JPH07130647A - マスク支持装置およびこれを用いた露光装置 - Google Patents
マスク支持装置およびこれを用いた露光装置Info
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- JPH07130647A JPH07130647A JP5300879A JP30087993A JPH07130647A JP H07130647 A JPH07130647 A JP H07130647A JP 5300879 A JP5300879 A JP 5300879A JP 30087993 A JP30087993 A JP 30087993A JP H07130647 A JPH07130647 A JP H07130647A
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- chuck
- exposure
- wafer
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクを保持するマスク保持台の熱膨張によ
る変形を微小なものとすることによって露光吸収体の位
置歪の発生を抑制する。 【構成】 マスク保持装置は、マスク２０を真空吸着す
るためのマスクチャック５と、マスクチャック５を複数
の板バネ７を介して微動自在に支持するベース６と、マ
スクチャック５をベース６に対して微動させるための圧
電素子８とを備えている。マスクチャック５は低熱膨張
ガラスからなり、また、板バネ７はねじ１５によってね
じ止めされている。このため、マスクチャック５の熱膨
張による変形が極めて微小となり、ひいてはマスクチャ
ック５に保持されたマスク２０の露光吸収体１の位置歪
も抑制される。
る変形を微小なものとすることによって露光吸収体の位
置歪の発生を抑制する。 【構成】 マスク保持装置は、マスク２０を真空吸着す
るためのマスクチャック５と、マスクチャック５を複数
の板バネ７を介して微動自在に支持するベース６と、マ
スクチャック５をベース６に対して微動させるための圧
電素子８とを備えている。マスクチャック５は低熱膨張
ガラスからなり、また、板バネ７はねじ１５によってね
じ止めされている。このため、マスクチャック５の熱膨
張による変形が極めて微小となり、ひいてはマスクチャ
ック５に保持されたマスク２０の露光吸収体１の位置歪
も抑制される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体露光装置等にお
いて、ウエハ等基板（以下、「基板」という。）に高精
度なパターン転写を行うためのマスク支持装置およびこ
れを用いた露光装置に関するものである。
いて、ウエハ等基板（以下、「基板」という。）に高精
度なパターン転写を行うためのマスク支持装置およびこ
れを用いた露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高密度半導体メモリ、例えば、２５６Ｍ
ｂｉｔＤＲＡＭ作成のためには、線幅０．２５μｍの微
細なマスクパターンをＳｉ等からなる基板へ転写するこ
とが要請されるため、マスクパターンの歪を低く抑制し
なければならない。このため次に記載するようなマスク
支持装置が提案されている。
ｂｉｔＤＲＡＭ作成のためには、線幅０．２５μｍの微
細なマスクパターンをＳｉ等からなる基板へ転写するこ
とが要請されるため、マスクパターンの歪を低く抑制し
なければならない。このため次に記載するようなマスク
支持装置が提案されている。
【０００３】図９に示すように、マスク支持装置は、所
定のパターンの露光吸収体１０１を有するマスク１２０
を真空吸着するための真空吸着溝１１２を有するマスク
保持台であるマスクチャック１０５と、マスクチャック
１０５を板バネ１０７を介して微動自在に支持するベー
ス１０６と、マスクチャック１０５をベース１０６に対
して微動させるためのアクチュエータとしての圧電素子
１０８とを備える。マスク１２０は、所定のパターンの
露光吸収体１０１を有する支持膜１０２と、支持膜１０
２を支持する支持枠１０３と、支持枠１０３が取付けら
れた保持枠１０４からなり、保持枠１０４をマスクチャ
ック１０５で真空吸着することによって保持するように
構成されている。
定のパターンの露光吸収体１０１を有するマスク１２０
を真空吸着するための真空吸着溝１１２を有するマスク
保持台であるマスクチャック１０５と、マスクチャック
１０５を板バネ１０７を介して微動自在に支持するベー
ス１０６と、マスクチャック１０５をベース１０６に対
して微動させるためのアクチュエータとしての圧電素子
１０８とを備える。マスク１２０は、所定のパターンの
露光吸収体１０１を有する支持膜１０２と、支持膜１０
２を支持する支持枠１０３と、支持枠１０３が取付けら
れた保持枠１０４からなり、保持枠１０４をマスクチャ
ック１０５で真空吸着することによって保持するように
構成されている。
【０００４】上述の如くマスクチャック１０５によって
保持されたマスク１２０の支持膜１０２に対し、ヘリウ
ムガスで満たされる２０μｍ程度の隙間１１１をおいて
対向するようにウエハ１０９を保持するウエハチャック
１１０が図示しない位置決め装置に設けられている。こ
のウエハチャック１１０は、ウエハ１０９を真空吸着す
るための真空吸着溝１１３を有するとともに熱流媒を通
す流路１１４が内設されており、該流路１１４に所定の
温度に温度調節された恒温水等の熱流媒を流し前記ヘリ
ウムガスを介して熱伝導によってマスク１２０の熱を逃
がし、マスク１２０の温度調節を行っている。
保持されたマスク１２０の支持膜１０２に対し、ヘリウ
ムガスで満たされる２０μｍ程度の隙間１１１をおいて
対向するようにウエハ１０９を保持するウエハチャック
１１０が図示しない位置決め装置に設けられている。こ
のウエハチャック１１０は、ウエハ１０９を真空吸着す
るための真空吸着溝１１３を有するとともに熱流媒を通
す流路１１４が内設されており、該流路１１４に所定の
温度に温度調節された恒温水等の熱流媒を流し前記ヘリ
ウムガスを介して熱伝導によってマスク１２０の熱を逃
がし、マスク１２０の温度調節を行っている。
【０００５】露光吸収体１０１の位置歪についてみる
と、露光吸収体１０１は支持膜１０２に支持されている
ために、支持膜１０２の変形によって位置歪が発生し、
支持膜１０２は、支持枠１０３に取付けられているため
に支持枠１０３の変形によって変形し、支持枠１０３は
保持枠１０４によって保持されているために保持枠１０
４の変形によって変形し、さらに保持枠１０４はマスク
チャック１０５によって保持されているためにマスクチ
ャック１０５の変形によって変形する。つまり、露光吸
収体１０１は、支持膜１０２、支持枠１０３、保持枠１
０４およびマスクチャック１０５のいずれか一つでも変
形すれば、その影響を受けて位置歪が発生するが、これ
らの変形の発生原因は熱膨張によるところが主因と考え
られる。
と、露光吸収体１０１は支持膜１０２に支持されている
ために、支持膜１０２の変形によって位置歪が発生し、
支持膜１０２は、支持枠１０３に取付けられているため
に支持枠１０３の変形によって変形し、支持枠１０３は
保持枠１０４によって保持されているために保持枠１０
４の変形によって変形し、さらに保持枠１０４はマスク
チャック１０５によって保持されているためにマスクチ
ャック１０５の変形によって変形する。つまり、露光吸
収体１０１は、支持膜１０２、支持枠１０３、保持枠１
０４およびマスクチャック１０５のいずれか一つでも変
形すれば、その影響を受けて位置歪が発生するが、これ
らの変形の発生原因は熱膨張によるところが主因と考え
られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
技術において熱膨張を防止するためには、支持枠１０
３、保持枠１０４およびマスクチャック１０５を温調す
ることが考えられるが、これらを恒温水のような熱流媒
によって温調すると熱流媒の流動に伴って振動が発生し
て高精度の転写ができなくなる。一方、ペルチェ素子を
マスクリングに設けたマスク冷却装置（特開平１−１２
００２１号公報参照）が提案されているが、この場合に
おいては、ペルチェ素子を制御するために複雑な電気系
を必要とする上、ペルチェ素子の反冷却面側を冷却する
ための手段を別途設ける必要があるために高価なものと
なる。
技術において熱膨張を防止するためには、支持枠１０
３、保持枠１０４およびマスクチャック１０５を温調す
ることが考えられるが、これらを恒温水のような熱流媒
によって温調すると熱流媒の流動に伴って振動が発生し
て高精度の転写ができなくなる。一方、ペルチェ素子を
マスクリングに設けたマスク冷却装置（特開平１−１２
００２１号公報参照）が提案されているが、この場合に
おいては、ペルチェ素子を制御するために複雑な電気系
を必要とする上、ペルチェ素子の反冷却面側を冷却する
ための手段を別途設ける必要があるために高価なものと
なる。
【０００７】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであって、マスクを保持するマス
ク保持台の熱膨張による変形を微小なものとすることに
よって露光吸収体の位置歪の発生を抑制することができ
るマスク支持装置およびこれを用いた露光装置を実現す
ることを目的とするものである。
に鑑みてなされたものであって、マスクを保持するマス
ク保持台の熱膨張による変形を微小なものとすることに
よって露光吸収体の位置歪の発生を抑制することができ
るマスク支持装置およびこれを用いた露光装置を実現す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のマスク支持装置は、マスクを保持するた
めのマスク保持台と、前記マスク保持台を弾性部材を介
して微動自在に支持する微動ステージとを備え、前記マ
スク保持台が低熱膨張材料からなることを特徴とするも
のである。
めに、本発明のマスク支持装置は、マスクを保持するた
めのマスク保持台と、前記マスク保持台を弾性部材を介
して微動自在に支持する微動ステージとを備え、前記マ
スク保持台が低熱膨張材料からなることを特徴とするも
のである。
【０００９】
【作用】マスク保持台が低熱膨張材料からなるので、マ
スク保持台を温調しなくてもマスク保持台の熱膨張によ
る変形は極めて微小なものとなるため、マスク保持台に
保持されたマスクの露光吸収体の位置歪を抑制すること
ができ、高精度なマスクパターンの転写が可能となる。
スク保持台を温調しなくてもマスク保持台の熱膨張によ
る変形は極めて微小なものとなるため、マスク保持台に
保持されたマスクの露光吸収体の位置歪を抑制すること
ができ、高精度なマスクパターンの転写が可能となる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１１】図１は、第１実施例のマスク保持装置を示
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
【００１２】第１実施例のマスク保持装置は、図１に示
すように、マスク２０を真空吸着するための図示しない
真空発生源に連通された真空吸着溝１２を有するマスク
保持台であるマスクチャック５と、マスクチャック５を
複数の弾性部材である板バネ７を介して微動自在に支持
する微動ステージであるベース６と、マスクチャック５
をベース６に対して微動させるためのアクチュエータと
して圧電素子８とを備えている。マスク２０は、所定の
パターンの露光吸収体１を有する支持膜２と、支持膜２
の周縁部を支持する支持枠３と、支持枠３が取付けられ
た保持枠４からなり、保持枠４をマスクチャック５によ
って真空吸着することによって保持するように構成され
ている。
すように、マスク２０を真空吸着するための図示しない
真空発生源に連通された真空吸着溝１２を有するマスク
保持台であるマスクチャック５と、マスクチャック５を
複数の弾性部材である板バネ７を介して微動自在に支持
する微動ステージであるベース６と、マスクチャック５
をベース６に対して微動させるためのアクチュエータと
して圧電素子８とを備えている。マスク２０は、所定の
パターンの露光吸収体１を有する支持膜２と、支持膜２
の周縁部を支持する支持枠３と、支持枠３が取付けられ
た保持枠４からなり、保持枠４をマスクチャック５によ
って真空吸着することによって保持するように構成され
ている。
【００１３】本実施例において、マスクチャック５は低
熱膨張材料である線膨張係数が１×１０ｅ−６以下の低
熱膨張ガラスからなり、一端側がマスクチャック５にね
じ１５によってねじ止めされたステンレス製の板バネ７
の他端側をベース６にねじ１５によってねじ止めするこ
とによってベース６に対し微動自在に支持されていると
ともに、ベース６に配設された圧電素子８によって駆動
用板バネ７ａを介して加えられる外力でベース６に対し
て微動を行って高精度な位置決めができるように構成さ
れている。
熱膨張材料である線膨張係数が１×１０ｅ−６以下の低
熱膨張ガラスからなり、一端側がマスクチャック５にね
じ１５によってねじ止めされたステンレス製の板バネ７
の他端側をベース６にねじ１５によってねじ止めするこ
とによってベース６に対し微動自在に支持されていると
ともに、ベース６に配設された圧電素子８によって駆動
用板バネ７ａを介して加えられる外力でベース６に対し
て微動を行って高精度な位置決めができるように構成さ
れている。
【００１４】本実施例において、ウエハチャック１０に
真空吸着された基板であるＳｉ製のウエハ９は、温度調
節された基板支持装置であるウエハチャック１０に接触
しているので、流路１４内を流れる恒温水によって所定
の温度に温調されたウエハチャック１０からの熱伝導に
よって温調されて熱歪が抑制される。一方、支持枠３、
支持膜２および露光吸収体１は、隙間１１内に充満され
たヘリウムガスを介して熱伝導によって温調されて、こ
れらの熱歪が抑制される。
真空吸着された基板であるＳｉ製のウエハ９は、温度調
節された基板支持装置であるウエハチャック１０に接触
しているので、流路１４内を流れる恒温水によって所定
の温度に温調されたウエハチャック１０からの熱伝導に
よって温調されて熱歪が抑制される。一方、支持枠３、
支持膜２および露光吸収体１は、隙間１１内に充満され
たヘリウムガスを介して熱伝導によって温調されて、こ
れらの熱歪が抑制される。
【００１５】また、マスクチャック５は低熱膨張ガラス
製であるため熱膨張による変形が極めて微小である。し
たがって、マスクチャック５に保持されたマスク２０の
熱変形も極めて微小なものとなり、ひいては露光吸収体
１の位置歪も抑制されるため、高精度なマスクパターン
の転写が可能となる。
製であるため熱膨張による変形が極めて微小である。し
たがって、マスクチャック５に保持されたマスク２０の
熱変形も極めて微小なものとなり、ひいては露光吸収体
１の位置歪も抑制されるため、高精度なマスクパターン
の転写が可能となる。
【００１６】図２は第１実施例の変形例を示す図１と同
様の模式斜視図であって、本変形例はマスクチャック５
の少なくともマスク吸収面にＳｉＣをＣＶＤによってコ
ーティングした保護膜１６が施されている。その他の部
分は第１実施例と同様であるので説明は省略する。
様の模式斜視図であって、本変形例はマスクチャック５
の少なくともマスク吸収面にＳｉＣをＣＶＤによってコ
ーティングした保護膜１６が施されている。その他の部
分は第１実施例と同様であるので説明は省略する。
【００１７】本変形例は少なくともマスク吸着面に保護
膜１６が施されているためマスク吸着面の欠等が防止さ
れる。
膜１６が施されているためマスク吸着面の欠等が防止さ
れる。
【００１８】図３は第２実施例の主要部を示す模式斜視
図である。
図である。
【００１９】本実施例のマスクチャック３５は、板バネ
３７の取付部としての凹所３５ａを設けて凹所３５ａの
底壁によって薄肉部３５ｂを形成しておき、板バネ３７
に設けられた取付部３７ａを凹所３５ａに遊嵌し、複数
のねじ４５によって固定したものである。これ以外は第
１実施例と同様であるのでその説明は省略する。
３７の取付部としての凹所３５ａを設けて凹所３５ａの
底壁によって薄肉部３５ｂを形成しておき、板バネ３７
に設けられた取付部３７ａを凹所３５ａに遊嵌し、複数
のねじ４５によって固定したものである。これ以外は第
１実施例と同様であるのでその説明は省略する。
【００２０】本実施例は、マスクチャック３５に形成さ
れた剛性の小さい薄肉部３５ｂに板バネ３７の取付部３
７ａがねじ４５によってねじ止めされているため、板バ
ネ３７によって外力を受けたとしても薄肉部３５ｂが変
形することによってマスクチャック３５の平面度が保た
れる。
れた剛性の小さい薄肉部３５ｂに板バネ３７の取付部３
７ａがねじ４５によってねじ止めされているため、板バ
ネ３７によって外力を受けたとしても薄肉部３５ｂが変
形することによってマスクチャック３５の平面度が保た
れる。
【００２１】図４は第３実施例のマスク保持装置を示
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
【００２２】本実施例は上記第１実施例の変形例におけ
る板バネ７や駆動用バネ７ａをねじ１５によってねじ止
めする替わりに接着剤５５を用いて接着したものであ
る。それ以外の部分は第１実施例の変形例と同一である
ので説明は省略する。
る板バネ７や駆動用バネ７ａをねじ１５によってねじ止
めする替わりに接着剤５５を用いて接着したものであ
る。それ以外の部分は第１実施例の変形例と同一である
ので説明は省略する。
【００２３】本実施例においては、ねじ止めした場合の
ような応力による歪が発生しない。加えて、接着剤の厚
みを調節することによりベース６とマスクチャック５の
チャック面とが同一面となるように調節することができ
る。
ような応力による歪が発生しない。加えて、接着剤の厚
みを調節することによりベース６とマスクチャック５の
チャック面とが同一面となるように調節することができ
る。
【００２４】図５は第４実施例のマスク保持装置を示
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
【００２５】本実施例は、上記第１実施例の変形例にお
けるベース６の替わりに、メインベース６６ａにサブベ
ース６６ｂをねじ６６ｃによってねじ止めすることによ
ってベース６６を構成したものである。それ以外の部分
は第１実施例の変形例と同様であるので説明は省略す
る。
けるベース６の替わりに、メインベース６６ａにサブベ
ース６６ｂをねじ６６ｃによってねじ止めすることによ
ってベース６６を構成したものである。それ以外の部分
は第１実施例の変形例と同様であるので説明は省略す
る。
【００２６】本実施例においては、マスクチャック５を
サブベース６６ｂに板バネ７をねじ１５によってねじ止
めして取付けたのち、サブベース６６ｂの後加工を行っ
てマスクチャック５の吸着保持面とメインベース６６ａ
の面とが同一面となるように調整して取付ることができ
る。
サブベース６６ｂに板バネ７をねじ１５によってねじ止
めして取付けたのち、サブベース６６ｂの後加工を行っ
てマスクチャック５の吸着保持面とメインベース６６ａ
の面とが同一面となるように調整して取付ることができ
る。
【００２７】ここで、上記各実施例のマスク支持装置を
用いた露光装置の一実施例について説明する。
用いた露光装置の一実施例について説明する。
【００２８】図６に示すように、シンクロトロン放射光
等の光源８０からのＸ線Ｌはミラーチャンバ８１内に配
設されたミラー８２によって反射されて露光チャンバ８
３内のベース６に弾性体を介して微動自在に支持された
マスクチャック５に保持されたマスク２０の露光吸収体
１のパターンをウエハチャック１０に保持されたウエハ
９に転写する。ここで、粗動ステージ８４は第１のアク
チュエータ８５によって粗動され、ウエハチャック１０
は第２のアクチュエータ８６によって微動されることに
よって高精度に位置決めされるように構成されている。
等の光源８０からのＸ線Ｌはミラーチャンバ８１内に配
設されたミラー８２によって反射されて露光チャンバ８
３内のベース６に弾性体を介して微動自在に支持された
マスクチャック５に保持されたマスク２０の露光吸収体
１のパターンをウエハチャック１０に保持されたウエハ
９に転写する。ここで、粗動ステージ８４は第１のアク
チュエータ８５によって粗動され、ウエハチャック１０
は第２のアクチュエータ８６によって微動されることに
よって高精度に位置決めされるように構成されている。
【００２９】次に上述した露光装置を利用した半導体デ
バイスの製造方法の実施例を説明する。
バイスの製造方法の実施例を説明する。
【００３０】図７は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップＳ
１１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行
う。ステップＳ１２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップＳ
１３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて基板
であるウエハを製造する。ステップＳ１４（ウエハプロ
セス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップＳ１５（組立）は後工程
と呼ばれ、ステップＳ１４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ１６（検
査）ではステップＳ１５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップＳ１７）される。
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップＳ
１１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行
う。ステップＳ１２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップＳ
１３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて基板
であるウエハを製造する。ステップＳ１４（ウエハプロ
セス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップＳ１５（組立）は後工程
と呼ばれ、ステップＳ１４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ１６（検
査）ではステップＳ１５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップＳ１７）される。
【００３１】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップＳ２１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップＳ２５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップＳ２６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップＳ２７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップＳ２８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップＳ２９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本
実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった
高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
を示す。ステップＳ２１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップＳ２５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップＳ２６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップＳ２７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップＳ２８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップＳ２９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本
実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった
高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００３３】マスク保持台の熱膨張による変形が極めて
微小であるため、マスク保持台によって保持されるマス
クの露光吸収体の位置歪が抑制される。このため、高精
度なパターンの転写が可能となり、高集積度の半導体デ
バイスを製造することができる。
微小であるため、マスク保持台によって保持されるマス
クの露光吸収体の位置歪が抑制される。このため、高精
度なパターンの転写が可能となり、高集積度の半導体デ
バイスを製造することができる。
【図１】本発明に係るマスク保持装置の第１実施例を示
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
【図２】図１に示す第１実施例の変形例を示す図１と同
様の模式斜視図である。
様の模式斜視図である。
【図３】本発明に係るマスク保持装置の第２実施例の主
要部を示す模式斜視図である。
要部を示す模式斜視図である。
【図４】本発明に係るマスク保持装置の第３実施例を示
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
【図５】本発明に係るマスク保持装置の第４実施例を示
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
【図６】本発明に係るマスク保持装置を用いた露光装置
の一実施例を示す説明図である。
の一実施例を示す説明図である。
【図７】本発明に係る露光装置を用いた半導体デバイス
製造方法の工程を示すフローチャートである。
製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図８】図７に示すウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。
ートである。
【図９】従来のマスク保持装置を示し、ウエハチャック
とともに中央部で切断して示す模式斜視図である。
とともに中央部で切断して示す模式斜視図である。
１ 露光吸収体 ２ 支持膜 ３ 支持枠 ４ 保持枠 ５，３５ マスクチャック ６，６６ ベース ７，３７ 板バネ ８ 圧電素子 ９ ウエハ １０ ウエハチャック １１ 隙間 １２，１３ 真空吸着溝 １４ 流路 １５，４５，６６ｃ ねじ １６ 保護膜 ３５ａ 凹所 ３５ｂ 薄肉部 ３７ａ 取付部 ６６ａ メインベース ６６ｂ サブベース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 英治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 マスクを保持するためのマスク保持台
と、前記マスク保持台を弾性部材を介して微動自在に支
持する微動ステージとを備え、前記マスク保持台が低熱
膨張材料からなることを特徴とするマスク支持装置。 - 【請求項２】 低熱膨張材料は、低熱膨張ガラスである
ことを特徴とする請求項１記載のマスク支持装置。 - 【請求項３】 弾性部材が、板バネであることを特徴と
する請求項１または２記載のマスク支持装置。 - 【請求項４】 板バネが接着剤によってマスク保持台に
接着されたことを特徴とする請求項３記載のマスク支持
装置。 - 【請求項５】 マスク保持台の少なくともマスクを保持
する面に保護膜が施されたことを特徴とする請求項１乃
至４いずれか１項記載のマスク支持装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５いずれか１項記載のマス
ク支持装置と、基板を支持する温度調節された基板支持
装置と、前記基板を露光するための露光手段を備えた露
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5300879A JPH07130647A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | マスク支持装置およびこれを用いた露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5300879A JPH07130647A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | マスク支持装置およびこれを用いた露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130647A true JPH07130647A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17890221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5300879A Pending JPH07130647A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | マスク支持装置およびこれを用いた露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130647A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198307A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-07-12 | Nikon Corp | リソグラフィシステムの保持用チャック |
| JP2003100619A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Nikon Corp | マスク保持装置、マスク保持方法、および露光装置 |
| US7549141B2 (en) | 2005-09-12 | 2009-06-16 | Asahi Glass Company, Ltd. | Photomask, photomask manufacturing method, and photomask processing device |
| JP2017227914A (ja) * | 2012-12-12 | 2017-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 露光用部材、露光マスクの保持部材 |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP5300879A patent/JPH07130647A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198307A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-07-12 | Nikon Corp | リソグラフィシステムの保持用チャック |
| JP2003100619A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Nikon Corp | マスク保持装置、マスク保持方法、および露光装置 |
| US7549141B2 (en) | 2005-09-12 | 2009-06-16 | Asahi Glass Company, Ltd. | Photomask, photomask manufacturing method, and photomask processing device |
| JP2017227914A (ja) * | 2012-12-12 | 2017-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 露光用部材、露光マスクの保持部材 |
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