JPH071389B2 - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH071389B2 JPH071389B2 JP26331785A JP26331785A JPH071389B2 JP H071389 B2 JPH071389 B2 JP H071389B2 JP 26331785 A JP26331785 A JP 26331785A JP 26331785 A JP26331785 A JP 26331785A JP H071389 B2 JPH071389 B2 JP H071389B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mask
- film
- resist
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明はフォトマスク、特に光メモリ素子用基板の製造
の際に使用するフォトマスクの製造方法に関する。
の際に使用するフォトマスクの製造方法に関する。
（発明の技術的背景とその問題点） 近年、光メモリ素子は高密度大容量メモリ素子として年
々その必要性が高まっている。この光メモリ素子は、そ
の使用形態により、再生専用メモリ追加記録可能メモリ
および書き換え可能メモリの３種に分けることができ
る。
々その必要性が高まっている。この光メモリ素子は、そ
の使用形態により、再生専用メモリ追加記録可能メモリ
および書き換え可能メモリの３種に分けることができ
る。
この内、追加記録可能メモリおよび書き換え可能メモリ
として使用する光メモリ素子は情報の記録再生消去を行
う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内するため
に、通常ガイドトラックとそのトラックが何番目のトラ
ックかを識別するための番地とを備えている。また同一
トラックの中を複数個のセクターに分け情報を管理しよ
うとする場合は、セクター番号等もトラック上に設けら
れることが多い。
として使用する光メモリ素子は情報の記録再生消去を行
う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内するため
に、通常ガイドトラックとそのトラックが何番目のトラ
ックかを識別するための番地とを備えている。また同一
トラックの中を複数個のセクターに分け情報を管理しよ
うとする場合は、セクター番号等もトラック上に設けら
れることが多い。
このガイドトラックの製法の１つに特開昭60-105751号
公報に示した方法がある。第４図を用いてその概要を説
明する。第４図（ａ）に示すようにガラスディスク
（３）にスピンナー等でレジスト膜（４）を塗布し、
（ｂ）のごとく、予めガイドトラックやガイド番地ある
いはセクター番地等を形製したフォトマスク（５）を用
い、紫外線等の光（７）を照射してフォトマスクのガイ
ドトラックやトラック番地、セクター番地等（第２図
（ｂ）において（６）の部分はCrやTa等の光を透過しな
い薄膜が形製されており、該膜を一部除去して所望のパ
ターンを形製している。）をレジスト（４）に転写し
（ｃ）のごとくレジストを現像した後（ｄ）CF4やCHF3
等のガス中でリアクチィブイオンエッチングを行うか、
あるいはHF溶液中でウェットエッチングを行うかしてガ
ラスディスクにガイドトラックやトラック番地、セクタ
ー番地等を直接刻み（ｅ）、最後に（ｄ）工程で残った
レジストを除去（O2プラズマ中でアッシングしても良い
し、アセトン等の溶剤で洗浄しても良い）する方法であ
る。
公報に示した方法がある。第４図を用いてその概要を説
明する。第４図（ａ）に示すようにガラスディスク
（３）にスピンナー等でレジスト膜（４）を塗布し、
（ｂ）のごとく、予めガイドトラックやガイド番地ある
いはセクター番地等を形製したフォトマスク（５）を用
い、紫外線等の光（７）を照射してフォトマスクのガイ
ドトラックやトラック番地、セクター番地等（第２図
（ｂ）において（６）の部分はCrやTa等の光を透過しな
い薄膜が形製されており、該膜を一部除去して所望のパ
ターンを形製している。）をレジスト（４）に転写し
（ｃ）のごとくレジストを現像した後（ｄ）CF4やCHF3
等のガス中でリアクチィブイオンエッチングを行うか、
あるいはHF溶液中でウェットエッチングを行うかしてガ
ラスディスクにガイドトラックやトラック番地、セクタ
ー番地等を直接刻み（ｅ）、最後に（ｄ）工程で残った
レジストを除去（O2プラズマ中でアッシングしても良い
し、アセトン等の溶剤で洗浄しても良い）する方法であ
る。
この方法において（ｂ）の工程に使用するフォトマスク
は、第５図のような方法で作製される。即ち円板状をし
たフォトマスク用基板（８）の光を透過しない膜（９）
上にレジスト（10）を塗布し円板の中心軸のまわりに回
転させながら対物レンズ（11）で集光されたArレーザ等
