JPH07153896A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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JPH07153896A
JPH07153896A JP5320842A JP32084293A JPH07153896A JP H07153896 A JPH07153896 A JP H07153896A JP 5320842 A JP5320842 A JP 5320842A JP 32084293 A JP32084293 A JP 32084293A JP H07153896 A JPH07153896 A JP H07153896A
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resin
semiconductor device
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Kazuichi Yonenaka
一市 米中
Kazuto Kobayashi
和人 小林
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 吸湿した状態で、ＩＲリフロー、ＶＰＳリフ
ローをかけたときにベッド裏面とモールド樹脂との境界
が剥離し、モールド樹脂にクラックが発生するを防止す
る樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 ベッド６２には、その中央部分に設けられた
開口４１に剥離防止バー１０が格子状に形成されてい
る。ベッド６２の上に半導体チップ４がマウント剤によ
って接着されるが、マウント剤は、開口４１内の格子状
の剥離防止バー１０の上には流れないようになってい
る。このように構成することによりモールド樹脂１は、
チップ４と剥離防止バー１０の間に十分入り込んで硬化
した後に高熱による樹脂の剥がれを防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の樹脂封止構造及びこの半導体装置に用いられるリード
フレームの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、パッケージン
グが容易であり、量産性に適しているので多く利用され
ている。この様な樹脂封止型半導体装置は、銅や鉄−ニ
ッケル系合金などの薄い金属板をエッチング或いはプレ
ス（打ち抜き）などによって形成したリードフレームを
利用して製造される。リードフレームは、フレーム枠の
中に半導体集積回路などの半導体素子（以下、チップと
いう）を取付けるチップ搭載部（以下、ベッドとい
う）、ベッドを支持するつりピン部、ボンディングワイ
ヤが接続されるリード部などのパターンを有している。
そして、リードフレームはチップを搭載してから金型に
載置し、トランスファモールド法などを用いてリードフ
レームのチップを含むベッド部、ボンディングワイヤ、
つりピン部、リードの一部などを樹脂封止し、パターン
の不要部分を切断除去して半導体装置を製造する。樹脂
封止されないで外部に露出しているリード部分は、成形
され、アウターリードとして配線基板の配線パターンに
接続される。チップやボンディングワイヤなどを取付け
るリードの先端部分は接続の信頼性の向上を図るために
金や銀などでメッキされることがある。
【０００３】図３０に従来のＴＳＯＰ(Thin Small Outl
ine Package)の樹脂封止型半導体装置の斜視図を示す。
図は、半導体装置の外観を表わしており、具体的には、
４００ミル、４０ピンタイプである。半導体装置のパッ
ケージ本体は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂からな
り、長辺及び短辺を有する長方形である。長辺には、１
連１０ピンのリード（アウターリード）２が２連モール
ド樹脂１の内部から突出しており、対辺のリードを含め
てこの半導体装置は、モールド樹脂１に封止されたチッ
プと電気的に接続しているリード２を４０ピン備えてい
る。図３１に、モールド樹脂１の内部を示す。モールド
樹脂１の部分は、内部を明瞭に示すために破線で示して
いる。モールド樹脂１内には、成形されたリードフレー
ムがリード２の一部を除いて収納されており、リード２
の先端のアウターリード部分はモールド樹脂１から露出
している。モールド樹脂１のほぼ中心にはリードフレー
ムを構成するベッド６が配置されている。そして、この
ベッド６の表面にはチップ４が接着剤などでマウントさ
れている。ベッド６の短辺及び長辺にそれぞれつりピン
５１、５２が各辺から水平に突出するように設けられて
いる。チップ４の主面上には接続電極である電極パッド
７が形成されている。電極パッド７は、チップ４の周辺
に沿って設けられているが、中央よりに形成されていて
も良いし、不規則もしくは規則的に並んでいても良い。
【０００４】リードフレームを構成するリード２のアウ
ターリード部分は、モールド樹脂１から露出している
が、インナーリード部分は、表面に銀メッキ（斜線部
分）が施されていて、ベッド６と向い合うように配置さ
れている。銀メッキが施されたインナーリード部分とチ
ップ４の電極パッド７部分とは金線などのボンディング
ワイヤ３で接続されてチップ４とリード２が電気的に導
通するようになっている。図３２は、チップをベッドか
ら分離した状態の半導体装置の斜視図である。ベッド６
には、エポキシ系の樹脂からなるマウント剤８がチップ
４とほぼ同じ面積で塗布されており、チップ４をベッド
６に接着している。図３３（ａ）の平面図に示す様に、
従来のベッド６は、チップ４より少し大きいフラットな
一枚板の形状を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この様な樹脂封止型半
導体装置においてはモールド樹脂に発生するクラック対
策が重要な課題である。そのために、チップを固定する
ベッドやリードとモールド樹脂との密着性の向上を図る
こと、モールド樹脂への水分の侵入を防ぐこと、樹脂強
度の向上を図ることなど多くの対策が講じられている。
特に、吸湿したモールド樹脂を有する樹脂封止型半導体
装置をＩＲリフローやＶＰＳリフローなどの熱工程によ
って配線基板へ実装する場合に、ベッドの裏面側のモー
ルド樹脂にクラックが発生することがあり、このクラッ
ク発生を防止して樹脂封止型半導体装置の信頼度を向上
させることが重要な問題になっている。図３４（ａ）
に、図３１のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図を示す。図
は、つりピン５１付近をＡ−Ａ′線で断面カットし、矢
印Ｘの方向から見ている。つりピン５１を両端に備えた
ベッド６はモールド樹脂１のほぼ中央に設けられてお
り、ベッド６の上にはマウント剤８がベッド面積より幾
分小さめに形成されている。マウント剤８の上には、マ
ウント剤とほぼ同じ面積のチップ４が載置され、マウン
ト剤８によってチップ４がベッド６に固定されている。
ベッド６は、フラットな状態でチップ４より大きめのサ
イズになっている。
【０００６】このような一枚板状のベッドが納まってい
