JPH0715867B2

JPH0715867B2 - 熱圧着ウエーハ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0715867B2
Application number: JP22995190A
Authority: JP
Inventors: 光弘丸山
Original assignee: 九州電子金属株式会社; 大阪チタニウム製造株式会社
Priority date: 1990-08-30
Filing date: 1990-08-30
Publication date: 1995-02-22
Anticipated expiration: 2010-02-22
Also published as: JPH04111307A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、熱圧着された２枚の基板から成り且つ一方
の基板の表面であって合せ面となる部分に埋込み層を有
する熱圧着ウエーハに関する。

（従来の技術）近年、半導体ウエーハとして、高密度（高集積）化、高
速度（高応答性）化、高出力化に対応したものが求めら
れており、そのために種々のエピタキシャル法、イオン
注入法、熱圧着法、部分溶融再結晶法（Zone Melting o
n Insulation）等の技術が開発されている。

第７図は、先に本発明者が想定した熱圧着ウエーハの製
造方法を示す製造工程図であって、具体的には、使用す
る一対の基板のうち、ウエーハたる一方の基板１の表面
に酸化膜３を形成しておき、該酸化膜３の表面に今一つ
の基板２（ウエーハであってもセラミックであってもよ
い。）を熱圧着し、基板１の裏面を研磨して、ICとして
の働きをなすいわゆる活性領域層1aを有する熱圧着ウエ
ーハＡを得るものである。

この場合に熱圧着ウエーハＡが備えるべき直列抵抗体又
は分離体等の埋込み層４は、予め一方の基板１の表面で
且つ合せ面となる部分に形成させるものであった。

（発明が解決しようとする課題）したがって、得られる熱圧着ウエーハＡは、その埋込み
層４は当該熱圧着ウエーハＡ内に文字通り埋込まれてお
り、この埋込み層４が何処に位置するかを正確に把握で
きない。

そこで本発明は、上記埋込み層を外部より確認すること
の可能な熱圧着ウエーハ及びその製造方法を提供するこ
とを課題としてなされた。

（課題を解決するための手段）すなわち、本発明を実施例で用いた符号を付して記す
と、第１の発明は、 a:少なくとも１枚がウエーハである２枚の基板11,12を
熱圧着するに当り、ウエーハである一方の基板11の合せ
面となる表面部分であって、当該一方の基板11のスクラ
イブ線14上又はスクライブ線14に沿った位置に、凹部15
を一又は複数箇所形成すること。

b:前記凹部15に、又は前記凹部15を含むウエーハ表面全
域に、酸化膜13を形成すること。

c:前記凹部15を固体16で埋めること。

d:前記一方の基板11の合せ面となる表面部分に、前記凹
部15と所定の位置関係を有する埋込み層18を形成するも
のであって、この埋込み層18の形成は、前記ａにおける
スクライブ線14の形成前の段階から、前記ｃにおける固
体16の埋込みの段階の間のいずれかの段階で行うこと。

e:前記ウエーハ表面を平坦化し、該平坦化されたウエー
ハ表面に他方の基板12を熱圧着すること。

f:前記一方の基板11を裏面側から前記凹部15の底に存す
る酸化膜13に到るまで研磨除去すること。

の上記ａないしｆから構成される熱圧着ウエーハの製造
方法。

第２の発明は、 a:少なくとも１枚がウエーハである２枚の基板11,12を
熱圧着するに当り、ウエーハである一方の基板11の合せ
面となる表面部分であって、当該一方の基板11のスクラ
イブ線14上又はスクライブ線14に沿った位置に、凹部15
を一又は複数箇所形成すること。

c:前記凹部15を固体16で埋めること。

d:前記酸化膜13の一部を除去して、この部位に前記凹部
15に対し所定の位置関係を持たせた埋込み層18′を形成
するものであって、この埋込み層18′の形成は、前記ｂ
における酸化膜13の形成後、前記ｃにおける固体16の埋
込み前、又は固体16の埋込みと同時に行うこと。

第３の発明は、 a:少なくとも１枚がウエーハである２枚の基板11,12を
熱圧着するに当り、ウエーハである一方の基板11の合せ
面となる表面部分に酸化膜19を形成した後、スクライブ
線14上又はスクライブ線14に沿った位置において、該ス
クライブ線14に対し所定の位置関係を持たせた一又は複
数箇所で酸化膜19を除去すること。

b:前記酸化膜19の除去部17に選択的酸化膜13押込み処理
を施すこと。

c:前記除去部17に固体16を埋めること。

d:前記一方の基板11の合せ面となる表面部分、前記酸化
膜19、前記酸化膜13のいずれかに、前記スクライブ線14
又は前記除去部17に対し所定の位置関係を持たせた埋込
み層18を形成するものであって、この埋込み層18の形成
は、前記ａにおけるスクライブ線14の形成前の段階か
ら、前記ｃにおける固体16の埋込みの段階の間のいずれ
かの段階で行うこと。

f:前記一方の基板11を裏面側から前記酸化膜13に到るま
で研磨除去すること。

第４の発明は、 a:少なくとも１枚がウエーハである２枚の基板11,12を
熱圧着するに当り、ウエーハである一方の基板11の合せ
面となる表面部分であって、当該一方の基板11のスクラ
イブ線14上又はスクライブ線14に沿った位置に、このス
クライブ線14の特定箇所に対し所定の位置関係を持たせ
た凹部15を一又は複数箇所形成すること。

c:前記酸化膜13の一部に穴をあけて、或いは穴をあけな
いまま、該酸化膜13の上に、前記凹部15から所定の位置
関係を持たせて、伝導体域21を形成すること。

d:前記伝導体域21を成形した後、該伝導体域21の表層を
絶縁層22で被覆すること。

e:前記絶縁層22で被覆した伝導体域21の上に固体23を被
せた後、当該ウエーハ表面を平坦化し、該平坦化された
ウエーハ表面に他方の基板12を熱圧着すること。

第５の発明は、熱圧着された２枚の基板11,12から成り且つ一方の基板1
1の合せ面となる表面部分に埋込み層18を形成する熱圧
着ウエーハであって、前記熱圧着ウエーハのスクライブ線14上又はスクライブ
線14に沿った所定位置に、埋込み層18或いは伝導体域の
存在位置確認用の目安として、露出した酸化膜13を有す
る熱圧着ウエーハである。

ここで、「少なくとも１枚がウエーハである」とは、他の基板
がウエーハであることはもちろん、セラミックスや、素
子を含むウエーハ又はセラミックスであってもよいこと
を意味する。

「埋込み層」とは、（イ）活性領域内に連結状或いは
部分的に作られた同種又は異種の伝導体域を作る不純物
による低抵抗体層或いは分離体層、（ロ）酸化膜の凹凸
によるもの、（ハ）酸化膜の一部に孔をあけ、これに、
例えばAs,P,B,Sb等をドープしたポリシリコン（doped P
oly−Silicon）を充填した領域、（ニ）その他、デバイ
ス製造上の任意の物質をいう。

「スクライブ線上又はスクライブ線に沿った位置」と
は、スクライブ線を基準として、これから把握可能な位
置、並びに、ボンディングパッドや、スクライブ線近傍
のスクライブ線以外の溝、突起、パターン、その他任意
の目印となるものを意味する。

「所定の位置関係」とは、埋込み層や、表層酸化膜の
埋込みポリシリコンの位置が、この凹部の存在によって
確認できる位置関係を意味する。

「凹部15」の深さは活性領域層の厚さを決定するファ
クターであり、この凹部の深さを制御することによって
活性領域層の厚さが制御される。

「凹部15」の形状は、後記酸化膜部とも関連するが、
線状であると点状であるとを問わず、また、その個数
は、埋込み層の形状や状況によって決定する。

凹部、若しくは除去部に埋められる「固体16」として
は、ポリシリコン、金属、ガラス、Sio₂−Si₃N₄やSiO₂
−Si₃N₄−SiO₂等が使用され、該固体は補強材としての
働きをなす。

