JPH07130673A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH07130673A JPH07130673A JP29428393A JP29428393A JPH07130673A JP H07130673 A JPH07130673 A JP H07130673A JP 29428393 A JP29428393 A JP 29428393A JP 29428393 A JP29428393 A JP 29428393A JP H07130673 A JPH07130673 A JP H07130673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- process gas
- heat treatment
- electrode
- treatment apparatus
- electrode plates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 重金属汚染を起こすことなく面内均一性を確
保することのできる熱処理装置を提供することにある。 【構成】 反応炉12内に上記プロセスガスを供給する
供給路30中に、上記プロセスガスを励起するプラズマ
発生機構50を配置し、このプラズマ発生機構50は、
上記供給路30内部にて高純度材料からなる電極部材5
6を層状に配列したプラズマ発生機構で構成されている
ことを特徴としている。このため、層状に電極部材56
が配列されていることでプロセスガスが電極部材間に導
入され、ガス分解を比較的短時間に行えることになる。
しかも、プロセスガスの供給通路内にプラズマ生成のた
めの機構が設けられているので、熱損失を生じることが
ない。
保することのできる熱処理装置を提供することにある。 【構成】 反応炉12内に上記プロセスガスを供給する
供給路30中に、上記プロセスガスを励起するプラズマ
発生機構50を配置し、このプラズマ発生機構50は、
上記供給路30内部にて高純度材料からなる電極部材5
6を層状に配列したプラズマ発生機構で構成されている
ことを特徴としている。このため、層状に電極部材56
が配列されていることでプロセスガスが電極部材間に導
入され、ガス分解を比較的短時間に行えることになる。
しかも、プロセスガスの供給通路内にプラズマ生成のた
めの機構が設けられているので、熱損失を生じることが
ない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱理装置に関し、特
に、拡散、酸化、アニール、成膜等に用いられる熱処理
装置におけるプロセスガスの供給構造に関する。
に、拡散、酸化、アニール、成膜等に用いられる熱処理
装置におけるプロセスガスの供給構造に関する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、減圧処理装置のひとつで
ある熱処理装置では、熱処理部内を真空雰囲気下に設定
したうえで、拡散、酸化、アニールあるいは成膜等の熱
処理が半導体ウェハ等の被処理体に対して行われる。こ
のような真空雰囲気の設定は、大気中の酸素や水分等の
不純物が被処理体上に付着するのを防止するための処置
である。このため、熱処理部の排気系には排気ポンプが
設けられるとともに、排気ポンプと熱処理部との間に接
続されている排気経路にはトラップが配置されている。
このトラップでは、熱処理部からの不純物や反応生成物
を凝着させることで捕集し、排気ポンプ内への熱処理部
からの不純物や反応生成物が取込まれるのを防止するよ
うになっている。
ある熱処理装置では、熱処理部内を真空雰囲気下に設定
したうえで、拡散、酸化、アニールあるいは成膜等の熱
処理が半導体ウェハ等の被処理体に対して行われる。こ
のような真空雰囲気の設定は、大気中の酸素や水分等の
不純物が被処理体上に付着するのを防止するための処置
である。このため、熱処理部の排気系には排気ポンプが
設けられるとともに、排気ポンプと熱処理部との間に接
続されている排気経路にはトラップが配置されている。
このトラップでは、熱処理部からの不純物や反応生成物
を凝着させることで捕集し、排気ポンプ内への熱処理部
からの不純物や反応生成物が取込まれるのを防止するよ
うになっている。
【0003】図5は、上記した熱処理装置の一例を示す
図であり、同図において熱処理装置10は、石英からな
る内筒および外筒を備えた二重管構造の反応炉12を有
し、外筒および内筒はそれぞれステンレス等からなるマ
ニホールド14によって支持されている。マニホールド
14は、図示しないベースプレートに固定されている。
反応炉12の外周近傍には、内部で所望する均熱ゾーン
を加熱するためのヒータ16が設けられており、このヒ
ータ16によって、均熱ゾーンが500〜1200℃に
設定されるようになっている。
図であり、同図において熱処理装置10は、石英からな
る内筒および外筒を備えた二重管構造の反応炉12を有
し、外筒および内筒はそれぞれステンレス等からなるマ
ニホールド14によって支持されている。マニホールド
14は、図示しないベースプレートに固定されている。
反応炉12の外周近傍には、内部で所望する均熱ゾーン
を加熱するためのヒータ16が設けられており、このヒ
ータ16によって、均熱ゾーンが500〜1200℃に
設定されるようになっている。
【0004】また、マニホールド14の開口端は蓋部材
18によって封鎖されるようになっており、蓋部材18
の中央部には昇降可能でかつ回転可能なボートエレベー
タ20が配置されている。そして、このボートエレベー
タ20には、保温筒22が、さらにその保温筒22には
複数の被処理体を配列できるボート24が配置されてい
る。
18によって封鎖されるようになっており、蓋部材18
の中央部には昇降可能でかつ回転可能なボートエレベー
タ20が配置されている。そして、このボートエレベー
タ20には、保温筒22が、さらにその保温筒22には
複数の被処理体を配列できるボート24が配置されてい
る。
【0005】一方、マニホールド14には、内筒内にプ
ロセスガスを供給するための供給パイプ30が連結され
ている。
ロセスガスを供給するための供給パイプ30が連結され
ている。
【0006】このような構造の熱処理装置においては、
排気通路側に設けられている排気ポンプ32によって熱
処理炉12内が真空雰囲気下に設定され、かつ、ヒータ
16によって加熱された状態でプロセスガスが供給され
ることにて被処理体への成膜処理が実行される。なお、
図中、矢印で示す排気ガスの流動方向に沿って、排気通
路34中には、トラップ手段36、メインバルブ38、
バイパス路40、開閉バルブ42がそれぞれ配置されて
いる。
排気通路側に設けられている排気ポンプ32によって熱
処理炉12内が真空雰囲気下に設定され、かつ、ヒータ
16によって加熱された状態でプロセスガスが供給され
ることにて被処理体への成膜処理が実行される。なお、
図中、矢印で示す排気ガスの流動方向に沿って、排気通
路34中には、トラップ手段36、メインバルブ38、
バイパス路40、開閉バルブ42がそれぞれ配置されて
いる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した熱
処理装置においては、プロセスガスが常温雰囲気のまま
反応炉内に供給される場合がある。
処理装置においては、プロセスガスが常温雰囲気のまま
反応炉内に供給される場合がある。
【0008】しかし、常温のままでプロセスガスが反応
炉内に供給された場合には、被処理体の成膜に関し、面
内均一性が確保できなくなる虞れがあった。つまり、プ
ロセスガスは、反応炉内に供給される側と排出される側
とで温度が異なり、特に、供給される側では、分解反応
温度に達していないことが多い。したがって、バッチ処
理により被処理体の成膜処理を行う場合には、プロセス
ガスの供給側と排出側とで膜厚が異なるなどの面内均一
性が確保できなくなる。
炉内に供給された場合には、被処理体の成膜に関し、面
内均一性が確保できなくなる虞れがあった。つまり、プ
ロセスガスは、反応炉内に供給される側と排出される側
とで温度が異なり、特に、供給される側では、分解反応
温度に達していないことが多い。したがって、バッチ処
理により被処理体の成膜処理を行う場合には、プロセス
ガスの供給側と排出側とで膜厚が異なるなどの面内均一
性が確保できなくなる。
【0009】このため、プロセスガスを反応炉内に供給
する前に予熱する構造も提案されている(例えば本願出
願人の先願にかかる特開平5−6858号公報)。
する前に予熱する構造も提案されている(例えば本願出
願人の先願にかかる特開平5−6858号公報)。
【0010】上記公報によれば、光照射やプラズマ生成
によりプロセスガスを予熱することができるようになっ
ているが、光照射の場合には、プロセスガスの供給路を
構成している石英管により透過する熱が吸収されて熱量
の低下を来すことがある。またプラズマ生成の場合に
は、プロセスガスの供給路中に金属製の発熱抵抗体を設
置すると重金属汚染が発生する原因となる。しかも、高
周波誘電加熱によって加熱されるものの、加熱領域が短
いと十分な予熱が行えなくなることもある。
によりプロセスガスを予熱することができるようになっ
ているが、光照射の場合には、プロセスガスの供給路を
構成している石英管により透過する熱が吸収されて熱量
の低下を来すことがある。またプラズマ生成の場合に
は、プロセスガスの供給路中に金属製の発熱抵抗体を設
置すると重金属汚染が発生する原因となる。しかも、高
周波誘電加熱によって加熱されるものの、加熱領域が短
いと十分な予熱が行えなくなることもある。
【0011】そこで、本発明の目的は、上記従来の熱処
理装置における問題に鑑み、重金属汚染を起こすことな
く面内均一性を確保することのできる熱処理装置を提供
することにある。
理装置における問題に鑑み、重金属汚染を起こすことな
く面内均一性を確保することのできる熱処理装置を提供
することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、反応炉内に複数配列された
被処理体を加熱しながらプロセスガスを供給する構造を
備えた熱処理装置において、上記反応炉内に上記プロセ
スガスを供給する供給路中であって、供給路内部にて電
源側と接地側とに交互に接続された高純度材料からなる
電極部材を離間させて配列したプラズマ発生機構を設け
たことを特徴としている。
め、請求項1記載の発明は、反応炉内に複数配列された
被処理体を加熱しながらプロセスガスを供給する構造を
備えた熱処理装置において、上記反応炉内に上記プロセ
スガスを供給する供給路中であって、供給路内部にて電
源側と接地側とに交互に接続された高純度材料からなる
電極部材を離間させて配列したプラズマ発生機構を設け
たことを特徴としている。
【0013】請求項2記載の発明は、請求項1におい
て、上記電極部材は、上記プラズマガスが酸素を含んで
いる場合、ポリシリコンによって構成されていることを
特徴としている。
て、上記電極部材は、上記プラズマガスが酸素を含んで
いる場合、ポリシリコンによって構成されていることを
特徴としている。
【0014】請求項3記載の発明は、請求項1におい
て、上記電極部材は、上記プラズマガスが酸素を含まな
い場合、SiCあるいはCによって構成されていること
を特徴としている。
て、上記電極部材は、上記プラズマガスが酸素を含まな
い場合、SiCあるいはCによって構成されていること
を特徴としている。
【0015】
【作用】本発明では、反応炉に供給されるプロセスガス
は供給路中で分解反応温度まで加熱される。つまり、供
給路内部で、電源側と接地側とに交互に接続された高純
度材料からなる電極部材を離間させて配列したプラズマ
発生機構を通過する間に加熱されて温度を上昇させるこ
とができる。しかも、電源側及び接地側に交互に接続さ
れている電極部材を離間させて配列することで、プラズ
マとの接触機会を多くし、移動速度に対するガス分解効
率を上げることができる。
は供給路中で分解反応温度まで加熱される。つまり、供
給路内部で、電源側と接地側とに交互に接続された高純
度材料からなる電極部材を離間させて配列したプラズマ
発生機構を通過する間に加熱されて温度を上昇させるこ
とができる。しかも、電源側及び接地側に交互に接続さ
れている電極部材を離間させて配列することで、プラズ
マとの接触機会を多くし、移動速度に対するガス分解効
率を上げることができる。
【0016】
【実施例】以下、図面に示した実施例により本発明の詳
細を説明する。
細を説明する。
【0017】図1は、本発明実施例による熱処理装置の
全体構成を概略的に示した図であり、同図において、図
5に示したものと同じ構成部品については同符号により
示してある。
全体構成を概略的に示した図であり、同図において、図
5に示したものと同じ構成部品については同符号により
示してある。
【0018】図1に示す実施例は、図5に示した構成と
比較して、プロセスガスの供給路中にプロセスガスをR
Fによって励起する機構を設けた点が異なる。
比較して、プロセスガスの供給路中にプロセスガスをR
Fによって励起する機構を設けた点が異なる。
【0019】すなわち、プロセスガスの供給路30に
は、プロセスガスのプラズマ発生機構50が配置されて
いる。プラズマ発生機構50は、その構成が図2に示さ
れている。
は、プロセスガスのプラズマ発生機構50が配置されて
いる。プラズマ発生機構50は、その構成が図2に示さ
れている。
【0020】図2において、プラズマ発生機構50は、
ステンレス製の筒状外殻52を有し、プラズマガスの流
路に相当する供給通路の内部には、矢印で示すプロセス
ガスの流動方向における最上流位置に配置された平板か
らなる邪魔板54を除いた位置から順に、上記プロセス
ガスの流動方向に沿って複数の電極板56が層状に配列
されている。
ステンレス製の筒状外殻52を有し、プラズマガスの流
路に相当する供給通路の内部には、矢印で示すプロセス
ガスの流動方向における最上流位置に配置された平板か
らなる邪魔板54を除いた位置から順に、上記プロセス
ガスの流動方向に沿って複数の電極板56が層状に配列
されている。
【0021】これら電極板56はプラズマ生成のための
対向電極を構成するものであり、その支持構造は、図3
および図4に示してある。
対向電極を構成するものであり、その支持構造は、図3
および図4に示してある。
【0022】すなわち、電極板56のうち、奇数番目と
偶数番目とは、異なる支持部を備えており、奇数番目の
電極板56Aは、RF電源58に接続された電極ロッド
60によって基部が保持され、また偶数番目の電極板5
6Bは、接地側に接続された電極ロッド62によって基
部が支持されている。従って、これら各電極板56は、
電極ロッド60、62によって片持ち梁状に支持されて
交互に配列されている。そして、各電極板56の先端
は、電極ロッド60、62に接触しない位置まで延長さ
れており、これによって、各電極板56同士で段違い状
に配列されていることになる。このため、電極ロッド6
0、62には、各電極板56の位置を規定するための間
座に相当するSiC製のスペーサ64(図4参照)が設
けられている。
偶数番目とは、異なる支持部を備えており、奇数番目の
電極板56Aは、RF電源58に接続された電極ロッド
60によって基部が保持され、また偶数番目の電極板5
6Bは、接地側に接続された電極ロッド62によって基
部が支持されている。従って、これら各電極板56は、
電極ロッド60、62によって片持ち梁状に支持されて
交互に配列されている。そして、各電極板56の先端
は、電極ロッド60、62に接触しない位置まで延長さ
れており、これによって、各電極板56同士で段違い状
に配列されていることになる。このため、電極ロッド6
0、62には、各電極板56の位置を規定するための間
座に相当するSiC製のスペーサ64(図4参照)が設
けられている。
【0023】また、これら電極板56は、厚さ方向に貫
通する孔を形成されたリング状部材で構成され、各電極
板56の孔の中心位置を、図2において縦方向で一致さ
せてある。
通する孔を形成されたリング状部材で構成され、各電極
板56の孔の中心位置を、図2において縦方向で一致さ
せてある。
【0024】上記電極板56の材料に関しては、例え
ば、プロセスガスに酸素を含む場合、ポリシリコンが用
いられ、また、プロセスガスに酸素を含まない場合、S
iC、あるいはCを含む材料が用いられる。いずれの場
合にも、重金属などのコンタミネーションの発生を抑え
る組合せが用いられる。さらに、外殻の内表面には、石
英等の絶縁性および耐熱性の部材による保護層66(図
2参照)が形成されている。
ば、プロセスガスに酸素を含む場合、ポリシリコンが用
いられ、また、プロセスガスに酸素を含まない場合、S
iC、あるいはCを含む材料が用いられる。いずれの場
合にも、重金属などのコンタミネーションの発生を抑え
る組合せが用いられる。さらに、外殻の内表面には、石
英等の絶縁性および耐熱性の部材による保護層66(図
2参照)が形成されている。
【0025】次に作用について説明する。
【0026】電極ロッド60に対してRF電源からの給
電が開始されるとともにプロセスガスの供給が開始され
る。
電が開始されるとともにプロセスガスの供給が開始され
る。
【0027】プロセスガスは、図2において矢印で示す
ように、電極板56間にプロセスガスが移動することで
プラズマが生成されることになる。
ように、電極板56間にプロセスガスが移動することで
プラズマが生成されることになる。
【0028】そして、プラズマを生成することで分解し
たプロセスガスは、孔を通過して反応炉12内に導入さ
れる。
たプロセスガスは、孔を通過して反応炉12内に導入さ
れる。
【0029】また、電極板56は、奇数番目および偶数
番目のものをそれぞれ単独の電極ロッド60、62によ
って保持するようになっているので、相対する電極板間
の電気的絶縁する必要がなく、これによって、構成が比
較的簡単になる。
番目のものをそれぞれ単独の電極ロッド60、62によ
って保持するようになっているので、相対する電極板間
の電気的絶縁する必要がなく、これによって、構成が比
較的簡単になる。
【0030】なお、上記実施例では、電極板を片持ち梁
状に支持した例を示したが、このような支持構造に限ら
ないこと勿論である。
状に支持した例を示したが、このような支持構造に限ら
ないこと勿論である。
【0031】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、プロセス
ガスの流路中で直接プロセスガスを分解させることがで
きる。このため、外部加熱源を設けた場合の熱損失や、
熱源回り、配管接続部の断熱冷却の必要性がなくなる。
ガスの流路中で直接プロセスガスを分解させることがで
きる。このため、外部加熱源を設けた場合の熱損失や、
熱源回り、配管接続部の断熱冷却の必要性がなくなる。
【0032】また、本発明によれば、離間した状態で交
互に電極部材を配列してその間にプロセスガスを通過さ
せるようにしたので、プラズマ生成の機会を増やすこと
ができる。このため、プロセスガスの流路中に電極板を
配列するという簡単な構造でありながら、プロセスガス
の予熱経路を増加させたと同じ作用が得られる。
互に電極部材を配列してその間にプロセスガスを通過さ
せるようにしたので、プラズマ生成の機会を増やすこと
ができる。このため、プロセスガスの流路中に電極板を
配列するという簡単な構造でありながら、プロセスガス
の予熱経路を増加させたと同じ作用が得られる。
【図1】本発明実施例による熱処理装置の要部を模式的
に示す配管図である。
に示す配管図である。
【図2】図1に示した熱処理装置に用いられるプラズマ
発生機構の構成を説明するための断面図である。
発生機構の構成を説明するための断面図である。
【図3】図2に示したプラズマ発生機構における電極板
の構成を説明するための概略的な斜視図である。
の構成を説明するための概略的な斜視図である。
【図4】図2に示したプラズマ発生機構の電極板の支持
構造を説明するための一部断面図である。
構造を説明するための一部断面図である。
【図5】減圧処理装置の従来例を示す模式図である。
10 熱処理装置 12 反応炉 30 プロセスガスの供給通路 50 プラズマ発生機構 56 電極板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/324 D P
Claims (3)
- 【請求項1】 反応炉内に複数配列された被処理体を加
熱しながらプロセスガスを供給する構造を備えた熱処理
装置において、 上記反応炉内に上記プロセスガスを供給する供給路中で
あって、上記供給路内部にて電源側及び接地側とに交互
に接続されている高純度材料からなる電極部材を離間さ
せて配列したプラズマ発生機構を設けたことを特徴とす
る熱処理装置。 - 【請求項2】 請求項1において、 上記電極部材は、上記プラズマガスが酸素を含んでいる
場合、ポリシリコンによって構成されていることを特徴
とする熱処理装置。 - 【請求項3】 請求項1において、 上記電極部材は、上記プラズマガスが酸素を含まない場
合、SiCあるいはCによって構成されていることを特
徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29428393A JP3154883B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29428393A JP3154883B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07130673A true JPH07130673A (ja) | 1995-05-19 |
JP3154883B2 JP3154883B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=17805703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29428393A Expired - Fee Related JP3154883B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3154883B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09115836A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-05-02 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 薄膜蒸着装置 |
US7900580B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-03-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
CN102931050A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式 |
TWI642330B (zh) * | 2016-07-21 | 2018-11-21 | 日商國際電氣股份有限公司 | 電漿生成裝置、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP29428393A patent/JP3154883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09115836A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-05-02 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 薄膜蒸着装置 |
US5948167A (en) * | 1995-09-29 | 1999-09-07 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US7900580B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-03-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
US8047158B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-11-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
US8261692B2 (en) | 2002-04-05 | 2012-09-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
CN102931050A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式 |
TWI642330B (zh) * | 2016-07-21 | 2018-11-21 | 日商國際電氣股份有限公司 | 電漿生成裝置、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3154883B2 (ja) | 2001-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH079036Y2 (ja) | 縦型熱処理炉 | |
JP3421660B2 (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
EP1182692B1 (en) | Heat-processing apparatus and method for semiconductor processing | |
JP2004119510A (ja) | 熱処理装置 | |
WO2007145132A1 (ja) | 載置台構造及び熱処理装置 | |
US7358200B2 (en) | Gas-assisted rapid thermal processing | |
WO2003041139A1 (fr) | Appareil de traitement thermique | |
JPH07130673A (ja) | 熱処理装置 | |
JP4468555B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP4669465B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 | |
JPS63232422A (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 | |
JP4104070B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 | |
JP3447898B2 (ja) | ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置 | |
JP2011103469A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 | |
JP3641193B2 (ja) | 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット | |
JP3534518B2 (ja) | 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置 | |
JPS63137416A (ja) | 真空断熱加熱炉 | |
JP3668703B2 (ja) | 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置 | |
JP3011453B2 (ja) | 半導体薄板の処理装置 | |
JPH06310454A (ja) | ホットウォール型熱処理装置 | |
JP2004311775A (ja) | 半導体処理装置 | |
JP2003133319A (ja) | 高圧アニール装置 | |
JPS63119524A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP2001267250A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2003158082A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010116 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |