresponding direction, and the focal length of the imaging optical system in the sub scanning corresponding direction is f.
_{Where S} is the scanning line pitch on the surface to be scanned, and P _S is the scanning line pitch, the above angles: θ _B and θ _R are given by the condition (I) θ _B · sin θ _R = tan to ¹ (P _S / | f _S
|) (II) A multi-beam scanning device characterized in that θ _B > = tan ~ ¹ (P _S / | f _S |) is set to be satisfied. 【請求項２】光源装置自体を主走査対応方向に対して傾
けて角：θ_Rを設定するように、ビーム傾け手段が構成
されていることを特徴とする、請求項１記載のマルチビ
ーム走査装置。2. The multi-beam scanning device according to claim 1, wherein the beam tilting means is configured to set the angle: θ _R by tilting the light source device itself with respect to the main scanning corresponding direction. apparatus. 【請求項３】光源装置と偏向手段との間に、イメージ回
転子を含むビーム傾け手段が配備され、結像光学系に入
射する複数の光ビームの主光線を共有する平面を、主走
査対応方向に対して所定の傾き角：θ_R傾けることを特
徴とするマルチビーム走査装置。3. A beam tilting means including an image rotator is provided between the light source device and the deflecting means, and a plane sharing a chief ray of a plurality of light beams incident on the imaging optical system is adapted for main scanning. A multi-beam scanning device having a predetermined tilt angle: θ _R with respect to the direction. 【請求項４】光源装置における複数のコリメートレンズ
は同一の基板に、光軸を平行にして１列に設けられ、複
数の半導体レーザは、それぞれの支持体を介して上記基
板に配設され、各半導体レーザの発光部位置と、対応す
るコリメートレンズの光軸との位置関係により、所定の
ビーム間角度：θ_Bの設定を行うことを特徴とする請求
項１または２または３記載のマルチビーム走査装置。4. A plurality of collimator lenses in a light source device are provided on the same substrate in one row with their optical axes parallel, and a plurality of semiconductor lasers are arranged on the substrate via respective supports. 4. The multi-beam according to claim 1, 2 or 3, wherein the predetermined inter-beam angle: θ _B is set according to the positional relationship between the position of the light emitting portion of each semiconductor laser and the optical axis of the corresponding collimating lens. Scanning device. 【請求項５】ビーム合成手段が、１／２波長板と、偏光
ビームスプリッタと、１／４波長板とを有することを特
徴とする請求項１または２または３または４記載のマル
チビーム走査装置。5. The multi-beam scanning device according to claim 1, wherein the beam synthesizing means has a half-wave plate, a polarization beam splitter, and a quarter-wave plate. . 【請求項６】ビーム合成手段は、ｎ−１個のビームスプ
リッタと１枚のミラーとを一体化したビーム合成プリズ
ムを有することを特徴とする請求項４または５記載のマ
ルチビーム走査装置。6. The multi-beam scanning device according to claim 4, wherein the beam synthesizing means has a beam synthesizing prism in which n-1 beam splitters and one mirror are integrated. 【請求項７】光源装置と結像光学系との間に、ビーム整
形用アパーチャを、光源装置と別体に有することを特徴
とする請求項１または２または３または４または５また
は６記載のマルチビーム走査装置。7. A beam shaping aperture is provided between the light source device and the imaging optical system as a separate body from the light source device, according to claim 1, 2, 3 or 4 or 5 or 6. Multi-beam scanning device. 【請求項８】傾き角：θ_Rを、複数の走査線ピッチに応
じて予め設定された複数の角の間で切り換え可能とし、
画素密度に応じて、ビーム傾け手段を制御して傾き角：
θ_Rを切り換え制御する制御手段を有することを特徴と
するマルチビーム走査装置。8. An inclination angle: θ _R can be switched between a plurality of angles set in advance according to a plurality of scanning line pitches,
The tilt angle is controlled by controlling the beam tilting means according to the pixel density:
A multi-beam scanning device comprising control means for switching and controlling θ _R.