「伝導体域21」は、爾後のデバイス製造において必要
とされる領域、例えばメモリ用のキャパシティとなるよ
うなもの、或いは結線用の伝導体となるようなもので、
これにはポリシリコンや適宜の金属が用いられる。

ウエーハである一方の基板を「研磨除去」する手段と
しては、サーフェィスグラインダ（SG）、ラッピング、
メカニカル・ケミカル（MC）等の手法が用いられる。

なお、酸化膜部の露出形状は、線状であると点状である
とを問わず、また、その個数は埋込み層の位置把握に必
要な数であれば事足りる。

（作用）本発明では、研磨限界面に、Siに比較して著しく研磨速
度（エッチングレート）の異なる酸化膜をストッパとし
て配在させている（例えば、50℃の6mol KOHによるSiO₂
のエッチングレートは0.5［オングストローム/min］で
あり、同条件におけるSiのエッチングレートは、170
［オングストローム/min］である）。

この結果、研磨面が一方に傾いて行われたとしても、酸
化膜の露出した部分においてはエッチングレートが鈍化
し、他の部分とのエッチング量が均衡化される。したが
って、酸化膜の存在深さを0.1μとか0.5μに設定してお
くことにより、それぞれの厚さの活性領域層を有する熱
圧着ウエーハが得られる。

とりわけ、選択的酸化膜押込み処理によれば、酸化膜は
その深さを任意に設定できるので、活性領域層を極めて
薄く且つ均一に形成することが可能となる。

そして、上記のようにして得られた熱圧着ウエーハは、
凹部がスクライブ線又はスクライブ線に沿った位置に存
しているため、半導体チップ製造における歩留りを低減
させることがなく、また設計の標準化を容易にすること
が可能となる。

更に、本発明に係る熱圧着ウエーハは、表面に酸化膜部
が露出している。この酸化膜部の端縁を基準として、デ
バイス製造過程において埋込み層位置を正確に把握でき
る。その結果、正確に把握された前記埋込み層に基づい
て、コンデンサ、抵抗、トランジスタ等を活性領域上に
形成することが可能となる。

（実施例）以下、本発明を添付図面に基づいて説明する。

第１図及び第２図は本願第１発明の実施例を示す製造工
程図で、第１図はSOS（Silicon on Silicon）熱圧着ウ
エーハの製造に係るもの、第２図はSOI（Silicon on In
sulator）熱圧着ウエーハに係るものを示し、第３図は
本願の他の発明の実施例を示す製造工程図であり、第４
図（イ）〜（ニ）は、凹部若しくは除去部の配置例を示
す平面図である。なお、例示図面では、一対の両基板を
共にウエーハとしたものを示している。

図示するように、本発明の熱圧着ウエーハは、二枚の基
板11,12を熱圧着してなるものであり、該熱圧着ウエー
ハのスクライブ線14に対応した所定位置に、露出した酸
化膜13を有する。この酸化膜13は予め形成されている埋
込み層18の存在位置確認の目安として用いられるもので
ある。次に製造工程にしたがって本発明の熱圧着ウエー
ハを詳述する。

先ず、第１図の製造工程例では、予め埋込み層18を有す
る一方の基板11の表面（圧着面とされる側の面）のスク
ライブ線14に凹部15を形成する。この凹部15の個数は、
後述する研磨の際に、この研磨により一平面を決定し得
る個数であれば事足り、多い場合にも全く支障はない。
そして、この凹部15の形状は、第４図（イ）に示すよう
に、直線状であっても、あるいは同図（ロ）〜（ニ）に
示すように点状であってもよい。点状である場合は、そ
の形状は任意のものでよい。そして、上記凹部15は、フ
ォトレジスト技術を用いた液相又は気相（イオン或いは
プラズマを用いたエッチングを含む）法による選択エッ
チング等により一定の深さ（所望とする活性層厚さにみ
あった深さ）に形成される。

