JPH07161475A

JPH07161475A - エレクトロルミネッセンス駆動装置

Info

Publication number: JPH07161475A
Application number: JP5309418A
Authority: JP
Inventors: Hisaaki Ishimaru; 寿明石丸
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1993-12-09
Filing date: 1993-12-09
Publication date: 1995-06-23

Abstract

(57)【要約】【目的】大型のトランスを使用することなく、小さな
インダクタを用いた効率の良いエレクトロルミネッセン
ス駆動装置を提供する。【構成】トランジスタＴｒ１、Ｔｒ４は、交互に第１
の周波数でオン、オフを繰り返す。トランジスタＴｒ２
は、トランジスタＴｒ１がオンしているときに、第１の
周波数より速い第２の周波数でオン、オフを行う。この
トランジスタＴｒ２がオンしている間にインダクタＬ１
に蓄えられたエネルギーが、トランジスタＴｒ２がオフ
となった瞬間に起電力となり、ダイオードＤ２を通して
ＥＬ素子に正の電圧を充電する。同様に、トランジスタ
Ｔｒ４がオンしているときに、トランジスタＴｒ３が第
１の周波数より速い第３の周波数でオン、オフを行い、
インダクタＬ２に蓄えられたエネルギーを、ダイオード
Ｄ３を通してＥＬ素子に負の電圧を充電する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、カメラやポケ
ットコンピュータのメッセージ表示用のバックライト、
あるいは、ミシンにおける液晶式ディスプレイの表示用
バックライトなどに使用されるエレクトロルミネッセン
ス駆動装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種のエレクトロルミネッセンス（ E
lectroluminescence：ＥＬ、以下ＥＬと略記する）駆動
装置として、従来より知られているものには、昇圧トラ
ンスや共振用のインダクタンスを用いて電圧を供給する
ものがある。

【０００３】これらは、昇圧トランスの２次側インダク
タンスや共振用のインダクタンスをＥＬ素子の容量に適
合させて共振させるように構成されている。ところで、
ＥＬ素子は、約４００〜３０００Ｈｚ、１００Ｖ程度の
低周波高電圧で駆動することが、ＥＬ素子の寿命、輝度
バランスの面から最も効率的である。

【０００４】しかし、上記昇圧トランスや共振用のイン
ダクタンスの用いる従来のＥＬ駆動装置において、上記
のような効率的な共振を行わせるためには、低周波であ
るが故に大きなインダクタンス値を必要とし、その結
果、トランスやインダクタンスが大型化するという欠点
がある。

【０００５】従来の技術としては、例えば、特開平５ー
３６４７７号公報において、小さなインダクタンスのみ
で大型のトランスを不用とするＥＬ駆動装置が以下のよ
うに開示されている。

【０００６】図２４は、従来の技術としての上記ＥＬ駆
動装置の概略構成図である。直流電源１とＥＬ２に接続
される出力端子３との間に、上記出力端子３に第１の極
性で高電圧を誘起する昇圧チョッパ回路４、及び上記出
力端子３に第２の極性で高電圧を誘起する極性反転昇圧
チョッパ回路５が接続される。

【０００７】さらに、上記出力端子３の出力電圧を検出
する検出回路６と、パルス信号を出力して上記両昇圧チ
ョッパ回路４、５のオン、オフを制御することにより、
出力端子３に一定周波数の交流出力を発生させるＣＰＵ
１０内の周波数制御回路７と、上記検出回路６で検出さ
れた出力電圧を一定値に保つように、上記パルス信号を
制御して直流電源から両昇圧チョッパ回路４、５への給
電時間を制御するＣＰＵ１０内の電圧制御回路８とを備
え、上記両昇圧チョッパ回路４、５は、上記直流電源１
から給電されるインダクタンス９を共有する。そして、
上記昇圧チョッパ回路４、５を高速にすることで、イン
ダクタンス９を小さくすることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、両チョ
ッパ回路の昇圧経路中にバイポーラトランジスタ（以下
トランジスタと略記する）があるため、昇圧のエネルギ
ーの一部はこのトランジスタのベース電流として流れる
ので、その分昇圧の効率が落ちる。

【０００９】また、このトランジスタのコレクタ、エミ
ッタ間の寄生容量によっても効率が落ちる。一般的に、
電池を電源とする装置においては低消費電流である必要
があり、効率の劣る昇圧回路を使用するのは困難である
という課題があった。

【００１０】本発明は上記課題に鑑みてなされたもの
で、大型のトランスを使用することなく、小さなインダ
クタを用いた効率の良いエレクトロルミネッセンス駆動
装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のエレクトロルミネッセンス駆動装置は第１
のコイルを含み、この第１のコイルへの通電を断続する
ことにより正の昇圧電圧を出力する第１の昇圧回路と、
第２のコイルを含み、この第２のコイルへの通電を断続
することにより負の昇圧電圧を出力する第２の昇圧回路
と、上記第１および第２の昇圧回路の出力点に接続され
たエレクトロルミネッセンス素子と、第１の所定時間の
間、上記第１の昇圧回路を作動させ、上記第１の所定時
間に続く第２の所定時間の間、上記第２の昇圧回路を作
動させるためのタイミング信号を出力するタイミング信
号生成手段とを具備し、上記第１の昇圧回路から出力さ
れる上記正の昇圧電圧と、上記第２の昇圧回路から出力
される上記負の昇圧電圧を上記エレクトロルミネッセン
ス素子に交互に印加するようにしたことを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明のエレクトロルミネッセンス駆動装置に
おいては、第１のコイルを含み、この第１のコイルへの
通電を断続することにより正の昇圧電圧を出力する第１
の昇圧回路と、第２のコイルを含み、この第２のコイル
への通電を断続することにより負の昇圧電圧を出力する
第２の昇圧回路と、上記第１および第２の昇圧回路の出
力点に接続されたエレクトロルミネッセンス素子を有し
ている。第１の所定時間の間、上記第１のコイルへの通
電を断続して上記第１の昇圧回路を作動させた後、タイ
ミング信号生成手段から、上記第１の所定時間に続く第
２の所定時間の間、上記第２のコイルへの通電を断続し
て上記第２の昇圧回路を作動させるためのタイミング信
号が出力される。そして、上記第１の昇圧回路から出力
される上記正の昇圧電圧と、上記第２の昇圧回路から出
力される上記負の昇圧電圧が、上記エレクトロルミネッ
センス素子に交互に印加される。

【００１３】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明のＥＬ駆動装置の
第１実施例を示すものである。

【００１４】このＥＬ駆動装置は、プラスの昇圧用イン
ダクタＬ１とマイナス側の昇圧用インダクタＬ２を有
し、上記インダクタＬ１の一方はトランジスタＴｒ１を
介して、直流電源Ｅのプラス側に接続され、他方は、ダ
イオードＤ１のアノードとダイオードＤ２のアノードに
接続される。

【００１５】ダイオードＤ１のカソードは、トランジス
タＴｒ２を介して直流電源Ｅのマイナス側に接続され、
ダイオードＤ２のカソードはＥＬ素子の一方及びダイオ
ードＤ３のアノードに接続される。

【００１６】また、インダクタＬ２の一方は、トランジ
スタＴｒ４を介して直流電源Ｅのマイナス側に接続さ
れ、他方はダイオードＤ４のカソードとダイオードＤ３
のカソードに接続される。

【００１７】ダイオードＤ４のアノードは、トランジス
タＴｒ３を介して直流電源Ｅのプラス側に接続される。
また、ＥＬ素子の他方は、直流電源Ｅのマイナス側に接
続される。

【００１８】以上のように構成された、ＥＬ駆動装置の
動作について説明する。図２は、第１実施例でのＥＬ素
子への充電の様子を示すタイムチャートである。

【００１９】トランジスタＴｒ１、Ｔｒ４は、交互に第
１の周波数でオン、オフを繰り返す。トランジスタＴｒ
２は、少なくともトランジスタＴｒ１がオンしていると
きに、第１の周波数より速い第２の周波数でオン、オフ
を行う。このトランジスタＴｒ２がオンしている間にイ
ンダクタＬ１に蓄えられたエネルギが、次の瞬間、トラ
ンジスタＴｒ２がオフとなったときに起電力となり、ダ
イオードＤ２を通してＥＬ素子に正の電圧を充電する。

【００２０】ここで、図１（ｂ）に示したように、ＥＬ
素子は等価的にコンデンサと抵抗が並列に接続されたも
のと考えられ、この等価的なコンデンサに正の電荷が蓄
えられる。

【００２１】同様に、トランジスタＴｒ３は、少なくと
もトランジスタＴｒ４がオンしているときに、第１の周
波数より速い第３の周波数でオン、オフを行う。このト
ランジスタＴｒ３がオンしている間にインダクタＬ２に
蓄えられたエネルギーが、次の瞬間、トランジスタＴｒ
３がオフとなったときに起電力となり、ダイオードＤ３
を通してＥＬ素子に負の電圧を充電する。

【００２２】トランジスタＴｒ２のオン、オフでＥＬ素
子を正に昇圧しているときは、トランジスタＴｒ４はオ
フになっており、またダイオードＤ２があることにより
トランジスタＴｒ３には電流は流れない。

【００２３】同様に、トランジスタＴｒ３のオン、オフ
でＥＬ素子を負に昇圧しているときは、トランジスタＴ
ｒ１はオフになっており、またダイオードＤ２があるこ
とによりトランジスタＴｒ２には電流は流れない。

【００２４】なお、ここでは、ＥＬ素子の他方は、直流
電源Ｅのマイナス側に接続されるが直流電源Ｅのプラス
側でもかまわない。図３は、本発明のＥＬ駆動装置の第
２実施例を示すものである。

【００２５】また、図４は、第２実施例でのＥＬ素子へ
の充電の様子を示すタイムチャートである。トランジス
タＴｒ８は、ＥＬ駆動回路全体の電源の供給を行ってお
り、このトランジスタＴｒ８はＣＰＵのＣＥＮ端子信号
で制御される。

【００２６】トランジスタＴｒ１、及びトランジスタＴ
ｒ４は、それぞれプラスの昇圧部、マイナスの昇圧部の
オン、オフ行う。トランジスタＴｒ１はＰＮＰトランジ
スタで、トランジスタＴｒ４はＮＰＮトランジスタであ
るため、ＣＰＵのＣＫ１端子信号が“Ｌ”のときにトラ
ンジスタＴｒ１はオン、“Ｈ”のときにトランジスタＴ
ｒ４がオフとなり、数１００Ｈｚ〜数ＫＨｚで発振を行
う。

【００２７】抵抗Ｒ８及びトランジスタＴｒ５のコレク
タがトランジスタＴｒ２のベースに接続されており、ト
ランジスタＴｒ５のベースが抵抗Ｒ７を介してＣＰＵの
ＣＫ２端子に接続される。よって、トランジスタＴｒ１
がオンのときＣＫ２端子信号を“Ｈ”から“Ｌ”、また
は“Ｌ”から“Ｈ”と変化させるごとにトランジスタＴ
ｒ２もオン、オフを繰り返す。

【００２８】トランジスタＴｒ２がオンのとき、インダ
クタＬ１に電流が流れ、一方、トランジスタＴｒ２がオ
フのときにはインダクタＬ１の起電力により、ダイオー
ドＤ２を介して、コンデンサＣ２及びＥＬ素子に正の充
電が行われる。

【００２９】このとき、トランジスタＴｒ４がオフして
おり、ダイオードＤ２、Ｄ４があるので、コンデンサＣ
２、及びＥＬ素子に蓄えられた電圧は、ほぼＥＬ素子自
身の持つ抵抗分のみにより低下する。

【００３０】ＥＬ素子を放置及び使用することでＥＬ素
子は劣化し、抵抗成分が大きくなるが、コンデンサＣ２
の容量をＥＬ素子の等価容量より大きくすることで、そ
の影響を小さくすることができる。

【００３１】ＣＰＵのＣＫ２端子信号を数１００ＫＨＺ
から数ＭＨＺにすることで、ＥＬ素子を１００Ｖ前後に
昇圧するのに必要なインダクタンスを小さくすることが
できる。したがって、大きさが小型のインダクタが使用
できる。

【００３２】なお、負の昇圧も同様であり、以下に説明
する。抵抗Ｒ１３、及びトランジスタＴｒ７のコレクタ
がトランジスタＴｒ３のベースに接続されており、トラ
ンジスタＴｒ７のベースが抵抗Ｒ１０を介してＣＰＵの
ＣＫ２端子に接続される。よって、トランジスタＴｒ４
がオンのとき（Ｔｒ１がオフのとき）、ＣＫ２端子信号
を“Ｈ”から“Ｌ”、または“Ｌ”から“Ｈ”と変化さ
せるごとにトランジスタＴｒ３もオン、オフを繰り返
す。

【００３３】トランジスタＴｒ３がオンのとき、インダ
クタＬ２に電流が流れ、トランジスタＴｒ３がオフのと
きには、インダクタＬ２の起電力により、ダイオードＤ
３を介してコンデンサＣ２、及びＥＬ素子に負の充電が
行われる。

【００３４】このとき、トランジスタＴｒ１がオフして
おり、ダイオードＤ１、Ｄ３があるのでコンデンサＣ
２、及びＥＬ素子に蓄えられた電圧は、ほぼＥＬ素子自
身の持つ抵抗分のみにより低下する。

【００３５】なお、トランジスタＴｒ２、Ｔｒ３の制御
をＣＫ２端子信号のみで行っているが、インダクタＬ
１、Ｌ２の特性が異なる場合は、異なる周波数のパルス
で制御してもかまわない。

【００３６】いずれにしても、昇圧は高い周波数で行え
るのでインダクタンス値の小さな小型のインダクタを使
用することができる。２つインダクタが必要だが、非常
に小さなインダクタを使えるので大型のトランスを１つ
使用するのに較べると、大幅な小型化が可能である。

【００３７】なお、上記実施例では、ＥＬ駆動装置全体
の電源のオン、オフのスイッチングにトランジスタＴｒ
８を用いたが、このトランジスタＴｒ８の替わりに定電
圧源を用いてオン、オフのスイッチングを行うようにし
ても良いことは言うまでもない。

【００３８】図５は、ＥＬ素子の電圧、輝度特性を示す
グラフである。この図５に示すように、ＥＬ素子の印加
電圧が高くなるほど輝度は上がり、また、周波数が高く
なるほど輝度も上がる。

【００３９】図６は、ＥＬ素子の輝度特性の劣化する性
質を示すグラフである。図６に示すように、ＥＬ素子の
点灯による輝度の劣化は、温度が高くなるほど、また、
湿度が高くなるほど激しくなる。

【００４０】点灯せず放置した場合でも劣化するが、そ
の度合いは点灯した場合よりはるかに小さい。図７は、
ＥＬ素子の輝度の劣化への対策方法を示す図である。

【００４１】図７（ａ）は、劣化前のＥＬ素子への充電
を示し、図７（ｂ）は、劣化後のＥＬ素子への充電を示
す。図７（ａ）に示すように劣化前においては、ＣＫ１
端子信号を２ＫＨｚ、ＣＫ２端子信号を５００ＫＨｚで
発振させてＥＬ素子を昇圧している。

【００４２】図７（ｂ）に示すように劣化後において
は、ＥＬ素子の等価容量、等価抵抗が増大するため、Ｅ
Ｌ素子は、２ＫＨｚままでは７０Ｖまでしか昇圧しな
い。そこで、ＣＫ１端子信号の周波数を下げ、１回ごと
昇圧時間を伸ばすことにより１００Ｖまで昇圧する。こ
れにより、周波数は低くなるが電圧が高くなるので、劣
化したＥＬ素子でも劣化前の輝度と同程度の輝度を得る
ことができる。

【００４３】ここで、高周波のＣＫ２端子信号を微調整
することは困難であるが、低周波のＣＫ１端子信号の周
波数を変えることは容易である。また、図８は、上記劣
化への対策方法において、必要なエネルギーを減らす手
段を示す図である。

【００４４】図７におけるＣＫ１端子信号、ＣＫ２端子
信号によるトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の制御を図８に
示すように、昇圧後、一定時間オフしＥＬ素子の高電圧
の期間を作るようにすれば、同じ輝度を出力するのに必
要なエネルギーを減らすことができる。

【００４５】図９は、本発明のＥＬ駆動装置の第３実施
例を示すものであり、第２実施例におけるバイポーラト
ランジスタのかわりに電界効果トランジスタ（Field Ef
fectTtansistor:ＦＥＴ）を用いたものである。

【００４６】動作については、第２実施例と同等であ
り、以下に、第２実施例との相違点だけを説明する。第
３実施例では、バイポーラトランジスタの替わりに電界
効果トランジスタを用い、電界効果トランジスタＦＥＴ
１、ＦＥＴ２、ＦＥＴ３、ＦＥＴ４のゲートにゲート保
護用のツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３、Ｚ
Ｄ４が接続される。

【００４７】電界効果トランジスタＦＥＴ１、ＦＥＴ３
は、Ｐチャネルのエンハンス形の電界効果トランジスタ
であり、電界効果トランジスタＦＥＴ２、ＦＥＴ４はＮ
チャネルのエンハンス形の電界効果トランジスタであ
る。

【００４８】第２実施例のバイポーラトランジスタの場
合は、ベース抵抗を介して電流が流れるので全体をオフ
するために、トランジスタＴｒ８が必要であった。しか
し、この第３実施例の電界効果トランジスタの場合は、
ゲートを電流が流れず、また、ＣＫ１端子信号を
“Ｈ”、ＣＫ２端子信号を“Ｌ”にすると、電界効果ト
ランジスタＦＥＴ２、ＦＥＴ３がオンするが、ダイオー
ドＤ２、Ｄ３により電流が流れない。

【００４９】これにより、昇圧回路の電流がオフできる
ため、トランジスタＴｒ８のような全体のスイッチング
素子は不用となる。次に、本発明の第４実施例として、
ＥＬ駆動装置が適用されたカメラについて説明する。

【００５０】図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用し
たカメラの一例の外観を示すものである。図１０（ａ）
は、上記カメラを上から見た図であり、中央に液晶表示
装置（以下ＬＣＤと略記する）があり、そのＬＣＤのバ
ックライト用にＥＬ素子が使われている。

【００５１】図１０（ｂ）は、上記カメラの正面図であ
り、上記カメラはバリア式である。図１１は、本発明を
使用したカメラのブロック構成図である。ＣＰＵ２０に
レリーズ釦の１番目のスイッチ（Ｒ１ＳＷ）３５、レリ
ーズ釦の２番目のスイッチ（Ｒ２ＳＷ）３６、モードス
イッチ（モードＳＷ）３７、デート表示用スイッチ（時
計ＳＷ）３８、バリアスイッチ（バリアＳＷ）３９及び
給送モータ駆動回路２１、測光部２２、レンズ・モータ
駆動回路２３、シャッタ制御回路２４、バッテリ・チェ
ック回路２５、充電回路２６、ストロボ発光制御回路２
７、測距部２８、カメラのモードや駒数表示用のＬＣＤ
２９、ＥＬ制御回路３０が接続される。さらに、ＣＰＵ
２０には、日付け写し込み用の日付け用ＬＣＤ３１とそ
の点灯用のひつけ用ＥＬ制御回路３２も接続される。

【００５２】また、このＣＰＵ２０には、３２ＫＨｚと
２ＭＨｚの２つの発振子３３、３４が接続されており、
３２ＫＨｚのクロックから１秒ごとの割り込みを発生す
る１秒タイマが内部で接続され、２ＭＨｚのクロックに
より通常の命令が実行される。

【００５３】なお、１秒ごとの割り込みは、日時の表
示、及び日付けの写し込み用であり、デートのない機種
では不用であるから、３２ＫＨｚの発振子３３は必要な
い。ＥＬ制御回路３０は、本発明の第１実施例として説
明したＥＬ駆動装置と同じものであり、オン、オフ用の
ＣＥＮ端子と、昇圧の正負の切り換え信号を出力するＣ
Ｋ１端子と、高速の昇圧用クロック信号を出力するＣＫ
２端子を有している。

【００５４】図１２、１３は、上記本発明を適用したカ
メラのメインの処理を示すフローチャートである。ま
ず、電池が装填されると、ステップＳ１では、デートあ
りの機種か否かが判断され、デートなしの機種の場合は
ステップＳ６へ移行し、デートありの機種の場合はステ
ップＳ２へ移行する。なお、デートありの機種か否かの
判断は、ポートの状態を調べるか、またはＣＰＵ２０内
にある不図示のＥＥＰＲＯＭにデートの有無を記憶する
ようにすれば良い。

【００５５】ステップＳ６では、時計タイマ割り込みを
禁止し、ステップＳ８へ移行する。一方、ステップＳ２
では、上記ＥＥＰＲＯＭから日付け用データＤＡＴＥ２
をリードする。

【００５６】ステップＳ３では、上記ＤＡＴＥ２とＣＰ
Ｕ２０内にある不図示のＲＡＭ上の日付けデータＤＡＴ
Ｅ１とを比較し、等しい場合はステップＳ７へ移行し、
等しくない場合はステップＳ４へ移行する。

【００５７】ここで、ＤＡＴＥ１とＤＡＴＥ２には、
年、月、週のデータが入っており、後述するが、週に１
回、ＤＡＴＥ１を上記ＥＥＰＲＯＭにＤＡＴＥ２として
記憶するものとする。

【００５８】また、ＤＡＴＥ１とＤＡＴＥ２が等しいと
きは、ＣＰＵ２０内のＲＡＭのデータが異常なわけでは
ない。すなわち、ＣＰＵ２０内のＲＡＭが異常にならな
いぐらいの短い時間だけ電池が抜かれただけであり、そ
のときはＤＡＴＥ１をそのまま使う。

【００５９】ステップＳ４では、年、月、週のデータで
ある所定値をＤＡＴＥ１に記憶し、さらに、そのＤＡＴ
Ｅ１をＤＡＴＥ２に記憶する。つづいてステップＳ５で
は、上記ＥＥＰＲＯＭにＤＡＴＥ２を記憶し、ステップ
Ｓ７へ移行する。

【００６０】ステップＳ７では、時計タイマ割り込みを
許可し、ステップＳ８へ移行する。ステップＳ８では、
サブルーチン“ＳＮＫ”を実行する。ここで、サブルー
チン“ＳＮＫ”はレンズが沈胴していなければ沈胴させ
る処理を行うものである。

【００６１】この後は、バリア変化による処理と同じに
なる。まず、ステップＳ９では、上記ＥＥＰＲＯＭから
ＥＬ素子の劣化量Ｔ_ELを読み出し、ステップＳ１０で
は、温度を測定する。

【００６２】ステップＳ１１では、バリアが開いている
か否かを判断し、バリアが開いているときは、ステップ
Ｓ１２へ移行し、閉じているときは、ステップＳ１３に
移行する。

【００６３】ステップＳ１２では、サブルーチン“ＷＩ
Ｄ”でレンズを初期位置にし、ステップＳ１４へ移行す
る。また、ステップ１３では、サブルーチン“ＳＮＫ”
でレンズを沈胴する。

【００６４】ここで、上記初期位置とは、レンズが繰り
出された位置であり、すでに初期位置にあるときにはサ
ブルーチン“ＷＩＤ”では何もしない。ステップＳ１４
では、ＬＣＤ２９の表示時間４分とＥＬ素子の点灯時間
３０秒用のタイマをスタートし、ステップＳ１５へ移行
する。

【００６５】ステップＳ１５では、バリアが開いている
か否かを判断し、開いていればステップＳ１６へ移行
し、閉じていればステップＳ１７へ移行する。ステップ
Ｓ１６では、ＬＣＤ２９の表示時間である４分が経過し
たか否かを判断し、経過したときはステップＳ１７へ移
行し、経過していないときはステップＳ２２へ移行す
る。

【００６６】すなわち、バリアが開いており、かつ４分
経過していないときであるステップＳ２２では、ＬＣＤ
２９の表示をオンし、次のステップＳ２３で、タイマス
タート後３０秒経過していなければステップＳ２４へ移
行し、３０秒経過していればステップＳ２５へ移行す
る。

【００６７】ステップＳ２４では、ＥＬ制御回路３０を
オンし（すなわち、ＣＥＮ端子信号を“Ｌ”にし、ＣＫ
１端子信号、ＣＫ２端子信号の発振を開始する）、ステ
ップＳ２６へ移行する。

【００６８】ステップＳ２５は、ＥＬ制御回路３０を
オフし（すなわち、ＣＥＮ端子信号を“Ｈ”にし、ＣＫ
１端子信号、ＣＫ２端子信号の発振を止める）、ステッ
プＳ２６へ移行する。

【００６９】またここで、ＥＬ素子の点灯時間を４分に
して、ＬＣＤ２９の表示中は常にＥＬ素子が点灯するよ
うにしても良いし、また、特定のスイッチで点灯を開始
しても良い。

【００７０】ステップＳ２６では、充電を行う。すで
に、充電されていれば何もしない。ステップＳ２７で
は、後蓋が開いている状態から閉じられたか否かを判断
し、閉じられたときはステップＳ３１へ移行し、閉じら
れてないときはステップＳ２８へ移行する。

【００７１】ステップＳ３１では、レンズを沈胴し、ス
テップＳ３２では、空送りをし、その後ステップＳ１４
へ戻る。ステップＳ２８では、後蓋が閉じている状態か
ら開かれたか否かを判断し、開かれたときはステップＳ
２９へ移行し、開かれていないときはステップＳ３３へ
移行する。

【００７２】ステップＳ２９では、レンズを沈胴し、ス
テップＳ３１では、ＲＷＥＤＦを“０”にし、ステップ
Ｓ１４へ戻る。ここで、ＲＷＥＤＦはリワインド終了時
に“１”になるフラグである。

【００７３】ステップＳ３３では、ＲＷＥＤＦが“１”
か否かを判断し、“１”のときはステップＳ４６へ移行
し、“０”のときはステップＳ３４へ移行する。すなわ
ち、ＲＷＥＤＦが“１”のときは、Ｒ１ＳＷ３５、リワ
インドＳＷ、モードＳＷ３７の判断を行わず、ステップ
Ｓ４６へ飛ぶ。

【００７４】ステップＳ３４では、Ｒ１ＳＷ３５がオン
かオフかを判断し、オンのときはステップＳ３５へ移行
し、オフのときはステップＳ３７へ移行する。ステップ
Ｓ３５では、サブルーチン“ＷＩＤ”をコールし、ステ
ップＳ３６では、半押し中の処理であるサブルーチン
“Ｒ１”をコールし、ステップＳ３８へ移行する。この
サブルーチン“Ｒ１”の中でレリーズ処理が行われる。

【００７５】ステップＳ３８では、フィルム・エンドか
否かを判断し、フィルムが終了のときはステップＳ３９
へ移行し、フィルムが終了でないときはステップＳ１４
へ戻る。

【００７６】ステップＳ３７では、リワインドＳＷがオ
フかオンかを判断し、オンのときはステップＳ３９へ移
行し、オフのときはステップＳ４２へ移行する。ステッ
プＳ３９では、レンズを沈胴し、ステップＳ４０ではリ
ワインドを行い、ステップＳ４１ではＲＷＥＤＦを
“１”にし、その後ステップＳ１４へ戻る。

【００７７】ステップＳ４２では、モードＳＷ３７がオ
フかオンかを判断し、オンのときはステップＳ４３へ移
行し、オフのときはステップＳ４５へ移行する。ステッ
プＳ４３では、モードを変更し、ステップＳ４４ではサ
ブルーチン“ＷＩＤ”をコールし、その後ステップＳ１
４へ戻る。

【００７８】ステップＳ４５では、時計ＳＷ３８が操作
されたか否かを判断し、操作されたときはステップＳ４
６へ移行し、操作されなかったときはステップＳ４９へ
移行する。

【００７９】ステップＳ４６では、年、月、週、日、
時、分などの時刻を変更する。ステップＳ４７では、
年、月、週のデータＤＡＴＥ１をＤＡＴＥ２として記憶
し、ステップＳ４８では、それを上記ＥＥＰＲＯＭに記
憶し、ステップＳ４９へ移行する。

【００８０】ここで、年、月、週が変更されなかったと
きは、上記ＥＥＰＲＯＭに書き込まなくても良い。ステ
ップＳ４９では、１秒経過したか否かを判断し、１秒経
過したときは次のステップＳ５０へ移行し、１秒経過し
ていないときはステップＳ１５へ戻る。

【００８１】ステップＳ５０では、ＥＬ制御回路３０が
オンしているか否か判断し、オンしていたときはステッ
プＳ５１へ移行し、オンしていないときはステップＳ１
５へ戻る。

【００８２】ステップＳ５１では、１秒間の点灯による
ＥＬ素子の劣化量をΔＴ_ELにセットする。ステップＳ５
２では、総劣化量Ｔ_ELにΔＴ_ELを加えた新たな総劣化量
Ｔ_ELを求める。その後、ステップＳ１５へ戻る。

【００８３】また、ステップＳ１５でバリアが閉じてい
たか、またはステップＳ１６で４分経過したと判断され
たときは、ステップＳ１７へ移行する。このステップＳ
１７ではレンズを沈胴し、ステップＳ１８ではＬＣＤ２
９の表示をオフする。

【００８４】ステップＳ１９では、ＣＰＵ２０とＥＬ制
御回路３０から成るＥＬ用発振回路をオフし、ステップ
Ｓ２０では総劣化量Ｔ_ELをＥＥＰＲＯＭに記憶し、ステ
ップＳ２１ではＨＡＬＴ状態となる。

【００８５】その後、バリアの開閉、電池の装填、各種
ＳＷの操作などでＨＡＬＴが解除されると、ステップＳ
１４へ戻る。ここで、ＨＡＬＴとは、２ＭＨｚのクロッ
クを止め、ＣＰＵの命令実行を止めた状態であるが、３
２ＫＨｚのクロックは動作する状態である。

【００８６】もし、デートがなく、３２ＫＨｚのクロッ
クのない機種の場合は、完全に止まった状態になる。図
１４（ａ）は、レリーズ処理Ｒ１の処理を示すフローチ
ャートである。

【００８７】まず、ステップＳ５４では、上記ＥＬ用発
振回路をオフし、次のステップＳ５５では、測距、測光
を行う。ステップＳ５６では、上記ＥＬ発振回路を再び
オンする。これは、上記ＥＬ発振回路の発振によるノイ
ズで測距や測光の精度が落ちるのを防ぐためである。

【００８８】ステップＳ５７では、繰り出し量を計算
し、次のステップＳ５８では、露出計算を行う。ステッ
プＳ５９、Ｓ６４では、Ｒ２ＳＷ３６がオンになるのを
待つ。

【００８９】その間にＲ１ＳＷ３５がオフすると、リタ
ーンする。Ｒ２ＳＷ３６がオンすると、ステップＳ６０
ではレンズ繰り出しを行いピントをあわせ、次のステッ
プＳ６１ではシャッタ制御を行い、続いてステップＳ６
２で日付け写し込みを行う。

【００９０】次のステップＳ６３では１駒巻き上げを行
い、次のステップＳ６４ではレンズ繰り込みを行う。以
上でレリーズシーケンスを終了する。図１４（ｂ）は、
日付け写し込みの処理を示すフローチャートである。

【００９１】まず、ステップＳ７０では、デートありの
機種か否かを判断し、デートありの場合はステップＳ７
１へ移行し、デートなしの場合はリターンする。ステッ
プＳ７１では、日付け用ＬＣＤ３１をオンし、続いてス
テップＳ７２で日付け用ＥＬ制御回路３２をオンする。

【００９２】次に、ステップＳ７３では、フィルム感度
に応じた時間待ち、続いてステップＳ７４で日付け用Ｅ
Ｌ制御回路３２をオフし、ステップＳ７５で日付け用Ｌ
ＣＤ３１をオフする。その後、リターンする。

【００９３】なお、フィルム感度において、低ＩＳＯで
は長い時間、日付け用ＬＣＤ３１及び日付け用ＥＬ制御
回路３２をオンし、高ＩＳＯでは短い時間、日付け用Ｌ
ＣＤ３１及び日付け用ＥＬ制御回路３２をオンすること
で適正な写し込みにする。

【００９４】図１５（ａ）、（ｂ）は、日付け写し込み
を行う写し込み部の構成を示す外観図である。図１５
（ａ）に示すように、フィルム４０はフィルム押さえ４
１によって押さえることにより、平面性を保つ。フィル
ム押さえ４１の一部に孔が形成されており、これによっ
てフィルム４０に日付けを写し込む。具体的にはフィル
ム押さえへの固定部材４２により、写し込み用のＬＣＤ
４３と写し込み用のＥＬ素子４４とフレキシブルプリン
ト配線板４５が固定される。

【００９５】例えば、図１５（ｂ）に示すような日付け
が写し込まれるが、ＬＣＤ４３はオフ時に全面非透過と
なり、オン時に文字や数字が透過になるＬＣＤである。
ＬＣＤ４３は導電ゴム４６によりフレキシブルプリント
配線板４５に接続され、ＥＬ素子４４はハンダ付け部４
７によりフレキシブルプリント配線板４５に接続され
る。

【００９６】図１６は、１秒ごとの時計割り込み処理を
示すフローチャートである。まず、ステップＳ８０で
は、年、月、週、日、時、分、秒などの時刻の更新を行
う。ここで、年、月、週のデータＤＡＴＥ１が更新され
る。

【００９７】ステップＳ８１では、曜日が火曜から水曜
になったか判断し、水曜になったときはステップＳ８２
へ移行し、水曜になっていないときはリターンする。ス
テップＳ８２では、温度を測定し、次のステップＳ８３
では１週間の放置のΔＰを求める。

【００９８】ここでは、温度に応じてＥＬ素子の劣化量
を求める。なお、劣化量は、温度と湿度で決まるが、本
例では温度のみで求める。ステップＳ８４では、ＥＥＰ
ＲＯＭから放置による劣化の総量Ｐを読み出す。

【００９９】次のステップＳ８５では、この劣化の総量
Ｐに今週の分である劣化量ΔＰを加え、ステップＳ８６
でＥＥＰＲＯＭに記憶する。その後、リターンする。ま
た、火曜から水曜になるときに１週間分の劣化量を求め
たのは、通常、カメラは同じ場所に保管されるので、１
週間ごとに劣化を求めれば良いという判断からである。

【０１００】ただし、デートのついていない機種におい
ては、時計の割り込みが発生しないので、放置による劣
化量Ｐは求められない。図１７は、温度に対するＥＬ素
子の１週間の放置による劣化量ΔＰ、及び１秒間の点灯
による劣化量ΔＴ_ELとの関係を示す図である。

【０１０１】各温度における平均的な湿度による劣化量
である。図１８は、ＥＬ素子の総劣化量Ｔ_EL＋ＰからＥ
Ｌ素子の周波数を求めたものである。

【０１０２】ＥＬ素子や回路のばらつきにより、初期状
態での輝度もばらつき、また電池電圧によってもばらつ
くので、４つのタイプに分類し、それぞれの周波数のテ
ーブルを持つ。

【０１０３】また、カメラの製造時に所定の周波数で駆
動し、輝度を測定することでＥＬ回路が高輝度タイプ
か、低輝度タイプか判断し、それをＥＥＰＲＯＭに記憶
する。さらに、図１９は、ＥＬ素子のタイプと電池電圧
とで４つのタイプに分類したものである。ここで、電池
電圧は、図１１に示したバッテリ・チェック回路２５で
検出する。

【０１０４】図２０は、本発明の第４実施例に使用し
た、ＥＬ制御回路とＣＰＵとから成るＥＬ用発振回路の
構成を示す図である。ＣＰＵ５０の内部では、５００Ｋ
Ｈｚのクロック５１とＣＫ２用ラッチ５２がＡＮＤ回路
５３に接続され、その出力がＥＬ制御回路５４のＣＫ２
端子に入力される。

【０１０５】ＣＫ１用周波数に対応する比較データ５５
とカウンタ５６が一致するごとに、フリップフロップ５
７により反転する信号とＣＫ１用ラッチ５８がＡＮＤ回
路５９に接続され、その出力がＥＬ制御回路５４のＣＫ
１端子に入力される。

【０１０６】ＥＬ制御回路５４は、図３と同様でありＣ
ＰＵからのＣＥＮ端子信号により、全体のオン・オフを
制御する。図２１は、上記ＥＬ用発振回路をオンにする
ときの処理を示すフローチャートである。

【０１０７】まず、ステップＳ９０では、５００ＫＨｚ
のクロックをオンし、次のステップＳ９１では、ＣＫ２
用ラッチ信号を“Ｈ”にして、ＣＫ２端子からクロック
を出力する。

【０１０８】ステップＳ９２では、カウンタ３６をスタ
ートし、次のステップＳ９３では、ＣＰＵ５０内の不図
示のＥＥＰＲＯＭからＥＬ回路の輝度タイプを読み出
す。ステップＳ９４では、電池電圧を測定し、次のステ
ップＳ９５では、図１５に応じてＥＬ素子の４つのタイ
プのどれかを判断する。

【０１０９】ステップＳ９６では、図１４に応じてＣＫ
１用の周波数を選択してそれに応じた比較データをセッ
トし、次のステップＳ９７では、ＣＫ１用ラッチ信号を
“Ｈ”にしてＣＫ１端子からパルスを出力する。

【０１１０】ステップＳ９８で、ＣＥＮ端子信号を
“Ｌ”にして、ＥＬの点灯が開始する。図２２は、上記
ＥＬ用発振回路をオフにするときの処理を示すフローチ
ャートである。

【０１１１】まず、ステップＳ１００は、ＣＥＮ端子信
号を“Ｈ”にして、次のステップＳ１０１で、５００Ｋ
Ｈｚクロックをオフする。ステップＳ１０２では、ＣＫ
２用ラッチ信号を“Ｌ”にして、次のステップＳ１０３
で、カウンタを停止する。

【０１１２】ステップＳ１０４では、ＣＫ１用ラッチ信
号を“Ｌ”にして、ＥＬ制御回路５４をオフする。以上
により、ＥＬ素子が劣化しても初期とほぼ同輝度でＥＬ
を点灯することができ、暗い時でも操作性の良いカメラ
を実現できる。

【０１１３】図２３（ａ）〜（ｃ）は、ＥＬ素子の実装
状態を示す図であり、図２３（ａ）はその全体の構成
図、図２３（ｂ）は全体の構成図中の破線部の斜視図、
図２３（ｃ）は全体の構成図中の破線部の拡大図であ
る。

【０１１４】図２３（ａ）に示すように、カメラの外装
６０の一部に透明な透過部６１があり、その下に半透過
形のＬＣＤ６２、さらに、その下にＥＬ素子６３、フレ
キシブルプリント配線板６４、固定用枠６５の順に構成
される。

【０１１５】ＬＣＤ６２は、導電ゴム６６によりフレキ
シブルプリント配線板６４のパターンに接続される。Ｅ
Ｌ素子６３は、ナイロンフィルム７０、導電層６７、発
光層（誘電体＋蛍光体）６８、アルミ箔６９により構成
される。ナイロンフィルム７０及び導電層６７は、図２
０（ｂ）、（ｃ）に示すように発光層６８及びアルミ箔
６９より長くし、固定用枠６５によってフレキシブルプ
リント配線板６４に圧着される。

【０１１６】フレキシブルプリント配線板６４の固定用
枠６５でアルミ箔６９と圧着される部分には、図３に示
した電池のマイナス側のランドをつくり、圧着すること
で導通させる。

【０１１７】同様に、フレキシブルプリント配線板６４
の固定用枠６５により導電層６７と圧着される部分に
は、図３に示した点Ａのランドをつくり、圧着すること
で導通させる。

【０１１８】本発明では、ＥＬ素子６３の片側は常に電
池のマイナス側と同電位であり（この場合アルミ箔）、
固定用枠６５の下に電気回路があってもシールドの必要
がない。また、ＥＬ素子６３は、全体を防湿用フィルム
で囲い、アルミ箔６９の一部、及び導電層６７の一部の
みを露出させる構成にしても良い。

【０１１９】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、大型
のトランスを使用することなく、小さなインダクタを用
いた効率の良いエレクトロルミネッセンス駆動装置が実
現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のエレクトロルミネッセンス駆動装置の
第１実施例を示す図である。

【図２】第１実施例でのエレクトロルミネッセンス素子
への充電の様子を示すタイムチャートである。

【図３】本発明のエレクトロルミネッセンス駆動装置の
第２実施例を示す図である。

【図４】第２実施例でのエレクトロルミネッセンス素子
への充電の様子を示すタイムチャートである。

【図５】エレクトロルミネッセンス素子の電圧、輝度特
性を示すグラフである。

【図６】エレクトロルミネッセンス素子の輝度特性の劣
化する性質を示すグラフである。

【図７】エレクトロルミネッセンス素子の輝度の劣化へ
の対策方法を示す図である。

【図８】エレクトロルミネッセンス素子の輝度の劣化へ
の対策方法において、必要なエネルギーを減らす手段を
示す図である。

【図９】本発明の第３実施例であり、第２実施例におけ
るバイポーラトランジスタのかわりに電界効果トランジ
スタＦＥＴを用いたエレクトロルミネッセンス駆動装置
を示す図である。

【図１０】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第４実施例とし
て、エレクトロルミネッセンス駆動装置を適用したカメ
ラの一例を示す外観図であり、（ａ）は、上記カメラを
上から見た図であり、（ｂ）は、上記カメラの正面図で
ある。

【図１１】本発明の第４実施例としてのカメラのブロッ
ク構成図である。

【図１２】本発明の第４実施例としてのカメラのメイン
の処理を示すフローチャートである。

【図１３】本発明の第４実施例としてのカメラのメイン
の処理を示すフローチャートである。

【図１４】（ａ）は、本発明の第４実施例としてのカメ
ラのメインの処理を示すフローチャート中、レリーズ処
理Ｒ１の処理を示すフローチャートである。（ｂ）は、
日付け写し込みの処理を示すフローチャートである。

【図１５】本発明の第４実施例としてのカメラの日付け
写し込みを行う写し込み部の構成を示す外観図である。

【図１６】本発明の第４実施例としてのカメラのメイン
の処理を示すフローチャート中、１秒ごとの時計割り込
み処理を示すフローチャートである。

【図１７】温度に対するエレクトロルミネッセンス素子
の１週間の放置による劣化量ΔＰ、及び１秒間の点灯に
よる劣化量ΔＴ_ELとの関係を示す図である。

【図１８】エレクトロルミネッセンス素子の総劣化量Ｔ
_EL＋Ｐからエレクトロルミネッセンス素子の周波数を求
めた図である。

【図１９】エレクトロルミネッセンス素子をエレクトロ
ルミネッセンス素子のタイプと電池電圧とで４つのタイ
プに分類した図である。

【図２０】本発明の第４実施例に使用しているエレクト
ロルミネッセンス用発振回路の構成を示す図である。

【図２１】図２０のエレクトロルミネッセンス用発振回
路をオンにするときの処理を示すフローチャートであ
る。

【図２２】図２０のエレクトロルミネッセンス用発振回
路をオフにするときの処理を示すフローチャートであ
る。

【図２３】（ａ）〜（ｃ）は、エレクトロルミネッセン
ス素子の実装状態を示す図であり、（ａ）はその全体の
構成図、図２３（ｂ）は全体の構成図中の破線部の斜視
図、図２３（ｃ）は全体の構成図中の破線部の拡大図で
ある。

【図２４】従来の技術としてのエレクトロルミネッセン
ス駆動装置の概略構成図である。

【符号の説明】

２０…ＣＰＵ、２１…給送モータ駆動回路、２２…測光
部、２３…レンズ・モータ駆動回路、２４…シャッタ制
御回路、２５…バッテリ・チェック回路、２６…充電回
路、２７…ストロボ発光制御回路、２８…測距部、２９
…液晶表示装置（ＬＣＤ）、３０…エレクトロルミネッ
センス（ＥＬ）制御回路、３１…日付け用液晶表示装置
（ＬＣＤ）、３２…日付け用エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）制御回路。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１のコイルを含み、この第１のコイル
への通電を断続することにより正の昇圧電圧を出力する
第１の昇圧回路と、第２のコイルを含み、この第２のコイルへの通電を断続
することにより負の昇圧電圧を出力する第２の昇圧回路
と、上記第１および第２の昇圧回路の出力点に接続されたエ
レクトロルミネッセンス素子と、第１の所定時間の間、上記第１の昇圧回路を作動させ、
上記第１の所定時間に続く第２の所定時間の間、上記第
２の昇圧回路を作動させるためのタイミング信号を出力
するタイミング信号生成手段とを具備し、上記第１の昇圧回路から出力される上記正の昇圧電圧
と、上記第２の昇圧回路から出力される上記負の昇圧電
圧を上記エレクトロルミネッセンス素子に交互に印加す
るようにしたことを特徴とするエレクトロルミネッセン
ス駆動装置。