JPH07166373A - はんだバンプのバリヤメタル用エッチング液 - Google Patents
はんだバンプのバリヤメタル用エッチング液Info
- Publication number
- JPH07166373A JPH07166373A JP34303893A JP34303893A JPH07166373A JP H07166373 A JPH07166373 A JP H07166373A JP 34303893 A JP34303893 A JP 34303893A JP 34303893 A JP34303893 A JP 34303893A JP H07166373 A JPH07166373 A JP H07166373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soln
- etching
- copper
- barrier metal
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チタン、銅の順に積層されたはんだバンプの
バリヤメタルのエッチングに際し、新液を用いた１枚目
のシリコンウェハーから残渣の存在しない安定したエッ
チング処理を可能とするはんだバンプのバリヤメタル用
エッチング液を提供する。 【構成】 アンモニア水と、アンモニア水１に対して体
積比で過酸化水素水１〜４及び水１〜７と、水の合計体
積 100ccに対してエチレンジアミン四酢酸１ｇ以上と、
これらの溶液 100ccに対して溶解された銅５mg以上とか
らなることにより、銅イオンを酸化剤として機能させ
る。
バリヤメタルのエッチングに際し、新液を用いた１枚目
のシリコンウェハーから残渣の存在しない安定したエッ
チング処理を可能とするはんだバンプのバリヤメタル用
エッチング液を提供する。 【構成】 アンモニア水と、アンモニア水１に対して体
積比で過酸化水素水１〜４及び水１〜７と、水の合計体
積 100ccに対してエチレンジアミン四酢酸１ｇ以上と、
これらの溶液 100ccに対して溶解された銅５mg以上とか
らなることにより、銅イオンを酸化剤として機能させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チタン、銅の順に積層
されたはんだバンプのバリヤメタルのエッチングに用い
るエッチング液に関する。
されたはんだバンプのバリヤメタルのエッチングに用い
るエッチング液に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のエッチング液は、アンモ
ニア水と、このアンモニア水１に対して体積比で過酸化
水素１〜４及び水１〜７とこれらの合計体積 100ccに対
してエチレンジアミン四酢酸１ｇ以上とからなり、５〜
15℃の液温で使用されている。
ニア水と、このアンモニア水１に対して体積比で過酸化
水素１〜４及び水１〜７とこれらの合計体積 100ccに対
してエチレンジアミン四酢酸１ｇ以上とからなり、５〜
15℃の液温で使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
エッチング液では、新液の状態で５インチのシリコンウ
ェハーにチタン（Ｔｉ） 0.2μｍ、銅（Ｃｕ）１μｍの
順に積層された、はんだバンプのバリヤメタルをエッチ
ングする場合、最初の２枚は一定時間に完全にはエッチ
ングされず、直径10〜 100μｍの大きさの残渣膜が残存
する不具合がある。これは、３枚目以降のシリコンウェ
ハーでは残渣膜が存在しないことから、エッチング液中
に溶解した銅イオンが酸化剤の役目をするため、それが
存在しない１枚目、又、銅イオン濃度の低い２枚目で
は、銅の酸化力が弱いために起こるバラツキの影響を受
けるからであると考えられる。そこで、本発明は、銅イ
オンが酸化剤として機能することを利用することによ
り、新液を用いた１枚目のシリコンウェハーから残渣の
存在しない安定したエッチング処理を可能とするはんだ
バンプのバリヤメタル用エッチング液を提供することを
目的とする。
エッチング液では、新液の状態で５インチのシリコンウ
ェハーにチタン（Ｔｉ） 0.2μｍ、銅（Ｃｕ）１μｍの
順に積層された、はんだバンプのバリヤメタルをエッチ
ングする場合、最初の２枚は一定時間に完全にはエッチ
ングされず、直径10〜 100μｍの大きさの残渣膜が残存
する不具合がある。これは、３枚目以降のシリコンウェ
ハーでは残渣膜が存在しないことから、エッチング液中
に溶解した銅イオンが酸化剤の役目をするため、それが
存在しない１枚目、又、銅イオン濃度の低い２枚目で
は、銅の酸化力が弱いために起こるバラツキの影響を受
けるからであると考えられる。そこで、本発明は、銅イ
オンが酸化剤として機能することを利用することによ
り、新液を用いた１枚目のシリコンウェハーから残渣の
存在しない安定したエッチング処理を可能とするはんだ
バンプのバリヤメタル用エッチング液を提供することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のはんだバンプのバリヤメタル用エッチング
液は、チタン、銅の順に積層されたはんだバンプのバリ
ヤメタルのエッチングに用いるエッチング液であって、
アンモニア水と、このアンモニア水１に対して体積比で
過酸化水素水１〜４及び水１〜７とこれらの合計体積 1
00ccに対してエチレンジアミン四酢酸１ｇ以上と、溶解
された銅５mg以上とからなることを特徴とする。
め、本発明のはんだバンプのバリヤメタル用エッチング
液は、チタン、銅の順に積層されたはんだバンプのバリ
ヤメタルのエッチングに用いるエッチング液であって、
アンモニア水と、このアンモニア水１に対して体積比で
過酸化水素水１〜４及び水１〜７とこれらの合計体積 1
00ccに対してエチレンジアミン四酢酸１ｇ以上と、溶解
された銅５mg以上とからなることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明のはんだバンプのバリヤメタル用エッチ
ング液に於いては、銅イオンが酸化剤として機能する。
ング液に於いては、銅イオンが酸化剤として機能する。
【０００６】過酸化水素水が、アンモニア水１に対して
体積比で１未満であると酸化剤としての役割が弱くな
り、エッチング速度、仕上がりが不安定となり、４を超
えると、分解が激しくなり、分解時の発熱によるエッチ
ング液の加熱でエッチング時間が不安定となる。又、水
が、アンモニア水１に対して体積比で１未満であると、
エッチング速度が速くなる傾向となり、７を超えるとエ
ッチング速度が遅くなり、酸化力が弱くなる傾向とな
る。更に、エチレンジアミン四酢酸が水の合計体積 100
ccに対して１ｇ未満であるとＴｉのエッチングが困難と
なる。好ましくは、１ｇ〜５ｇである。更に又、アンモ
ニア水、過酸化水素水、水及びエチレンジアミン四酢酸
の溶液100ccに対して溶解された銅が、５mg未満である
と銅イオンの酸化剤としての機能を奏しない。好ましく
は、５mg〜10mgである。
体積比で１未満であると酸化剤としての役割が弱くな
り、エッチング速度、仕上がりが不安定となり、４を超
えると、分解が激しくなり、分解時の発熱によるエッチ
ング液の加熱でエッチング時間が不安定となる。又、水
が、アンモニア水１に対して体積比で１未満であると、
エッチング速度が速くなる傾向となり、７を超えるとエ
ッチング速度が遅くなり、酸化力が弱くなる傾向とな
る。更に、エチレンジアミン四酢酸が水の合計体積 100
ccに対して１ｇ未満であるとＴｉのエッチングが困難と
なる。好ましくは、１ｇ〜５ｇである。更に又、アンモ
ニア水、過酸化水素水、水及びエチレンジアミン四酢酸
の溶液100ccに対して溶解された銅が、５mg未満である
と銅イオンの酸化剤としての機能を奏しない。好ましく
は、５mg〜10mgである。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。先ず、電極にパッド部を除いて他の部分をパッシベ
ーション膜で覆った５インチのシリコンウェハーの全面
にＴｉ 0.2μｍ、Ｃｕ 1.0μｍの順にバリヤメタルを被
着した後、感光性レジストを塗布し、現像してパッド部
を開口し、ついで、開口部にはんだバンプを形成した
後、感光性レジストを除去した20枚を試料として作製し
た。次に、アンモニア水 1.2ｌ、過酸化水素水 1.2ｌ、
純水 2.0ｌ、エチレンジアミン四酢酸 100ｇ、及び銅
2.2ｇを５ｌのビーカーに入れ、２回分のエッチング液
として調製し、液温を10℃に調節した。そして、エッチ
ング処理は、枚葉式ウェハーホルダーを使用して１枚ず
つ行い、処理時間を６分として１液で10枚の処理を２回
行なった。評価は、１枚目から10枚目までに何枚目の処
理であるかの表示を行い、それぞれのエッチング処理後
の残渣物の数を調査した。その結果、２回の実験とも１
枚目から10枚目までの処理全てについて、残渣は、ウェ
ハーホルダーのウェハー止めの付近以外は零個であっ
た。
る。先ず、電極にパッド部を除いて他の部分をパッシベ
ーション膜で覆った５インチのシリコンウェハーの全面
にＴｉ 0.2μｍ、Ｃｕ 1.0μｍの順にバリヤメタルを被
着した後、感光性レジストを塗布し、現像してパッド部
を開口し、ついで、開口部にはんだバンプを形成した
後、感光性レジストを除去した20枚を試料として作製し
た。次に、アンモニア水 1.2ｌ、過酸化水素水 1.2ｌ、
純水 2.0ｌ、エチレンジアミン四酢酸 100ｇ、及び銅
2.2ｇを５ｌのビーカーに入れ、２回分のエッチング液
として調製し、液温を10℃に調節した。そして、エッチ
ング処理は、枚葉式ウェハーホルダーを使用して１枚ず
つ行い、処理時間を６分として１液で10枚の処理を２回
行なった。評価は、１枚目から10枚目までに何枚目の処
理であるかの表示を行い、それぞれのエッチング処理後
の残渣物の数を調査した。その結果、２回の実験とも１
枚目から10枚目までの処理全てについて、残渣は、ウェ
ハーホルダーのウェハー止めの付近以外は零個であっ
た。
【０００８】
【比較例】実施例と同様の試料20枚を作製した後、アン
モニア水 1.2ｌ、過酸化水素水1.2ｌ、純水 2.0ｌ、及
びエチレンジアミン四酢酸 100ｇを５ｌのビーカーに入
れ、２回分のエッチング液として調製し、液温を10℃に
調節した。そして、実施例と同様のエッチング処理と評
価を行なった。その結果、従来のエッチング液相当を用
いた１回目及び２回目の実験とも同じ傾向を示し、１枚
目は、30個程度の残渣物がシリコンウェハー全体に点在
し、２枚目は、10個程度の残渣物が認められた。残渣物
の大きさは、直径10〜 100μｍ位でバラバラであった。
しかし、３枚目以降は、残渣が零個であった。
モニア水 1.2ｌ、過酸化水素水1.2ｌ、純水 2.0ｌ、及
びエチレンジアミン四酢酸 100ｇを５ｌのビーカーに入
れ、２回分のエッチング液として調製し、液温を10℃に
調節した。そして、実施例と同様のエッチング処理と評
価を行なった。その結果、従来のエッチング液相当を用
いた１回目及び２回目の実験とも同じ傾向を示し、１枚
目は、30個程度の残渣物がシリコンウェハー全体に点在
し、２枚目は、10個程度の残渣物が認められた。残渣物
の大きさは、直径10〜 100μｍ位でバラバラであった。
しかし、３枚目以降は、残渣が零個であった。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のはんだバ
ンプのバリヤメタル用エッチング液によれば、銅イオン
が酸化剤として機能するので、従来のように１枚目と２
枚目のシリコンウェハーに残渣物が存在することがな
く、新液を用いた１枚目から残渣の存在しない安定した
エッチング処理を行なうことができる。
ンプのバリヤメタル用エッチング液によれば、銅イオン
が酸化剤として機能するので、従来のように１枚目と２
枚目のシリコンウェハーに残渣物が存在することがな
く、新液を用いた１枚目から残渣の存在しない安定した
エッチング処理を行なうことができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 チタン、銅の順に積層されたはんだバン
プのバリヤメタルのエッチングに用いるエッチング液で
あって、アンモニア水と、このアンモニア水１に対して
体積比で過酸化水素水１〜４及び水１〜７と、これらの
合計体積 100ccにたいしてエチレンジアミン四酢酸１ｇ
以上と溶解された銅５mg以上とからなることを特徴とす
るはんだバンプのバリヤメタル用エッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34303893A JPH07166373A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | はんだバンプのバリヤメタル用エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34303893A JPH07166373A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | はんだバンプのバリヤメタル用エッチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07166373A true JPH07166373A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=18358465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34303893A Pending JPH07166373A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | はんだバンプのバリヤメタル用エッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07166373A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972236A (en) * | 1996-08-12 | 1999-10-26 | Denso Corporation | Etchant, etching method using the same, and related etching apparatus |
| US6537381B1 (en) * | 1999-09-29 | 2003-03-25 | Lam Research Corporation | Method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing |
| US7008548B2 (en) * | 2001-12-06 | 2006-03-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Etchant for etching metal wiring layers and method for forming thin film transistor by using the same |
| WO2016042667A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP34303893A patent/JPH07166373A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972236A (en) * | 1996-08-12 | 1999-10-26 | Denso Corporation | Etchant, etching method using the same, and related etching apparatus |
| US6537381B1 (en) * | 1999-09-29 | 2003-03-25 | Lam Research Corporation | Method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing |
| KR100729972B1 (ko) * | 1999-09-29 | 2007-06-19 | 램 리써치 코포레이션 | 화학적 기계적 연마 후 반도체 웨이퍼를 세정 및 처리하기 위한 방법 |
| US7008548B2 (en) * | 2001-12-06 | 2006-03-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Etchant for etching metal wiring layers and method for forming thin film transistor by using the same |
| WO2016042667A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPWO2016042667A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2017-06-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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