JPH07173144A - ジフェニルエーテル誘導体の製造方法 - Google Patents
ジフェニルエーテル誘導体の製造方法Info
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- JPH07173144A JPH07173144A JP32008493A JP32008493A JPH07173144A JP H07173144 A JPH07173144 A JP H07173144A JP 32008493 A JP32008493 A JP 32008493A JP 32008493 A JP32008493 A JP 32008493A JP H07173144 A JPH07173144 A JP H07173144A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式(I)
ArOH (I)
[式中、Arは次式(II)、(III) 、(IV)、(V)又
は(VI) 【化1】 (式中、R1 ないしR14は水素原子、低級アルキル基又
は低級アルコキシル基を表し、これらは同一でも相異な
っていてもよい。) で示されるアリール基を表す。]で
示されるフェノール誘導体と、オルト位置換又はパラ位
置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金属の水酸化物
又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩及び適当な反応溶媒の存
在下、減圧条件下で連続的に水を、又は特にN,N-ジメチ
ルホルムアミドを反応溶媒として用いた場合には水及び
生成するジメチルアミンを除去しながら反応させること
を特徴とする一般式(VII) 【化2】 (式中、Arは前記と同義であり、ArOの置換位置は
オルト位又はパラ位である。) で示されるジフェニルエ
ーテル誘導体の製造方法。 【効果】 除草剤中間体として有用なジフェニルエーテ
ル誘導体を工業的規模においても短時間、高収率、高純
度で製造できる。 【効果】 なし
は(VI) 【化1】 (式中、R1 ないしR14は水素原子、低級アルキル基又
は低級アルコキシル基を表し、これらは同一でも相異な
っていてもよい。) で示されるアリール基を表す。]で
示されるフェノール誘導体と、オルト位置換又はパラ位
置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金属の水酸化物
又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩及び適当な反応溶媒の存
在下、減圧条件下で連続的に水を、又は特にN,N-ジメチ
ルホルムアミドを反応溶媒として用いた場合には水及び
生成するジメチルアミンを除去しながら反応させること
を特徴とする一般式(VII) 【化2】 (式中、Arは前記と同義であり、ArOの置換位置は
オルト位又はパラ位である。) で示されるジフェニルエ
ーテル誘導体の製造方法。 【効果】 除草剤中間体として有用なジフェニルエーテ
ル誘導体を工業的規模においても短時間、高収率、高純
度で製造できる。 【効果】 なし
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ジフェニルエーテル誘
導体の製造方法に関する。このジフェニルエーテル誘導
体は除草剤として有用な尿素誘導体(特公平3-60829 号
公報参照) の製造中間体として有用である。
導体の製造方法に関する。このジフェニルエーテル誘導
体は除草剤として有用な尿素誘導体(特公平3-60829 号
公報参照) の製造中間体として有用である。
【0002】
【従来の技術】フェノール誘導体とオルト位置換又はパ
ラ位置換のハロニトロベンゼンとを用いてジフェニルエ
ーテル誘導体を製造する際には、通常、反応系内の水を
除去することが行われる。例えば、特開昭63-192768 号
公報では水酸化カリウムなどの塩基を用いて一般式(VI
I)
ラ位置換のハロニトロベンゼンとを用いてジフェニルエ
ーテル誘導体を製造する際には、通常、反応系内の水を
除去することが行われる。例えば、特開昭63-192768 号
公報では水酸化カリウムなどの塩基を用いて一般式(VI
I)
【0003】
【化4】
【0004】[式中、Arは次式(II)、(III) 、(I
V)、(V)又は(VI)
V)、(V)又は(VI)
【0005】
【化5】
【0006】(式中、R1 ないしR14は水素原子、低級
アルキル基又は低級アルコキシル基を表し、これらは同
一でも相異なっていてもよい。) で示されるアリール基
を表す。]で示される化合物の合成を行う際にディーン
スターク管を用いて水の除去を行っている。しかしなが
ら、これらの方法ではいずれも 水の除去を常圧で行っ
ており、反応スケールを大きくして行った場合に、円滑
に水を除くことは困難となり、収率の低下及び反応時間
の延長を引き起こす。また、特に溶媒としてN,N-ジメチ
ルホルムアミドを用いた場合には、溶媒の加水分解で生
じるジメチルアミンとハロニトロベンゼンとの反応で副
生成物のN,N-ジメチルアミノニトロベンゼンを生じると
いう欠点があった。
アルキル基又は低級アルコキシル基を表し、これらは同
一でも相異なっていてもよい。) で示されるアリール基
を表す。]で示される化合物の合成を行う際にディーン
スターク管を用いて水の除去を行っている。しかしなが
ら、これらの方法ではいずれも 水の除去を常圧で行っ
ており、反応スケールを大きくして行った場合に、円滑
に水を除くことは困難となり、収率の低下及び反応時間
の延長を引き起こす。また、特に溶媒としてN,N-ジメチ
ルホルムアミドを用いた場合には、溶媒の加水分解で生
じるジメチルアミンとハロニトロベンゼンとの反応で副
生成物のN,N-ジメチルアミノニトロベンゼンを生じると
いう欠点があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の問題
点を解決するためになされたものであって、不純物とな
る副生成物の生成を抑制しつつ、ジフェニルエーテル誘
導体を短時間、高収率で得る工業的製造法を開発するこ
とを目的とするものである。
点を解決するためになされたものであって、不純物とな
る副生成物の生成を抑制しつつ、ジフェニルエーテル誘
導体を短時間、高収率で得る工業的製造法を開発するこ
とを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(I) ArOH (I) [式中、Arは次式(II)、(III) 、(IV)、(V)又
は(VI)
は(VI)
【0009】
【化6】
【0010】(式中、R1 ないしR14は水素原子、低級
アルキル基又は低級アルコキシル基を表し、これらは同
一でも相異なっていてもよい。) で示されるアリール基
を表す。]で示されるフェノール誘導体と、オルト位置
換又はパラ位置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金
属の水酸化物又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩及び適当な
反応溶媒の存在下、減圧条件下で連続的に水を、又は特
にN,N-ジメチルホルムアミドを反応溶媒として用いた場
合には水及び生成するジメチルアミンを除去しながら反
応させることを特徴とする一般式(VII)
アルキル基又は低級アルコキシル基を表し、これらは同
一でも相異なっていてもよい。) で示されるアリール基
を表す。]で示されるフェノール誘導体と、オルト位置
換又はパラ位置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金
属の水酸化物又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩及び適当な
反応溶媒の存在下、減圧条件下で連続的に水を、又は特
にN,N-ジメチルホルムアミドを反応溶媒として用いた場
合には水及び生成するジメチルアミンを除去しながら反
応させることを特徴とする一般式(VII)
【0011】
【化7】
【0012】(式中、Arは前記と同義であり、ArO
の置換位置はオルト位又はパラ位である。) で示される
ジフェニルエーテル誘導体の製造方法である。以下、本
発明を詳細に説明する 本発明で原料として用いる前記一般式(I)で示される
フェノール誘導体は特公平3-60829 号公報に記載されて
いる方法によって合成することができる。また、前記一
般式(I)で示されるフェノール誘導体のうち、Arが
前記式(II)で示されるアリール基である化合物は特公昭
61-76475号公報に記載されている方法によっても合成す
ることができる。
の置換位置はオルト位又はパラ位である。) で示される
ジフェニルエーテル誘導体の製造方法である。以下、本
発明を詳細に説明する 本発明で原料として用いる前記一般式(I)で示される
フェノール誘導体は特公平3-60829 号公報に記載されて
いる方法によって合成することができる。また、前記一
般式(I)で示されるフェノール誘導体のうち、Arが
前記式(II)で示されるアリール基である化合物は特公昭
61-76475号公報に記載されている方法によっても合成す
ることができる。
【0013】そして、この一般式(I)で示される化合
物において、R1 ないしR14で表される低級アルキル基
とは、炭素数1〜6のアルキル基をいい、例えばメチル
基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチ
ル基、sec-ブチル基などを挙げることができ、低級アル
コキシル基とは、炭素数1〜6のアルコキシル基をい
い、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、
イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基など
を挙げることができる。
物において、R1 ないしR14で表される低級アルキル基
とは、炭素数1〜6のアルキル基をいい、例えばメチル
基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチ
ル基、sec-ブチル基などを挙げることができ、低級アル
コキシル基とは、炭素数1〜6のアルコキシル基をい
い、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、
イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基など
を挙げることができる。
【0014】オルト位置換又はパラ位置換のハロニトロ
ベンゼンとして具体的には、オルト−フルオロニトロベ
ンゼン、オルト−クロロニトロベンゼン、オルト−ブロ
モニトロベンゼン、オルト−ヨードニトロベンゼン、パ
ラ−フルオロニトロベンゼン、パラ−クロロニトロベン
ゼン、パラ−ブロモニトロベンゼン、パラ−ヨードニト
ロベンゼンが挙げられる。かかるハロニトロベンゼンの
使用量は、一般式(I)の化合物1モルに対して通常0.
5 ないし2.0 モル、好ましくは0.9 ないし1.3モルであ
る。
ベンゼンとして具体的には、オルト−フルオロニトロベ
ンゼン、オルト−クロロニトロベンゼン、オルト−ブロ
モニトロベンゼン、オルト−ヨードニトロベンゼン、パ
ラ−フルオロニトロベンゼン、パラ−クロロニトロベン
ゼン、パラ−ブロモニトロベンゼン、パラ−ヨードニト
ロベンゼンが挙げられる。かかるハロニトロベンゼンの
使用量は、一般式(I)の化合物1モルに対して通常0.
5 ないし2.0 モル、好ましくは0.9 ないし1.3モルであ
る。
【0015】アルカリ金属の水酸化物又は炭酸塩もしく
は炭酸水素塩として具体的には、水酸化カリウム、水酸
化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水
素カリウム、炭酸水素ナトリウムが挙げられ、好ましく
は炭酸カリウムが挙げられる。かかるアルカリ金属の水
酸化物又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩の使用量は、一般
式(I)の化合物1モルに対して通常0.5 ないし2.0 モ
ル、好ましくは0.9 ないし1.3 モルである。
は炭酸水素塩として具体的には、水酸化カリウム、水酸
化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水
素カリウム、炭酸水素ナトリウムが挙げられ、好ましく
は炭酸カリウムが挙げられる。かかるアルカリ金属の水
酸化物又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩の使用量は、一般
式(I)の化合物1モルに対して通常0.5 ないし2.0 モ
ル、好ましくは0.9 ないし1.3 モルである。
【0016】反応溶媒としては、N,N-ジメチルホルムア
ミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1-メチル-2−ピロリ
ドンなどの非プロトン性極性溶媒、メタノール、エタノ
ール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノー
ル、t-ブタノールなどのアルコール系溶媒、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族
炭化水素、n-ヘキサン、n-ヘプタンなどの炭化水素が挙
げられ、これらの溶媒を2種類以上混合して用いてもよ
い。これらの溶媒の使用量は、一般式(I)の化合物1
重量部に対して通常0ないし100 重量部、好ましくは0.
5 ないし10重量部である。
ミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1-メチル-2−ピロリ
ドンなどの非プロトン性極性溶媒、メタノール、エタノ
ール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノー
ル、t-ブタノールなどのアルコール系溶媒、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族
炭化水素、n-ヘキサン、n-ヘプタンなどの炭化水素が挙
げられ、これらの溶媒を2種類以上混合して用いてもよ
い。これらの溶媒の使用量は、一般式(I)の化合物1
重量部に対して通常0ないし100 重量部、好ましくは0.
5 ないし10重量部である。
【0017】反応における温度は、通常0ないし200
℃、好ましくは100 ないし160 ℃であり、時間は、通常
0.1 ないし10時間、好ましくは0.5 ないし8時間であ
る。反応における圧力は、通常200 ないし755 mmHg、好
ましくは550 ないし755 mmHgである。更に、前述したよ
うに、反応終了後、例えば、溶媒抽出、晶析など通常用
いられる一般的でかつ容易な分離方法を採用することに
よって、目的物(VII) を得ることができる。更に必要に
応じて再結晶して精製することによって、より高純度の
目的物(VII) を得ることができる。
℃、好ましくは100 ないし160 ℃であり、時間は、通常
0.1 ないし10時間、好ましくは0.5 ないし8時間であ
る。反応における圧力は、通常200 ないし755 mmHg、好
ましくは550 ないし755 mmHgである。更に、前述したよ
うに、反応終了後、例えば、溶媒抽出、晶析など通常用
いられる一般的でかつ容易な分離方法を採用することに
よって、目的物(VII) を得ることができる。更に必要に
応じて再結晶して精製することによって、より高純度の
目的物(VII) を得ることができる。
【0018】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により具体
的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例によりそ
の技術的範囲が限定されるものではない。 (比較例1) 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 冷却器、ディーンスターク管、温度計を備えた200 mL丸
底フラスコに次式(VIII)
的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例によりそ
の技術的範囲が限定されるものではない。 (比較例1) 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 冷却器、ディーンスターク管、温度計を備えた200 mL丸
底フラスコに次式(VIII)
【0019】
【化8】
【0020】で示される3,4-ジヒドロ-2−メトキシ-2,
4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール6.5 g
(29.2 mmole)及び次式(IX)
4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール6.5 g
(29.2 mmole)及び次式(IX)
【0021】
【化9】
【0022】で示される2,4,4-トリメチル-4H-1-ベンゾ
ピラン-7−オール6.2 g (32.5 mmole)、パラ−クロロニ
トロベンゼン10.7 g (67.9 mmole) 、無水炭酸カリウム
8.5 g(61.7 mmole)、エチルベンゼン6.6 g 、N,N-ジメ
チルホルムアミド14.2 gを入れ、撹拌しながら150 ℃に
加熱し、同時に水を系外に抜き出しながら、5時間反応
させた。冷却後、エチルベンゼン6.6 g を加えた反応液
を水60.0 gで洗浄し、分離した油層にメタノール79.1
g、硫酸0.7 g を加えて2時間還流条件下で撹拌を行っ
た。生成した結晶を濾過し、次式(X)
ピラン-7−オール6.2 g (32.5 mmole)、パラ−クロロニ
トロベンゼン10.7 g (67.9 mmole) 、無水炭酸カリウム
8.5 g(61.7 mmole)、エチルベンゼン6.6 g 、N,N-ジメ
チルホルムアミド14.2 gを入れ、撹拌しながら150 ℃に
加熱し、同時に水を系外に抜き出しながら、5時間反応
させた。冷却後、エチルベンゼン6.6 g を加えた反応液
を水60.0 gで洗浄し、分離した油層にメタノール79.1
g、硫酸0.7 g を加えて2時間還流条件下で撹拌を行っ
た。生成した結晶を濾過し、次式(X)
【0023】
【化10】
【0024】で示される目的物の淡黄色結晶18.0 gを得
た(収率85%、不純物としてパラ-N,N−ジメチルアミノ
ニトロベンゼンを232 ppm 含有) 。 (比較例2)(比較例1の4倍スケール反応) 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 冷却器、ディーンスターク管、温度計を備えた500 mL丸
底フラスコに3,4-ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメ
チル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール(VIII)25.9g (116.8
mmole)及び2,4,4-トリメチル-4H-1-ベンゾピラン-7−
オール(IX)24.8 g (130.4 mmole)、パラ−クロロニト
ロベンゼン42.8 g (271.7 mmole)、無水炭酸カリウム3
4.0g (246.4 mmole) 、エチルベンゼン26.4 g、N,N-ジ
メチルホルムアミド56.8 gを入れ、撹拌しながら150 ℃
に加熱し、同時に水を系外に抜き出しながら、10時間反
応させた。冷却後、エチルベンゼン26.4 gを加えた反応
液を水240.0 g で洗浄し、分離した油層にメタノール31
6.4 g 、硫酸2.7 g を加えて2時間還流条件下で撹拌を
行った。生成した結晶を濾過し、目的物(X)の淡黄色
結晶57.5 gを得た(収率68%、不純物としてパラ-N,N−
ジメチルアミノニトロベンゼンを8241 ppm含有) 。
た(収率85%、不純物としてパラ-N,N−ジメチルアミノ
ニトロベンゼンを232 ppm 含有) 。 (比較例2)(比較例1の4倍スケール反応) 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 冷却器、ディーンスターク管、温度計を備えた500 mL丸
底フラスコに3,4-ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメ
チル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール(VIII)25.9g (116.8
mmole)及び2,4,4-トリメチル-4H-1-ベンゾピラン-7−
オール(IX)24.8 g (130.4 mmole)、パラ−クロロニト
ロベンゼン42.8 g (271.7 mmole)、無水炭酸カリウム3
4.0g (246.4 mmole) 、エチルベンゼン26.4 g、N,N-ジ
メチルホルムアミド56.8 gを入れ、撹拌しながら150 ℃
に加熱し、同時に水を系外に抜き出しながら、10時間反
応させた。冷却後、エチルベンゼン26.4 gを加えた反応
液を水240.0 g で洗浄し、分離した油層にメタノール31
6.4 g 、硫酸2.7 g を加えて2時間還流条件下で撹拌を
行った。生成した結晶を濾過し、目的物(X)の淡黄色
結晶57.5 gを得た(収率68%、不純物としてパラ-N,N−
ジメチルアミノニトロベンゼンを8241 ppm含有) 。
【0025】(実施例1) 4-(3,4−ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 上部を真空ポンプに接続した冷却器、ディーンスターク
管、温度計を備えた500 mL丸底フラスコに3,4-ジヒドロ
-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7
−オール(VIII)25.9 g (116.8 mmole)及び2,4,4-トリメ
チル-4H-1-ベンゾピラン−7-オール(IX)24.8 g (130.
4 mmole)、パラ−クロロニトロベンゼン42.8 g (271.7
mmole)、無水炭酸カリウム34.0 g (246.4 mmole)、エチ
ルベンゼン26.4 g、N,N-ジメチルホルムアミド56.8 gを
入れ、撹拌しながら150 ℃に加熱し、同時に水及び生成
したジメチルアミンを系外に抜き出しながら、660-720
mmHgの減圧条件下で5時間反応させた。冷却後、反応液
を240.0gの水で洗浄し、分離した油層にメタノール316.
4 g 、硫酸2.7 g を加えて2時間還流条件下で撹拌を行
った。生成した結晶を濾過し、目的物(X)の淡黄色結
晶72.9 gを得た(収率86%、不純物のパラ-N,N−ジメチ
ルアミノニトロベンゼンは含有しない) 。
1-ベンゾピラニル-7−オキシ) ニトロベンゼンの製造 上部を真空ポンプに接続した冷却器、ディーンスターク
管、温度計を備えた500 mL丸底フラスコに3,4-ジヒドロ
-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7
−オール(VIII)25.9 g (116.8 mmole)及び2,4,4-トリメ
チル-4H-1-ベンゾピラン−7-オール(IX)24.8 g (130.
4 mmole)、パラ−クロロニトロベンゼン42.8 g (271.7
mmole)、無水炭酸カリウム34.0 g (246.4 mmole)、エチ
ルベンゼン26.4 g、N,N-ジメチルホルムアミド56.8 gを
入れ、撹拌しながら150 ℃に加熱し、同時に水及び生成
したジメチルアミンを系外に抜き出しながら、660-720
mmHgの減圧条件下で5時間反応させた。冷却後、反応液
を240.0gの水で洗浄し、分離した油層にメタノール316.
4 g 、硫酸2.7 g を加えて2時間還流条件下で撹拌を行
った。生成した結晶を濾過し、目的物(X)の淡黄色結
晶72.9 gを得た(収率86%、不純物のパラ-N,N−ジメチ
ルアミノニトロベンゼンは含有しない) 。
【0026】(実施例2〜4) 実施例1において、芳香族炭化水素系溶媒、塩基の種類
及び反応圧力を表1に示すとおりとした以外は同様に実
施した。結果を表1に示す。
及び反応圧力を表1に示すとおりとした以外は同様に実
施した。結果を表1に示す。
【0027】
【表1】
【0028】(参考例1) 3,4-ジヒドロ-2−メトキシ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベ
ンゾピラン-7−オール(VIII)及び2,4,4-トリメチル-4H-
1-ベンゾピラン-7−オール(IX)の製造 レゾルシン66.0 g (600 mmole)、アセトン139.0 g (240
0 mmole)、メタノール96.0 g (3000 mmole) 、トルエン
264.0 g 、酸触媒としてアンバーリスト48.0 gをオート
クレーブを用いて110 ℃で4時間反応させた。酸触媒を
濾過により除去し、溶媒を留去した後、10 mmHg の減圧
下で蒸留精製を行うことにより3,4-ジヒドロ-2−メトキ
シ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール(V
III)37.0g(収率28%)及び2,4,4-トリメチル-4H-1-ベ
ンゾピラン-7−オール(IX)34.6g(収率30%)を含む
蒸留物87.0 gが得られた。本蒸留物は、不純物としてレ
ゾルシン6.2 g を含有するので、これを炭酸水素ナトリ
ウム水溶液を用いて抽出除去した後に使用した。
ンゾピラン-7−オール(VIII)及び2,4,4-トリメチル-4H-
1-ベンゾピラン-7−オール(IX)の製造 レゾルシン66.0 g (600 mmole)、アセトン139.0 g (240
0 mmole)、メタノール96.0 g (3000 mmole) 、トルエン
264.0 g 、酸触媒としてアンバーリスト48.0 gをオート
クレーブを用いて110 ℃で4時間反応させた。酸触媒を
濾過により除去し、溶媒を留去した後、10 mmHg の減圧
下で蒸留精製を行うことにより3,4-ジヒドロ-2−メトキ
シ-2,4,4−トリメチル-2H-1-ベンゾピラン-7−オール(V
III)37.0g(収率28%)及び2,4,4-トリメチル-4H-1-ベ
ンゾピラン-7−オール(IX)34.6g(収率30%)を含む
蒸留物87.0 gが得られた。本蒸留物は、不純物としてレ
ゾルシン6.2 g を含有するので、これを炭酸水素ナトリ
ウム水溶液を用いて抽出除去した後に使用した。
【0029】
【発明の効果】本発明によれば、拡大したスケールで反
応を行った場合でも、ジフェニルエーテル誘導体を短時
間、高収率、高純度で得ることができる。
応を行った場合でも、ジフェニルエーテル誘導体を短時
間、高収率、高純度で得ることができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 311/58 311/70 311/72 102 (72)発明者 丹 弘明 山口県玖珂郡和木町和木六丁目1番2号 三井石油化学工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式(I) ArOH (I) [式中、Arは次式(II)、(III) 、(IV)、(V)又
は(VI) 【化1】 (式中、R1 ないしR14は水素原子、低級アルキル基又
は低級アルコキシル基を表し、これらは同一でも相異な
っていてもよい。) で示されるアリール基を表す。]で
示されるフェノール誘導体と、オルト位置換又はパラ位
置換のハロニトロベンゼンとをアルカリ金属の水酸化物
又は炭酸塩もしくは炭酸水素塩の存在下、減圧条件下で
連続的に水を除去しながら反応させることを特徴とする
一般式(VII) 【化2】 (式中、Arは前記と同義であり、ArOの置換位置は
オルト位又はパラ位である。) で示されるジフェニルエ
ーテル誘導体の製造方法。 - 【請求項2】 一般式(I) ArOH (I) (式中、Arは前記と同義である。)で示されるフェノ
ール誘導体と、オルト位置換又はパラ位置換のハロニト
ロベンゼンとをアルカリ金属の水酸化物又は炭酸塩もし
くは炭酸水素塩及びN,N-ジメチルホルムアミドの存在
下、減圧条件下で連続的に水及び生成するジメチルアミ
ンを除去しながら反応させることを特徴とする一般式(V
II) 【化3】 (式中、Arは前記と同義であり、ArOの置換位置は
オルト位又はパラ位である。) で示されるジフェニルエ
ーテル誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32008493A JPH07173144A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | ジフェニルエーテル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32008493A JPH07173144A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | ジフェニルエーテル誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07173144A true JPH07173144A (ja) | 1995-07-11 |
Family
ID=18117543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32008493A Pending JPH07173144A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | ジフェニルエーテル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07173144A (ja) |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP32008493A patent/JPH07173144A/ja active Pending
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