JPH07176533A - コンタクトマスキング装置及びその方法並びに整合装置 - Google Patents
コンタクトマスキング装置及びその方法並びに整合装置Info
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- JPH07176533A JPH07176533A JP4089857A JP8985792A JPH07176533A JP H07176533 A JPH07176533 A JP H07176533A JP 4089857 A JP4089857 A JP 4089857A JP 8985792 A JP8985792 A JP 8985792A JP H07176533 A JPH07176533 A JP H07176533A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は不規則な形の対象物をコンタクトマス
クと整合させる装置及び方法を提案する。 【構成】装置５０は不規則な形の対象物１０を支持する
手段３０、コンタクトマスク２０を支持する手段６０、
整合中に対象物１０及びコンタクトマスク２０を離して
おく手段、コンタクトマスク２０を対象物１０に光学的
に整合させる手段及び整合するとコンタクトマスク２０
及び対象物１０が整合されたものを得る手段とを含む。
マスク整合器具５０は変形可能な材料から作られたウエ
ハサイズ決めデイスク３２を含み、この材料は真空によ
つて歪んだ圧力が対象物１０の表面１４をコンタクトマ
スク組立て体から離しておくときでさえ、デイスクのエ
ツジをマスクとコンタクトさせることができる材料であ
る。適正な整合がなされると、真空状態が解除され、変
形可能なデイスクにより対象物１０をコンタクトマスク
２０とコンタクトさせることができる。
クと整合させる装置及び方法を提案する。 【構成】装置５０は不規則な形の対象物１０を支持する
手段３０、コンタクトマスク２０を支持する手段６０、
整合中に対象物１０及びコンタクトマスク２０を離して
おく手段、コンタクトマスク２０を対象物１０に光学的
に整合させる手段及び整合するとコンタクトマスク２０
及び対象物１０が整合されたものを得る手段とを含む。
マスク整合器具５０は変形可能な材料から作られたウエ
ハサイズ決めデイスク３２を含み、この材料は真空によ
つて歪んだ圧力が対象物１０の表面１４をコンタクトマ
スク組立て体から離しておくときでさえ、デイスクのエ
ツジをマスクとコンタクトさせることができる材料であ
る。適正な整合がなされると、真空状態が解除され、変
形可能なデイスクにより対象物１０をコンタクトマスク
２０とコンタクトさせることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンタクトマスキング装
置及びその方法並びに整合装置に関し、特に整合中にコ
ンタクトできない不規則な形の対象物とコンタクトマス
クを整合させる方法及び装置について、コンタクトマス
クを半導体メモリキユーブと整合させる装置及び処理に
適用して好適なものである。
置及びその方法並びに整合装置に関し、特に整合中にコ
ンタクトできない不規則な形の対象物とコンタクトマス
クを整合させる方法及び装置について、コンタクトマス
クを半導体メモリキユーブと整合させる装置及び処理に
適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】コンピユータ産業が成熟するに従いコン
ピユータメモリの集積度が一段と増してきた。従来、こ
れらメモリは半導体ウエハ上に作られ、その後個々のメ
モリチツプに分割される。チツプ及びパツケージ間の入
出力（Ｉ／Ｏ）接続はワイヤボンデイングすなわちはん
だボール技術又は他の周知の処理を用いてなされる。は
んだボール技術については、米国特許第 3,429,040号及
び第 3,401,126号に開示されている。
ピユータメモリの集積度が一段と増してきた。従来、こ
れらメモリは半導体ウエハ上に作られ、その後個々のメ
モリチツプに分割される。チツプ及びパツケージ間の入
出力（Ｉ／Ｏ）接続はワイヤボンデイングすなわちはん
だボール技術又は他の周知の処理を用いてなされる。は
んだボール技術については、米国特許第 3,429,040号及
び第 3,401,126号に開示されている。
【０００３】半導体構成部品のパツケージングの密度を
均一に一段と高めるためには、個々のチツプを一緒に積
層構造にすることが知られている。この技術に関しての
詳細は、「ＩＢＭテクニカル・デイスクロージヤ・ブレ
テイン」1976年 3月発行、第18巻、第10号、3239〜3242
