JPH07138272A - 光学活性なグルタル酸誘導体の精製方法 - Google Patents
光学活性なグルタル酸誘導体の精製方法Info
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- JPH07138272A JPH07138272A JP5290863A JP29086393A JPH07138272A JP H07138272 A JPH07138272 A JP H07138272A JP 5290863 A JP5290863 A JP 5290863A JP 29086393 A JP29086393 A JP 29086393A JP H07138272 A JPH07138272 A JP H07138272A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】光学活性なグルタル酸誘導体とペンテン二酸ハ
−フエステルとを含む有機溶媒の混合物から、低級脂肪
族カルボン酸、アルカリ金属及び水の存在下に、分離・
精製する一般式Ｉの光学活性なグルタル酸誘導体の精製
方法。 （Ｒ１，Ｒ２は互いに独立して、置換されてもよい炭化
水素基を表し、Ｒ３はヒドロキシ保護基を表す） 【効果】煩雑な操作を必要とするカラムクロマトグラフ
ィ−を用いることなく、光学活性なグルタル酸誘導体を
容易に精製することができる。
−フエステルとを含む有機溶媒の混合物から、低級脂肪
族カルボン酸、アルカリ金属及び水の存在下に、分離・
精製する一般式Ｉの光学活性なグルタル酸誘導体の精製
方法。 （Ｒ１，Ｒ２は互いに独立して、置換されてもよい炭化
水素基を表し、Ｒ３はヒドロキシ保護基を表す） 【効果】煩雑な操作を必要とするカラムクロマトグラフ
ィ−を用いることなく、光学活性なグルタル酸誘導体を
容易に精製することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学活性なグルタル酸
誘導体の新規な精製方法に関する。光学活性なグルタル
酸誘導体は、医薬、とりわけ血中コレステロ−ル低下剤
〔５−ヒドロキシ−３−メチル−グルタリル（ＨＭＧ）
Ｃｏ−Ａリダクタ−ゼ阻害剤〕（例えばコンパクチン）
合成時の中間体として有用である。本発明の目的化合物
のうち、例えば（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキ
サン酸を用いて血中コレステロ−ル低下剤（例えばコン
パクチン）を合成する方法は、Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅ
ｍ．，３０，１８５８（１９８７）に記載されている。
誘導体の新規な精製方法に関する。光学活性なグルタル
酸誘導体は、医薬、とりわけ血中コレステロ−ル低下剤
〔５−ヒドロキシ−３−メチル−グルタリル（ＨＭＧ）
Ｃｏ−Ａリダクタ−ゼ阻害剤〕（例えばコンパクチン）
合成時の中間体として有用である。本発明の目的化合物
のうち、例えば（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキ
サン酸を用いて血中コレステロ−ル低下剤（例えばコン
パクチン）を合成する方法は、Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅ
ｍ．，３０，１８５８（１９８７）に記載されている。
【０００２】
【従来技術】従来の光学活性なグルタル酸誘導体の製造
方法としては、例えばＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５６．
３７４４（１９９１）に記載した方法を挙げることがで
きる。この方法は、グルタル酸誘導体ハ−フエステルと
メチルジメチルホスホナ−トとを−７８℃という極低温
で反応させて（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサ
ン酸を生成させた後、該化合物とジアゾメタンとを反応
させて光学活性なグルタル酸誘導体を得る方法である。
しかし、（１）−７８℃という極低温が反応時に必要な
こと、（２）爆発性のあるジアゾメタンを使用するなど
の点で満足する方法ではなかった。
方法としては、例えばＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５６．
３７４４（１９９１）に記載した方法を挙げることがで
きる。この方法は、グルタル酸誘導体ハ−フエステルと
メチルジメチルホスホナ−トとを−７８℃という極低温
で反応させて（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサ
ン酸を生成させた後、該化合物とジアゾメタンとを反応
させて光学活性なグルタル酸誘導体を得る方法である。
しかし、（１）−７８℃という極低温が反応時に必要な
こと、（２）爆発性のあるジアゾメタンを使用するなど
の点で満足する方法ではなかった。
【０００３】前記の点を満足する方法として、本出願人
は、必ずしも前記のよう極低温を必要とせず、ジアゾメ
タンも使用しない方法を特願平５−７１９７０号として
提案した。しかし、この方法は第１工程における反応中
にペンテン二酸ハ−フエステルが副生する。ペンテン二
酸ハ−フエステルは、その化学的性質が目的とする光学
活性なグルタル酸誘導体と類似しており、通常の分離・
精製方法（例えば、鉱酸添加＋有機溶媒抽出）などで
は、分離・精製することは困難である。更なる分離・精
製方法として、カラムクロマトグラフィ−を用いる方法
があるがカラムクロマトグラフィ−を用いて分離・精製
する方法は、操作的に煩雑である点、経済的に高価であ
る点で工業的な製法としては不満があった。
は、必ずしも前記のよう極低温を必要とせず、ジアゾメ
タンも使用しない方法を特願平５−７１９７０号として
提案した。しかし、この方法は第１工程における反応中
にペンテン二酸ハ−フエステルが副生する。ペンテン二
酸ハ−フエステルは、その化学的性質が目的とする光学
活性なグルタル酸誘導体と類似しており、通常の分離・
精製方法（例えば、鉱酸添加＋有機溶媒抽出）などで
は、分離・精製することは困難である。更なる分離・精
製方法として、カラムクロマトグラフィ−を用いる方法
があるがカラムクロマトグラフィ−を用いて分離・精製
する方法は、操作的に煩雑である点、経済的に高価であ
る点で工業的な製法としては不満があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、光学活性な
グルタル酸誘導体の工業的な精製法として、カラムクロ
マトグラフィ−を用いない、操作的に簡便な精製法を提
供することを目的とする。
グルタル酸誘導体の工業的な精製法として、カラムクロ
マトグラフィ−を用いない、操作的に簡便な精製法を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本出願人は、一般式
（Ｉ）で表される光学活性なグルタル酸誘導体と一般式
（ＩＩ）で表されるペンテン二酸ハ−フエステルとを含
む有機溶媒の混合物に、低級脂肪族カルボン酸、アルカ
リ金属および水を添加することにより、容易に両化合物
の分離・精製が可能になることを見出して本発明を完成
するにいたった。
（Ｉ）で表される光学活性なグルタル酸誘導体と一般式
（ＩＩ）で表されるペンテン二酸ハ−フエステルとを含
む有機溶媒の混合物に、低級脂肪族カルボン酸、アルカ
リ金属および水を添加することにより、容易に両化合物
の分離・精製が可能になることを見出して本発明を完成
するにいたった。
【０００６】すなわち、本発明は、一般式（Ｉ）
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 は、互いに独立して、
置換されていてもよい炭化水素基を表し、Ｒ3 はヒドロ
キシ保護基を表す）で示される光学活性なグルタル酸誘
導体と、一般式（ＩＩ）
置換されていてもよい炭化水素基を表し、Ｒ3 はヒドロ
キシ保護基を表す）で示される光学活性なグルタル酸誘
導体と、一般式（ＩＩ）
【０００９】
【化５】
【００１０】（式中、Ｒ4 は置換されていてもよいアル
キル基を表し、Ａは−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 −又は−ＣＨ
2 −ＣＨ＝ＣＨ−を表す）で示されるペンテン二酸ハ−
フエステルとを含む有機溶媒の混合物から、一般式（Ｉ
ＩＩ）
キル基を表し、Ａは−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 −又は−ＣＨ
2 −ＣＨ＝ＣＨ−を表す）で示されるペンテン二酸ハ−
フエステルとを含む有機溶媒の混合物から、一般式（Ｉ
ＩＩ）
【００１１】
【化６】
【００１２】（式中、Ｒ5 はアルキル基を表す）で示さ
れる低級脂肪族カルボン酸、アルカリ金属及び水の存在
下に、分離・精製する光学活性なグルタル酸誘導体の精
製方法に関する。
れる低級脂肪族カルボン酸、アルカリ金属及び水の存在
下に、分離・精製する光学活性なグルタル酸誘導体の精
製方法に関する。
【００１３】本発明は、光学活性なグルタル酸誘導体の
製造時に、一般式（Ｉ）で示される光学活性なグルタル
酸誘導体と副生する一般式（ＩＩ）で示されるペンテン
二酸ハ−フエステルとを分離・精製する方法である。前
記の有機溶媒の混合物（以下混合物Ａという）とは、例
えば、メチルジメチルホスホナ−トのようなメチルホス
ホナ−ト誘導体とリチウムヘキサメチルジシラザンのよ
うなアルカリ金属ヘキサメチルジシラザンとを有機溶媒
中で反応させて、生成したメチルホスホナ−ト誘導体の
アルカリ金属塩と（Ｓ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシグルタル酸モノメチルのような光学活性なグル
タル酸ハ−フエステルとを反応させて生成した光学活性
なグルタル酸誘導体及びペンテン二酸ハ−フエステル誘
導体など（反応物）を含む反応混合物から、任意の有機
溶剤を用いる溶媒抽出操作によって得られた反応物を含
む有機層又は該有機層の濃縮物をいう。
製造時に、一般式（Ｉ）で示される光学活性なグルタル
酸誘導体と副生する一般式（ＩＩ）で示されるペンテン
二酸ハ−フエステルとを分離・精製する方法である。前
記の有機溶媒の混合物（以下混合物Ａという）とは、例
えば、メチルジメチルホスホナ−トのようなメチルホス
ホナ−ト誘導体とリチウムヘキサメチルジシラザンのよ
うなアルカリ金属ヘキサメチルジシラザンとを有機溶媒
中で反応させて、生成したメチルホスホナ−ト誘導体の
アルカリ金属塩と（Ｓ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシグルタル酸モノメチルのような光学活性なグル
タル酸ハ−フエステルとを反応させて生成した光学活性
なグルタル酸誘導体及びペンテン二酸ハ−フエステル誘
導体など（反応物）を含む反応混合物から、任意の有機
溶剤を用いる溶媒抽出操作によって得られた反応物を含
む有機層又は該有機層の濃縮物をいう。
【００１４】本発明は、例えば反応式（Ｉ）によって示
すことができる。反応式（Ｉ）
すことができる。反応式（Ｉ）
【００１５】
【化７】
【００１６】本発明における、光学活性なグルタル酸誘
導体〔化合物（Ｉ）〕およびペンテン二酸ハ−フエステ
ル〔化合物（ＩＩ）〕は、前記の反応条件によって規定
されるが、本発明に使用される化合物（Ｉ）及び化合物
（ＩＩ）を以下に記載する。
導体〔化合物（Ｉ）〕およびペンテン二酸ハ−フエステ
ル〔化合物（ＩＩ）〕は、前記の反応条件によって規定
されるが、本発明に使用される化合物（Ｉ）及び化合物
（ＩＩ）を以下に記載する。
【００１７】一般式（Ｉ）における、互いに独立してい
る、Ｒ1 、Ｒ2 の示す置換されていてもよい炭化水素基
とは、アルキル基又はハロゲノベンジル基である。
Ｒ1 、Ｒ2 の表すアルキル基とは、通常炭素数１〜７個
のアルキル基であり、好ましくはメチル基、エチル基、
プロピル基（各異性体を含む）、ブチル基（各異性体を
含む）、ペンチル基（各異性体を含む）であり、更に好
ましくはメチル基、エチル基であり、特に好ましくはメ
チル基である。Ｒ1 、Ｒ2 の表すハロゲノベンジル基と
は、通常１〜５個のハロゲン原子で任意にベンゼン環が
置換されているベンジル基であり、好ましくはフルオロ
ベンジル、クロロベンジル、ブロモベンジル、ヨ−ドベ
ンジルである。
る、Ｒ1 、Ｒ2 の示す置換されていてもよい炭化水素基
とは、アルキル基又はハロゲノベンジル基である。
Ｒ1 、Ｒ2 の表すアルキル基とは、通常炭素数１〜７個
のアルキル基であり、好ましくはメチル基、エチル基、
プロピル基（各異性体を含む）、ブチル基（各異性体を
含む）、ペンチル基（各異性体を含む）であり、更に好
ましくはメチル基、エチル基であり、特に好ましくはメ
チル基である。Ｒ1 、Ｒ2 の表すハロゲノベンジル基と
は、通常１〜５個のハロゲン原子で任意にベンゼン環が
置換されているベンジル基であり、好ましくはフルオロ
ベンジル、クロロベンジル、ブロモベンジル、ヨ−ドベ
ンジルである。
