JPH07173144A - ジフェニルエーテル誘導体の製造方法 - Google Patents
ジフェニルエーテル誘導体の製造方法Info
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- JPH07173144A JPH07173144A JP32008493A JP32008493A JPH07173144A JP H07173144 A JPH07173144 A JP H07173144A JP 32008493 A JP32008493 A JP 32008493A JP 32008493 A JP32008493 A JP 32008493A JP H07173144 A JPH07173144 A JP H07173144A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式（Ｉ）
ＡｒＯＨ （Ｉ）
［式中、Ａｒは次式（II）、(III) 、（IV）、（Ｖ）又
は（VI） 【化１】 (式中、Ｒ1 ないしＲ14は水素原子、低級アルキル基又
は低級アルコキシル基を表し、これらは同一でも相異な
っていてもよい。) で示されるアリール基を表す。］で
示されるフェノール誘導体と、オルト位置換又はパラ位
置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金属の水酸化物
又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩及び適当な反応溶媒の存
在下、減圧条件下で連続的に水を、又は特にN,N-ジメチ
ルホルムアミドを反応溶媒として用いた場合には水及び
生成するジメチルアミンを除去しながら反応させること
を特徴とする一般式(VII) 【化２】 (式中、Ａｒは前記と同義であり、ＡｒＯの置換位置は
オルト位又はパラ位である。) で示されるジフェニルエ
ーテル誘導体の製造方法。 【効果】 除草剤中間体として有用なジフェニルエーテ
ル誘導体を工業的規模においても短時間、高収率、高純
度で製造できる。 【効果】 なし
は（VI） 【化１】 (式中、Ｒ1 ないしＲ14は水素原子、低級アルキル基又
は低級アルコキシル基を表し、これらは同一でも相異な
っていてもよい。) で示されるアリール基を表す。］で
示されるフェノール誘導体と、オルト位置換又はパラ位
置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金属の水酸化物
又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩及び適当な反応溶媒の存
在下、減圧条件下で連続的に水を、又は特にN,N-ジメチ
ルホルムアミドを反応溶媒として用いた場合には水及び
生成するジメチルアミンを除去しながら反応させること
を特徴とする一般式(VII) 【化２】 (式中、Ａｒは前記と同義であり、ＡｒＯの置換位置は
オルト位又はパラ位である。) で示されるジフェニルエ
ーテル誘導体の製造方法。 【効果】 除草剤中間体として有用なジフェニルエーテ
ル誘導体を工業的規模においても短時間、高収率、高純
度で製造できる。 【効果】 なし
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジフェニルエーテル誘
導体の製造方法に関する。このジフェニルエーテル誘導
体は除草剤として有用な尿素誘導体（特公平3-60829 号
公報参照) の製造中間体として有用である。
導体の製造方法に関する。このジフェニルエーテル誘導
体は除草剤として有用な尿素誘導体（特公平3-60829 号
公報参照) の製造中間体として有用である。
【０００２】
【従来の技術】フェノール誘導体とオルト位置換又はパ
ラ位置換のハロニトロベンゼンとを用いてジフェニルエ
ーテル誘導体を製造する際には、通常、反応系内の水を
除去することが行われる。例えば、特開昭63-192768 号
公報では水酸化カリウムなどの塩基を用いて一般式(VI
I)
ラ位置換のハロニトロベンゼンとを用いてジフェニルエ
ーテル誘導体を製造する際には、通常、反応系内の水を
除去することが行われる。例えば、特開昭63-192768 号
公報では水酸化カリウムなどの塩基を用いて一般式(VI
I)
【０００３】
【化４】
【０００４】［式中、Ａｒは次式（II）、(III) 、（I
V）、（Ｖ）又は（VI）
V）、（Ｖ）又は（VI）
【０００５】
【化５】
【０００６】(式中、Ｒ1 ないしＲ14は水素原子、低級
アルキル基又は低級アルコキシル基を表し、これらは同
一でも相異なっていてもよい。) で示されるアリール基
を表す。］で示される化合物の合成を行う際にディーン
スターク管を用いて水の除去を行っている。しかしなが
ら、これらの方法ではいずれも 水の除去を常圧で行っ
ており、反応スケールを大きくして行った場合に、円滑
に水を除くことは困難となり、収率の低下及び反応時間
の延長を引き起こす。また、特に溶媒としてN,N-ジメチ
ルホルムアミドを用いた場合には、溶媒の加水分解で生
じるジメチルアミンとハロニトロベンゼンとの反応で副
生成物のN,N-ジメチルアミノニトロベンゼンを生じると
いう欠点があった。
アルキル基又は低級アルコキシル基を表し、これらは同
一でも相異なっていてもよい。) で示されるアリール基
を表す。］で示される化合物の合成を行う際にディーン
スターク管を用いて水の除去を行っている。しかしなが
ら、これらの方法ではいずれも 水の除去を常圧で行っ
ており、反応スケールを大きくして行った場合に、円滑
に水を除くことは困難となり、収率の低下及び反応時間
の延長を引き起こす。また、特に溶媒としてN,N-ジメチ
ルホルムアミドを用いた場合には、溶媒の加水分解で生
じるジメチルアミンとハロニトロベンゼンとの反応で副
生成物のN,N-ジメチルアミノニトロベンゼンを生じると
いう欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の問題
点を解決するためになされたものであって、不純物とな
る副生成物の生成を抑制しつつ、ジフェニルエーテル誘
導体を短時間、高収率で得る工業的製造法を開発するこ
とを目的とするものである。
点を解決するためになされたものであって、不純物とな
る副生成物の生成を抑制しつつ、ジフェニルエーテル誘
導体を短時間、高収率で得る工業的製造法を開発するこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ） ＡｒＯＨ （Ｉ） ［式中、Ａｒは次式（II）、(III) 、（IV）、（Ｖ）又
は（VI）
は（VI）
【０００９】
【化６】
【００１０】(式中、Ｒ1 ないしＲ14は水素原子、低級
アルキル基又は低級アルコキシル基を表し、これらは同
一でも相異なっていてもよい。) で示されるアリール基
を表す。］で示されるフェノール誘導体と、オルト位置
換又はパラ位置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金
属の水酸化物又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩及び適当な
反応溶媒の存在下、減圧条件下で連続的に水を、又は特
にN,N-ジメチルホルムアミドを反応溶媒として用いた場
合には水及び生成するジメチルアミンを除去しながら反
応させることを特徴とする一般式(VII)
アルキル基又は低級アルコキシル基を表し、これらは同
一でも相異なっていてもよい。) で示されるアリール基
を表す。］で示されるフェノール誘導体と、オルト位置
換又はパラ位置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金
属の水酸化物又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩及び適当な
反応溶媒の存在下、減圧条件下で連続的に水を、又は特
にN,N-ジメチルホルムアミドを反応溶媒として用いた場
合には水及び生成するジメチルアミンを除去しながら反
応させることを特徴とする一般式(VII)
【００１１】
【化７】
【００１２】(式中、Ａｒは前記と同義であり、ＡｒＯ
の置換位置はオルト位又はパラ位である。) で示される
ジフェニルエーテル誘導体の製造方法である。以下、本
発明を詳細に説明する 本発明で原料として用いる前記一般式（Ｉ）で示される
フェノール誘導体は特公平3-60829 号公報に記載されて
いる方法によって合成することができる。また、前記一
般式（Ｉ）で示されるフェノール誘導体のうち、Ａｒが
前記式(II)で示されるアリール基である化合物は特公昭
61-76475号公報に記載されている方法によっても合成す
ることができる。
の置換位置はオルト位又はパラ位である。) で示される
ジフェニルエーテル誘導体の製造方法である。以下、本
発明を詳細に説明する 本発明で原料として用いる前記一般式（Ｉ）で示される
フェノール誘導体は特公平3-60829 号公報に記載されて
いる方法によって合成することができる。また、前記一
般式（Ｉ）で示されるフェノール誘導体のうち、Ａｒが
前記式(II)で示されるアリール基である化合物は特公昭
61-76475号公報に記載されている方法によっても合成す
ることができる。
【００１３】そして、この一般式（Ｉ）で示される化合
物において、Ｒ1 ないしＲ14で表される低級アルキル基
とは、炭素数１〜６のアルキル基をいい、例えばメチル
基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチ
ル基、sec-ブチル基などを挙げることができ、低級アル
コキシル基とは、炭素数１〜６のアルコキシル基をい
い、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、
イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基など
を挙げることができる。
物において、Ｒ1 ないしＲ14で表される低級アルキル基
とは、炭素数１〜６のアルキル基をいい、例えばメチル
基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチ
ル基、sec-ブチル基などを挙げることができ、低級アル
コキシル基とは、炭素数１〜６のアルコキシル基をい
い、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、
イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基など
を挙げることができる。
【００１４】オルト位置換又はパラ位置換のハロニトロ
ベンゼンとして具体的には、オルト−フルオロニトロベ
ンゼン、オルト−クロロニトロベンゼン、オルト−ブロ
モニトロベンゼン、オルト−ヨードニトロベンゼン、パ
ラ−フルオロニトロベンゼン、パラ−クロロニトロベン
ゼン、パラ−ブロモニトロベンゼン、パラ−ヨードニト
ロベンゼンが挙げられる。かかるハロニトロベンゼンの
使用量は、一般式（Ｉ）の化合物１モルに対して通常0.
5 ないし2.0 モル、好ましくは0.9 ないし1.3モルであ
る。
ベンゼンとして具体的には、オルト−フルオロニトロベ
ンゼン、オルト−クロロニトロベンゼン、オルト−ブロ
モニトロベンゼン、オルト−ヨードニトロベンゼン、パ
ラ−フルオロニトロベンゼン、パラ−クロロニトロベン
ゼン、パラ−ブロモニトロベンゼン、パラ−ヨードニト
ロベンゼンが挙げられる。かかるハロニトロベンゼンの
使用量は、一般式（Ｉ）の化合物１モルに対して通常0.
5 ないし2.0 モル、好ましくは0.9 ないし1.3モルであ
る。
【００１５】アルカリ金属の水酸化物又は炭酸塩もしく
は炭酸水素塩として具体的には、水酸化カリウム、水酸
化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水
素カリウム、炭酸水素ナトリウムが挙げられ、好ましく
は炭酸カリウムが挙げられる。かかるアルカリ金属の水
酸化物又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩の使用量は、一般
式（Ｉ）の化合物１モルに対して通常0.5 ないし2.0 モ
ル、好ましくは0.9 ないし1.3 モルである。
は炭酸水素塩として具体的には、水酸化カリウム、水酸
化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水
素カリウム、炭酸水素ナトリウムが挙げられ、好ましく
は炭酸カリウムが挙げられる。かかるアルカリ金属の水
酸化物又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩の使用量は、一般
式（Ｉ）の化合物１モルに対して通常0.5 ないし2.0 モ
ル、好ましくは0.9 ないし1.3 モルである。
【００１６】反応溶媒としては、N,N-ジメチルホルムア
ミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1-メチル-2−ピロリ
ドンなどの非プロトン性極性溶媒、メタノール、エタノ
ール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノー
ル、t-ブタノールなどのアルコール系溶媒、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族
炭化水素、n-ヘキサン、n-ヘプタンなどの炭化水素が挙
げられ、これらの溶媒を２種類以上混合して用いてもよ
い。これらの溶媒の使用量は、一般式（Ｉ）の化合物１
重量部に対して通常０ないし100 重量部、好ましくは0.
5 ないし10重量部である。
ミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1-メチル-2−ピロリ
ドンなどの非プロトン性極性溶媒、メタノール、エタノ
ール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノー
ル、t-ブタノールなどのアルコール系溶媒、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族
炭化水素、n-ヘキサン、n-ヘプタンなどの炭化水素が挙
げられ、これらの溶媒を２種類以上混合して用いてもよ
い。これらの溶媒の使用量は、一般式（Ｉ）の化合物１
重量部に対して通常０ないし100 重量部、好ましくは0.
5 ないし10重量部である。
【００１７】反応における温度は、通常０ないし200
℃、好ましくは100 ないし160 ℃であり、時間は、通常
0.1 ないし10時間、好ましくは0.5 ないし８時間であ
る。反応における圧力は、通常200 ないし755 mmHg、好
ましくは550 ないし755 mmHgである。更に、前述したよ
うに、反応終了後、例えば、溶媒抽出、晶析など通常用
いられる一般的でかつ容易な分離方法を採用することに
よって、目的物(VII) を得ることができる。更に必要に
応じて再結晶して精製することによって、より高純度の
目的物(VII) を得ることができる。
℃、好ましくは100 ないし160 ℃であり、時間は、通常
0.1 ないし10時間、好ましくは0.5 ないし８時間であ
る。反応における圧力は、通常200 ないし755 mmHg、好
ましくは550 ないし755 mmHgである。更に、前述したよ
うに、反応終了後、例えば、溶媒抽出、晶析など通常用
いられる一般的でかつ容易な分離方法を採用することに
よって、目的物(VII) を得ることができる。更に必要に
応じて再結晶して精製することによって、より高純度の
目的物(VII) を得ることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により具体
的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例によりそ
の技術的範囲が限定されるものではない。 （比較例１） 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 冷却器、ディーンスターク管、温度計を備えた200 mL丸
底フラスコに次式(VIII)
的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例によりそ
の技術的範囲が限定されるものではない。 （比較例１） 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 冷却器、ディーンスターク管、温度計を備えた200 mL丸
底フラスコに次式(VIII)
【００１９】
【化８】
【００２０】で示される3,4-ジヒドロ-2−メトキシ-2,
4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール6.5 g
(29.2 mmole)及び次式（IX）
4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール6.5 g
(29.2 mmole)及び次式（IX）
【００２１】
【化９】
【００２２】で示される2,4,4-トリメチル-4H-1-ベンゾ
ピラン-7−オール6.2 g (32.5 mmole)、パラ−クロロニ
トロベンゼン10.7 g (67.9 mmole) 、無水炭酸カリウム
8.5 g(61.7 mmole)、エチルベンゼン6.6 g 、N,N-ジメ
チルホルムアミド14.2 gを入れ、撹拌しながら150 ℃に
加熱し、同時に水を系外に抜き出しながら、５時間反応
させた。冷却後、エチルベンゼン6.6 g を加えた反応液
を水60.0 gで洗浄し、分離した油層にメタノール79.1
g、硫酸0.7 g を加えて２時間還流条件下で撹拌を行っ
た。生成した結晶を濾過し、次式（Ｘ）
ピラン-7−オール6.2 g (32.5 mmole)、パラ−クロロニ
トロベンゼン10.7 g (67.9 mmole) 、無水炭酸カリウム
8.5 g(61.7 mmole)、エチルベンゼン6.6 g 、N,N-ジメ
チルホルムアミド14.2 gを入れ、撹拌しながら150 ℃に
加熱し、同時に水を系外に抜き出しながら、５時間反応
させた。冷却後、エチルベンゼン6.6 g を加えた反応液
を水60.0 gで洗浄し、分離した油層にメタノール79.1
g、硫酸0.7 g を加えて２時間還流条件下で撹拌を行っ
た。生成した結晶を濾過し、次式（Ｘ）
【００２３】
【化１０】
【００２４】で示される目的物の淡黄色結晶18.0 gを得
た（収率85％、不純物としてパラ-N,N−ジメチルアミノ
ニトロベンゼンを232 ppm 含有) 。 （比較例２）（比較例１の４倍スケール反応） 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 冷却器、ディーンスターク管、温度計を備えた500 mL丸
底フラスコに3,4-ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメ
チル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール(VIII)25.9g (116.8
mmole)及び2,4,4-トリメチル-4H-1-ベンゾピラン-7−
オール（IX）24.8 g (130.4 mmole)、パラ−クロロニト
ロベンゼン42.8 g (271.7 mmole)、無水炭酸カリウム3
4.0g (246.4 mmole) 、エチルベンゼン26.4 g、N,N-ジ
メチルホルムアミド56.8 gを入れ、撹拌しながら150 ℃
に加熱し、同時に水を系外に抜き出しながら、10時間反
応させた。冷却後、エチルベンゼン26.4 gを加えた反応
液を水240.0 g で洗浄し、分離した油層にメタノール31
6.4 g 、硫酸2.7 g を加えて２時間還流条件下で撹拌を
行った。生成した結晶を濾過し、目的物（Ｘ）の淡黄色
結晶57.5 gを得た（収率68％、不純物としてパラ-N,N−
ジメチルアミノニトロベンゼンを8241 ppm含有) 。
た（収率85％、不純物としてパラ-N,N−ジメチルアミノ
ニトロベンゼンを232 ppm 含有) 。 （比較例２）（比較例１の４倍スケール反応） 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 冷却器、ディーンスターク管、温度計を備えた500 mL丸
底フラスコに3,4-ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメ
チル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール(VIII)25.9g (116.8
mmole)及び2,4,4-トリメチル-4H-1-ベンゾピラン-7−
オール（IX）24.8 g (130.4 mmole)、パラ−クロロニト
ロベンゼン42.8 g (271.7 mmole)、無水炭酸カリウム3
4.0g (246.4 mmole) 、エチルベンゼン26.4 g、N,N-ジ
メチルホルムアミド56.8 gを入れ、撹拌しながら150 ℃
に加熱し、同時に水を系外に抜き出しながら、10時間反
応させた。冷却後、エチルベンゼン26.4 gを加えた反応
液を水240.0 g で洗浄し、分離した油層にメタノール31
6.4 g 、硫酸2.7 g を加えて２時間還流条件下で撹拌を
行った。生成した結晶を濾過し、目的物（Ｘ）の淡黄色
結晶57.5 gを得た（収率68％、不純物としてパラ-N,N−
ジメチルアミノニトロベンゼンを8241 ppm含有) 。
【００２５】（実施例１） 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 上部を真空ポンプに接続した冷却器、ディーンスターク
管、温度計を備えた500 mL丸底フラスコに3,4-ジヒドロ
-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7
−オール(VIII)25.9 g (116.8 mmole)及び2,4,4-トリメ
チル-4H-1-ベンゾピラン−7-オール（IX）24.8 g (130.
4 mmole)、パラ−クロロニトロベンゼン42.8 g (271.7
mmole)、無水炭酸カリウム34.0 g (246.4 mmole)、エチ
ルベンゼン26.4 g、N,N-ジメチルホルムアミド56.8 gを
入れ、撹拌しながら150 ℃に加熱し、同時に水及び生成
したジメチルアミンを系外に抜き出しながら、660-720
mmHgの減圧条件下で５時間反応させた。冷却後、反応液
を240.0gの水で洗浄し、分離した油層にメタノール316.
4 g 、硫酸2.7 g を加えて２時間還流条件下で撹拌を行
った。生成した結晶を濾過し、目的物（Ｘ）の淡黄色結
晶72.9 gを得た（収率86％、不純物のパラ-N,N−ジメチ
ルアミノニトロベンゼンは含有しない) 。
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 上部を真空ポンプに接続した冷却器、ディーンスターク
管、温度計を備えた500 mL丸底フラスコに3,4-ジヒドロ
-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7
−オール(VIII)25.9 g (116.8 mmole)及び2,4,4-トリメ
チル-4H-1-ベンゾピラン−7-オール（IX）24.8 g (130.
4 mmole)、パラ−クロロニトロベンゼン42.8 g (271.7
mmole)、無水炭酸カリウム34.0 g (246.4 mmole)、エチ
ルベンゼン26.4 g、N,N-ジメチルホルムアミド56.8 gを
入れ、撹拌しながら150 ℃に加熱し、同時に水及び生成
したジメチルアミンを系外に抜き出しながら、660-720
mmHgの減圧条件下で５時間反応させた。冷却後、反応液
を240.0gの水で洗浄し、分離した油層にメタノール316.