るモールド樹脂にクラックが発生する状況を図３４
（ａ）及び図３５（ａ）を参照して説明する。モールド
樹脂１が空気中の水分を吸収した状態、即ち、吸湿状態
のときに、樹脂封止型半導体装置を実装するためにＩＲ
リフロー、ＶＰＳリフローをかけると、ベッド６の下面
とモールド樹脂１の境界に存在する微小な隙間に吸湿し
た水分が集中し、水溜まりができる。この水溜まりはＩ
ＲリフローやＶＰＳリフローの熱により蒸気化し、内部
圧力がベッド６の下面に発生する。その結果、図３５
（ａ）に示すように、ベッド６下面には、水蒸気の圧力
により、剥離２０が発生し、この剥離によるモールド樹
脂１の下面の変形により、ベッド６のエッジ部にクラッ
ク３０が発生する。このクラック発生により、外観不良
及び耐湿性試験を実施した場合に水分の侵入による不良
が発生する。
【０００７】図３３（ｂ）、図３４（ｂ）及び図３５
（ｂ）を参照してクラック発生を防止する従来の改善策
について説明する。図３４（ｂ）及び図３５（ｂ）は、
図３４（ａ）とは異なるベッド形状を有する樹脂封止型
半導体装置の断面図であり、図３３（ｂ）は、その樹脂
封止型半導体装置に用いるベッド部分の平面図である。
この例ではチップが搭載されるベッド６１のほぼ中央部
に開口４０を形成することに特徴がある。このベッドを
用いると、ベッド６１下面とモールド樹脂１の境界に存
在する密着性の悪い微小な隙間を面積的に少なくするの
で、ＩＲリフローやＶＰＳリフローを実施する時に発生
する剥離面積が減少し、その結果としてクラックの発生
を抑制することができる。また、この従来例では、ベッ
ド６１に開口４０があることでチップ４の下面が露出
し、モールド樹脂１と直接接することになり、開口のな
いベッドより密着性が向上する。これはチップとモール
ド樹脂との密着力がベッドとモールド樹脂の密着力より
大きいからである。この開口を有するベッドを用いるこ
とによりクラックの発生は抑制される筈であるが、実際
には、その効果は少なく、吸湿後にＩＲリフローやＶＰ
Ｓリフローをかけると、ベッド６１で発生した剥離２０
がチップ４とモールド樹脂１が密着している部分も剥離
させ、新たな剥離２１が発生する。結局、図３５（ａ）
と同じ状態となってクラック３０が発生してしまう。本
発明は、このような事情によりなされたものであり、吸
湿した状態でＩＲリフロー、ＶＰＳリフローをかけたと
きに、ベッド裏面とモールド樹脂との境界が剥離し、ク
ラックが発生するのを防止する樹脂封止型半導体装置及
びその製造方法を提供することを目的にしている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、中心部分付近
に開口を有するベッドの開口の部分にベッドから樹脂の
剥離を防止する剥離防止手段を形成することを特徴とし
ている。また、剥離防止手段を有する開口の周辺にマウ
ント剤の開口への流入を阻止する阻止手段を形成したこ
とを特徴としている。即ち、本発明の樹脂封止型半導体
装置は、チップと、前記チップが載置され、開口を有す
るベッドと、前記ベッドの周辺に離隔して配置されたリ
ードと、前記チップと前記ベッドとを接合するマウント
剤と、前記チップ表面に形成された接続電極と前記リー
ドとを接続するボンディングワイヤと、前記チップ、前
記ベッド、前記マウント剤、前記ボンディングワイヤ及
び前記リードの一部を被覆するモールド樹脂とを備え、
前記ベッドの前記開口は、前記モールド樹脂が前記チッ
プ裏面から剥離するのを防ぐ複数の剥離防止バーを備
え、かつ、前記剥離防止バーとベッドとの間には、前記
モールド樹脂が充填していることを特徴としている。前
記ベッドの前記開口の周囲には、前記マウント剤が前記
剥離防止バーの上に流入するのを阻止する阻止手段を形
成しても良い。阻止手段には、ダムや貫通孔などを利用
する。
【０００９】前記複数の剥離防止バーの内、少なくとも
一部は、前記開口の内周辺に接続しており、その剥離防
止バーの前記開口の内周辺に接続する部分は、他の部分
より細幅になっているようにしても良い。前記剥離防止
バーの厚さを前記ベッドより薄くして、前記チップの底
面と前記剥離防止バーとの間の距離を前記チップの底面
とベッド表面との間の距離より大きくするようにしても
良い。前記開口は、前記ベッドに接合される前記チップ
に被覆され、かつ、前記開口周辺に少なくとも１つの凹
部又は貫通孔が形成されており、この凹部又は貫通孔
は、少なくとも一部は前記チップによって被覆されてい
ないようにしても良い。また、本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法はベッドの中心部分に形成された開口
に複数の剥離防止バーを取付ける工程と、複数のノズル
からマウント剤を前記ベッドに供給する工程と、前記ベ
ッドにチップを載せて加圧し、このチップをベッドに接
合する工程と、前記ベッドの周辺に離隔してリードを配
置する工程と、前記チップ表面の接続電極と前記リード
とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程と、前
記チップ、前記ベッド、前記マウント剤、前記ボンディ
ングワイヤ及び前記リードの一部をモールド樹脂で被覆
する工程とを備え、前記ノズルから前記マウント剤を供
給する際に、前記ベッドにチップを載せて加圧したとき
に前記マウント剤が開口に形成された剥離防止バー上に
流れないように前記マウント剤の供給位置を調整するこ
とを特徴としている。
【００１０】
【作用】ベッドの開口の部分に剥離防止バーなどの剥離
防止手段を設けることによりベッドからモールド樹脂が
剥離するのを抑制することができ、その結果モールド樹
脂に発生するクラックが発生するのを防止する。また、
ダムや貫通孔などの阻止手段の形成によってマウント剤
が剥離防止手段の上に流れ込むのを阻止することができ
る。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。まず、図１乃至図６を参照して第１の実施例を説
明する。図１は、樹脂封止型半導体装置の斜視図、図２
は、前記樹脂封止型半導体装置からチップ（半導体素
子）を分離して示した斜視図、図３は、図１のＢ−Ｂ′
線に沿う断面図、図４は前記樹脂封止型半導体装置に用
いるベッドの平面図、図５は、発明の効果を説明するた
めの図１のＢ−Ｂ′線に沿う断面図、図６は、発明の効
果を説明するための図５に示す領域Ｚの拡大部分断面図
である。図１では、半導体装置の内部を説明するため
に、パッケージのモールド樹脂は細い破線で示し、実際
は見えない剥離防止手段は、チップ部分に破線で示し
た。ベッド６２、即ち、半導体素子載置部は、エポキシ
樹脂などのモールド樹脂１のほぼ中央に配置されてい
る。ベッド６２は、例えば、長方形であり、これをフレ
ーム枠に固定させるために、２つの短辺の各々につりピ
ン５１が取付けられ、２つの長辺の各々につりピン５２
が取付けられている。ベッド６２の上にはチップ４がマ
ウント剤によって接着されている。チップ４の主面に
は、複数の接続電極である電極パッド７が任意の間隔で
チップ周辺に沿って形成されている。
【００１２】ベッド６２の周辺には、その一端がベッド
６２と向い合うようにリード２が配置され、リード２の
他端はアウターリードとしてモールド樹脂１から露出し
ている。モールド樹脂１の長辺に１連１０ピンのリード
２が２連取付けられており、対辺の長辺にあるリード２
を含めてこの半導体装置は、４０ピンのリードを備えて
いる。リード２の一端と電極パッド７は、金線などのボ
ンディングワイヤ３で接続されている。リード２は、ボ
ンディングワイヤ３が接続しやすいように考慮して配置
されており、同様の理由で、電極パッド７もチップ４上
の所定の位置に配置される。したがって、電極パッド７
の位置は、必ずしもチップ４の周辺に限らず、もっと内
部に位置していても構わない。リード２のボンディング
ワイヤ３が接続する領域には、その接続を容易にするた
めに、斜線で示すように銀メッキが施されている。本発
明の特徴である剥離防止手段には、この実施例では、複
数の剥離防止バー１０を用いる。図１では、この剥離防
止バーがチップ４の下になって見えないので、前述のよ
うに、この部分を破線で示している。図１及び図２に示
すようにベッド６２にはほぼ中央にベッド６２とほぼ同
じ形状の長方形の開口（穴）４１が形成されている。
【００１３】剥離防止バー１０は、この開口４１の中に
形成され、向い合う短辺に垂直にそのほぼ中央に１本、
また、向い合う長辺に垂直にほぼ等間隔に５本形成され
る。各剥離防止バー１０は、両端とも開口４１の内辺に
接続している。図２では、ベッド６２の表面の状態を説
明する。図では、ボンディングワイヤは省略し、モール
ド樹脂１は、前図と同じ様に破線で示している。ベッド
６２に形成された開口４１は、チップ４とほぼ同じ長方
形であるが、チップの面積より小さく形成されている。
そして、マウント剤８は、開口４１とベッド６２の外辺
との間に塗布形成されており、剥離防止バー１０の上に
は、塗布されておらず、むしろ、その密着性を向上させ
るためにマウント剤８が剥離防止バー１０上に形成され
ないように注意しなければならない。マウント剤８を塗
布してからチップ４を載せてベッド６２に固定する。こ
の様にするとマウント剤８の厚さの分だけ、剥離防止バ
ー１０とチップ４の裏面との間に空間（隙間）を形成す
ることができる。
【００１４】次に、半導体装置にモールド樹脂が形成さ
れるまでの製造工程について説明する。厚さが、約０．
１５〜０．２５ｍｍの銅合金又は鉄−ニッケル合金から
なる金属板をエッチングもしくはプレスによりパターニ
ングして単位リードパターンが１方向に繰返し配置され
たリードフレームを形成する。リードフレームは、フレ
ーム枠の中に集積回路などが形成されたチップを取付け
るベッド、ベッドを支持するつりピン部、ボンディング
ワイヤが接続されるリード部などのパターンを有してい
る。リードフレームのベッド形状は、図２の通りであ
り、ここにマウント剤を塗布してチップを取付ける。そ
して、リードフレームは、チップを搭載してから金型に
載置し、トランスファモールド法などを用いて、リード
フレームのチップを含むベッド部、ボンディングワイ
ヤ、つりピン部リードの一部等を樹脂封止し、パターン
の不要部分を切断除去して樹脂封止型半導体装置を製造
する。流動状態のモールド樹脂は、開口４１に形成され
た剥離防止バー１０の隙間からチップ４と剥離防止バー
１０が形成する空間に侵入し、モールド樹脂１が固化し
た後は、剥離防止バー１０がモールド樹脂１のチップ４
裏面に対する密着性を高めている。樹脂封止されないで
外部に露出しているリード部分は、成形され、アウター
リードとして配線基板の配線パターンに接続される。チ
ップ４上の電極パッド７とリードとを接続するボンディ
ングワイヤを取付けるリードの先端部分は接続の信頼性
の向上を図るために、金や銀などでメッキされることが
あるが、この実施例では、銀メッキを施している。
【００１５】次に、図３の半導体装置の断面図を参照し
て前記チップ４と剥離防止バー１０が形成する空間につ
いて説明する。モールド樹脂１のほぼ中央にチップ４が
配置されるようにベッド６２がモールド樹脂１中に埋設
されている。ベッド６２は、つりピン５１に一体的に接
続し、つりピン５１の一端は、その端面のみモールド樹
脂１から露出している。チップ４は、マウント剤８によ
ってベッド６２に接着されている。マウント剤８は、ベ
ッド６２の上のみに有り、剥離防止バー１０の上には形
成されていない。マウント剤８の上にはチップ４の両端
がかかるようにベッド６２は設けられている。剥離防止
バー１０は、５本等間隔に配置されており、このチップ
４の裏面と剥離防止バー１０の上面との間にはマウント
剤８の厚さ分の隙間が形成されており、そこにはモール
ド樹脂１が充填されている。図４は、この実施例で用い
るベッド６２の平面図であり、開口４１の短辺及び長辺
に６本の剥離防止バー１０を形成している。各剥離防止
バー１０が交差する部分は一体化されている。
【００１６】次に、図５及び図６を参照して第１の実施
例の作用効果を説明する。図５は、図３の樹脂封止型半
導体装置を吸湿させ、実装時におけるＩＲリフローやＶ
ＳＰリフローをかけたときの状態を説明する樹脂封止型
半導体装置の断面図であり、図３が示す部分と同じ断面
を示している。図６は、図５に示す領域Ｚの拡大断面図
である。樹脂封止型半導体装置では、空気中の水分は、
例えば、モールド樹脂１の表面に露出しているつりピン
５１、５２の端面からこのつりピンとモールド樹脂１の
境界の微小な隙間を通ってモールド樹脂内部のベッド６
２の裏面とモールド樹脂１との境界に溜まったり、主に
は、モールド樹脂１の表面から吸湿されモールド樹脂１
中に拡散し留まる。この樹脂封止型半導体装置を配線基
板などに実装するために、ＩＲリフロー、ＶＳＰリフロ
ーなどを行って樹脂封止型半導体装置を加熱すると、リ
フローによる熱によってこの様に吸湿した水分がベッド
６２裏面とモールド樹脂１との微小な隙間に集中し、蒸
気化する。そして、水蒸気によって内部圧力が増大し、
ベッド６２裏面とモールド樹脂１との境界に剥離２２が
発生する。図６に示すように、モールド樹脂１がベッド
６２から離れて剥離２２が発生した後も逃げ場のない圧
力の高い水蒸気は、チップ４下面の領域Ｘに逃げ、チッ
プ４裏面とモールド樹脂１とを剥離させようとして剥離
２２よる力Ｃとともに、チップ４裏面下に剥離力Ｄを発
生させる。従来技術なら、チップ４とモールド樹脂１と
が剥離して図３５（ａ）、（ｂ）に示すようなクラック
が発生するが、この剥離力Ｄが働いても本発明では、剥
離防止バー１０が存在するために、剥離はベッド６２裏
面の剥離２２に止まり、クラックの発生は防止される。
【００１７】次に、図７を参照して第２の実施例を説明
する。図は、樹脂封止型半導体装置に用いるベッドの平
面図である。剥離防止手段である剥離防止バーの形状
は、第１の実施例に限らない。第２の実施例の第１の例
は、ベッド６２に形成された開口４１の短辺には、剥離
防止バーを取付けず、その長辺に垂直に５本等間隔に剥
離防止バー１１を入れる。そして、その両端を開口４１
の内側に接続するものである（図７（ａ））。第２の例
は、第１の例と同じく短辺には剥離防止バーを取付け
ず、剥離防止バー１２は、各長辺に垂直に５本づつ、両
辺合わせて合計１０本取付ける。剥離防止バー１２の一
端は、開口４１の長辺に取付けるが、その他端はフリー
であり、向い合う長辺に一端を取付けた別の剥離防止バ
ー１２の他端と間隔をおいて向い合っている（図７
（ｂ））。第３の例は、ベッド６２の開口４１の四隅を
対角線状に結ぶ２本の剥離防止バー１３を備えており、
その交差する部分は一体化している（図７（ｃ））。い
ずれの場合でも、トランスファモールドによってモール
ド樹脂１を形成する際に、モールド樹脂１は、開口４１
と剥離防止バーの間からチップ４裏面と剥離防止バー１
１、１２、１３表面の間の隙間に入り込み、硬化してチ
ップ４裏面と密着したパッケージが形成される。
【００１８】次に、図８乃至図１２を参照して第３の実
施例を説明する。図８及び図９は、いずれも樹脂封止型
半導体装置に用いるベッドの平面図である。図１２は、
ダムの作用を説明する前記樹脂封止型半導体装置の部分
断面図である。図１０及び図１１は、ダムを介してチッ
プをベッドに接続する工程を説明する製造工程断面図で
ある。マウント剤を用いてチップをベッドに固定する場
合流動状態時のマウント剤が開口の中に流入して剥離防
止バーの上に達することがある。この様に開口にマウン
ト剤が流れると、この発明では、マウント剤がモールド
樹脂が充填されるチップ裏面と剥離防止バーとの間の空
間を維持するスペーサの役目を果たしているのに、一部
は剥離防止バーに流れてしまうので、空間を十分維持す
ることができなくなることと、モールド樹脂が充填され
るべきこの空間にマウント剤が入り込むので、その分モ
ールド樹脂のチップに対する密着性の良さが損なわれる
ことなどの不都合が生じる。したがって、マウント剤が
剥離防止バー上に流入するのは極力避けなければならな
い。この実施例は、このようなマウント剤が剥離防止バ
ー上に流入するのを阻止するために工夫をしたものであ
り、ベッドのマウント剤が塗布される表面の開口の周辺
にダムを形成することに特徴がある。そして、この実施
例ではダムとして、例えば、Ａｇメッキのようなメッキ
層を用いる。
【００１９】ダムとしてＡｇメッキを用いる第１の例で
は、図４に示す第１の実施例に用いたベッド６２を使用
する。ベッド６２の開口４１に、両端を短辺に接続した
１本の長い剥離防止バー１０と両端を長辺に接続した５
本の短い剥離防止バー１０が形成されている。このベッ
ド６２の開口４１周辺に沿ってＡｇメッキ層９をドーナ
ツ状に形成する。このＡｇメッキ層９はベッド６２とチ
ップ４の間に挟まれており、その間に介在されるマウン
ト剤が開口４１へ流れ込むのを防止する（図８
（ａ））。第２の例は、第２の実施例の第１の例に用い
たベッドを使用する。５本の剥離防止バー１１をほぼ等
間隔に開口４１の長辺にその両端を接続し、この剥離防
止バーに交差して短辺に接続する長い剥離防止バーは用
いない。したがって、開口４１の長辺のみに剥離防止バ
ー１１との接続部が有るので、Ａｇメッキ層９は、長辺
に沿ってのみ形成される。Ａｇメッキ層９を形成する主
たる目的の１つが、マウント剤を剥離防止バー上に乗せ
ないことにあるので、剥離防止バーとの接続部のない短
辺に、Ａｇメッキ層を形成しなくても十分本来の作用効
果を維持することができる（図８（ｂ））。第３の例
は、第２の例と同じ理由で、Ａｇメッキ層９は、開口４
１の長辺に沿ってのみ形成される。この例は、第２の実
施例の第２の例に用いたベッドを使用する。剥離防止バ
ー１２は、ベッド６２に形成された開口４１の長辺のみ
に形成される（図９（ａ））。第４の例は、第２の実施
例の第３の例に用いたベッドを使用する。この例では、
ベッド６２の開口４１の四隅を対角線状に結ぶ２本の剥
離防止バー１３を備えており、開口４１と剥離防止バー
１３との接続部は、その四隅にある。したがって、剥離
防止バー１３上へのマウント剤の侵入を防止るために、
開口４１の四隅にＡｇメッキ層９を形成し、他の部分に
はとくに形成しない（図９（ｂ））。
【００２０】次に、図１０乃至図１２を参照してこの実
施例におけるダムを形成したベッドにチップを接続する
工程及び前記阻止手段として用いたダムの作用について
説明する。図１０及び図１１は、接続工程断面図、図１
２は、ダムの作用を説明する部分断面図である。ベッド
は、第１の実施例に用いたベッドと同じものを使用す
る。厚さ８μｍ程度のＡｇメッキ層９をベッド６２の中
心よりの開口４１周辺に形成する。次に、マウント剤８
をベッド６２のＡｇメッキ層９より外側にディスペンス
する。この状態でチップ４をマウントする（図１０
（ａ））。チップ４をマウントすると、ディスペンスし
たマウント剤８は、チップ４の圧力で延び広がる（図１
０（ｂ））。マウント剤８は、さらに延びてＡｇメッキ
層９まで達するが、ダム９が抵抗になってマウント剤８
がベッド６２の内側に延び無くなる（図１１（ａ））。
そして、最終的にマウント剤８は、Ａｇメッキ層９を越
えないで延びを停止する（図１１（ｂ））。チップ４を
マウントし、ボンディングしてからチップ４をベッド６
２などと共にモールド樹脂１で被覆する。
【００２１】ベッド６２にＡｇメッキ層９をダムとして
設けた場合において、マウント剤８をディスペンスして
からチップ４をマウントする際に、マウント剤の量が多
すぎてもＡｇメッキ層９に阻まれてこれが剥離防止バー
１０まで侵入できない（図１２（ａ））。したがって開
口４１内側のエッジ部と、剥離防止バー１０の接続部の
モールド樹脂１との密着力の低下がなくなる。一方、Ａ
ｇメッキ層が無いと、マウント剤８をディスペンスして
チップ４をマウントする場合に、マウント剤の量が多す
ぎると、これが剥離防止バー１０まで侵入する恐れがあ
り、もし侵入した場合には、開口４１内側のエッジ部
と、剥離防止バー１０の接続部のモールド樹脂１との密
着力が低下する（図１２（ｂ））。ダムとして用いたＡ
ｇメッキ層は、マウント剤と同じように、チップ裏面と
剥離防止バー間にモールド樹脂を十分充填することので
きる空間を保持するスペーサとしての作用を有すること
もできる。モールド樹脂１でパッケージングされた半導
体装置は、厚さが約１ｍｍである（図１２（ａ）参
照）。ベッド６２の厚さは約０．１５ｍｍであり、チッ
プ４の厚さは約０．３５ｍｍである。チップ４とベッド
６２間のマウント剤８は約０．０２ｍｍである。Ａｇメ
ッキ層９はこの時約０．００８ｍｍにしている。
【００２２】次に、図１３乃至図１５を参照して第４の
実施例を説明する。図は、いずれもＡｇメッキ層を施し
たベッドを示しており、剥離防止バーの開口における配
置に特徴がある。第１の例は、剥離防止バー１４は、井
形に設けられている。剥離防止バー１４は、短辺及び長
辺にそれぞれ２本ずつ接続されており、しかも各剥離防
止バー１４は、各辺に近接して設けられている。従って
剥離防止バー１４と開口内部の各辺との接続部は、開口
の四隅の近傍に設けられる。Ａｇメッキ層９は前述のよ
うに剥離防止バーの接続部とマウント剤とを分離するた
めに設けられるので開口４１の四隅近傍に形成されてい
る（図１３（ａ））。第１の例では、開口４１の四隅近
傍にそれぞれ２箇所つづ接続部があるが、第２の例で
は、各隅で１本にまとめて各隅に接続することに特徴が
ある。Ａｇメッキ層９は、開口４１の四隅を囲むように
形成する（図１３（ｂ））。この実施例に示すように井
形に剥離防止バーを設けると、剥離防止バーは、開口の
内側に隣接して平行に形成するので、開口のエッジ部と
モールド樹脂との密着性が均一に向上する。これに反
し、例えば、第１の実施例に用いた剥離防止バーの様に
格子状に形成した場合は前記密着性が均一でない。図１
４のベッドは、図８（ａ）と同じ構造であり、その密着
性について説明している。
【００２３】この図を含む第１の実施例は、開口内部の
各辺にほぼ等間隔に剥離防止バーが接続されている。平
面図で見ると、剥離防止バーが格子状に配置されている
ので前記構造は、格子タイプという。図１４に示すよう
に格子タイプは、丸で囲んだ領域Ｅが開口のエッジ部で
最も密着力が大きく、剥離防止バー間の領域は密着力が
領域Ｅより小さくなっており、全体として密着力が不均
一になっている。井形タイプは、この点で均一な密着性
が確保できる。図１５（ａ）のベッド６２の開口４１に
は、補強された井形タイプの剥離防止バー１６を形成し
て密着性をさらに上げている。図１５（ｂ）は、格子タ
イプの変形例であり、剥離防止バー１７は、ダイヤモン
ド格子状になっている。いずれの場合もＡｇメッキ層９
が開口周囲にダムとして形成されている。
【００２４】以上、図１０及び図１１を参照してダムを
介してチップをベッドに接続する工程を説明したが、マ
ウント剤を用いてチップをベッドに固定する場合、流動
状態時のマウント剤が開口の中に流入して剥離防止バー
の上に達することがある。この様に開口にマウント剤が
流れると、剥離防止バーとしての機能が低下してしま
う。Ａｇメッキなどのダムの形成は、マウント剤が剥離
防止バー上に流れるのを阻止するために行われるが、こ
こで、ダムを用いないで剥離防止バー上にマウント剤が
流れない方法について説明する。この説明では図１０及
び図１１を参考にしてはいるが、図中のＡｇメッキ層９
は採用しない。ベッド６２の周囲上部にマウント剤をデ
ィスペンスするノズルを複数配置する。そして、マウン
ト剤８をベッド６２の外側寄りにディスペンスして複数
のマウント剤８の塊をベッド６２の上に形成する。Ａｇ
メッキ層９が存在する第３の実施例のときよりもディス
ペンスされるマウント剤８の位置が外側に来るようにノ
ズルの位置を幾分外側に調整する。この状態でチップ４
をマウントする。チップ４をマウントすると、ディスペ
ンスしたマウント剤８は、チップ４の圧力で延び広が
る。最初のマウント剤８の位置を少しベッド６２の外側
に来るようにノズルの位置を調整したので、マウント剤
８は、さらに延びて開口に近ずくが、開口を越えて剥離
防止バー１０の上まで伸びることはない。チップ４をマ
ウントし、ボンディングしてからチップ４をベッド６２
などと共にモールド樹脂で被覆する。この様に、ダムを
形成しなくても剥離防止バー上にマウント剤が流れ込む
のを防ぐことができる。従ってこの方法は、第１の実施
例などのダムを用いない実施例に適用することができ
る。
【００２５】次に、図１６乃至図２０を参照して第５の
実施例を説明する図１６及び図２０は、いずれも樹脂封
止型半導体装置に用いるベッドの平面図であり、図２０
は、この実施例の特徴であるマウント剤侵入防止孔の作
用を説明する図である。前実施例で述べたようにマウン
ト剤を用いてチップをベッドに固定する場合、流動状態
時のマウント剤が開口の中に流入して、開口内辺にある
剥離防止バーの接続部から剥離防止バーの上に達するこ
とがあるので、空間を十分維持することができなくなる
とともにモールド樹脂のチップに対する密着性の良さが
損なわれるなどの不都合が生じる。この実施例は、この
様なマウント剤が剥離防止バーに流れるのを阻止するた
めに工夫をしたものであり、ベッドのマウント剤が塗布
される表面の開口の前記剥離防止バーの接続部にＡｇメ
ッキ層に替えてマウント剤が侵入するのを防止するため
のマウント剤侵入防止孔（以下、侵入防止孔という）を
形成することに特徴がある。図２０は、図１６（ａ）に
示すベッド６２の領域Ｙの拡大図である。マウント剤８
は、開口４１に届かないようにベッド６２上にディスペ
ンスしても開口４１に流れ込み接続部から剥離防止バー
１０へ流れることがあるが、この接続部に対向するよう
にベッド６２に侵入防止孔９２を形成すると、マウント
剤８は、図の矢印に示すように開口４１と侵入防止孔９
２との間の狭い経路を進むので、侵入経路が長くなるた
めに剥離防止バー１０に到達することはない。
【００２６】侵入防止孔の位置は、前記侵入経路の幅に
よって適宜調整することができる。第１の例では、図２
０に示すベッド６２を使用する。ベッド６２の開口４１
に、両端を短辺に接続した１本の長い剥離防止バー１０
と両端を長辺に接続した５本の短い剥離防止バー１０が
形成されている。このベッド６２の開口４１周辺に沿っ
て剥離防止バー１０の開口４１との接続部に対向するよ
うに複数の短い侵入防止孔９２を環状に形成する（図１
６（ａ））。第２の例は、第２の実施例の第１の例に用
いたベッドを使用する。５本の剥離防止バー１１をほぼ
等間隔に開口４１の長辺にその両端を接続し、この剥離
防止バーに交差して短辺に接続する長い剥離防止バーは
用いない。したがって、開口４１の長辺のみに剥離防止
バー１１との接続部が有るので、侵入防止孔９２は、長
辺に沿ってのみ形成される。侵入防止孔９２は長辺に沿
って長く形成されている（図１６（ｂ））。第３の例
は、第２の例と同様に侵入防止孔９２は、開口４１の長
辺に沿ってのみ形成される。この例は、第２の実施例の
第２の例に用いたベッドを使用し、剥離防止バー１２は
ベッド６２に形成された開口４１の長辺のみに形成され
る（図１７（ａ））。第４の例は、第２の実施例の第３
の例に用いたベッドを使用する。
【００２７】ベッド６２の開口４１の四隅を対角線状に
結ぶ２本の剥離防止バー１３を備えており、開口４１と
剥離防止バー１３との接続部は、その四隅にある。侵入
防止孔９２は開口４１の四隅にのみ形成する（図１７
（ｂ））。第５の例は第４の実施例の第１の例と同じベ
ッドを用いる。剥離防止バー１４は井形に設けられてい
る。侵入防止孔９２は開口４１の四隅近傍に形成されて
いる（図１８（ａ））。第５の例では、開口４１の四隅
近傍にそれぞれ２箇所つづ接続部があるが、第６の例で
は、各隅で１本にまとめて各隅に接続することに特徴が
ある。侵入防止孔９２は、開口４１の四隅を囲むように
形成する（図１８（ｂ））。第７の例は、ベッド６２の
開口４１に補強された井形タイプの剥離防止バー１６を
形成して密着性を上げている（図１９（ａ））。第８の
例は、格子タイプの変形例であり、剥離防止バー１７を
ダイヤモンド格子状に配置している（図１９（ｂ））。
いずれの場合も侵入防止孔９２が開口４１周囲に形成さ
れている。
【００２８】次に、本発明の効果を図２１及び表１を参
照して説明する。４００ミル、４０ピンのＴＳＯＰ型半
導体装置（パッケージの短辺が１０．１６ｍｍ、長辺に
２０本づつのリードを有する）について説明する。図２
１は試験を行った半導体装置のベッド／つりピン形状を
示した平面図であり、従来例と本発明の２例が示されて
いる。表１は、耐クラック性試験の実施結果を示す。チ
ップサイズは１０．０×４．７ｍｍ、ベッドサイズは、
１０．６×５．３ｍｍであり、ベッドに形成される開口
は、７．６×２．３ｍｍであってベッドのほぼ中央に形
成されている。ベッドの外辺から開口までの距離は、こ
の発明では約１〜２ｍｍ程度である。ベッドが形成され
る素材のリードフレームは、ニッケルを約４２ｗｔ％含
む鉄合金からなり、その厚さは、この発明では、０．１
５〜０．２５ｍｍであるが、実施例では０．１５ｍｍ厚
のリードフレームを用いている。図２１（ａ）のベッド