【００１８】化合物（Ｉ）におけるＲ3 の示すヒドロキ
シ保護基としては、通常メチル基、エチル基、プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ
−ブチル基、アリル基、ベンジル基、テトラヒドロピラ
ニル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基のようなエ−テル
形成保護基、アセチル基、ベンゾイル基などのエステル
形成保護基、メチルスルホニル基、ｐ−トルエンスルホ
ニル基、フェニルスルホニル基のようなスルホン酸形成
保護基であり、好ましくはエ−テル形成保護基であり、
更に好ましくはｔ−ブチルジメチルシリル基である。
シ保護基としては、通常メチル基、エチル基、プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ
−ブチル基、アリル基、ベンジル基、テトラヒドロピラ
ニル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基のようなエ−テル
形成保護基、アセチル基、ベンゾイル基などのエステル
形成保護基、メチルスルホニル基、ｐ−トルエンスルホ
ニル基、フェニルスルホニル基のようなスルホン酸形成
保護基であり、好ましくはエ−テル形成保護基であり、
更に好ましくはｔ−ブチルジメチルシリル基である。
【００１９】化合物（ＩＩ）におけるＲ4 の表す置換さ
れていてもよいアルキル基とは、置換されていないアル
キル基、置換されているアルキル基を表す。置換されて
いないアルキル基としては、通常前記のアルキル基であ
り、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基（各異
性体を含む）であり、更に好ましくはメチル基である。
置換されているアルキル基としては、通常アリ−ル基の
みを置換基としてもつ炭素数１〜３個のアルキル基、ア
リ−ル基および置換されていてもよいカルボキシル基を
置換基として持つ炭素数１〜３個のアルキル基であり、
好ましくは１−フェニルエチル基、１−ナフチルエチル
基、酢酸フェニル基、酢酸フェニルベンジル基である。
れていてもよいアルキル基とは、置換されていないアル
キル基、置換されているアルキル基を表す。置換されて
いないアルキル基としては、通常前記のアルキル基であ
り、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基（各異
性体を含む）であり、更に好ましくはメチル基である。
置換されているアルキル基としては、通常アリ−ル基の
みを置換基としてもつ炭素数１〜３個のアルキル基、ア
リ−ル基および置換されていてもよいカルボキシル基を
置換基として持つ炭素数１〜３個のアルキル基であり、
好ましくは１−フェニルエチル基、１−ナフチルエチル
基、酢酸フェニル基、酢酸フェニルベンジル基である。
【００２０】化合物（ＩＩ）は、分子内のＡが−ＣＨ＝
ＣＨ−ＣＨ2 −の部分構造を持つ化合物（ＩＩ−Ａ
１）、分子内のＡが−ＣＨ2 −ＣＨ＝ＣＨ−の部分構造
を持つ化合物（ＩＩ−Ａ２）を示す。本発明に使用され
る混合物Ａ内の化合物（ＩＩ−Ａ１）と化合物（ＩＩ−
Ａ２）との比は任意である。化合物（Ｉ）に対する化合
物（ＩＩ）の混合物Ａにおける存在比（モル比）は、前
記の反応条件下では、化合物（Ｉ）１モルに対して化合
物（ＩＩ）が０．１〜０．７モルが生成するが、本発明
がこのような混合物Ａに適用できることはいうまでもな
い。
ＣＨ−ＣＨ2 −の部分構造を持つ化合物（ＩＩ−Ａ
１）、分子内のＡが−ＣＨ2 −ＣＨ＝ＣＨ−の部分構造
を持つ化合物（ＩＩ−Ａ２）を示す。本発明に使用され
る混合物Ａ内の化合物（ＩＩ−Ａ１）と化合物（ＩＩ−
Ａ２）との比は任意である。化合物（Ｉ）に対する化合
物（ＩＩ）の混合物Ａにおける存在比（モル比）は、前
記の反応条件下では、化合物（Ｉ）１モルに対して化合
物（ＩＩ）が０．１〜０．７モルが生成するが、本発明
がこのような混合物Ａに適用できることはいうまでもな
い。
【００２１】本発明における前記の混合物Ａの有機溶媒
としては、本反応に関与しない有機溶媒であれば特に限
定はしないが、通常ベンゼン、トルエン、キシレンのよ
うな芳香族炭化水素系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチ
ルのようなエステル系溶媒、ジエチルエ−テル、ジイソ
プロピルエ−テルのようなエ−テル系溶媒、塩化メチレ
ン、クロロホルムのようなハロゲン炭化水素系溶媒など
であり、好ましくは芳香族炭化水素系溶媒、エステル系
溶媒、エ−テル系溶媒であり、更に好ましくは酢酸メチ
ル、ジイソプロピルエ−テルである。
としては、本反応に関与しない有機溶媒であれば特に限
定はしないが、通常ベンゼン、トルエン、キシレンのよ
うな芳香族炭化水素系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチ
ルのようなエステル系溶媒、ジエチルエ−テル、ジイソ
プロピルエ−テルのようなエ−テル系溶媒、塩化メチレ
ン、クロロホルムのようなハロゲン炭化水素系溶媒など
であり、好ましくは芳香族炭化水素系溶媒、エステル系
溶媒、エ−テル系溶媒であり、更に好ましくは酢酸メチ
ル、ジイソプロピルエ−テルである。
【００２２】本発明において、一般式（ＩＩＩ）で示さ
れる低級脂肪族カルボン酸〔化合物（ＩＩＩ）〕におけ
るＲ5 が表すアルキル基としては、通常前記のアルキル
基であり、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基
（各異性体を含む）、ブチル基（各異性体を含む）であ
り、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基
（各異性体を含む）であり、特に好ましくはメチル基で
ある。
れる低級脂肪族カルボン酸〔化合物（ＩＩＩ）〕におけ
るＲ5 が表すアルキル基としては、通常前記のアルキル
基であり、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基
（各異性体を含む）、ブチル基（各異性体を含む）であ
り、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基
（各異性体を含む）であり、特に好ましくはメチル基で
ある。
【００２３】本発明におけるアルカリ金属としては、通
常リチウム、ナトリウム、カリウムのようなアルカリ金
属であり、好ましくはナトリウム、カリウムであり、更
に好ましくはナトリウムである。
常リチウム、ナトリウム、カリウムのようなアルカリ金
属であり、好ましくはナトリウム、カリウムであり、更
に好ましくはナトリウムである。
【００２４】本発明の実施に際しては、混合物Ａに対す
る化合物（ＩＩＩ）、水およびアルカリ金属の添加方法
として、特に制限はないが、例えば以下に記載するよう
な添加方法を挙げることができる。
る化合物（ＩＩＩ）、水およびアルカリ金属の添加方法
として、特に制限はないが、例えば以下に記載するよう
な添加方法を挙げることができる。
【００２５】添加方法１．本添加方法は、例えば混合物
Ａに化合物（ＩＩＩ）と、一般式（ＩＶ）
Ａに化合物（ＩＩＩ）と、一般式（ＩＶ）
【００２６】
【化８】
【００２７】〔式中、Ｍはアルカリ金属を表し、ｎは１
又は２を表し、Ｘは対イオンを表す〕で示されるアルカ
リ金属塩との水溶液を反応させ、生成する化合物（ＩＩ
Ｉ）のアルカリ金属化合物〔化合物（ＩＩＩ−Ｍ）〕を
含む水溶液を添加する方法である。
又は２を表し、Ｘは対イオンを表す〕で示されるアルカ
リ金属塩との水溶液を反応させ、生成する化合物（ＩＩ
Ｉ）のアルカリ金属化合物〔化合物（ＩＩＩ−Ｍ）〕を
含む水溶液を添加する方法である。
【００２８】この場合、アルカリ金属塩において、Ｍの
表すアルカリ金属は前記のとうりである。アルカリ金属
塩において、Ｘの表す対イオンとしては、通常ヒドロキ
シル基、炭酸基、炭酸水素基であり、好ましくはヒドロ
キシル基、炭酸基であり、更に好ましくはヒドロキシル
基である。
表すアルカリ金属は前記のとうりである。アルカリ金属
塩において、Ｘの表す対イオンとしては、通常ヒドロキ
シル基、炭酸基、炭酸水素基であり、好ましくはヒドロ
キシル基、炭酸基であり、更に好ましくはヒドロキシル
基である。
【００２９】添加方法１において、化合物（ＩＩＩ）に
対するアルカリ金属塩（アルカリ金属基準）の使用量比
は、通常化合物（ＩＩＩ）１モルに対して１：０．２〜
１．１（モル比）であり、好ましくは１：０．２〜１．
０（モル比）である。化合物（ＩＩＩ）の水に対する溶
解量（モル濃度）としては、溶解する限り特に制限はな
いが、通常０．１〜５モル（モル濃度）であり、好まし
くは０．２〜４モル（モル濃度）である。
対するアルカリ金属塩（アルカリ金属基準）の使用量比
は、通常化合物（ＩＩＩ）１モルに対して１：０．２〜
１．１（モル比）であり、好ましくは１：０．２〜１．
０（モル比）である。化合物（ＩＩＩ）の水に対する溶
解量（モル濃度）としては、溶解する限り特に制限はな
いが、通常０．１〜５モル（モル濃度）であり、好まし
くは０．２〜４モル（モル濃度）である。
【００３０】化合物（ＩＩＩ−Ｍ）は、例えば化合物
（ＩＩＩ）とアルカリ金属塩とを、前記の割合で水に溶
解・攪拌することで生成さすことができる。化合物（Ｉ
ＩＩ−Ｍ）は、分離することなく水溶液中に含有された
状態で、本発明に適用することができる。化合物（ＩＩ
Ｉ−Ｍ）は、一度、分離・精製・乾燥して固体として保
存した後、水溶液に溶解することにより本発明に適用す
ることもできる。この場合、化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の水
への溶解量は、前記の化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の生成方法
における、化合物（ＩＩＩ）の溶解量に準ずればよい。
作製した化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の水溶液は、前記の生成
法における未分離の化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の水溶液と同
様に扱うことができる。
（ＩＩＩ）とアルカリ金属塩とを、前記の割合で水に溶
解・攪拌することで生成さすことができる。化合物（Ｉ
ＩＩ−Ｍ）は、分離することなく水溶液中に含有された
状態で、本発明に適用することができる。化合物（ＩＩ
Ｉ−Ｍ）は、一度、分離・精製・乾燥して固体として保
存した後、水溶液に溶解することにより本発明に適用す
ることもできる。この場合、化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の水
への溶解量は、前記の化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の生成方法
における、化合物（ＩＩＩ）の溶解量に準ずればよい。
作製した化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の水溶液は、前記の生成
法における未分離の化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の水溶液と同
様に扱うことができる。
【００３１】添加方法１を用いる場合、例えば混合物Ａ
に化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の水溶液を添加し、攪拌した後
に有機層を分離することにより化合物（Ｉ）を含む有機
溶媒の溶液を得ることができる。混合物Ａに対する化合
物（ＩＩＩ−Ｍ）の添加量比（モル比）としては、通常
〔混合物Ａ中の化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）とのモル
数の和〕１モルに対して１：０．２〜１０（モル比）で
あり、好ましくは１：０．３〜８（モル比）である。こ
の場合、混合物Ａ中の化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）と
の濃度及び水溶液中の化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の濃度はそ
れぞれ任意である。
に化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の水溶液を添加し、攪拌した後
に有機層を分離することにより化合物（Ｉ）を含む有機
溶媒の溶液を得ることができる。混合物Ａに対する化合
物（ＩＩＩ−Ｍ）の添加量比（モル比）としては、通常
〔混合物Ａ中の化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）とのモル
数の和〕１モルに対して１：０．２〜１０（モル比）で
あり、好ましくは１：０．３〜８（モル比）である。こ
の場合、混合物Ａ中の化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）と
の濃度及び水溶液中の化合物（ＩＩＩ−Ｍ）の濃度はそ
れぞれ任意である。
【００３２】添加方法２．本添加方法は、混合物Ａに化
合物（ＩＩＩ）を添加して混合溶液を作製し、その混合
溶液にアルカリ金属塩を含む水溶液を添加する方法であ
る。
合物（ＩＩＩ）を添加して混合溶液を作製し、その混合
溶液にアルカリ金属塩を含む水溶液を添加する方法であ
る。
【００３３】添加方法２において、混合物Ａに対する化
合物（ＩＩＩ）の添加量比（モル比）としては、通常
〔混合物Ａ中の化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）とのモル
数の和〕１モルに対して１：０．２〜１０（モル比）で
あり、好ましくは１：０．３〜８（モル比）である。添
加するアルカリ金属塩の水に対する溶解量（モル濃度）
としては、溶解する限り特に制限はないが、通常０．１
〜５モル（モル濃度）であり、好ましくは０．２〜４モ
ル（モル濃度）である。
合物（ＩＩＩ）の添加量比（モル比）としては、通常
〔混合物Ａ中の化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）とのモル
数の和〕１モルに対して１：０．２〜１０（モル比）で
あり、好ましくは１：０．３〜８（モル比）である。添
加するアルカリ金属塩の水に対する溶解量（モル濃度）
としては、溶解する限り特に制限はないが、通常０．１
〜５モル（モル濃度）であり、好ましくは０．２〜４モ
ル（モル濃度）である。
【００３４】添加方法２を用いる場合、例えば該混合溶
液にアルカリ金属塩を含む水溶液を添加し、攪拌した後
に有機層を分離することにより化合物（Ｉ）を含む有機
溶媒の溶液を得ることができる。該混合溶液に対するア
ルカリ金属塩の添加量比（アルカリ金属基準）（モル
比）としては、通常化合物（ＩＩＩ）の添加量１モルに
対して１：０．２〜１．１（モル比）であり、好ましく
は１：０．２〜１．０（モル比）である。この場合、混
合物Ａ中の化合物（Ｉ）及び化合物（ＩＩ）の濃度、混
合溶液中の化合物（ＩＩＩ）の濃度及び水溶液中のアル
カリ金属塩の濃度はそれぞれ溶解している限り任意であ
る。
液にアルカリ金属塩を含む水溶液を添加し、攪拌した後
に有機層を分離することにより化合物（Ｉ）を含む有機
溶媒の溶液を得ることができる。該混合溶液に対するア
ルカリ金属塩の添加量比（アルカリ金属基準）（モル
比）としては、通常化合物（ＩＩＩ）の添加量１モルに
対して１：０．２〜１．１（モル比）であり、好ましく
は１：０．２〜１．０（モル比）である。この場合、混
合物Ａ中の化合物（Ｉ）及び化合物（ＩＩ）の濃度、混
合溶液中の化合物（ＩＩＩ）の濃度及び水溶液中のアル
カリ金属塩の濃度はそれぞれ溶解している限り任意であ
る。
【００３５】混合物Ａに、例えば化合物（ＩＩＩ）およ
びアルカリ金属を含む水溶液を添加して、攪拌した後に
有機層を分離することにより化合物（Ｉ）を含む有機溶
媒の溶液を得ることができるが、ここで得られた有機溶
媒の溶液は、無水硫酸マグネシウム、無水硫酸ナトリウ
ムのような乾燥剤を用いて、乾燥後濃縮単離した後に、
または、有機溶媒の溶液をそのまま、例えば参考例１に
記載した方法に供して、（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オ
キソヘキサン酸メチルに誘導することができる。
びアルカリ金属を含む水溶液を添加して、攪拌した後に
有機層を分離することにより化合物（Ｉ）を含む有機溶
媒の溶液を得ることができるが、ここで得られた有機溶
媒の溶液は、無水硫酸マグネシウム、無水硫酸ナトリウ
ムのような乾燥剤を用いて、乾燥後濃縮単離した後に、
または、有機溶媒の溶液をそのまま、例えば参考例１に
記載した方法に供して、（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オ
キソヘキサン酸メチルに誘導することができる。
【００３６】本発明において、グルタル酸誘導体には不
斉炭素が存在する、そのため当然ながらグルタル酸誘導
体には光学異性体が存在するが、本発明ではいずれの光
学異性体でも適用できる。またラセミ体でも可能であ
る。
斉炭素が存在する、そのため当然ながらグルタル酸誘導
体には光学異性体が存在するが、本発明ではいずれの光
学異性体でも適用できる。またラセミ体でも可能であ
る。
【００３７】
【発明の効果】本発明を使用すれば、煩雑な操作が必要
なカラムカラムクロマトグラフィ−を使用することな
く、光学活性なグルタル酸誘導体を分離・精製が可能で
ある。
なカラムカラムクロマトグラフィ−を使用することな
く、光学活性なグルタル酸誘導体を分離・精製が可能で
ある。
【００３８】以下に実施例および参考例を示す。なお、
実施例の収率は（Ｓ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシグルタル酸モノメチル（モル）基準の（Ｒ）−３
−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホ
スフィニル−５−オキソヘキサン酸（モル）の収率であ
る。参考例の収率は（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソ
ヘキサン酸（モル）基準の（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−
オキソヘキサン酸メチル（モル）の収率である。
実施例の収率は（Ｓ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシグルタル酸モノメチル（モル）基準の（Ｒ）−３
−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホ
スフィニル−５−オキソヘキサン酸（モル）の収率であ
る。参考例の収率は（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソ
ヘキサン酸（モル）基準の（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−
オキソヘキサン酸メチル（モル）の収率である。
【００３９】また、分離・精製後の（Ｒ）−３−ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニ
ル−５−オキソヘキサン酸とペンテン二酸ハ−フエステ
ルとの存在比は、前記化合物を通常の方法でジアゾメタ
ンを用いてメチルエステル体としたのちＨＰＬＣにより
測定して決定した。ＨＰＬＣの測定条件は以下のとうり
である。
チルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニ
ル−５−オキソヘキサン酸とペンテン二酸ハ−フエステ
ルとの存在比は、前記化合物を通常の方法でジアゾメタ
ンを用いてメチルエステル体としたのちＨＰＬＣにより
測定して決定した。ＨＰＬＣの測定条件は以下のとうり
である。
【００４０】ＨＰＬＣの測定条件 カラム； Ｕｎｉｓｉｌ Ｑ ＣＮ、４．６ｍｍφ
Ｘ２５０ｍｍ 移動相； ヘキサン／エタノ−ル＝９０／１０ 流速； ０．５ｍｌ／ｍｉｎ． 検出器； 紫外吸光光度計 測定波長； ２２０ｎｍ カラム温度； ２５℃ 圧力； １０Ｋｇ／ｃｍ2 保持時間； （Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサ
ン酸のメチルエステル体：１４．１２１分 ペンテン二酸ハ−フエステルのメチルエステル体：８．
８７８分
Ｘ２５０ｍｍ 移動相； ヘキサン／エタノ−ル＝９０／１０ 流速； ０．５ｍｌ／ｍｉｎ． 検出器； 紫外吸光光度計 測定波長； ２２０ｎｍ カラム温度； ２５℃ 圧力； １０Ｋｇ／ｃｍ2 保持時間； （Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサ
ン酸のメチルエステル体：１４．１２１分 ペンテン二酸ハ−フエステルのメチルエステル体：８．
８７８分
【００４１】実施例 実施例１．アルゴン雰囲気下、−１０℃に冷却したメチ
ルジメチルホスホナ−ト９．７５ｇに、１Ｍ−リチウム
ヘキサメチルジシラザンＴＨＦ溶液７８．６ミリリット
ルを滴下した。滴下した後、同温度で１時間攪拌して、
ＴＨＦ溶解液を得た。該ＴＨＦ溶解液を攪拌しながら、
（Ｓ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシグルタル
酸モノメチル４．６５ｇをヘキサン７８．６ミリリット
ルに溶解した溶液を滴下し、滴下終了後−１０℃に保ち
ながら１時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液
１９ミリリットルを滴下して反応を終了させて反応液を
得た。得られた反応液に１．５Ｎ−塩酸１０８ミリリッ
トルを滴下した。該反応液に酢酸エチル６０ミリリット
ル加えた後、分液操作を行って酢酸エチル層を得た。得
られた酢酸エチル層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾
燥した後、濾過、減圧乾燥を行って濃縮物を得た。得ら
れた濃縮物に酢酸エチル４０．７ミリリットルを加え
て、濃縮物を溶解し酢酸エチル溶解液を得た。得られた
酢酸エチル溶解液に、炭酸ナトリウム１．８１ｇを水４
０．７ミリリットルに溶解した水溶液を加えた後、分液
操作を行って水層を得た。得られた水層に１．５Ｎ−塩
酸を加えて酸性とした後、酢酸エチル５９．７ミリリッ
トルを加えた後、分液操作を行って有機層（以下溶液Ｅ
１という）を得た。得られた溶液Ｅ１中の（Ｒ）−３−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホス
フィニル−５−オキソヘキサン酸と前記のペンテン二酸
ハ−フエステルとの存在比は、ＨＰＬＣで測定すると、
５：１（モル比）であった。
ルジメチルホスホナ−ト９．７５ｇに、１Ｍ−リチウム
ヘキサメチルジシラザンＴＨＦ溶液７８．６ミリリット
ルを滴下した。滴下した後、同温度で１時間攪拌して、
ＴＨＦ溶解液を得た。該ＴＨＦ溶解液を攪拌しながら、
（Ｓ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシグルタル
酸モノメチル４．６５ｇをヘキサン７８．６ミリリット
ルに溶解した溶液を滴下し、滴下終了後−１０℃に保ち
ながら１時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液
１９ミリリットルを滴下して反応を終了させて反応液を
得た。得られた反応液に１．５Ｎ−塩酸１０８ミリリッ
トルを滴下した。該反応液に酢酸エチル６０ミリリット
ル加えた後、分液操作を行って酢酸エチル層を得た。得
られた酢酸エチル層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾
燥した後、濾過、減圧乾燥を行って濃縮物を得た。得ら
れた濃縮物に酢酸エチル４０．７ミリリットルを加え
て、濃縮物を溶解し酢酸エチル溶解液を得た。得られた
酢酸エチル溶解液に、炭酸ナトリウム１．８１ｇを水４
０．７ミリリットルに溶解した水溶液を加えた後、分液
操作を行って水層を得た。得られた水層に１．５Ｎ−塩
酸を加えて酸性とした後、酢酸エチル５９．７ミリリッ
トルを加えた後、分液操作を行って有機層（以下溶液Ｅ
１という）を得た。得られた溶液Ｅ１中の（Ｒ）−３−
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホス
フィニル−５−オキソヘキサン酸と前記のペンテン二酸
ハ−フエステルとの存在比は、ＨＰＬＣで測定すると、
５：１（モル比）であった。
【００４２】該溶液Ｅ１に、酢酸２．５６ｇ、水酸化ナ
トリウム１．７０ｇを水９．７ミリリットルに溶解した
水溶液を加えた後、分液操作を行って有機層を得た。該
有機層に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後、濾
過、減圧乾燥を行って（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキ
ソヘキサン酸４．７１ｇを分離・精製した。（Ｒ）−３
−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホ
スフィニル−５−オキソヘキサン酸とペンテン二酸ハ−
フエステルとの存在比は、ＨＰＬＣで測定すると、９
９：１以下（モル比）であった（収率７５％）。（Ｒ）
−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキ
シホスフィニル−５−オキソヘキサン酸の 1Ｈ−ＮＭＲ
の分析結果はＪ．Ｏ．Ｃ．，５７，１９３５（１９９
２）と一致した。
トリウム１．７０ｇを水９．７ミリリットルに溶解した
水溶液を加えた後、分液操作を行って有機層を得た。該
有機層に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後、濾
過、減圧乾燥を行って（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキ
ソヘキサン酸４．７１ｇを分離・精製した。（Ｒ）−３
−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホ
スフィニル−５−オキソヘキサン酸とペンテン二酸ハ−
フエステルとの存在比は、ＨＰＬＣで測定すると、９
９：１以下（モル比）であった（収率７５％）。（Ｒ）
−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキ
シホスフィニル−５−オキソヘキサン酸の 1Ｈ−ＮＭＲ
の分析結果はＪ．Ｏ．Ｃ．，５７，１９３５（１９９
２）と一致した。
【００４３】実施例２．実施例１と同様の操作を行い有
機層( 以下溶液Ｅ２という) を得た。得られた溶液Ｅ２
中の（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６
−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸と前
記のペンテン二酸ハ−フエステルルボン酸との存在比
は、ＨＰＬＣで測定すると、５：１（モル比）であっ
た。該溶液Ｅ2 に酢酸２．５６ｇを添加・攪拌した後、
炭酸水素ナトリウム３．７５ｇを水５０ミリリットルに
溶解した水溶液を加えた後、分液操作を行って有機層を
得た。該有機層に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した
後、濾過、減圧乾燥を行って（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５
−オキソヘキサン酸４．６５ｇを分離・精製した。
（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジ
メトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸とペンテ
ン二酸ハ−フエステルとの存在比は、ＨＰＬＣで測定す
ると、９９：１以下（モル比）であった（収率７５
％）。
機層( 以下溶液Ｅ２という) を得た。得られた溶液Ｅ２
中の（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６
−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸と前
記のペンテン二酸ハ−フエステルルボン酸との存在比
は、ＨＰＬＣで測定すると、５：１（モル比）であっ
た。該溶液Ｅ2 に酢酸２．５６ｇを添加・攪拌した後、
炭酸水素ナトリウム３．７５ｇを水５０ミリリットルに
溶解した水溶液を加えた後、分液操作を行って有機層を
得た。該有機層に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した
後、濾過、減圧乾燥を行って（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５
−オキソヘキサン酸４．６５ｇを分離・精製した。
（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジ
メトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸とペンテ
ン二酸ハ−フエステルとの存在比は、ＨＰＬＣで測定す
ると、９９：１以下（モル比）であった（収率７５
％）。
【００４４】実施例３．実施例１と同様の操作を行い有
機層( 以下溶液Ｅ３という) を得た。得られた溶液Ｅ３
中の（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６
−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸と前
記のペンテン二酸ハ−フエステルルボン酸との存在比
は、ＨＰＬＣで測定すると、５：１（モル比）であっ
た。該溶液Ｅ３に酢酸ナトリウム３．５ｇを水１０ミリ
リットルに溶解した水溶液を加えた後、分液操作を行っ
て有機層を得た。該有機層に無水硫酸ナトリウムを加え
て乾燥した後、濾過、減圧乾燥を行って（Ｒ）−３−ｔ
−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフ
ィニル−５−オキソヘキサン酸４．６８ｇを分離・精製
した。（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−
６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸と
ペンテン二酸ハ−フエステルとの存在比は、ＨＰＬＣで
測定すると、９９：１以下（モル比）であった（収率７
６％）。
機層( 以下溶液Ｅ３という) を得た。得られた溶液Ｅ３
中の（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６
−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸と前
記のペンテン二酸ハ−フエステルルボン酸との存在比
は、ＨＰＬＣで測定すると、５：１（モル比）であっ
た。該溶液Ｅ３に酢酸ナトリウム３．５ｇを水１０ミリ
リットルに溶解した水溶液を加えた後、分液操作を行っ
て有機層を得た。該有機層に無水硫酸ナトリウムを加え
て乾燥した後、濾過、減圧乾燥を行って（Ｒ）−３−ｔ
−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフ
ィニル−５−オキソヘキサン酸４．６８ｇを分離・精製
した。（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−
６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸と
ペンテン二酸ハ−フエステルとの存在比は、ＨＰＬＣで
測定すると、９９：１以下（モル比）であった（収率７
６％）。
【００４５】参考例 参考例１．実施例１で得られた（Ｒ）−３−ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−
５−オキソヘキサン酸１．０５ｇをアセトン１６ミリリ
ットルに溶解してアセトン溶液を得た。得られたアセト
ン溶液にヨウ化メチル２．０２ｇ、炭酸カリウム０．３
９１ｇを添加した後、室温で６時間攪拌して反応液を得
た。得られた反応液に水１６ミリリットルを加え攪拌・
混合した後、更に酢酸エチル２０ミリリットルを加え、
分液操作を行って有機層を得た（分液操作は２度繰り返
した）。得られた有機層は合わせた後、飽和食塩水１０
ミリリットルを添加して洗浄操作を行った。洗浄後の該
有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水した後、減
圧濃縮を行って（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキ
サン酸メチル１．０ｇを得た（収率９２％）。得られた
（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジ
メトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸メチルの
1Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲの分析結果はＪ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅ
ｍ．，３０，１８５８（１９８７）と一致した。
ジメチルシリルオキシ−６−ジメトキシホスフィニル−
５−オキソヘキサン酸１．０５ｇをアセトン１６ミリリ
ットルに溶解してアセトン溶液を得た。得られたアセト
ン溶液にヨウ化メチル２．０２ｇ、炭酸カリウム０．３
９１ｇを添加した後、室温で６時間攪拌して反応液を得
た。得られた反応液に水１６ミリリットルを加え攪拌・
混合した後、更に酢酸エチル２０ミリリットルを加え、
分液操作を行って有機層を得た（分液操作は２度繰り返
した）。得られた有機層は合わせた後、飽和食塩水１０
ミリリットルを添加して洗浄操作を行った。洗浄後の該
有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水した後、減
圧濃縮を行って（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ−６−ジメトキシホスフィニル−５−オキソヘキ
サン酸メチル１．０ｇを得た（収率９２％）。得られた
（Ｒ）−３−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−６−ジ
メトキシホスフィニル−５−オキソヘキサン酸メチルの
1Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲの分析結果はＪ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅ
ｍ．，３０，１８５８（１９８７）と一致した。
フロントページの続き (72)発明者 河内 康弘 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は、互いに独立して、置換されてい
てもよい炭化水素基を表し、Ｒ3 はヒドロキシ保護基を
表す）で示される光学活性なグルタル酸誘導体と、一般
式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ4 は置換されていてもよいアルキル基を表
し、Ａは−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 −又は−ＣＨ2 −ＣＨ＝
ＣＨ−を表す）で示されるペンテン二酸ハ−フエステル
とを含む有機溶媒の混合物から、一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、Ｒ5 はアルキル基を表す）で示される低級脂肪
族カルボン酸、アルカリ金属及び水の存在下に、分離・
精製する光学活性なグルタル酸誘導体の精製方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5290863A JP2894183B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 光学活性なグルタル酸誘導体の精製方法 |
| EP94104950A EP0618213B1 (en) | 1993-03-30 | 1994-03-29 | Process for preparation of oxyglutaric acid ester derivatives |
| DE69424463T DE69424463T2 (de) | 1993-03-30 | 1994-03-29 | Verfahren zur Herstellung von Ester-Derivaten der Oxyglutar-Säure |
| US08/539,173 US5717124A (en) | 1993-03-30 | 1995-10-04 | Process for preparation of oxyglutaric acid ester derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5290863A JP2894183B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 光学活性なグルタル酸誘導体の精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07138272A true JPH07138272A (ja) | 1995-05-30 |
| JP2894183B2 JP2894183B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=17761474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5290863A Expired - Fee Related JP2894183B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-11-19 | 光学活性なグルタル酸誘導体の精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2894183B2 (ja) |
-
1993
- 1993-11-19 JP JP5290863A patent/JP2894183B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2894183B2 (ja) | 1999-05-24 |
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