JPH07130647A - マスク支持装置およびこれを用いた露光装置 - Google Patents
マスク支持装置およびこれを用いた露光装置Info
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- JPH07130647A JPH07130647A JP5300879A JP30087993A JPH07130647A JP H07130647 A JPH07130647 A JP H07130647A JP 5300879 A JP5300879 A JP 5300879A JP 30087993 A JP30087993 A JP 30087993A JP H07130647 A JPH07130647 A JP H07130647A
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- mask
- chuck
- exposure
- wafer
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクを保持するマスク保持台の熱膨張によ
る変形を微小なものとすることによって露光吸収体の位
置歪の発生を抑制する。 【構成】 マスク保持装置は、マスク20を真空吸着す
るためのマスクチャック5と、マスクチャック5を複数
の板バネ7を介して微動自在に支持するベース6と、マ
スクチャック5をベース6に対して微動させるための圧
電素子8とを備えている。マスクチャック5は低熱膨張
ガラスからなり、また、板バネ7はねじ15によってね
じ止めされている。このため、マスクチャック5の熱膨
張による変形が極めて微小となり、ひいてはマスクチャ
ック5に保持されたマスク20の露光吸収体1の位置歪
も抑制される。
る変形を微小なものとすることによって露光吸収体の位
置歪の発生を抑制する。 【構成】 マスク保持装置は、マスク20を真空吸着す
るためのマスクチャック5と、マスクチャック5を複数
の板バネ7を介して微動自在に支持するベース6と、マ
スクチャック5をベース6に対して微動させるための圧
電素子8とを備えている。マスクチャック5は低熱膨張
ガラスからなり、また、板バネ7はねじ15によってね
じ止めされている。このため、マスクチャック5の熱膨
張による変形が極めて微小となり、ひいてはマスクチャ
ック5に保持されたマスク20の露光吸収体1の位置歪
も抑制される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体露光装置等にお
いて、ウエハ等基板(以下、「基板」という。)に高精
度なパターン転写を行うためのマスク支持装置およびこ
れを用いた露光装置に関するものである。
いて、ウエハ等基板(以下、「基板」という。)に高精
度なパターン転写を行うためのマスク支持装置およびこ
れを用いた露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】高密度半導体メモリ、例えば、256M
bitDRAM作成のためには、線幅0.25μmの微
細なマスクパターンをSi等からなる基板へ転写するこ
とが要請されるため、マスクパターンの歪を低く抑制し
なければならない。このため次に記載するようなマスク
支持装置が提案されている。
bitDRAM作成のためには、線幅0.25μmの微
細なマスクパターンをSi等からなる基板へ転写するこ
とが要請されるため、マスクパターンの歪を低く抑制し
なければならない。このため次に記載するようなマスク
支持装置が提案されている。
【0003】図9に示すように、マスク支持装置は、所
定のパターンの露光吸収体101を有するマスク120
を真空吸着するための真空吸着溝112を有するマスク
保持台であるマスクチャック105と、マスクチャック
105を板バネ107を介して微動自在に支持するベー
ス106と、マスクチャック105をベース106に対
して微動させるためのアクチュエータとしての圧電素子
108とを備える。マスク120は、所定のパターンの
露光吸収体101を有する支持膜102と、支持膜10
2を支持する支持枠103と、支持枠103が取付けら
れた保持枠104からなり、保持枠104をマスクチャ
ック105で真空吸着することによって保持するように
構成されている。
定のパターンの露光吸収体101を有するマスク120
を真空吸着するための真空吸着溝112を有するマスク
保持台であるマスクチャック105と、マスクチャック
105を板バネ107を介して微動自在に支持するベー
ス106と、マスクチャック105をベース106に対
して微動させるためのアクチュエータとしての圧電素子
108とを備える。マスク120は、所定のパターンの
露光吸収体101を有する支持膜102と、支持膜10
2を支持する支持枠103と、支持枠103が取付けら
れた保持枠104からなり、保持枠104をマスクチャ
ック105で真空吸着することによって保持するように
構成されている。
【0004】上述の如くマスクチャック105によって
保持されたマスク120の支持膜102に対し、ヘリウ
ムガスで満たされる20μm程度の隙間111をおいて
対向するようにウエハ109を保持するウエハチャック
110が図示しない位置決め装置に設けられている。こ
のウエハチャック110は、ウエハ109を真空吸着す
るための真空吸着溝113を有するとともに熱流媒を通
す流路114が内設されており、該流路114に所定の
温度に温度調節された恒温水等の熱流媒を流し前記ヘリ
ウムガスを介して熱伝導によってマスク120の熱を逃
がし、マスク120の温度調節を行っている。
保持されたマスク120の支持膜102に対し、ヘリウ
ムガスで満たされる20μm程度の隙間111をおいて
対向するようにウエハ109を保持するウエハチャック
110が図示しない位置決め装置に設けられている。こ
のウエハチャック110は、ウエハ109を真空吸着す
るための真空吸着溝113を有するとともに熱流媒を通
す流路114が内設されており、該流路114に所定の
温度に温度調節された恒温水等の熱流媒を流し前記ヘリ
ウムガスを介して熱伝導によってマスク120の熱を逃
がし、マスク120の温度調節を行っている。
【0005】露光吸収体101の位置歪についてみる
と、露光吸収体101は支持膜102に支持されている
ために、支持膜102の変形によって位置歪が発生し、
支持膜102は、支持枠103に取付けられているため
に支持枠103の変形によって変形し、支持枠103は
保持枠104によって保持されているために保持枠10
4の変形によって変形し、さらに保持枠104はマスク
チャック105によって保持されているためにマスクチ
ャック105の変形によって変形する。つまり、露光吸
収体101は、支持膜102、支持枠103、保持枠1
04およびマスクチャック105のいずれか一つでも変
形すれば、その影響を受けて位置歪が発生するが、これ
らの変形の発生原因は熱膨張によるところが主因と考え
られる。
と、露光吸収体101は支持膜102に支持されている
ために、支持膜102の変形によって位置歪が発生し、
支持膜102は、支持枠103に取付けられているため
に支持枠103の変形によって変形し、支持枠103は
保持枠104によって保持されているために保持枠10
4の変形によって変形し、さらに保持枠104はマスク
チャック105によって保持されているためにマスクチ
ャック105の変形によって変形する。つまり、露光吸
収体101は、支持膜102、支持枠103、保持枠1
04およびマスクチャック105のいずれか一つでも変
形すれば、その影響を受けて位置歪が発生するが、これ
らの変形の発生原因は熱膨張によるところが主因と考え
られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
技術において熱膨張を防止するためには、支持枠10
3、保持枠104およびマスクチャック105を温調す
ることが考えられるが、これらを恒温水のような熱流媒
によって温調すると熱流媒の流動に伴って振動が発生し
て高精度の転写ができなくなる。一方、ペルチェ素子を
マスクリングに設けたマスク冷却装置(特開平1−12
0021号公報参照)が提案されているが、この場合に
おいては、ペルチェ素子を制御するために複雑な電気系
を必要とする上、ペルチェ素子の反冷却面側を冷却する
ための手段を別途設ける必要があるために高価なものと
なる。
技術において熱膨張を防止するためには、支持枠10
3、保持枠104およびマスクチャック105を温調す
ることが考えられるが、これらを恒温水のような熱流媒
によって温調すると熱流媒の流動に伴って振動が発生し
て高精度の転写ができなくなる。一方、ペルチェ素子を
マスクリングに設けたマスク冷却装置(特開平1−12
0021号公報参照)が提案されているが、この場合に
おいては、ペルチェ素子を制御するために複雑な電気系
を必要とする上、ペルチェ素子の反冷却面側を冷却する
ための手段を別途設ける必要があるために高価なものと
なる。
【0007】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであって、マスクを保持するマス
ク保持台の熱膨張による変形を微小なものとすることに
よって露光吸収体の位置歪の発生を抑制することができ
るマスク支持装置およびこれを用いた露光装置を実現す
ることを目的とするものである。
に鑑みてなされたものであって、マスクを保持するマス
ク保持台の熱膨張による変形を微小なものとすることに
よって露光吸収体の位置歪の発生を抑制することができ
るマスク支持装置およびこれを用いた露光装置を実現す
ることを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のマスク支持装置は、マスクを保持するた
めのマスク保持台と、前記マスク保持台を弾性部材を介
して微動自在に支持する微動ステージとを備え、前記マ
スク保持台が低熱膨張材料からなることを特徴とするも
のである。
めに、本発明のマスク支持装置は、マスクを保持するた
めのマスク保持台と、前記マスク保持台を弾性部材を介
して微動自在に支持する微動ステージとを備え、前記マ
スク保持台が低熱膨張材料からなることを特徴とするも
のである。
【0009】
【作用】マスク保持台が低熱膨張材料からなるので、マ
スク保持台を温調しなくてもマスク保持台の熱膨張によ
る変形は極めて微小なものとなるため、マスク保持台に
保持されたマスクの露光吸収体の位置歪を抑制すること
ができ、高精度なマスクパターンの転写が可能となる。
スク保持台を温調しなくてもマスク保持台の熱膨張によ
る変形は極めて微小なものとなるため、マスク保持台に
保持されたマスクの露光吸収体の位置歪を抑制すること
ができ、高精度なマスクパターンの転写が可能となる。
【0010】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【0011】図1は、第1実施例のマスク保持装置を示
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
【0012】第1実施例のマスク保持装置は、図1に示
すように、マスク20を真空吸着するための図示しない
真空発生源に連通された真空吸着溝12を有するマスク
保持台であるマスクチャック5と、マスクチャック5を
複数の弾性部材である板バネ7を介して微動自在に支持
する微動ステージであるベース6と、マスクチャック5
をベース6に対して微動させるためのアクチュエータと
して圧電素子8とを備えている。マスク20は、所定の
パターンの露光吸収体1を有する支持膜2と、支持膜2
の周縁部を支持する支持枠3と、支持枠3が取付けられ
た保持枠4からなり、保持枠4をマスクチャック5によ
って真空吸着することによって保持するように構成され
ている。
すように、マスク20を真空吸着するための図示しない
真空発生源に連通された真空吸着溝12を有するマスク
保持台であるマスクチャック5と、マスクチャック5を
複数の弾性部材である板バネ7を介して微動自在に支持
する微動ステージであるベース6と、マスクチャック5
をベース6に対して微動させるためのアクチュエータと
して圧電素子8とを備えている。マスク20は、所定の
パターンの露光吸収体1を有する支持膜2と、支持膜2
の周縁部を支持する支持枠3と、支持枠3が取付けられ
た保持枠4からなり、保持枠4をマスクチャック5によ
って真空吸着することによって保持するように構成され
ている。
【0013】本実施例において、マスクチャック5は低
熱膨張材料である線膨張係数が1×10e−6以下の低
熱膨張ガラスからなり、一端側がマスクチャック5にね
じ15によってねじ止めされたステンレス製の板バネ7
の他端側をベース6にねじ15によってねじ止めするこ
とによってベース6に対し微動自在に支持されていると
ともに、ベース6に配設された圧電素子8によって駆動
用板バネ7aを介して加えられる外力でベース6に対し
て微動を行って高精度な位置決めができるように構成さ
れている。
熱膨張材料である線膨張係数が1×10e−6以下の低
熱膨張ガラスからなり、一端側がマスクチャック5にね
じ15によってねじ止めされたステンレス製の板バネ7
の他端側をベース6にねじ15によってねじ止めするこ
とによってベース6に対し微動自在に支持されていると
ともに、ベース6に配設された圧電素子8によって駆動
用板バネ7aを介して加えられる外力でベース6に対し
て微動を行って高精度な位置決めができるように構成さ
れている。
【0014】本実施例において、ウエハチャック10に
真空吸着された基板であるSi製のウエハ9は、温度調
節された基板支持装置であるウエハチャック10に接触
しているので、流路14内を流れる恒温水によって所定
の温度に温調されたウエハチャック10からの熱伝導に
よって温調されて熱歪が抑制される。一方、支持枠3、
支持膜2および露光吸収体1は、隙間11内に充満され
たヘリウムガスを介して熱伝導によって温調されて、こ
れらの熱歪が抑制される。
真空吸着された基板であるSi製のウエハ9は、温度調
節された基板支持装置であるウエハチャック10に接触
しているので、流路14内を流れる恒温水によって所定
の温度に温調されたウエハチャック10からの熱伝導に
よって温調されて熱歪が抑制される。一方、支持枠3、
支持膜2および露光吸収体1は、隙間11内に充満され
たヘリウムガスを介して熱伝導によって温調されて、こ
れらの熱歪が抑制される。
【0015】また、マスクチャック5は低熱膨張ガラス
製であるため熱膨張による変形が極めて微小である。し
たがって、マスクチャック5に保持されたマスク20の
熱変形も極めて微小なものとなり、ひいては露光吸収体
1の位置歪も抑制されるため、高精度なマスクパターン
の転写が可能となる。
製であるため熱膨張による変形が極めて微小である。し
たがって、マスクチャック5に保持されたマスク20の
熱変形も極めて微小なものとなり、ひいては露光吸収体
1の位置歪も抑制されるため、高精度なマスクパターン
の転写が可能となる。
【0016】図2は第1実施例の変形例を示す図1と同
様の模式斜視図であって、本変形例はマスクチャック5
の少なくともマスク吸収面にSiCをCVDによってコ
ーティングした保護膜16が施されている。その他の部
分は第1実施例と同様であるので説明は省略する。
様の模式斜視図であって、本変形例はマスクチャック5
の少なくともマスク吸収面にSiCをCVDによってコ
ーティングした保護膜16が施されている。その他の部
分は第1実施例と同様であるので説明は省略する。
【0017】本変形例は少なくともマスク吸着面に保護
膜16が施されているためマスク吸着面の欠等が防止さ
れる。
膜16が施されているためマスク吸着面の欠等が防止さ
れる。
【0018】図3は第2実施例の主要部を示す模式斜視
図である。
図である。
【0019】本実施例のマスクチャック35は、板バネ
37の取付部としての凹所35aを設けて凹所35aの
底壁によって薄肉部35bを形成しておき、板バネ37
に設けられた取付部37aを凹所35aに遊嵌し、複数
のねじ45によって固定したものである。これ以外は第
1実施例と同様であるのでその説明は省略する。
37の取付部としての凹所35aを設けて凹所35aの
底壁によって薄肉部35bを形成しておき、板バネ37
に設けられた取付部37aを凹所35aに遊嵌し、複数
のねじ45によって固定したものである。これ以外は第
1実施例と同様であるのでその説明は省略する。
【0020】本実施例は、マスクチャック35に形成さ
れた剛性の小さい薄肉部35bに板バネ37の取付部3
7aがねじ45によってねじ止めされているため、板バ
ネ37によって外力を受けたとしても薄肉部35bが変
形することによってマスクチャック35の平面度が保た
れる。
れた剛性の小さい薄肉部35bに板バネ37の取付部3
7aがねじ45によってねじ止めされているため、板バ
ネ37によって外力を受けたとしても薄肉部35bが変
形することによってマスクチャック35の平面度が保た
れる。
【0021】図4は第3実施例のマスク保持装置を示
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
【0022】本実施例は上記第1実施例の変形例におけ
る板バネ7や駆動用バネ7aをねじ15によってねじ止
めする替わりに接着剤55を用いて接着したものであ
る。それ以外の部分は第1実施例の変形例と同一である
ので説明は省略する。
る板バネ7や駆動用バネ7aをねじ15によってねじ止
めする替わりに接着剤55を用いて接着したものであ
る。それ以外の部分は第1実施例の変形例と同一である
ので説明は省略する。
【0023】本実施例においては、ねじ止めした場合の
ような応力による歪が発生しない。加えて、接着剤の厚
みを調節することによりベース6とマスクチャック5の
チャック面とが同一面となるように調節することができ
る。
ような応力による歪が発生しない。加えて、接着剤の厚
みを調節することによりベース6とマスクチャック5の
チャック面とが同一面となるように調節することができ
る。
【0024】図5は第4実施例のマスク保持装置を示
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部を切断して示す模式
斜視図である。
【0025】本実施例は、上記第1実施例の変形例にお
けるベース6の替わりに、メインベース66aにサブベ
ース66bをねじ66cによってねじ止めすることによ
ってベース66を構成したものである。それ以外の部分
は第1実施例の変形例と同様であるので説明は省略す
る。
けるベース6の替わりに、メインベース66aにサブベ
ース66bをねじ66cによってねじ止めすることによ
ってベース66を構成したものである。それ以外の部分
は第1実施例の変形例と同様であるので説明は省略す
る。
【0026】本実施例においては、マスクチャック5を
サブベース66bに板バネ7をねじ15によってねじ止
めして取付けたのち、サブベース66bの後加工を行っ
てマスクチャック5の吸着保持面とメインベース66a
の面とが同一面となるように調整して取付ることができ
る。
サブベース66bに板バネ7をねじ15によってねじ止
めして取付けたのち、サブベース66bの後加工を行っ
てマスクチャック5の吸着保持面とメインベース66a
の面とが同一面となるように調整して取付ることができ
る。
【0027】ここで、上記各実施例のマスク支持装置を
用いた露光装置の一実施例について説明する。
用いた露光装置の一実施例について説明する。
【0028】図6に示すように、シンクロトロン放射光
等の光源80からのX線Lはミラーチャンバ81内に配
設されたミラー82によって反射されて露光チャンバ8
3内のベース6に弾性体を介して微動自在に支持された
マスクチャック5に保持されたマスク20の露光吸収体
1のパターンをウエハチャック10に保持されたウエハ
9に転写する。ここで、粗動ステージ84は第1のアク
チュエータ85によって粗動され、ウエハチャック10
は第2のアクチュエータ86によって微動されることに
よって高精度に位置決めされるように構成されている。
等の光源80からのX線Lはミラーチャンバ81内に配
設されたミラー82によって反射されて露光チャンバ8
3内のベース6に弾性体を介して微動自在に支持された
マスクチャック5に保持されたマスク20の露光吸収体
1のパターンをウエハチャック10に保持されたウエハ
9に転写する。ここで、粗動ステージ84は第1のアク
チュエータ85によって粗動され、ウエハチャック10
は第2のアクチュエータ86によって微動されることに
よって高精度に位置決めされるように構成されている。
【0029】次に上述した露光装置を利用した半導体デ
バイスの製造方法の実施例を説明する。
バイスの製造方法の実施例を説明する。
【0030】図7は半導体デバイス(ICやLSI等の
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップS
11(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行
う。ステップS12(マスク製作)では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップS
13(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いて基板
であるウエハを製造する。ステップS14(ウエハプロ
セス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップS15(組立)は後工程
と呼ばれ、ステップS14によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップS16(検
査)ではステップS15で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ス
テップS17)される。
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップS
11(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行
う。ステップS12(マスク製作)では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップS
13(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いて基板
であるウエハを製造する。ステップS14(ウエハプロ
セス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップS15(組立)は後工程
と呼ばれ、ステップS14によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップS16(検
査)ではステップS15で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ス
テップS17)される。
【0031】図8は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップS21(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップS22(CVD)ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成)ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24
(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップS25(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップS26(露光)では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップS27(現像)では露光したウエハを現像
する。ステップS28(エッチング)では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップS29(レジス
ト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本
実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった
高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
を示す。ステップS21(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップS22(CVD)ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成)ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24
(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップS25(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップS26(露光)では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップS27(現像)では露光したウエハを現像
する。ステップS28(エッチング)では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップS29(レジス
ト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本
実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった
高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【0032】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【0033】マスク保持台の熱膨張による変形が極めて
微小であるため、マスク保持台によって保持されるマス
クの露光吸収体の位置歪が抑制される。このため、高精
度なパターンの転写が可能となり、高集積度の半導体デ
バイスを製造することができる。
微小であるため、マスク保持台によって保持されるマス
クの露光吸収体の位置歪が抑制される。このため、高精
度なパターンの転写が可能となり、高集積度の半導体デ
バイスを製造することができる。
【図1】本発明に係るマスク保持装置の第1実施例を示
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
【図2】図1に示す第1実施例の変形例を示す図1と同
様の模式斜視図である。
様の模式斜視図である。
【図3】本発明に係るマスク保持装置の第2実施例の主
要部を示す模式斜視図である。
要部を示す模式斜視図である。
【図4】本発明に係るマスク保持装置の第3実施例を示
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
【図5】本発明に係るマスク保持装置の第4実施例を示
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
し、ウエハチャックとともに中央部で切断して示す模式
斜視図である。
【図6】本発明に係るマスク保持装置を用いた露光装置
の一実施例を示す説明図である。
の一実施例を示す説明図である。
【図7】本発明に係る露光装置を用いた半導体デバイス
製造方法の工程を示すフローチャートである。
製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図8】図7に示すウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。
ートである。
【図9】従来のマスク保持装置を示し、ウエハチャック
とともに中央部で切断して示す模式斜視図である。
とともに中央部で切断して示す模式斜視図である。
1 露光吸収体 2 支持膜 3 支持枠 4 保持枠 5,35 マスクチャック 6,66 ベース 7,37 板バネ 8 圧電素子 9 ウエハ 10 ウエハチャック 11 隙間 12,13 真空吸着溝 14 流路 15,45,66c ねじ 16 保護膜 35a 凹所 35b 薄肉部 37a 取付部 66a メインベース 66b サブベース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 英治 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 マスクを保持するためのマスク保持台
と、前記マスク保持台を弾性部材を介して微動自在に支
持する微動ステージとを備え、前記マスク保持台が低熱
膨張材料からなることを特徴とするマスク支持装置。 - 【請求項2】 低熱膨張材料は、低熱膨張ガラスである
ことを特徴とする請求項1記載のマスク支持装置。 - 【請求項3】 弾性部材が、板バネであることを特徴と
する請求項1または2記載のマスク支持装置。 - 【請求項4】 板バネが接着剤によってマスク保持台に
接着されたことを特徴とする請求項3記載のマスク支持
装置。 - 【請求項5】 マスク保持台の少なくともマスクを保持
する面に保護膜が施されたことを特徴とする請求項1乃
至4いずれか1項記載のマスク支持装置。 - 【請求項6】 請求項1乃至5いずれか1項記載のマス
ク支持装置と、基板を支持する温度調節された基板支持
装置と、前記基板を露光するための露光手段を備えた露
光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5300879A JPH07130647A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | マスク支持装置およびこれを用いた露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5300879A JPH07130647A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | マスク支持装置およびこれを用いた露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07130647A true JPH07130647A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17890221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5300879A Pending JPH07130647A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | マスク支持装置およびこれを用いた露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07130647A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002198307A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-07-12 | Nikon Corp | リソグラフィシステムの保持用チャック |
JP2003100619A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Nikon Corp | マスク保持装置、マスク保持方法、および露光装置 |
US7549141B2 (en) | 2005-09-12 | 2009-06-16 | Asahi Glass Company, Ltd. | Photomask, photomask manufacturing method, and photomask processing device |
JP2017227914A (ja) * | 2012-12-12 | 2017-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 露光用部材、露光マスクの保持部材 |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP5300879A patent/JPH07130647A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002198307A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-07-12 | Nikon Corp | リソグラフィシステムの保持用チャック |
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US7549141B2 (en) | 2005-09-12 | 2009-06-16 | Asahi Glass Company, Ltd. | Photomask, photomask manufacturing method, and photomask processing device |
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