JPH07161902A

JPH07161902A - 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム

Info

Publication number: JPH07161902A
Application number: JP5302551A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Miura; 薫三浦; Takayuki Okinaga; 隆幸沖永; Koji Emata; 孝司江俣; Hitoshi Horiuchi; 整堀内; Makoto Komata; 誠小俣; Atsushi Honda; 厚本多; Hiromichi Suzuki; 博通鈴木
Original assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd
Priority date: 1993-12-02
Filing date: 1993-12-02
Publication date: 1995-06-23

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置における多ピン化，リードピッチ
狭小化を図る。【構成】半導体装置１は、レジンからなるパッケージ
２と、このパッケージ２の内外に亘って延在するリード
３と、前記パッケージ２内に位置する半導体チップ９と
なっている。前記パッケージ内に延在するインナーリー
ド６は交互に一枚の絶縁フィルム１２で上下に区分けさ
れ、かつ各インナーリードの内端と前記半導体チップ９
の電極とが導電性のワイヤ１３で接続されている。前記
インナーリード６の先端は交互に長短となっている。前
記短リード１１の先端は絶縁フィルム１２上に延在し、
長リード１０の先端は絶縁フィルム１２の下面側から突
出し、その突出部分にワイヤ１３が接続されている。こ
の結果、ワイヤボンディング位置は千鳥状配列となり、
かつ段差が付いていることから、インナーリード６の狭
小化、すなわち、アウターリード７の狭小化（多ピン
化）が達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造に用いるリードフレームに関し、特に多ピン化が達
成できる半導体装置およびリードフレームに関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器は、機能面から高密度実装化
が、実装面から軽量化，小型化，薄型化が要請されてい
る。この結果、組み込まれる電子部品の端子（リード，
ピン）のピッチが狭小化するとともに、端子数も増大し
て多ピン化傾向にある。また、電子部品の製造コスト低
減のために、パッケージ形態としては、材料が安くかつ
生産性が良好な樹脂封止（レジンパッケージ）型半導体
装置が多用されている。レジンパッケージ型半導体装置
としては、金属製のリードフレームを用いるもの、表面
にリードを形成した絶縁性フィルムを用いるもの（ＴＣ
Ｐ：Tape Carrier Package）等が知られている。

【０００３】半導体パッケージについては、たとえば、
工業調査会発行「電子材料」1989年12月号、同年12月１
日発行、Ｐ37〜Ｐ43に「多様化する半導体パッケージと
アセンブリシステム」と題して記載されている。この文
献には、多ピン化（多リード化），ピンピッチの狭小化
について記載されている。また、この文献には、多ピン
化，大チップ化，小型・薄形化を進めるための技術的課
題の一つとして、ワイヤボンディングについて記載され
ている。ワイヤボンディングにおけるリードピッチ縮小
化対応の項では、「リードピッチは，プレスにせよエッ
チングにせよｔ０．１５ｍｍの４２ＮｉＦｅ合金で０．
２ｍｍピッチあたりが限界と思われる。この板厚では，
リード幅はこの半分の０．１ｍｍ程度であり，この中に
接合させるためには，やはりリード接合幅を安定して小
さくしなければならない。このためには，とりわけ超音
波併用方式の場合，まずリードフレームの固定状態をよ
くすることが重要である。テーピングによりリードを固
定する方法などもとられているが，リード位置精度のば
らつきは大きく，全ピン位置認識を必要とする。・・・
また、接合部の形状はキャピラリ先端形状に影響され，
リード接合幅を小さくするためにはフェイス部分の直径
を小さくしなければならない。微小接合用の形状例を図
８に示す。」旨記載されている。図８にはＡｕ線（ワイ
ヤ）の先端の球形の直径が８０μｍの場合の従来形のキ
ャピラリ、Ａｕ線の先端の球形の直径が６０μｍの場合
の微小接合用のキャピラリについて図示され、ワイヤボ
ンディングピッチは前者の場合は１６０μｍ、後者の場
合は１２０μｍと記されている。なお、この文献には、
ピン挿入タイプや面実装タイプの各種半導体装置が開示
され、たとえば、多ピン化製品としてＱＦＰ (Quad Fla
t Package)が開示されている。

【０００４】一方、特開平2-209760号公報には多重リー
ドフレームについて記載されている。このリードフレー
ムにおいては、内部リード側のみを上下に重ねて多ピン
化を達成している。しかし、上下の内部リードを絶縁体
で分離するような構造とはなっていない。

【０００５】また、特開平2-156661号公報にはリードフ
レームについて記載されている。この公報には、「複数
枚のリードフレームを積層するときに, インナーリード
の一部は絶縁層を介して固定すると共に，アウターリー
ドは少なくともパッケージの端部から同一面上に来るよ
うに配置することにより，リード同士の短絡およびボン
ディングワイヤの短絡を防止する。」旨記載されてい
る。このリードフレームではインナーリードの先端は略
同一線上にまで延在している。

【０００６】他方、日経ＢＰ社発行「日経マイクロデバ
イス」1989年６月号、同年６月１日発行、P103〜P109お
よび日経ＢＰ社発行「日経マイクロデバイス」1991年２
月号、同年２月１日発行、Ｐ68〜Ｐ70には、リードフレ
ームを多層構造にしたＱＦＰ（Quad Flat Package ）が
開示されている。前記文献による多層リードフレーム
は、インナー・リードを信号，電源，接地と三つのフレ
ームに分けて３層構造とし、各フレームを両面接着テー
プで接着した構造となっている。前記３枚のフレームの
リードパターンは、インナー・リードを構成する単位リ
ードパターンのそれぞれ一部を受け持つパターンとなっ
ている。そして、３枚のフレームが重ねられることによ
って、単位リードパターンが形成される。また、この文
献には前記多層リードフレームはＱＦＰ，ＰＬＣＣ（Pl
astic Leaded Chip Carrier ），ＤＩＰ（Dual Inline
Package ）にも応用できる旨記載されている。また、後
者の文献には、アウター・リードとなる金属フレーム
と、電源用の金属フレームを両面に接着剤が付いたテー
プで接着した構造についても記載されている。

【０００７】また、工業調査会発行「電子材料」1993年
２月号、同年２月１日発行、資料頁５１および表紙に
は、ＵＶ硬化型樹脂を直線，曲線，角型，多角型などに
任意に描いて各リードを連結する装置が開示されてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ＱＦＰの多ピン化によ
って１枚の平坦のリードフレームの場合、インナーリー
ドのボンディングスペース幅が小さくなり、ＬＳＩ（大
規模集積回路装置）を組み込んだ半導体チップとインナ
ーリードとの接続が困難となる。たとえば、ボンディン
グが実現できるスペースを作ってもインナーリード間距
離が短過ぎ、クロストークやワイヤ同士のショートが発
生してしまうことがある。

【０００９】本発明の目的は、多ピン化が達成できる半
導体装置を提供することにある。

【００１０】本発明の他の目的は、多ピン化が達成でき
るリードフレームを提供することにある。本発明の前記
ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記
述および添付図面からあきらかになるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置は、
レジンパッケージと、このレジンパッケージの内外に亘
って延在するリードと、前記パッケージ内に位置する半
導体チップと、前記パッケージ内に延在するインナーリ
ードが交互に一枚の絶縁フィルムで上下に区分けされ、
かつ各インナーリードの内端と前記半導体チップの電極
とが導電性のワイヤで接続されてなる半導体装置であ
り、かつ前記インナーリードの先端は交互に長短となっ
ている。前記短リードの先端は絶縁フィルム上に延在
し、長リードの先端は絶縁フィルムの下面側から突出
し、その突出部分にワイヤが接続されている。

【００１２】このような半導体装置を製造するためのリ
ードフレームは、矩形枠状の第１の枠体と、この第１の
枠体の中央に設けられたタブと、前記第１の枠体から延
在しかつ前記タブを支持するタブ吊りリードと、前記タ
ブに向かって第１の枠体から延在する複数の第１リード
とからなる第１フレーム（下リードフレーム部）と、前
記第１の枠体と略同じ大きさの矩形枠状の第２の枠体
と、この第２の枠体から前記タブに向かって延在する複
数の第２リードとからなる第２フレーム（上リードフレ
ーム部）とからなるとともに、前記下リードフレーム部
と上リードフレーム部は重ね合わされて樹脂体で貼り合
わされている。また、前記上リードフレーム部のリード
（第１リード）間に下リードフレーム部のリード（第２
リード）が位置するようになっている。前記第１リード
はインナーリード部分で一段低くなり、前記絶縁フィル
ムの下面側に貼り付けられて前記絶縁フィルムを越えて
突出している（長リード）。また、前記第２リードの内
端は前記絶縁フィルム上に位置している（短リード）。
したがって、絶縁フィルムは第１リードおよび第２リー
ドの段差部分を貫くように配置されている。

【００１３】

【作用】本発明の半導体装置は、半導体チップが固定さ
れるタブに向かって延在する各リードは、各タブの各辺
に対応する部分では、交互に絶縁フィルムに張り付けら
れかつ長さが長短となっていることから、ワイヤボンデ
ィング位置は千鳥状配列となり、ワイヤボンディング
時、ワイヤを保持するキャピラリが隣のリードに接続さ
れたワイヤと干渉しなくなり、リードピッチの狭小化が
達成できる。

【００１４】本発明のリードフレームはワイヤボンディ
ング位置が千鳥状配列となるため、ワイヤを保持するキ
ャピラリが、ワイヤボンディング時、隣のリードに接続
されたワイヤと干渉しなくなり、リードピッチの狭小化
が達成できる。

【００１５】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例による半導体装置
の断面図、図２は同じく他の断面による断面図、図３は
本発明によるリードフレームを示す平面図、図４は同じ
くリードフレームの下部を構成する下リードフレーム部
を示す平面図、図５は同じくリードフレームの上部を構
成する上リードフレーム部を示す平面図、図６は同じく
上・下リードフレーム部の連結状態部分を示す一部の断
面図、図７は本発明のリードフレームにチップボンディ
ング，ワイヤボンディングが行われたリードフレームの
一部を示す斜視図、図８は本発明のリードフレームにト
ランスファモールドが行われた一部を切り欠いたリード
フレームの平面図、図８は同じくトランスファモールド
されたリードフレームの断面図である。

【００１６】本発明の半導体装置１は、図１および図２
に示すように、矩形のパッケージ２と、このパッケージ
２の内外に亘って延在する複数のリード３とからなって
いる。この例の半導体装置１は、パッケージ２の４辺か
らそれぞれリード３を突出させるＱＦＰ構造となってい
る。また、前記パッケージ２から突出するリード３（ア
ウターリード７）の形状はガルウィング型となり、同図
に示すように、先端は平坦なリードフット部４となって
いる。前記パッケージ２の内部には、支持体（タブ）５
が配設されている。このタブ５の上面には、図示しない
接合材を介して半導体チップ（チップ）９が固定されて
いる。

【００１７】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、パッケージ２の内部に位置するインナーリード６
は、図１，図２および図７に示すように、交互に長リー
ド１０と短リード１１となっている。前記長リード１０
は、図で示されるように、途中で階段状に一段折れ曲が
り、この段差部分を絶縁フィルム１２が横切っている。
この絶縁フィルム１２は、たとえば、５０μｍ厚さのポ
リイミド樹脂で形成され、一枚の枠状となり、リードフ
ット部４リード３タブ５の周囲を取り囲むように配置さ
れている。前記絶縁フィルム１２は両面に図示しない接
着剤が塗布されて、下面に長リード１０を上面に短リー
ド１１を接着保持するようになっている。短リード１１
の先端のワイヤボンディング領域は前記絶縁フィルム１
２上に位置しし、長リード１０は前記絶縁フィルム１２
を越えて突出するため、長リード１０の先端のワイヤボ
ンディング領域は前記絶縁フィルム１２から外れた位置
となる。そして、これら長リード１０および短リード１
１の先端のワイヤボンディング領域と、半導体チップ９
の電極８（図７参照）とは、導電性、たとえばＡｕ線か
らなるワイヤ１３で接続されている。

【００１８】前記長リード１０と短リード１１との差
は、たとえば、０．５ｍｍとなっている。リード３のア
ウターリード７のピッチは、たとえば０．５ｍｍとな
り、アウターリード部分のリード幅は１２０μｍとなっ
ている。また、インナーリード６の先端部分のピッチは
１９０μｍとなり、インナーリード部分の幅は８０〜９
０μｍ程度となっている。したがって、ワイヤボンディ
ング時、Ａｕ線の先端の太さが８０μｍの場合であって
も、インナーリードの先端のワイヤボンディング領域に
ワイヤを接続しても、隣接するリード３に固定したリー
ド３が接触したりする干渉は発生しなくなる。そして、
このようにインナーリードにおけるワイヤボンディング
位置を千鳥状配列とすることによって、リードピッチを
さらに狭小化することが可能となり、アウターリード７
のピッチを０．３ｍｍにすることも可能となる。