続いて熱酸化、CVD法、スパッタ蒸着法等によって上記
凹部15内に酸化膜13を形成する。このとき、酸化膜13を
凹部15のみに形成すれば、第１図に示すようにSOS熱圧
着ウエーハが得られ、また、凹部15のみならず基板11の
全面にも酸化膜13を形成すれば、第２図に示すようなSO
I熱圧着ウエーハが得られる。かくして、形成された酸
化膜13を有する凹部15内に、後述する研磨に備えて補強
の意味で固体16を埋める。この固体16としては、ポリシ
リコン、金属、ガラス、SiO₂−Si₃N₄や、SiO₂−Si₃N₄−
SiO₂等が選択される。また、第２図に示すように、基板
11の全面酸化膜の一部を除去し、例えば低抵抗ポリシリ
コンを充填し平坦化して埋込み層18′を形成することに
より、爾後、他方の基板12を熱圧着し、更に熱処理すれ
ば、SOIの一部を両ウエーハにまたがる良伝導領域18″
を作ることもできる。

次に、基板11の表面又は第２図における酸化膜13の表面
を研磨して表面の凹凸を無くし、該研磨面に今一つの基
板12を熱圧着する。具体的には約1100℃の温度下におい
て、２時間位接合状態を保たせれば自重により、又は少
しの加重により、上記両基板11,12が熱圧着される。

上記のようにして基板12に対して基板11が圧着されたな
らば、該基板11の裏面を研磨する。この研磨では、研磨
効率を考慮してメカニカルな手法及びケミカルな手法が
併用される。そして研磨は、基板11内に形成せしめられ
ている酸化膜13の下端面部分が全て現われるまで継続さ
れる。

すなわち、研磨終了間際においてはKOH等によるケミカ
ル手法ないし有機溶剤（organic amine等）とSiO₂粒子
塗液（colloidal silica）を使用したエッチング研磨が
採用されるが、エッチング研磨が進行してある一つの部
分で酸化膜13が露出したならば、それ以降は、SiO₂のエ
ッチングレートが極めて遅いため該部におけるエッチン
グが進まず、修正研磨を行いながら他部のエッチングが
継続され、やがては全ての部分において酸化膜13が現わ
れ、エッチングは実質的に停止した状態となる。このよ
うにして基板11内に形成された酸化膜13によって研磨限
度が決定され、上記酸化膜13の一定形成量（換言すれば
凹部15の深さ）に見合った活性領域層が得られることに
なる。そして、上記酸化膜13の端縁13aは、埋込み層18
の存在位置確認の目安とされる。すなわち、基板11を裏
面側から前記凹部の底に存する酸化膜13に到るまで研磨
除去し、この露出した酸化膜13を、前記埋込み層18の存
在位置確認の指標として用いるものである。なお、前記
埋込み層18は、スクライブ線14の形成前の段階から、前
記固体16の埋込みの段階の間のいずれか任意の段階で行
うこととなる。

上記酸化膜13の形成は、選択的酸化膜押込み法によって
も形成できる。この選択的酸化膜押込み法は、時間によ
って押込み深さが定まるものであり、しかも0.1μ単位
の制御が充分可能なものであって所望とする押込み深さ
が容易に得られる。

具体的には、第３図に示すように、基板11の表面に酸化
膜19を形成しておき、スクライブ線上又はスクライブ線
に沿った位置において酸化膜19を一部除去し、該除去部
17に熱酸化法、陽極酸化法やO₂イオンインプラ法と熱処
理を組み合わせることによって酸化膜13を押込み、続い
て除去部17に生じた段差部に固体16を埋める。あとは、
第１図及び第２図の場合と同様である。こうして得られ
た酸化膜13の端縁13aは、前述のように、埋込み層18の
存在位置確認の目安とされる。すなわち、基板11を裏面
側から前記凹部の底に存する酸化膜13に到るまで研磨除
去し、この露出した酸化膜13を、前例同様、前記埋込み
層18の存在位置確認の指標として用いる。なお、前記埋
込み層18は、基板11の表面に当初から形成しておいた
り、或いは酸化膜19を形成した後に、該酸化膜19に孔を
設け、ここに不純物を拡散、イオンインプラ法等で押込
んで形成する。

第５図は本願の更に他の発明の実施例を示す製造工程図
であり、この場合は、２枚の基板11,12を熱圧着するに
当り、ウエーハである一方の基板11の合せ面となる表面
部分であって、当該一方の基板11のスクライブ線14上又
はスクライブ線14に沿った位置に、このスクライブ線14
の特定箇所に対し所定の位置関係を持たせた凹部15形成
する。この凹部15は、一つでも、また複数箇所でもよ
い。

そして、前記凹部15に、又は前記凹部15を含むウエーハ
表面全域に、酸化膜13を形成する。

前記酸化膜13の上に、前記凹部15から所定の位置関係を
持たせて、伝導体域21を形成する。この伝導体域21は、
例えばポリシリコンや適宜の金属を用いてなす。この伝
導体域21は、目的に応じ一層或いは積層状に形成される
こととなる。

前記伝導体域21を成形した後、該伝導体域21の表層を絶
縁層22で被覆する。伝導体域21にポリシリコンを用いた
場合は、成形された必要領域を残し、その表層を酸化さ
せることにより酸化膜が形成されることとなり、この酸
化膜が絶縁層22となる。こうして絶縁層22で被覆された
伝導体域21は、爾後のデバイス製造において、例えばメ
モリ用のキャパシティ或いは結線用伝導体や抵抗体とな
る。

前記絶縁層22で被覆した伝導体域21の上に固体23を被せ
た後、当該ウエーハ表面を平坦化し、該平坦化されたウ
エーハ表面に他方の基板12を熱圧着する。

更に前記実施例と同様、前記一方の基板11を裏面側から
前記凹部15の底に存する酸化膜13に到るまで研磨除去す
る。この露出した酸化膜部は、熱圧着された２枚の基板
11,12において、前記伝導体域21の存在位置確認の指標
として用いることが可能となる。

このようにして、伝導体域21は熱圧着ウエーハの内部に
設けられることとなるが、かような構造の熱圧着ウエー
ハは、上述のように、内部に伝導体域21が存していて
も、この存在位置を、前記酸化膜部を指標として外部よ
り確認できるという画期的なものである。そこで、この
伝導体域21の形成工程を今少し詳細に説明しておく。

第６図において、基板11の合せ面となる表面部分に酸化
膜24（例えばSiO₂等）や窒化膜（例えばSi₃N₄等）等を
形成し（第６図（１））、この酸化膜24の所定箇所（こ
の箇所は後記凹部15又はスクライブ線14との間で所定の
位置関係を有する。）にフォトエッチング法により穴25
を形成し（第６図（２））、この上にポリシリコン26を
かぶせ（第６図（３））、前記穴25の上方にフォトレジ
スト27を形成し（第６図（４））、フォトエッチングで
ポリシリコン26を切り抜き（第６図（５））、前記フォ
トレジスト27を除去する（第６図（６））。

更に、再び表面にフォトレジスト28を形成し、フォトエ
ッチングにより前記スクライブ線14上の所定の箇所のフ
ォトレジスト28を除去する（第６図（７））。爾後、エ
ッチングを施すことにより前記フォトレジスト28の無い
箇所に酸化膜を貫通して凹部15が形成される（第６図
（８））。フォトレジスト28を除去し（第６図
（９））、表面を酸化することにより、前記凹部15と前
記ポリシリコン26の表層に酸化膜13と22が形成される
（第６図（10））。なお、前記酸化膜22,24で覆われた
ポリシリコン26が第５図における伝導体域21に対応する
ものである。

そして、酸化膜24の上に固体23を被せて、当該ウエーハ
表面を平坦化し（第６図（11））、該平坦化されたウエ
ーハ表面に他方の基板12を熱圧着し（第６図（12））、
前記実施例と同様、前記一方の基板11を裏面側から前記
凹部15の底に存する酸化膜13に到るまで研磨除去する
（第６図（13））。この露出した酸化膜部は、熱圧着さ
れた２枚の基板11,12において、前記ポリシリコン26
（伝導体域21）の存在位置確認の指標となる。

これら第５図及び第６図の実施例において、第５図の伝
導体域21は所謂フローティングアイランドとなり、ま
た、第６図のポリシリコン26（伝導体域21）にはコンタ
クト（活性領域との導通部）が設けられることとなる。
この点については、素子形成時に表面より拡散伝導領域
形成或いは電子ビーム、レーザ光等によりトレンチ（溝
掘り）を作り、酸化、ポリシリコン充填を行いコンタク
トを形成することもできる。このようにして、ポリシリ
コン26（伝導体域21）を、素子形成面の反対側底部に形
成することにより、キャパシティ等が作りやすくなり、
高密度化に容易に対応し得るものである。

そして、実施例では各々１つの領域のみ図示して説明し
たが、これらの個数は必要により適宜設け、また、前述
のように、目的に応じ一層或いは積層状に形成すること
は勿論である。なお、上述した実施例において用いた各
技術については、前例（第１図ないし第３図で述べた技
術）のものを適宜援用するものであることは言う迄もな
い。

かくして得られた熱圧着ウエーハは、表面に素子製造工
程を経た後、スクライブ線14上で切断され半導体素子と
して供される。

（発明の効果）以上説明したように、本発明によれば、加工（厚さ）精
度が向上することは勿論、埋込み層や伝導体域が外部か
ら見えなくとも、熱圧着ウエーハの裏面に酸化膜部が露
出しているので、これが埋込み層や伝導体域の位置確認
用の目安となり、後のデバイス工程での作業が容易且つ
合理的に行えることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本願第１発明の実施例を示す製造工
程図で、第１図はSOS（Silicon on Silicon）熱圧着ウ
エーハの製造に係るもの、第２図はSOI（Silicon on In
sulator）熱圧着ウエーハに係るものを示し、第３図は
本願の他の発明の実施例を示す製造工程図、第４図
（イ）〜（ニ）は凹部若しくは除去部の配置例を示す平
面図、第５図及び第６図は本願の更に他の発明の実施例
を示す製造工程図、第７図は従来の熱圧着ウエーハの製
造法を示す製造工程図である。 11,12……基板、13……酸化膜 14……スクライブ線、15……凹部 16,23……固体、18,18′……埋込み層 21……伝導体域、22……絶縁層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記a,b,c,d,e,及びｆを備えたことを特徴
とする熱圧着ウエーハの製造方法。 a:少なくとも１枚がウエーハである２枚の基板11,12を
熱圧着するに当り、ウエーハである一方の基板11の合せ
面となる表面部分であって、当該一方の基板11のスクラ
イブ線14上又はスクライブ線14に沿った位置に、凹部15
を一又は複数箇所形成すること。 b:前記凹部15に、又は前記凹部15を含むウエーハ表面全
域に、酸化膜13を形成すること。 c:前記凹部15を固体16で埋めること。 d:前記一方の基板11の合せ面となる表面部分に、前記凹
部15と所定の位置関係を有する埋込み層18を形成するも
のであって、この埋込み層18の形成は、前記ａにおける
スクライブ線14の形成前の段階から、前記ｃにおける固
体16の埋込みの段階の間のいずれかの段階で行うこと。 e:前記ウエーハ表面を平坦化し、該平坦化されたウエー
ハ表面に他方の基板12を熱圧着すること。 f:前記一方の基板11を裏面側から前記凹部15の底に存す
る酸化膜13に到るまで研磨除去すること。
【請求項２】下記a,b,c,d,e,及びｆを備えたことを特徴
とする熱圧着ウエーハの製造方法。 a:少なくとも１枚がウエーハである２枚の基板11,12を
熱圧着するに当り、ウエーハである一方の基板11の合せ
面となる表面部分であって、当該一方の基板11のスクラ
イブ線14上又はスクライブ線14に沿った位置に、凹部15
を一又は複数箇所形成すること。 b:前記凹部15に、又は前記凹部15を含むウエーハ表面全
域に、酸化膜13を形成すること。 c:前記凹部15を固体16で埋めること。 d:前記酸化膜13の一部を除去して、この部位に前記凹部
15に対し所定の位置関係を持たせた埋込み層18′を形成
するものであって、この埋込み層18′の形成は、前記ｂ
における酸化膜13の形成後、前記ｃにおける固体16の埋
込み前、又は固体16の埋込みと同時に行うこと。 e:前記ウエーハ表面を平坦化し、該平坦化されたウエー
ハ表面に他方の基板12を熱圧着すること。 f:前記一方の基板11を裏面側から前記凹部15の底に存す
る酸化膜13に到るまで研磨除去すること。
【請求項３】下記a,b,c,d,e,及びｆを備えたことを特徴
とする熱圧着ウエーハの製造方法。 a:少なくとも１枚がウエーハである２枚の基板11,12を
熱圧着するに当り、ウエーハである一方の基板11の合せ
面となる表面部分に酸化膜19を形成した後、スクライブ
線14上又はスクライブ線14に沿った位置において、該ス
クライブ線14に対し所定の位置関係を持たせた一又は複
数箇所で酸化膜19を除去すること。 b:前記酸化膜19の除去部17に選択的酸化膜13押込み処理
を施すこと。 c:前記除去部17に固体16を埋めること。 d:前記一方の基板11の合せ面となる表面部分、前記酸化
膜19、前記酸化膜13のいずれかに、前記スクライブ線14
又は前記除去部17に対し所定の位置関係を持たせた埋込
み層18を形成するものであって、この埋込み層18の形成
は、前記ａにおけるスクライブ線14の形成前の段階か
ら、前記ｃにおける固体16の埋込みの段階の間のいずれ
かの段階で行うこと。 e:前記ウエーハ表面を平坦化し、該平坦化されたウエー
ハ表面に他方の基板12を熱圧着すること。 f:前記一方の基板11を裏面側から前記酸化膜13に到るま
で研磨除去すること。
【請求項４】下記a,b,c,d,e,及びｆを備えたことを特徴
とする熱圧着ウエーハの製造方法。 a:少なくとも１枚がウエーハである２枚の基板11,12を
熱圧着するに当り、ウエーハである一方の基板11の合せ
面となる表面部分であって、当該一方の基板11のスクラ
イブ線14上又はスクライブ線14に沿った位置に、このス
クライブ線14の特定箇所に対し所定の位置関係を持たせ
た凹部15を一又は複数箇所形成すること。 b:前記凹部15に、又は前記凹部15を含むウエーハ表面全
域に、酸化膜13を形成すること。 c:前記酸化膜13の一部に穴をあけて、或いは穴をあけな
いまま、該酸化膜13の上に、前記凹部15から所定の位置
関係を持たせて、伝導体域21を形成すること。 d:前記伝導体域21を成形した後、該伝導体域21の表層を
絶縁層22で被覆すること。 e:前記絶縁層22で被覆した伝導体域21の上に固体23を被
せた後、当該ウエーハ表面を平坦化し、該平坦化された
ウエーハ表面に他方の基板12を熱圧着すること。 f:前記一方の基板11を裏面側から前記凹部15の底に存す
る酸化膜13に到るまで研磨除去すること。
【請求項５】熱圧着された２枚の基板11,12から成り且
つ一方の基板11の合せ面となる表面部分に埋込み層18を
形成する熱圧着ウエーハにおいて、前記熱圧着ウエーハのスクライブ線14上又はスクライブ
線14に沿った所定位置に、埋込み層18或いは伝導体域21
の存在位置確認用の目安として、露出した酸化膜13を有
することを特徴とする熱圧着ウエーハ。