頁と、米国特許第 4,551,629号及び第 4,646,128号に開
示されている。この配列の場合、入出力接続部をアクセ
スできないのでチツプの頂部面上にそれらを設けること
はもはやできない。従つて個々のチツプの露出した周辺
に沿つて入出力接続部を設ける必要がある。
均一に一段と高めるためには、個々のチツプを一緒に積
層構造にすることが知られている。この技術に関しての
詳細は、「ＩＢＭテクニカル・デイスクロージヤ・ブレ
テイン」1976年 3月発行、第18巻、第10号、3239〜3242
頁と、米国特許第 4,551,629号及び第 4,646,128号に開
示されている。この配列の場合、入出力接続部をアクセ
スできないのでチツプの頂部面上にそれらを設けること
はもはやできない。従つて個々のチツプの露出した周辺
に沿つて入出力接続部を設ける必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１は積層構造を構成
する個々のチツプ１２からなるメモリキユーブを示す。
積層構造を構成する個々のチツプ１２の同じ側のエツジ
表面から構成されるキユーブの１つの表面１４はパツケ
ージの際の入出力面として用いられる。入出力接続部を
設けるためにはんだボール技術を用いてはんだ接続する
ときには、図２に示すようなコンタクトマスク２０をキ
ユーブの表面に接触させずにメモリキユーブ上の接続パ
ターン領域と整合させなければならない１つの処理ステ
ツプがある。
する個々のチツプ１２からなるメモリキユーブを示す。
積層構造を構成する個々のチツプ１２の同じ側のエツジ
表面から構成されるキユーブの１つの表面１４はパツケ
ージの際の入出力面として用いられる。入出力接続部を
設けるためにはんだボール技術を用いてはんだ接続する
ときには、図２に示すようなコンタクトマスク２０をキ
ユーブの表面に接触させずにメモリキユーブ上の接続パ
ターン領域と整合させなければならない１つの処理ステ
ツプがある。
【０００５】その後コンタクトマスクは固定物内のキユ
ーブにクランプされ、次の処理をする。メモリキユーブ
の表面には、前に堆積された金属が損傷するのでこの整
合及びクランピング処理中に絶対に滑り摩擦は生じな
い。
ーブにクランプされ、次の処理をする。メモリキユーブ
の表面には、前に堆積された金属が損傷するのでこの整
合及びクランピング処理中に絶対に滑り摩擦は生じな
い。
【０００６】従来のマスク整合器具では整合中にウエハ
の頂部又は他の対象物上にコンタクトマスクをスライド
させることができるので、この技術では上述の要件を満
たすことができない。さらに従来の器具ではキユーブの
ような非ウエハ形の構造物の処理には適用できない。従
つて整合が完了するまでコンタクトマスク及びメモリキ
ユーブのような非ウエハ形の構造物を接触させずに、こ
れらを整合させる装置及び方法を提案するのが好まし
い。この時点でコンタクトは許され、その結果コンタク
トマスク及びメモリキユーブを一緒にクランプすること
ができ、金属堆積のような次の処理ステツプに進む。
の頂部又は他の対象物上にコンタクトマスクをスライド
させることができるので、この技術では上述の要件を満
たすことができない。さらに従来の器具ではキユーブの
ような非ウエハ形の構造物の処理には適用できない。従
つて整合が完了するまでコンタクトマスク及びメモリキ
ユーブのような非ウエハ形の構造物を接触させずに、こ
れらを整合させる装置及び方法を提案するのが好まし
い。この時点でコンタクトは許され、その結果コンタク
トマスク及びメモリキユーブを一緒にクランプすること
ができ、金属堆積のような次の処理ステツプに進む。
【０００７】本発明の目的はコンタクトマスクを不規則
な形の対象物と整合させる装置を提供することである。
な形の対象物と整合させる装置を提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は金属堆積処理の際に感
度良く反応する表面を有する不規則な形の対象物とコン
タクトマスクを整合させる方法を提供することである。
度良く反応する表面を有する不規則な形の対象物とコン
タクトマスクを整合させる方法を提供することである。
【０００９】本発明のさらに他の目的は、整合処理中に
接触せずにコンタクトマスクを半導体メモリキユーブと
整合させる装置及び方法を提供することである。
接触せずにコンタクトマスクを半導体メモリキユーブと
整合させる装置及び方法を提供することである。
【００１０】本発明のさらに他の目的はコンタクトマス
クをメモリキユーブに整合させかつクランプさせる装置
及び方法を提供することである。
クをメモリキユーブに整合させかつクランプさせる装置
及び方法を提供することである。
【００１１】上述の本発明の目的及び他の目的は、以下
の装置及び方法によつて提案されることにより一段と明
白になる。
の装置及び方法によつて提案されることにより一段と明
白になる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、基板をコンタクトマスクする装置
において、基板を支持する第１手段３０と、コンタクト
マスク２０を保持する手段と、光学的整合中、基板とコ
ンタクトマスク２０を離したままにする分離手段と、基
板及びコンタクトマスク２０を光学的に整合させる整合
手段とを具え、整合手段は、コンタクトマスク２０の開
口を介して基板上に堆積された整合特徴に整合させるよ
うにする。
め本発明においては、基板をコンタクトマスクする装置
において、基板を支持する第１手段３０と、コンタクト
マスク２０を保持する手段と、光学的整合中、基板とコ
ンタクトマスク２０を離したままにする分離手段と、基
板及びコンタクトマスク２０を光学的に整合させる整合
手段とを具え、整合手段は、コンタクトマスク２０の開
口を介して基板上に堆積された整合特徴に整合させるよ
うにする。
【００１３】
【作用】当該装置は、不規則な形のキユーブを支持する
手段、コンタクトマスクを支持する手段、整合中にキユ
ーブ及びコンタクトマスクを離しておく手段及び整合さ
れるとキユーブ及びマスクが整合されたものを得る手段
とを含む。マスク整合器具は固定された位置にキユーブ
を保持するクランピング固定物を支持するように改変さ
れる。マスク整合器具は変形可能な材料から作られたウ
エハサイズ決めデイスクを含み、この材料は真空によつ
て歪んだ圧力がキユーブの表面をコンタクトマスク組立
て体から離しておくときでさえ、デイスクのエツジをマ
スクとコンタクトさせることができる材料である。適正
な整合がなされると、真空状態が解除され、変形可能な
デイスクにより当該キユーブをコンタクトマスクとコン
タクトさせることができる。
手段、コンタクトマスクを支持する手段、整合中にキユ
ーブ及びコンタクトマスクを離しておく手段及び整合さ
れるとキユーブ及びマスクが整合されたものを得る手段
とを含む。マスク整合器具は固定された位置にキユーブ
を保持するクランピング固定物を支持するように改変さ
れる。マスク整合器具は変形可能な材料から作られたウ
エハサイズ決めデイスクを含み、この材料は真空によつ
て歪んだ圧力がキユーブの表面をコンタクトマスク組立
て体から離しておくときでさえ、デイスクのエツジをマ
スクとコンタクトさせることができる材料である。適正
な整合がなされると、真空状態が解除され、変形可能な
デイスクにより当該キユーブをコンタクトマスクとコン
タクトさせることができる。
【００１４】本発明の方法において、処理ステツプはキ
ユーブ及びコンタクトマスクを一定の間隔を置いた関係
に維持するステツプ、コンタクトマスク内のホールを介
してキユーブ及びコンタクトマスクを光学的に整合させ
るステツプ及び一度整合されたらキユーブ及びコンタク
トマスクが整合されたものを得るステツプを含む。
ユーブ及びコンタクトマスクを一定の間隔を置いた関係
に維持するステツプ、コンタクトマスク内のホールを介
してキユーブ及びコンタクトマスクを光学的に整合させ
るステツプ及び一度整合されたらキユーブ及びコンタク
トマスクが整合されたものを得るステツプを含む。
【００１５】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１６】好適な実施例においては、半導体ウエハで
使用されるコンタクトマスク整合器具は不規則な形のメ
モリキユーブを適応させるように改変される。従来の整
合器具の構成については、本発明の一部として改変さた
部分を理解し、かつ実行するのに必要な範囲以外は詳述
しない。さらに半導体メモリキユーブを述べると共に、
本発明は他の半導体構成部品、又は製品を製造する他の
プロセスに同様に適用でき、製品を製造する際には、整
合処理中不規則な形の対象物を他の対象物とは一定の距
離を置いて離し、その後２つの対象物をクランプして整
合を完了させなければならない。
使用されるコンタクトマスク整合器具は不規則な形のメ
モリキユーブを適応させるように改変される。従来の整
合器具の構成については、本発明の一部として改変さた
部分を理解し、かつ実行するのに必要な範囲以外は詳述
しない。さらに半導体メモリキユーブを述べると共に、
本発明は他の半導体構成部品、又は製品を製造する他の
プロセスに同様に適用でき、製品を製造する際には、整
合処理中不規則な形の対象物を他の対象物とは一定の距
離を置いて離し、その後２つの対象物をクランプして整
合を完了させなければならない。
【００１７】図２はメモリキユーブ１０（図１）上に金
属が堆積されるようにホール２２のパターンを含むコン
タクトマスク２０を示す。金属を所定のように堆積させ
るポイントは、コンタクトマスク２０をメモリキユーブ
１０の頂部エツジ１４上のパツドのパターン領域と正確
に整合させることである。
属が堆積されるようにホール２２のパターンを含むコン
タクトマスク２０を示す。金属を所定のように堆積させ
るポイントは、コンタクトマスク２０をメモリキユーブ
１０の頂部エツジ１４上のパツドのパターン領域と正確
に整合させることである。
【００１８】半導体ウエハのために独自に設計された整
合器具にメモリキユーブを適応させる図３に示すような
支持固定物３０を設ける。支持固定物３０は互いに付着
した２つの部分、すなわちウエハのサイズを決めるデイ
スク３２及びレセプタクル３４から構成され、デイスク
３２はその中央部にメモリキユーブ１０のエツジ１４を
適応させる寸法に合わせて作られた削除部分を有し、レ
セプタクル３４はメモリキユーブを適応させかつセツト
ねじ３６によつてメモリキユーブをクランプさせること
ができる。ウエハサイズ決めデイスク３２の材料はメモ
リキユーブ１０の表面１４がデイスク３２のエツジ３８
の下方に移動できるように、ほとんど物理的な力を必要
とせずに当該デイスクを変形できるような材料でなけれ
ばならない。またデイスク３２の材料は、連続する処理
工程において用いられる温度条件及び圧力条件に耐えら
れる材料でなければならない。好適な実施例において
は、選択された好ましい材料は公称厚さ 0.013〔イン
チ〕（ 0.330〔mm〕) のステンレス鋼である。
合器具にメモリキユーブを適応させる図３に示すような
支持固定物３０を設ける。支持固定物３０は互いに付着
した２つの部分、すなわちウエハのサイズを決めるデイ
スク３２及びレセプタクル３４から構成され、デイスク
３２はその中央部にメモリキユーブ１０のエツジ１４を
適応させる寸法に合わせて作られた削除部分を有し、レ
セプタクル３４はメモリキユーブを適応させかつセツト
ねじ３６によつてメモリキユーブをクランプさせること
ができる。ウエハサイズ決めデイスク３２の材料はメモ
リキユーブ１０の表面１４がデイスク３２のエツジ３８
の下方に移動できるように、ほとんど物理的な力を必要
とせずに当該デイスクを変形できるような材料でなけれ
ばならない。またデイスク３２の材料は、連続する処理
工程において用いられる温度条件及び圧力条件に耐えら
れる材料でなければならない。好適な実施例において
は、選択された好ましい材料は公称厚さ 0.013〔イン
チ〕（ 0.330〔mm〕) のステンレス鋼である。
【００１９】支持固定物３０及びメモリキユーブ１０を
移動させる手段については図４及び図５を参照して説明
する。その頂部を真空状態にする２つの部分からなる中
央部にあるペデスタル４０は、整合器具５０の一部であ
るＸ方向及びＹ方向移動テーブル４６、４８に実装され
る。ペデスタル４０は外部クランピング固定物６０の領
域の範囲内でカスタム仕様の支持固定物３０内のキユー
ブ１０を移動させるために用いられる。その後クランピ
ング固定物６０はロツクされ、組立て体がすべて外され
てマスク整合後の処理がなされる。
移動させる手段については図４及び図５を参照して説明
する。その頂部を真空状態にする２つの部分からなる中
央部にあるペデスタル４０は、整合器具５０の一部であ
るＸ方向及びＹ方向移動テーブル４６、４８に実装され
る。ペデスタル４０は外部クランピング固定物６０の領
域の範囲内でカスタム仕様の支持固定物３０内のキユー
ブ１０を移動させるために用いられる。その後クランピ
ング固定物６０はロツクされ、組立て体がすべて外され
てマスク整合後の処理がなされる。
【００２０】ペデスタル４０の頂部４２は、その頂部表
面に沿つて配設された真空部分４３をもつ金属スリーブ
を含む。この金属スリーブはメモリキユーブ支持固定物
３０の底部に充当される真空力に備えるためのものであ
る。ペデスタル４０の底部分４４は真空ラインを供給す
る内部室４５を含む。ペデスタル４０の底部４４及び頂
部４２間を接続するのは、これらの間にバイアスを与え
るスプリング４９である。図４においてスプリング４９
は圧縮されて示される。ペデスタル４０の底部４４はＸ
方向移動テーブル４６及びＹ方向移動テーブル４８によ
つて示されたＸ−Ｙテーブルに接続される。Ｏリングシ
ール５１は真空にシールされた状態を維持するために設
けられる。真空は吸込口５２から充当される。
面に沿つて配設された真空部分４３をもつ金属スリーブ
を含む。この金属スリーブはメモリキユーブ支持固定物
３０の底部に充当される真空力に備えるためのものであ
る。ペデスタル４０の底部分４４は真空ラインを供給す
る内部室４５を含む。ペデスタル４０の底部４４及び頂
部４２間を接続するのは、これらの間にバイアスを与え
るスプリング４９である。図４においてスプリング４９
は圧縮されて示される。ペデスタル４０の底部４４はＸ
方向移動テーブル４６及びＹ方向移動テーブル４８によ
つて示されたＸ−Ｙテーブルに接続される。Ｏリングシ
ール５１は真空にシールされた状態を維持するために設
けられる。真空は吸込口５２から充当される。
【００２１】クランピング固定物６０は２つの同心環状
リング６２及び６４から構成される。この同心環状リン
グは顕微鏡（図示せず）を介して上方から見ることがで
きる。コンタクトマスク２０及びメモリキユーブ１０が
適正に整合されたとき、クランピング固定物６０はクリ
ツプ６６を用いてロツクされる。その後整合されたコン
タクトマスク２０及びメモリキユーブ１０の固定物が外
され、他の器具を使用して次の処理に進む。
リング６２及び６４から構成される。この同心環状リン
グは顕微鏡（図示せず）を介して上方から見ることがで
きる。コンタクトマスク２０及びメモリキユーブ１０が
適正に整合されたとき、クランピング固定物６０はクリ
ツプ６６を用いてロツクされる。その後整合されたコン
タクトマスク２０及びメモリキユーブ１０の固定物が外
され、他の器具を使用して次の処理に進む。
【００２２】図４において、吸込口５２に真空が充当さ
れるとき、支持固定物３０及びペデスタル４０の頂部４
２が真空力によつて下方に引つ張られる。ペデスタル４
０（すなわち内部スプリングを克服するように十分に物
理的な力を加えると、ペデスタル４０の頂部４２は固定
された底部４４の下方周辺に移動することができる）の
「負荷されたスプリング」設計及びデイスクの外部周辺
３８の周囲を支持されると共に、その中央部に引き下げ
られる薄いデイスク３２を介して得られる一時的な変形
のために、デイスクの中央領域にあるキユーブ表面１４
の周囲は当該デイスクの頂部表面の高さに対して僅かに
低下している。これは、コンタクトマスク２０がデイス
ク３２の頂部上に配置されたときコンタクトマスク２０
の底部面より僅かに下方にあることを意味する。かくし
て、Ｘ−Ｙテーブルがオペレータ（２つのパターンを整
合させるためにスプリツト光学系によつて上方に実装さ
れた顕微鏡を通して観察する者）によつて調節されたと
き、メモリキユーブ１０を、コンタクトマスク２０とコ
ンタクトできないが確実に良好な整合をさせるには十分
近接したメモリキユーブ下方の離れたところに移動させ
ることができる。
れるとき、支持固定物３０及びペデスタル４０の頂部４
２が真空力によつて下方に引つ張られる。ペデスタル４
０（すなわち内部スプリングを克服するように十分に物
理的な力を加えると、ペデスタル４０の頂部４２は固定
された底部４４の下方周辺に移動することができる）の
「負荷されたスプリング」設計及びデイスクの外部周辺
３８の周囲を支持されると共に、その中央部に引き下げ
られる薄いデイスク３２を介して得られる一時的な変形
のために、デイスクの中央領域にあるキユーブ表面１４
の周囲は当該デイスクの頂部表面の高さに対して僅かに
低下している。これは、コンタクトマスク２０がデイス
ク３２の頂部上に配置されたときコンタクトマスク２０
の底部面より僅かに下方にあることを意味する。かくし
て、Ｘ−Ｙテーブルがオペレータ（２つのパターンを整
合させるためにスプリツト光学系によつて上方に実装さ
れた顕微鏡を通して観察する者）によつて調節されたと
き、メモリキユーブ１０を、コンタクトマスク２０とコ
ンタクトできないが確実に良好な整合をさせるには十分
近接したメモリキユーブ下方の離れたところに移動させ
ることができる。
【００２３】適正な整合位置が得られると、真空状態が
解除され、これによつて他の構成部品と摩擦を生ずるこ
となくメモリキユーブ１０をマスク２０に対して直接上
方に移動させることができる。支持固定物６０はこの位
置でクランプされることにより、コンタクトマスク２０
及び支持固定物３０を支持する。その後支持固定物６０
は図５に示す取り外し自在型のクリツプによりロツクさ
れる。この時ロツクされた固定物は当該器具から外さ
れ、次の処理の準備をする。
解除され、これによつて他の構成部品と摩擦を生ずるこ
となくメモリキユーブ１０をマスク２０に対して直接上
方に移動させることができる。支持固定物６０はこの位
置でクランプされることにより、コンタクトマスク２０
及び支持固定物３０を支持する。その後支持固定物６０
は図５に示す取り外し自在型のクリツプによりロツクさ
れる。この時ロツクされた固定物は当該器具から外さ
れ、次の処理の準備をする。
【００２４】他の実施例においては、ウエハサイズ決め
デイスク３２を固定させても良い。その後メモリキユー
ブ１０は、例えばスプリング、水圧ピストンなどの他の
バイアス手段によつて移動される。重要な特徴は、整合
が完了するまで表面１４はコンタクトマスク２０に接触
しないことである。
デイスク３２を固定させても良い。その後メモリキユー
ブ１０は、例えばスプリング、水圧ピストンなどの他の
バイアス手段によつて移動される。重要な特徴は、整合
が完了するまで表面１４はコンタクトマスク２０に接触
しないことである。
【００２５】上述の通り本発明をその最適な実施例に基
づいて特定的に図示、説明したが、本発明の精神及び範
囲から脱することなく形式及び詳細構成の双方について
種々の変更を加えても良い。
づいて特定的に図示、説明したが、本発明の精神及び範
囲から脱することなく形式及び詳細構成の双方について
種々の変更を加えても良い。
【００２６】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、不規則な
形のキユーブを支持する手段と、コンタクトマスクを支
持する手段と、当該キユーブ及びコンタクトマスク間を
一定の距離に維持する手段とを装置に設けることによ
り、メモリキユーブとコンタクトマスクを簡易かつ確実
に整合することができる。
形のキユーブを支持する手段と、コンタクトマスクを支
持する手段と、当該キユーブ及びコンタクトマスク間を
一定の距離に維持する手段とを装置に設けることによ
り、メモリキユーブとコンタクトマスクを簡易かつ確実
に整合することができる。
【図１】図１はメモリキユーブのキヤビネツトを示す斜
視図である。
視図である。
【図２】図２は一般的なコンタクトマスクを示す略線図
である。
である。
【図３】図３は支持固定物内のメモリキユーブを示す斜
視図ある。
視図ある。
【図４】図４は整合処理中の整合システムを示す断面図
である。
である。
【図５】図５は整合及びクランピング後の整合システム
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１０……メモリキユーブ、１２……チツプ、１４……メ
モリキユーブの表面、２０……コンタクトマスク、２２
……ホール、３０……支持固定物、３２……デイスク、
３４……レセプタクル、３６……セツトねじ、３８……
デイスクのエツジ、４０……ペデスタル、４２……ペデ
ステルの頂部、４３……真空口、４４……ペデステルの
底部、４５……内部室、４６……Ｘ方向移動テーブル、
４８……Ｙ方向移動テーブル、４９……スプリング、５
０……整合器具、５１……Ｏリングシール、５２……吸
込口、６０……クランピング固定物、６２、６４……同
心環状リング、６６……クリツプ。
モリキユーブの表面、２０……コンタクトマスク、２２
……ホール、３０……支持固定物、３２……デイスク、
３４……レセプタクル、３６……セツトねじ、３８……
デイスクのエツジ、４０……ペデスタル、４２……ペデ
ステルの頂部、４３……真空口、４４……ペデステルの
底部、４５……内部室、４６……Ｘ方向移動テーブル、
４８……Ｙ方向移動テーブル、４９……スプリング、５
０……整合器具、５１……Ｏリングシール、５２……吸
込口、６０……クランピング固定物、６２、６４……同
心環状リング、６６……クリツプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハワード・エル・ケリー アメリカ合衆国、バージニア州22186、ウ オーラントン、ボツクス・23ビー、ルート ３ (72)発明者 ハンス・コラン アメリカ合衆国、バージニア州22111、マ ナサス、テイロエ・シーテイー 7809番地
Claims (6)
- 【請求項１】基板をコンタクトマスクする装置におい
て、 基板を支持する第１手段と、 コンタクトマスクを保持する手段と、 光学的整合中、上記基板とコンタクトマスクを離したま
まにする分離手段と、 上記基板及び上記コンタクトマスクを光学的に整合させ
る整合手段とを具え、 上記整合手段は、コンタクトマスクの開口を介して上記
基板上に堆積された整合特徴に整合させることを特徴と
するコンタクトマスキング装置。 - 【請求項２】上記第１手段は変形可能なデイスクを含む
ことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトマスキン
グ装置。 - 【請求項３】上記分離手段は頂部部分及び底部部分を有
するペデスタルを含むことを特徴とする請求項１に記載
のコンタクトマスキング装置。 - 【請求項４】不規則な形の基板をコンタクトマスクする
方法において、 上記基板とコンタクトマスクを一定の間隔を置いた関係
に維持するステツプと、 上記開口を介して上記基板と上記コンタクトマスクを光
学的に整合し、かつ上記コンタクトマスクを上記基板上
に堆積された整合特徴に光学的に整合させるステツプ
と、 一度整合されたら、キユーブ及びコンタクトマスクが整
合されたものを得るステツプとを具えることを特徴とす
るコンタクトマスキング方法。 - 【請求項５】上記間隔維持ステツプは、真空力を基板に
適用することによりコンタクトマスクから離れた基板に
バイアスをかけることを含むことを特徴とする請求項４
に記載のコンタクトマスキング方法。 - 【請求項６】第２の対象物に極めて密接するがコンタク
トはしない位置に位置決めされた第１の対象物を第２の
対象物に整合させる装置において、 第１の対象物を第２の対象物と一定の間隔を置いた関係
に維持する第１手段と、 上記第１の対象物と上記第２の対象物を離したままにす
る分離手段と、 上記第１の対象物と上記第２の対象物を相互に移動させ
る整合手段と、 上記第１の対象物及び上記第２の対象物をコンタクトさ
せる第２手段とを具えることを特徴とする整合装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/687,256 US5296916A (en) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | Mask alignment system for components with extremely sensitive surfaces |
| US07/687256 | 1991-04-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176533A true JPH07176533A (ja) | 1995-07-14 |
| JP2544866B2 JP2544866B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=24759705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4089857A Expired - Lifetime JP2544866B2 (ja) | 1991-04-18 | 1992-03-13 | 半導体メモリキュ―ブをコンタクトマスクに位置合わせする方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5296916A (ja) |
| JP (1) | JP2544866B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7410919B2 (en) * | 2003-06-27 | 2008-08-12 | International Business Machines Corporation | Mask and substrate alignment for solder bump process |
| US7616301B2 (en) * | 2004-03-03 | 2009-11-10 | N&K Technology, Inc. | Disc clamping device for multiple standard discs |
| US8398777B2 (en) * | 2008-05-02 | 2013-03-19 | Applied Materials, Inc. | System and method for pedestal adjustment |
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|---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-04-18 US US07/687,256 patent/US5296916A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-13 JP JP4089857A patent/JP2544866B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124930A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜蒸着装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5296916A (en) | 1994-03-22 |
| JP2544866B2 (ja) | 1996-10-16 |
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