【００１９】なお、本発明の半導体装置１は二枚のリー
ドフレームを重ね合わせ、かつアウターリード７はパッ
ケージ２の一定の高さから突出するようになっている。
このため、二枚のリードフレームを組立時一体にしてお
くための樹脂体１４が、アウターリード７の水平突出部
１５に残留している。前記長リード１０，短リード１１
および樹脂体１４の連結関係は図６に示すようになって
いる。すなわち、長リード１０および短リード１１は樹
脂体１４に埋め込まれるようにして同一平面に位置する
ようになり、かつ連結されている。

【００２０】つぎに、本発明の半導体装置の製造方法に
ついて説明する。半導体装置１の製造においては、図３
に示すようなリードフレーム２０が用意される。このリ
ードフレーム２０は、第１フレーム（下リードフレーム
部）２１と、第２フレーム（上リードフレーム部）３１
とを重ねて貼り合わせた構造となり、各リード３を接続
する金属製のダムは設けられていない。そして、上リー
ドフレーム部３１のリード３（長リード１０）間に下リ
ードフレーム部２１のリード３（短リード１１）が中央
に挟まれて延在するようになっている。また、前記長リ
ード１０および短リード１１は、樹脂体１４によって連
結されている。この樹脂体１４は、二枚のリードフレー
ムを重ね合わせた状態でも、隣合うリード３（長リード
１０，短リード１１）が略同一平面に位置するように、
リード３を連結するとともに、トランスファモールド時
にレジンの外部への流出を抑止するダムの役割を果た
す。なお、前記下リードフレーム部２１および上リード
フレーム部３１は、厚さ０．１ｍｍとなるＦｅ−Ｎｉ合
金板やＣｕ合金板等をエッチングによりまたはプレスに
よってパターニングすることによって製造されている。
なお、レジンパッケージによって、パッケージ内に入る
リード部分をインナーリード６と呼称し、パッケージか
ら外に出る部分をアウターリード７と呼称する。

【００２１】下リードフレーム部２１は、図４に示すよ
うに、一対の平行に延在する外枠２２と、この一対の外
枠２２を連結しかつ外枠２２に直交する方向に延在する
一対の内枠２３とによって形成される枠構造となってい
る。また、前記枠の中央には矩形状のタブ（支持体）５
が配置されているとともに、このタブ５は一対の枠の隅
の太幅部２４から延在するタブ吊りリード２５によって
支持されている。また、前記内枠２３および外枠２２か
ら前記タブ５に向かって複数のリード３（長リード１
０）が略平行に延在している。長リード１０のリードピ
ッチは１．０ｍｍとなるとともに、枠側（アウターリー
ド７）での幅は１２０μｍとなっている。長リード１０
の先端（内端）のインナーリード６部分の幅は８０〜９
０μｍ程度となっている。また、前記タブ５を取り囲む
ように、タブ５の周囲には矩形枠状の絶縁フィルム１２
が貼り付けられている。この絶縁フィルム１２は、たと
えば厚さ５０μｍのポリイミド樹脂で形成されていると
ともに、両面に図示しない接着剤が塗布されている。長
リード１０の先端は、前記絶縁フィルム１２の内側に僅
かに突出して露出し、ワイヤボンディング領域を形成し
ている。長リード１０は前記絶縁フィルム１２の近傍で
一階段状に折れ曲がっている。長リード１０の折れ曲が
り部分と、前記絶縁フィルム１２の外側の縁が略一致し
ていることから、平面図において、長リード１０の折れ
曲がり部分は省略する。なお、外枠２２にはガイド用の
円形孔や長孔が設けられているが、図では省略する。

【００２２】上リードフレーム部３１は、図５に示すよ
うに、一対の平行に延在する外枠３２と、この一対の外
枠３２を連結しかつ外枠３２に直交する方向に延在する
一対の内枠３３とによって形成される枠構造となってい
る。このような枠構造は前記下リードフレーム部２１の
枠構造と一致するように形成されている。また、前記内
枠３３および外枠３２から前記下リードフレーム部２１
のタブ５に向かって複数のリード３が略平行に延在して
いる。このリード３は、前記下リードフレーム部２１の
リード３（長リード１０）よりも、たとえば０．５ｍｍ
短いので短リード１１とも称する。短リード１１のアウ
ターリード７側でのリードピッチは１．０ｍｍとなると
ともに、アウターリード７での幅は１２０μｍとなって
いる。また、短リード１１の先端（内端）のインナーリ
ード６部分の幅は８０〜９０μｍ程度となっている。ま
た、前記下リードフレーム部２１に上リードフレーム部
３１を重ね合わせた場合、短リード１１は、前記下リー
ドフレーム部２１の長リード１０の中間に位置するよう
になっている。そして、前記短リード１１の先端は、前
記上リードフレーム部３１に貼り付けられている絶縁フ
ィルム１２上に位置するようになっている。なお、外枠
２２にはガイド用の円形孔や長孔が設けられているが、
図では省略する。これら円形孔や長孔は前記下リードフ
レーム部２１のガイド用の円形孔や長孔と一致するよう
に形成されている。

【００２３】リードフレーム２０の製造においては、前
記下リードフレーム部２１および上リードフレーム部３
１が用意される。その後、両者は位置決めされて重ね合
わされる。その後、図３に示すように、樹脂体１４が塗
布されるとともに、枠内の一定領域がプレスで押圧（こ
の間樹脂体１４はキュアされて硬化する）される結果、
図３，図６および図９に示されるようなリードフレーム
２０が形成されることになる。

【００２４】つぎに、図７に示すように、前記リードフ
レーム２０に対してチップボンディング，ワイヤボンデ
ィングが行われる。すなわち、前記リードフレーム２０
のタブ５上に接合材を介して半導体チップ９が固定され
る。その後、半導体チップ９の電極８と、リード３（長
リード１０，短リード１１）の内端が導電性のワイヤ１
３で接続される。このワイヤボンディング時、長リード
１０および短リード１１のワイヤボンディング位置（領
域）は千鳥状配列となっていることから、ワイヤボンデ
ィングを行うキャピラリが隣接するワイヤに接触などを
起こさずに支障なくワイヤボンディングが行えることに
なる。また、半導体チップ９の電極８とリード３とを電
気的に連結するワイヤ１３は、リード３側での位置が千
鳥状配列に変化することから、リード同士が接触した
り、クロストークを起こさなくなる。この結果、アウタ
ーリード７のピッチ狭小化が可能となる。すなわち、ア
ウターリード７の０．３ｍｍピッチ以下も可能となる。

【００２５】つぎに、組立が終了したリードフレーム２
０は、図９に示すように、トランスファモールド装置の
モールド上・下型３５，３６に型締めされ、レジン３７
の注入によってパッケージ２が形成される。

【００２６】つぎに、前記リードフレーム２０はモール
ド上・下型３５，３６から取り外され、不要リードフレ
ーム部分が切断除去されるとともに、リード成形が行わ
れ、たとえば図１および図２に示されるようなガルウィ
ング型の半導体装置１が製造される。

【００２７】

【発明の効果】（１）本発明の半導体装置は、インナー
リードを交互に長短とするとともに、絶縁フィルムを介
して並んだインナーリードを交互に上下に二段とするた
め、ワイヤボンディング位置は千鳥状配列となり、一方
のインナーリード部分にワイヤを接続した場合、ワイヤ
を保持するキャピラリが隣接するワイヤに接触すること
もなく、インナーリードピッチが狭くなっても的確にワ
イヤボンディングを行うことができるという効果が得ら
れる。

【００２８】（２）本発明の半導体装置は、インナーリ
ードを交互に長短とすることから、ワイヤボンディング
位置は千鳥状配列となるため、ワイヤにおけるクロスト
ークが起きなくなるという効果が得られる。

【００２９】（３）上記（１）および（２）により、本
発明の半導体装置は、インナーリードを交互に長短とす
るとともに、絶縁フィルムを介して並んだインナーリー
ドを交互に上下に二段とすることから、ワイヤボンディ
ング位置は千鳥状配列となり、アウターリードのピッチ
の狭小化が達成できるという相乗効果が得られる。

【００３０】（４）上記（３）により、本発明によれば
多ピン化が達成できる半導体装置を提供することができ
るという効果が得られる。

【００３１】（５）本発明によれば、多ピン化が達成で
きるリードフレームを提供することができる。

【００３２】（６）上記（１）〜（５）により、本発明
によれば多ピン化，リードピッチ狭小化により、小型で
高密度・高集積化が達成できるリードフレームおよび半
導体装置を提供することができるという相乗効果が得ら
れる。

【００３３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施例では、２枚のリードフレームを重ねて貼りあ
わせたが、さらに複数枚のリードフレームを貼り合わせ
ても良い。そして、そのうちの１枚をグランドフレーム
としても良い。

【００３４】図１０は、本発明の他の実施例による半導
体装置１である。この実施例では、部分的に長リードを
グランドリード４０としたものである。

【００３５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＱＦＰ
の製造技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではない。たとえば、タブ上に半導体チ
ップ等を搭載したセラミック配線基板を固定した混成集
積回路装置（半導体装置）やＴＣＰ製造技術などにも適
用できる。本発明は少なくともリードピッチを狭小化す
る必要のある半導体装置の製造には適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体装置の断面図で
ある。

【図２】本発明の一実施例による半導体装置の他の断面
による断面図である。

【図３】本発明の一実施例によるリードフレームを示す
平面図である。

【図４】本発明の一実施例によるリードフレームの下部
を構成する下リードフレーム部を示す平面図である。

【図５】本発明の一実施例によるリードフレームの上部
を構成する上リードフレーム部を示す平面図である。

【図６】本発明の一実施例によるリードフレームにおけ
る上・下リードフレーム部の連結状態部分を示す一部の
断面図である。

【図７】本発明の一実施例によるリードフレームにチッ
プボンディング，ワイヤボンディングが行われたリード
フレームの一部を示す斜視図である。

【図８】本発明の一実施例によるリードフレームにトラ
ンスファモールドが行われた一部を切り欠いたリードフ
レームの平面図である。

【図９】本発明の一実施例によるリードフレームにおい
てトランスファモールドされた状態のリードフレームを
示す断面図である。

【図１０】本発明の他の実施例による半導体装置の断面
図である。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…パッケージ、３…リード、４…リ
ードフット部、５…タブ、６…インナーリード、７…ア
ウターリード、８…電極、９…半導体チップ、１０…長
リード、１１…短リード、１２…絶縁フィルム、１３…
ワイヤ、１４…樹脂体、１５…水平突出部、２０…リー
ドフレーム、２１…第１フレーム（下リードフレーム
部）、２２…外枠、２３…内枠、２４…太幅部、２５…
タブ吊りリード、３１…第２フレーム（上リードフレー
ム部）、３２…外枠、３３…内枠、３５…モールド上
型、３６…モールド下型、３７…レジン、４０…グラン
ドリード。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者沖永隆幸東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者江俣孝司東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者堀内整東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者小俣誠東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者本多厚東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者鈴木博通東京都小平市上水本町５丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レジンパッケージと、このレジンパッケ
ージの内外に亘って延在するリードと、前記パッケージ
内に位置する半導体チップと、前記パッケージ内に延在
するインナーリードが交互に絶縁フィルムで上下に区分
けされ、かつ各インナーリードの内端と前記半導体チッ
プの電極とが導電性のワイヤで接続されてなる半導体装
置であって、前記インナーリードの先端は交互に長短と
なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】インナーリードの先端は絶縁フィルム上
に延在していることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置。
【請求項３】矩形枠状の第１の枠体と、この第１の枠
体の中央に設けられたタブと、前記第１の枠体から延在
しかつ前記タブを支持するタブ吊りリードと、前記タブ
に向かって第１の枠体から延在する複数の第１のリード
とからなる第１フレームと、前記第１の枠体と略同じ大
きさの矩形枠状の第２の枠体と、この第２の枠体から前
記タブに向かって延在する複数の第２のリードとからな
る第２フレームとからなるとともに前記第１フレームと
第２フレームは重ね貼り合わされかつ前記第１リード間
または第２リード間に第２リードまたは第１リードが位
置するリードフレームであって、前記第１リードまたは
第２リードのうちの一方はインナーリード部分で一段低
くなりかつ第１リードおよび第２リードは段差部分を貫
く絶縁フィルムに貼り付けられ、さらに第１リードまた
は第２リードの一方は前記絶縁フィルム上に先端を位置
させる短リードとなり、前記絶縁フィルムの下面側を延
在する他方は前記絶縁フィルムを越えて延在する長リー
ドとなっていることを特徴とするリードフレーム。