JPH0714202A - 光ディスク装置 - Google Patents
光ディスク装置Info
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- JPH0714202A JPH0714202A JP5157645A JP15764593A JPH0714202A JP H0714202 A JPH0714202 A JP H0714202A JP 5157645 A JP5157645 A JP 5157645A JP 15764593 A JP15764593 A JP 15764593A JP H0714202 A JPH0714202 A JP H0714202A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、高周波重畳手段の発熱を少なくし
て消費電力を低くし且つ輻射ノイズ及び半導体レーザの
ノイズを抑制することを目的とする。 【構成】 この発明は、半導体レーザ駆動手段18と、
高周波重畳手段42と、高周波電流振幅可変手段46
と、フォーカス制御手段27と、トラッキング制御手段
34と、再生信号振幅検出手段47と、ノイズ振幅検出
手段48,49と、ノイズ振幅検出手段48,49及び
再生信号振幅検出手段47の出力信号から情報再生時に
再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定の
値以上となるように高周波電流振幅可変手段46を制御
する高周波電流振幅制御手段19とを備えたものであ
る。
て消費電力を低くし且つ輻射ノイズ及び半導体レーザの
ノイズを抑制することを目的とする。 【構成】 この発明は、半導体レーザ駆動手段18と、
高周波重畳手段42と、高周波電流振幅可変手段46
と、フォーカス制御手段27と、トラッキング制御手段
34と、再生信号振幅検出手段47と、ノイズ振幅検出
手段48,49と、ノイズ振幅検出手段48,49及び
再生信号振幅検出手段47の出力信号から情報再生時に
再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定の
値以上となるように高周波電流振幅可変手段46を制御
する高周波電流振幅制御手段19とを備えたものであ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は情報再生時に半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
関する。
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】光源からの光を対物レンズにより光ディ
スク上に微小な光スポットに集光して情報の記録及び/
又は再生を行う光ディスク装置(光磁気ディスク装置を
含む)において、光源として半導体レーザを用いると、
光ディスクから半導体レーザへの戻り光により半導体レ
ーザのノイズが著しく増加する場合がある。
スク上に微小な光スポットに集光して情報の記録及び/
又は再生を行う光ディスク装置(光磁気ディスク装置を
含む)において、光源として半導体レーザを用いると、
光ディスクから半導体レーザへの戻り光により半導体レ
ーザのノイズが著しく増加する場合がある。
【0003】ここに、半導体レーザのノイズは半導体レ
ーザへの戻り光により常に増大するとは限らない。例え
ば、光ディスクの反射率、周囲温度、半導体レーザの発
光パワー、半導体レーザのばらつき等の様々な条件で半
導体レーザのノイズが増大したりしなかったりする。光
ディスク装置は、半導体レーザのノイズの増大が原因と
なって光ディスクに記録されているデータを正しく読み
出せなくなる場合がある。
ーザへの戻り光により常に増大するとは限らない。例え
ば、光ディスクの反射率、周囲温度、半導体レーザの発
光パワー、半導体レーザのばらつき等の様々な条件で半
導体レーザのノイズが増大したりしなかったりする。光
ディスク装置は、半導体レーザのノイズの増大が原因と
なって光ディスクに記録されているデータを正しく読み
出せなくなる場合がある。
【0004】そこで、LDノイズ低減方法として、光デ
ィスク装置において、半導体レーザの光ディスクからの
戻り光による影響を少なくするために、情報再生時に半
導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳させる高周波
電流重畳方法が「高周波電流重畳方法による半導体レー
ザ搭載ビデオディスクプレーヤのレーザノイズ低減化」
(光学第14巻第5号1985年10月)が提案されている。ま
た、高周波電流重畳方法において、所定のノイズ特性を
得るためには所定値以上の高周波電流振幅が必要である
ことが「高周波電流重畳方法による半導体レーザ搭載ビ
デオディスクプレーヤのレーザノイズ低減化」(光学第14
巻第5号1985年10月)に記載されている。
ィスク装置において、半導体レーザの光ディスクからの
戻り光による影響を少なくするために、情報再生時に半
導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳させる高周波
電流重畳方法が「高周波電流重畳方法による半導体レー
ザ搭載ビデオディスクプレーヤのレーザノイズ低減化」
(光学第14巻第5号1985年10月)が提案されている。ま
た、高周波電流重畳方法において、所定のノイズ特性を
得るためには所定値以上の高周波電流振幅が必要である
ことが「高周波電流重畳方法による半導体レーザ搭載ビ
デオディスクプレーヤのレーザノイズ低減化」(光学第14
巻第5号1985年10月)に記載されている。
【0005】また、特開平3ー25732号公報には、
高周波電流重畳方法を用いた光ディスク装置において、
再生信号のエラーレートを検出し、エラー数に応じて高
周波電流の振幅を可変して半導体レーザのノイズを低減
する半導体レーザのノイズ低減回路が記載されている。
高周波電流重畳方法を用いた光ディスク装置において、
再生信号のエラーレートを検出し、エラー数に応じて高
周波電流の振幅を可変して半導体レーザのノイズを低減
する半導体レーザのノイズ低減回路が記載されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記高周波電流重畳方
法では、高周波電流の周波数が数100MHZと高いた
めに輻射ノイズの問題が生ずるので、半導体レーザの駆
動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路をシール
ドケース内に入れたり、高周波重畳回路から半導体レー
ザまでの配線の長さを極力短くしたりするために、高周
波重畳回路の間近に半導体レーザを配置する必要があ
る。このため、高周波重畳回路により発生した熱が半導
体レーザに伝わって半導体レーザの寿命が短くなる恐れ
がある。なお、半導体レーザは温度が上昇した状態で
は、温度が上昇しない状態に対して寿命が短くなる。
法では、高周波電流の周波数が数100MHZと高いた
めに輻射ノイズの問題が生ずるので、半導体レーザの駆
動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路をシール
ドケース内に入れたり、高周波重畳回路から半導体レー
ザまでの配線の長さを極力短くしたりするために、高周
波重畳回路の間近に半導体レーザを配置する必要があ
る。このため、高周波重畳回路により発生した熱が半導
体レーザに伝わって半導体レーザの寿命が短くなる恐れ
がある。なお、半導体レーザは温度が上昇した状態で
は、温度が上昇しない状態に対して寿命が短くなる。
【0007】このような理由から高周波電流の振幅は可
能な限り小さい方が望ましいが、上述のように所定のノ
イズ特性を得るためには所定値以上の高周波電流振幅が
必要である。そこで、上記半導体レーザのノイズ低減回
路では、再生信号のエラーレートを検出し、エラー数に
応じて高周波電流の振幅を可変して半導体レーザのノイ
ズを低減するが、輻射ノイズの点で不利な条件をもたら
し、また、ノイズレベルを直接的に確認しておらず、高
周波電流振幅を大きくしていっても必ずしも半導体レー
ザのノイズを所望の値まで下げられるとは限らないの
で、半導体レーザのノイズを所望の値まで下げられるか
どうか分からなくて高周波電流振幅を大きくしても半導
体レーザのノイズを除去できないといった不具合が生ず
る。このため、ノイズレベルが高いままで情報を再生す
る可能性があり、再生信号の信頼性が薄くなる。
能な限り小さい方が望ましいが、上述のように所定のノ
イズ特性を得るためには所定値以上の高周波電流振幅が
必要である。そこで、上記半導体レーザのノイズ低減回
路では、再生信号のエラーレートを検出し、エラー数に
応じて高周波電流の振幅を可変して半導体レーザのノイ
ズを低減するが、輻射ノイズの点で不利な条件をもたら
し、また、ノイズレベルを直接的に確認しておらず、高
周波電流振幅を大きくしていっても必ずしも半導体レー
ザのノイズを所望の値まで下げられるとは限らないの
で、半導体レーザのノイズを所望の値まで下げられるか
どうか分からなくて高周波電流振幅を大きくしても半導
体レーザのノイズを除去できないといった不具合が生ず
る。このため、ノイズレベルが高いままで情報を再生す
る可能性があり、再生信号の信頼性が薄くなる。
【0008】本発明は、上記欠点を改善し、高周波電流
振幅を必要最小限にすることで高周波重畳手段の発熱を
少なくして消費電力を低くし且つ輻射ノイズ及び半導体
レーザのノイズを抑制することができる光ディスク装置
を提供することを目的とする。
振幅を必要最小限にすることで高周波重畳手段の発熱を
少なくして消費電力を低くし且つ輻射ノイズ及び半導体
レーザのノイズを抑制することができる光ディスク装置
を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、半導体レーザからの光を対
物レンズにより光ディスク上に微小な光スポットに集光
して情報の記録及び/又は再生を行い、情報再生時には
前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する光
ディスク装置において、前記半導体レーザを駆動する半
導体レーザ駆動手段と、前記半導体レーザの駆動電流に
高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記高周波電
流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手段と、前記光
ディスク上の光スポットのフォーカス制御を行うフォー
カス制御手段と、前記光ディスク上の光スポットのトラ
ッキング制御を行うトラッキング制御手段と、情報再生
時に再生信号の振幅を検出する再生信号振幅検出手段
と、情報再生時にノイズの振幅を検出するノイズ振幅検
出手段と、このノイズ振幅検出手段及び前記再生信号振
幅検出手段の出力信号から情報再生時に再生信号振幅/
ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定の値以上となるよ
うに前記高周波電流振幅可変手段を制御する高周波電流
振幅制御手段とを備えたものである。
め、請求項1記載の発明は、半導体レーザからの光を対
物レンズにより光ディスク上に微小な光スポットに集光
して情報の記録及び/又は再生を行い、情報再生時には
前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する光
ディスク装置において、前記半導体レーザを駆動する半
導体レーザ駆動手段と、前記半導体レーザの駆動電流に
高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記高周波電
流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手段と、前記光
ディスク上の光スポットのフォーカス制御を行うフォー
カス制御手段と、前記光ディスク上の光スポットのトラ
ッキング制御を行うトラッキング制御手段と、情報再生
時に再生信号の振幅を検出する再生信号振幅検出手段
と、情報再生時にノイズの振幅を検出するノイズ振幅検
出手段と、このノイズ振幅検出手段及び前記再生信号振
幅検出手段の出力信号から情報再生時に再生信号振幅/
ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定の値以上となるよ
うに前記高周波電流振幅可変手段を制御する高周波電流
振幅制御手段とを備えたものである。
【0010】請求項2記載の発明は、半導体レーザから
の光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光スポッ
トに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、情報再
生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する光ディスク装置において、前記半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レーザの駆
動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記
高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手段
と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス制御を
行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検出するノ
イズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段によりフ
ォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振幅検出手
段の出力信号が所定の値以下となるように前記高周波電
流振幅可変手段を制御する高周波電流振幅制御手段とを
備えたものである。
の光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光スポッ
トに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、情報再
生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する光ディスク装置において、前記半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レーザの駆
動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記
高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手段
と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス制御を
行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検出するノ
イズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段によりフ
ォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振幅検出手
段の出力信号が所定の値以下となるように前記高周波電
流振幅可変手段を制御する高周波電流振幅制御手段とを
備えたものである。
【0011】請求項3記載の発明は、半導体レーザから
の光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光スポッ
トに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、情報再
生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する光ディスク装置において、前記半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レーザの駆
動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記
高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手段
と、前記半導体レーザの射出光量を可変する光量可変手
段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス制御
を行うフォーカス制御手段と、前記光ディスク上の光ス
ポットのトラッキング制御を行うトラッキング制御手段
と、情報再生時に再生信号の振幅を検出する再生信号振
幅検出手段と、情報再生時にノイズの振幅を検出するノ
イズ振幅検出手段と、このノイズ振幅検出手段及び前記
再生信号振幅検出手段の出力信号から情報再生時に再生
信号振幅/ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定の値以
上となるように前記光量可変手段及び前記高周波電流振
幅可変手段を制御する制御手段とを備えたものである。
の光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光スポッ
トに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、情報再
生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する光ディスク装置において、前記半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レーザの駆
動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記
高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手段
と、前記半導体レーザの射出光量を可変する光量可変手
段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス制御
を行うフォーカス制御手段と、前記光ディスク上の光ス
ポットのトラッキング制御を行うトラッキング制御手段
と、情報再生時に再生信号の振幅を検出する再生信号振
幅検出手段と、情報再生時にノイズの振幅を検出するノ
イズ振幅検出手段と、このノイズ振幅検出手段及び前記
再生信号振幅検出手段の出力信号から情報再生時に再生
信号振幅/ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定の値以
上となるように前記光量可変手段及び前記高周波電流振
幅可変手段を制御する制御手段とを備えたものである。
【0012】請求項4記載の発明は、請求項3記載の光
ディスク装置において、前記フォーカス制御手段のフォ
ーカスサーボオフセットを可変するフォーカスサーボオ
フセット可変手段と、情報再生時に再生信号の振幅を検
出する再生信号振幅検出手段とを備え、前記制御手段が
前記再生信号振幅検出手段及び前記ノイズ振幅検出手段
の出力信号から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅
の比を求めてこの比が所定の値以上となるように前記光
量可変手段、前記高周波電流振幅可変手段及び前記フォ
ーカスサーボオフセット可変手段を制御するものであ
る。
ディスク装置において、前記フォーカス制御手段のフォ
ーカスサーボオフセットを可変するフォーカスサーボオ
フセット可変手段と、情報再生時に再生信号の振幅を検
出する再生信号振幅検出手段とを備え、前記制御手段が
前記再生信号振幅検出手段及び前記ノイズ振幅検出手段
の出力信号から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅
の比を求めてこの比が所定の値以上となるように前記光
量可変手段、前記高周波電流振幅可変手段及び前記フォ
ーカスサーボオフセット可変手段を制御するものであ
る。
【0013】請求項5記載の発明は、半導体レーザから
の光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光スポッ
トに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、情報再
生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する光ディスク装置において、前記半導体レーザのパ
ワーを制御するパワー制御手段と、前記半導体レーザの
パワーを可変するパワー可変手段と、前記半導体レーザ
の駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、
前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手
段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス制御
を行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検出する
ノイズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段により
フォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振幅検出
手段の出力信号が所定の値以下となるように前記パワー
可変手段及び前記高周波電流振幅可変手段を制御する制
御手段とを備えたものである。
の光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光スポッ
トに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、情報再
生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する光ディスク装置において、前記半導体レーザのパ
ワーを制御するパワー制御手段と、前記半導体レーザの
パワーを可変するパワー可変手段と、前記半導体レーザ
の駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、
前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可変手
段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス制御
を行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検出する
ノイズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段により
フォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振幅検出
手段の出力信号が所定の値以下となるように前記パワー
可変手段及び前記高周波電流振幅可変手段を制御する制
御手段とを備えたものである。
【0014】請求項6記載の発明は、請求項3,4また
は5記載の光ディスク装置において、前記半導体レーザ
の再生パワーの可変にかかわらず前記光ディスク上での
再生パワーを常に一定の値とする光量減衰手段を備えた
ものである。
は5記載の光ディスク装置において、前記半導体レーザ
の再生パワーの可変にかかわらず前記光ディスク上での
再生パワーを常に一定の値とする光量減衰手段を備えた
ものである。
【0015】請求項7記載の発明は、請求項3,4,5
または6記載の光ディスク装置において、前記半導体レ
ーザの出射光量を可変したときにこの出射光量に応じた
フィルタを前記半導体レーザの出射側に設置するもので
ある。
または6記載の光ディスク装置において、前記半導体レ
ーザの出射光量を可変したときにこの出射光量に応じた
フィルタを前記半導体レーザの出射側に設置するもので
ある。
【0016】請求項8記載の発明は、請求項3,4,
5,6または7記載の光ディスク装置において、前記光
ディスクの半径方向位置により前記高周波電流の振幅を
可変するものである。
5,6または7記載の光ディスク装置において、前記光
ディスクの半径方向位置により前記高周波電流の振幅を
可変するものである。
【0017】
【作用】請求項1記載の発明では、半導体レーザが半導
体レーザ駆動手段により駆動され、高周波重畳手段が半
導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する。高周波
電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により可変され、
光ディスク上の光スポットのフォーカス制御がフォーカ
ス制御手段により行われる。光ディスク上の光スポット
のトラッキング制御がトラッキング制御手段により行わ
れ、情報再生時に再生信号の振幅が再生信号振幅検出手
段により検出される。情報再生時にノイズの振幅がノイ
ズ振幅検出手段により検出され、高周波電流振幅制御手
段はノイズ振幅検出手段及び再生信号振幅検出手段の出
力信号から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比
を求めてこの比が所定の値以上となるように高周波電流
振幅可変手段を制御する。
体レーザ駆動手段により駆動され、高周波重畳手段が半
導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する。高周波
電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により可変され、
光ディスク上の光スポットのフォーカス制御がフォーカ
ス制御手段により行われる。光ディスク上の光スポット
のトラッキング制御がトラッキング制御手段により行わ
れ、情報再生時に再生信号の振幅が再生信号振幅検出手
段により検出される。情報再生時にノイズの振幅がノイ
ズ振幅検出手段により検出され、高周波電流振幅制御手
段はノイズ振幅検出手段及び再生信号振幅検出手段の出
力信号から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比
を求めてこの比が所定の値以上となるように高周波電流
振幅可変手段を制御する。
【0018】請求項2記載の発明では、半導体レーザが
半導体レーザ駆動手段により駆動され、高周波重畳手段
が半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する。高
周波電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により可変さ
れ、光ディスク上の光スポットのフォーカス制御がフォ
ーカス制御手段により行われる。ノイズの振幅がノイズ
振幅検出手段により検出され、高周波電流振幅制御手段
はフォーカス制御手段によりフォーカス制御を行ってい
る状態でノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の値以下
となるように高周波電流振幅可変手段を制御する。
半導体レーザ駆動手段により駆動され、高周波重畳手段
が半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する。高
周波電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により可変さ
れ、光ディスク上の光スポットのフォーカス制御がフォ
ーカス制御手段により行われる。ノイズの振幅がノイズ
振幅検出手段により検出され、高周波電流振幅制御手段
はフォーカス制御手段によりフォーカス制御を行ってい
る状態でノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の値以下
となるように高周波電流振幅可変手段を制御する。
【0019】請求項3記載の発明では、半導体レーザが
半導体レーザ駆動手段により駆動され、高周波重畳手段
が半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する。高
周波電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により可変さ
れ、半導体レーザの射出光量が光量可変手段により可変
される。光ディスク上の光スポットのフォーカス制御が
フォーカス制御手段により行われ、光ディスク上の光ス
ポットのトラッキング制御がトラッキング制御手段によ
り行われる。情報再生時に再生信号の振幅が再生信号振
幅検出手段により検出され、情報再生時にノイズの振幅
がノイズ振幅検出手段により検出される。制御手段はノ
イズ振幅検出手段及び再生信号振幅検出手段の出力信号
から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求め
てこの比が所定の値以上となるように光量可変手段及び
高周波電流振幅可変手段を制御する。
半導体レーザ駆動手段により駆動され、高周波重畳手段
が半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する。高
周波電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により可変さ
れ、半導体レーザの射出光量が光量可変手段により可変
される。光ディスク上の光スポットのフォーカス制御が
フォーカス制御手段により行われ、光ディスク上の光ス
ポットのトラッキング制御がトラッキング制御手段によ
り行われる。情報再生時に再生信号の振幅が再生信号振
幅検出手段により検出され、情報再生時にノイズの振幅
がノイズ振幅検出手段により検出される。制御手段はノ
イズ振幅検出手段及び再生信号振幅検出手段の出力信号
から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求め
てこの比が所定の値以上となるように光量可変手段及び
高周波電流振幅可変手段を制御する。
【0020】請求項4記載の発明では、請求項3記載の
光ディスク装置において、フォーカス制御手段のフォー
カスサーボオフセットがフォーカスサーボオフセット可
変手段により可変され、情報再生時に再生信号の振幅が
再生信号振幅検出手段により検出される。制御手段は再
生信号振幅検出手段及びノイズ振幅検出手段の出力信号