６２には４本の剥離防止バー１０を設け、図２１（ｂ）
のベッド６２には８本の剥離防止バー１０を設ける。剥
離防止バー１０は０．２〜０．３ｍｍ程度の幅を有して
いる。表１に示す試料ａ及びｂは剥離防止バーをそれぞ
れ４本及び８本有する本発明の半導体装置であり、試料
ｃはベッド６１に開口４０を有する従来の半導体装置で
ある。試料ａ、ｂ、ｃは、それぞれ図２１（ａ）、図２
１（ｂ）、図２１（ｃ）の半導体装置に相当する。各試
料は、８５℃／６０％×１６８時間、３０℃／６０％×
１９２時間、３０℃／６０％×２１６時間の３種の吸湿
処理を行ってから、ＩＲリフローを４回かける条件で試
験を実施した。
【００２９】
【表１】
【００３０】その結果、モールド樹脂の外部まで届くク
ラック（外部クラック）は従来例の試料ｃではどの様な
吸湿条件でも発生している。しかし、本発明に係る試料
ａ、ｂでは、どの吸湿条件でも外部クラックは発生しな
い。そして、モールド樹脂内部に留まるクラック（内部
クラック）は、試料ａで３０℃／６０％×２１６時間の
吸湿条件で２件発生しているが、微少な量であった。こ
れにより剥離防止バーの効果が明らかである。
【００３１】次に、図２２を参照して第６の実施例を説
明する。図は、半導体装置に用いるベッドの平面図であ
る。剥離防止バー１０は、ベッド６２の開口４１の長辺
にその両端を接続しており、５本等間隔に配置されてい
る。開口４１の短辺に１本の剥離防止バー１０の両端接
続している。各剥離防止バー１０が交差する部分は一体
化されている。この実施例では、開口４１の各辺におけ
る剥離防止バー１０との接続部分が細幅になっているこ
とに特徴がある。すなわち、各剥離防止バー１０は、そ
の両端に細幅部１０１を有していることに特徴がある。
この様に剥離防止バー１０の開口４１内側との接続部に
細幅部１０１を形成することによってチップをマウント
したときにマウント剤が剥離防止バー１０上に流れ込む
のを効果的に阻止することができる。細幅部の幅は、剥
離防止バーの幅の１／３〜１／２程度が適当である。
【００３２】次に、図２３及び図２４を参照して第７の
実施例を説明する。図２３は、この実施例の樹脂封止型
半導体装置に用いるベッドの平面図、図２４は、前図の
ベッドにチップを搭載し、モールド樹脂を施して完成さ
せた樹脂封止型半導体装置の断面図であり、ベッド部分
は図２３のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う断面を示し
ている。本発明においては、開口を有するベッドにチッ
プを搭載し、モールド樹脂を施すに当たり、開口内部に
充填されたモールド樹脂とチップとの密着性を向上させ
ることが必要であり、そのためには、ベッドとチップ間
の空間を十分にとり、この間に介在するマウント剤が広
がって剥離防止バーの上にまで延在するのを防がなけれ
ばならない。図２３に示すベッド６２は、開口４１内部
に剥離防止バー１０を格子状に設けている。すなわち、
剥離防止バー１０は、開口４１内部の短辺に２本、長辺
に３本取付けている。第１の実施例などでは、格子状に
配置した剥離防止バーに何の処理も施してはいないが、
この実施例では、剥離防止バー１０のチップと向い合う
面にハーフエッチングを施し、開口４１と剥離防止バー
１０との接続部を除く領域に他の領域より薄くなってい
るハーフエッチング領域１０２を形成している。このベ
ッド６２にチップ４をマウント剤８により接着し固定
し、ボンディングしてからモールド樹脂１を被覆して図
２４に示す樹脂封止型半導体装置が形成される。リード
２は、ベッド６２よりｔ１ｍｍほど上に平行に設けられ
ている。また、ハーフエッチング領域１０２では、他の
領域よりもｔ２（約０．５〜１．０）ｍｍ薄くなってい
る。ハーフエッチング領域１０２が形成されているの
で、モールド樹脂１が十分に開口４１からチップ４裏面
と剥離防止バー１０までの間に充填され、密着性が向上
する。
【００３３】次に、図２５及び図２６を参照して第８の
実施例を説明する。図２５は、この実施例の樹脂封止型
半導体装置に用いるベッドの平面図、図２６は、前図の
ベッドにチップを搭載し、モールド樹脂を施して完成さ
せた樹脂封止型半導体装置の断面図であり、ベッド部分
は、図２５のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う断面を示
している。前実施例のようにチップ／ベッド間の空間が
広げられてもそこにマウント剤８が流れ込んで剥離防止
バーの存在が無駄になってしまうことがある。そこで、
前述したようにマウント剤のディスペンスする位置を幾
分外側にずらしたり、Ａｇメッキ層を形成してこの流れ
込みを防いだが、この実施例では、例えば、ポリイミド
からなる樹脂膜をダム材料に用いる。ベッド６２と開口
４１との境界に、剥離防止バー１０の接続部を被覆する
ようにポリイミド膜９０を形成する。そして、前実施例
のように、剥離防止バー１０のチップ４と向い合う面に
ハーフエッチングを施し、開口４１と剥離防止バー１０
との接続部を除く領域に他の領域より薄いハーフエッチ
ング領域１０２を形成する。このベッド６２にチップ４
をマウント剤８により接着し固定し、ボンディングして
からモールド樹脂１を被覆して図２６に示す半導体装置
が形成される。ハーフエッチング領域１０２では、他の
領域よりもｔ２ｍｍ薄くなっている。ハーフエッチング
領域１０２が形成されているので、モールド樹脂１が十
分に開口４１からチップ４裏面と剥離防止バー１０まで
の間に充填され密着性が向上し、さらに、ポリイミド膜
９０は、マウント剤８が剥離防止バー１０のハーフエッ
チング領域１０２上に流れ込むのを防いでいる。ポリイ
ミド膜９０がその効果を奏するためには、厚さは、約５
μｍ以上が必要である。
【００３４】次に、図２７を参照して第９の実施例を説
明する。図は、樹脂封止型半導体装置に用いるベッドの
平面図である。前実施例では、ポリイミドなどの樹脂膜
をベッド６２と開口４１との境界に、剥離防止バー１０
の接続部を被覆するように形成している。したがって、
ベッド６２の外側にディスペンスされ、ベッド６２に載
置されたチップ４の圧力によってポリイミド膜９０に延
びてきたマウント剤８は、ポリイミド膜９０と共にボイ
ドを形成し、その部分にモールド樹脂の存在しない領域
を形成する（図２５、図２６参照）。そこで、この実施
例では、ハーフエッチング領域１０２にも一部は覆うよ
うに、ポリイミド膜９１を開口４１内部の上に形成し、
開口４１と剥離防止バーとの接続部を被覆するようにし
た突出部を設ける。このようにすれば、ポリイミド膜９
１とマウント剤８とによって封止されたボイドは、開口
４１から外部に逃げることができる。したがって、マウ
ント剤８は均一な密着性を保つことができる。
【００３５】次に、図２８及び図２９を参照して第１０
の実施例を説明する。図２８は、この実施例の樹脂封止
型半導体装置に用いるベッドの平面図及びこのベッドに
チップを搭載し、モールド樹脂を施して完成させた樹脂
封止型半導体装置のＡ−Ａ′断面図であり、図２９は、
本発明の効果を説明する樹脂封止型半導体装置の断面図
である。前実施例と同様に、ハーフエッチング領域１０
２にも一部は覆うようにポリイミド膜９１を開口４１内
部の上に形成し、このポリイミド膜９１には、開口４１
と剥離防止バー１０との接続部を被覆するようにした突
出部を設ける。このようにすれば、ポリイミド膜９１と
マウント剤８とによって封止されたボイドは開口４１か
ら外部に逃げることができる。この実施例では、さら
に、開口４２に凹部４２１を形成し、チップを載置した
ときにこの凹部がチップから露出するように形成する。
マウントや樹脂封止後のモールド樹脂の密着性が一層向
上する。この様に、開口の形状にとくに制限は無い。
【００３６】本発明によれば開口及び剥離防止バーの形
状や大きさに格別の制限は無いが、チップとベッドとが
構成する空間は、モールド樹脂が十分に均一に充填され
ることが重要であるので、剥離防止バー間が離れ過ぎず
均等な間隔で配置されていることが望ましい。また、第
７乃至第１０の実施例において、剥離防止バー表面のハ
ーフエッチングを必要とする領域は、ポリイミド膜とチ
ップ接着位置精度（面積確保）のためにベッド中心から
チップ底面積の約９０％程度縮小した内側であれば有効
である。剥離防止バーにハーフエッチングを施すこと
は、勿論、前述の第１乃至第６の実施例にも適用するこ
とができる。また、第５の実施例の侵入防止孔は、その
他のダムを形成しないどの実施例にも適用できる。前記
ポリイミド膜は、マウント剤に対するダムとして用いた
が、これをチップとベッド間の空間を保持する間隔保持
体として用いることもでき、この場合ポリイミド膜は、
開口の上もしくはその近傍には配置しないで、ベッドの
外側の辺近くに配置することができる。
【００３７】ダムに用いる材料としてはポリイミド膜に
限らず、他の合成樹脂や無機物などの絶縁膜を使用し、
マウント剤を組み合わせてチップの特性にあった活用が
できる。例えば、ポリイミド膜にエポキシ樹脂などの絶
縁性のマウント剤を組み合わせたり、ポリイミド膜に銀
ペーストなどの導電性のマウント剤を組み合わせて半導
体基板をベッドと導電位にしたりすることができる。本
発明によれば、モールド樹脂のチップ又はベッドからの
剥離は、局所的になり、剥離が大きくなっても、図２９
に示す様に、小さく区分けされた中で圧力が発生するの
で、チップ４の下部やベッド６２の下に、これらとモー
ルド樹脂１との剥離部２１、２２が発生する事態にいた
るにしてもクラックの発生を抑えることができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、以上のような構成により、樹
脂封止型半導体装置が吸湿した状態でＩＲリフロー、Ｖ
ＰＳリフローをかけたときにクラックの発生を防止する
ことができる。また、ベッドとチップとの間には十分な
空間を維持することができるのでモールド樹脂の密着性
は向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置の斜視図。
【図２】図１のチップを分離した状態の半導体装置の斜
視図。
【図３】図１のＢ−Ｂ′線に沿う半導体装置の断面図。
【図４】図１の半導体装置に用いたベッドの平面図。
【図５】図１のＢ−Ｂ′線に沿う半導体装置の断面図。
【図６】図５のＺ領域を示す半導体装置の部分断面図。
【図７】第２の実施例の半導体装置に用いるベッドの平
面図。
【図８】第３の実施例の半導体装置に用いるベッドの平
面図。
【図９】第３の実施例の半導体装置に用いるベッドの平
面図。
【図１０】第３の実施例の半導体装置のチップとベッド
を接続する工程断面図。
【図１１】第３の実施例の半導体装置のチップとベッド
を接続する工程断面図。
【図１２】本発明の効果を説明する半導体装置の部分断
面図。
【図１３】第４の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図１４】第４の実施例を説明するベッドの平面図。
【図１５】第４の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図１６】第５の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図１７】第５の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図１８】第５の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図１９】第５の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図２０】第５の実施例を説明するベッドの平面図。
【図２１】本発明の効果を説明する従来及び本発明の半
導体装置のベッドの平面図。
【図２２】第６の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図２３】第７の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図２４】図２３のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う半
導体装置の断面図。
【図２５】第８の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図２６】図２５のＡ−Ａ′線及びＢ−Ｂ′線に沿う半
導体装置の断面図。
【図２７】第９の実施例の半導体装置に用いるベッドの
平面図。
【図２８】第１０の実施例の半導体装置に用いるベッド
の平面図及び断面図。
【図２９】本発明の効果を説明する半導体装置の断面
図。
【図３０】従来の半導体装置の斜視図。
【図３１】従来の半導体装置の斜視図。
【図３２】従来の半導体装置の斜視図。
【図３３】従来の半導体装置に用いるベッドの平面図。
【図３４】図３１のＡ−Ａ′線に沿う半導体装置の断面
図。
【図３５】図３１のＡ−Ａ′線に沿う半導体装置の断面
図。
【符号の説明】
１ モールド樹脂 ２ リード ３ ボンディングワイヤ ４ チップ ６、６１、６２ ベッド ７ 電極パッド ８ マウント剤 ９ Ａｇメッキ層 １０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７
剥離防止バー ２０、２１、２２ モールド樹脂剥離部 ３０ クラック ４０、４１、４２ 開口 ５１、５２ つりピン ９０、９１ ポリイミド膜 ９２ 侵入防止孔 １０１ 剥離防止バーの細幅部 １０２ 剥離防止バーのハーフエッチング領域 ４２１ 開口の凹部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子と、 前記半導体素子が載置され、開口を有する半導体素子載
    置部と、 前記半導体素子載置部の周辺に離隔して配置されたリー
    ドと、 前記半導体素子と前記半導体素子載置部とを接合するマ
    ウント剤と、 前記半導体素子表面に形成された接続電極と前記リード
    とを接続するボンディングワイヤと、 前記半導体素子、前記半導体素子載置部、前記マウント
    剤、前記ボンディングワイヤ及び前記リードの一部を被
    覆するモールド樹脂とを備え、 前記半導体素子載置部の前記開口は、前記モールド樹脂
    が前記半導体素子裏面から剥離するのを防ぐ複数の剥離
    防止バーを備え、かつ、前記剥離防止バーと半導体素子
    載置部との間には、前記モールド樹脂が充填しているこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記半導体素子載置部の前記開口の周囲
    には、前記マウント剤が前記剥離防止バーの上に流入す
    るのを阻止する阻止手段を形成することを特徴とする請
    求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記複数の剥離防止バーの内、少なくと
    も一部は、前記開口の内周辺に接続しており、その剥離
    防止バーの前記開口の内周辺に接続する部分は、他の部
    分より細幅になっていることを特徴とする請求項１又は
    請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記剥離防止バーの厚さを前記半導体素
    子載置部より薄くして、前記半導体素子の底面と前記剥
    離防止バーとの間の距離を前記半導体素子の底面と半導
    体素子載置部表面との間の距離より大きくすることを特
    徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の樹脂
    封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記開口は、前記半導体素子載置部に接
    合される前記半導体素子に被覆され、かつ、前記開口周
    辺に少なくとも１つの凹部又は貫通孔が形成されてお
    り、この凹部又は貫通孔は、少なくとも一部は前記チッ
    プによって被覆されていないことを特徴とする請求項１
    乃至請求項４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装
    置。
  6. 【請求項６】 半導体素子載置部の中心部分に形成され
    た開口に複数の剥離防止バーを取付ける工程と、 複数のノズルからマウント剤を前記半導体素子載置部に
    供給する工程と、 前記半導体素子載置部に半導体素子を載せて加圧し、こ
    の半導体素子を半導体素子載置部に接合する工程と、 前記半導体素子載置部の周辺に離隔してリードを配置す
    る工程と、 前記半導体素子表面の接続電極と前記リードとをボンデ
    ィングワイヤで電気的に接続する工程と、 前記半導体素子、前記半導体素子載置部、前記マウント
    剤、前記ボンディングワイヤ及び前記リードの一部をモ
    ールド樹脂で被覆する工程とを備え、 前記ノズルから前記マウント剤を供給する際に、前記半
    導体素子載置部に半導体素子を載せて加圧したときに前
    記マウント剤が開口に形成された剥離防止バー上に流れ
    ないように前記マウント剤の供給位置を調整することを
    特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034416A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Denso Corp 半導体装置
JP2009176825A (ja) * 2008-01-22 2009-08-06 Asmo Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2009295712A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Denso Corp 基板および電子装置の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19639181B4 (de) * 1996-09-24 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Mikroelektronisches Bauelement mit einem Zuleitungsrahmen und einem integrierten Schaltkreis
US7034382B2 (en) * 2001-04-16 2006-04-25 M/A-Com, Inc. Leadframe-based chip scale package
JP2006013170A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Matsushita Electric Works Ltd 電子部品並びに電子部品の製造方法
JPWO2007015367A1 (ja) * 2005-08-04 2009-02-19 日立化成工業株式会社 接続構造体の製造方法
JP2012089563A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体モジュール
CN102157484B (zh) * 2011-02-28 2015-05-06 日月光半导体制造股份有限公司 导线架与芯片封装体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5295173A (en) * 1976-02-06 1977-08-10 Hitachi Ltd Lead frame
US4884124A (en) * 1986-08-19 1989-11-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Resin-encapsulated semiconductor device
JPH02172267A (ja) * 1988-12-26 1990-07-03 Hitachi Ltd リードフレーム
JPH0319261A (ja) * 1989-06-15 1991-01-28 Matsushita Electron Corp 半導体用リードフレーム
JPH05102207A (ja) * 1991-10-11 1993-04-23 Dainippon Printing Co Ltd リードフレーム
JPH0621317A (ja) * 1992-07-02 1994-01-28 Seiko Epson Corp 半導体パッケージの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034416A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Denso Corp 半導体装置
JP2009176825A (ja) * 2008-01-22 2009-08-06 Asmo Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2009295712A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Denso Corp 基板および電子装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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EP0655782A3 (en) 1995-10-18

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