JPH0714202A

JPH0714202A - 光ディスク装置

Info

Publication number: JPH0714202A
Application number: JP5157645A
Authority: JP
Inventors: Osamu Inoue; 修井上; Yasuhide Konishi; 康英小西
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1993-06-28
Filing date: 1993-06-28
Publication date: 1995-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、高周波重畳手段の発熱を少なくし
て消費電力を低くし且つ輻射ノイズ及び半導体レーザの
ノイズを抑制することを目的とする。【構成】この発明は、半導体レーザ駆動手段１８と、
高周波重畳手段４２と、高周波電流振幅可変手段４６
と、フォーカス制御手段２７と、トラッキング制御手段
３４と、再生信号振幅検出手段４７と、ノイズ振幅検出
手段４８，４９と、ノイズ振幅検出手段４８，４９及び
再生信号振幅検出手段４７の出力信号から情報再生時に
再生信号振幅／ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定の
値以上となるように高周波電流振幅可変手段４６を制御
する高周波電流振幅制御手段１９とを備えたものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は情報再生時に半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】光源からの光を対物レンズにより光ディ
スク上に微小な光スポットに集光して情報の記録及び／
又は再生を行う光ディスク装置(光磁気ディスク装置を
含む)において、光源として半導体レーザを用いると、
光ディスクから半導体レーザへの戻り光により半導体レ
ーザのノイズが著しく増加する場合がある。

【０００３】ここに、半導体レーザのノイズは半導体レ
ーザへの戻り光により常に増大するとは限らない。例え
ば、光ディスクの反射率、周囲温度、半導体レーザの発
光パワー、半導体レーザのばらつき等の様々な条件で半
導体レーザのノイズが増大したりしなかったりする。光
ディスク装置は、半導体レーザのノイズの増大が原因と
なって光ディスクに記録されているデータを正しく読み
出せなくなる場合がある。

【０００４】そこで、ＬＤノイズ低減方法として、光デ
ィスク装置において、半導体レーザの光ディスクからの
戻り光による影響を少なくするために、情報再生時に半
導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳させる高周波
電流重畳方法が「高周波電流重畳方法による半導体レー
ザ搭載ビデオディスクプレーヤのレーザノイズ低減化」
(光学第14巻第５号1985年10月)が提案されている。ま
た、高周波電流重畳方法において、所定のノイズ特性を
得るためには所定値以上の高周波電流振幅が必要である
ことが「高周波電流重畳方法による半導体レーザ搭載ビ
デオディスクプレーヤのレーザノイズ低減化」(光学第14
巻第５号1985年10月)に記載されている。

【０００５】また、特開平３ー２５７３２号公報には、
高周波電流重畳方法を用いた光ディスク装置において、
再生信号のエラーレートを検出し、エラー数に応じて高
周波電流の振幅を可変して半導体レーザのノイズを低減
する半導体レーザのノイズ低減回路が記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記高周波電流重畳方
法では、高周波電流の周波数が数１００ＭＨＺと高いた
めに輻射ノイズの問題が生ずるので、半導体レーザの駆
動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路をシール
ドケース内に入れたり、高周波重畳回路から半導体レー
ザまでの配線の長さを極力短くしたりするために、高周
波重畳回路の間近に半導体レーザを配置する必要があ
る。このため、高周波重畳回路により発生した熱が半導
体レーザに伝わって半導体レーザの寿命が短くなる恐れ
がある。なお、半導体レーザは温度が上昇した状態で
は、温度が上昇しない状態に対して寿命が短くなる。

【０００７】このような理由から高周波電流の振幅は可
能な限り小さい方が望ましいが、上述のように所定のノ
イズ特性を得るためには所定値以上の高周波電流振幅が
必要である。そこで、上記半導体レーザのノイズ低減回
路では、再生信号のエラーレートを検出し、エラー数に
応じて高周波電流の振幅を可変して半導体レーザのノイ
ズを低減するが、輻射ノイズの点で不利な条件をもたら
し、また、ノイズレベルを直接的に確認しておらず、高
周波電流振幅を大きくしていっても必ずしも半導体レー
ザのノイズを所望の値まで下げられるとは限らないの
で、半導体レーザのノイズを所望の値まで下げられるか
どうか分からなくて高周波電流振幅を大きくしても半導
体レーザのノイズを除去できないといった不具合が生ず
る。このため、ノイズレベルが高いままで情報を再生す
る可能性があり、再生信号の信頼性が薄くなる。

【０００８】本発明は、上記欠点を改善し、高周波電流
振幅を必要最小限にすることで高周波重畳手段の発熱を
少なくして消費電力を低くし且つ輻射ノイズ及び半導体
レーザのノイズを抑制することができる光ディスク装置
を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、半導体レーザからの光を対
物レンズにより光ディスク上に微小な光スポットに集光
して情報の記録及び／又は再生を行い、情報再生時には
前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する光
ディスク装置において、前記半導体レーザを駆動する半
導体レーザ駆動手段と、前記半導体レーザの駆動電流に
高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記高周波電
流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手段と、前記光
ディスク上の光スポットのフォーカス制御を行うフォー
カス制御手段と、前記光ディスク上の光スポットのトラ
ッキング制御を行うトラッキング制御手段と、情報再生
時に再生信号の振幅を検出する再生信号振幅検出手段
と、情報再生時にノイズの振幅を検出するノイズ振幅検
出手段と、このノイズ振幅検出手段及び前記再生信号振
幅検出手段の出力信号から情報再生時に再生信号振幅／
ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定の値以上となるよ
うに前記高周波電流振幅可変手段を制御する高周波電流
振幅制御手段とを備えたものである。

【００１０】請求項２記載の発明は、半導体レーザから
の光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光スポッ
トに集光して情報の記録及び／又は再生を行い、情報再
生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する光ディスク装置において、前記半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レーザの駆
動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記
高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手段
と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス制御を
行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検出するノ
イズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段によりフ
ォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振幅検出手
段の出力信号が所定の値以下となるように前記高周波電
流振幅可変手段を制御する高周波電流振幅制御手段とを
備えたものである。

【００１１】請求項３記載の発明は、半導体レーザから
の光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光スポッ
トに集光して情報の記録及び／又は再生を行い、情報再
生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する光ディスク装置において、前記半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レーザの駆
動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記
高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手段
と、前記半導体レーザの射出光量を可変する光量可変手
段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス制御
を行うフォーカス制御手段と、前記光ディスク上の光ス
ポットのトラッキング制御を行うトラッキング制御手段
と、情報再生時に再生信号の振幅を検出する再生信号振
幅検出手段と、情報再生時にノイズの振幅を検出するノ
イズ振幅検出手段と、このノイズ振幅検出手段及び前記
再生信号振幅検出手段の出力信号から情報再生時に再生
信号振幅／ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定の値以
上となるように前記光量可変手段及び前記高周波電流振
幅可変手段を制御する制御手段とを備えたものである。

【００１２】請求項４記載の発明は、請求項３記載の光
ディスク装置において、前記フォーカス制御手段のフォ
ーカスサーボオフセットを可変するフォーカスサーボオ
フセット可変手段と、情報再生時に再生信号の振幅を検
出する再生信号振幅検出手段とを備え、前記制御手段が
前記再生信号振幅検出手段及び前記ノイズ振幅検出手段
の出力信号から情報再生時に再生信号振幅／ノイズ振幅
の比を求めてこの比が所定の値以上となるように前記光
量可変手段、前記高周波電流振幅可変手段及び前記フォ
ーカスサーボオフセット可変手段を制御するものであ
る。

【００１３】請求項５記載の発明は、半導体レーザから
の光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光スポッ
トに集光して情報の記録及び／又は再生を行い、情報再
生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する光ディスク装置において、前記半導体レーザのパ
ワーを制御するパワー制御手段と、前記半導体レーザの
パワーを可変するパワー可変手段と、前記半導体レーザ
の駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、
前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手
段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス制御
を行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検出する
ノイズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段により
フォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振幅検出
手段の出力信号が所定の値以下となるように前記パワー
可変手段及び前記高周波電流振幅可変手段を制御する制
御手段とを備えたものである。

【００１４】請求項６記載の発明は、請求項３，４また
は５記載の光ディスク装置において、前記半導体レーザ
の再生パワーの可変にかかわらず前記光ディスク上での
再生パワーを常に一定の値とする光量減衰手段を備えた
ものである。

【００１５】請求項７記載の発明は、請求項３，４，５
または６記載の光ディスク装置において、前記半導体レ
ーザの出射光量を可変したときにこの出射光量に応じた
フィルタを前記半導体レーザの出射側に設置するもので
ある。

【００１６】請求項８記載の発明は、請求項３，４，
５，６または７記載の光ディスク装置において、前記光
ディスクの半径方向位置により前記高周波電流の振幅を
可変するものである。

【００１７】

【作用】請求項１記載の発明では、半導体レーザが半導
体レーザ駆動手段により駆動され、高周波重畳手段が半
導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する。高周波
電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により可変され、
光ディスク上の光スポットのフォーカス制御がフォーカ
ス制御手段により行われる。光ディスク上の光スポット
のトラッキング制御がトラッキング制御手段により行わ
れ、情報再生時に再生信号の振幅が再生信号振幅検出手
段により検出される。情報再生時にノイズの振幅がノイ
ズ振幅検出手段により検出され、高周波電流振幅制御手
段はノイズ振幅検出手段及び再生信号振幅検出手段の出
力信号から情報再生時に再生信号振幅／ノイズ振幅の比
を求めてこの比が所定の値以上となるように高周波電流
振幅可変手段を制御する。

【００１８】請求項２記載の発明では、半導体レーザが
半導体レーザ駆動手段により駆動され、高周波重畳手段
が半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する。高
周波電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により可変さ
れ、光ディスク上の光スポットのフォーカス制御がフォ
ーカス制御手段により行われる。ノイズの振幅がノイズ
振幅検出手段により検出され、高周波電流振幅制御手段
はフォーカス制御手段によりフォーカス制御を行ってい
る状態でノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の値以下
となるように高周波電流振幅可変手段を制御する。

【００１９】請求項３記載の発明では、半導体レーザが
半導体レーザ駆動手段により駆動され、高周波重畳手段
が半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する。高
周波電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により可変さ
れ、半導体レーザの射出光量が光量可変手段により可変
される。光ディスク上の光スポットのフォーカス制御が
フォーカス制御手段により行われ、光ディスク上の光ス
ポットのトラッキング制御がトラッキング制御手段によ
り行われる。情報再生時に再生信号の振幅が再生信号振
幅検出手段により検出され、情報再生時にノイズの振幅
がノイズ振幅検出手段により検出される。制御手段はノ
イズ振幅検出手段及び再生信号振幅検出手段の出力信号
から情報再生時に再生信号振幅／ノイズ振幅の比を求め
てこの比が所定の値以上となるように光量可変手段及び
高周波電流振幅可変手段を制御する。

【００２０】請求項４記載の発明では、請求項３記載の
光ディスク装置において、フォーカス制御手段のフォー
カスサーボオフセットがフォーカスサーボオフセット可
変手段により可変され、情報再生時に再生信号の振幅が
再生信号振幅検出手段により検出される。制御手段は再
生信号振幅検出手段及びノイズ振幅検出手段の出力信号
から情報再生時に再生信号振幅／ノイズ振幅の比を求め
てこの比が所定の値以上となるように光量可変手段、高
周波電流振幅可変手段及びフォーカスサーボオフセット
可変手段を制御する。

【００２１】請求項５記載の発明では、半導体レーザの
パワーがパワー制御手段により制御され、半導体レーザ
のパワーがパワー可変手段により可変される。高周波重
畳手段が半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳
し、高周波電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により
可変される。光ディスク上の光スポットのフォーカス制
御がフォーカス制御手段により行われ、ノイズの振幅が
ノイズ振幅検出手段により検出される。制御手段はフォ
ーカス制御手段によりフォーカス制御を行っている状態
でノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の値以下となる
ようにパワー可変手段及び高周波電流振幅可変手段を制
御する。

【００２２】請求項６記載の発明では、請求項３，４ま
たは５記載の光ディスク装置において、光量減衰手段が
半導体レーザの再生パワーの可変にかかわらず光ディス
ク上での再生パワーを常に一定の値とする。

【００２３】請求項７記載の発明では、請求項３，４，
５または６記載の光ディスク装置において、半導体レー
ザの出射光量を可変したときにこの出射光量に応じたフ
ィルタが半導体レーザの出射側に設置される。

【００２４】請求項８記載の発明では、請求項３，４，
５，６または７記載の光ディスク装置において、光ディ
スクの半径方向位置により高周波電流の振幅を可変す
る。

【００２５】

【実施例】図１は本発明の第１実施例を示す。この第１
実施例は請求項１記載の発明の実施例である。半導体レ
ーザ１１から出射された光は、カップリングレンズ１２
により平行光となり、ビームスプリッタ１３により２つ
に分けられてその一方の反射光が集光レンズ１４により
パワーモニタ用受光素子１５に集光される。パワーモニ
タ用受光素子１５は集光レンズ１４からの光を光電変換
してその光量に比例した出力電流を出力する。パワーモ
ニタ用受光素子１５の出力電流は電流／電圧(Ｉ／Ｖ)変
換アンプ１６によりＩ／Ｖ変換され、このＩ／Ｖ変換ア
ンプ１６の出力信号電圧Ｖａが半導体レーザ(ＬＤ)制御
回路１７へ与えられる。

【００２６】半導体レーザ１１はＬＤ駆動回路１８によ
り駆動され、ＬＤ制御回路１７はＩ／Ｖ変換アンプ１６
の出力電圧Ｖａに応じてＬＤ駆動回路１８を制御するこ
とにより半導体レーザ１１の光量をＩ／Ｖ変換アンプ１
６の出力電圧に応じて制御する。また、マイクロコンピ
ュータ(ＣＰＵ)１９は図示しないＤ／Ａ変換器を介して
ＬＤ制御回路１７にデータを与えることで半導体レーザ
１１の光量を変更できる。

【００２７】ビームスプリッタ１３により分けられたも
う一方の透過光は対物レンズ２０により光ディスク２１
上に集光されて光スポットが光ディスク２１上に形成さ
れる。光ディスク２１からの反射光は、対物レンズ２０
を通ってビームスプリッタ１３により反射され、集光レ
ンズ２２で集光されて一部がナイフエッジプリズム２３
を通過した後にフォーカス用２分割受光素子２４で受光
されてその光量に比例した出力電流に光電変換される。

【００２８】このフォーカス用２分割受光素子２４の各
部分の出力電流はＩ／Ｖ変換アンプ２５，２６によりＩ
／Ｖ変換されてフォーカス制御回路２７に入力される。
フォーカス制御回路２７は、Ｉ／Ｖ変換アンプ２５，２
６の出力電圧の差をとってフォーカスエラー信号を得、
このフォーカスエラー信号をフォーカス用駆動回路２８
及びＣＰＵ１９へ出力する。フォーカス用駆動回路２８
はフォーカス制御回路２７からのフォーカスエラー信号
によりフォーカスアクチュエータ２９を駆動し、フォー
カスアクチュエータ２９が対物レンズ２０をフォーカス
方向(光軸方向)へ移動させて光ディスク２１上の光スポ
ットのフォーカシングを行う。

【００２９】また、集光レンズ２２からの光の他の一部
がナイフエッジプリズム２３により反射されて偏光ビー
ムスプリッタ３０により２つに分けられ、その一方の反
射光がトラック用２分割受光素子３１で受光されてその
光量に比例した出力電流に光電変換される。このトラッ
ク用２分割受光素子３１の各部分の出力電流はＩ／Ｖ変
換アンプ３２，３３によりＩ／Ｖ変換されてトラック制
御回路３４に入力される。

【００３０】トラック制御回路３４は、Ｉ／Ｖ変換アン
プ３２，３３の出力電圧の差をとってトラックエラー信
号を得、このトラックエラー信号をトラック用駆動回路
３５及びＣＰＵ１９へ出力する。トラック用駆動回路３
５はトラック制御回路３４からのトラックエラー信号に
よりトラックアクチュエータ３６を駆動し、トラックア
クチュエータ３６が対物レンズ２０をトラッキング方向
(光ディスク２１上のトラックと交差する半径方向)へ移
動させて光ディスク２１上の光スポットのトラッキング
を行う。

【００３１】偏光ビームスプリッタ３０により分けられ
たもう一方の透過光は光磁気信号用受光素子３７で受光
されてその光量に比例した出力電流に光電変換され、こ
の出力電流がＩ／Ｖ変換アンプ３８によりＩ／Ｖ変換さ
れる。加算アンプ３９はＩ／Ｖ変換アンプ３２，３８の
出力電圧の和をとり、加算アンプ４０はＩ／Ｖ変換アン
プ３８の出力信号と加算アンプ３９の出力信号との和を
とってその和信号を出力する。また、減算アンプ４１は
Ｉ／Ｖ変換アンプ３８の出力信号から加算アンプ３９の
出力信号を減算することにより差信号を得てこの差信号
を再生系及びＣＰＵ１９に出力する。

【００３２】半導体レーザ１１は光ディスク２１からの
戻り光により発光出力にノイズがのるので、ＬＤ駆動回
路１８から半導体レーザ１１への駆動電流は高周波重畳
回路４２からコンデンサ４３を介して高周波電流が重畳
される。高周波重畳回路４２は高周波発振回路４４と増
幅回路４５とからなり、高周波発振回路４４からの高周
波電流が増幅回路４５により増幅されてコンデンサ４３
を介してＬＤ駆動回路１８から半導体レーザ１１への駆
動電流に重畳される。増幅回路４５はＤ／Ａ変換器４６
の出力信号により増幅度が変化して高周波電流の振幅を
変化させる。Ｄ／Ａ変換器４６はＣＰＵ１９からのデー
タをＤ／Ａ変換して増幅回路４５に出力し、ＣＰＵ１９
から高周波電流の振幅を制御できる。

【００３３】また、減算アンプ４１からの差信号は再生
信号として再生信号振幅検出回路４７及びノイズ振幅検
出回路４８，４９に入力され、再生信号振幅検出回路４
７は減算アンプ４１からの再生信号の振幅を検出する。
ノイズ振幅検出回路４８，４９は減算アンプ４１からの
再生信号よりノイズの振幅を後述のように検出し、再生
信号振幅検出回路４７及びノイズ振幅検出回路４８，４
９の出力信号Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは図示しないＡ／Ｄ変換
器でＡ／Ｄ変換された後にＣＰＵ１９に入力される。

【００３４】図２はＣＰＵ１９の処理フローの一部を示
す。ＣＰＵ１９はＤ／Ａ変換器４６にＡ₁＝０のデータ
を設定することで増幅回路４５の増幅度Ａ₁を０に設定
する。これは高周波発振回路４４からの高周波電流が増
幅回路４５で増幅されなくなって半導体レーザ１１の駆
動電流に高周波電流が重畳されず、半導体レーザ１１の
ノイズが大きい状態である。

【００３５】次に、ＣＰＵ１９は図示しないＤ／Ａ変換
器、ＬＤ制御回路１７を介してＬＤ駆動回路１８を作動
させて半導体レーザ１１を点灯させ、フォーカス制御回
路２７及びトラック制御回路３４を介してフォーカスサ
ーボ及びトラックサーボをかけて光ディスク２１の内周
テストゾーンまで光ピックアップ５０を移動させる。こ
こに、フォーカスサーボ系は対物レンズ２０、ビームス
プリッタ１３、集光レンズ２２、ナイフエッジプリズム
２３、フォーカス用２分割受光素子２４、Ｉ／Ｖ変換ア
ンプ２５，２６、フォーカス制御回路２７、フォーカス
用駆動回路２８、フォーカスアクチュエータ２９により
構成される。

【００３６】また、トラックサーボ系は対物レンズ２
０、ビームスプリッタ１３、集光レンズ２２、ナイフエ
ッジプリズム２３、トラック用２分割受光素子３１、Ｉ
／Ｖ変換アンプ３２，３３、トラック制御回路３４、ト
ラック用駆動回路３５、トラックアクチュエータ３６に
より構成される。また、光ピックアップ５０は図示しな
い光ピックアップ移送手段により光ディスク２１の半径
方向へ移送され、光ピックアップ移送手段はＣＰＵ１９
により制御される。

【００３７】ＣＰＵ１９は図示しないＤ／Ａ変換器、Ｌ
Ｄ制御回路１７を介してＬＤ駆動回路１８を制御して半
導体レーザ１１を消去パワーで発光させることにより、
光ディスク２１上の内周テストゾーンをイレースさせた
後に、図示しないＤ／Ａ変換器及びＬＤ制御回路１７を
介してＬＤ駆動回路１８を制御して本装置の最高記録周
波数のデータパターンを光ディスク２１の内周テストゾ
ーンに記録させる。次に、ＣＰＵ１９は図示しないＤ／
Ａ変換器及びＬＤ制御回路１７を介してＬＤ駆動回路１
８を制御して光ディスク２１の内周テストゾーンからデ
ータパターンのデータを再生させ、減算アンプ４１から
の再生信号に対する再生信号振幅検出回路４７及びノイ
ズ振幅検出回路４８，４９の出力信号を図示しないＡ／
Ｄ変換器を介して取り込む。

【００３８】ここで、再生信号振幅検出回路４７及びノ
イズ振幅検出回路４８，４９の信号帯域は図３に示すよ
うになっている。図３において、ｆは周波数、ｆ₀は本
装置の最高記録周波数であり、再生信号振幅検出回路４
７はｆ₀を中心として±Δｆの帯域を有するバンドパス
フィルタである。ノイズ振幅検出回路４８，４９はｆ₀
±ｆ₁をそれぞれ中心として±Δｆの帯域を有するバン
ドパスフィルタである。

【００３９】また、図４は半導体レーザ１１のノイズが
大きい場合と小さい場合における減算アンプ４１からの
再生信号の様子を示す。半導体レーザ１１のノイズが大
きい場合のノイズレベルをＮ'ｄＢとし、半導体レーザ
１１のノイズが小さい場合のノイズレベルをＮｄＢとす
れば、Ｎ'＞Ｎの関係が成立し、ノイズレベルを検出す
ることで半導体レーザ１１のノイズ量を検出することが
できる。

【００４０】ＣＰＵ１９は再生信号振幅検出回路４７か
らのデータＶｂ、ノイズ振幅検出回路４８，４９からの
各データＶｃ，ＶｄよりＶｂ÷(Ｖｃ＋Ｖｄ)／２なる計
算を行い、その計算結果が所定の値γ以上であるか否か
を判断する。そして、ＣＰＵ１９は計算結果がγより小
さい場合にはＤ／Ａ変換器４６のデータをインクリメン
トしてＡ₁←Ａ₁＋１とし、上記高周波電流の振幅を大き
くした後に、データパターンデータステップへ戻る。こ
のような動作が繰り返されて計算結果がγ以上になる
と、このときのＡ₁のデータが以後はＤ／Ａ変換器４６
に設定されたままとなる。このため、高周波電流が必要
最小限の値に設定されて半導体レーザ１１のノイズが小
さい状態が達成され、高周波重畳回路４２の発熱が少な
く抑えられ、かつ、低消費電力化が達成される。

【００４１】このように、第１実施例では、再生信号振
幅とノイズ振幅を検出して高周波電流振幅を可変するの
で、高周波電流を必要最小限の値に設定でき、特別な温
度制御手段を付加することなく高周波重畳回路の発熱を
少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命化及び
動作安定化が可能になる。また、ノイズレベルをノイズ
振幅という形で直接的に検出するので、高周波電流振幅
の設定を正確に行うことができる。さらに、情報再生時
に半導体レーザのノイズを抑制するので、再生信号の信
頼性を上げることができる。

【００４２】図５は本発明の第２実施例を示し、図１と
同一部分には同一符号が付してある。この第２実施例
は、請求項２記載の発明の実施例である。第２実施例で
は、上記第１実施例において、再生信号振幅検出回路４
７及びノイズ振幅検出回路４８，４９が省略され、Ｉ／
Ｖ変換アンプ１６の出力信号の振幅が振幅検出回路５１
により検出されてその出力信号が図示しないＡ／Ｄ変換
器でＡ／Ｄ変換された後にＣＰＵ１９に入力される。

【００４３】ところで、半導体レーザ１１のノイズは高
周波電流重畳法により低減される。半導体レーザ１１の
ノイズは相対雑音強度(ＲＩＮ)により規定され、一般的
にはＲＩＮ≦−１２０ｄＢ／Ｈｚが望ましい。図６は高
周波電流の振幅(相対値)とＲＩＮとの関係を模式的に示
す。高周波電流振幅＝０とは半導体レーザ１１の駆動電
流に高周波電流を重畳していないことを示す。

【００４４】図６から分かるようにＲＩＮは、高周波電
流の振幅が大きくなると改善され、ある値で飽和する。
この高周波電流振幅対ＲＩＮ特性は光ディスクの反射
率、周囲温度、半導体レーザの発光パワー、半導体レー
ザのバラツキ等によりばらつく。図７及び図８は半導体
レーザ１１のノイズが大きい場合と半導体レーザ１１の
ノイズが小さい場合とにおけるＩ／Ｖ変換アンプ１６の
出力信号Ｖａ(パワーモニタ用受光素子１５の出力信号
をＩ／Ｖ変換したもの)の様子をそれぞれ示す。半導体
レーザ１１のノイズが小さい場合には図７に示すように
Ｖａはほぼ一定であるが、半導体レーザ１１のノイズが
大きくなると、図８に示すようにＶａはノイズ成分が重
畳されてＶａ±αとなる。よって、Ｖａの振幅を検出す
ることで半導体レーザ１１のノイズ量を検出することが
できる。

【００４５】第２実施例はこの点を利用したものであ
り、図９は第２実施例におけるＣＰＵ１９の処理フロー
を示す。ＣＰＵ１９はＤ／Ａ変換器４６にＡ₁＝０のデ
ータを設定することで増幅回路４５の増幅度Ａ₁を０に
設定する。次に、ＣＰＵ１９はＬＤ制御回路１７を介し
てＬＤ駆動回路１８を作動させて半導体レーザ１１を点
灯させ、フォーカス制御回路２７を介してフォーカスサ
ーボをかける。この時、半導体レーザ１１のノイズが大
きいと、Ｉ／Ｖ変換アンプ１６の出力信号Ｖａは図８に
示すようになる。Ｉ／Ｖ変換アンプ１６の出力信号Ｖａ
の振幅は振幅検出回路５１により検出されてその出力信
号が図示しないＡ／Ｄ変換器でＡ／Ｄ変換された後にＣ
ＰＵ１９に入力される。

【００４６】ＣＰＵ１９は振幅検出回路５１からのＶａ
の振幅と所定の許容値βとを比較し、Ｖａの振幅がβ以
下であるか否かを判断する。そして、ＣＰＵ１９はＶａ
の振幅がβより大きい場合にはＤ／Ａ変換器４６のデー
タをインクリメントしてＡ₁←Ａ₁＋１とし、上記高周波
電流の振幅を大きくした後に、Ｖａの振幅がβ以下であ
るか否かを判断するステップに戻る。このような動作が
繰り返されてＶａの振幅がβ以下になると、このときの
Ａ₁のデータが以後はＤ／Ａ変換器４６に設定されたま
まとなる。このため、高周波電流が必要最小限の値に設
定されて半導体レーザ１１のノイズが小さい状態が達成
され、高周波重畳回路４２の発熱が少なく抑えられ、か
つ、低消費電力化が達成される。

【００４７】図１０は光スポットの光ディスク上の半径
方向位置ｒとＣ／Ｎ(Ｃarrier ＬevelとＮoise Ｌevel
との比)との関係を示す。Ｃ／Ｎはｒが大きくなるに従
って大きくなる。このため、光ディスクの外周側では光
ディスクの内周側に比べてキャリアレベル(高周波電流
の振幅)が増加するので、相対的にノイズレベルが上昇
しても問題とならず、高周波電流の振幅は光ディスクの
外周側では光ディスクの内周側より小さくてよい。

【００４８】この第２実施例では、情報再生を行うこと
なく半導体レーザの戻り光によるノイズを検出して高周
波電流の振幅を可変することにより高周波電流を必要最
小限の値に設定するので、消去動作，情報記録動作及び
情報再生動作のいずれも行わずに高周波電流を必要最小
限の値に設定でき、特別な温度制御手段を付加すること
なく高周波重畳回路の発熱を少なく抑えることができ、
半導体レーザの長寿命化及び動作安定化が可能になる。
また、ノイズレベルをノイズ振幅という形で直接的に検
出するので、高周波電流振幅の設定を正確に行うことが
できる。さらに、情報再生時には半導体レーザのノイズ
を抑制するので、再生信号の信頼性を上げることができ
る。

【００４９】本発明の他の実施例では、上記第１実施
例、第２実施例において、それぞれ電源投入後に、ＣＰ
Ｕ１９は光ディスク２１の内周及び外周の各テストゾー
ンに光ピックアップ５０を移動させてこれらのテストゾ
ーンにて上述した図２、図９に示すようなＡ₁設定動作
をそれぞれ行ってＡ₁を求め、それらのＡ₁に基づいて光
ディスク２１上の光スポットの位置(情報再生位置)を光
ディスク２１の内周側から外周側へ向かうにつれて徐々
に変化させることにより高周波電流の振幅を変化させ
る。これにより、さらに高周波重畳回路４２の発熱が少
なく抑えられ、低消費電力化が達成される。

【００５０】この実施例は、請求項８記載の発明の実施
例であり、光ディスクの内周及び外周で必要最小限の高
周波電流振幅を求めて光ディスク上の半径方向の情報再
生位置により高周波電流振幅を可変するので、光ディス
クの外周側では高周波電流振幅を小さくすることがで
き、低消費電力化を計ることができるとともに高周波重
畳回路の発熱を抑えることができ、さらに、半導体レー
ザの長寿命化及び動作安定化を計ることができる。

【００５１】図１３は半導体レーザの再生パワーとＲＩ
Ｎとの関係を示す。ＲＩＮは再生パワーを上げることで
も改善することができる。そこで、本発明の第３実施例
は高周波電流振幅と再生パワーを可変して高周波電流を
なるべく小さくすることにより、輻射ノイズを抑えると
同時に高周波重畳回路の発熱を抑え、低消費電力化を計
るものである。

【００５２】図１１は第３実施例を示し、図５と同一部
分には同一符号が付してある。この第３実施例は、請求
項５記載の発明の実施例であり、上記第２実施例におい
て、ＣＰＵ１９からＤ／Ａ変換器５２に設定した設定値
によりＬＤ制御回路１７がＬＤ駆動回路１８を介して半
導体レーザ１１の発光パワーを制御する。

【００５３】図１２は第３実施例におけるＣＰＵ１９の
処理フローを示す。ＣＰＵ１９はＤ／Ａ変換器４６にＡ
₁＝０のデータを設定することで増幅回路４５の増幅度
Ａ₁を０に設定する。次に、ＣＰＵ１９は、Ｄ／Ａ変換
器５２に半導体レーザ１１の再生パワーＰ_Rが最小値Ｐ
_Rminになる値を設定した後に、ＬＤ制御回路１７を介し
てＬＤ駆動回路１８を作動させて半導体レーザ１１を点
灯させ、フォーカス制御回路２７を介してフォーカスサ
ーボをかける。この状態は高周波発振回路４４からの高
周波電流が増幅回路４５で増幅されなくなって半導体レ
ーザ１１の駆動電流に高周波電流が重畳されず、半導体
レーザ１１のノイズが大きい状態である。

【００５４】ここで、Ｉ／Ｖ変換アンプ１６の出力信号
Ｖａの振幅Ｖ_P-Pは振幅検出回路５１により検出されて
その出力信号が図示しないＡ／Ｄ変換器でＡ／Ｄ変換さ
れた後にＣＰＵ１９に入力される。ＣＰＵ１９は、振幅
検出回路５１からのＶ_P-Pと所定の値β₀と比較してＶ
_P-Pがβ₀以下であるか否かを判断し、Ｖ_P-Pがβ₀より大
きい(半導体レーザ１１のノイズが大きい)場合には再生
パワーＰ_Rがａ₀だけ高くなるようにＤ／Ａ変換器５２の
設定値を変更し、再びＶ_P-Pがβ₀以下であるか否かを判
断する。ＣＰＵ１９はこのような動作をＶ_P-Pがβ₀以下
になるまで繰り返して行う。

【００５５】ただし、ＣＰＵ１９は、再生パワーＰ_Rを
ａ₀のステップで大きくする過程において、再生パワー
Ｐ_Rが光ディスク２１等の規定による最大再生パワーＰ
_Rmaxを越えたかどうかを判断してＰ_RがＰ_Rmaxを越えた
場合には高周波電流振幅Ａがａ₁だけ大きくなるように
Ｄ／Ａ変換器４６の設定値を変更し、かつ、半導体レー
ザ１１の再生パワーＰ_Rが最小値Ｐ_RminになるようにＤ
／Ａ変換器５２の設定値を変更する。このような動作に
より、半導体レーザ１１のノイズが所定値以下となる必
要最小限の高周波電流振幅が決定され、かつ、再生パワ
ーＰ_Rが決定される。

【００５６】この第３実施例では、パワーモニタ用受光
素子１５により半導体レーザ１１のノイズを検出して高
周波電流振幅と再生パワーを変えることにより半導体レ
ーザのノイズが所定値以下となる必要最小限の高周波電
流振幅と再生パワーを設定するので、再生信号の信頼性
を向上させることができるとともに、高周波重畳回路の
発熱を少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命
化及び動作安定化が可能になる。

【００５７】本発明の第４実施例は、請求項８記載の発
明の実施例であって、上記第３実施例において、ＣＰＵ
１９がＶ_P-P≦β₀となる高周波電流振幅Ａ₀と再生パワ
ーＰ_R ₀を決定する過程において、Ｖ_P-P≦β₁(β₀＜β₁)
となる高周波電流振幅Ａ'と再生パワーＰ_R'を同時に求
めて光スポットの光ディスク２１上の半径方向位置(再
生位置)ｒに応じてＤ／Ａ変換器４６，５２の設定値を
変更することにより高周波電流振幅と再生パワーを変え
る。例えば、ＣＰＵ１９はｒに応じてＤ／Ａ変換器４６
の設定値を高周波電流振幅がＡ₀→Ａ'と徐々に変化する
ように変更し、あるいはｒに応じてＤ／Ａ変換器５２の
設定値を再生パワーがＰ_R0→Ｐ_R'と徐々に変化するよう
に変更し、あるいはこのようなＤ／Ａ変換器４６，５２
の設定値の変更を同時に行う。

【００５８】これにより、高周波電流振幅及び／又は再
生パワーをｒが光ディスク２１の内周側から外周側へ向
かうにつれて徐々に下げることができる。この場合、キ
ャリアレベルが光ディスク２１の外周側ほど増加してノ
イズレベルが上がるが、図１０に示すようにＣ／Ｎはｒ
が大きくなるに従って大きくなるので、問題とならな
い。

【００５９】この第４実施例では、パワーモニタ用受光
素子１５により半導体レーザ１１のノイズを検出して高
周波電流振幅と再生パワーを変えることにより半導体レ
ーザのノイズが所定値以下となる必要最小限の高周波電
流振幅と再生パワーを設定し、かつ、高周波電流振幅及
び／又は再生パワーをｒが光ディスク２１の内周側から
外周側へ向かうにつれて下げるので、高周波重畳回路の
発熱をさらに少なく抑えることができ、半導体レーザの
長寿命化及び動作安定化、低消費電力化を第３実施例以
上に達成することが可能になる。

【００６０】図１４は本発明の第５実施例を示し、図１
１と同一部分には同一符号が付してある。この第５実施
例は請求項６記載の発明の実施例である。第５実施例で
は、上記第３実施例において、半導体レーザ１１とカッ
プリングレンズ１２との間にフィルタ５３が設置され
る。

【００６１】このフィルタ５３は、フィルタ制御手段に
よりｒに応じて制御され、半導体レーザ１１の再生パワ
ーＰ_Rが最小値Ｐ_Rminより△Ｐ_R上昇した場合にＰ_Rmin／
(Ｐ_R _min＋△Ｐ_R)×１００％の透過率を有するものとな
る。これにより、光ディスク２１上での再生パワーは常
にＰ_Rminとなり、再生パワーの上昇による光ディスク２
１上の記録データの破壊といった問題がなくなって記録
データの信頼性が向上する。ここに、再生パワーは見か
け上一定の値Ｐ_Rminとなるが、半導体レーザ１１の出射
パワーはｒに応じて増加するので、半導体レーザ１１の
光ディスク２１からの戻り光によるノイズ発生を抑制す
ることができる。

【００６２】図１５は本発明の第６実施例を示し、図１
と同一部分には同一符号が付してある。この第６実施例
は、請求項３記載の発明の実施例であり、上記第１実施
例において、Ｉ／Ｖ変換アンプ１６の出力信号の振幅が
振幅検出回路５１により検出されてその出力信号が図示
しないＡ／Ｄ変換器でＡ／Ｄ変換された後にＣＰＵ１９
に入力されるとともに、ＣＰＵ１９からＤ／Ａ変換器５
２に設定した設定値によりＬＤ制御回路１７がＬＤ駆動
回路１８を介して半導体レーザ１１の発光パワーを制御
する。

【００６３】図１６は第６実施例におけるＣＰＵ１９の
処理フローの一部を示す。ＣＰＵ１９はＤ／Ａ変換器４
６にＡ₁＝０のデータを設定することで増幅回路４５の
増幅度Ａ₁を０に設定する。更に、ＣＰＵ１９はＤ／Ａ
変換器５２に半導体レーザ１１の再生パワーＰがサーボ
のかかる限界となる最低値Ｐ_minとなるような値を設定
して半導体レーザ１１を点灯させる。これは、高周波電
流をオフの状態にし、半導体レーザ１１の発光パワーを
可能な限り小さく設定した状態である。光ディスク２１
の再生パワーは、光ディスク２１の記録媒体によって決
定され、再生パワーの加減範囲の下限値をＰ_minとし、
上限値をＰ_maxとする。

【００６４】次に、ＣＰＵ１９は、フォーカス制御回路
２７及びトラック制御回路３４を介してフォーカスサー
ボ及びトラックサーボをかけ、光ディスク２１の内周テ
ストゾーンまで光ピックアップ５０を移動させる。そし
て、ＣＰＵ１９はＤ／Ａ変換器５２、ＬＤ制御回路１
７、ＬＤ駆動回路１８を介して半導体レーザ１１を消去
パワーで発光させることにより、光ディスク２１上の内
周テストゾーンをイレースさせた後に、Ｄ／Ａ変換器５
２及びＬＤ制御回路１７を介してＬＤ駆動回路１８を制
御して本装置の最高記録周波数のデータパターンを光デ
ィスク２１の内周テストゾーンに記録させる。

【００６５】次に、ＣＰＵ１９はＤ／Ａ変換器５２及び
ＬＤ制御回路１７を介してＬＤ駆動回路１８を制御して
光ディスク２１の内周テストゾーンからデータパターン
のデータを再生させ、減算アンプ４１からの再生信号に
対する再生信号振幅検出回路４７及びノイズ振幅検出回
路４８，４９の出力信号を図示しないＡ／Ｄ変換器を介
して取り込む。

【００６６】ＣＰＵ１９は再生信号振幅検出回路４７か
らのデータＶｂ、ノイズ振幅検出回路４８，４９からの
各データＶｃ，Ｖｄより δ＝Ｖｂ÷(Ｖｃ＋Ｖｄ)／２・・・・・(1) なる計算を行い、その計算結果δを所定の値Ｈと比較し
て δ≧Ｈ・・・・・(2) が満足されるか否かを判断する。そして、ＣＰＵ１９は
δがＨより小さい場合には再生パワーＰが前回の設定値
より所定の値Ｐstepだけ大きくなるようにＤ／Ａ変換器
５２のデータを変更し、データパターンのデータ再生ス
テップへ戻る。このような動作が繰り返されて計算結果
δがＨ以上になると、このときのＤ／Ａ変換器５２のデ
ータがそのままとなり、再生パワーが設定される。

【００６７】但し、ＣＰＵ１９は、ＰがＰ_max以下の範
囲で(2)式を満足するＰの値が決定されなかった時には
Ｐ＝Ｐ_minとなるようにＤ／Ａ変換器５２の設定値を変
更し、Ｄ／Ａ変換器４６の設定値変更によりＡ₁＝Ａ₁＋
１として高周波重畳回路４２を駆動してデータパターン
のデータ再生ステップへ戻る。このような動作が繰り返
されて(2)式を満足する最適な再生パワーＰと高周波電
流振幅Ａが決定される。

【００６８】以後は光ディスク２１から情報が再生され
る情報再生時には上記動作によって決定された再生パワ
ーＰと高周波電流振幅Ａで情報の再生が行われ、高周波
電流の振幅を大きくしなくても半導体レーザ１１のノイ
ズが小さい状態を達成することができる。

【００６９】このように第６実施例では、再生信号振幅
及びノイズ振幅からＣ／Ｎを検出して高周波電流振幅と
再生パワーを変えることによって、Ｃ／Ｎが所定値以上
となる必要最小限の高周波電流振幅と再生パワーを設定
するので、高周波重畳回路の発熱を少なく抑えることが
でき、半導体レーザの長寿命化及び動作安定化、低消費
電力化が可能になる。

【００７０】ところで、第６実施例では、半導体レーザ
１１から光ディスク２１上に集光される光のパワーは上
記動作を行う度に異なり、その結果、光ディスク１１上
の記録データの破壊や再生信号のばらつきが生じてしま
う。したがって、カップリングレンズ１２に入射する光
のパワーを常に一定の光量とすることが望ましく、本発
明の第７実施例はこれを行うようにしたものである。

【００７１】この第７実施例は、請求項７記載の発明の
実施例であり、上記第６実施例において、図１７に示す
ように半導体レーザ１１とカップリングレンズ１２との
間にフィルタ５４を設置する。このフィルタ５４は、可
変可能なものであり、半導体レーザ１１からの光５５に
対してカップリングレンズ１２の入射光５６のパワーが
常に一定に保たれるようにフィルム制御部により制御さ
れる。このため、光ディスク１１上の記録データの破壊
や再生信号のばらつきがなくなる。

【００７２】ＣＰＵ１９は上記第６実施例と同様な動作
で決定した半導体レーザ１１の発光パワー５５に応じて
常にカップリングレンズ１２の入射光５６が一定光量に
保たれるように指令をＤ／Ａ変換器に送り、このＤ／Ａ
変換器からの指令によりフィルタ制御部が常にカップリ
ングレンズ１２の入射光５６が一定光量に保たれるよう
にフィルタ５４を制御する。この場合、導体レーザ１１
からの光５５はフィルタ５４により損失５７が生ずる。

【００７３】図１８は再生信号振幅検出回路４７の出力
信号(再生信号の振幅)及びノイズ振幅検出回路４８，４
９の出力信号(ノイズの振幅)と光ディスク２１上の光ス
ポットのデフォーカス量との関係を示す。半導体レーザ
のノイズの原因は光ディスクから半導体レーザへの戻り
光による起因が大きく、図１８に示すように特に合焦に
なるほど半導体レーザのノイズが大きくなる。従って、
再生信号特性からＣ／Ｎを測定する時には、合焦点より
も若干デォーカスした方がＣ／Ｎが良くなる場合があ
る。

【００７４】そこで、本発明の第８実施例はデフォーカ
ス量も１つのパラメータとして随時Ｃ／Ｎを測定しなが
らデフォーカス量、再生パワーＰ、高周波電流振幅Ａを
設定し、(2)式を満たす最適なデフォーカス量、再生パ
ワーＰ、高周波電流振幅Ａを検出するものである。図１
９は第８実施例を示し、この第８実施例は請求項４記載
の発明の実施例である。

【００７５】第８実施例では、上記第６実施例におい
て、ＣＰＵ１９によりＤ／Ａ変換器５８に設定した指令
値がフォーカス制御回路２７へ与えられる。図２０は第
８実施例におけるＣＰＵ１９の処理フローを示す。ＣＰ
Ｕ１９は、上記第６実施例とほぼ同様に動作するが、フ
ォーカスサーボをかける時にフォーカスサーボオフセッ
トＢ＝０に設定し、また、データパターンを光ディスク
２１の内周テストゾーンに記録した直後にフォーカスサ
ーボオフセットＢを−βに設定してから(2)式の判断ス
テップに進む。ここに、−βはフォーカスサーボが入れ
る下限値であり、＋βはフォーカスサーボが入れる上限
値である。

【００７６】また、ＣＰＵ１９は、(2)式が成立するか
否かを判断した直後に、フォーカスサーボオフセットＢ
が＋β以下であるか否かを判断してフォーカスサーボオ
フセットＢが＋β以下である場合にはフォーカスサーボ
オフセットＢをＢ＋１として光ディスク２１の内周テス
トゾーンからのデータパターンデータ再生ステップに戻
る。また、ＣＰＵ１９は、フォーカスサーボオフセット
Ｂが＋β以下でない場合にはフォーカスサーボオフセッ
トＢを−βに設定してＰ＞Ｐ_maxの判断ステップに進
む。

【００７７】この第８実施例では、第６実施例におい
て、デフォーカス量を設定することにより、高周波振
幅、再生パワーを第６実施例以上に小さく設定できるの
で、さらに高周波重畳回路の発熱を抑制でき、半導体レ
ーザの長寿命化及び動作安定化、低消費電力化が可能に
なる。

【００７８】本発明の他の施例では、上記第６実施例、
第７実施例、第８実施例において、それぞれ電源投入後
に、ＣＰＵ１９は光ディスク２１の内周及び外周の各テ
ストゾーンに光ピックアップ５０を移動させてこれらの
テストゾーンにて上述したＡ ₁設定動作をそれぞれ行っ
てＡ₁を求め、それらのＡ₁に基づいて光ディスク２１上
の光スポットの位置(情報再生位置)を光ディスク２１の
内周側から外周側へ向かうにつれて徐々に変化させるこ
とにより高周波電流の振幅を変化させる。これにより、
さらに高周波重畳回路４２の発熱が少なく抑えられ、低
消費電力化が達成される。

【００７９】

【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明によれ
ば、半導体レーザからの光を対物レンズにより光ディス
ク上に微小な光スポットに集光して情報の記録及び／又
は再生を行い、情報再生時には前記半導体レーザの駆動
電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置において、
前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動手段と、
前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する高
周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を可変する高周
波電流振幅可変手段と、前記光ディスク上の光スポット
のフォーカス制御を行うフォーカス制御手段と、前記光
ディスク上の光スポットのトラッキング制御を行うトラ
ッキング制御手段と、情報再生時に再生信号の振幅を検
出する再生信号振幅検出手段と、情報再生時にノイズの
振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、このノイズ振幅
検出手段及び前記再生信号振幅検出手段の出力信号から
情報再生時に再生信号振幅／ノイズ振幅の比を求めてこ
の比が所定の値以上となるように前記高周波電流振幅可
変手段を制御する高周波電流振幅制御手段とを備えたの
で、高周波電流を必要最小限の値に設定でき、特別な温
度制御手段を付加することなく高周波重畳回路の発熱を
少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命化及び
動作安定化が可能になる。また、ノイズレベルをノイズ
振幅という形で直接的に検出することにより、高周波電
流振幅の設定を正確に行うことができる。さらに、情報
再生時に半導体レーザのノイズを抑制するので、再生信
号の信頼性を上げることができる。

【００８０】請求項２記載の発明によれば、半導体レー
ザからの光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光
スポットに集光して情報の記録及び／又は再生を行い、
情報再生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電
流を重畳する光ディスク装置において、前記半導体レー
ザを駆動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段
と、前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可
変手段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス
制御を行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検出
するノイズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段に
よりフォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振幅
検出手段の出力信号が所定の値以下となるように前記高
周波電流振幅可変手段を制御する高周波電流振幅制御手
段とを備えたので、消去動作，情報記録動作及び情報再
生動作のいずれも行わずに高周波電流を必要最小限の値
に設定でき、特別な温度制御手段を付加することなく高
周波重畳回路の発熱を少なく抑えることができ、半導体
レーザの長寿命化及び動作安定化が可能になる。また、
ノイズレベルをノイズ振幅という形で直接的に検出する
ことにより、高周波電流振幅の設定を正確に行うことが
できる。さらに、情報再生時には半導体レーザのノイズ
を抑制するので、再生信号の信頼性を上げることができ
る。

【００８１】請求項３記載の発明によれば、半導体レー
ザからの光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光
スポットに集光して情報の記録及び／又は再生を行い、
情報再生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電
流を重畳する光ディスク装置において、前記半導体レー
ザを駆動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段
と、前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可
変手段と、前記半導体レーザの射出光量を可変する光量
可変手段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカ
ス制御を行うフォーカス制御手段と、前記光ディスク上
の光スポットのトラッキング制御を行うトラッキング制
御手段と、情報再生時に再生信号の振幅を検出する再生
信号振幅検出手段と、情報再生時にノイズの振幅を検出
するノイズ振幅検出手段と、このノイズ振幅検出手段及
び前記再生信号振幅検出手段の出力信号から情報再生時
に再生信号振幅／ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定
の値以上となるように前記光量可変手段及び前記高周波
電流振幅可変手段を制御する制御手段とを備えたので、
Ｃ／Ｎが所定値以上となる必要最小限の高周波電流振幅
と再生パワーを設定することができて高周波重畳回路の
発熱を少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命
化及び動作安定化、低消費電力化が可能になる。

【００８２】請求項４記載の発明によれば、請求項３記
載の光ディスク装置において、前記フォーカス制御手段
のフォーカスサーボオフセットを可変するフォーカスサ
ーボオフセット可変手段と、情報再生時に再生信号の振
幅を検出する再生信号振幅検出手段とを備え、前記制御
手段が前記再生信号振幅検出手段及び前記ノイズ振幅検
出手段の出力信号から情報再生時に再生信号振幅／ノイ
ズ振幅の比を求めてこの比が所定の値以上となるように
前記光量可変手段、前記高周波電流振幅可変手段及び前
記フォーカスサーボオフセット可変手段を制御するの
で、高周波振幅、再生パワーを請求項３記載の光ディス
ク装置以上に小さく設定できるので、さらに高周波重畳
回路の発熱を抑制でき、半導体レーザの長寿命化及び動
作安定化、低消費電力化が可能になる。

【００８３】請求項５記載の発明によれば、半導体レー
ザからの光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光
スポットに集光して情報の記録及び／又は再生を行い、
情報再生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電
流を重畳する光ディスク装置において、前記半導体レー
ザのパワーを制御するパワー制御手段と、前記半導体レ
ーザのパワーを可変するパワー可変手段と、前記半導体
レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手
段と、前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅
可変手段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカ
ス制御を行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検
出するノイズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段
によりフォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振
幅検出手段の出力信号が所定の値以下となるように前記
パワー可変手段及び前記高周波電流振幅可変手段を制御
する制御手段とを備えたので、半導体レーザのノイズが
所定値以下となる必要最小限の高周波電流振幅と再生パ
ワーを設定することができて再生信号の信頼性を向上さ
せることができるとともに、高周波重畳回路の発熱を少
なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命化及び動
作安定化が可能になる。

【００８４】請求項６記載の発明によれば、請求項３，
４または５記載の光ディスク装置において、前記半導体
レーザの再生パワーの可変にかかわらず前記光ディスク
上での再生パワーを常に一定の値とする光量減衰手段を
備えたので、再生パワーの上昇による光ディスク上の記
録データの破壊といった問題がなくなって記録データの
信頼性が向上する。

【００８５】請求項７記載の発明によれば、請求項３，
４，５または６記載の光ディスク装置において、前記半
導体レーザの出射光量を可変したときにこの出射光量に
応じたフィルタを前記半導体レーザの出射側に設置する
ので、再生パワーの上昇による光ディスク上の記録デー
タの破壊といった問題がなくなって記録データの信頼性
が向上する。

【００８６】請求項８記載の発明によれば、請求項３，
４，５，６または７記載の光ディスク装置において、前
記光ディスクの半径方向位置により前記高周波電流の振
幅を可変するので、光ディスクの外周側では高周波電流
振幅をさらに小さくすることができ、さらに高周波重畳
回路の発熱を抑制できて半導体レーザの長寿命化及び動
作安定化、低消費電力化が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示すブロック図である。

【図２】同第１実施例におけるＣＰＵの処理フローを示
すフローチャートである。

【図３】同第１実施例における再生信号振幅検出回路及
びノイズ振幅検出回路の信号帯域を示す特性図である。

【図４】同第１実施例における半導体レーザのノイズが
大きい場合と小さい場合における減算アンプからの再生
信号の様子を示す図である。

【図５】本発明の第２実施例を示すブロック図である。

【図６】同第２実施例における高周波電流の振幅とＲＩ
Ｎとの関係を模式的に示す図である。

【図７】同第２実施例における半導体レーザのノイズが
小さい場合のＩ／Ｖ変換アンプの出力信号Ｖａの様子を
示す図である。

【図８】同第２実施例における半導体レーザのノイズが
大きい場合のＩ／Ｖ変換アンプの出力信号Ｖａの様子を
示す図である。

【図９】同第２実施例におけるＣＰＵの処理フローを示
すフローチャートである。

【図１０】同第２実施例における光スポットの光ディス
ク上の半径方向位置ｒとＣ／Ｎとの関係を示す図であ
る。

【図１１】本発明の第３実施例を示すブロック図であ
る。

【図１２】同第３実施例におけるＣＰＵの処理フローを
示すフローチャートである。

【図１３】半導体レーザの再生パワーとＲＩＮとの関係
を示す図である。

【図１４】本発明の第５実施例を示すブロック図であ
る。

【図１５】本発明の第６実施例を示すブロック図であ
る。

【図１６】同第６実施例におけるＣＰＵの処理フローを
示すフローチャートである。

【図１７】本発明の第７実施例の一部を示す正面図であ
る。

【図１８】同第７実施例におけるデフォーカス量と再生
信号の振幅及びノイズレベルとの関係を示す図である。

【図１９】本発明の第８実施例を示すブロック図であ
る。

【図２０】同第８実施例におけるＣＰＵの処理フローを
示すフローチャートである。

【符号の説明】

１１半導体レーザ１８ＬＤ制御回路１９ＣＰＵ２０対物レンズ２１光ディスク２７フォーカス制御回路３４トラック制御回路４２高周波重畳回路４６，５２，５８Ｄ／Ａ変換器４７再生信号振幅検出回路４８，４９ノイズ振幅検出回路５１振幅検出回路５３，５４フィルタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザからの光を対物レンズにより
光ディスク上に微小な光スポットに集光して情報の記録
及び／又は再生を行い、情報再生時には前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
おいて、前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
手段と、前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する高周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を可変
する高周波電流振幅可変手段と、前記光ディスク上の光
スポットのフォーカス制御を行うフォーカス制御手段
と、前記光ディスク上の光スポットのトラッキング制御
を行うトラッキング制御手段と、情報再生時に再生信号
の振幅を検出する再生信号振幅検出手段と、情報再生時
にノイズの振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、この
ノイズ振幅検出手段及び前記再生信号振幅検出手段の出
力信号から情報再生時に再生信号振幅／ノイズ振幅の比
を求めてこの比が所定の値以上となるように前記高周波
電流振幅可変手段を制御する高周波電流振幅制御手段と
を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】半導体レーザからの光を対物レンズにより
光ディスク上に微小な光スポットに集光して情報の記録
及び／又は再生を行い、情報再生時には前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
おいて、前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
手段と、前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する高周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を可変
する高周波電流振幅可変手段と、前記光ディスク上の光
スポットのフォーカス制御を行うフォーカス制御手段
と、ノイズの振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、前
記フォーカス制御手段によりフォーカス制御を行ってい
る状態で前記ノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の値
以下となるように前記高周波電流振幅可変手段を制御す
る高周波電流振幅制御手段とを備えたことを特徴とする
光ディスク装置。
【請求項３】半導体レーザからの光を対物レンズにより
光ディスク上に微小な光スポットに集光して情報の記録
及び／又は再生を行い、情報再生時には前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
おいて、前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
手段と、前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する高周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を可変
する高周波電流振幅可変手段と、前記半導体レーザの射
出光量を可変する光量可変手段と、前記光ディスク上の
光スポットのフォーカス制御を行うフォーカス制御手段
と、前記光ディスク上の光スポットのトラッキング制御
を行うトラッキング制御手段と、情報再生時に再生信号
の振幅を検出する再生信号振幅検出手段と、情報再生時
にノイズの振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、この
ノイズ振幅検出手段及び前記再生信号振幅検出手段の出
力信号から情報再生時に再生信号振幅／ノイズ振幅の比
を求めてこの比が所定の値以上となるように前記光量可
変手段及び前記高周波電流振幅可変手段を制御する制御
手段とを備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】請求項３記載の光ディスク装置において、
前記フォーカス制御手段のフォーカスサーボオフセット
を可変するフォーカスサーボオフセット可変手段と、情
報再生時に再生信号の振幅を検出する再生信号振幅検出
手段とを備え、前記制御手段が前記再生信号振幅検出手
段及び前記ノイズ振幅検出手段の出力信号から情報再生
時に再生信号振幅／ノイズ振幅の比を求めてこの比が所
定の値以上となるように前記光量可変手段、前記高周波
電流振幅可変手段及び前記フォーカスサーボオフセット
可変手段を制御することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】半導体レーザからの光を対物レンズにより
光ディスク上に微小な光スポットに集光して情報の記録
及び／又は再生を行い、情報再生時には前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
おいて、前記半導体レーザのパワーを制御するパワー制
御手段と、前記半導体レーザのパワーを可変するパワー
可変手段と、前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流
を重畳する高周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を
可変する高周波電流振幅可変手段と、前記光ディスク上
の光スポットのフォーカス制御を行うフォーカス制御手
段と、ノイズの振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、
前記フォーカス制御手段によりフォーカス制御を行って
いる状態で前記ノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の
値以下となるように前記パワー可変手段及び前記高周波
電流振幅可変手段を制御する制御手段とを備えたことを
特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】請求項３，４または５記載の光ディスク装
置において、前記半導体レーザの再生パワーの可変にか
かわらず前記光ディスク上での再生パワーを常に一定の
値とする光量減衰手段を備えたことを特徴とする光ディ
スク装置。
【請求項７】請求項３，４，５または６記載の光ディス
ク装置において、前記半導体レーザの出射光量を可変し
たときにこの出射光量に応じたフィルタを前記半導体レ
ーザの出射側に設置することを特徴とする光ディスク装
置。
【請求項８】請求項３，４，５，６または７記載の光デ
ィスク装置において、前記光ディスクの半径方向位置に
より前記高周波電流の振幅を可変することを特徴とする
光ディスク装置。