JPH07118466B2 - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
- Publication number
- JPH07118466B2 JPH07118466B2 JP63326231A JP32623188A JPH07118466B2 JP H07118466 B2 JPH07118466 B2 JP H07118466B2 JP 63326231 A JP63326231 A JP 63326231A JP 32623188 A JP32623188 A JP 32623188A JP H07118466 B2 JPH07118466 B2 JP H07118466B2
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- JP
- Japan
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- susceptor
- sic film
- gas
- vapor phase
- phase growth
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は半導体ウェハの製造に使用する縦型の気相成
長装置に関し、特にサセプタの改良に関する。
長装置に関し、特にサセプタの改良に関する。
従来の技術 特開昭60−160611号公報に開示されているように、各種
の気相成長装置が既に公知である。
の気相成長装置が既に公知である。
縦型の気相成長装置は、石英又はステンレス製のベルジ
ャ（炉）の中にディスク状のグラファイト・サセプタを
備えている。サセプタの下方にはラセン状の高周波コイ
ルが設けてあり、このコイルでサセプタを加熱する。基
板ウェハはサセプタ上に並べられ、サセプタからの伝熱
により加熱される。そして、原料ガスがキャリアガスと
共にベルジャ内に導入され、サセプタ上に噴射される。
サセプタは中心軸のまわりに回転可能である。
ャ（炉）の中にディスク状のグラファイト・サセプタを
備えている。サセプタの下方にはラセン状の高周波コイ
ルが設けてあり、このコイルでサセプタを加熱する。基
板ウェハはサセプタ上に並べられ、サセプタからの伝熱
により加熱される。そして、原料ガスがキャリアガスと
共にベルジャ内に導入され、サセプタ上に噴射される。
サセプタは中心軸のまわりに回転可能である。
従来のサセプタはカーボンを基材とし、表面に高純度で
かつ緻密なSiC被膜を有する。このようにサセプタの全
表面を緻密なSiC膜で覆うことにより、サセプタから不
純物ガスが放出するのを防いでいた。
かつ緻密なSiC被膜を有する。このようにサセプタの全
表面を緻密なSiC膜で覆うことにより、サセプタから不
純物ガスが放出するのを防いでいた。
発明が解決しようとする問題点 サセプタを多数回数用いると、エピタキシャル工程及び
HClガスのエッチングによって、サセプタ表面のSiC膜に
ピンホールが発生する。サセプタは高温に加熱されてい
るので、ピンホールからCO,CnHm,微量の金属元素等の不
純物ガスが排出し易くなる。
HClガスのエッチングによって、サセプタ表面のSiC膜に
ピンホールが発生する。サセプタは高温に加熱されてい
るので、ピンホールからCO,CnHm,微量の金属元素等の不
純物ガスが排出し易くなる。
ピンホールがサセプタ表面のウェハ載置部もしくはその
近傍に発生すると、排出された不純物ガスがウェハに接
触したり、原料ガスの流れを乱すためウェハの品質が著
しく低下する。このため大幅に歩留が低下し、コストア
ップの原因になっていた。前述したピンホールの発生の
ため、通常のサセプタの耐用回数はエピタキシャル工程
200回程度であった。
近傍に発生すると、排出された不純物ガスがウェハに接
触したり、原料ガスの流れを乱すためウェハの品質が著
しく低下する。このため大幅に歩留が低下し、コストア
ップの原因になっていた。前述したピンホールの発生の
ため、通常のサセプタの耐用回数はエピタキシャル工程
200回程度であった。
発明の目的 この発明は前述のような従来技術の欠点を解消して、ピ
ンホールが発生してもその悪影響を最小限にとどめるこ
とのできるサセプタを提供することを目的としている。
ンホールが発生してもその悪影響を最小限にとどめるこ
とのできるサセプタを提供することを目的としている。
発明の要旨 前述の目的を達成するために、この発明は請求項１に記
載のサセプタを要旨としている。
載のサセプタを要旨としている。
問題点を解決するための手段 この発明においては、表面に緻密なSiC膜を被覆してあ
るサセプタ12のガス流出方向下流側17にSiC膜の非被覆
部16を設ける。この非被覆部においては炭素基材９は露
出している。
るサセプタ12のガス流出方向下流側17にSiC膜の非被覆
部16を設ける。この非被覆部においては炭素基材９は露
出している。
非被覆部の面積はサセプタ下面の面積の50％〜0.001％
が望ましい。50％を超えると不純物ガスが多量に発生し
て好ましくない。また0.001％より少ない場合には、非
被覆部を設けた効果が得られない。
が望ましい。50％を超えると不純物ガスが多量に発生し
て好ましくない。また0.001％より少ない場合には、非
被覆部を設けた効果が得られない。
非被覆部の形状は任意でよい。例えばSiC膜に断面円形
の孔16を多数設ける。この場合には前述したように、孔
16の合計総面積をサセプタ下面面積の50％〜0.001％に
設定する。
の孔16を多数設ける。この場合には前述したように、孔
16の合計総面積をサセプタ下面面積の50％〜0.001％に
設定する。
作用効果 サセプタ12のガス流出方向下流側にSiC膜の非被覆部16
が設けてあるので、サセプタ12のウェハ載置面にピンホ
ールが発生しても不純物ガスの大部分は非被覆部から排
出され、ウェハに影響を与えずに排気される。従ってサ
セプタの耐用寿命が大幅に向上する。
が設けてあるので、サセプタ12のウェハ載置面にピンホ
ールが発生しても不純物ガスの大部分は非被覆部から排
出され、ウェハに影響を与えずに排気される。従ってサ
セプタの耐用寿命が大幅に向上する。
実 施 例 以下、図面を参照して、この発明の好適な実施例を説明
する。
する。
この発明はサセプタの構造を改良したものであり、サセ
プタを組み込む気相成長装置の構成は従来と同様のもの
を採用できる。
プタを組み込む気相成長装置の構成は従来と同様のもの
を採用できる。
第１図は気相成長装置の主要部分を示す概略断面図で、
サセプタ12に設けたSiC膜15と孔16を強調して図示して
いる。第２図はサセプタ12の概略拡大断面図である。
サセプタ12に設けたSiC膜15と孔16を強調して図示して
いる。第２図はサセプタ12の概略拡大断面図である。
サセプタ12はカーボンを基材としており、表面には緻密
なSiC膜15が形成してある。膜厚は、例えば60μｍとす
る。サセプタ12のガス流出方向下流側17にはSiC膜の非
被覆部として、孔16が設けてある。孔16のところでは、
下地の炭素基材９が露出している。孔16は、サセプタ下
面外周付近のSiC膜15に等間隔に10ケ設けてある。
なSiC膜15が形成してある。膜厚は、例えば60μｍとす
る。サセプタ12のガス流出方向下流側17にはSiC膜の非
被覆部として、孔16が設けてある。孔16のところでは、
下地の炭素基材９が露出している。孔16は、サセプタ下
面外周付近のSiC膜15に等間隔に10ケ設けてある。
孔16の形状は任意でよいが、例えば内径1mmの円筒形状
にする。
にする。
孔16は例えば以下の様にして設ける。あらかじめ炭素基
材９の下面側に所定形状の突起を設けておく。この炭素
基材にSiC膜15を被覆する。被覆工程の終了後、突起を
取り除けば、SiC膜15に孔10が残される。
材９の下面側に所定形状の突起を設けておく。この炭素
基材にSiC膜15を被覆する。被覆工程の終了後、突起を
取り除けば、SiC膜15に孔10が残される。
サセプタの表面に被覆するSiC膜15の厚さは均一でなく
ともよい。例えば、サセプタ12の上面側に薄い（例えば
60μｍ）厚みのSiC膜を形成し、下面側には厚い（例え
ば90μｍ）厚みのSiC膜を形成する。上面側と下面側の
膜厚の比は、望ましくは1.1〜1.5に設定する。
ともよい。例えば、サセプタ12の上面側に薄い（例えば
60μｍ）厚みのSiC膜を形成し、下面側には厚い（例え
ば90μｍ）厚みのSiC膜を形成する。上面側と下面側の
膜厚の比は、望ましくは1.1〜1.5に設定する。
また、ガス管14の外側に支持管11を同心状態に設け、そ
の支持管11を特別な構成としている。すなわち、支持管
11の全体または少なくともフランジ部分11aをSi3N4焼結
体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で構成し、その
表面にさらにSi3N4のコーティング層を設けている。こ
のSi3N4のコーティング層の厚さはその基材中の不純物
が外部に飛出さない程度の厚みにするのが望ましい。
の支持管11を特別な構成としている。すなわち、支持管
11の全体または少なくともフランジ部分11aをSi3N4焼結
体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で構成し、その
表面にさらにSi3N4のコーティング層を設けている。こ
のSi3N4のコーティング層の厚さはその基材中の不純物
が外部に飛出さない程度の厚みにするのが望ましい。
フランジ部分11aは図示した形状のみでなく、他の種々
の形状を採用することができる。例えば、フランジ部分
11aを支持管11の一定位置に固定しないで、必要に応じ
て上下に位置を調節できるように構成することもでき
る。
の形状を採用することができる。例えば、フランジ部分
11aを支持管11の一定位置に固定しないで、必要に応じ
て上下に位置を調節できるように構成することもでき
る。
サセプタ12は中心に貫通孔を有し、その内周部が支持管
11のフランジ部分11aによって支持されている。サセプ
タ12は水平を保ちつつ支持管11と一緒に回転可能となっ
ている。ガス管14は固定されたままである。
11のフランジ部分11aによって支持されている。サセプ
タ12は水平を保ちつつ支持管11と一緒に回転可能となっ
ている。ガス管14は固定されたままである。
高周波コイル13がそのサセプタ12の下方部に配置されて
おり、加熱に供される。
おり、加熱に供される。
ウェハ５はサセプタ12の上側に設置される。
ガス管14の内部を通ってシリコンエピタキシャルガスが
ガス管14の上方部の孔から吹き出され、各ウェハ５に至
り、周知の気相成長が行なわれる。
ガス管14の上方部の孔から吹き出され、各ウェハ５に至
り、周知の気相成長が行なわれる。
この結果、従来の方法で得たサセプタの耐用寿命約200
回に対し、本発明によるサセプタは、エピタキシャル工
程で300回使用しても良好に使用することができた。
回に対し、本発明によるサセプタは、エピタキシャル工
程で300回使用しても良好に使用することができた。
さて、本発明のサセプタは前述の実施例に限定されな
い。例えば、SiC膜の非被服部はドーナツ状に設けた
り、サセプタの半径方向に細長く設けてもよい。
い。例えば、SiC膜の非被服部はドーナツ状に設けた
り、サセプタの半径方向に細長く設けてもよい。
第１図はこの発明によるサセプタを設置した縦型気相成
長装置の主要部分を示す概略縦断面図、第２図はサセプ
タの概略拡大断面図である。 ５……ウェハ 11……支持管 11a……フランジ部 12……サセプタ 13……高周波コイル 14……ガス管 15……SiC膜 16……孔 17……ガス流出方向下流側の面 ９……炭素基材
長装置の主要部分を示す概略縦断面図、第２図はサセプ
タの概略拡大断面図である。 ５……ウェハ 11……支持管 11a……フランジ部 12……サセプタ 13……高周波コイル 14……ガス管 15……SiC膜 16……孔 17……ガス流出方向下流側の面 ９……炭素基材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角谷 雅之 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (72)発明者 佐々木 泰実 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内
Claims (1)
- 【請求項１】ガスを吹きつけて気相成長を行う縦型気相
成長装置に用いるサセプタにおいて、炭素基材の表面に
緻密なSiC膜（15）を設け、ガス流出方向下流側にSiC膜
（15）の非被覆部（16）を設け、炭素基材（９）の一部
を露出させたことを特徴とするサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326231A JPH07118466B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326231A JPH07118466B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174114A JPH02174114A (ja) | 1990-07-05 |
| JPH07118466B2 true JPH07118466B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=18185456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63326231A Expired - Lifetime JPH07118466B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118466B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1028867C2 (nl) * | 2005-04-26 | 2006-10-27 | Xycarb Ceramics B V | Inrichting voor het ondersteunen van een substraat alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke inrichting. |
| JP5297661B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2013-09-25 | スタンレー電気株式会社 | 気相成長装置 |
| KR20110007434A (ko) * | 2009-07-16 | 2011-01-24 | 주식회사 아이피에스 | 반도체 제조 장치 |
| US10208398B2 (en) | 2014-12-02 | 2019-02-19 | Showa Denko K.K. | Wafer support, chemical vapor phase growth device, epitaxial wafer and manufacturing method thereof |
| JP2016111043A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持台、化学気相成長装置、エピタキシャルウェハ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058613A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Hitachi Ltd | エピタキシャル装置 |
| JPS63186422A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-02 | Tadahiro Omi | ウエハサセプタ装置 |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP63326231A patent/JPH07118466B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058613A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Hitachi Ltd | エピタキシャル装置 |
| JPS63186422A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-02 | Tadahiro Omi | ウエハサセプタ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02174114A (ja) | 1990-07-05 |
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