の光（12）により、該レジスト上に、らせんもしくは同
心円のガイドトラックを記録する。
は、第５図のような方法で作製される。即ち円板状をし
たフォトマスク用基板（８）の光を透過しない膜（９）
上にレジスト（10）を塗布し円板の中心軸のまわりに回
転させながら対物レンズ（11）で集光されたArレーザ等
の光（12）により、該レジスト上に、らせんもしくは同
心円のガイドトラックを記録する。
第６図に従来半導体産業で使用している種々のフォトマ
スクの断面構造を示す。即ち第６図（ａ）はマスク基板
８上にCr単層膜（９）を設けた例であり、（ｂ）はCr
（９）とCrOx（13）の２層膜でCrの反射をCrOxで押えた
構造をしている。これはフォトレピータでマスタマスク
を作る際反射率が高いと作製されるパターンの解像度が
落ちることがあり、それを防ぐためと、シリコンウェハ
ー上のレジスト膜にパターンを転写する場合にCrとウェ
ハー間での多重反射によるパターンの解像度が落ちるこ
とを防ぐためとにCrOxの反射防止膜が使用されている例
である。（ｃ）はCrとガラス基板との間に帯電防止用の
InO3膜（14）を設けている例である。
スクの断面構造を示す。即ち第６図（ａ）はマスク基板
８上にCr単層膜（９）を設けた例であり、（ｂ）はCr
（９）とCrOx（13）の２層膜でCrの反射をCrOxで押えた
構造をしている。これはフォトレピータでマスタマスク
を作る際反射率が高いと作製されるパターンの解像度が
落ちることがあり、それを防ぐためと、シリコンウェハ
ー上のレジスト膜にパターンを転写する場合にCrとウェ
ハー間での多重反射によるパターンの解像度が落ちるこ
とを防ぐためとにCrOxの反射防止膜が使用されている例
である。（ｃ）はCrとガラス基板との間に帯電防止用の
InO3膜（14）を設けている例である。
第６図のようなマスクを用い第５図のような方法でガイ
ドトラックやトラック番号、セクター番号等を記録しよ
うとする場合、記録に利用するArレーザ等の光が、Cr膜
に吸収され、（（ｂ）図のような反射防止膜では特に顕
著である）レジスト膜の温度が上昇し、レジストが破壊
され第７図のごとく記録されたレジストの端面（15）が
凹凸になる。
ドトラックやトラック番号、セクター番号等を記録しよ
うとする場合、記録に利用するArレーザ等の光が、Cr膜
に吸収され、（（ｂ）図のような反射防止膜では特に顕
著である）レジスト膜の温度が上昇し、レジストが破壊
され第７図のごとく記録されたレジストの端面（15）が
凹凸になる。
第７図はレーザ記録現像した時に残るレジスト（10）に
よるガイドトラックを示しているが、このレジストをマ
スクとしてCr等をエッチングし第４図の工程で光メモリ
素子を作るとガイドトラック端面による光の散乱のため
光メモリ素子に記録した信号に大きなノイズが発生す
る。
よるガイドトラックを示しているが、このレジストをマ
スクとしてCr等をエッチングし第４図の工程で光メモリ
素子を作るとガイドトラック端面による光の散乱のため
光メモリ素子に記録した信号に大きなノイズが発生す
る。
（目的） 本発明は光ディスクメモリ用フォトマスクにおいて該フ
ォトマスクを作製する際にフォトレジストの温度上昇を
防ぎマスクに構成されたガイドトラック等のパターン端
面をなめらかにすることができるフォトマスクを提供す
ることを目的とする。
ォトマスクを作製する際にフォトレジストの温度上昇を
防ぎマスクに構成されたガイドトラック等のパターン端
面をなめらかにすることができるフォトマスクを提供す
ることを目的とする。
即ち、本発明は波長400nm付近の光は透過しないが、450
nm付近の光は透過する誘電体多層膜（２）を備えたマス
ク基体（１）に対してアルゴンレーザを用いて光メモリ
素子用のパターンを記録することを特徴とするフォトマ
スクの製造方法を提供する。
nm付近の光は透過する誘電体多層膜（２）を備えたマス
ク基体（１）に対してアルゴンレーザを用いて光メモリ
素子用のパターンを記録することを特徴とするフォトマ
スクの製造方法を提供する。
（実施例） 以下本発明に係る光メモリ素子用フォトマスクの実施例
を図面を用いて詳細に説明する。
を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明に係るフォトマスクの断面一部拡大図
である。
である。
本発明に用いるマスク基板（１）は通常ガラス、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。
ル樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。
誘電体としては通常SiO2、Ceo、TiO2、Al2O3、MgF等が
用いられる。誘電体多層膜（２）はスパッタリング、真
空蒸着等により形成される。この膜（２）は波長400nm
付近の光は透過しないが、450nm付近の光は透過する。
特に、第２図に示す如き透過特性を示すものが好まし
い。
用いられる。誘電体多層膜（２）はスパッタリング、真
空蒸着等により形成される。この膜（２）は波長400nm
付近の光は透過しないが、450nm付近の光は透過する。
特に、第２図に示す如き透過特性を示すものが好まし
い。
本発明の誘電体多層膜（２）はマスク作製時に使用する
Arレーザ等のレーザ光（たとえば第２図ａで示した4579
Åの波長を使用するとする）を透過し、パターン転写に
利用する紫外光（第２図中ｂで示した領域の光）を透さ
ないような分光特性を有することを特徴とする。該フォ
トマスクにArレーザ等のレーザ光でパターンを記録する
際、レジスト感光に使用される光量（レジストで吸収さ
れる量）以外はマスク基板を通じて透過してしまうた
め、従来Crマスクを利用した時のような、Cr膜でのレー
ザ光吸収によるレジスト膜の温度上昇が発生しない。
又、このマスクを用いて光メモリ素子基板にマスクパタ
ーンを転写する際は、この膜がマスクパターン転写光に
対して充分な反射（必ずしも光を反射する必要はなく、
紫外光を透過しなければ良い）性を有するために、マス
クとして機能することになる。
Arレーザ等のレーザ光（たとえば第２図ａで示した4579
Åの波長を使用するとする）を透過し、パターン転写に
利用する紫外光（第２図中ｂで示した領域の光）を透さ
ないような分光特性を有することを特徴とする。該フォ
トマスクにArレーザ等のレーザ光でパターンを記録する
際、レジスト感光に使用される光量（レジストで吸収さ
れる量）以外はマスク基板を通じて透過してしまうた
め、従来Crマスクを利用した時のような、Cr膜でのレー
ザ光吸収によるレジスト膜の温度上昇が発生しない。
又、このマスクを用いて光メモリ素子基板にマスクパタ
ーンを転写する際は、この膜がマスクパターン転写光に
対して充分な反射（必ずしも光を反射する必要はなく、
紫外光を透過しなければ良い）性を有するために、マス
クとして機能することになる。
第２図に示した透過率の波長特性は極端な例であるが必
ずしも第２図の特性に固執しない、即ち、Arレーザ光を
100％透過し、紫外光を100％反射する必要はない。も
し、パターン転写に用いる光が第３図に示すような出力
特性を示す場合はこの光のうちｇ線やｈ線を透過せずｉ
線を多く透過するようなフィルターを第４図における紫
外光（７）の途中に設置し、マスクに照射させる光の大
部分をｉ線のみにすれば、マスクに設けた誘電体膜の分
光特性は第３図にｆ線で示したように紫外線を若干透過
しても良いことになる。
ずしも第２図の特性に固執しない、即ち、Arレーザ光を
100％透過し、紫外光を100％反射する必要はない。も
し、パターン転写に用いる光が第３図に示すような出力
特性を示す場合はこの光のうちｇ線やｈ線を透過せずｉ
線を多く透過するようなフィルターを第４図における紫
外光（７）の途中に設置し、マスクに照射させる光の大
部分をｉ線のみにすれば、マスクに設けた誘電体膜の分
光特性は第３図にｆ線で示したように紫外線を若干透過
しても良いことになる。
本発明の主旨はマスク作製時のレーザ光を吸収すること
によるレジストの温度上昇を防ぎ、かつパターン転写時
の紫外光を充分に遮断する特性を有する誘電体多膜層に
よりマスクを形成することにある。
によるレジストの温度上昇を防ぎ、かつパターン転写時
の紫外光を充分に遮断する特性を有する誘電体多膜層に
よりマスクを形成することにある。
（効果） 本発明によればArレーザ光等の光でなめらかな端面を有
するガイドトラック等のパターンが形製でき最終的には
そのマスクを用いて作製する光メモリ素子のガイドトラ
ック等によるノイズの増加を押えることができる。
するガイドトラック等のパターンが形製でき最終的には
そのマスクを用いて作製する光メモリ素子のガイドトラ
ック等によるノイズの増加を押えることができる。
第１図は本発明の一実施例、第２図は本発明に係るマス
クの透過率の分光特性、第３図はマスクパターンを光メ
モリ素子に転写する際に使用する光源の光出力とマスク
の他の実施例における分光特性を示す。第４図は光メモ
リ素子の製造工程、第５図は本発明のマスクにパターン
を記録する時の基本図、第６図は従来のマスクの構成
を、第７図は従来のマスクにガイドトラックを記録した
後に現像した時に生じるトラックを示す。 図中の番号は以下の通りである： （１）……マスク基体、（２）……誘電体多層膜、
（３）……ガラスディスク、（４）……レジスト膜、
（５）……フォトマスク、（６）……光を透過しない
膜、（７）……光、（８）……フォトマスク用基板、
（９）……光を透過しない膜、（10）……レジスト、
（11）……対物レンズ、（12）……光、（13）……CrOx
膜、（14）……InO3膜、（15）……レジスト端面
クの透過率の分光特性、第３図はマスクパターンを光メ
モリ素子に転写する際に使用する光源の光出力とマスク
の他の実施例における分光特性を示す。第４図は光メモ