4 g 、硫酸2.7 g を加えて２時間還流条件下で撹拌を行
った。生成した結晶を濾過し、目的物（Ｘ）の淡黄色結
晶72.9 gを得た（収率86％、不純物のパラ-N,N−ジメチ
ルアミノニトロベンゼンは含有しない) 。
【００２６】（実施例２〜４） 実施例１において、芳香族炭化水素系溶媒、塩基の種類
及び反応圧力を表１に示すとおりとした以外は同様に実
施した。結果を表１に示す。
及び反応圧力を表１に示すとおりとした以外は同様に実
施した。結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】（参考例１） 3,4-ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベ
ンゾピラン-7−オール(VIII)及び2,4,4-トリメチル-4H-
1-ベンゾピラン-7−オール（IX）の製造 レゾルシン66.0 g (600 mmole)、アセトン139.0 g (240
0 mmole)、メタノール96.0 g (3000 mmole) 、トルエン
264.0 g 、酸触媒としてアンバーリスト48.0 gをオート
クレーブを用いて110 ℃で４時間反応させた。酸触媒を
濾過により除去し、溶媒を留去した後、10 mmHg の減圧
下で蒸留精製を行うことにより3,4-ジヒドロ-2−メトキ
シ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール(V
III)37.0g（収率28％）及び2,4,4-トリメチル-4H-1-ベ
ンゾピラン-7−オール（IX）34.6g（収率30％）を含む
蒸留物87.0 gが得られた。本蒸留物は、不純物としてレ
ゾルシン6.2 g を含有するので、これを炭酸水素ナトリ
ウム水溶液を用いて抽出除去した後に使用した。
ンゾピラン-7−オール(VIII)及び2,4,4-トリメチル-4H-
1-ベンゾピラン-7−オール（IX）の製造 レゾルシン66.0 g (600 mmole)、アセトン139.0 g (240
0 mmole)、メタノール96.0 g (3000 mmole) 、トルエン
264.0 g 、酸触媒としてアンバーリスト48.0 gをオート
クレーブを用いて110 ℃で４時間反応させた。酸触媒を
濾過により除去し、溶媒を留去した後、10 mmHg の減圧
下で蒸留精製を行うことにより3,4-ジヒドロ-2−メトキ
シ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール(V
III)37.0g（収率28％）及び2,4,4-トリメチル-4H-1-ベ
ンゾピラン-7−オール（IX）34.6g（収率30％）を含む
蒸留物87.0 gが得られた。本蒸留物は、不純物としてレ
ゾルシン6.2 g を含有するので、これを炭酸水素ナトリ
ウム水溶液を用いて抽出除去した後に使用した。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、拡大したスケールで反
応を行った場合でも、ジフェニルエーテル誘導体を短時
間、高収率、高純度で得ることができる。
応を行った場合でも、ジフェニルエーテル誘導体を短時
間、高収率、高純度で得ることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 311/58 311/70 311/72 １０２ (72)発明者 丹 弘明 山口県玖珂郡和木町和木六丁目１番２号 三井石油化学工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） ＡｒＯＨ （Ｉ） ［式中、Ａｒは次式（II）、(III) 、（IV）、（Ｖ）又
は（VI） 【化１】 (式中、Ｒ1 ないしＲ14は水素原子、低級アルキル基又
は低級アルコキシル基を表し、これらは同一でも相異な
っていてもよい。) で示されるアリール基を表す。］で
示されるフェノール誘導体と、オルト位置換又はパラ位
置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金属の水酸化物
又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩の存在下、減圧条件下で
連続的に水を除去しながら反応させることを特徴とする
一般式(VII) 【化２】 (式中、Ａｒは前記と同義であり、ＡｒＯの置換位置は
オルト位又はパラ位である。) で示されるジフェニルエ
ーテル誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 一般式（Ｉ） ＡｒＯＨ （Ｉ） （式中、Ａｒは前記と同義である。）で示されるフェノ
ール誘導体と、オルト位置換又はパラ位置換のハロニト
ロベンゼンとをアルカリ金属の水酸化物又は炭酸塩もし
くは炭酸水素塩及びN,N-ジメチルホルムアミドの存在
下、減圧条件下で連続的に水及び生成するジメチルアミ
ンを除去しながら反応させることを特徴とする一般式(V
II) 【化３】 (式中、Ａｒは前記と同義であり、ＡｒＯの置換位置は
オルト位又はパラ位である。) で示されるジフェニルエ
ーテル誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32008493A JPH07173144A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | ジフェニルエーテル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32008493A JPH07173144A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | ジフェニルエーテル誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07173144A true JPH07173144A (ja) | 1995-07-11 |
Family
ID=18117543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32008493A Pending JPH07173144A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | ジフェニルエーテル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07173144A (ja) |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP32008493A patent/JPH07173144A/ja active Pending
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