から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求め
てこの比が所定の値以上となるように光量可変手段、高
周波電流振幅可変手段及びフォーカスサーボオフセット
可変手段を制御する。
光ディスク装置において、フォーカス制御手段のフォー
カスサーボオフセットがフォーカスサーボオフセット可
変手段により可変され、情報再生時に再生信号の振幅が
再生信号振幅検出手段により検出される。制御手段は再
生信号振幅検出手段及びノイズ振幅検出手段の出力信号
から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求め
てこの比が所定の値以上となるように光量可変手段、高
周波電流振幅可変手段及びフォーカスサーボオフセット
可変手段を制御する。
【0021】請求項5記載の発明では、半導体レーザの
パワーがパワー制御手段により制御され、半導体レーザ
のパワーがパワー可変手段により可変される。高周波重
畳手段が半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳
し、高周波電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により
可変される。光ディスク上の光スポットのフォーカス制
御がフォーカス制御手段により行われ、ノイズの振幅が
ノイズ振幅検出手段により検出される。制御手段はフォ
ーカス制御手段によりフォーカス制御を行っている状態
でノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の値以下となる
ようにパワー可変手段及び高周波電流振幅可変手段を制
御する。
パワーがパワー制御手段により制御され、半導体レーザ
のパワーがパワー可変手段により可変される。高周波重
畳手段が半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳
し、高周波電流の振幅が高周波電流振幅可変手段により
可変される。光ディスク上の光スポットのフォーカス制
御がフォーカス制御手段により行われ、ノイズの振幅が
ノイズ振幅検出手段により検出される。制御手段はフォ
ーカス制御手段によりフォーカス制御を行っている状態
でノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の値以下となる
ようにパワー可変手段及び高周波電流振幅可変手段を制
御する。
【0022】請求項6記載の発明では、請求項3,4ま
たは5記載の光ディスク装置において、光量減衰手段が
半導体レーザの再生パワーの可変にかかわらず光ディス
ク上での再生パワーを常に一定の値とする。
たは5記載の光ディスク装置において、光量減衰手段が
半導体レーザの再生パワーの可変にかかわらず光ディス
ク上での再生パワーを常に一定の値とする。
【0023】請求項7記載の発明では、請求項3,4,
5または6記載の光ディスク装置において、半導体レー
ザの出射光量を可変したときにこの出射光量に応じたフ
ィルタが半導体レーザの出射側に設置される。
5または6記載の光ディスク装置において、半導体レー
ザの出射光量を可変したときにこの出射光量に応じたフ
ィルタが半導体レーザの出射側に設置される。
【0024】請求項8記載の発明では、請求項3,4,
5,6または7記載の光ディスク装置において、光ディ
スクの半径方向位置により高周波電流の振幅を可変す
る。
5,6または7記載の光ディスク装置において、光ディ
スクの半径方向位置により高周波電流の振幅を可変す
る。
【0025】
【実施例】図1は本発明の第1実施例を示す。この第1
実施例は請求項1記載の発明の実施例である。半導体レ
ーザ11から出射された光は、カップリングレンズ12
により平行光となり、ビームスプリッタ13により2つ
に分けられてその一方の反射光が集光レンズ14により
パワーモニタ用受光素子15に集光される。パワーモニ
タ用受光素子15は集光レンズ14からの光を光電変換
してその光量に比例した出力電流を出力する。パワーモ
ニタ用受光素子15の出力電流は電流/電圧(I/V)変
換アンプ16によりI/V変換され、このI/V変換ア
ンプ16の出力信号電圧Vaが半導体レーザ(LD)制御
回路17へ与えられる。
実施例は請求項1記載の発明の実施例である。半導体レ
ーザ11から出射された光は、カップリングレンズ12
により平行光となり、ビームスプリッタ13により2つ
に分けられてその一方の反射光が集光レンズ14により
パワーモニタ用受光素子15に集光される。パワーモニ
タ用受光素子15は集光レンズ14からの光を光電変換
してその光量に比例した出力電流を出力する。パワーモ
ニタ用受光素子15の出力電流は電流/電圧(I/V)変
換アンプ16によりI/V変換され、このI/V変換ア
ンプ16の出力信号電圧Vaが半導体レーザ(LD)制御
回路17へ与えられる。
【0026】半導体レーザ11はLD駆動回路18によ
り駆動され、LD制御回路17はI/V変換アンプ16
の出力電圧Vaに応じてLD駆動回路18を制御するこ
とにより半導体レーザ11の光量をI/V変換アンプ1
6の出力電圧に応じて制御する。また、マイクロコンピ
ュータ(CPU)19は図示しないD/A変換器を介して
LD制御回路17にデータを与えることで半導体レーザ
11の光量を変更できる。
り駆動され、LD制御回路17はI/V変換アンプ16
の出力電圧Vaに応じてLD駆動回路18を制御するこ
とにより半導体レーザ11の光量をI/V変換アンプ1
6の出力電圧に応じて制御する。また、マイクロコンピ
ュータ(CPU)19は図示しないD/A変換器を介して
LD制御回路17にデータを与えることで半導体レーザ
11の光量を変更できる。
【0027】ビームスプリッタ13により分けられたも
う一方の透過光は対物レンズ20により光ディスク21
上に集光されて光スポットが光ディスク21上に形成さ
れる。光ディスク21からの反射光は、対物レンズ20
を通ってビームスプリッタ13により反射され、集光レ
ンズ22で集光されて一部がナイフエッジプリズム23
を通過した後にフォーカス用2分割受光素子24で受光
されてその光量に比例した出力電流に光電変換される。
う一方の透過光は対物レンズ20により光ディスク21
上に集光されて光スポットが光ディスク21上に形成さ
れる。光ディスク21からの反射光は、対物レンズ20
を通ってビームスプリッタ13により反射され、集光レ
ンズ22で集光されて一部がナイフエッジプリズム23
を通過した後にフォーカス用2分割受光素子24で受光
されてその光量に比例した出力電流に光電変換される。
【0028】このフォーカス用2分割受光素子24の各
部分の出力電流はI/V変換アンプ25,26によりI
/V変換されてフォーカス制御回路27に入力される。
フォーカス制御回路27は、I/V変換アンプ25,2
6の出力電圧の差をとってフォーカスエラー信号を得、
このフォーカスエラー信号をフォーカス用駆動回路28
及びCPU19へ出力する。フォーカス用駆動回路28
はフォーカス制御回路27からのフォーカスエラー信号
によりフォーカスアクチュエータ29を駆動し、フォー
カスアクチュエータ29が対物レンズ20をフォーカス
方向(光軸方向)へ移動させて光ディスク21上の光スポ
ットのフォーカシングを行う。
部分の出力電流はI/V変換アンプ25,26によりI
/V変換されてフォーカス制御回路27に入力される。
フォーカス制御回路27は、I/V変換アンプ25,2
6の出力電圧の差をとってフォーカスエラー信号を得、
このフォーカスエラー信号をフォーカス用駆動回路28
及びCPU19へ出力する。フォーカス用駆動回路28
はフォーカス制御回路27からのフォーカスエラー信号
によりフォーカスアクチュエータ29を駆動し、フォー
カスアクチュエータ29が対物レンズ20をフォーカス
方向(光軸方向)へ移動させて光ディスク21上の光スポ
ットのフォーカシングを行う。
【0029】また、集光レンズ22からの光の他の一部
がナイフエッジプリズム23により反射されて偏光ビー
ムスプリッタ30により2つに分けられ、その一方の反
射光がトラック用2分割受光素子31で受光されてその
光量に比例した出力電流に光電変換される。このトラッ
ク用2分割受光素子31の各部分の出力電流はI/V変
換アンプ32,33によりI/V変換されてトラック制
御回路34に入力される。
がナイフエッジプリズム23により反射されて偏光ビー
ムスプリッタ30により2つに分けられ、その一方の反
射光がトラック用2分割受光素子31で受光されてその
光量に比例した出力電流に光電変換される。このトラッ
ク用2分割受光素子31の各部分の出力電流はI/V変
換アンプ32,33によりI/V変換されてトラック制
御回路34に入力される。
【0030】トラック制御回路34は、I/V変換アン
プ32,33の出力電圧の差をとってトラックエラー信
号を得、このトラックエラー信号をトラック用駆動回路
35及びCPU19へ出力する。トラック用駆動回路3
5はトラック制御回路34からのトラックエラー信号に
よりトラックアクチュエータ36を駆動し、トラックア
クチュエータ36が対物レンズ20をトラッキング方向
(光ディスク21上のトラックと交差する半径方向)へ移
動させて光ディスク21上の光スポットのトラッキング
を行う。
プ32,33の出力電圧の差をとってトラックエラー信
号を得、このトラックエラー信号をトラック用駆動回路
35及びCPU19へ出力する。トラック用駆動回路3
5はトラック制御回路34からのトラックエラー信号に
よりトラックアクチュエータ36を駆動し、トラックア
クチュエータ36が対物レンズ20をトラッキング方向
(光ディスク21上のトラックと交差する半径方向)へ移
動させて光ディスク21上の光スポットのトラッキング
を行う。
【0031】偏光ビームスプリッタ30により分けられ
たもう一方の透過光は光磁気信号用受光素子37で受光
されてその光量に比例した出力電流に光電変換され、こ
の出力電流がI/V変換アンプ38によりI/V変換さ
れる。加算アンプ39はI/V変換アンプ32,38の
出力電圧の和をとり、加算アンプ40はI/V変換アン
プ38の出力信号と加算アンプ39の出力信号との和を
とってその和信号を出力する。また、減算アンプ41は
I/V変換アンプ38の出力信号から加算アンプ39の
出力信号を減算することにより差信号を得てこの差信号
を再生系及びCPU19に出力する。
たもう一方の透過光は光磁気信号用受光素子37で受光
されてその光量に比例した出力電流に光電変換され、こ
の出力電流がI/V変換アンプ38によりI/V変換さ
れる。加算アンプ39はI/V変換アンプ32,38の
出力電圧の和をとり、加算アンプ40はI/V変換アン
プ38の出力信号と加算アンプ39の出力信号との和を
とってその和信号を出力する。また、減算アンプ41は
I/V変換アンプ38の出力信号から加算アンプ39の
出力信号を減算することにより差信号を得てこの差信号
を再生系及びCPU19に出力する。
【0032】半導体レーザ11は光ディスク21からの
戻り光により発光出力にノイズがのるので、LD駆動回
路18から半導体レーザ11への駆動電流は高周波重畳
回路42からコンデンサ43を介して高周波電流が重畳
される。高周波重畳回路42は高周波発振回路44と増
幅回路45とからなり、高周波発振回路44からの高周
波電流が増幅回路45により増幅されてコンデンサ43
を介してLD駆動回路18から半導体レーザ11への駆
動電流に重畳される。増幅回路45はD/A変換器46
の出力信号により増幅度が変化して高周波電流の振幅を
変化させる。D/A変換器46はCPU19からのデー
タをD/A変換して増幅回路45に出力し、CPU19
から高周波電流の振幅を制御できる。
戻り光により発光出力にノイズがのるので、LD駆動回
路18から半導体レーザ11への駆動電流は高周波重畳
回路42からコンデンサ43を介して高周波電流が重畳
される。高周波重畳回路42は高周波発振回路44と増
幅回路45とからなり、高周波発振回路44からの高周
波電流が増幅回路45により増幅されてコンデンサ43
を介してLD駆動回路18から半導体レーザ11への駆
動電流に重畳される。増幅回路45はD/A変換器46
の出力信号により増幅度が変化して高周波電流の振幅を
変化させる。D/A変換器46はCPU19からのデー
タをD/A変換して増幅回路45に出力し、CPU19
から高周波電流の振幅を制御できる。
【0033】また、減算アンプ41からの差信号は再生
信号として再生信号振幅検出回路47及びノイズ振幅検
出回路48,49に入力され、再生信号振幅検出回路4
7は減算アンプ41からの再生信号の振幅を検出する。
ノイズ振幅検出回路48,49は減算アンプ41からの
再生信号よりノイズの振幅を後述のように検出し、再生
信号振幅検出回路47及びノイズ振幅検出回路48,4
9の出力信号Vb,Vc,Vdは図示しないA/D変換
器でA/D変換された後にCPU19に入力される。
信号として再生信号振幅検出回路47及びノイズ振幅検
出回路48,49に入力され、再生信号振幅検出回路4
7は減算アンプ41からの再生信号の振幅を検出する。
ノイズ振幅検出回路48,49は減算アンプ41からの
再生信号よりノイズの振幅を後述のように検出し、再生
信号振幅検出回路47及びノイズ振幅検出回路48,4
9の出力信号Vb,Vc,Vdは図示しないA/D変換
器でA/D変換された後にCPU19に入力される。
【0034】図2はCPU19の処理フローの一部を示
す。CPU19はD/A変換器46にA1=0のデータ
を設定することで増幅回路45の増幅度A1を0に設定
する。これは高周波発振回路44からの高周波電流が増
幅回路45で増幅されなくなって半導体レーザ11の駆
動電流に高周波電流が重畳されず、半導体レーザ11の
ノイズが大きい状態である。
す。CPU19はD/A変換器46にA1=0のデータ
を設定することで増幅回路45の増幅度A1を0に設定
する。これは高周波発振回路44からの高周波電流が増
幅回路45で増幅されなくなって半導体レーザ11の駆
動電流に高周波電流が重畳されず、半導体レーザ11の
ノイズが大きい状態である。
【0035】次に、CPU19は図示しないD/A変換
器、LD制御回路17を介してLD駆動回路18を作動
させて半導体レーザ11を点灯させ、フォーカス制御回
路27及びトラック制御回路34を介してフォーカスサ
ーボ及びトラックサーボをかけて光ディスク21の内周
テストゾーンまで光ピックアップ50を移動させる。こ
こに、フォーカスサーボ系は対物レンズ20、ビームス
プリッタ13、集光レンズ22、ナイフエッジプリズム
23、フォーカス用2分割受光素子24、I/V変換ア
ンプ25,26、フォーカス制御回路27、フォーカス
用駆動回路28、フォーカスアクチュエータ29により
構成される。
器、LD制御回路17を介してLD駆動回路18を作動
させて半導体レーザ11を点灯させ、フォーカス制御回
路27及びトラック制御回路34を介してフォーカスサ
ーボ及びトラックサーボをかけて光ディスク21の内周
テストゾーンまで光ピックアップ50を移動させる。こ
こに、フォーカスサーボ系は対物レンズ20、ビームス
プリッタ13、集光レンズ22、ナイフエッジプリズム
23、フォーカス用2分割受光素子24、I/V変換ア
ンプ25,26、フォーカス制御回路27、フォーカス
用駆動回路28、フォーカスアクチュエータ29により
構成される。
【0036】また、トラックサーボ系は対物レンズ2
0、ビームスプリッタ13、集光レンズ22、ナイフエ
ッジプリズム23、トラック用2分割受光素子31、I
/V変換アンプ32,33、トラック制御回路34、ト
ラック用駆動回路35、トラックアクチュエータ36に
より構成される。また、光ピックアップ50は図示しな
い光ピックアップ移送手段により光ディスク21の半径
方向へ移送され、光ピックアップ移送手段はCPU19
により制御される。
0、ビームスプリッタ13、集光レンズ22、ナイフエ
ッジプリズム23、トラック用2分割受光素子31、I
/V変換アンプ32,33、トラック制御回路34、ト
ラック用駆動回路35、トラックアクチュエータ36に
より構成される。また、光ピックアップ50は図示しな
い光ピックアップ移送手段により光ディスク21の半径
方向へ移送され、光ピックアップ移送手段はCPU19
により制御される。
【0037】CPU19は図示しないD/A変換器、L
D制御回路17を介してLD駆動回路18を制御して半
導体レーザ11を消去パワーで発光させることにより、
光ディスク21上の内周テストゾーンをイレースさせた
後に、図示しないD/A変換器及びLD制御回路17を
介してLD駆動回路18を制御して本装置の最高記録周
波数のデータパターンを光ディスク21の内周テストゾ
ーンに記録させる。次に、CPU19は図示しないD/
A変換器及びLD制御回路17を介してLD駆動回路1
8を制御して光ディスク21の内周テストゾーンからデ
ータパターンのデータを再生させ、減算アンプ41から
の再生信号に対する再生信号振幅検出回路47及びノイ
ズ振幅検出回路48,49の出力信号を図示しないA/
D変換器を介して取り込む。
D制御回路17を介してLD駆動回路18を制御して半
導体レーザ11を消去パワーで発光させることにより、
光ディスク21上の内周テストゾーンをイレースさせた
後に、図示しないD/A変換器及びLD制御回路17を
介してLD駆動回路18を制御して本装置の最高記録周
波数のデータパターンを光ディスク21の内周テストゾ
ーンに記録させる。次に、CPU19は図示しないD/
A変換器及びLD制御回路17を介してLD駆動回路1
8を制御して光ディスク21の内周テストゾーンからデ
ータパターンのデータを再生させ、減算アンプ41から
の再生信号に対する再生信号振幅検出回路47及びノイ
ズ振幅検出回路48,49の出力信号を図示しないA/
D変換器を介して取り込む。
【0038】ここで、再生信号振幅検出回路47及びノ
イズ振幅検出回路48,49の信号帯域は図3に示すよ
うになっている。図3において、fは周波数、f0は本
装置の最高記録周波数であり、再生信号振幅検出回路4
7はf0を中心として±Δfの帯域を有するバンドパス
フィルタである。ノイズ振幅検出回路48,49はf0
±f1をそれぞれ中心として±Δfの帯域を有するバン
ドパスフィルタである。
イズ振幅検出回路48,49の信号帯域は図3に示すよ
うになっている。図3において、fは周波数、f0は本
装置の最高記録周波数であり、再生信号振幅検出回路4
7はf0を中心として±Δfの帯域を有するバンドパス
フィルタである。ノイズ振幅検出回路48,49はf0
±f1をそれぞれ中心として±Δfの帯域を有するバン
ドパスフィルタである。
【0039】また、図4は半導体レーザ11のノイズが
大きい場合と小さい場合における減算アンプ41からの
再生信号の様子を示す。半導体レーザ11のノイズが大
きい場合のノイズレベルをN'dBとし、半導体レーザ
11のノイズが小さい場合のノイズレベルをNdBとす
れば、N'>Nの関係が成立し、ノイズレベルを検出す
ることで半導体レーザ11のノイズ量を検出することが
できる。
大きい場合と小さい場合における減算アンプ41からの
再生信号の様子を示す。半導体レーザ11のノイズが大
きい場合のノイズレベルをN'dBとし、半導体レーザ
11のノイズが小さい場合のノイズレベルをNdBとす
れば、N'>Nの関係が成立し、ノイズレベルを検出す
ることで半導体レーザ11のノイズ量を検出することが
できる。
【0040】CPU19は再生信号振幅検出回路47か
らのデータVb、ノイズ振幅検出回路48,49からの
各データVc,VdよりVb÷(Vc+Vd)/2なる計
算を行い、その計算結果が所定の値γ以上であるか否か
を判断する。そして、CPU19は計算結果がγより小
さい場合にはD/A変換器46のデータをインクリメン
トしてA1←A1+1とし、上記高周波電流の振幅を大き
くした後に、データパターンデータステップへ戻る。こ
のような動作が繰り返されて計算結果がγ以上になる
と、このときのA1のデータが以後はD/A変換器46
に設定されたままとなる。このため、高周波電流が必要
最小限の値に設定されて半導体レーザ11のノイズが小
さい状態が達成され、高周波重畳回路42の発熱が少な
く抑えられ、かつ、低消費電力化が達成される。
らのデータVb、ノイズ振幅検出回路48,49からの
各データVc,VdよりVb÷(Vc+Vd)/2なる計
算を行い、その計算結果が所定の値γ以上であるか否か
を判断する。そして、CPU19は計算結果がγより小
さい場合にはD/A変換器46のデータをインクリメン
トしてA1←A1+1とし、上記高周波電流の振幅を大き
くした後に、データパターンデータステップへ戻る。こ
のような動作が繰り返されて計算結果がγ以上になる
と、このときのA1のデータが以後はD/A変換器46
に設定されたままとなる。このため、高周波電流が必要
最小限の値に設定されて半導体レーザ11のノイズが小
さい状態が達成され、高周波重畳回路42の発熱が少な
く抑えられ、かつ、低消費電力化が達成される。
【0041】このように、第1実施例では、再生信号振
幅とノイズ振幅を検出して高周波電流振幅を可変するの
で、高周波電流を必要最小限の値に設定でき、特別な温
度制御手段を付加することなく高周波重畳回路の発熱を
少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命化及び
動作安定化が可能になる。また、ノイズレベルをノイズ
振幅という形で直接的に検出するので、高周波電流振幅
の設定を正確に行うことができる。さらに、情報再生時
に半導体レーザのノイズを抑制するので、再生信号の信
頼性を上げることができる。
幅とノイズ振幅を検出して高周波電流振幅を可変するの
で、高周波電流を必要最小限の値に設定でき、特別な温
度制御手段を付加することなく高周波重畳回路の発熱を
少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命化及び
動作安定化が可能になる。また、ノイズレベルをノイズ
振幅という形で直接的に検出するので、高周波電流振幅
の設定を正確に行うことができる。さらに、情報再生時
に半導体レーザのノイズを抑制するので、再生信号の信
頼性を上げることができる。
【0042】図5は本発明の第2実施例を示し、図1と
同一部分には同一符号が付してある。 この第2実施例
は、請求項2記載の発明の実施例である。第2実施例で
は、上記第1実施例において、再生信号振幅検出回路4
7及びノイズ振幅検出回路48,49が省略され、I/
V変換アンプ16の出力信号の振幅が振幅検出回路51
により検出されてその出力信号が図示しないA/D変換
器でA/D変換された後にCPU19に入力される。
同一部分には同一符号が付してある。 この第2実施例
は、請求項2記載の発明の実施例である。第2実施例で
は、上記第1実施例において、再生信号振幅検出回路4
7及びノイズ振幅検出回路48,49が省略され、I/
V変換アンプ16の出力信号の振幅が振幅検出回路51
により検出されてその出力信号が図示しないA/D変換
器でA/D変換された後にCPU19に入力される。
【0043】ところで、半導体レーザ11のノイズは高
周波電流重畳法により低減される。半導体レーザ11の
ノイズは相対雑音強度(RIN)により規定され、一般的
にはRIN≦−120dB/Hzが望ましい。図6は高
周波電流の振幅(相対値)とRINとの関係を模式的に示
す。高周波電流振幅=0とは半導体レーザ11の駆動電
流に高周波電流を重畳していないことを示す。
周波電流重畳法により低減される。半導体レーザ11の
ノイズは相対雑音強度(RIN)により規定され、一般的
にはRIN≦−120dB/Hzが望ましい。図6は高
周波電流の振幅(相対値)とRINとの関係を模式的に示
す。高周波電流振幅=0とは半導体レーザ11の駆動電
流に高周波電流を重畳していないことを示す。
【0044】図6から分かるようにRINは、高周波電
流の振幅が大きくなると改善され、ある値で飽和する。
この高周波電流振幅対RIN特性は光ディスクの反射
率、周囲温度、半導体レーザの発光パワー、半導体レー
ザのバラツキ等によりばらつく。図7及び図8は半導体
レーザ11のノイズが大きい場合と半導体レーザ11の
ノイズが小さい場合とにおけるI/V変換アンプ16の
出力信号Va(パワーモニタ用受光素子15の出力信号
をI/V変換したもの)の様子をそれぞれ示す。半導体
レーザ11のノイズが小さい場合には図7に示すように
Vaはほぼ一定であるが、半導体レーザ11のノイズが
大きくなると、図8に示すようにVaはノイズ成分が重
畳されてVa±αとなる。よって、Vaの振幅を検出す
ることで半導体レーザ11のノイズ量を検出することが
できる。
流の振幅が大きくなると改善され、ある値で飽和する。
この高周波電流振幅対RIN特性は光ディスクの反射
率、周囲温度、半導体レーザの発光パワー、半導体レー
ザのバラツキ等によりばらつく。図7及び図8は半導体
レーザ11のノイズが大きい場合と半導体レーザ11の
ノイズが小さい場合とにおけるI/V変換アンプ16の
出力信号Va(パワーモニタ用受光素子15の出力信号
をI/V変換したもの)の様子をそれぞれ示す。半導体
レーザ11のノイズが小さい場合には図7に示すように
Vaはほぼ一定であるが、半導体レーザ11のノイズが
大きくなると、図8に示すようにVaはノイズ成分が重
畳されてVa±αとなる。よって、Vaの振幅を検出す
ることで半導体レーザ11のノイズ量を検出することが
できる。
【0045】第2実施例はこの点を利用したものであ
り、図9は第2実施例におけるCPU19の処理フロー
を示す。CPU19はD/A変換器46にA1=0のデ
ータを設定することで増幅回路45の増幅度A1を0に
設定する。次に、CPU19はLD制御回路17を介し
てLD駆動回路18を作動させて半導体レーザ11を点
灯させ、フォーカス制御回路27を介してフォーカスサ
ーボをかける。この時、半導体レーザ11のノイズが大
きいと、I/V変換アンプ16の出力信号Vaは図8に
示すようになる。I/V変換アンプ16の出力信号Va
の振幅は振幅検出回路51により検出されてその出力信
号が図示しないA/D変換器でA/D変換された後にC
PU19に入力される。
り、図9は第2実施例におけるCPU19の処理フロー
を示す。CPU19はD/A変換器46にA1=0のデ
ータを設定することで増幅回路45の増幅度A1を0に
設定する。次に、CPU19はLD制御回路17を介し
てLD駆動回路18を作動させて半導体レーザ11を点
灯させ、フォーカス制御回路27を介してフォーカスサ
ーボをかける。この時、半導体レーザ11のノイズが大
きいと、I/V変換アンプ16の出力信号Vaは図8に
示すようになる。I/V変換アンプ16の出力信号Va
の振幅は振幅検出回路51により検出されてその出力信
号が図示しないA/D変換器でA/D変換された後にC
PU19に入力される。
【0046】CPU19は振幅検出回路51からのVa
の振幅と所定の許容値βとを比較し、Vaの振幅がβ以
下であるか否かを判断する。そして、CPU19はVa
の振幅がβより大きい場合にはD/A変換器46のデー
タをインクリメントしてA1←A1+1とし、上記高周波
電流の振幅を大きくした後に、Vaの振幅がβ以下であ
るか否かを判断するステップに戻る。このような動作が
繰り返されてVaの振幅がβ以下になると、このときの
A1のデータが以後はD/A変換器46に設定されたま
まとなる。このため、高周波電流が必要最小限の値に設
定されて半導体レーザ11のノイズが小さい状態が達成
され、高周波重畳回路42の発熱が少なく抑えられ、か
つ、低消費電力化が達成される。
の振幅と所定の許容値βとを比較し、Vaの振幅がβ以
下であるか否かを判断する。そして、CPU19はVa
の振幅がβより大きい場合にはD/A変換器46のデー
タをインクリメントしてA1←A1+1とし、上記高周波
電流の振幅を大きくした後に、Vaの振幅がβ以下であ
るか否かを判断するステップに戻る。このような動作が
繰り返されてVaの振幅がβ以下になると、このときの
A1のデータが以後はD/A変換器46に設定されたま
まとなる。このため、高周波電流が必要最小限の値に設
定されて半導体レーザ11のノイズが小さい状態が達成
され、高周波重畳回路42の発熱が少なく抑えられ、か
つ、低消費電力化が達成される。
【0047】図10は光スポットの光ディスク上の半径
方向位置rとC/N(Carrier LevelとNoise Level
との比)との関係を示す。C/Nはrが大きくなるに従
って大きくなる。このため、光ディスクの外周側では光
ディスクの内周側に比べてキャリアレベル(高周波電流
の振幅)が増加するので、相対的にノイズレベルが上昇
しても問題とならず、高周波電流の振幅は光ディスクの
外周側では光ディスクの内周側より小さくてよい。
方向位置rとC/N(Carrier LevelとNoise Level
との比)との関係を示す。C/Nはrが大きくなるに従
って大きくなる。このため、光ディスクの外周側では光
ディスクの内周側に比べてキャリアレベル(高周波電流
の振幅)が増加するので、相対的にノイズレベルが上昇
しても問題とならず、高周波電流の振幅は光ディスクの
外周側では光ディスクの内周側より小さくてよい。
【0048】この第2実施例では、情報再生を行うこと
なく半導体レーザの戻り光によるノイズを検出して高周
波電流の振幅を可変することにより高周波電流を必要最
小限の値に設定するので、消去動作,情報記録動作及び
情報再生動作のいずれも行わずに高周波電流を必要最小
限の値に設定でき、特別な温度制御手段を付加すること
なく高周波重畳回路の発熱を少なく抑えることができ、
半導体レーザの長寿命化及び動作安定化が可能になる。
また、ノイズレベルをノイズ振幅という形で直接的に検
出するので、高周波電流振幅の設定を正確に行うことが
できる。さらに、情報再生時には半導体レーザのノイズ
を抑制するので、再生信号の信頼性を上げることができ
る。
なく半導体レーザの戻り光によるノイズを検出して高周
波電流の振幅を可変することにより高周波電流を必要最
小限の値に設定するので、消去動作,情報記録動作及び
情報再生動作のいずれも行わずに高周波電流を必要最小
限の値に設定でき、特別な温度制御手段を付加すること
なく高周波重畳回路の発熱を少なく抑えることができ、
半導体レーザの長寿命化及び動作安定化が可能になる。
また、ノイズレベルをノイズ振幅という形で直接的に検
出するので、高周波電流振幅の設定を正確に行うことが
できる。さらに、情報再生時には半導体レーザのノイズ
を抑制するので、再生信号の信頼性を上げることができ
る。
【0049】本発明の他の実施例では、上記第1実施
例、第2実施例において、それぞれ電源投入後に、CP
U19は光ディスク21の内周及び外周の各テストゾー
ンに光ピックアップ50を移動させてこれらのテストゾ
ーンにて上述した図2、図9に示すようなA1設定動作
をそれぞれ行ってA1を求め、それらのA1に基づいて光
ディスク21上の光スポットの位置(情報再生位置)を光
ディスク21の内周側から外周側へ向かうにつれて徐々
に変化させることにより高周波電流の振幅を変化させ
る。これにより、さらに高周波重畳回路42の発熱が少
なく抑えられ、低消費電力化が達成される。
例、第2実施例において、それぞれ電源投入後に、CP
U19は光ディスク21の内周及び外周の各テストゾー
ンに光ピックアップ50を移動させてこれらのテストゾ
ーンにて上述した図2、図9に示すようなA1設定動作
をそれぞれ行ってA1を求め、それらのA1に基づいて光
ディスク21上の光スポットの位置(情報再生位置)を光
ディスク21の内周側から外周側へ向かうにつれて徐々
に変化させることにより高周波電流の振幅を変化させ
る。これにより、さらに高周波重畳回路42の発熱が少
なく抑えられ、低消費電力化が達成される。
【0050】この実施例は、請求項8記載の発明の実施
例であり、光ディスクの内周及び外周で必要最小限の高
周波電流振幅を求めて光ディスク上の半径方向の情報再
生位置により高周波電流振幅を可変するので、光ディス
クの外周側では高周波電流振幅を小さくすることがで
き、低消費電力化を計ることができるとともに高周波重
畳回路の発熱を抑えることができ、さらに、半導体レー
ザの長寿命化及び動作安定化を計ることができる。
例であり、光ディスクの内周及び外周で必要最小限の高
周波電流振幅を求めて光ディスク上の半径方向の情報再
生位置により高周波電流振幅を可変するので、光ディス
クの外周側では高周波電流振幅を小さくすることがで
き、低消費電力化を計ることができるとともに高周波重
畳回路の発熱を抑えることができ、さらに、半導体レー
ザの長寿命化及び動作安定化を計ることができる。
【0051】図13は半導体レーザの再生パワーとRI
Nとの関係を示す。RINは再生パワーを上げることで
も改善することができる。そこで、本発明の第3実施例
は高周波電流振幅と再生パワーを可変して高周波電流を
なるべく小さくすることにより、輻射ノイズを抑えると
同時に高周波重畳回路の発熱を抑え、低消費電力化を計
るものである。
Nとの関係を示す。RINは再生パワーを上げることで
も改善することができる。そこで、本発明の第3実施例
は高周波電流振幅と再生パワーを可変して高周波電流を
なるべく小さくすることにより、輻射ノイズを抑えると
同時に高周波重畳回路の発熱を抑え、低消費電力化を計
るものである。
【0052】図11は第3実施例を示し、図5と同一部
分には同一符号が付してある。この第3実施例は、請求
項5記載の発明の実施例であり、上記第2実施例におい
て、CPU19からD/A変換器52に設定した設定値
によりLD制御回路17がLD駆動回路18を介して半
導体レーザ11の発光パワーを制御する。
分には同一符号が付してある。この第3実施例は、請求
項5記載の発明の実施例であり、上記第2実施例におい
て、CPU19からD/A変換器52に設定した設定値
によりLD制御回路17がLD駆動回路18を介して半
導体レーザ11の発光パワーを制御する。
【0053】図12は第3実施例におけるCPU19の
処理フローを示す。CPU19はD/A変換器46にA
1=0のデータを設定することで増幅回路45の増幅度
A1を0に設定する。次に、CPU19は、D/A変換
器52に半導体レーザ11の再生パワーPRが最小値P
Rminになる値を設定した後に、LD制御回路17を介し
てLD駆動回路18を作動させて半導体レーザ11を点
灯させ、フォーカス制御回路27を介してフォーカスサ
ーボをかける。この状態は高周波発振回路44からの高
周波電流が増幅回路45で増幅されなくなって半導体レ
ーザ11の駆動電流に高周波電流が重畳されず、半導体
レーザ11のノイズが大きい状態である。
処理フローを示す。CPU19はD/A変換器46にA
1=0のデータを設定することで増幅回路45の増幅度
A1を0に設定する。次に、CPU19は、D/A変換
器52に半導体レーザ11の再生パワーPRが最小値P
Rminになる値を設定した後に、LD制御回路17を介し
てLD駆動回路18を作動させて半導体レーザ11を点
灯させ、フォーカス制御回路27を介してフォーカスサ
ーボをかける。この状態は高周波発振回路44からの高
周波電流が増幅回路45で増幅されなくなって半導体レ
ーザ11の駆動電流に高周波電流が重畳されず、半導体
レーザ11のノイズが大きい状態である。
【0054】ここで、I/V変換アンプ16の出力信号
Vaの振幅VP-Pは振幅検出回路51により検出されて
その出力信号が図示しないA/D変換器でA/D変換さ
れた後にCPU19に入力される。CPU19は、振幅
検出回路51からのVP-Pと所定の値β0と比較してV
P-Pがβ0以下であるか否かを判断し、VP-Pがβ0より大
きい(半導体レーザ11のノイズが大きい)場合には再生
パワーPRがa0だけ高くなるようにD/A変換器52の
設定値を変更し、再びVP-Pがβ0以下であるか否かを判
断する。CPU19はこのような動作をVP-Pがβ0以下
になるまで繰り返して行う。
Vaの振幅VP-Pは振幅検出回路51により検出されて
その出力信号が図示しないA/D変換器でA/D変換さ
れた後にCPU19に入力される。CPU19は、振幅
検出回路51からのVP-Pと所定の値β0と比較してV
P-Pがβ0以下であるか否かを判断し、VP-Pがβ0より大
きい(半導体レーザ11のノイズが大きい)場合には再生
パワーPRがa0だけ高くなるようにD/A変換器52の
設定値を変更し、再びVP-Pがβ0以下であるか否かを判
断する。CPU19はこのような動作をVP-Pがβ0以下
になるまで繰り返して行う。
【0055】ただし、CPU19は、再生パワーPRを
a0のステップで大きくする過程において、再生パワー
PRが光ディスク21等の規定による最大再生パワーP
Rmaxを越えたかどうかを判断してPRがPRmaxを越えた
場合には高周波電流振幅Aがa1だけ大きくなるように
D/A変換器46の設定値を変更し、かつ、半導体レー
ザ11の再生パワーPRが最小値PRminになるようにD
/A変換器52の設定値を変更する。このような動作に
より、半導体レーザ11のノイズが所定値以下となる必
要最小限の高周波電流振幅が決定され、かつ、再生パワ
ーPRが決定される。
a0のステップで大きくする過程において、再生パワー
PRが光ディスク21等の規定による最大再生パワーP
Rmaxを越えたかどうかを判断してPRがPRmaxを越えた
場合には高周波電流振幅Aがa1だけ大きくなるように
D/A変換器46の設定値を変更し、かつ、半導体レー
ザ11の再生パワーPRが最小値PRminになるようにD
/A変換器52の設定値を変更する。このような動作に
より、半導体レーザ11のノイズが所定値以下となる必
要最小限の高周波電流振幅が決定され、かつ、再生パワ
ーPRが決定される。
【0056】この第3実施例では、パワーモニタ用受光
素子15により半導体レーザ11のノイズを検出して高
周波電流振幅と再生パワーを変えることにより半導体レ
ーザのノイズが所定値以下となる必要最小限の高周波電
流振幅と再生パワーを設定するので、再生信号の信頼性
を向上させることができるとともに、高周波重畳回路の
発熱を少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命
化及び動作安定化が可能になる。
素子15により半導体レーザ11のノイズを検出して高
周波電流振幅と再生パワーを変えることにより半導体レ
ーザのノイズが所定値以下となる必要最小限の高周波電
流振幅と再生パワーを設定するので、再生信号の信頼性
を向上させることができるとともに、高周波重畳回路の
発熱を少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命
化及び動作安定化が可能になる。
【0057】本発明の第4実施例は、請求項8記載の発
明の実施例であって、上記第3実施例において、CPU
19がVP-P≦β0となる高周波電流振幅A0と再生パワ
ーPR 0を決定する過程において、VP-P≦β1(β0<β1)
となる高周波電流振幅A'と再生パワーPR'を同時に求
めて光スポットの光ディスク21上の半径方向位置(再
生位置)rに応じてD/A変換器46,52の設定値を
変更することにより高周波電流振幅と再生パワーを変え
る。例えば、CPU19はrに応じてD/A変換器46
の設定値を高周波電流振幅がA0→A'と徐々に変化する
ように変更し、あるいはrに応じてD/A変換器52の
設定値を再生パワーがPR0→PR'と徐々に変化するよう
に変更し、あるいはこのようなD/A変換器46,52
の設定値の変更を同時に行う。
明の実施例であって、上記第3実施例において、CPU
19がVP-P≦β0となる高周波電流振幅A0と再生パワ
ーPR 0を決定する過程において、VP-P≦β1(β0<β1)
となる高周波電流振幅A'と再生パワーPR'を同時に求
めて光スポットの光ディスク21上の半径方向位置(再
生位置)rに応じてD/A変換器46,52の設定値を
変更することにより高周波電流振幅と再生パワーを変え
る。例えば、CPU19はrに応じてD/A変換器46
の設定値を高周波電流振幅がA0→A'と徐々に変化する
ように変更し、あるいはrに応じてD/A変換器52の
設定値を再生パワーがPR0→PR'と徐々に変化するよう
に変更し、あるいはこのようなD/A変換器46,52
の設定値の変更を同時に行う。
【0058】これにより、高周波電流振幅及び/又は再
生パワーをrが光ディスク21の内周側から外周側へ向
かうにつれて徐々に下げることができる。この場合、キ
ャリアレベルが光ディスク21の外周側ほど増加してノ
イズレベルが上がるが、図10に示すようにC/Nはr
が大きくなるに従って大きくなるので、問題とならな
い。
生パワーをrが光ディスク21の内周側から外周側へ向
かうにつれて徐々に下げることができる。この場合、キ
ャリアレベルが光ディスク21の外周側ほど増加してノ
イズレベルが上がるが、図10に示すようにC/Nはr
が大きくなるに従って大きくなるので、問題とならな
い。
【0059】この第4実施例では、パワーモニタ用受光
素子15により半導体レーザ11のノイズを検出して高
周波電流振幅と再生パワーを変えることにより半導体レ
ーザのノイズが所定値以下となる必要最小限の高周波電
流振幅と再生パワーを設定し、かつ、高周波電流振幅及
び/又は再生パワーをrが光ディスク21の内周側から
外周側へ向かうにつれて下げるので、高周波重畳回路の
発熱をさらに少なく抑えることができ、半導体レーザの
長寿命化及び動作安定化、低消費電力化を第3実施例以
上に達成することが可能になる。
素子15により半導体レーザ11のノイズを検出して高
周波電流振幅と再生パワーを変えることにより半導体レ
ーザのノイズが所定値以下となる必要最小限の高周波電
流振幅と再生パワーを設定し、かつ、高周波電流振幅及
び/又は再生パワーをrが光ディスク21の内周側から
外周側へ向かうにつれて下げるので、高周波重畳回路の
発熱をさらに少なく抑えることができ、半導体レーザの
長寿命化及び動作安定化、低消費電力化を第3実施例以
上に達成することが可能になる。
【0060】図14は本発明の第5実施例を示し、図1
1と同一部分には同一符号が付してある。この第5実施
例は請求項6記載の発明の実施例である。第5実施例で
は、上記第3実施例において、半導体レーザ11とカッ
プリングレンズ12との間にフィルタ53が設置され
る。
1と同一部分には同一符号が付してある。この第5実施
例は請求項6記載の発明の実施例である。第5実施例で
は、上記第3実施例において、半導体レーザ11とカッ
プリングレンズ12との間にフィルタ53が設置され
る。
【0061】このフィルタ53は、フィルタ制御手段に
よりrに応じて制御され、半導体レーザ11の再生パワ
ーPRが最小値PRminより△PR上昇した場合にPRmin/
(PR min+△PR)×100%の透過率を有するものとな
る。これにより、光ディスク21上での再生パワーは常
にPRminとなり、再生パワーの上昇による光ディスク2
1上の記録データの破壊といった問題がなくなって記録
データの信頼性が向上する。ここに、再生パワーは見か
け上一定の値PRminとなるが、半導体レーザ11の出射
パワーはrに応じて増加するので、半導体レーザ11の
光ディスク21からの戻り光によるノイズ発生を抑制す
ることができる。
よりrに応じて制御され、半導体レーザ11の再生パワ
ーPRが最小値PRminより△PR上昇した場合にPRmin/
(PR min+△PR)×100%の透過率を有するものとな
る。これにより、光ディスク21上での再生パワーは常
にPRminとなり、再生パワーの上昇による光ディスク2
1上の記録データの破壊といった問題がなくなって記録
データの信頼性が向上する。ここに、再生パワーは見か
け上一定の値PRminとなるが、半導体レーザ11の出射
パワーはrに応じて増加するので、半導体レーザ11の
光ディスク21からの戻り光によるノイズ発生を抑制す
ることができる。
【0062】図15は本発明の第6実施例を示し、図1
と同一部分には同一符号が付してある。この第6実施例
は、請求項3記載の発明の実施例であり、上記第1実施
例において、I/V変換アンプ16の出力信号の振幅が
振幅検出回路51により検出されてその出力信号が図示
しないA/D変換器でA/D変換された後にCPU19
に入力されるとともに、CPU19からD/A変換器5
2に設定した設定値によりLD制御回路17がLD駆動
回路18を介して半導体レーザ11の発光パワーを制御
する。
と同一部分には同一符号が付してある。この第6実施例
は、請求項3記載の発明の実施例であり、上記第1実施
例において、I/V変換アンプ16の出力信号の振幅が
振幅検出回路51により検出されてその出力信号が図示
しないA/D変換器でA/D変換された後にCPU19
に入力されるとともに、CPU19からD/A変換器5
2に設定した設定値によりLD制御回路17がLD駆動
回路18を介して半導体レーザ11の発光パワーを制御
する。
【0063】図16は第6実施例におけるCPU19の
処理フローの一部を示す。CPU19はD/A変換器4
6にA1=0のデータを設定することで増幅回路45の
増幅度A1を0に設定する。更に、CPU19はD/A
変換器52に半導体レーザ11の再生パワーPがサーボ
のかかる限界となる最低値Pminとなるような値を設定
して半導体レーザ11を点灯させる。これは、高周波電
流をオフの状態にし、半導体レーザ11の発光パワーを
可能な限り小さく設定した状態である。光ディスク21
の再生パワーは、光ディスク21の記録媒体によって決
定され、再生パワーの加減範囲の下限値をPminとし、
上限値をPmaxとする。
処理フローの一部を示す。CPU19はD/A変換器4
6にA1=0のデータを設定することで増幅回路45の
増幅度A1を0に設定する。更に、CPU19はD/A
変換器52に半導体レーザ11の再生パワーPがサーボ
のかかる限界となる最低値Pminとなるような値を設定
して半導体レーザ11を点灯させる。これは、高周波電
流をオフの状態にし、半導体レーザ11の発光パワーを
可能な限り小さく設定した状態である。光ディスク21
の再生パワーは、光ディスク21の記録媒体によって決
定され、再生パワーの加減範囲の下限値をPminとし、
上限値をPmaxとする。
【0064】次に、CPU19は、フォーカス制御回路
27及びトラック制御回路34を介してフォーカスサー
ボ及びトラックサーボをかけ、光ディスク21の内周テ
ストゾーンまで光ピックアップ50を移動させる。そし
て、CPU19はD/A変換器52、LD制御回路1
7、LD駆動回路18を介して半導体レーザ11を消去
パワーで発光させることにより、光ディスク21上の内
周テストゾーンをイレースさせた後に、D/A変換器5
2及びLD制御回路17を介してLD駆動回路18を制
御して本装置の最高記録周波数のデータパターンを光デ
ィスク21の内周テストゾーンに記録させる。
27及びトラック制御回路34を介してフォーカスサー
ボ及びトラックサーボをかけ、光ディスク21の内周テ
ストゾーンまで光ピックアップ50を移動させる。そし
て、CPU19はD/A変換器52、LD制御回路1
7、LD駆動回路18を介して半導体レーザ11を消去
パワーで発光させることにより、光ディスク21上の内
周テストゾーンをイレースさせた後に、D/A変換器5
2及びLD制御回路17を介してLD駆動回路18を制
御して本装置の最高記録周波数のデータパターンを光デ
ィスク21の内周テストゾーンに記録させる。
【0065】次に、CPU19はD/A変換器52及び
LD制御回路17を介してLD駆動回路18を制御して
光ディスク21の内周テストゾーンからデータパターン
のデータを再生させ、減算アンプ41からの再生信号に
対する再生信号振幅検出回路47及びノイズ振幅検出回
路48,49の出力信号を図示しないA/D変換器を介
して取り込む。
LD制御回路17を介してLD駆動回路18を制御して
光ディスク21の内周テストゾーンからデータパターン
のデータを再生させ、減算アンプ41からの再生信号に
対する再生信号振幅検出回路47及びノイズ振幅検出回
路48,49の出力信号を図示しないA/D変換器を介
して取り込む。
【0066】CPU19は再生信号振幅検出回路47か
らのデータVb、ノイズ振幅検出回路48,49からの
各データVc,Vdより δ=Vb÷(Vc+Vd)/2・・・・・(1) なる計算を行い、その計算結果δを所定の値Hと比較し
て δ≧H・・・・・(2) が満足されるか否かを判断する。そして、CPU19は
δがHより小さい場合には再生パワーPが前回の設定値
より所定の値Pstepだけ大きくなるようにD/A変換器
52のデータを変更し、データパターンのデータ再生ス
テップへ戻る。このような動作が繰り返されて計算結果
δがH以上になると、このときのD/A変換器52のデ
ータがそのままとなり、再生パワーが設定される。
らのデータVb、ノイズ振幅検出回路48,49からの
各データVc,Vdより δ=Vb÷(Vc+Vd)/2・・・・・(1) なる計算を行い、その計算結果δを所定の値Hと比較し
て δ≧H・・・・・(2) が満足されるか否かを判断する。そして、CPU19は
δがHより小さい場合には再生パワーPが前回の設定値
より所定の値Pstepだけ大きくなるようにD/A変換器
52のデータを変更し、データパターンのデータ再生ス
テップへ戻る。このような動作が繰り返されて計算結果
δがH以上になると、このときのD/A変換器52のデ
ータがそのままとなり、再生パワーが設定される。
【0067】但し、CPU19は、PがPmax以下の範
囲で(2)式を満足するPの値が決定されなかった時には
P=PminとなるようにD/A変換器52の設定値を変
更し、D/A変換器46の設定値変更によりA1=A1+
1として高周波重畳回路42を駆動してデータパターン
のデータ再生ステップへ戻る。このような動作が繰り返
されて(2)式を満足する最適な再生パワーPと高周波電
流振幅Aが決定される。
囲で(2)式を満足するPの値が決定されなかった時には
P=PminとなるようにD/A変換器52の設定値を変
更し、D/A変換器46の設定値変更によりA1=A1+
1として高周波重畳回路42を駆動してデータパターン
のデータ再生ステップへ戻る。このような動作が繰り返
されて(2)式を満足する最適な再生パワーPと高周波電
流振幅Aが決定される。
【0068】以後は光ディスク21から情報が再生され
る情報再生時には上記動作によって決定された再生パワ
ーPと高周波電流振幅Aで情報の再生が行われ、高周波
電流の振幅を大きくしなくても半導体レーザ11のノイ
ズが小さい状態を達成することができる。
る情報再生時には上記動作によって決定された再生パワ
ーPと高周波電流振幅Aで情報の再生が行われ、高周波
電流の振幅を大きくしなくても半導体レーザ11のノイ
ズが小さい状態を達成することができる。
【0069】このように第6実施例では、再生信号振幅
及びノイズ振幅からC/Nを検出して高周波電流振幅と
再生パワーを変えることによって、C/Nが所定値以上
となる必要最小限の高周波電流振幅と再生パワーを設定
するので、高周波重畳回路の発熱を少なく抑えることが
でき、半導体レーザの長寿命化及び動作安定化、低消費
電力化が可能になる。
及びノイズ振幅からC/Nを検出して高周波電流振幅と
再生パワーを変えることによって、C/Nが所定値以上
となる必要最小限の高周波電流振幅と再生パワーを設定
するので、高周波重畳回路の発熱を少なく抑えることが
でき、半導体レーザの長寿命化及び動作安定化、低消費
電力化が可能になる。
【0070】ところで、第6実施例では、半導体レーザ
11から光ディスク21上に集光される光のパワーは上
記動作を行う度に異なり、その結果、光ディスク11上
の記録データの破壊や再生信号のばらつきが生じてしま
う。したがって、カップリングレンズ12に入射する光
のパワーを常に一定の光量とすることが望ましく、本発
明の第7実施例はこれを行うようにしたものである。
11から光ディスク21上に集光される光のパワーは上
記動作を行う度に異なり、その結果、光ディスク11上
の記録データの破壊や再生信号のばらつきが生じてしま
う。したがって、カップリングレンズ12に入射する光
のパワーを常に一定の光量とすることが望ましく、本発
明の第7実施例はこれを行うようにしたものである。
【0071】この第7実施例は、請求項7記載の発明の
実施例であり、上記第6実施例において、図17に示す
ように半導体レーザ11とカップリングレンズ12との
間にフィルタ54を設置する。このフィルタ54は、可
変可能なものであり、半導体レーザ11からの光55に
対してカップリングレンズ12の入射光56のパワーが
常に一定に保たれるようにフィルム制御部により制御さ
れる。このため、光ディスク11上の記録データの破壊
や再生信号のばらつきがなくなる。
実施例であり、上記第6実施例において、図17に示す
ように半導体レーザ11とカップリングレンズ12との
間にフィルタ54を設置する。このフィルタ54は、可
変可能なものであり、半導体レーザ11からの光55に
対してカップリングレンズ12の入射光56のパワーが
常に一定に保たれるようにフィルム制御部により制御さ
れる。このため、光ディスク11上の記録データの破壊
や再生信号のばらつきがなくなる。
【0072】CPU19は上記第6実施例と同様な動作
で決定した半導体レーザ11の発光パワー55に応じて
常にカップリングレンズ12の入射光56が一定光量に
保たれるように指令をD/A変換器に送り、このD/A
変換器からの指令によりフィルタ制御部が常にカップリ
ングレンズ12の入射光56が一定光量に保たれるよう
にフィルタ54を制御する。この場合、導体レーザ11
からの光55はフィルタ54により損失57が生ずる。
で決定した半導体レーザ11の発光パワー55に応じて
常にカップリングレンズ12の入射光56が一定光量に
保たれるように指令をD/A変換器に送り、このD/A
変換器からの指令によりフィルタ制御部が常にカップリ
ングレンズ12の入射光56が一定光量に保たれるよう
にフィルタ54を制御する。この場合、導体レーザ11
からの光55はフィルタ54により損失57が生ずる。
【0073】図18は再生信号振幅検出回路47の出力
信号(再生信号の振幅)及びノイズ振幅検出回路48,4
9の出力信号(ノイズの振幅)と光ディスク21上の光ス
ポットのデフォーカス量との関係を示す。半導体レーザ
のノイズの原因は光ディスクから半導体レーザへの戻り
光による起因が大きく、図18に示すように特に合焦に
なるほど半導体レーザのノイズが大きくなる。従って、
再生信号特性からC/Nを測定する時には、合焦点より
も若干デォーカスした方がC/Nが良くなる場合があ
る。
信号(再生信号の振幅)及びノイズ振幅検出回路48,4
9の出力信号(ノイズの振幅)と光ディスク21上の光ス
ポットのデフォーカス量との関係を示す。半導体レーザ
のノイズの原因は光ディスクから半導体レーザへの戻り
光による起因が大きく、図18に示すように特に合焦に
なるほど半導体レーザのノイズが大きくなる。従って、
再生信号特性からC/Nを測定する時には、合焦点より
も若干デォーカスした方がC/Nが良くなる場合があ
る。
【0074】そこで、本発明の第8実施例はデフォーカ
ス量も1つのパラメータとして随時C/Nを測定しなが
らデフォーカス量、再生パワーP、高周波電流振幅Aを
設定し、(2)式を満たす最適なデフォーカス量、再生パ
ワーP、高周波電流振幅Aを検出するものである。図1
9は第8実施例を示し、この第8実施例は請求項4記載
の発明の実施例である。
ス量も1つのパラメータとして随時C/Nを測定しなが
らデフォーカス量、再生パワーP、高周波電流振幅Aを
設定し、(2)式を満たす最適なデフォーカス量、再生パ
ワーP、高周波電流振幅Aを検出するものである。図1
9は第8実施例を示し、この第8実施例は請求項4記載
の発明の実施例である。
【0075】第8実施例では、上記第6実施例におい
て、CPU19によりD/A変換器58に設定した指令
値がフォーカス制御回路27へ与えられる。図20は第
8実施例におけるCPU19の処理フローを示す。CP
U19は、上記第6実施例とほぼ同様に動作するが、フ
ォーカスサーボをかける時にフォーカスサーボオフセッ
トB=0に設定し、また、データパターンを光ディスク
21の内周テストゾーンに記録した直後にフォーカスサ
ーボオフセットBを−βに設定してから(2)式の判断ス
テップに進む。ここに、−βはフォーカスサーボが入れ
る下限値であり、+βはフォーカスサーボが入れる上限
値である。
て、CPU19によりD/A変換器58に設定した指令
値がフォーカス制御回路27へ与えられる。図20は第
8実施例におけるCPU19の処理フローを示す。CP
U19は、上記第6実施例とほぼ同様に動作するが、フ
ォーカスサーボをかける時にフォーカスサーボオフセッ
トB=0に設定し、また、データパターンを光ディスク
21の内周テストゾーンに記録した直後にフォーカスサ
ーボオフセットBを−βに設定してから(2)式の判断ス
テップに進む。ここに、−βはフォーカスサーボが入れ
る下限値であり、+βはフォーカスサーボが入れる上限
値である。
【0076】また、CPU19は、(2)式が成立するか
否かを判断した直後に、フォーカスサーボオフセットB
が+β以下であるか否かを判断してフォーカスサーボオ
フセットBが+β以下である場合にはフォーカスサーボ
オフセットBをB+1として光ディスク21の内周テス
トゾーンからのデータパターンデータ再生ステップに戻
る。また、CPU19は、フォーカスサーボオフセット
Bが+β以下でない場合にはフォーカスサーボオフセッ
トBを−βに設定してP>Pmaxの判断ステップに進
む。
否かを判断した直後に、フォーカスサーボオフセットB
が+β以下であるか否かを判断してフォーカスサーボオ
フセットBが+β以下である場合にはフォーカスサーボ
オフセットBをB+1として光ディスク21の内周テス
トゾーンからのデータパターンデータ再生ステップに戻
る。また、CPU19は、フォーカスサーボオフセット
Bが+β以下でない場合にはフォーカスサーボオフセッ
トBを−βに設定してP>Pmaxの判断ステップに進
む。
【0077】この第8実施例では、第6実施例におい
て、デフォーカス量を設定することにより、高周波振
幅、再生パワーを第6実施例以上に小さく設定できるの
で、さらに高周波重畳回路の発熱を抑制でき、半導体レ
ーザの長寿命化及び動作安定化、低消費電力化が可能に
なる。
て、デフォーカス量を設定することにより、高周波振
幅、再生パワーを第6実施例以上に小さく設定できるの
で、さらに高周波重畳回路の発熱を抑制でき、半導体レ
ーザの長寿命化及び動作安定化、低消費電力化が可能に
なる。
【0078】本発明の他の施例では、上記第6実施例、
第7実施例、第8実施例において、それぞれ電源投入後
に、CPU19は光ディスク21の内周及び外周の各テ
ストゾーンに光ピックアップ50を移動させてこれらの
テストゾーンにて上述したA 1設定動作をそれぞれ行っ
てA1を求め、それらのA1に基づいて光ディスク21上
の光スポットの位置(情報再生位置)を光ディスク21の
内周側から外周側へ向かうにつれて徐々に変化させるこ
とにより高周波電流の振幅を変化させる。これにより、
さらに高周波重畳回路42の発熱が少なく抑えられ、低
消費電力化が達成される。
第7実施例、第8実施例において、それぞれ電源投入後
に、CPU19は光ディスク21の内周及び外周の各テ
ストゾーンに光ピックアップ50を移動させてこれらの
テストゾーンにて上述したA 1設定動作をそれぞれ行っ
てA1を求め、それらのA1に基づいて光ディスク21上
の光スポットの位置(情報再生位置)を光ディスク21の
内周側から外周側へ向かうにつれて徐々に変化させるこ
とにより高周波電流の振幅を変化させる。これにより、
さらに高周波重畳回路42の発熱が少なく抑えられ、低
消費電力化が達成される。
【0079】
【発明の効果】以上のように請求項1記載の発明によれ
ば、半導体レーザからの光を対物レンズにより光ディス
ク上に微小な光スポットに集光して情報の記録及び/又
は再生を行い、情報再生時には前記半導体レーザの駆動
電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置において、
前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動手段と、
前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する高
周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を可変する高周
波電流振幅可変手段と、前記光ディスク上の光スポット
のフォーカス制御を行うフォーカス制御手段と、前記光
ディスク上の光スポットのトラッキング制御を行うトラ
ッキング制御手段と、情報再生時に再生信号の振幅を検
出する再生信号振幅検出手段と、情報再生時にノイズの
振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、このノイズ振幅
検出手段及び前記再生信号振幅検出手段の出力信号から
情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求めてこ
の比が所定の値以上となるように前記高周波電流振幅可
変手段を制御する高周波電流振幅制御手段とを備えたの
で、高周波電流を必要最小限の値に設定でき、特別な温
度制御手段を付加することなく高周波重畳回路の発熱を
少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命化及び
動作安定化が可能になる。また、ノイズレベルをノイズ
振幅という形で直接的に検出することにより、高周波電
流振幅の設定を正確に行うことができる。さらに、情報
再生時に半導体レーザのノイズを抑制するので、再生信
号の信頼性を上げることができる。
ば、半導体レーザからの光を対物レンズにより光ディス
ク上に微小な光スポットに集光して情報の記録及び/又
は再生を行い、情報再生時には前記半導体レーザの駆動
電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置において、
前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動手段と、
前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する高
周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を可変する高周
波電流振幅可変手段と、前記光ディスク上の光スポット
のフォーカス制御を行うフォーカス制御手段と、前記光
ディスク上の光スポットのトラッキング制御を行うトラ
ッキング制御手段と、情報再生時に再生信号の振幅を検
出する再生信号振幅検出手段と、情報再生時にノイズの
振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、このノイズ振幅
検出手段及び前記再生信号振幅検出手段の出力信号から
情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求めてこ
の比が所定の値以上となるように前記高周波電流振幅可
変手段を制御する高周波電流振幅制御手段とを備えたの
で、高周波電流を必要最小限の値に設定でき、特別な温
度制御手段を付加することなく高周波重畳回路の発熱を
少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命化及び
動作安定化が可能になる。また、ノイズレベルをノイズ
振幅という形で直接的に検出することにより、高周波電
流振幅の設定を正確に行うことができる。さらに、情報
再生時に半導体レーザのノイズを抑制するので、再生信
号の信頼性を上げることができる。
【0080】請求項2記載の発明によれば、半導体レー
ザからの光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光
スポットに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、
情報再生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電
流を重畳する光ディスク装置において、前記半導体レー
ザを駆動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段
と、前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可
変手段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス
制御を行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検出
するノイズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段に
よりフォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振幅
検出手段の出力信号が所定の値以下となるように前記高
周波電流振幅可変手段を制御する高周波電流振幅制御手
段とを備えたので、消去動作,情報記録動作及び情報再
生動作のいずれも行わずに高周波電流を必要最小限の値
に設定でき、特別な温度制御手段を付加することなく高
周波重畳回路の発熱を少なく抑えることができ、半導体
レーザの長寿命化及び動作安定化が可能になる。また、
ノイズレベルをノイズ振幅という形で直接的に検出する
ことにより、高周波電流振幅の設定を正確に行うことが
できる。さらに、情報再生時には半導体レーザのノイズ
を抑制するので、再生信号の信頼性を上げることができ
る。
ザからの光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光
スポットに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、
情報再生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電
流を重畳する光ディスク装置において、前記半導体レー
ザを駆動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段
と、前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可
変手段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカス
制御を行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検出
するノイズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段に
よりフォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振幅
検出手段の出力信号が所定の値以下となるように前記高
周波電流振幅可変手段を制御する高周波電流振幅制御手
段とを備えたので、消去動作,情報記録動作及び情報再
生動作のいずれも行わずに高周波電流を必要最小限の値
に設定でき、特別な温度制御手段を付加することなく高
周波重畳回路の発熱を少なく抑えることができ、半導体
レーザの長寿命化及び動作安定化が可能になる。また、
ノイズレベルをノイズ振幅という形で直接的に検出する
ことにより、高周波電流振幅の設定を正確に行うことが
できる。さらに、情報再生時には半導体レーザのノイズ
を抑制するので、再生信号の信頼性を上げることができ
る。
【0081】請求項3記載の発明によれば、半導体レー
ザからの光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光
スポットに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、
情報再生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電
流を重畳する光ディスク装置において、前記半導体レー
ザを駆動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段
と、前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可
変手段と、前記半導体レーザの射出光量を可変する光量
可変手段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカ
ス制御を行うフォーカス制御手段と、前記光ディスク上
の光スポットのトラッキング制御を行うトラッキング制
御手段と、情報再生時に再生信号の振幅を検出する再生
信号振幅検出手段と、情報再生時にノイズの振幅を検出
するノイズ振幅検出手段と、このノイズ振幅検出手段及
び前記再生信号振幅検出手段の出力信号から情報再生時
に再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定
の値以上となるように前記光量可変手段及び前記高周波
電流振幅可変手段を制御する制御手段とを備えたので、
C/Nが所定値以上となる必要最小限の高周波電流振幅
と再生パワーを設定することができて高周波重畳回路の
発熱を少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命
化及び動作安定化、低消費電力化が可能になる。
ザからの光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光
スポットに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、
情報再生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電
流を重畳する光ディスク装置において、前記半導体レー
ザを駆動する半導体レーザ駆動手段と、前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手段
と、前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅可
変手段と、前記半導体レーザの射出光量を可変する光量
可変手段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカ
ス制御を行うフォーカス制御手段と、前記光ディスク上
の光スポットのトラッキング制御を行うトラッキング制
御手段と、情報再生時に再生信号の振幅を検出する再生
信号振幅検出手段と、情報再生時にノイズの振幅を検出
するノイズ振幅検出手段と、このノイズ振幅検出手段及
び前記再生信号振幅検出手段の出力信号から情報再生時
に再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求めてこの比が所定
の値以上となるように前記光量可変手段及び前記高周波
電流振幅可変手段を制御する制御手段とを備えたので、
C/Nが所定値以上となる必要最小限の高周波電流振幅
と再生パワーを設定することができて高周波重畳回路の
発熱を少なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命
化及び動作安定化、低消費電力化が可能になる。
【0082】請求項4記載の発明によれば、請求項3記
載の光ディスク装置において、前記フォーカス制御手段
のフォーカスサーボオフセットを可変するフォーカスサ
ーボオフセット可変手段と、情報再生時に再生信号の振
幅を検出する再生信号振幅検出手段とを備え、前記制御
手段が前記再生信号振幅検出手段及び前記ノイズ振幅検
出手段の出力信号から情報再生時に再生信号振幅/ノイ
ズ振幅の比を求めてこの比が所定の値以上となるように
前記光量可変手段、前記高周波電流振幅可変手段及び前
記フォーカスサーボオフセット可変手段を制御するの
で、高周波振幅、再生パワーを請求項3記載の光ディス
ク装置以上に小さく設定できるので、さらに高周波重畳
回路の発熱を抑制でき、半導体レーザの長寿命化及び動
作安定化、低消費電力化が可能になる。
載の光ディスク装置において、前記フォーカス制御手段
のフォーカスサーボオフセットを可変するフォーカスサ
ーボオフセット可変手段と、情報再生時に再生信号の振
幅を検出する再生信号振幅検出手段とを備え、前記制御
手段が前記再生信号振幅検出手段及び前記ノイズ振幅検
出手段の出力信号から情報再生時に再生信号振幅/ノイ
ズ振幅の比を求めてこの比が所定の値以上となるように
前記光量可変手段、前記高周波電流振幅可変手段及び前
記フォーカスサーボオフセット可変手段を制御するの
で、高周波振幅、再生パワーを請求項3記載の光ディス
ク装置以上に小さく設定できるので、さらに高周波重畳
回路の発熱を抑制でき、半導体レーザの長寿命化及び動
作安定化、低消費電力化が可能になる。
【0083】請求項5記載の発明によれば、半導体レー
ザからの光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光
スポットに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、
情報再生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電
流を重畳する光ディスク装置において、前記半導体レー
ザのパワーを制御するパワー制御手段と、前記半導体レ
ーザのパワーを可変するパワー可変手段と、前記半導体
レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手
段と、前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅
可変手段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカ
ス制御を行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検
出するノイズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段
によりフォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振
幅検出手段の出力信号が所定の値以下となるように前記
パワー可変手段及び前記高周波電流振幅可変手段を制御
する制御手段とを備えたので、半導体レーザのノイズが
所定値以下となる必要最小限の高周波電流振幅と再生パ
ワーを設定することができて再生信号の信頼性を向上さ
せることができるとともに、高周波重畳回路の発熱を少
なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命化及び動
作安定化が可能になる。
ザからの光を対物レンズにより光ディスク上に微小な光
スポットに集光して情報の記録及び/又は再生を行い、
情報再生時には前記半導体レーザの駆動電流に高周波電
流を重畳する光ディスク装置において、前記半導体レー
ザのパワーを制御するパワー制御手段と、前記半導体レ
ーザのパワーを可変するパワー可変手段と、前記半導体
レーザの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳手
段と、前記高周波電流の振幅を可変する高周波電流振幅
可変手段と、前記光ディスク上の光スポットのフォーカ
ス制御を行うフォーカス制御手段と、ノイズの振幅を検
出するノイズ振幅検出手段と、前記フォーカス制御手段
によりフォーカス制御を行っている状態で前記ノイズ振
幅検出手段の出力信号が所定の値以下となるように前記
パワー可変手段及び前記高周波電流振幅可変手段を制御
する制御手段とを備えたので、半導体レーザのノイズが
所定値以下となる必要最小限の高周波電流振幅と再生パ
ワーを設定することができて再生信号の信頼性を向上さ
せることができるとともに、高周波重畳回路の発熱を少
なく抑えることができ、半導体レーザの長寿命化及び動
作安定化が可能になる。
【0084】請求項6記載の発明によれば、請求項3,
4または5記載の光ディスク装置において、前記半導体
レーザの再生パワーの可変にかかわらず前記光ディスク
上での再生パワーを常に一定の値とする光量減衰手段を
備えたので、再生パワーの上昇による光ディスク上の記
録データの破壊といった問題がなくなって記録データの
信頼性が向上する。
4または5記載の光ディスク装置において、前記半導体
レーザの再生パワーの可変にかかわらず前記光ディスク
上での再生パワーを常に一定の値とする光量減衰手段を
備えたので、再生パワーの上昇による光ディスク上の記
録データの破壊といった問題がなくなって記録データの
信頼性が向上する。
【0085】請求項7記載の発明によれば、請求項3,
4,5または6記載の光ディスク装置において、前記半
導体レーザの出射光量を可変したときにこの出射光量に
応じたフィルタを前記半導体レーザの出射側に設置する
ので、再生パワーの上昇による光ディスク上の記録デー
タの破壊といった問題がなくなって記録データの信頼性
が向上する。
4,5または6記載の光ディスク装置において、前記半
導体レーザの出射光量を可変したときにこの出射光量に
応じたフィルタを前記半導体レーザの出射側に設置する
ので、再生パワーの上昇による光ディスク上の記録デー
タの破壊といった問題がなくなって記録データの信頼性
が向上する。
【0086】請求項8記載の発明によれば、請求項3,
4,5,6または7記載の光ディスク装置において、前
記光ディスクの半径方向位置により前記高周波電流の振
幅を可変するので、光ディスクの外周側では高周波電流
振幅をさらに小さくすることができ、さらに高周波重畳
回路の発熱を抑制できて半導体レーザの長寿命化及び動
作安定化、低消費電力化が可能になる。
4,5,6または7記載の光ディスク装置において、前
記光ディスクの半径方向位置により前記高周波電流の振
幅を可変するので、光ディスクの外周側では高周波電流
振幅をさらに小さくすることができ、さらに高周波重畳
回路の発熱を抑制できて半導体レーザの長寿命化及び動
作安定化、低消費電力化が可能になる。
【図1】本発明の第1実施例を示すブロック図である。
【図2】同第1実施例におけるCPUの処理フローを示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図3】同第1実施例における再生信号振幅検出回路及
びノイズ振幅検出回路の信号帯域を示す特性図である。
びノイズ振幅検出回路の信号帯域を示す特性図である。
【図4】同第1実施例における半導体レーザのノイズが
大きい場合と小さい場合における減算アンプからの再生
信号の様子を示す図である。
大きい場合と小さい場合における減算アンプからの再生
信号の様子を示す図である。
【図5】本発明の第2実施例を示すブロック図である。
【図6】同第2実施例における高周波電流の振幅とRI
Nとの関係を模式的に示す図である。
Nとの関係を模式的に示す図である。
【図7】同第2実施例における半導体レーザのノイズが
小さい場合のI/V変換アンプの出力信号Vaの様子を
示す図である。
小さい場合のI/V変換アンプの出力信号Vaの様子を
示す図である。
【図8】同第2実施例における半導体レーザのノイズが
大きい場合のI/V変換アンプの出力信号Vaの様子を
示す図である。
大きい場合のI/V変換アンプの出力信号Vaの様子を
示す図である。
【図9】同第2実施例におけるCPUの処理フローを示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図10】同第2実施例における光スポットの光ディス
ク上の半径方向位置rとC/Nとの関係を示す図であ
る。
ク上の半径方向位置rとC/Nとの関係を示す図であ
る。
【図11】本発明の第3実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図12】同第3実施例におけるCPUの処理フローを
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図13】半導体レーザの再生パワーとRINとの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図14】本発明の第5実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図15】本発明の第6実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図16】同第6実施例におけるCPUの処理フローを
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図17】本発明の第7実施例の一部を示す正面図であ
る。
る。
【図18】同第7実施例におけるデフォーカス量と再生
信号の振幅及びノイズレベルとの関係を示す図である。
信号の振幅及びノイズレベルとの関係を示す図である。
【図19】本発明の第8実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図20】同第8実施例におけるCPUの処理フローを
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
11 半導体レーザ 18 LD制御回路 19 CPU 20 対物レンズ 21 光ディスク 27 フォーカス制御回路 34 トラック制御回路 42 高周波重畳回路 46,52,58 D/A変換器 47 再生信号振幅検出回路 48,49 ノイズ振幅検出回路 51 振幅検出回路 53,54 フィルタ
Claims (8)
- 【請求項1】半導体レーザからの光を対物レンズにより
光ディスク上に微小な光スポットに集光して情報の記録
及び/又は再生を行い、情報再生時には前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
おいて、前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
手段と、前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する高周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を可変
する高周波電流振幅可変手段と、前記光ディスク上の光
スポットのフォーカス制御を行うフォーカス制御手段
と、前記光ディスク上の光スポットのトラッキング制御
を行うトラッキング制御手段と、情報再生時に再生信号
の振幅を検出する再生信号振幅検出手段と、情報再生時
にノイズの振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、この
ノイズ振幅検出手段及び前記再生信号振幅検出手段の出
力信号から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比
を求めてこの比が所定の値以上となるように前記高周波
電流振幅可変手段を制御する高周波電流振幅制御手段と
を備えたことを特徴とする光ディスク装置。 - 【請求項2】半導体レーザからの光を対物レンズにより
光ディスク上に微小な光スポットに集光して情報の記録
及び/又は再生を行い、情報再生時には前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
おいて、前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
手段と、前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する高周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を可変
する高周波電流振幅可変手段と、前記光ディスク上の光
スポットのフォーカス制御を行うフォーカス制御手段
と、ノイズの振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、前
記フォーカス制御手段によりフォーカス制御を行ってい
る状態で前記ノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の値
以下となるように前記高周波電流振幅可変手段を制御す
る高周波電流振幅制御手段とを備えたことを特徴とする
光ディスク装置。 - 【請求項3】半導体レーザからの光を対物レンズにより
光ディスク上に微小な光スポットに集光して情報の記録
及び/又は再生を行い、情報再生時には前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
おいて、前記半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
手段と、前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流を重
畳する高周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を可変
する高周波電流振幅可変手段と、前記半導体レーザの射
出光量を可変する光量可変手段と、前記光ディスク上の
光スポットのフォーカス制御を行うフォーカス制御手段
と、前記光ディスク上の光スポットのトラッキング制御
を行うトラッキング制御手段と、情報再生時に再生信号
の振幅を検出する再生信号振幅検出手段と、情報再生時
にノイズの振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、この
ノイズ振幅検出手段及び前記再生信号振幅検出手段の出
力信号から情報再生時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比
を求めてこの比が所定の値以上となるように前記光量可
変手段及び前記高周波電流振幅可変手段を制御する制御
手段とを備えたことを特徴とする光ディスク装置。 - 【請求項4】請求項3記載の光ディスク装置において、
前記フォーカス制御手段のフォーカスサーボオフセット
を可変するフォーカスサーボオフセット可変手段と、情
報再生時に再生信号の振幅を検出する再生信号振幅検出
手段とを備え、前記制御手段が前記再生信号振幅検出手
段及び前記ノイズ振幅検出手段の出力信号から情報再生
時に再生信号振幅/ノイズ振幅の比を求めてこの比が所
定の値以上となるように前記光量可変手段、前記高周波
電流振幅可変手段及び前記フォーカスサーボオフセット
可変手段を制御することを特徴とする光ディスク装置。 - 【請求項5】半導体レーザからの光を対物レンズにより
光ディスク上に微小な光スポットに集光して情報の記録
及び/又は再生を行い、情報再生時には前記半導体レー
ザの駆動電流に高周波電流を重畳する光ディスク装置に
おいて、前記半導体レーザのパワーを制御するパワー制
御手段と、前記半導体レーザのパワーを可変するパワー
可変手段と、前記半導体レーザの駆動電流に高周波電流
を重畳する高周波重畳手段と、前記高周波電流の振幅を
可変する高周波電流振幅可変手段と、前記光ディスク上
の光スポットのフォーカス制御を行うフォーカス制御手
段と、ノイズの振幅を検出するノイズ振幅検出手段と、
前記フォーカス制御手段によりフォーカス制御を行って
いる状態で前記ノイズ振幅検出手段の出力信号が所定の
値以下となるように前記パワー可変手段及び前記高周波
電流振幅可変手段を制御する制御手段とを備えたことを
特徴とする光ディスク装置。 - 【請求項6】請求項3,4または5記載の光ディスク装
置において、前記半導体レーザの再生パワーの可変にか
かわらず前記光ディスク上での再生パワーを常に一定の
値とする光量減衰手段を備えたことを特徴とする光ディ
スク装置。 - 【請求項7】請求項3,4,5または6記載の光ディス
ク装置において、前記半導体レーザの出射光量を可変し
たときにこの出射光量に応じたフィルタを前記半導体レ
ーザの出射側に設置することを特徴とする光ディスク装
置。 - 【請求項8】請求項3,4,5,6または7記載の光デ
ィスク装置において、前記光ディスクの半径方向位置に
より前記高周波電流の振幅を可変することを特徴とする
光ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5157645A JPH0714202A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5157645A JPH0714202A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 光ディスク装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0714202A true JPH0714202A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15654259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5157645A Pending JPH0714202A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 光ディスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0714202A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6421314B1 (en) * | 1998-09-10 | 2002-07-16 | Sony Corporation | Semiconductor laser drive device, optical head, optical disk device and optical disk recording and reproducing method |
JP2007042208A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 信号処理回路、光ディスク装置 |
JP2008071445A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録再生装置及び光ピックアップ |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP5157645A patent/JPH0714202A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6421314B1 (en) * | 1998-09-10 | 2002-07-16 | Sony Corporation | Semiconductor laser drive device, optical head, optical disk device and optical disk recording and reproducing method |
JP2007042208A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 信号処理回路、光ディスク装置 |
JP2008071445A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録再生装置及び光ピックアップ |
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