リ素子の製造工程、第５図は本発明のマスクにパターン
を記録する時の基本図、第６図は従来のマスクの構成
を、第７図は従来のマスクにガイドトラックを記録した
後に現像した時に生じるトラックを示す。 図中の番号は以下の通りである： （１）……マスク基体、（２）……誘電体多層膜、
（３）……ガラスディスク、（４）……レジスト膜、
（５）……フォトマスク、（６）……光を透過しない
膜、（７）……光、（８）……フォトマスク用基板、
（９）……光を透過しない膜、（10）……レジスト、
（11）……対物レンズ、（12）……光、（13）……CrOx
膜、（14）……InO3膜、（15）……レジスト端面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 博之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−3436（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−194457（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−15961（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】波長400nm付近の光は透過しないが、450nm
付近の光は透過する誘電体多層膜（２）を備えたマスク
基体（１）に対してアルゴンレーザを用いて光メモリ素
子用のパターンを記録することを特徴とするフォトマス
クの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26331785A JPH071389B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | フオトマスクの製造方法 |
| US06/930,157 US4764441A (en) | 1985-11-22 | 1986-11-12 | Photo-mask for production of substrate for optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26331785A JPH071389B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123465A JPS62123465A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH071389B2 true JPH071389B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=17387799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26331785A Expired - Fee Related JPH071389B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071389B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121054A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Nec Corp | フオトマスク |
| JPH01243062A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Nikon Corp | フォトマスク |
| JP2006317737A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光用マスク |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH565500A5 (ja) * | 1972-04-11 | 1975-08-15 | Mettler Instrumente Ag | |
| JPS593436A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Nec Corp | 写真食刻用フオト・マスク |
| JPS60194457A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-02 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26331785A patent/JPH071389B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62123465A (ja) | 1987-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |