JPH07116589B2 - 組成変調薄膜の作製方法 - Google Patents
組成変調薄膜の作製方法Info
- Publication number
- JPH07116589B2 JPH07116589B2 JP2202513A JP20251390A JPH07116589B2 JP H07116589 B2 JPH07116589 B2 JP H07116589B2 JP 2202513 A JP2202513 A JP 2202513A JP 20251390 A JP20251390 A JP 20251390A JP H07116589 B2 JPH07116589 B2 JP H07116589B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はスパタリングされた粒子を基板上に蒸着して薄
膜を作製するスパタリング蒸着法に関し、特に成分組成
の異なる複数個のスパタリング用ターゲットを用いて組
成変調薄膜を作製する方法に関する。
膜を作製するスパタリング蒸着法に関し、特に成分組成
の異なる複数個のスパタリング用ターゲットを用いて組
成変調薄膜を作製する方法に関する。
従来、複数個の蒸着源を使用するスパタリング蒸着法
や、真空蒸着法（蒸着源の原料を溶融し、蒸発した粒子
を蒸着する方法）によって組成変調膜を作製する方法と
しては、各々蒸着源と蒸着基板の間にシャッター等を挿
入し、必要に応じて開閉し、基板への各々の成分粒子の
蒸着率を制御する方法か、或いは、スパタリング蒸着法
においてはプラズマの放電状態そのものを、投入電力
や、放電電圧、電流等を変化させる事によってスパタリ
ング率を変化させたり、またはイオン ビーム スパタ
リング蒸着法の様にイオン源のイオン電流や、加速電圧
を変化させることによってスパタリング率を変化させる
方法があった。また、単一のターゲット内に組成分布を
有する複合ターゲットを用いて、磁界によってスパタリ
ング用プラズマのターゲット上の位置を変化させて、複
合ターゲット中のスパタリングされる領域を時間的に変
化させ、薄膜の堆積方向に組成を変化させる方法もあっ
た。（これらの従来の方法については例えば、IONICS,1
989年10月号（Vol.15,NO.10）を参照のこと。） 一方、ターゲットとイオン源との間に電位を与えて、蒸
着率を調整し、薄膜の膜質等を改善する方法は従来から
使われていた（例えば、スパタリングによる薄膜作製技
術、経営開発センター、1985年、第２章を参照のこ
と。）。
や、真空蒸着法（蒸着源の原料を溶融し、蒸発した粒子
を蒸着する方法）によって組成変調膜を作製する方法と
しては、各々蒸着源と蒸着基板の間にシャッター等を挿
入し、必要に応じて開閉し、基板への各々の成分粒子の
蒸着率を制御する方法か、或いは、スパタリング蒸着法
においてはプラズマの放電状態そのものを、投入電力
や、放電電圧、電流等を変化させる事によってスパタリ
ング率を変化させたり、またはイオン ビーム スパタ
リング蒸着法の様にイオン源のイオン電流や、加速電圧
を変化させることによってスパタリング率を変化させる
方法があった。また、単一のターゲット内に組成分布を
有する複合ターゲットを用いて、磁界によってスパタリ
ング用プラズマのターゲット上の位置を変化させて、複
合ターゲット中のスパタリングされる領域を時間的に変
化させ、薄膜の堆積方向に組成を変化させる方法もあっ
た。（これらの従来の方法については例えば、IONICS,1
989年10月号（Vol.15,NO.10）を参照のこと。） 一方、ターゲットとイオン源との間に電位を与えて、蒸
着率を調整し、薄膜の膜質等を改善する方法は従来から
使われていた（例えば、スパタリングによる薄膜作製技
術、経営開発センター、1985年、第２章を参照のこ
と。）。
然るに、先ず、シャッターを用いる方法は、各々の蒸着
源からの蒸着率の制御が、シャッターの開閉のみによっ
て行われているために、各成分は100％と０％の制御し
か出来ず、中間の組成を任意に連続的に薄膜の堆積方向
に変化させることは不可能であった。
源からの蒸着率の制御が、シャッターの開閉のみによっ
て行われているために、各成分は100％と０％の制御し
か出来ず、中間の組成を任意に連続的に薄膜の堆積方向
に変化させることは不可能であった。
またプラズマの放電状態や、イオンビーム源の状態を直
接制御する方法においては、プラズマが安定な放電条件
や、安定なイオンビームが生成できる条件の範囲が比較
的狭く、結果的にスパタリング率を大きく変化させるこ
とが不可能であり、従って作製できる組成変調薄膜の周
期や組成の範囲も限られたものであった。更にこの様な
方法では、放電条件や、イオンビームの生成条件を変化
させてから、安定な状態になるまでに、遅れがあるため
に、高速に、スパタリング速度を変化させることが困難
であり、作製できる組成変調薄膜の周期にも自ずと制約
があった。
接制御する方法においては、プラズマが安定な放電条件
や、安定なイオンビームが生成できる条件の範囲が比較
的狭く、結果的にスパタリング率を大きく変化させるこ
とが不可能であり、従って作製できる組成変調薄膜の周
期や組成の範囲も限られたものであった。更にこの様な
方法では、放電条件や、イオンビームの生成条件を変化
させてから、安定な状態になるまでに、遅れがあるため
に、高速に、スパタリング速度を変化させることが困難
であり、作製できる組成変調薄膜の周期にも自ずと制約
があった。
更に、複合ターゲットを用いる方法に於ては、ターゲッ
トを１個しか使わないために、変化させることの出来る
組成範囲が限られ、また成分元素の数が多くなると組成
制御が著しく困難であった。また、ターゲットとイオン
源との間に電位を与える方法はターゲットを１個のみ用
いるスパタリング法に適用されたのみであり、従って、
上記の様にターゲットとイオン源との間の電位は通常時
間的に変化しない直流的なものであり、任意の時間関数
にしたがって変化させるような方法はなかった。
トを１個しか使わないために、変化させることの出来る
組成範囲が限られ、また成分元素の数が多くなると組成
制御が著しく困難であった。また、ターゲットとイオン
源との間に電位を与える方法はターゲットを１個のみ用
いるスパタリング法に適用されたのみであり、従って、
上記の様にターゲットとイオン源との間の電位は通常時
間的に変化しない直流的なものであり、任意の時間関数
にしたがって変化させるような方法はなかった。
本来薄膜材料の特性は、構成物質の結晶が有する固有の
物性と、その１つ１つの結晶が集合して材料を構成する
際の集合の仕方、即ち、巨視的に発現する材料の特性は
その様な諸々の分布、特に組成分布によって支配される
場合が多い。したがって所望の優れた特性を有する薄膜
材料を作製する場合には、均一な組成を有する薄膜を再
現性良く作製するだけでは不十分であり、所望の組成変
調を有する薄膜材料を再現性良く作製することが重要で
ある。
物性と、その１つ１つの結晶が集合して材料を構成する
際の集合の仕方、即ち、巨視的に発現する材料の特性は
その様な諸々の分布、特に組成分布によって支配される
場合が多い。したがって所望の優れた特性を有する薄膜
材料を作製する場合には、均一な組成を有する薄膜を再
現性良く作製するだけでは不十分であり、所望の組成変
調を有する薄膜材料を再現性良く作製することが重要で
ある。
しかしながら、前述したようにこの様な薄膜の堆積方向
に任意の組成変調を有する薄膜材料を制御性良く作製す
ることは従来の技術では困難であった。
に任意の組成変調を有する薄膜材料を制御性良く作製す
ることは従来の技術では困難であった。
本発明はこれらの問題点を解決し、組成の相異なる複数
個のターゲットを使用する３極以上の多極グロー放電プ
ラズマスパタリング蒸着法によって、薄膜の堆積方向に
成分元素間の組成比の変調を有する多成分系組成変調薄
膜を作製する方法のうち、スパタリングに使用するイオ
ン源の放電状態を変化させずに、ターゲットとイオン源
との間の電位を各々のターゲットに於て、独立に調節す
ることによって、各々のターゲットのスパタリング速度
を任意の時間関数に従って変化させ、それによって蒸着
基板へのスパタリング粒子の蒸着率を上記の時間関数に
伴って変化させ、薄膜の堆積方向に成分元素間の組成比
が所望の関数に従って変化するような組成変調を有する
組成変調薄膜を作製する方法を提供することを目的とす
るものである。
個のターゲットを使用する３極以上の多極グロー放電プ
ラズマスパタリング蒸着法によって、薄膜の堆積方向に
成分元素間の組成比の変調を有する多成分系組成変調薄
膜を作製する方法のうち、スパタリングに使用するイオ
ン源の放電状態を変化させずに、ターゲットとイオン源
との間の電位を各々のターゲットに於て、独立に調節す
ることによって、各々のターゲットのスパタリング速度
を任意の時間関数に従って変化させ、それによって蒸着
基板へのスパタリング粒子の蒸着率を上記の時間関数に
伴って変化させ、薄膜の堆積方向に成分元素間の組成比
が所望の関数に従って変化するような組成変調を有する
組成変調薄膜を作製する方法を提供することを目的とす
るものである。
このため、本発明においては従来法と異なり、ターゲッ
トをスパタリングする為のイオンを発生させるための機
構と、それらの発生源からスパタリングに必要なイオン
（通常Ar+,He+等の不活性ガスの陽イオン）を引きだ
し、ターゲットをスパタリングさせるための機構を分離
独立させる。後者の機構は通常スパタリング用イオン源
の電位とターゲットの電位を調節することによって行
う。この様な方法によれば、スパタリングイオン源の状
態は一定の安定な状態に保ったままでも、上記の電位を
変化させることによって、ターゲットに到達するスパタ
リング用イオンの個数や運動エネルギーを変化させるこ
とによって、スパタリング速度即ち、蒸着速度を、ゼロ
から所望の最大値まで、連続的に変化させることが出来
る。この様なスパタリング蒸着源を複数個同一真空容器
内に設置し、異なったターゲットを同時にスパタリング
して、単一の基板上に蒸着することによって、両者の任
意の中間の組成を有する薄膜を作製することが可能であ
る。
トをスパタリングする為のイオンを発生させるための機
構と、それらの発生源からスパタリングに必要なイオン
（通常Ar+,He+等の不活性ガスの陽イオン）を引きだ
し、ターゲットをスパタリングさせるための機構を分離
独立させる。後者の機構は通常スパタリング用イオン源
の電位とターゲットの電位を調節することによって行
う。この様な方法によれば、スパタリングイオン源の状
態は一定の安定な状態に保ったままでも、上記の電位を
変化させることによって、ターゲットに到達するスパタ
リング用イオンの個数や運動エネルギーを変化させるこ
とによって、スパタリング速度即ち、蒸着速度を、ゼロ
から所望の最大値まで、連続的に変化させることが出来
る。この様なスパタリング蒸着源を複数個同一真空容器
内に設置し、異なったターゲットを同時にスパタリング
して、単一の基板上に蒸着することによって、両者の任
意の中間の組成を有する薄膜を作製することが可能であ
る。
すなわち、本発明は成分組成の相異なる複数個のスパタ
リング用ターゲットを用い、各々のターゲットに別々
に、イオンを照射することによって、スパタリングを行
い、スパタリングされた粒子を基板上に蒸着することに
よって薄膜を作製するスパタリング蒸着法において、ス
パタリングに使用するイオン源の放電状態を変化させず
に、ターゲットとイオン源との間の電位を各々のターゲ
ットに於て、独立に調節することによって、各々のター
ゲットのスパタリング速度を任意の時間関数に従って変
化させ、それによって蒸着基板へのスパタリング粒子の
蒸着率を上記の時間関数に伴って変化させ、薄膜の堆積
方向に成分元素間の組成比が所望の関数に従って変化す
るような組成変調を有する組成変調薄膜を作製する方法
に関するものである。このような堆積方向に周期的また
は非周期的な組成変調を有する薄膜材料は軟Ｘ線領域の
分光用人工格子や、磁気光学効果を利用した記録媒体等
にも有用である。また最近、急速に研究が進んでいる酸
化物超電導体薄膜も一種の組成変調薄膜と見なす事もで
きる。この様に高度な物性機能を有する薄膜材料を作製
するためには均一組成の薄膜を使用するのでは不十分
で、何等かの組成変調、または原子構造の変調を有する
薄膜を使用することが必要になる場合が多くなってき
た。その際、その様な変調構造が、比較的簡単な操作
で、また再現性良く制御できることが材料作製上で重要
な要件となる。本発明はそれらの組成変調薄膜のうち、
薄膜の堆積方向に任意の組成変調構造を有する薄膜の作
製方法に関するものである。
リング用ターゲットを用い、各々のターゲットに別々
に、イオンを照射することによって、スパタリングを行
い、スパタリングされた粒子を基板上に蒸着することに
よって薄膜を作製するスパタリング蒸着法において、ス
パタリングに使用するイオン源の放電状態を変化させず
に、ターゲットとイオン源との間の電位を各々のターゲ
ットに於て、独立に調節することによって、各々のター
ゲットのスパタリング速度を任意の時間関数に従って変
化させ、それによって蒸着基板へのスパタリング粒子の
蒸着率を上記の時間関数に伴って変化させ、薄膜の堆積
方向に成分元素間の組成比が所望の関数に従って変化す
るような組成変調を有する組成変調薄膜を作製する方法
に関するものである。このような堆積方向に周期的また
は非周期的な組成変調を有する薄膜材料は軟Ｘ線領域の
分光用人工格子や、磁気光学効果を利用した記録媒体等
にも有用である。また最近、急速に研究が進んでいる酸
化物超電導体薄膜も一種の組成変調薄膜と見なす事もで
きる。この様に高度な物性機能を有する薄膜材料を作製
するためには均一組成の薄膜を使用するのでは不十分
で、何等かの組成変調、または原子構造の変調を有する
薄膜を使用することが必要になる場合が多くなってき
た。その際、その様な変調構造が、比較的簡単な操作
で、また再現性良く制御できることが材料作製上で重要
な要件となる。本発明はそれらの組成変調薄膜のうち、
薄膜の堆積方向に任意の組成変調構造を有する薄膜の作
製方法に関するものである。
以下３極グロー放電スパタリング蒸着法について、スパ
タリング用イオン源としてグロー放電プラズマを用いる
スパタリング蒸着法の代表例として説明する。なおグロ
ー放電スパタリング蒸着法には４極以上の電極を用いる
多極スパタリング法も行われているが、本質的に３極グ
ロー放電スパタリング蒸着法と同じであり、他の電極は
プラズマの安定性を改善するためなどに使用されている
場合が多いので省略する。
タリング用イオン源としてグロー放電プラズマを用いる
スパタリング蒸着法の代表例として説明する。なおグロ
ー放電スパタリング蒸着法には４極以上の電極を用いる
多極スパタリング法も行われているが、本質的に３極グ
ロー放電スパタリング蒸着法と同じであり、他の電極は
プラズマの安定性を改善するためなどに使用されている
場合が多いので省略する。
３極グロー放電スパタリング蒸着法を用いる場合につい
て説明する。第１図は同法の概念図である。本図には蒸
着源、即ち、スパタリングターゲット、放電用電源など
が２個の場合を示してあるが、３成分以上の組成変調薄
膜を作製する場合などの様に３個以上のイオン源を使用
する場合も方法的には全く同様である。第１図に於て１
は真空容器でありこの容器１内に蒸着基板３以外の部分
が各々１対ずつ配置される。先ず、ガス供給ライン８に
よってスパタリング用の不活性ガスや反応蒸着用の反応
ガスを真空容器内に導入し、陽極６と陰極５間に定電圧
電源11により放電を行う。その際、ヒーター電源９によ
って陰極５となっているフィラメントを加熱して、熱電
子を放出し、放電を促進させる。更に、ターゲット２の
プラズマ４に対する電位を電源10によって変化させ、プ
ラズマ中のイオンがターゲットに入射する割合、即ち個
数と運動エネルギーを変化させることによって、ターゲ
ットのスパタリングされる速度を調節し、それによっ
て、蒸着基板３に蒸着される蒸着粒子の速度が調節され
る。即ち蒸着粒子の基板３への蒸着速度:VDはプラズマ
とターゲット間の電位差:VTの関数:F（VT）となるの
で、VTを時間と共に変化させることによって、VD＝Ｆ
（VT（ｔ））となり、蒸着速度を時間の関数として変化
させることが出来る。同様にして、もう１方の蒸着源の
プラズマとターゲット間の電位差も独立に変化させれ
ば、結果的に任意の組成変調を有する薄膜を作製するこ
とが出来る。従って実際にこの様な組成変調薄膜を作製
する場合には予め１つのターゲットからスパタリングさ
れる成分の蒸着速度:VDとVTの関係、即ち関数Ｆを決定
しておくことが必要である。そしてその関数にしたがっ
て電源電圧の変化の仕方をプログラムしておけばよい。
て説明する。第１図は同法の概念図である。本図には蒸
着源、即ち、スパタリングターゲット、放電用電源など
が２個の場合を示してあるが、３成分以上の組成変調薄
膜を作製する場合などの様に３個以上のイオン源を使用
する場合も方法的には全く同様である。第１図に於て１
は真空容器でありこの容器１内に蒸着基板３以外の部分
が各々１対ずつ配置される。先ず、ガス供給ライン８に
よってスパタリング用の不活性ガスや反応蒸着用の反応
ガスを真空容器内に導入し、陽極６と陰極５間に定電圧
電源11により放電を行う。その際、ヒーター電源９によ
って陰極５となっているフィラメントを加熱して、熱電
子を放出し、放電を促進させる。更に、ターゲット２の
プラズマ４に対する電位を電源10によって変化させ、プ
ラズマ中のイオンがターゲットに入射する割合、即ち個
数と運動エネルギーを変化させることによって、ターゲ
ットのスパタリングされる速度を調節し、それによっ
て、蒸着基板３に蒸着される蒸着粒子の速度が調節され
る。即ち蒸着粒子の基板３への蒸着速度:VDはプラズマ
とターゲット間の電位差:VTの関数:F（VT）となるの
で、VTを時間と共に変化させることによって、VD＝Ｆ
（VT（ｔ））となり、蒸着速度を時間の関数として変化
させることが出来る。同様にして、もう１方の蒸着源の
プラズマとターゲット間の電位差も独立に変化させれ
ば、結果的に任意の組成変調を有する薄膜を作製するこ
とが出来る。従って実際にこの様な組成変調薄膜を作製
する場合には予め１つのターゲットからスパタリングさ
れる成分の蒸着速度:VDとVTの関係、即ち関数Ｆを決定
しておくことが必要である。そしてその関数にしたがっ
て電源電圧の変化の仕方をプログラムしておけばよい。
上記のようにして作製することが出来る組成変調薄膜の
組成は、上記の方法によって、単相の薄膜が作製可能な
組成であれば、全て作製することが出来る。ターゲット
の組成としては１成分系だけでなく多成分系ターゲット
をターゲットの１つとして用いることが出来るが、その
際はその多成分系ターゲット内の成分に関する組成変調
を有する薄膜を作製することは出来ない。
組成は、上記の方法によって、単相の薄膜が作製可能な
組成であれば、全て作製することが出来る。ターゲット
の組成としては１成分系だけでなく多成分系ターゲット
をターゲットの１つとして用いることが出来るが、その
際はその多成分系ターゲット内の成分に関する組成変調
を有する薄膜を作製することは出来ない。
また堆積方向の可能な組成変調関数:Fについてはその微
分関数Ｆ′によって上限と下限が自ずから規定される。
下限、即ちどれだけ緩やかに組成を変化させることが出
来るかについては、主にプラズマの安定度や、プラズマ
とターゲット間の電位差を制御する電源の安定度に依存
する。また上限については、プラズマとターゲット間の
電位差を制御する電源の時間変化に対する応答速度に依
存して決められ、通常数原子層、即ち10Å程度の間に、
０％から100％まで変化させるのが限度であり、それよ
り急俊に組成を変化させるには基板やターゲットにシャ
ッターを用いる従来の方法を使用しなければならない。
分関数Ｆ′によって上限と下限が自ずから規定される。
下限、即ちどれだけ緩やかに組成を変化させることが出
来るかについては、主にプラズマの安定度や、プラズマ
とターゲット間の電位差を制御する電源の安定度に依存
する。また上限については、プラズマとターゲット間の
電位差を制御する電源の時間変化に対する応答速度に依
存して決められ、通常数原子層、即ち10Å程度の間に、
０％から100％まで変化させるのが限度であり、それよ
り急俊に組成を変化させるには基板やターゲットにシャ
ッターを用いる従来の方法を使用しなければならない。
３極グロー放電スパタリング蒸着法を用いて、銅−鉄二
元系組成変調薄膜を作製した。第１図に示した様な１対
のスパタリング蒸着機構を有する３極グロー放電スパタ
リング蒸着装置に於て、直流電源10によって、プラズマ
とターゲット間の電位差:VTを第２図の横軸の範囲で変
化させた。その結果VTと蒸着速度VDの関係は第２図のよ
うであった。用いたターゲットは鉄であり、スパタリン
グ圧力は0.68Pa,フィラメント電流は4.0Aである。この
図から、VDとVTはほぼ比例していることが解る。また銅
に関しても同様の結果が得られた。第３図の様な銅と鉄
についての変調関数:F（ｔ）を用いて組成変調薄膜を作
製した。第４図にこの様にして、作製された組成変調薄
膜の、オージェ デプツ プロファイルを示す。スパタ
リングによる原子混合の影響で実際に薄膜中に作製され
た波形関数よりもすこし波形が鈍化していると考えられ
るが、ほぼ設計どうりの三角波状の組成変調を有する組
成変調薄膜が作製されていることが解る。
元系組成変調薄膜を作製した。第１図に示した様な１対
のスパタリング蒸着機構を有する３極グロー放電スパタ
リング蒸着装置に於て、直流電源10によって、プラズマ
とターゲット間の電位差:VTを第２図の横軸の範囲で変
化させた。その結果VTと蒸着速度VDの関係は第２図のよ
うであった。用いたターゲットは鉄であり、スパタリン
グ圧力は0.68Pa,フィラメント電流は4.0Aである。この
図から、VDとVTはほぼ比例していることが解る。また銅
に関しても同様の結果が得られた。第３図の様な銅と鉄
についての変調関数:F（ｔ）を用いて組成変調薄膜を作
製した。第４図にこの様にして、作製された組成変調薄
膜の、オージェ デプツ プロファイルを示す。スパタ
リングによる原子混合の影響で実際に薄膜中に作製され
た波形関数よりもすこし波形が鈍化していると考えられ
るが、ほぼ設計どうりの三角波状の組成変調を有する組
成変調薄膜が作製されていることが解る。
本発明によれば、薄膜の堆積方向に成分元素間の組成比
が、従来の技術による場合の様に単なる階段関数的なも
のでなく、所望の関数に従って変化するような組成変調
を有する組成変調薄膜を容易に作製する事が出来る。従
って、従来の多層薄膜、超格子材料よりも更により高度
な機能物性を有する薄膜材料を作製することが出来、例
えば、Ｘ線用分光人工格子、垂直磁化膜、光磁気記録材
料などに応用することが出来る。
が、従来の技術による場合の様に単なる階段関数的なも
のでなく、所望の関数に従って変化するような組成変調
を有する組成変調薄膜を容易に作製する事が出来る。従
って、従来の多層薄膜、超格子材料よりも更により高度
な機能物性を有する薄膜材料を作製することが出来、例
えば、Ｘ線用分光人工格子、垂直磁化膜、光磁気記録材
料などに応用することが出来る。
第１図は３極グロー放電スパタリング蒸着法の概念図で
ある。 第２図は３極グロー放電スパタリング蒸着装置における
プラズマとターゲット間の電位差:VTと蒸着速度:VDの関
係を示す図である。 第３図は銅と鉄の各々のVTの時間変化を示す関数Ｆ
（ｔ）である。 第４図は第３図の変調関数を用いて作製された銅／鉄組
成変調薄膜のオージェ デプツ プロファイルを示す。 1:真空容器、2:ターゲット、 3:蒸着基板、4:スパタリング用プラズマ、 5:陰極、6:陽極、 7:シールド、 8:スパタリング用及び反応蒸着用ガス供給ライン、 9:ヒーター用電源、 10:バイアス用定電圧電源、 11:放電用定電圧電源、12:トリガー用電源
ある。 第２図は３極グロー放電スパタリング蒸着装置における
プラズマとターゲット間の電位差:VTと蒸着速度:VDの関
係を示す図である。 第３図は銅と鉄の各々のVTの時間変化を示す関数Ｆ
（ｔ）である。 第４図は第３図の変調関数を用いて作製された銅／鉄組
成変調薄膜のオージェ デプツ プロファイルを示す。 1:真空容器、2:ターゲット、 3:蒸着基板、4:スパタリング用プラズマ、 5:陰極、6:陽極、 7:シールド、 8:スパタリング用及び反応蒸着用ガス供給ライン、 9:ヒーター用電源、 10:バイアス用定電圧電源、 11:放電用定電圧電源、12:トリガー用電源
Claims (1)
- 【請求項１】成分組成の相異なる複数個のスパタリング
用ターゲットを用い、各々のターゲットに別々に、イオ
ン照射することによって、スパタリングを行い、スパタ
リングされた粒子を基板上に蒸着することによって薄膜
を作製する３極以上の多極グロー放電プラズマスパタリ
ング蒸着法において、熱電子を放出する陰極を有するイ
オン発生機構とスパタリング機構を分離独立させたスパ
タリング蒸着源を各々のターゲットに用い、ターゲット
とイオン源との間の電位〔VT〕を各々のターゲットに於
て、独立に任意の時間関数〔VT（ｔ）〕に従って変化さ
せることにより、蒸着基板へのスパタリングされた粒子
の蒸着率を組成変調関数〔Ｆ（VT（ｔ））〕に伴って変
化させ、薄膜の堆積方向に成分元素間の組成比が各々の
ターゲットにおける組成変調関数の比に従って変化し、
かつ、少なくとも堆積方向の組成変化が連続的に変化す
る部分を有する組成変調薄膜を作製することを特徴とす
る組成変調薄膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202513A JPH07116589B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 組成変調薄膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202513A JPH07116589B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 組成変調薄膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488169A JPH0488169A (ja) | 1992-03-23 |
| JPH07116589B2 true JPH07116589B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=16458734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2202513A Expired - Lifetime JPH07116589B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 組成変調薄膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116589B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006096841A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Thk Co Ltd | 固体潤滑膜およびその製造方法、固体潤滑膜が成膜される転がり摺動部材 |
| JP5646398B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2014-12-24 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63176466A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-20 | Toyobo Co Ltd | スパツタリング装置 |
| JPH0297673A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Hitachi Koki Co Ltd | イオンビームスパッタ法 |
| JP2845910B2 (ja) * | 1988-12-12 | 1999-01-13 | 三菱重工業株式会社 | スパッタリング成膜装置 |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2202513A patent/JPH07116589B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0488169A (ja) | 1992-03-23 |
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