JPH07128139A - 赤外線検出素子 - Google Patents
赤外線検出素子Info
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- JPH07128139A JPH07128139A JP27277093A JP27277093A JPH07128139A JP H07128139 A JPH07128139 A JP H07128139A JP 27277093 A JP27277093 A JP 27277093A JP 27277093 A JP27277093 A JP 27277093A JP H07128139 A JPH07128139 A JP H07128139A
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- Japan
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- thin film
- thermistor
- electrode
- infrared
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性、特に温度サイクルに対する耐性の強
い赤外線検出素子を提供する。 【構成】 絶縁性薄膜２上に赤外線を吸収する赤外線吸
収膜６と、赤外線吸収膜６より受ける温度の変化によっ
て抵抗値が変化する半導体薄膜サーミスタ４と、半導体
薄膜サーミスタ４を上下から挟むように取り付けられた
上部および下部の電極３、５とが形成され、前記絶縁性
薄膜２の周囲が半導体基板によって支持され、赤外線吸
収膜６が形成された面と反対側が中空部となるダイアフ
ラム構造を有する赤外線検出素子において、電極３、５
を渦巻き状のように、平面的に分離された形にするとと
もに、電極３、５と薄膜サーミスタ４との間に薄膜サー
ミスタ４より抵抗の低い半導体薄膜層７を挿入してやる
ことによって、熱膨張率の差によるストレスが緩和され
るようにし、また絶縁性薄膜２を構成するＳｉＯ2 とＳ
ｉ3 Ｎ4 の間に、中間の熱膨張率を持つバッファ層１０
を挿入してやることによって、熱膨張率の差によるスト
レスが緩和されるようにしている。
い赤外線検出素子を提供する。 【構成】 絶縁性薄膜２上に赤外線を吸収する赤外線吸
収膜６と、赤外線吸収膜６より受ける温度の変化によっ
て抵抗値が変化する半導体薄膜サーミスタ４と、半導体
薄膜サーミスタ４を上下から挟むように取り付けられた
上部および下部の電極３、５とが形成され、前記絶縁性
薄膜２の周囲が半導体基板によって支持され、赤外線吸
収膜６が形成された面と反対側が中空部となるダイアフ
ラム構造を有する赤外線検出素子において、電極３、５
を渦巻き状のように、平面的に分離された形にするとと
もに、電極３、５と薄膜サーミスタ４との間に薄膜サー
ミスタ４より抵抗の低い半導体薄膜層７を挿入してやる
ことによって、熱膨張率の差によるストレスが緩和され
るようにし、また絶縁性薄膜２を構成するＳｉＯ2 とＳ
ｉ3 Ｎ4 の間に、中間の熱膨張率を持つバッファ層１０
を挿入してやることによって、熱膨張率の差によるスト
レスが緩和されるようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度による抵抗値の変
化を利用して赤外線を検出する赤外線検出素子に関する
ものである。
化を利用して赤外線を検出する赤外線検出素子に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】人体検知等に用いられる熱型赤外線検出
素子は、微弱な赤外線の輻射エネルギーを検出するた
め、高感度が要求され、一般に焦電素子がよく用いられ
ている。最近焦電素子に代わりＳｉマイクロマシニング
技術を用いて作られるダイアフラム型断熱構造体と薄膜
サーミスタからなる熱型赤外線検出素子の開発が盛んに
行われている。半導体製造プロセスを利用するため、バ
ッチ処理による大量生産、低コスト、ＩＣとの集積化が
可能等の特徴がある。そして焦電素子を上回る感度を達
成するために、断熱性を高めたり、サーミスタのＢ定数
を向上させたり、様々な技術開発がなされてきた。とこ
ろが断熱性を高めるために非常に薄いダイアフラムにな
らざるを得ず、信頼性に問題が生じている。特に、信頼
性の保証に欠かすことのできない温度サイクル試験にお
いて、ダイアフラムの破壊を起こしやすく大きな問題と
なっている。
素子は、微弱な赤外線の輻射エネルギーを検出するた
め、高感度が要求され、一般に焦電素子がよく用いられ
ている。最近焦電素子に代わりＳｉマイクロマシニング
技術を用いて作られるダイアフラム型断熱構造体と薄膜
サーミスタからなる熱型赤外線検出素子の開発が盛んに
行われている。半導体製造プロセスを利用するため、バ
ッチ処理による大量生産、低コスト、ＩＣとの集積化が
可能等の特徴がある。そして焦電素子を上回る感度を達
成するために、断熱性を高めたり、サーミスタのＢ定数
を向上させたり、様々な技術開発がなされてきた。とこ
ろが断熱性を高めるために非常に薄いダイアフラムにな
らざるを得ず、信頼性に問題が生じている。特に、信頼
性の保証に欠かすことのできない温度サイクル試験にお
いて、ダイアフラムの破壊を起こしやすく大きな問題と
なっている。
【０００３】図２に従来のＳｉマイクロマシニングを応
用したサーミスタ型赤外線検出素子の構造及び製造プロ
セスを示す。シリコン基板１に絶縁性薄膜２を形成し、
以下、フォトリソグラフィとエッチング加工によって下
部電極３、薄膜サーミスタ４、上部電極５、赤外線吸収
膜６を形成し、最後に薄膜サーミスタ４裏面のシリコン
をエッチング除去して完成する。検出原理は、入射され
た赤外線のエネルギーを赤外線吸収膜６が熱に変換し、
薄膜サーミスタ４がその温度変化を抵抗値の変化に変換
して検出する。ここでは、薄膜サーミスタ４の材料とし
て、アモルファスＳｉ，アモルファスＳｉＣ等半導体薄
膜サーミスタが用いられる。検出部の裏側のシリコンが
異方性エッチングにより堀りこまれた構造をもってお
り、この様な構造を取ることによって、赤外線検出部
は、熱絶縁された状態になり、微小な入射エネルギーで
も温度変化を大きく取ることができる。
用したサーミスタ型赤外線検出素子の構造及び製造プロ
セスを示す。シリコン基板１に絶縁性薄膜２を形成し、
以下、フォトリソグラフィとエッチング加工によって下
部電極３、薄膜サーミスタ４、上部電極５、赤外線吸収
膜６を形成し、最後に薄膜サーミスタ４裏面のシリコン
をエッチング除去して完成する。検出原理は、入射され
た赤外線のエネルギーを赤外線吸収膜６が熱に変換し、
薄膜サーミスタ４がその温度変化を抵抗値の変化に変換
して検出する。ここでは、薄膜サーミスタ４の材料とし
て、アモルファスＳｉ，アモルファスＳｉＣ等半導体薄
膜サーミスタが用いられる。検出部の裏側のシリコンが
異方性エッチングにより堀りこまれた構造をもってお
り、この様な構造を取ることによって、赤外線検出部
は、熱絶縁された状態になり、微小な入射エネルギーで
も温度変化を大きく取ることができる。
【０００４】
【発明の解決しようとする課題】このような構造をもつ
赤外線検出素子の大きな問題点として、前述したように
温度サイクル試験におけるダイアフラムの破壊がある
が、その原因として、それを構成する薄膜の熱膨張率の
差によるストレスが、繰り返し加わることによる疲労破
壊と考えられる。
赤外線検出素子の大きな問題点として、前述したように
温度サイクル試験におけるダイアフラムの破壊がある
が、その原因として、それを構成する薄膜の熱膨張率の
差によるストレスが、繰り返し加わることによる疲労破
壊と考えられる。
【０００５】具体的には、熱絶縁性薄膜には、ＳｉＯ2
が用いられる。ただし圧縮応力が強く残留するめ、ダイ
アフラムを形成するためには、図４に示すように引っ張
り応力を持つＳｉ3 Ｎ4 と多層膜にして残留応力のバラ
ンスをとる。ところが、熱膨張率はＳｉＯ2 が０．５４
×１０-6，Ｓｉ3 Ｎ4 が２．８×１０-6と５倍以上の差
があり、ここで強いストレスが発生する。
が用いられる。ただし圧縮応力が強く残留するめ、ダイ
アフラムを形成するためには、図４に示すように引っ張
り応力を持つＳｉ3 Ｎ4 と多層膜にして残留応力のバラ
ンスをとる。ところが、熱膨張率はＳｉＯ2 が０．５４
×１０-6，Ｓｉ3 Ｎ4 が２．８×１０-6と５倍以上の差
があり、ここで強いストレスが発生する。
【０００６】また上下電極と絶縁性薄膜の熱膨張率の差
も大きい。例えば電極材料としてよく用いられるＣｒの
熱膨張率は６．２×１０-6と大きく、下部電極３とＳｉ
3 Ｎ 4 の間、または、図２における上部電極５と赤外線
吸収膜ＳｉＯ2 ６との間に強いストレスが発生する。
も大きい。例えば電極材料としてよく用いられるＣｒの
熱膨張率は６．２×１０-6と大きく、下部電極３とＳｉ
3 Ｎ 4 の間、または、図２における上部電極５と赤外線
吸収膜ＳｉＯ2 ６との間に強いストレスが発生する。
【０００７】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、信頼性、特に温度サ
イクルに対する耐性の強い赤外線検出素子を提供するこ
とにある。
であり、その目的とするところは、信頼性、特に温度サ
イクルに対する耐性の強い赤外線検出素子を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
絶縁性薄膜上に赤外線を吸収する赤外線吸収膜と、赤外
線吸収膜より受ける温度の変化によって抵抗値が変化す
る半導体薄膜サーミスタと、半導体薄膜サーミスタを上
下から挟むように取り付けられた上部および下部の電極
とが形成され、前記絶縁性薄膜の周囲が半導体基板によ
って支持され、赤外線吸収部が形成された面と反対側が
中空部となるダイアフラム構造を有する赤外線検出素子
において、上部電極と下部電極が平面的に分離した形状
にするとともに、、半導体薄膜サーミスタと上部電極ま
たは下部電極との間に、半導体薄膜サーミスタより低抵
抗な高濃度ドーピング層を形成したことを特徴とする。
絶縁性薄膜上に赤外線を吸収する赤外線吸収膜と、赤外
線吸収膜より受ける温度の変化によって抵抗値が変化す
る半導体薄膜サーミスタと、半導体薄膜サーミスタを上
下から挟むように取り付けられた上部および下部の電極
とが形成され、前記絶縁性薄膜の周囲が半導体基板によ
って支持され、赤外線吸収部が形成された面と反対側が
中空部となるダイアフラム構造を有する赤外線検出素子
において、上部電極と下部電極が平面的に分離した形状
にするとともに、、半導体薄膜サーミスタと上部電極ま
たは下部電極との間に、半導体薄膜サーミスタより低抵
抗な高濃度ドーピング層を形成したことを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、絶縁性薄膜上に赤外線
を吸収する赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜より受ける温
度の変化によって抵抗値が変化する半導体薄膜サーミス
タと、半導体薄膜サーミスタを上下から挟むように取り
付けられた上部および下部の電極とが形成され、前記絶
縁性薄膜の周囲が半導体基板によって支持され、赤外線
吸収部が形成された面と反対側が中空部となるダイアフ
ラム構造を有する赤外線検出素子において、前記絶縁性
薄膜が酸化シリコンと窒化シリコンの多層膜からなり、
酸化シリコンと窒化シリコンとの間に中間の熱膨張率を
持つバッファ層を形成したことを特徴とする。
を吸収する赤外線吸収膜と、赤外線吸収膜より受ける温
度の変化によって抵抗値が変化する半導体薄膜サーミス
タと、半導体薄膜サーミスタを上下から挟むように取り
付けられた上部および下部の電極とが形成され、前記絶
縁性薄膜の周囲が半導体基板によって支持され、赤外線
吸収部が形成された面と反対側が中空部となるダイアフ
ラム構造を有する赤外線検出素子において、前記絶縁性
薄膜が酸化シリコンと窒化シリコンの多層膜からなり、
酸化シリコンと窒化シリコンとの間に中間の熱膨張率を
持つバッファ層を形成したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明による赤外線検出素子は、上述したよう
に、電極を平面的に分離された形にして、薄膜サーミス
タとの間に薄膜サーミスタより抵抗の低い半導体薄膜層
を挿入してやることによって、有効面積を減らさずに、
熱膨張率の差によるストレスを緩和させてやることがで
る。また絶縁性薄膜を構成するＳｉＯ2 とＳｉ3Ｎ4 の
間に、中間の熱膨張率を持つバッファ層を挿入してやる
ことによって熱膨張率の差によるストレスを緩和させて
やることができる。
に、電極を平面的に分離された形にして、薄膜サーミス
タとの間に薄膜サーミスタより抵抗の低い半導体薄膜層
を挿入してやることによって、有効面積を減らさずに、
熱膨張率の差によるストレスを緩和させてやることがで
る。また絶縁性薄膜を構成するＳｉＯ2 とＳｉ3Ｎ4 の
間に、中間の熱膨張率を持つバッファ層を挿入してやる
ことによって熱膨張率の差によるストレスを緩和させて
やることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明
する。図３は、本発明の一実施例を示す赤外線検出素子
の絶縁性薄膜の断面図である。図１は本発明の一実施例
を示す赤外線検出素子の構造断面図及び平面図である。
する。図３は、本発明の一実施例を示す赤外線検出素子
の絶縁性薄膜の断面図である。図１は本発明の一実施例
を示す赤外線検出素子の構造断面図及び平面図である。
【００１２】ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の多層膜である絶縁
性薄膜では、図３に示すように、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4
の中間の熱膨張率を持つバッファ層１０を挿入してやる
ことにより、熱膨張率の差によるストレスを緩和させて
やることができる。具体的にはＳｉＯX ＮY 膜が前後の
層との馴染みが良く、ストレス緩和の効果が大きい。
性薄膜では、図３に示すように、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4
の中間の熱膨張率を持つバッファ層１０を挿入してやる
ことにより、熱膨張率の差によるストレスを緩和させて
やることができる。具体的にはＳｉＯX ＮY 膜が前後の
層との馴染みが良く、ストレス緩和の効果が大きい。
【００１３】また、上部電極５と赤外線吸収膜６絶縁膜
の間では、中間の熱膨張率を持つ層の形成が困難なた
め、本発明では、図１に示すように、例えば渦巻き状の
ように平面的に分離した形状の電極を考案した。ただ
し、これでは有効面積が減少し、同じ抵抗値を得るため
に、薄膜サーミスタ４の膜厚を減らさなければならな
い。そうすると、耐圧の減少等の問題を引き起こす。そ
こで薄膜サーミスタ４より抵抗の低い半導体薄膜層とし
ての高濃度ドーピング層７を挿入してやると、電極の役
目を果たすため、有効面積が減ることは無い。なお、電
極３、５の形状は渦巻き状に限定されるものではなく、
くし歯状など平面的に分離した形状であればよい。
の間では、中間の熱膨張率を持つ層の形成が困難なた
め、本発明では、図１に示すように、例えば渦巻き状の
ように平面的に分離した形状の電極を考案した。ただ
し、これでは有効面積が減少し、同じ抵抗値を得るため
に、薄膜サーミスタ４の膜厚を減らさなければならな
い。そうすると、耐圧の減少等の問題を引き起こす。そ
こで薄膜サーミスタ４より抵抗の低い半導体薄膜層とし
ての高濃度ドーピング層７を挿入してやると、電極の役
目を果たすため、有効面積が減ることは無い。なお、電
極３、５の形状は渦巻き状に限定されるものではなく、
くし歯状など平面的に分離した形状であればよい。
【００１４】以下、赤外線検出素子の作製方法について
説明する。まず最初にシリコン基板１上に絶縁性薄膜８
〜１０を形成する。絶縁性薄膜８〜１０は減圧ＣＶＤに
よりＳｉ3 Ｎ4 を０．１μｍ，ＳｉＯＮを０．０５μ
ｍ，ＳｉＯ2 を０．５μｍ，ＳｉＯＮを０．０５μｍ，
Ｓｉ3 Ｎ4 を０．１μｍ連続形成した５層膜から成る。
ＳｉＯＮ膜は、ＳｉＨ4 ，Ｎ2 Ｏ，Ｎ2 の混合ガスを用
いて形成することが可能である。
説明する。まず最初にシリコン基板１上に絶縁性薄膜８
〜１０を形成する。絶縁性薄膜８〜１０は減圧ＣＶＤに
よりＳｉ3 Ｎ4 を０．１μｍ，ＳｉＯＮを０．０５μ
ｍ，ＳｉＯ2 を０．５μｍ，ＳｉＯＮを０．０５μｍ，
Ｓｉ3 Ｎ4 を０．１μｍ連続形成した５層膜から成る。
ＳｉＯＮ膜は、ＳｉＨ4 ，Ｎ2 Ｏ，Ｎ2 の混合ガスを用
いて形成することが可能である。
【００１５】次に赤外線検出部を形成する。まずＥＢ蒸
着により下部電極３となるＣｒを０. ２μｍ形成してフ
ォトリソグラフィにより渦巻き状のパターンに加工す
る。そしてプラズマＣＶＤによりアモルファスＳｉにボ
ロンをドーピングした高農度ドーピング層７を０．１μ
ｍ，アモルファスＳｉ薄膜サーミスタ４を１μｍ形成
し，さらにＥＢ蒸着により上部電極５を０．２μｍ形成
してやはり渦巻き状のパターンに加工する。そして赤外
線吸収膜の役割を兼ねるＳｉＯ2 保護膜６をプラズマＣ
ＶＤにより１．５μｍを形成する。
着により下部電極３となるＣｒを０. ２μｍ形成してフ
ォトリソグラフィにより渦巻き状のパターンに加工す
る。そしてプラズマＣＶＤによりアモルファスＳｉにボ
ロンをドーピングした高農度ドーピング層７を０．１μ
ｍ，アモルファスＳｉ薄膜サーミスタ４を１μｍ形成
し，さらにＥＢ蒸着により上部電極５を０．２μｍ形成
してやはり渦巻き状のパターンに加工する。そして赤外
線吸収膜の役割を兼ねるＳｉＯ2 保護膜６をプラズマＣ
ＶＤにより１．５μｍを形成する。
【００１６】次に、水酸化カリウム溶液を用いて裏面の
シリコンを除去する。シリコンが除去された絶縁性薄膜
部２の面積は１．５ｍｍ2 である。そして以上のように
して作製された赤外線検出素子を実装して、温度サイク
ル試験を行った。試験条件は、−４０°Ｃ，３０分、１
５０°Ｃ、３０分を１サイクルとして、1 ００サイクル
行った。従来例による構造の素子では約６０％が破壊し
たのに対し、本実施例による素子は、まったく破壊が発
生しなかった。
シリコンを除去する。シリコンが除去された絶縁性薄膜
部２の面積は１．５ｍｍ2 である。そして以上のように
して作製された赤外線検出素子を実装して、温度サイク
ル試験を行った。試験条件は、−４０°Ｃ，３０分、１
５０°Ｃ、３０分を１サイクルとして、1 ００サイクル
行った。従来例による構造の素子では約６０％が破壊し
たのに対し、本実施例による素子は、まったく破壊が発
生しなかった。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、電極を渦巻き状のように、分離された形にして、
薄膜サーミスタとの間に薄膜サーミスタより抵抗の低い
高濃度ドーピング層を挿入してやることによって、熱膨
張率の差によるストレスが緩和されるようにし、また請
求項２記載の発明によれば、絶縁性薄膜を構成するＳｉ
Ｏ2 とＳｉ3 Ｎ4 の間に、中間の熱膨張率を持つバッフ
ァ層を挿入してやることによって熱膨張率の差によるス
トレスが緩和されるようにしたので、信頼性、特に温度
サイクルに対する耐性の強い赤外線検出素子を提供する
ことができた。
れば、電極を渦巻き状のように、分離された形にして、
薄膜サーミスタとの間に薄膜サーミスタより抵抗の低い
高濃度ドーピング層を挿入してやることによって、熱膨
張率の差によるストレスが緩和されるようにし、また請
求項２記載の発明によれば、絶縁性薄膜を構成するＳｉ
Ｏ2 とＳｉ3 Ｎ4 の間に、中間の熱膨張率を持つバッフ
ァ層を挿入してやることによって熱膨張率の差によるス
トレスが緩和されるようにしたので、信頼性、特に温度
サイクルに対する耐性の強い赤外線検出素子を提供する
ことができた。
【図１】本発明の一実施例に係わる赤外線検出素子の構
造断面図および平面図である。
造断面図および平面図である。
【図２】従来の技術に係わる赤外線検出素子の構造断面
図および平面図である。
図および平面図である。
【図３】本発明の一実施例に係わる赤外線検出素子の絶
縁膜の断面図である。
縁膜の断面図である。
【図４】従来の技術に係わる赤外線検出素子の絶縁膜の
断面図である。
断面図である。
１ シリコン基板 ２ 絶縁性薄膜 ３ 下部電極 ４ 薄膜サーミスタ ５ 上部電極 ６ 保護膜 ７ 高濃度ドーピング層 ８ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 ９ ＳｉＯ2 膜 １０ バッファ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 拓郎 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性薄膜上に赤外線を吸収する赤外線吸
収膜と、赤外線吸収膜より受ける温度の変化によって抵
抗値が変化する半導体薄膜サーミスタと、半導体薄膜サ
ーミスタを上下から挟むように取り付けられた上部およ
び下部の電極とが形成され、前記絶縁性薄膜の周囲が半
導体基板によって支持され、赤外線吸収部が形成された
面と反対側が中空部となるダイアフラム構造を有する赤
外線検出素子において、上部電極と下部電極が平面的に
分離した形状にするとともに、半導体薄膜サーミスタと
上部電極または下部電極との間に、半導体薄膜サーミス
タより低抵抗な半導体薄膜層を形成したことを特徴とす
る赤外線検出素子。 - 【請求項２】絶縁性薄膜上に赤外線を吸収する赤外線吸
収膜と、赤外線吸収膜より受ける温度の変化によって抵
抗値が変化する半導体薄膜サーミスタと、半導体薄膜サ
ーミスタを上下から挟むように取り付けられた上部およ
び下部の電極とが形成され、前記絶縁性薄膜の周囲が半
導体基板によって支持され、赤外線吸収部が形成された
面と反対側が中空部となるダイアフラム構造を有する赤
外線検出素子において、前記絶縁性薄膜が酸化シリコン
と窒化シリコンの多層膜からなり、酸化シリコンと窒化
シリコンとの間に中間の熱膨張率を持つバッファ層を形
成したことを特徴とする赤外線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27277093A JPH07128139A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27277093A JPH07128139A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 赤外線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128139A true JPH07128139A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17518504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27277093A Withdrawn JPH07128139A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 赤外線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07128139A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033032A1 (en) * | 1998-12-01 | 2000-06-08 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Infrared bolometer with an enhanced structural stability and integrity |
| WO2000037907A1 (en) * | 1998-12-18 | 2000-06-29 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Structurally stable infrared bolometer |
| CN104071742A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-10-01 | 南方科技大学 | 基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器及其形成方法 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27277093A patent/JPH07128139A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033032A1 (en) * | 1998-12-01 | 2000-06-08 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Infrared bolometer with an enhanced structural stability and integrity |
| WO2000037907A1 (en) * | 1998-12-18 | 2000-06-29 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Structurally stable infrared bolometer |
| US6242738B1 (en) | 1998-12-18 | 2001-06-05 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Structurally stable infrared bolometer |
| CN104071742A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-10-01 | 南方科技大学 | 基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器及其形成方法 |
| WO2015188430A1 (zh) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | 南方科技大学 | 基于单壁碳纳米管的双悬臂梁红外探测器及其形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |