JPH07123115B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH07123115B2 JPH07123115B2 JP23617790A JP23617790A JPH07123115B2 JP H07123115 B2 JPH07123115 B2 JP H07123115B2 JP 23617790 A JP23617790 A JP 23617790A JP 23617790 A JP23617790 A JP 23617790A JP H07123115 B2 JPH07123115 B2 JP H07123115B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor manufacturing
- inert gas
- cover
- tube
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、紫外線硬化型ウエハー貼付シートにおける
ウエハー接着層の硬化を良好に進めるための半導体製造
装置に関するものである。
ウエハー接着層の硬化を良好に進めるための半導体製造
装置に関するものである。
第２図は、従来の紫外線硬化型ウエハー貼付シートのウ
エハー接着層の硬化に関する半導体製造装置を示す断面
図であり、図において、１はウエハー、２はこのウエハ
ー１を接着するウエハー貼付シート、３はこのウエハー
貼付シート２を支持する固定材、４はこの固定材３を載
置して保持するレールである。一方、５は上記レール４
の四隅を囲むようにその上方に配置された外カバー、６
はこの外カバー５に支持固定された内カバー、７はこの
内カバー６の下部に支持固定され多数の孔を持った多孔
板、８は上記外カバー５の側面に取付けられた継手、９
はこの継手８に装着されその先端9aが上記内カバー６内
に臨んでいる不活性ガス導入チューブである。
エハー接着層の硬化に関する半導体製造装置を示す断面
図であり、図において、１はウエハー、２はこのウエハ
ー１を接着するウエハー貼付シート、３はこのウエハー
貼付シート２を支持する固定材、４はこの固定材３を載
置して保持するレールである。一方、５は上記レール４
の四隅を囲むようにその上方に配置された外カバー、６
はこの外カバー５に支持固定された内カバー、７はこの
内カバー６の下部に支持固定され多数の孔を持った多孔
板、８は上記外カバー５の側面に取付けられた継手、９
はこの継手８に装着されその先端9aが上記内カバー６内
に臨んでいる不活性ガス導入チューブである。
次に動作について説明する。ダイシング済みのウエハー
１を貼付けたウエハー貼付シート２を取付けた固定材３
を図のようにレール４上に載せる。そして一体となって
上下動可能な５〜９を下降し、レール４上の固定材３上
面と内カバー６下面とに適切な隙間Ｃをあけて停止させ
てのち、上記導入チューブ９を通して不活性ガスを内カ
バー６と多孔板７の間に導いてこの多孔板７の孔よりウ
エハー１及びウエハー貼付シート２上に吹付ける。そし
てその状態を保持したまま、一方、ウエハー貼付シート
２下面より紫外線10を照射してウエハー接着層の硬化を
行うものである。
１を貼付けたウエハー貼付シート２を取付けた固定材３
を図のようにレール４上に載せる。そして一体となって
上下動可能な５〜９を下降し、レール４上の固定材３上
面と内カバー６下面とに適切な隙間Ｃをあけて停止させ
てのち、上記導入チューブ９を通して不活性ガスを内カ
バー６と多孔板７の間に導いてこの多孔板７の孔よりウ
エハー１及びウエハー貼付シート２上に吹付ける。そし
てその状態を保持したまま、一方、ウエハー貼付シート
２下面より紫外線10を照射してウエハー接着層の硬化を
行うものである。
従来の紫外線硬化型ウエハー貼付シートの接着層を硬化
させる工程の半導体製造装置は、以上のように構成され
ているが、硬化時に接着層より発生するガスがウエハー
表面に付着するのを完全に防ぐことができず、このため
樹脂等でパッケージ後、樹脂との接着度が低下したり、
電気的不良を起こす等の問題点があった。
させる工程の半導体製造装置は、以上のように構成され
ているが、硬化時に接着層より発生するガスがウエハー
表面に付着するのを完全に防ぐことができず、このため
樹脂等でパッケージ後、樹脂との接着度が低下したり、
電気的不良を起こす等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、硬化時に接着層より発生するガスがウエハー
表面に付着するのを完全に防ぐことができ、高品質の歩
留りの高い半導体製造装置を得る事を目的とする。
たもので、硬化時に接着層より発生するガスがウエハー
表面に付着するのを完全に防ぐことができ、高品質の歩
留りの高い半導体製造装置を得る事を目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、内外２つの環状の円
錐形カバーを配置し、硬化時に発生したガスの流れを、
ウエハーセンターより周辺部へ放射状に流して外側チャ
ンバーに導き、外部カバーに設けた排出チューブより上
方へ排気するようにしたものである。
錐形カバーを配置し、硬化時に発生したガスの流れを、
ウエハーセンターより周辺部へ放射状に流して外側チャ
ンバーに導き、外部カバーに設けた排出チューブより上
方へ排気するようにしたものである。
この発明における半導体製造装置は、硬化時に接着層よ
り発生するガスを、不活性ガスと共に外側チャンバーを
通して、排出チューブへ完全に回収、排気できる。
り発生するガスを、不活性ガスと共に外側チャンバーを
通して、排出チューブへ完全に回収、排気できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１〜4,10は上記従来例と同様であり、11は
上部円筒部11aと下部円錐部11bを有する外カバー、12は
この外カバー11の内部に配置され上部円筒部12aと下部
円錐部12bを有する内カバーで、不活性ガス導入チュー
ブ９が連結されている。７はこの内カバー12の下面に取
付けられた多孔板である。また13は上記外カバー11の上
部に連結された不活性ガス排出チューブである。
図において、１〜4,10は上記従来例と同様であり、11は
上部円筒部11aと下部円錐部11bを有する外カバー、12は
この外カバー11の内部に配置され上部円筒部12aと下部
円錐部12bを有する内カバーで、不活性ガス導入チュー
ブ９が連結されている。７はこの内カバー12の下面に取
付けられた多孔板である。また13は上記外カバー11の上
部に連結された不活性ガス排出チューブである。
次に動作について説明する。ダイシング済みのウエハー
１を貼付けたウエハー貼付シート２を取付けた固定材３
をレール４上に載せる。一方、一体となって上下動可能
な7,9,11,12,13を下降させ、チューブ９より不活性ガス
を内カバーのチャンバー121内に導入し、この内部の空
間を介して多孔板７の孔よりウエハーのセンターから周
辺方向へ放射状に不活性ガスを吹付けて外側チャンバー
111へ導入し、それとともに上記排出チューブ13より吸
引する。そしてその状態を保持したまま、ウエハー貼付
シート２の下方より紫外線10を照射して接着層を硬化さ
せ、その時の発生ガスを不活性ガスとともに排出チュー
ブ13より排出する。
１を貼付けたウエハー貼付シート２を取付けた固定材３
をレール４上に載せる。一方、一体となって上下動可能
な7,9,11,12,13を下降させ、チューブ９より不活性ガス
を内カバーのチャンバー121内に導入し、この内部の空
間を介して多孔板７の孔よりウエハーのセンターから周
辺方向へ放射状に不活性ガスを吹付けて外側チャンバー
111へ導入し、それとともに上記排出チューブ13より吸
引する。そしてその状態を保持したまま、ウエハー貼付
シート２の下方より紫外線10を照射して接着層を硬化さ
せ、その時の発生ガスを不活性ガスとともに排出チュー
ブ13より排出する。
以上のようにこの発明によれば、硬化時の発生ガスを周
辺部へ向けて放射状に吹付けた不活性ガスとともに排出
できるように構成したので、発生したガスがウエハー表
面に付着するのを完全に防ぐことができ、高品質の歩留
りの高い半導体製造装置が得られる効果がある。
辺部へ向けて放射状に吹付けた不活性ガスとともに排出
できるように構成したので、発生したガスがウエハー表
面に付着するのを完全に防ぐことができ、高品質の歩留
りの高い半導体製造装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す断面図、第２図は従来の半導体製造装置を示す断面図
である。 図中、１はウエハー、２はウエハー貼付シート、３は固
定材、４はレール、７は多孔板、９は不活性ガス導入チ
ューブ、10は紫外線、11は外カバー、12は内カバー、13
は不活性ガス排出チューブである。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
す断面図、第２図は従来の半導体製造装置を示す断面図
である。 図中、１はウエハー、２はウエハー貼付シート、３は固
定材、４はレール、７は多孔板、９は不活性ガス導入チ
ューブ、10は紫外線、11は外カバー、12は内カバー、13
は不活性ガス排出チューブである。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体製造工程の内の、ダイシング済みの
ウエハーを紫外線硬化型ウエハー貼付シートに貼付け、
その上方より多孔板を介して不活性ガスを吹付け、下方
より紫外線を照射して上記シートのウエハーとの接着層
を硬化させるようにしたものにおいて、同心円状に内外
２つの環状の円錐形カバーを備え、その内カバーに不活
性ガス導入チューブを、外カバーに同排出チューブを連
結し、内側のチャンバー部に不活性ガスを導入し、これ
を下方へ放射状に吹付けて外側のチャンバー部に流入さ
せ、上記排出チューブより発生ガスと共に外部へ排気可
能としたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23617790A JPH07123115B2 (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23617790A JPH07123115B2 (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04115551A JPH04115551A (ja) | 1992-04-16 |
| JPH07123115B2 true JPH07123115B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=16996911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23617790A Expired - Lifetime JPH07123115B2 (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123115B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191531A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-07-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
| JP2005191532A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-07-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100267155B1 (ko) | 1996-09-13 | 2000-10-16 | 아끼구사 나오유끼 | 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치 |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP23617790A patent/JPH07123115B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191531A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-07-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
| JP2005191532A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-07-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
| JP4674070B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2011-04-20 | 積水化学工業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04115551A (ja) | 1992-04-16 |
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